JPH0687548B2 - 電気−光変換器組立体 - Google Patents
電気−光変換器組立体Info
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- JPH0687548B2 JPH0687548B2 JP63200301A JP20030188A JPH0687548B2 JP H0687548 B2 JPH0687548 B2 JP H0687548B2 JP 63200301 A JP63200301 A JP 63200301A JP 20030188 A JP20030188 A JP 20030188A JP H0687548 B2 JPH0687548 B2 JP H0687548B2
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- coupling
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、高速度データ信号の変換器組立体、より詳細
に言えば、光源から直列的な信号を伝送する伝送路と、
並列的な電気的信号の通路との間を変換する装置に関す
る。
に言えば、光源から直列的な信号を伝送する伝送路と、
並列的な電気的信号の通路との間を変換する装置に関す
る。
B.従来の技術 高速度データ伝送の分野で、オプチカル・フアイバによ
るデータ通信が、通常の金属導体によるデータ通信の代
りに急速に普及してきた。これらのオプチカル・フアイ
バは、光の周波数で動作し、かつ広い帯域幅を持つてい
る。オプチカル・フアイバによるデータ伝送は帯域幅が
広いので、伝送されるデータ量は、通常の導電体ワイヤ
で伝送されるデータ量に比べて遥かに大きい。この厖大
な量のデータを処理するために、直列的なデータ信号を
並列的なデータ信号に変換する高速度変換装置を用いる
ことが必要である。
るデータ通信が、通常の金属導体によるデータ通信の代
りに急速に普及してきた。これらのオプチカル・フアイ
バは、光の周波数で動作し、かつ広い帯域幅を持つてい
る。オプチカル・フアイバによるデータ伝送は帯域幅が
広いので、伝送されるデータ量は、通常の導電体ワイヤ
で伝送されるデータ量に比べて遥かに大きい。この厖大
な量のデータを処理するために、直列的なデータ信号を
並列的なデータ信号に変換する高速度変換装置を用いる
ことが必要である。
C.発明が解決しようとする問題点 従つて、本発明の目的は、長い引出し線によつて速度が
低下することなく、直列的なデータ信号を並列的なデー
タ信号に変換し、そして並列的なデータ信号を直列的な
データ信号に変換する装置を提供することにある。
低下することなく、直列的なデータ信号を並列的なデー
タ信号に変換し、そして並列的なデータ信号を直列的な
データ信号に変換する装置を提供することにある。
本発明の他の目的は集積回路の論理チツプに集積するこ
とが可能な変換処理回路を提供することにある。
とが可能な変換処理回路を提供することにある。
本発明の他の目的は、チツプの熱放散を改善するため
に、小さな面積を持つ上記の変換用論理チツプを提供す
ることにある。
に、小さな面積を持つ上記の変換用論理チツプを提供す
ることにある。
D.問題点を解決するための手段 本発明の変換器組立体は、光信号から電気信号に、また
は電気信号から光信号へ変換するための変換器と、一方
の表面に入力端子及び出力端子の両方を持ち、且つ直列
的な信号を並列的な信号に変換する回路、及び並列的な
信号を直列的な信号に変換する回路を含む論理回路チツ
プと、変換器及び論理回路チツプとの間に装着された結
合用多層チツプとを含んでいる。結合用多層チツプの一
方の面は変換器に結合され、結合用多層チツプの他方の
面は、論理回路チツプの一方の面と、２つの結合手段と
に結合されており、一方の結合手段は、結合用チツプの
厚さ方向に貫通して、変換器から論理回路チツプへ直列
の信号を伝送し、または論理回路チツプから変換器へ直
列の信号を伝送し、他方の結合手段は、論理回路チツプ
の並列に配列された端子と、上記の結合用チツプの一方
の縁の近くに設けられた並列のコンタクトとを結合し、
これにより論理回路チツプからの、または論理回路チツ
プへの直列的な引出し線及び並列的な引出し線の両方
が、結合用チツプを介して与えられる。
は電気信号から光信号へ変換するための変換器と、一方
の表面に入力端子及び出力端子の両方を持ち、且つ直列
的な信号を並列的な信号に変換する回路、及び並列的な
信号を直列的な信号に変換する回路を含む論理回路チツ
プと、変換器及び論理回路チツプとの間に装着された結
合用多層チツプとを含んでいる。結合用多層チツプの一
方の面は変換器に結合され、結合用多層チツプの他方の
面は、論理回路チツプの一方の面と、２つの結合手段と
に結合されており、一方の結合手段は、結合用チツプの
厚さ方向に貫通して、変換器から論理回路チツプへ直列
の信号を伝送し、または論理回路チツプから変換器へ直
列の信号を伝送し、他方の結合手段は、論理回路チツプ
の並列に配列された端子と、上記の結合用チツプの一方
の縁の近くに設けられた並列のコンタクトとを結合し、
これにより論理回路チツプからの、または論理回路チツ
プへの直列的な引出し線及び並列的な引出し線の両方
が、結合用チツプを介して与えられる。
E.実施例 第１図はオプチカル・フアイバ用のハイブリツド・トラ
ンシーバ10を分解した斜視図を示している。トランシー
バ10は、光信号送信器サブアセンブリ13及び光信号受信
器サブアセンブリ15とを含んでいる。光信号送信器サブ
アセンブリ13のボデイの一方の端部13aは、オプチカル
・フアイバが接続され、他方の端部13bは、導電ピン13c
を持つている。光信号送信器サブアセンブリ13は、オプ
チカル・フアイバを介して光信号を直列に伝送するため
に、ピン13aの処に伝送信号に応答するレーザ、または
光放射ダイオードを含んでいる。このサブアセンブリの
１例として、三菱電機社のレーザ、モデル番号FU06LDが
ある。また、光信号受信器サブアセンブリ15は、円筒形
