JPH0685759A - アナログ光伝送装置 - Google Patents
アナログ光伝送装置Info
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- JPH0685759A JPH0685759A JP4230882A JP23088292A JPH0685759A JP H0685759 A JPH0685759 A JP H0685759A JP 4230882 A JP4230882 A JP 4230882A JP 23088292 A JP23088292 A JP 23088292A JP H0685759 A JPH0685759 A JP H0685759A
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/25—Arrangements specific to fibre transmission
- H04B10/2507—Arrangements specific to fibre transmission for the reduction or elimination of distortion or dispersion
-
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- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
- H04B10/504—Laser transmitters using direct modulation
Abstract
(57)【要約】
【目的】 信号用半導体レーザの歪特性を光ファイバ増
幅器で発生する歪で補償することにより、アナログ光伝
送装置の歪特性を向上する。 【構成】 アナログ変調された波長１５５０nm帯の半導
体レーザ１から出射した信号光を、光ファイバ増幅器３
で増幅して光ファイバ４を伝送した後受光装置５で受光
する。
幅器で発生する歪で補償することにより、アナログ光伝
送装置の歪特性を向上する。 【構成】 アナログ変調された波長１５５０nm帯の半導
体レーザ１から出射した信号光を、光ファイバ増幅器３
で増幅して光ファイバ４を伝送した後受光装置５で受光
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＡＴＶの映像電気信
号等を光信号として伝送するための光ファイバ増幅器を
用いたアナログ光伝送装置に関するものである。
号等を光信号として伝送するための光ファイバ増幅器を
用いたアナログ光伝送装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、アナログ光伝送システムでは発振
波長１３００nm帯の半導体レーザを使って開発が進めら
れてきた。しかし、最近、１５５０nm帯の光を光のまま
直接増幅することができるＥｒ（エルビウム）添加光フ
ァイバ増幅器の出現により、これを用いたアナログ光伝
送システムの開発も行われている。図８に、従来の光フ
ァイバ増幅器を用いた波長１５５０nm帯アナログ光伝送
システムの構成図を示す。７は波長１５５０nm帯のＤＦ
Ｂレーザ、８は波長１４８０nm帯の半導体レーザ励起の
Ｅｒ添加光ファイバ増幅器、９は単一モード光ファイ
バ、１０は受光装置でありＩｎＧａＡｓのフォトダイオ
ードあるいはアバランシェフォトダイオードである。Ｄ
ＦＢレーザ７はＡＭ−ＦＤＭあるいはＦＭ−ＦＤＭのア
ナログ信号で強度変調され、ＤＦＢレーザ７から出射さ
れた信号光は、光ファイバ増幅器８で増幅され、１０km
の光ファイバ９を伝送した後受光装置１０で受光され
る。Ｅｒ添加光ファイバ増幅器は波長１５５０nm帯で高
利得を有するため、ブースターアンプとして用いればヘ
ッドエンドからユーザ宅までをすべて光化した全光分配
システムが構築でき、１００チャンネル以上の映像分配
サービスや高品位ＴＶ映像分配サービス等の提供も可能
となる。
