JPH0687067A - はんだ付け方法 - Google Patents
はんだ付け方法Info
- Publication number
- JPH0687067A JPH0687067A JP24104792A JP24104792A JPH0687067A JP H0687067 A JPH0687067 A JP H0687067A JP 24104792 A JP24104792 A JP 24104792A JP 24104792 A JP24104792 A JP 24104792A JP H0687067 A JPH0687067 A JP H0687067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soldering
- laser
- flux
- face
- irradiated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フラックスを使用しなくとも良好な接合強度
を得ることが可能なはんだ付け方法を提供すること。 【構成】 はんだ付け面に波長３１０ｎｍ以下のレーザ
を照射した後、はんだ付けを行なう。 【効果】 フロンガスでフラックスを除去する工程がな
いので、環境保護に貢献することができる。有機溶剤や
水性洗浄剤等でフラックスを除去する工程もないので、
はんだ付けの工程が簡略化でき製品のコストダウンが可
能となるとともに水分を嫌う電子部品等に適用すること
ができる。はんだ付け面の表面積が非常に小さいものに
もレーザのスポット径を変化させるだけで、容易にはん
だ付け面の汚れの除去や活性化をすることができる。
を得ることが可能なはんだ付け方法を提供すること。 【構成】 はんだ付け面に波長３１０ｎｍ以下のレーザ
を照射した後、はんだ付けを行なう。 【効果】 フロンガスでフラックスを除去する工程がな
いので、環境保護に貢献することができる。有機溶剤や
水性洗浄剤等でフラックスを除去する工程もないので、
はんだ付けの工程が簡略化でき製品のコストダウンが可
能となるとともに水分を嫌う電子部品等に適用すること
ができる。はんだ付け面の表面積が非常に小さいものに
もレーザのスポット径を変化させるだけで、容易にはん
だ付け面の汚れの除去や活性化をすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電線端末や電子部品等の
はんだ付け方法の改善に係わり、はんだ付け面にレーザ
を照射した後、はんだ付けを行なうことによって、フラ
ックスを使用しなくとも良好な接合強度を得ることを可
能とするはんだ付け方法に関する。
はんだ付け方法の改善に係わり、はんだ付け面にレーザ
を照射した後、はんだ付けを行なうことによって、フラ
ックスを使用しなくとも良好な接合強度を得ることを可
能とするはんだ付け方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のはんだ付け方法は、はんだ付け面
の酸化層等の汚れ除去と、はんだ付け面の活性化のた
め、フラックスをはんだ付け面に塗布した後、はんだ付
けを行なっていた。このフラックスは、活性が強く、は
んだ付け終了後に残留していると接合部の腐食や絶縁不
良が生じるため、除去されている。フラックスの除去に
は、フロンが適しているが、フロンは環境保護の問題か
ら使用することは好ましくないため、有機溶剤や水性洗
浄剤等が用いられていた。しかしながら、有機溶剤によ
るフラックスの除去は手間がかかり、また、水性洗浄剤
は水分を嫌う電子部品等には使用できなかった。
の酸化層等の汚れ除去と、はんだ付け面の活性化のた
め、フラックスをはんだ付け面に塗布した後、はんだ付
けを行なっていた。このフラックスは、活性が強く、は
んだ付け終了後に残留していると接合部の腐食や絶縁不
良が生じるため、除去されている。フラックスの除去に
は、フロンが適しているが、フロンは環境保護の問題か
ら使用することは好ましくないため、有機溶剤や水性洗
浄剤等が用いられていた。しかしながら、有機溶剤によ
るフラックスの除去は手間がかかり、また、水性洗浄剤
は水分を嫌う電子部品等には使用できなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明におけ
る課題は、フラックスを使用しなくとも良好な接合強度
を得ることが可能なはんだ付け方法を提供することにあ
る。
る課題は、フラックスを使用しなくとも良好な接合強度
を得ることが可能なはんだ付け方法を提供することにあ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】かかる課題は、はんだ付
け面にレーザを照射した後、はんだ付けをする方法で解
決される。
け面にレーザを照射した後、はんだ付けをする方法で解
決される。
【０００５】
【作用】本発明のはんだ付け方法では、はんだ付けを行
なう前にはんだ付け面にレーザを照射すると、このレー
ザによってはんだ付け面の表面の酸化層等の汚れがレー
ザのエネルギーにより金属表面が高エネルギーになるこ
とにより還元状態になり、また、はんだ付け面の表面に
付着した有機物の汚れはレーザによって分解、蒸散する
ので、はんだ付け面の表面の酸化層等の汚れが除去され
るとともにはんだ付け面の表面が活性化される。