をしており、その一方の端部15aは、接続されたオプチ
カル・フアイバから光データ信号を受取り、そして他方
の端部15bは、１対の導電ピン15cを持つている。受信器
サブアセンブリ15は、例えば三菱電機の製品、モデル番
号FU11PD11のようなホトダイオード検出器を含んでい
る。
ンシーバ10を分解した斜視図を示している。トランシー
バ10は、光信号送信器サブアセンブリ13及び光信号受信
器サブアセンブリ15とを含んでいる。光信号送信器サブ
アセンブリ13のボデイの一方の端部13aは、オプチカル
・フアイバが接続され、他方の端部13bは、導電ピン13c
を持つている。光信号送信器サブアセンブリ13は、オプ
チカル・フアイバを介して光信号を直列に伝送するため
に、ピン13aの処に伝送信号に応答するレーザ、または
光放射ダイオードを含んでいる。このサブアセンブリの
１例として、三菱電機社のレーザ、モデル番号FU06LDが
ある。また、光信号受信器サブアセンブリ15は、円筒形
をしており、その一方の端部15aは、接続されたオプチ
カル・フアイバから光データ信号を受取り、そして他方
の端部15bは、１対の導電ピン15cを持つている。受信器
サブアセンブリ15は、例えば三菱電機の製品、モデル番
号FU11PD11のようなホトダイオード検出器を含んでい
る。
更に、トランシーバ10は、光信号送信器サブアセンブリ
13及び光信号受信器サブアセンブリ15の両方を収容する
前部ハウジング11を有している。ハウジング11は、月並
な導電性材料で作られており、送信器サブアセンブリ13
を受入れるための第１の開孔11aと、受信器サブアセン
ブリ15を受入れるための第２の開孔11bとが設けられて
いる。ハウジング11の部分11cは、長い送信器サブアセ
ンブリ13を完全に収納するために、部分11dよりも実質
的に長く作られている。同様に、受信器サブアセンブリ
15は、前部ハウジング11の短い部分11d内に収容されて
いる。共通壁11iは部分11c及び部分11dを分離し且つ隔
離する。電気的素子に対面するハウジングの端部は、窪
み部11e及び11fを持ち、これらの窪み部の中心は、開孔
11a及び11bの夫々中心と合致している。送信器サブアセ
ンブリ13は、ピン13bが窪み部11eに延長されるようにハ
ウジング内に装着される。同様に、受信器サブアセンブ
リ15は、ピン15bが窪み部11fに突出されるようにハウジ
ング内に装着される。窪み部11e及び11fは、送信器サブ
アセンブリの矩形状のインターポーザ25及び受信器サブ
アセンブリの矩形状のインターポーザ26の夫々を挿入す
るのに適している。
13及び光信号受信器サブアセンブリ15の両方を収容する
前部ハウジング11を有している。ハウジング11は、月並
な導電性材料で作られており、送信器サブアセンブリ13
を受入れるための第１の開孔11aと、受信器サブアセン
ブリ15を受入れるための第２の開孔11bとが設けられて
いる。ハウジング11の部分11cは、長い送信器サブアセ
ンブリ13を完全に収納するために、部分11dよりも実質
的に長く作られている。同様に、受信器サブアセンブリ
15は、前部ハウジング11の短い部分11d内に収容されて
いる。共通壁11iは部分11c及び部分11dを分離し且つ隔
離する。電気的素子に対面するハウジングの端部は、窪
み部11e及び11fを持ち、これらの窪み部の中心は、開孔
11a及び11bの夫々中心と合致している。送信器サブアセ
ンブリ13は、ピン13bが窪み部11eに延長されるようにハ
ウジング内に装着される。同様に、受信器サブアセンブ
リ15は、ピン15bが窪み部11fに突出されるようにハウジ
ング内に装着される。窪み部11e及び11fは、送信器サブ
アセンブリの矩形状のインターポーザ25及び受信器サブ
アセンブリの矩形状のインターポーザ26の夫々を挿入す
るのに適している。
送信器インターポーザ25は、送信器サブアセンブリ13の
トランシーバ側に位置するピン13bに嵌め合わせるに適
した中空円筒形の１対の細長い導電ピン延長部27を挿通
する開孔を持つ誘電体ブロツクである。導電ピン延長部
27の数は、ピン13bの数と同じである。導電ピン延長部
は、ピンのソケツトとして機能するように適度な圧力を
もつてピンを挿入することが出来る内径を有している。
送信器サブアセンブリ側とは反対側の導電ピン延長部は
開口を持たずめくらにされている。窪み部11f内の受信
器インターポーザ26は、ピン15bが挿入される同様な中
空円筒形の１対の導電ピン延長部29を持つている。更
に、ハウジングは、外側窪み部11g及び11hを有してお
り、それらの窪み部は、結合用チツプに対してピンの整
列を与えるために、結合用多層セラミツク・チツプ40及
び41の厚さの約半分の長さを受入れるに適した寸法を持
つている。
トランシーバ側に位置するピン13bに嵌め合わせるに適
した中空円筒形の１対の細長い導電ピン延長部27を挿通
する開孔を持つ誘電体ブロツクである。導電ピン延長部
27の数は、ピン13bの数と同じである。導電ピン延長部
は、ピンのソケツトとして機能するように適度な圧力を
もつてピンを挿入することが出来る内径を有している。
送信器サブアセンブリ側とは反対側の導電ピン延長部は
開口を持たずめくらにされている。窪み部11f内の受信
器インターポーザ26は、ピン15bが挿入される同様な中
空円筒形の１対の導電ピン延長部29を持つている。更
に、ハウジングは、外側窪み部11g及び11hを有してお
り、それらの窪み部は、結合用チツプに対してピンの整
列を与えるために、結合用多層セラミツク・チツプ40及
び41の厚さの約半分の長さを受入れるに適した寸法を持
つている。
後述されるこの結合用多層セラミツク・チツプ40及び41
は、送信器サブアセンブリ、または受信機サブアセンブ
リのピンから論理回路チツプのピン延長部への接続を与
えるとともに、論理チツプからプラガブル回路板への接
続を与えるために、異なつた回路パターンを含む、一体
的に合体された多層セラミツク基板である。この多層セ
ラミツク基板の１例としては、京セラ社の焼結された多
層セラミツク基板がある。この種の多層セラミツク基板