波長１３００nm帯の半導体レーザを使って開発が進めら
れてきた。しかし、最近、１５５０nm帯の光を光のまま
直接増幅することができるＥｒ（エルビウム）添加光フ
ァイバ増幅器の出現により、これを用いたアナログ光伝
送システムの開発も行われている。図８に、従来の光フ
ァイバ増幅器を用いた波長１５５０nm帯アナログ光伝送
システムの構成図を示す。７は波長１５５０nm帯のＤＦ
Ｂレーザ、８は波長１４８０nm帯の半導体レーザ励起の
Ｅｒ添加光ファイバ増幅器、９は単一モード光ファイ
バ、１０は受光装置でありＩｎＧａＡｓのフォトダイオ
ードあるいはアバランシェフォトダイオードである。Ｄ
ＦＢレーザ７はＡＭ−ＦＤＭあるいはＦＭ−ＦＤＭのア
ナログ信号で強度変調され、ＤＦＢレーザ７から出射さ
れた信号光は、光ファイバ増幅器８で増幅され、１０km
の光ファイバ９を伝送した後受光装置１０で受光され
る。Ｅｒ添加光ファイバ増幅器は波長１５５０nm帯で高
利得を有するため、ブースターアンプとして用いればヘ
ッドエンドからユーザ宅までをすべて光化した全光分配
システムが構築でき、１００チャンネル以上の映像分配
サービスや高品位ＴＶ映像分配サービス等の提供も可能
となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように半導体レ
ーザの強度変調を行うと、半導体レーザからの出射光は
強度変調だけでなく同時に周波数変調も受けてしまう。
また、Ｅｒ添加光ファイバ増幅器は波長１５５０nm帯に
おいて増幅機能を持つが、利得の波長依存性（周波数依
存性）がある。強度と周波数が同時に変調された信号光
が利得の波長依存性を有する光ファイバ増幅器を通過す
ると、周波数変調成分と利得の波長依存性との相互作用
により、二次の相互変調成分が発生し、強度変調された
光信号を大きく歪ませてしまう。
ーザの強度変調を行うと、半導体レーザからの出射光は
強度変調だけでなく同時に周波数変調も受けてしまう。
また、Ｅｒ添加光ファイバ増幅器は波長１５５０nm帯に
おいて増幅機能を持つが、利得の波長依存性（周波数依
存性）がある。強度と周波数が同時に変調された信号光
が利得の波長依存性を有する光ファイバ増幅器を通過す
ると、周波数変調成分と利得の波長依存性との相互作用
により、二次の相互変調成分が発生し、強度変調された
光信号を大きく歪ませてしまう。
【０００４】本発明の目的は、アナログ信号で変調され
た半導体レーザからの出射光が光ファイバ増幅器で増幅
されたとき生じる伝送歪を低減し、低歪のアナログ光伝
送を実現することにある。
た半導体レーザからの出射光が光ファイバ増幅器で増幅
されたとき生じる伝送歪を低減し、低歪のアナログ光伝
送を実現することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、多チャンネルアナログ電気信号で強度変
調された信号光を出射するための信号用半導体レーザ
と、該信号用半導体レーザから出射された信号光を増幅
するための希土類添加の光ファイバ増幅器と、該光ファ
イバ増幅器で増幅された信号光を伝送するための光ファ
イバと、該光ファイバを通して伝送された信号光を電気
信号に変換するための受光装置とを備えたアナログ光伝
送装置であって、前記信号用半導体レーザから出射され
る信号光は、変調周波数fkとfjの強度変調（ＩＭ）成分
の位相をそれぞれθIMk、θIMjとし、周波数変調（Ｆ
Ｍ）成分の位相をそれぞれθFMk、θFMjとし、二次相互
変調歪成分の位相をθkjとして、｜（θIMk＋θFMj＋θ
IMj＋θFMk）／２−θkj｜＜π／２であり、且つ発振波
長が前記光ファイバ増幅器の利得ピーク波長より短波長
である構成、あるいはπ／２＜｜（θIMk＋θFMj＋θIM
j＋θFMk）／２−θkj｜≦πであり、且つ発振波長が前
記光ファイバ増幅器の利得ピーク波長より長波長である
構成を採用したものである。
め、本発明は、多チャンネルアナログ電気信号で強度変
調された信号光を出射するための信号用半導体レーザ