なう前にはんだ付け面にレーザを照射すると、このレー
ザによってはんだ付け面の表面の酸化層等の汚れがレー
ザのエネルギーにより金属表面が高エネルギーになるこ
とにより還元状態になり、また、はんだ付け面の表面に
付着した有機物の汚れはレーザによって分解、蒸散する
ので、はんだ付け面の表面の酸化層等の汚れが除去され
るとともにはんだ付け面の表面が活性化される。
【０００６】以下、本発明の一例を説明する。この例で
は、はんだ付け面に波長３１０ｎｍ以下のレーザを照射
した後、はんだ付けを行なう。
は、はんだ付け面に波長３１０ｎｍ以下のレーザを照射
した後、はんだ付けを行なう。
【０００７】まず、はんだ付け面を有する電線端末や電
子部品などの被照射物を用意する。このはんだ付け面の
材質は、はんだとの合金反応を示すものであればよく、
例えば、ニッケル、銅、銀、金などが挙げられる。つい
で、はんだ付け面の表面の酸化層等の汚れの除去や表面
の活性化のため、はんだ付け面にレーザを照射する。こ
のレーザは波長が３１０ｎｍ以下のものであれば種類は
どのようなものであってよい。また、レーザの動作につ
いてはパルス発振、連続発振のどちらでもよい。ここ
で、波長３１０ｎｍ以下のレーザを用いるのは、波長３
１０ｎｍを超えるレーザであると金属表面のエネルギー
を高しえず逆に表面に酸化層を発生させたり、有機物を
十分蒸散させられないなどの不都合があるからである。
子部品などの被照射物を用意する。このはんだ付け面の
材質は、はんだとの合金反応を示すものであればよく、
例えば、ニッケル、銅、銀、金などが挙げられる。つい
で、はんだ付け面の表面の酸化層等の汚れの除去や表面
の活性化のため、はんだ付け面にレーザを照射する。こ
のレーザは波長が３１０ｎｍ以下のものであれば種類は
どのようなものであってよい。また、レーザの動作につ
いてはパルス発振、連続発振のどちらでもよい。ここ
で、波長３１０ｎｍ以下のレーザを用いるのは、波長３
１０ｎｍを超えるレーザであると金属表面のエネルギー
を高しえず逆に表面に酸化層を発生させたり、有機物を
十分蒸散させられないなどの不都合があるからである。
【０００８】はんだ付け面に上記レーザを照射する際、
レーザの一秒間あたりの強度は約２０〜５０Ｊ／ｓｅ
ｃ、単位面積あたりの強度は約０．８〜１．３ｍＪ／ｍ
ｍ2程度とされ、レーザのスポットは約４〜１０ｍｍ2程
度とされる。また、はんだ付け面に上記レーザを照射す
る方法としては、はんだ付け面上に上記範囲のスポット
のレーザを約３〜１５ｍ／ｍｉｎ程度で走査する。はん
だ付け面のレーザが走査される範囲は、その目的からし
て全面であることが好ましい。この時、はんだ付け面の
単位面積あたりの照射時間は約０．０２〜０．１ｓｅｃ
程度とされる。この例では、波長３１０ｎｍ以下のレー
ザをはんだ付け面上を走査させているが、かならずしも
この限りではなく、はんだ付け面を有する被照射物自体
をトラバースさせてもよい。この後、はんだ付け面に通
常のはんだ付けを行なう。
レーザの一秒間あたりの強度は約２０〜５０Ｊ／ｓｅ
ｃ、単位面積あたりの強度は約０．８〜１．３ｍＪ／ｍ
ｍ2程度とされ、レーザのスポットは約４〜１０ｍｍ2程
度とされる。また、はんだ付け面に上記レーザを照射す
る方法としては、はんだ付け面上に上記範囲のスポット
のレーザを約３〜１５ｍ／ｍｉｎ程度で走査する。はん
だ付け面のレーザが走査される範囲は、その目的からし
て全面であることが好ましい。この時、はんだ付け面の
単位面積あたりの照射時間は約０．０２〜０．１ｓｅｃ
程度とされる。この例では、波長３１０ｎｍ以下のレー
ザをはんだ付け面上を走査させているが、かならずしも
この限りではなく、はんだ付け面を有する被照射物自体
をトラバースさせてもよい。この後、はんだ付け面に通
常のはんだ付けを行なう。
【０００９】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明
する。 （実施例１）まず、金メッキを施したコネクタコンタク
トと、銀メッキを施した外径０．２０ｍｍの導体を用意
した。一方、波長２４８ｎｍの紫外線レーザを用意し
た。この紫外線レーザの種類はＫｒＦガスを用いたエキ
シマレーザであった。このレーザの１パルスあたりの強
度は約２５０ｍＪ、単位面積あたりの強度は約３０ｍＪ
／ｍｍ2であり、レーザのスポットは、約８ｍｍ2程度に
なるようにした。
する。 （実施例１）まず、金メッキを施したコネクタコンタク
トと、銀メッキを施した外径０．２０ｍｍの導体を用意
した。一方、波長２４８ｎｍの紫外線レーザを用意し
た。この紫外線レーザの種類はＫｒＦガスを用いたエキ
シマレーザであった。このレーザの１パルスあたりの強
度は約２５０ｍＪ、単位面積あたりの強度は約３０ｍＪ
／ｍｍ2であり、レーザのスポットは、約８ｍｍ2程度に
なるようにした。
【００１０】ついで、上記コネクタコンタクトの表面と
上記導体の表面とのそれぞれに上記紫外線レーザを照射
した。レーザの照射方法としては、上記スポット径のレ
ーザをコネクタコンタクトに約１２ｍ／ｍｉｎ、上記導
体に約１２ｍ／ｍｉｎで走査した。この時、上記コネク
タコンタクトの表面の単位面積あたりの照射時間は約
０．００５ｓｅｃ／ｍｍ2であり、上記導体の表面の単
位面積あたりの照射時間は約０．００５ｓｅｃ／ｍｍ2
であった。この後、低融点はんだを上記コネクタコンタ