の構造は、例えば、1982年の電子部品会議の会報（Proc
eeding of Electric Components Conference）に開示さ
れたドーラ（J.Dorler）等による文献に記載されてい
る。結合用多層セラミツク・チツプ40及び41は、矩形の
チツプに合致した形状の窪み部11g及び11hに夫々装着す
ることによつて、ピン延長部27及び29に隣接した一面を
持つ変換器に対してチツプを整列させる。結合用多層セ
ラミツク・チツプ40及び41の反対側の面に、集積回路チ
ツプ50及び51が夫々設けられている。前部ハウジング11
の前面の形に合致したヒート・シンク60が、夫々の集積
回路チツプ50及び51の背面50b及び51bの側に装着され
る。第２図を参照すると、結合用多層セラミツク・チツ
プ40及び41の部分を受入れて、整列させるための矩形の
窪み部61及び62を有するヒート・シンク・ハウジング60
が示されている。集積回路チツプ50及び51は窪み部61a
及び62aに嵌め込まれる。外側の延長壁60aは、第１図の
窪み部11jに嵌合して、チツプ40及び41の底面を除い
て、完全にハウジングを被う。
は、送信器サブアセンブリ、または受信機サブアセンブ
リのピンから論理回路チツプのピン延長部への接続を与
えるとともに、論理チツプからプラガブル回路板への接
続を与えるために、異なつた回路パターンを含む、一体
的に合体された多層セラミツク基板である。この多層セ
ラミツク基板の１例としては、京セラ社の焼結された多
層セラミツク基板がある。この種の多層セラミツク基板
の構造は、例えば、1982年の電子部品会議の会報（Proc
eeding of Electric Components Conference）に開示さ
れたドーラ（J.Dorler）等による文献に記載されてい
る。結合用多層セラミツク・チツプ40及び41は、矩形の
チツプに合致した形状の窪み部11g及び11hに夫々装着す
ることによつて、ピン延長部27及び29に隣接した一面を
持つ変換器に対してチツプを整列させる。結合用多層セ
ラミツク・チツプ40及び41の反対側の面に、集積回路チ
ツプ50及び51が夫々設けられている。前部ハウジング11
の前面の形に合致したヒート・シンク60が、夫々の集積
回路チツプ50及び51の背面50b及び51bの側に装着され
る。第２図を参照すると、結合用多層セラミツク・チツ
プ40及び41の部分を受入れて、整列させるための矩形の
窪み部61及び62を有するヒート・シンク・ハウジング60
が示されている。集積回路チツプ50及び51は窪み部61a
及び62aに嵌め込まれる。外側の延長壁60aは、第１図の
窪み部11jに嵌合して、チツプ40及び41の底面を除い
て、完全にハウジングを被う。
論理回路チツプ50は、信号の直列化回路、増幅回路及び
クロツク抽出回路を含み、そして結合用多層セラミツク
・チツプ40に対向する面に位置付けられる全てのコンタ
クトを有している。論理チツプは例えば、IBM社製の公
知のC4接続部を持つ高速度バイポーラ型論理チツプであ
る。直列化回路、増幅回路及びクロツク抽出回路は公知
である。他の公知のデバイスとして、アドバンス・マイ
クロ社製のデバイスAM7968（送信器）及びAM7969（受信
器）チツプが使われる。後者のチツプは、電子デザイン
誌（Electronic Design）の79頁乃至83頁に記載されて
いる。
クロツク抽出回路を含み、そして結合用多層セラミツク
・チツプ40に対向する面に位置付けられる全てのコンタ
クトを有している。論理チツプは例えば、IBM社製の公
知のC4接続部を持つ高速度バイポーラ型論理チツプであ
る。直列化回路、増幅回路及びクロツク抽出回路は公知
である。他の公知のデバイスとして、アドバンス・マイ
クロ社製のデバイスAM7968（送信器）及びAM7969（受信
器）チツプが使われる。後者のチツプは、電子デザイン
誌（Electronic Design）の79頁乃至83頁に記載されて
いる。
第１図に示された論理チツプ50または51の表面50aまた
は51aにはコンタクトが設けられている。論理チツプ50
または51は、結合用チツプ40または41の表面40aまたは4
1a上のコンタクトの数及び位置に対応する接続バツドを
含んでいる。論理チツプ50は、送信器サブアセンブリの
ピン13bの数に対応する複数個の小さな出力部を与える
ために、結合されるべき複数個の並列のデータ入力を直
列化する回路が設けられている。これらの１対の出力部
は、送信器用変換器への直列データ路を与えるための１
対の送信器用変換器ピンと対応している。また、論理チ
ツプ上の複数個の並列の入力コンタクトが、多層セラミ
ツク結合チツプの表面と対向する同じ表面に設けられて
いる。同様に、論理チツプ51は、結合用多層セラミツク
・チツプ41と隣接した表面51aに関連付けられた並列化
回路、増幅回路及びクロツク回復回路を含んでいる。コ
ンタクトが設けられていない論理チツプ50及び51の広い
表面50b及び51b（第１図）は、熱放散を行うためのヒー
トシンク60に接触している。
は51aにはコンタクトが設けられている。論理チツプ50
または51は、結合用チツプ40または41の表面40aまたは4
1a上のコンタクトの数及び位置に対応する接続バツドを
含んでいる。論理チツプ50は、送信器サブアセンブリの
ピン13bの数に対応する複数個の小さな出力部を与える
ために、結合されるべき複数個の並列のデータ入力を直
列化する回路が設けられている。これらの１対の出力部
は、送信器用変換器への直列データ路を与えるための１
対の送信器用変換器ピンと対応している。また、論理チ
ツプ上の複数個の並列の入力コンタクトが、多層セラミ
ツク結合チツプの表面と対向する同じ表面に設けられて
いる。同様に、論理チツプ51は、結合用多層セラミツク
・チツプ41と隣接した表面51aに関連付けられた並列化
回路、増幅回路及びクロツク回復回路を含んでいる。コ
ンタクトが設けられていない論理チツプ50及び51の広い
表面50b及び51b（第１図）は、熱放散を行うためのヒー
トシンク60に接触している。