と、該信号用半導体レーザから出射された信号光を増幅
するための希土類添加の光ファイバ増幅器と、該光ファ
イバ増幅器で増幅された信号光を伝送するための光ファ
イバと、該光ファイバを通して伝送された信号光を電気
信号に変換するための受光装置とを備えたアナログ光伝
送装置であって、前記信号用半導体レーザから出射され
る信号光は、変調周波数fkとfjの強度変調（ＩＭ）成分
の位相をそれぞれθIMk、θIMjとし、周波数変調（Ｆ
Ｍ）成分の位相をそれぞれθFMk、θFMjとし、二次相互
変調歪成分の位相をθkjとして、｜（θIMk＋θFMj＋θ
IMj＋θFMk）／２−θkj｜＜π／２であり、且つ発振波
長が前記光ファイバ増幅器の利得ピーク波長より短波長
である構成、あるいはπ／２＜｜（θIMk＋θFMj＋θIM
j＋θFMk）／２−θkj｜≦πであり、且つ発振波長が前
記光ファイバ増幅器の利得ピーク波長より長波長である
構成を採用したものである。
【０００６】
【作用】本発明によれば、半導体レーザをアナログ信号
で変調したときに発生する二次相互変調歪は、光ファイ
バ増幅器において、半導体レーザをアナログ信号で変調
したときに発生する周波数変調成分と利得の波長依存性
との相互作用によって発生する二次歪成分によって補償
されて歪が低減する。
で変調したときに発生する二次相互変調歪は、光ファイ
バ増幅器において、半導体レーザをアナログ信号で変調
したときに発生する周波数変調成分と利得の波長依存性
との相互作用によって発生する二次歪成分によって補償
されて歪が低減する。
【０００７】
【実施例】本発明のアナログ光伝送装置の第１の実施例
の構成図を図１に示す。１は信号用半導体レーザ、２は
光ファイバ増幅器、３は分散シフトファイバ、４は受光
装置である。光ファイバ増幅器２の利得ピーク波長は約
１５５６nmである。図２（a）、（b）に光ファイバ増幅
器を通過後の二次相互変調歪の光ファイバ増幅器への入
力パワー依存性を示す。図２（a）はＤＦＢレーザ１と
して発振波長１５６２nm、二次相互変調歪−６５ｄＢｃ
のレーザを用いた場合であり、図２（b）はＤＦＢレー
ザ１として発振波長１５５１nm、二次相互変調歪−７０
ｄＢｃのレーザを用いた場合である。
の構成図を図１に示す。１は信号用半導体レーザ、２は
光ファイバ増幅器、３は分散シフトファイバ、４は受光
装置である。光ファイバ増幅器２の利得ピーク波長は約
１５５６nmである。図２（a）、（b）に光ファイバ増幅
器を通過後の二次相互変調歪の光ファイバ増幅器への入
力パワー依存性を示す。図２（a）はＤＦＢレーザ１と
して発振波長１５６２nm、二次相互変調歪−６５ｄＢｃ
のレーザを用いた場合であり、図２（b）はＤＦＢレー
ザ１として発振波長１５５１nm、二次相互変調歪−７０
ｄＢｃのレーザを用いた場合である。
【０００８】図２（a）から光ファイバー増幅器を通過
した後の歪は、半導体レーザの歪レベルに比べて、５ｄ
Ｂ程度も小さくなっており、従来では光ファイバを通過
したことにより歪レベルが増加したことからして、光フ
ァイバ増幅器を通過させることにより歪が低減され歪特
性の良好なアナログ光伝送を行うことができた。
した後の歪は、半導体レーザの歪レベルに比べて、５ｄ
Ｂ程度も小さくなっており、従来では光ファイバを通過
したことにより歪レベルが増加したことからして、光フ
ァイバ増幅器を通過させることにより歪が低減され歪特
性の良好なアナログ光伝送を行うことができた。
【０００９】図２(ｂ)では、半導体レーザの歪に、光フ
ァイバ増幅器の歪が加算されて、光ファイバ増幅器通過
後の歪はさらに大きくなっていることがわかる。
ァイバ増幅器の歪が加算されて、光ファイバ増幅器通過
後の歪はさらに大きくなっていることがわかる。
【００１０】図２において(a)と(b)とでは半導体レーザ
の歪レベルが異なっているが、この歪レベルの違いは光
ファイバ通過後の歪には無関係である。
の歪レベルが異なっているが、この歪レベルの違いは光