クトと上記導体とで挟んだ後、低融点はんだに熱を加え
てはんだ付けを行なった。
上記導体の表面とのそれぞれに上記紫外線レーザを照射
した。レーザの照射方法としては、上記スポット径のレ
ーザをコネクタコンタクトに約１２ｍ／ｍｉｎ、上記導
体に約１２ｍ／ｍｉｎで走査した。この時、上記コネク
タコンタクトの表面の単位面積あたりの照射時間は約
０．００５ｓｅｃ／ｍｍ2であり、上記導体の表面の単
位面積あたりの照射時間は約０．００５ｓｅｃ／ｍｍ2
であった。この後、低融点はんだを上記コネクタコンタ
クトと上記導体とで挟んだ後、低融点はんだに熱を加え
てはんだ付けを行なった。
【００１１】（比較例）まず、金メッキを施したコネク
タコンタクトと、銀メッキを施した外径０．２０ｍｍの
導体を用意した。この後、低融点はんだを上記コネクタ
コンタクトと上記導体とで挟んだ後、低融点はんだに熱
を加えてはんだ付けを行なった。
タコンタクトと、銀メッキを施した外径０．２０ｍｍの
導体を用意した。この後、低融点はんだを上記コネクタ
コンタクトと上記導体とで挟んだ後、低融点はんだに熱
を加えてはんだ付けを行なった。
【００１２】実施例１〜２、比較例のはんだ付け方法を
行なったものについてはんだ付け性について検討した。
その結果、レーザ照射を行なわなかった比較例のもので
は、はんだ付け不良が発生した。これに比べて波長３１
０ｎｍ以下のレーザ照射を行なった実施例１および２の
はんだ付け方法でははんだ付け性が良好であった。
行なったものについてはんだ付け性について検討した。
その結果、レーザ照射を行なわなかった比較例のもので
は、はんだ付け不良が発生した。これに比べて波長３１
０ｎｍ以下のレーザ照射を行なった実施例１および２の
はんだ付け方法でははんだ付け性が良好であった。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明のはんだ付け
方法は、はんだ付け面にレーザを照射した後、はんだ付
けを行なうので、このレーザによってはんだ付け面の表
面の酸化層等の汚れがレーザのエネルギーによって金属
表面が還元状態になり、また、はんだ付け面の表面の汚
れがレーザによって分解、蒸散するので、はんだ付け面
の表面の酸化層等の汚れを除去できるとともにはんだ付
け面の表面を活性化することができ、フラックスを使用
しなくとも良好な接合強度を得ることが可能となる。そ
して、フロンガスでフラックスを除去する工程もないの
で、環境保護に貢献することができる。また、有機溶剤
や水性洗浄剤等でフラックスを除去する工程もないの
で、はんだ付けの工程が簡略化でき製品のコストダウン
が可能となるとともに水分を嫌う電子部品等に適用する
ことができる。さらに、はんだ付け面の表面積が非常に
小さいものにもレーザのスポット径を変化させるだけ
で、容易にはんだ付け面の汚れの除去や活性化をするこ
とができるという利点がある。
方法は、はんだ付け面にレーザを照射した後、はんだ付
けを行なうので、このレーザによってはんだ付け面の表
面の酸化層等の汚れがレーザのエネルギーによって金属
表面が還元状態になり、また、はんだ付け面の表面の汚
れがレーザによって分解、蒸散するので、はんだ付け面
の表面の酸化層等の汚れを除去できるとともにはんだ付
け面の表面を活性化することができ、フラックスを使用
しなくとも良好な接合強度を得ることが可能となる。そ
して、フロンガスでフラックスを除去する工程もないの
で、環境保護に貢献することができる。また、有機溶剤
や水性洗浄剤等でフラックスを除去する工程もないの
で、はんだ付けの工程が簡略化でき製品のコストダウン
が可能となるとともに水分を嫌う電子部品等に適用する
ことができる。さらに、はんだ付け面の表面積が非常に
小さいものにもレーザのスポット径を変化させるだけ
で、容易にはんだ付け面の汚れの除去や活性化をするこ
とができるという利点がある。
Claims (1)
- 【請求項１】 はんだ付け面にレーザを照射した後、は
んだ付けを行なうことを特徴とするはんだ付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24104792A JPH0687067A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | はんだ付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24104792A JPH0687067A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | はんだ付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0687067A true JPH0687067A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17068523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24104792A Pending JPH0687067A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | はんだ付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687067A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08316624A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 電子回路の製造方法 |