第３図を参照すると、１対のコンタクト61及び63が受信
器用論理チツプ51のための受信用入力コンタクトとして
示されている。これらのコンタクトは、受信器サブアセ
ンブリ15の１対のピン15cからピン延長部29、ワイヤ・
パツド65及び結合用チツプ41内の交差接続線を介して、
オプチカル・フアイバにより直列に伝送されたデータ信
号を受け取る。送信器サブアセンブリの結合用チツプの
場合、論理チツプ50のための同じこれらのコンタクト61
及び63は、ピン延長部27、ワイヤ・パツド65及び結合用
チツプ41の交差接続線を介して、送信器サブアセンブリ
13のピン13cへ直列にデータ信号を出力するためのコン
タクトである。出力コンタクト71乃至80は、論理チツプ
51の並列の出力コンタクトである。送信器サブアセンブ
リの結合用チツプの場合、論理チツプ50に直列化のため
の並列の信号入力用コンタクトが同じように配列されて
いる。番号が付けられていない他のコンタクトは、電圧
テスト用、信号制御回路用、電源接続用及び論理チツプ
50または51の他のモニタ用のコンタクトとして使用され
る。
器用論理チツプ51のための受信用入力コンタクトとして
示されている。これらのコンタクトは、受信器サブアセ
ンブリ15の１対のピン15cからピン延長部29、ワイヤ・
パツド65及び結合用チツプ41内の交差接続線を介して、
オプチカル・フアイバにより直列に伝送されたデータ信
号を受け取る。送信器サブアセンブリの結合用チツプの
場合、論理チツプ50のための同じこれらのコンタクト61
及び63は、ピン延長部27、ワイヤ・パツド65及び結合用
チツプ41の交差接続線を介して、送信器サブアセンブリ
13のピン13cへ直列にデータ信号を出力するためのコン
タクトである。出力コンタクト71乃至80は、論理チツプ
51の並列の出力コンタクトである。送信器サブアセンブ
リの結合用チツプの場合、論理チツプ50に直列化のため
の並列の信号入力用コンタクトが同じように配列されて
いる。番号が付けられていない他のコンタクトは、電圧
テスト用、信号制御回路用、電源接続用及び論理チツプ
50または51の他のモニタ用のコンタクトとして使用され
る。
結合用多層セラミツク・チツプ40または41は、面40aま
たは41aと反対側の面40bまたは41b（第６図参照）にコ
ンタクト91及び92を持つている。第３図、第４図及び第
５図を参照して細述するように、これらのコンタクト91
及び92は、ピン延長部27及び28の位置と対応している。
ピン延長部27及び29と、結合用多層セラミツク・チツプ
40及び41上のコンタクト91及び92との間に良好な電気的
接触を与えるために、網目入りのシリンダ、またはパツ
ドが設けられる。この種のパツドの１例としては、ニユ
ージヤージ州のテクニツト社（Tecknit）の製品、フア
ズ・ボタン（FUZZ BUTTON）がある。
たは41aと反対側の面40bまたは41b（第６図参照）にコ
ンタクト91及び92を持つている。第３図、第４図及び第
５図を参照して細述するように、これらのコンタクト91
及び92は、ピン延長部27及び28の位置と対応している。
ピン延長部27及び29と、結合用多層セラミツク・チツプ
40及び41上のコンタクト91及び92との間に良好な電気的
接触を与えるために、網目入りのシリンダ、またはパツ
ドが設けられる。この種のパツドの１例としては、ニユ
ージヤージ州のテクニツト社（Tecknit）の製品、フア
ズ・ボタン（FUZZ BUTTON）がある。
第４図を参照すると、論理チツプ50または51に対向する
面を図示した結合用多層セラミツク・チツプ40または41
の表面層41aまたは40aが示されている。これらの結合用
チツプは送信器用も受信器用もすべて同じなので、その
うちの１方だけを示して説明する。接続用端子81及び83
は、結合用チツプ41の受信用入力端子か、または、結合
用チツプ40の直列の出力端子であり、それらは直列伝送
ラインのデータ信号を伝送する。これらの端子は、論理
チツプ50または51の夫々のコンタクト61及び63に装着さ
れる。コンタクト71a乃至80aは、論理チツプ51から結合
用多層セラミツク・チツプ41へ並列の出力信号を与える
ために、論理チツプ51上の対応するコンタクト71乃至80
に接続される。同様に、結合用チツプ40上に同じように
設けられたコンタクトが、論理チツプ50上の同様なコン
タクトに接続される。結合用チツプ40または結合用チツ
プ41の接続端子81及び83は、結合用チツプ40または結合
用チツプ41の配線変換用内部層40cまたは41c（第５図）
まで貫通された貫通導電体101を有しており、配線変換
用内部層40cまたは41cの交差接続線によつて、第６図に
示されたように、結合用チツプ40または41の反対側の面
40bまたは41bのコンタクト91及び92に接続される。コン
タクト81の貫通導電体101は、層40aと41bとの間にある
層40cの端子81aか、または、層41aと41bとの間にある層
41cの端子81aへ貫通し接続されている。同様に、コンタ
クト83の貫通導電体103は、配線変換用内部層40cまたは
41cの端子83aに貫通して接続されている。
面を図示した結合用多層セラミツク・チツプ40または41
の表面層41aまたは40aが示されている。これらの結合用
チツプは送信器用も受信器用もすべて同じなので、その
うちの１方だけを示して説明する。接続用端子81及び83
は、結合用チツプ41の受信用入力端子か、または、結合
用チツプ40の直列の出力端子であり、それらは直列伝送
ラインのデータ信号を伝送する。これらの端子は、論理
チツプ50または51の夫々のコンタクト61及び63に装着さ
れる。コンタクト71a乃至80aは、論理チツプ51から結合
用多層セラミツク・チツプ41へ並列の出力信号を与える
ために、論理チツプ51上の対応するコンタクト71乃至80
に接続される。同様に、結合用チツプ40上に同じように
設けられたコンタクトが、論理チツプ50上の同様なコン
タクトに接続される。結合用チツプ40または結合用チツ