ファイバ通過後の歪には無関係である。
【００１１】従来、光ファイバ増幅器を用いたアナログ
光伝送システムでは、半導体レーザの周波数変調成分と
光ファイバ増幅器の利得の波長依存性との相互作用によ
って二次歪が増加してしまうとされていた。しかしなが
ら、図２で示したように、光ファイバ増幅器を用いた場
合、二次歪が増加する場合と低減する場合があることが
明らかとなった。
光伝送システムでは、半導体レーザの周波数変調成分と
光ファイバ増幅器の利得の波長依存性との相互作用によ
って二次歪が増加してしまうとされていた。しかしなが
ら、図２で示したように、光ファイバ増幅器を用いた場
合、二次歪が増加する場合と低減する場合があることが
明らかとなった。
【００１２】発明者らは、歪が低減される条件を求める
ため、利得の波長依存性の光ファイバ増幅器の伝搬方向
依存性を考慮した解析を行い、信号用半導体レーザの二
次相互変調歪が、光ファイバ増幅器を通過することによ
り光ファイバ増幅器で発生する歪と打ち消しあい、歪特
性が信号用半導体レーザの歪よりも低減されることがあ
ることを見いだした。これについて以下説明する。
ため、利得の波長依存性の光ファイバ増幅器の伝搬方向
依存性を考慮した解析を行い、信号用半導体レーザの二
次相互変調歪が、光ファイバ増幅器を通過することによ
り光ファイバ増幅器で発生する歪と打ち消しあい、歪特
性が信号用半導体レーザの歪よりも低減されることがあ
ることを見いだした。これについて以下説明する。
【００１３】光ファイバ増幅器を通過したときの歪特性
は、(1)信号用半導体レーザの強度変調成分、(2)信号用
半導体レーザの周波数変調成分、(3)信号用半導体レー
ザの歪成分の(1)〜(3)の位相関係に大きく依存する。そ
れは、光ファイバ増幅器で発生する歪は、(1)の強度変
調成分と(2)の周波数変調成分の積で決まるからであ
る。したがって、(1)と(2)の積の位相と(3)の歪成分の
位相が同じであれば歪成分がたしあわされて歪は大きく
なり、(1)と(2)の積の位相と(3)の歪成分の位相が逆で
あれば歪は打ち消されることになる。
は、(1)信号用半導体レーザの強度変調成分、(2)信号用
半導体レーザの周波数変調成分、(3)信号用半導体レー
ザの歪成分の(1)〜(3)の位相関係に大きく依存する。そ
れは、光ファイバ増幅器で発生する歪は、(1)の強度変
調成分と(2)の周波数変調成分の積で決まるからであ
る。したがって、(1)と(2)の積の位相と(3)の歪成分の
位相が同じであれば歪成分がたしあわされて歪は大きく
なり、(1)と(2)の積の位相と(3)の歪成分の位相が逆で
あれば歪は打ち消されることになる。
【００１４】そこで歪成分の位相関係について考察す
る。変調周波数fkとfjの強度変調（ＩＭ）成分の位相を
それぞれθIMk、θIMjとし、周波数変調（ＦＭ）成分の
位相をそれぞれθFMk、θFMjとし、周波数fk+fjの二次
相互変調歪成分の位相をθkjとする。すなわち、各成分
の時間変化が図３のような位相関係になっている。
る。変調周波数fkとfjの強度変調（ＩＭ）成分の位相を
それぞれθIMk、θIMjとし、周波数変調（ＦＭ）成分の
位相をそれぞれθFMk、θFMjとし、周波数fk+fjの二次
相互変調歪成分の位相をθkjとする。すなわち、各成分
の時間変化が図３のような位相関係になっている。
【００１５】このとき、光ファイバ増幅器の歪成分と
(3)の半導体レーザの歪成分の位相差Δθは、Δθ＝｜
（θIMk＋θFMj＋θIMj＋θFMk）／２−θkj｜のように
なり、Δθは０からπまでの値を取り得る。
(3)の半導体レーザの歪成分の位相差Δθは、Δθ＝｜
（θIMk＋θFMj＋θIMj＋θFMk）／２−θkj｜のように
なり、Δθは０からπまでの値を取り得る。
【００１６】次に、位相差Δθが上述した式になること
を図３のベクトル図を用いて詳しく説明する。
を図３のベクトル図を用いて詳しく説明する。
【００１７】光ファイバ増幅器で発生する周波数fk+fj