| US6227436B1 (en) | 1990-02-19 | 2001-05-08 | Hitachi, Ltd. | Method of fabricating an electronic circuit device and apparatus for performing the method |
| US6471115B1 (en) | 1990-02-19 | 2002-10-29 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing electronic circuit devices |
| JP2016174125A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-09-29 | デクセリアルズ株式会社 | 皮膜処理方法、及び接続方法 |
| GB2582928A (en) * | 2019-04-08 | 2020-10-14 | Laser Wire Solutions Ltd | A laser apparatus for stripping and soldering wires |
| CN114364157A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-15 | 广东德赛矽镨技术有限公司 | 一种带双面焊接焊盘的pcb的贴片及封装方法 |
-
1992
- 1992-09-09 JP JP24104792A patent/JPH0687067A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6227436B1 (en) | 1990-02-19 | 2001-05-08 | Hitachi, Ltd. | Method of fabricating an electronic circuit device and apparatus for performing the method |
| US6471115B1 (en) | 1990-02-19 | 2002-10-29 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing electronic circuit devices |
| JPH08316624A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 電子回路の製造方法 |
| US5940728A (en) * | 1995-05-19 | 1999-08-17 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing electronic circuits |
| US6133135A (en) * | 1995-05-19 | 2000-10-17 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing electronic circuits |
| US6161748A (en) * | 1995-05-19 | 2000-12-19 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing electronic circuits |
| US6269998B1 (en) | 1995-05-19 | 2001-08-07 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing electronic circuits |
| US6410881B2 (en) | 1995-05-19 | 2002-06-25 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing electronic circuits |
| JP2016174125A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-09-29 | デクセリアルズ株式会社 | 皮膜処理方法、及び接続方法 |
| GB2582928A (en) * | 2019-04-08 | 2020-10-14 | Laser Wire Solutions Ltd | A laser apparatus for stripping and soldering wires |
| CN114364157A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-15 | 广东德赛矽镨技术有限公司 | 一种带双面焊接焊盘的pcb的贴片及封装方法 |
| CN114364157B (zh) * | 2021-12-23 | 2023-11-10 | 广东德赛矽镨技术有限公司 | 一种带双面焊接焊盘的pcb的贴片及封装方法 |
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