プ41の接続端子81及び83は、結合用チツプ40または結合
用チツプ41の配線変換用内部層40cまたは41c（第５図）
まで貫通された貫通導電体101を有しており、配線変換
用内部層40cまたは41cの交差接続線によつて、第６図に
示されたように、結合用チツプ40または41の反対側の面
40bまたは41bのコンタクト91及び92に接続される。コン
タクト81の貫通導電体101は、層40aと41bとの間にある
層40cの端子81aか、または、層41aと41bとの間にある層
41cの端子81aへ貫通し接続されている。同様に、コンタ
クト83の貫通導電体103は、配線変換用内部層40cまたは
41cの端子83aに貫通して接続されている。
端子81aは、プリント回路技術による内部の接続線81cを
通して端子81bに接続されている。端子81bは、結合用チ
ツプの層40cまたは41cの貫通導電体107を使つて層40bま
たは41bの端子81d（第６図）に接続されている。結合用
チツプの層40bまたは41bの端子81dは、カツプリング・
コンデンサ105を介して端子81eに接続される。端子81e
は、貫通導電体109を介して、内部層40cまたは41c上の
端子81fに接続されている。端子81fは、プリント回路技
術による接続線108を介して端子91aに接続され、また、
貫通導電体119を介して層40bまたは41b上のコンタクト9
1に接続されている。同様に、端子83は、層40cまたは41
cの端子83aに接続され、そして端子83aは、接続線83cを
介して端子83bに接続されている。端子83bは、貫通導電
体127を介して層40bまたは41bの端子83dに接続されてい
る。層40bまたは41bの端子83dは、カツプリング・コン
デンサ111を介して端子83eに接続されている。端子83e
は、導電性貫通部112を介して内部層40cまたは41cの端
子83fに接続されている。端子83fは、プリント回路技術
による接続線113を介して端子92aに接続され、そして貫
通導電体115を介して層40bの端子92に接続されている。
このようにして、１対のコンタクト91及び92は、多層接
続構造を通して論理チツプの端子61及び63に接続され
る。
通して端子81bに接続されている。端子81bは、結合用チ
ツプの層40cまたは41cの貫通導電体107を使つて層40bま
たは41bの端子81d（第６図）に接続されている。結合用
チツプの層40bまたは41bの端子81dは、カツプリング・
コンデンサ105を介して端子81eに接続される。端子81e
は、貫通導電体109を介して、内部層40cまたは41c上の
端子81fに接続されている。端子81fは、プリント回路技
術による接続線108を介して端子91aに接続され、また、
貫通導電体119を介して層40bまたは41b上のコンタクト9
1に接続されている。同様に、端子83は、層40cまたは41
cの端子83aに接続され、そして端子83aは、接続線83cを
介して端子83bに接続されている。端子83bは、貫通導電
体127を介して層40bまたは41bの端子83dに接続されてい
る。層40bまたは41bの端子83dは、カツプリング・コン
デンサ111を介して端子83eに接続されている。端子83e
は、導電性貫通部112を介して内部層40cまたは41cの端
子83fに接続されている。端子83fは、プリント回路技術
による接続線113を介して端子92aに接続され、そして貫
通導電体115を介して層40bの端子92に接続されている。
このようにして、１対のコンタクト91及び92は、多層接
続構造を通して論理チツプの端子61及び63に接続され
る。
第３図及び第４図を参照すると、集積回路チツプ50また
は51上の並列のコンタクト71乃至80が、結合用多層チツ
プ40または41の面40aまたは41a上の対応するコンタクト
71a乃至80aに接続されていることが示されている。これ
らのコンタクト71a乃至80aは、貫通導電体123を介して
第７図に示した第２の中間内部層40eまたは41e上の端子
71bまたは80bに接続されている。この層は層40aまたは4
1aに隣接していることが望ましい。これらの端子71bま
たは80bは、交差接続線125を経てチツプ40または41の一
方の縁の付近の対応する端子71c乃至80cに接続されてい
る。これらの端子71c乃至80cは、転じて貫通導電体119
を介して第４図の面40aまたは41a上の対応するコンタク
ト71d乃至80dに接続される。このようにして、チツプ41
からの並列の出力信号は、非常に短い引出し線の長さで
出力コンタクトに印加される。基体の１つの層の厚さ
は、たつたの約0.2ミリメートル（８ミル）であり、多
層結合用チツプの全体の厚さは、たつた2.54ミリメート
ル（100ミル）である。同様に、面40a上の71d乃至80dに
おける送信源からの並列的の信号は、中間内部層40eを
経て論理チツプのコンタクト71a乃至80aに接続される。
参照数字が付けられていない他のコンタクトは、同じよ
うに、チツプへの電源用、及びテスト・ポイント用とし
て接続される。また、高周波シールドを与えるために、
層はスルーホール部分及び絶縁体部分を除いて、全て導
電体で被われるのが好ましい。
は51上の並列のコンタクト71乃至80が、結合用多層チツ
プ40または41の面40aまたは41a上の対応するコンタクト
71a乃至80aに接続されていることが示されている。これ
らのコンタクト71a乃至80aは、貫通導電体123を介して
第７図に示した第２の中間内部層40eまたは41e上の端子
71bまたは80bに接続されている。この層は層40aまたは4
1aに隣接していることが望ましい。これらの端子71bま
たは80bは、交差接続線125を経てチツプ40または41の一
方の縁の付近の対応する端子71c乃至80cに接続されてい
る。これらの端子71c乃至80cは、転じて貫通導電体119
を介して第４図の面40aまたは41a上の対応するコンタク
ト71d乃至80dに接続される。このようにして、チツプ41
からの並列の出力信号は、非常に短い引出し線の長さで