の二次相互変調歪成分は、 (a)周波数fkの強度変調成分と周波数fjの周波数変調成
分の積 (b)周波数fjの強度変調成分と周波数fkの周波数変調成
分の積 で発生した歪の和となる。(a)の歪成分の位相はθIMk＋
θFMj、(b)の歪成分の位相はθIMj＋θFMkである。
の二次相互変調歪成分は、 (a)周波数fkの強度変調成分と周波数fjの周波数変調成
分の積 (b)周波数fjの強度変調成分と周波数fkの周波数変調成
分の積 で発生した歪の和となる。(a)の歪成分の位相はθIMk＋
θFMj、(b)の歪成分の位相はθIMj＋θFMkである。
【００１８】図４には(a)、(b)、(a)＋(b)、および(3)
のベクトルを示す。図４より、(a)＋(b)で表される光フ
ァイバ増幅器の歪成分と(3)の半導体レーザの歪成分の
位相差Δθは、Δθ＝｜（θIMk＋θFMj＋θIMj＋θFM
k）／２−θkj｜のようになり、Δθは０からπまでの
値を取り得ることがわかる。
のベクトルを示す。図４より、(a)＋(b)で表される光フ
ァイバ増幅器の歪成分と(3)の半導体レーザの歪成分の
位相差Δθは、Δθ＝｜（θIMk＋θFMj＋θIMj＋θFM
k）／２−θkj｜のようになり、Δθは０からπまでの
値を取り得ることがわかる。
【００１９】図５に、Δθをパラメータとしたときの、
光ファイバ増幅器を通過後の二次相互変調歪の光ファイ
バ増幅器への入力パワー依存性を示す。半導体レーザの
変調度を５％、二次相互変調歪をー７０ｄＢｃとし、周
波数変調の最大周波数偏移を８００ＭＨｚとした。ま
た、希土類添加ファイバの遷移の確率断面積をσs、光
の周波数をνとして、微分遷移確率断面積（１／σs）
（dσs／dν）＝０．００９％／ＧＨｚとした。微分遷
移確率断面積が０でないことにより、利得の波長依存性
が生じる。Δθ＝０，π／２のときには光ファイバ増幅
器を通過することにより歪は増加しているが、Δθ＝１
５π／１６，πのときには半導体レーザの歪の値よりも
低減されている。
光ファイバ増幅器を通過後の二次相互変調歪の光ファイ
バ増幅器への入力パワー依存性を示す。半導体レーザの
変調度を５％、二次相互変調歪をー７０ｄＢｃとし、周
波数変調の最大周波数偏移を８００ＭＨｚとした。ま
た、希土類添加ファイバの遷移の確率断面積をσs、光
の周波数をνとして、微分遷移確率断面積（１／σs）
（dσs／dν）＝０．００９％／ＧＨｚとした。微分遷
移確率断面積が０でないことにより、利得の波長依存性
が生じる。Δθ＝０，π／２のときには光ファイバ増幅
器を通過することにより歪は増加しているが、Δθ＝１
５π／１６，πのときには半導体レーザの歪の値よりも
低減されている。
【００２０】図６に、光ファイバ増幅器を通過後の二次
相互変調歪の微分遷移確率断面積依存性を示す。光ファ
イバ増幅器への入力パワーは０ｄＢｍとし、他は図５と
同じ条件である。（１／σs）（dσs／dν）＝０が光フ
ァイバ増幅器の利得のピーク波長に対応しており、負の
領域が利得ピークの短波長側、正の領域が利得ピークの
長波長側に対応している。同図より、半導体レーザの発
振波長が光ファイバ増幅器の利得ピーク波長よりも短波
長側にあるときにはΔθ＜π／２で歪が低減され、長波
長側にあるときにはπ／２＜Δθ≦πのときに歪が低減
されることがわかる。
相互変調歪の微分遷移確率断面積依存性を示す。光ファ
イバ増幅器への入力パワーは０ｄＢｍとし、他は図５と
同じ条件である。（１／σs）（dσs／dν）＝０が光フ
ァイバ増幅器の利得のピーク波長に対応しており、負の
領域が利得ピークの短波長側、正の領域が利得ピークの
長波長側に対応している。同図より、半導体レーザの発
振波長が光ファイバ増幅器の利得ピーク波長よりも短波
長側にあるときにはΔθ＜π／２で歪が低減され、長波
長側にあるときにはπ／２＜Δθ≦πのときに歪が低減
されることがわかる。
【００２１】上記第１の実施例で用いた２つのＤＦＢレ
ーザは、いずれもΔθ＝πであった。したがって、図２