出力コンタクトに印加される。基体の１つの層の厚さ
は、たつたの約0.2ミリメートル（８ミル）であり、多
層結合用チツプの全体の厚さは、たつた2.54ミリメート
ル（100ミル）である。同様に、面40a上の71d乃至80dに
おける送信源からの並列的の信号は、中間内部層40eを
経て論理チツプのコンタクト71a乃至80aに接続される。
参照数字が付けられていない他のコンタクトは、同じよ
うに、チツプへの電源用、及びテスト・ポイント用とし
て接続される。また、高周波シールドを与えるために、
層はスルーホール部分及び絶縁体部分を除いて、全て導
電体で被われるのが好ましい。
第８図が参照すると、チツプ40または41の面40aまたは4
1a上のコンタクト・パツド71d乃至80dは、ベース基板12
0に隣接して設けられ、そのコンタクト・パツドに上述
の変換器モジユール10が装着されていることが示されて
いる。ベース基板120は、セラミツク基板135の表面上の
複数個の導体133を含み、複数個の導体133の間隔は、コ
ンタクト71d乃至80dの間隔と一致している。シリコン・
ゴムの芯に金属環131が設けられたエラストマ・コネク
タ130が、セラミツク基板の表面に設けられる（第９
図）。金属環の間隔は、導体123及びコンタクト71d乃至
80dにマツチしているので、コネクタ130が基板135と、
コンタクト71d乃至80dとで構成する隅部に装着されたと
き、結合用多層チツプ40または41は、論理回路チツプの
コンタクト71乃至80からベース基板の導体133への相互
接続を与える。エラストマ・コネクタ130は、例えば、
ペンシルバニヤ州のPCKエラストメトリツクス社（PCK E
lastometrics）のMOEエラストマ・コネクタであつてよ
い。
1a上のコンタクト・パツド71d乃至80dは、ベース基板12
0に隣接して設けられ、そのコンタクト・パツドに上述
の変換器モジユール10が装着されていることが示されて
いる。ベース基板120は、セラミツク基板135の表面上の
複数個の導体133を含み、複数個の導体133の間隔は、コ
ンタクト71d乃至80dの間隔と一致している。シリコン・
ゴムの芯に金属環131が設けられたエラストマ・コネク
タ130が、セラミツク基板の表面に設けられる（第９
図）。金属環の間隔は、導体123及びコンタクト71d乃至
80dにマツチしているので、コネクタ130が基板135と、
コンタクト71d乃至80dとで構成する隅部に装着されたと
き、結合用多層チツプ40または41は、論理回路チツプの
コンタクト71乃至80からベース基板の導体133への相互
接続を与える。エラストマ・コネクタ130は、例えば、
ペンシルバニヤ州のPCKエラストメトリツクス社（PCK E
lastometrics）のMOEエラストマ・コネクタであつてよ
い。
F.発明の効果 上述したように、本発明は低価格で、且つ接続線が短い
信号変換器組立体を提供する。
信号変換器組立体を提供する。
第１図は本発明に従つた変換器の実施例を示す斜視図、
第２図は第１図の変換器に用いるヒートシンクの斜視
図、第３図は第１図に示した論理回路チツプの一方の表
面を示す平面図、第４図は第１図の結合用チツプの一方
の外表面を示す平面図、第５図は第１図に示した結合用
チツプに含まれた、交差接続用の第１の中間層を示す平
面図、第６図は第３図に示したチツプの面とは反対の側
にある表面を示す平面図、第７図は第１図の結合用チツ
プに含まれた、交差接続用の第２の中間層を示す平面
図、第８図はエラストマ・コネクタを持つプラガブル・
ベース基板上に装着されたトランシーバを示す図、第９
図は公知のエラストマ・コネクタを示す斜視図である。 11……前部ハウジング、13……送信器サブアセンブリ、
15……受信器サブアセンブリ、25……送信器インターポ
ーザ、26……受信器インターポーザ、27、29……導電ピ
ン延長部、40,41……結合用多層セラミツク・チツプ、4
0a、41a……結合用多層セラミツク・チツプの一方の表
面層、40b、41b……結合用多層セラミツク・チツプの他
方の表面層、40c、41c……配線変換用の第１の中間内部
層、40e、41e……配線変換用の第２の中間内部層、50、
51……集積回路チツプ、60……ヒート・シンク、101、1
03……119、123……貫通導電体、130……エラストマ・
コネクタ。
第２図は第１図の変換器に用いるヒートシンクの斜視
図、第３図は第１図に示した論理回路チツプの一方の表
面を示す平面図、第４図は第１図の結合用チツプの一方
の外表面を示す平面図、第５図は第１図に示した結合用
チツプに含まれた、交差接続用の第１の中間層を示す平
面図、第６図は第３図に示したチツプの面とは反対の側
にある表面を示す平面図、第７図は第１図の結合用チツ
プに含まれた、交差接続用の第２の中間層を示す平面
図、第８図はエラストマ・コネクタを持つプラガブル・
ベース基板上に装着されたトランシーバを示す図、第９
図は公知のエラストマ・コネクタを示す斜視図である。 11……前部ハウジング、13……送信器サブアセンブリ、
15……受信器サブアセンブリ、25……送信器インターポ
ーザ、26……受信器インターポーザ、27、29……導電ピ
ン延長部、40,41……結合用多層セラミツク・チツプ、4
0a、41a……結合用多層セラミツク・チツプの一方の表
面層、40b、41b……結合用多層セラミツク・チツプの他
方の表面層、40c、41c……配線変換用の第１の中間内部
層、40e、41e……配線変換用の第２の中間内部層、50、
51……集積回路チツプ、60……ヒート・シンク、101、1
03……119、123……貫通導電体、130……エラストマ・
コネクタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｍ 7376−4Ｍ (72)発明者 ソー・アーネ・ラーセン アメリカ合衆国ニユーヨーク州ウツドスト ツク、ネイルズ・ロード17番地 (72)発明者 ローマン・ホーリラツク アメリカ合衆国ニユーヨーク州ユートキ ル、ピー・オー・ボツクス174番地
Claims (1)
- 【請求項１】一対の直列伝送線端子を持つ電気−光変換
器と、 直列−並列変換回路または並列−直列変換回路を持ち、
その直列端子と並列端子とが同一の一つの表面上に設け
られている論理チップと、 上記電気−光変換器と上記論理チップとの間に取り付け
られ、その第一の表面が上記一対の直列伝送線端子に結
合され、上記第一の表面と反対側の第二の表面が上記直
列端子と上記並列端子において上記論理チップの一つの
表面上に結合された結合用多層チップであって、その厚
さ方向に沿って上記直列線端子を上記論理チップ上の対
応する直列端子に接続するための貫通導電体手段と、上
記第一の表面上に設けられた複数の接点と、該複数の接
点を上記論理チップの上記並列端子に接続する端子と、
を具備する結合用多層チップと、 を含む、電気−光変換器組立体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US115466 | 1987-10-30 | ||
| US07/115,466 US4912521A (en) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | Electro-optical transducer assembly |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137207A JPH01137207A (ja) | 1989-05-30 |
| JPH0687548B2 true JPH0687548B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=22361590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63200301A Expired - Lifetime JPH0687548B2 (ja) | 1987-10-30 | 1988-08-12 | 電気−光変換器組立体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4912521A (ja) |
| EP (1) | EP0314651B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0687548B2 (ja) |
| DE (1) | DE3879868T2 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5117118A (en) * | 1988-10-19 | 1992-05-26 | Astex Co., Ltd. | Photoelectric switch using an integrated circuit with reduced interconnections |
| US5039194A (en) * | 1990-01-09 | 1991-08-13 | International Business Machines Corporation | Optical fiber link card |
| US5202943A (en) * | 1991-10-04 | 1993-04-13 | International Business Machines Corporation | Optoelectronic assembly with alignment member |
| US5283678A (en) * | 1992-03-18 | 1994-02-01 | Alcatel Network Systems, Inc. | Metallic access in a fiber remote terminal |
| US5291324A (en) * | 1992-11-24 | 1994-03-01 | At&T Bell Laboratories | Comparison apparatus with freespace optical interconnections between optoelectronic integrated circuits |
| GB2273840A (en) * | 1992-12-09 | 1994-06-29 | Sony Corp | Optically transmitting signals between measurement devices |
| US5528408A (en) * | 1994-10-12 | 1996-06-18 | Methode Electronics, Inc. | Small footprint optoelectronic transceiver with laser |
| US5717533A (en) | 1995-01-13 | 1998-02-10 | Methode Electronics Inc. | Removable optoelectronic module |
| US6220878B1 (en) | 1995-10-04 | 2001-04-24 | Methode Electronics, Inc. | Optoelectronic module with grounding means |
| DE19601949B4 (de) * | 1995-01-13 | 2004-08-12 | Stratos Lightwave, Inc. (n.d.Ges.d. Staates Delaware), Harwood Heights | System zum Schaffen einer statischen Entladung und einer elektromagnetischen Abschirmung |
| US7013088B1 (en) | 1999-05-26 | 2006-03-14 | Jds Uniphase Corporation | Method and apparatus for parallel optical interconnection of fiber optic transmitters, receivers and transceivers |