で示した実験結果は上記解析結果と一致していることが
わかる。 また、信号用半導体レーザ１として発振波長
１５６１nm、Δθ＝０のレーザを用いた場合にも光ファ
イバ増幅器を通過させることにより歪が低減され、歪特
性の良好なアナログ光伝送を行うことができた。
ーザは、いずれもΔθ＝πであった。したがって、図２
で示した実験結果は上記解析結果と一致していることが
わかる。 また、信号用半導体レーザ１として発振波長
１５６１nm、Δθ＝０のレーザを用いた場合にも光ファ
イバ増幅器を通過させることにより歪が低減され、歪特
性の良好なアナログ光伝送を行うことができた。
【００２２】アナログ光伝送装置の第２の実施例の構成
図を図７に示す。前記の図１と同じ構成要素を有する
が、半導体レーザ１の後に位相制御装置６が挿入されて
いる。半導体レーザ１として図２（b）で示したＤＦＢ
レーザを用いた場合、位相制御装置５によって、強度変
調成分、周波数変調成分、および歪成分の位相が変化
し、歪特性が改善された。
図を図７に示す。前記の図１と同じ構成要素を有する
が、半導体レーザ１の後に位相制御装置６が挿入されて
いる。半導体レーザ１として図２（b）で示したＤＦＢ
レーザを用いた場合、位相制御装置５によって、強度変
調成分、周波数変調成分、および歪成分の位相が変化
し、歪特性が改善された。
【００２３】上記実施例では、希土類元素としてＥｒを
用い、半導体レーザの発振波長を１５５０nm帯とした
が、希土類元素としてＰｒを用い、半導体レーザの発振
波長を１３００nm帯とした場合にも同様の効果が得られ
た。
用い、半導体レーザの発振波長を１５５０nm帯とした
が、希土類元素としてＰｒを用い、半導体レーザの発振
波長を１３００nm帯とした場合にも同様の効果が得られ
た。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、信
号用半導体れレーザの発振波長を光ファイバ増幅器の利
得ピーク波長より短波長とし且つΔθ＜π／２とするこ
と、あるいは、信号用半導体レーザの発振波長を光ファ
イバ増幅器の利得ピーク波長より長波長とし且つπ／２
＜Δθ≦πとすることによって、信号用半導体レーザの
二次相互変調歪が、光ファイバ増幅器において周波数変
調成分と利得の波長依存性との相互作用によって発生す
る歪と打ち消し合い、歪特性の良好なアナログ光伝送装
置を実現することができる。
号用半導体れレーザの発振波長を光ファイバ増幅器の利
得ピーク波長より短波長とし且つΔθ＜π／２とするこ
と、あるいは、信号用半導体レーザの発振波長を光ファ
イバ増幅器の利得ピーク波長より長波長とし且つπ／２
＜Δθ≦πとすることによって、信号用半導体レーザの
二次相互変調歪が、光ファイバ増幅器において周波数変
調成分と利得の波長依存性との相互作用によって発生す
る歪と打ち消し合い、歪特性の良好なアナログ光伝送装
置を実現することができる。
【図１】本発明のアナログ光伝送装置の第１の実施例の
構成図
構成図
【図２】本発明のアナログ光伝送装置の実施例における
光ファイバ増幅器を通過後の二次相互変調歪の光ファイ
バ増幅器への入力パワー依存性を示す図
光ファイバ増幅器を通過後の二次相互変調歪の光ファイ
バ増幅器への入力パワー依存性を示す図
【図３】信号用半導体レーザの強度変調成分、周波数変
調成分、および歪成分の時間変化を示す図
調成分、および歪成分の時間変化を示す図
【図４】光ファイバ増幅器の歪成分と半導体レーザの歪
成分の位相関係を示すベクトル図
成分の位相関係を示すベクトル図
【図５】光ファイバ増幅器を通過後の二次相互変調歪の
光ファイバ増幅器への入力パワー依存性の計算結果を示
す図
光ファイバ増幅器への入力パワー依存性の計算結果を示
す図
【図６】光ファイバ増幅器を通過後の二次相互変調歪の
微分遷移確率断面積依存性の計算結果を示す図
微分遷移確率断面積依存性の計算結果を示す図
【図７】本発明のアナログ光伝送装置の第２の実施例の
構成図
構成図
【図８】本発明のアナログ光伝送装置の従来例の構成図
１ 信号用半導体レーザ ２ 光ファイバ増幅器 ３ 光ファイバ ４ 受光装置 ５ 位相制御装置
Claims (6)
- 【請求項１】多チャンネルアナログ電気信号で強度変調
された信号光を出射するための信号用半導体レーザと、
該信号用半導体レーザから出射された信号光を増幅する
ための希土類添加の光ファイバ増幅器と、該光ファイバ
増幅器で増幅された信号光を伝送するための光ファイバ
と、該光ファイバを通して伝送された信号光を電気信号
に変換するための受光装置とを備えたアナログ光伝送装
置であって、前記信号用半導体レーザから出射される信
号光は、変調周波数fkとfjの強度変調（ＩＭ）成分の位
相をそれぞれθIMk、θIMjとし、周波数変調（ＦＭ）成
分の位相をそれぞれθFMk、θFMjとし、二次相互変調歪
成分の位相をθkjとして、｜（θIMk＋θFMj＋θIMj＋
θFMk）／２−θkj｜＜π／２であり、且つ発振波長が
前記光ファイバ増幅器の利得ピーク波長より短波長であ
ることを特徴とするアナログ光伝送装置。 - 【請求項２】多チャンネルアナログ電気信号で強度変調
された信号光を出射するための信号用半導体レーザと、
該信号用半導体レーザから出射された信号光を増幅する
ための希土類添加の光ファイバ増幅器と、該光ファイバ
増幅器で増幅された信号光を伝送するための光ファイバ
と、該光ファイバを通して伝送された信号光を電気信号
に変換するための受光装置とを備えたアナログ光伝送装
置であって、前記信号用半導体レーザから出射される信
号光は、変調周波数fkとfjの強度変調（ＩＭ）成分の位
相をそれぞれθIMk、θIMjとし、周波数変調（ＦＭ）成
分の位相をそれぞれθFMk、θFMjとし、二次相互変調歪
成分の位相をθkjとして、π／２＜｜（θIMk＋θFMj＋
θIMj＋θFMk）／２−θkj｜≦πであり、且つ発振波長
が前記光ファイバ増幅器の利得ピーク波長より長波長で
あることを特徴とするアナログ光伝送装置。 - 【請求項３】多チャンネルアナログ電気信号で強度変調
された信号光を出射するための信号用半導体レーザと、
該信号用半導体レーザから出射された信号光の位相を制
御するための位相制御装置と、該位相制御装置を通過し
た信号光を増幅するための希土類添加の光ファイバ増幅
器と、該光ファイバ増幅器で増幅された信号光を伝送す
るための光ファイバと、該光ファイバを通して伝送され
た信号光を電気信号に変換するための受光装置とを備え
たアナログ光伝送装置であって、前記光ファイバ増幅器
に入射される信号光は、変調周波数fkとfjの強度変調
（ＩＭ）成分の位相をそれぞれθIMk、θIMjとし、周波
数変調（ＦＭ）成分の位相をそれぞれθFMk、θFMjと
し、二次相互変調歪成分の位相をθkjとして、｜（θIM
k＋θFMj＋θIMj＋θFMk）／２−θkj｜＜π／２であ
り、且つ波長が前記光ファイバ増幅器の利得ピーク波長
より短波長であることを特徴とするアナログ光伝送装
置。 - 【請求項４】多チャンネルアナログ電気信号で強度変調
された信号光を出射するための信号用半導体レーザと、
該信号用半導体レーザから出射された信号光の位相を制
御するための位相制御装置と、該位相制御装置を通過し
た信号光を増幅するための希土類添加の光ファイバ増幅
器と、該光ファイバ増幅器で増幅された信号光を伝送す
るための光ファイバと、該光ファイバを通して伝送され
た信号光を電気信号に変換するための受光装置とを備え
たアナログ光伝送装置であって、前記光ファイバ増幅器
に入射される信号光は、変調周波数fkとfjの強度変調
（ＩＭ）成分の位相をそれぞれθIMk、θIMjとし、周波
数変調（ＦＭ）成分の位相をそれぞれθFMk、θFMjと
し、二次相互変調歪成分の位相をθkjとして、π／２＜
｜（θIMk＋θFMj＋θIMj＋θFMk）／２−θkj｜≦πで
あり、且つ波長が前記光ファイバ増幅器の利得ピーク波
長より長波長であることを特徴とするアナログ光伝送装
置。 - 【請求項５】信号用半導体レーザの発振波長が１５５０