| US6873800B1 (en) * | 1999-05-26 | 2005-03-29 | Jds Uniphase Corporation | Hot pluggable optical transceiver in a small form pluggable package |
| US6952532B2 (en) * | 1999-05-27 | 2005-10-04 | Jds Uniphase Corporation | Method and apparatus for multiboard fiber optic modules and fiber optic module arrays |
| US20010048793A1 (en) * | 1999-05-27 | 2001-12-06 | Edwin Dair | Method and apparatus for multiboard fiber optic modules and fiber optic module arrays |
| US20010030789A1 (en) * | 1999-05-27 | 2001-10-18 | Wenbin Jiang | Method and apparatus for fiber optic modules |
| US7116912B2 (en) * | 1999-05-27 | 2006-10-03 | Jds Uniphase Corporation | Method and apparatus for pluggable fiber optic modules |
| US6712527B1 (en) * | 2000-01-12 | 2004-03-30 | International Business Machines Corporation | Fiber optic connections and method for using same |
| TW477123B (en) * | 2000-09-15 | 2002-02-21 | Delta Electronics Inc | Optoelectronic transceiver |
| FR2816111B1 (fr) | 2000-10-26 | 2003-01-03 | Framatome Connectors Int | Dispositif optoelectronique emetteur recepteur |
| US7079775B2 (en) | 2001-02-05 | 2006-07-18 | Finisar Corporation | Integrated memory mapped controller circuit for fiber optics transceiver |
| CN100399089C (zh) * | 2001-04-24 | 2008-07-02 | 台达电子工业股份有限公司 | 光电收发器 |
| FR2836235B1 (fr) * | 2002-02-21 | 2004-07-02 | Framatome Connectors Int | Ferule de connexion de fibres optiques |
| US20050018994A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-27 | Oepic, Inc. | Active and passive to-can extension boards |
| US9510732B2 (en) * | 2005-10-25 | 2016-12-06 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Methods and apparatus for efficient purging |
| US8159956B2 (en) | 2008-07-01 | 2012-04-17 | Finisar Corporation | Diagnostics for serial communication busses |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4161650A (en) * | 1978-04-06 | 1979-07-17 | Lockheed Aircraft Corporation | Self-powered fiber optic interconnect system |
-
1987
- 1987-10-30 US US07/115,466 patent/US4912521A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63200301A patent/JPH0687548B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-14 EP EP88850346A patent/EP0314651B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-14 DE DE88850346T patent/DE3879868T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01137207A (ja) | 1989-05-30 |
| US4912521A (en) | 1990-03-27 |
| EP0314651B1 (en) | 1993-03-31 |
| EP0314651A2 (en) | 1989-05-03 |
| EP0314651A3 (en) | 1990-01-10 |
| DE3879868T2 (de) | 1993-10-07 |
| DE3879868D1 (de) | 1993-05-06 |
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