nm帯であり、光ファイバ増幅器は希土類元素としてＥｒ
（エルビウム）が添加されていることを特徴とする請求
項１、２、３、４いずれか１項に記載のアナログ光伝送
装置。 - 【請求項６】信号用半導体レーザの発振波長が１３００
nm帯であり、光ファイバ増幅器は希土類元素としてＰｒ
（プラセオジウム）が添加されていることを特徴とする
請求項１、２、３、４いずれか１項に記載のアナログ光
伝送装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4230882A JP2778370B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | アナログ光伝送装置 |
| US08/107,997 US5453867A (en) | 1992-08-31 | 1993-08-18 | Analog optical transmission system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4230882A JP2778370B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | アナログ光伝送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685759A true JPH0685759A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2778370B2 JP2778370B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=16914787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4230882A Expired - Lifetime JP2778370B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | アナログ光伝送装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5453867A (ja) |
| JP (1) | JP2778370B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| USRE44647E1 (en) | 2005-03-15 | 2013-12-17 | Emcore Corporation | Directly modulated laser optical transmission system with phase modulation |
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5303079A (en) * | 1992-04-09 | 1994-04-12 | At&T Bell Laboratories | Tunable chirp, lightwave modulator for dispersion compensation |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP4230882A patent/JP2778370B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-08-18 US US08/107,997 patent/US5453867A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2778370B2 (ja) | 1998-07-23 |
| US5453867A (en) | 1995-09-26 |
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