JPH0685542A - Variable frequency microwave oscillator - Google Patents

Variable frequency microwave oscillator

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Publication number
JPH0685542A
JPH0685542A JP4235471A JP23547192A JPH0685542A JP H0685542 A JPH0685542 A JP H0685542A JP 4235471 A JP4235471 A JP 4235471A JP 23547192 A JP23547192 A JP 23547192A JP H0685542 A JPH0685542 A JP H0685542A
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JP
Japan
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variable
frequency
microwave oscillator
microwave
changing
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Application number
JP4235471A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Takeda
茂 武田
Yasuhide Murakami
安英 邑上
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Proterial Ltd
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Hitachi Metals Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0685542A publication Critical patent/JPH0685542A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide the variable frequency microwave oscillator which is equipped with a low loss, wide variable width and stable temperature. CONSTITUTION:A microwave resonator combining a variable electrostatic capacitor 1 for changing electrostatic capacity by changing a gap (d) between two parallel metallic plates 5 and 5a with a mechanical displacing element and a low-loss inductance element 2 is combined with a negative resistance circuit. On the other hand, an electrically controllable piezoelectric element or magnetostriction element is used as the mechanical displacing element. Further, the inductance element is composed of a microstrip line.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、高周波帯における電子
機器の小型化・高周波化・低電力化に対応して、これら
に用いられる重要部品である周波数可変マイクロ波発振
器の低雑音化・広可変幅化・温度安定化に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention responds to downsizing, high frequency, and low power consumption of electronic equipment in a high frequency band, and is an important component used in these equipments. Regarding variable width and temperature stabilization.

【0002】[0002]

【従来の技術】集積回路の進歩にともない、高周波帯の
電子機器の小型化・高周波化・低電力化が急速に進んで
いる。その中で、周波数可変マイクロ波発振器の高性能
化は他の素子と比較すると遅れていると言える。特に、
10MHzから5GHz帯において、低損失で可変幅の
広い温度安定な周波数可変マイクロ波発振器の開発が強
く望まれている。これらの要求に答えるものとして、図
9に示すように、半導体ダイオードのPN接合を用いた
可変静電容量素子1’とインダクタンス素子2を組み合
わせた周波数可変マイクロ波発振器が広く用いられてい
る。図9のマイクロ波共振子は可変静電容量素子1’と
インダクタンス素子2の並列接続の場合を示す。3はト
ランジスタにより構成される負性抵抗回路である。端子
4、4aはマイクロ波の発振出力端子である。本負性抵
抗回路はベースB接地のエミッタE結合のコレクタC出
力の形式で構成されている。この周波数可変マイクロ波
発振器は小型で安価であることが特徴である。
2. Description of the Related Art With the progress of integrated circuits, downsizing, high frequency, and low power consumption of electronic devices in the high frequency band have been rapidly progressing. Among them, it can be said that the performance improvement of the variable frequency microwave oscillator is delayed as compared with other elements. In particular,
In the 10 MHz to 5 GHz band, development of a temperature variable frequency microwave oscillator with low loss and a wide variable width is strongly desired. In order to meet these requirements, as shown in FIG. 9, a variable frequency microwave oscillator in which a variable capacitance element 1 ′ using a PN junction of a semiconductor diode and an inductance element 2 are combined is widely used. The microwave resonator in FIG. 9 shows a case where the variable capacitance element 1 ′ and the inductance element 2 are connected in parallel. Reference numeral 3 is a negative resistance circuit composed of transistors. Terminals 4 and 4a are microwave oscillation output terminals. This negative resistance circuit is constructed in the form of an emitter E-coupled collector C output having a base B grounded. The frequency variable microwave oscillator is characterized by being small and inexpensive.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記可変静電
容量素子1’は半導体ダイオードに逆方向に電圧を加え
て、キャリアのない空乏層を形成させその厚みを前記電
圧の大きさで制御して実現しているものであり、材料が
半導体であることから、本質的に導体損による高周波帯
の損失が大きい及び温度変化が大きいなどの欠点があっ
た。また、制御系と信号系の絶縁を完全に確保するため
には回路構成が複雑になるという問題点もあった。従っ
て、本発明は、上記従来技術の欠点と問題点を改善し、
低雑音でかつ変化幅の広い温度安定な周波数可変マイク
ロ波発振器を提供することを目的とするものである。
However, in the variable capacitance element 1 ', a voltage is applied to the semiconductor diode in the opposite direction to form a depletion layer without carriers, and its thickness is controlled by the magnitude of the voltage. Since the material is a semiconductor, there are drawbacks such as a large loss in a high frequency band due to a conductor loss and a large temperature change. Further, there is a problem that the circuit configuration becomes complicated in order to ensure the insulation between the control system and the signal system. Therefore, the present invention solves the above-mentioned drawbacks and problems of the prior art,
It is an object of the present invention to provide a temperature variable frequency microwave oscillator with low noise and wide variation range.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の周波数可変マイ
クロ波発振器は、2枚の金属平板の間隔を変えることに
より静電容量を変化させる可変静電容量素子とインダク
タンス素子を組み合わせたものであり、前記2枚の金属
平板の間隔を変える手段として電気的に制御可能な機械
的な方法を用いることを特徴としている。
The variable frequency microwave oscillator according to the present invention is a combination of a variable capacitance element and an inductance element which change the capacitance by changing the distance between two metal flat plates. A mechanical method that can be electrically controlled is used as a means for changing the distance between the two metal flat plates.

【0005】[0005]

【作用】上記構成によれば、前記可変静電容量素子が損
失の小さい空気等を絶縁媒体とした平行平板コンデンサ
ーの構造を基本とし、かつ該平行平板の間隔を電気的に
制御可能な機械的変位素子で微妙に変化できることか
ら、低損失インダクタンス素子と組み合わせることによ
り、低雑音でかつ周波数変化幅の広い温度安定な周波数
可変マイクロ波発振器を実現できる。
According to the above structure, the variable capacitance element is basically based on the structure of a parallel plate capacitor using air or the like having a small loss as an insulating medium, and the distance between the parallel plates can be electrically controlled mechanically. Since it can be changed subtly by the displacement element, by combining it with a low-loss inductance element, it is possible to realize a temperature stable frequency variable microwave oscillator with low noise and a wide frequency variation range.

【0006】[0006]

【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を詳
細に説明する。図1は本発明の基本構成を説明する図で
ある。図の左側の部分は、平行平板5、5aを有する可
変静電容量素子5とインダクタンス素子2の並列接続の
例を示す。3はトランジスタにより構成される負性抵抗
回路である。端子4、4aはマイクロ波の発振出力端子
である。本負性抵抗回路はベースB接地のエミッタE結
合のコレクタC出力の形式で構成されている。可変静電
容量素子1は2枚の金属平行平板5、5aの間隔dを機
械的な手段によってΔdだけ変化させる構成となってい
る。金属平板5、5aの表面積をS、絶縁媒体の比誘電
率をεとすると、可変静電容量素子1の静電容量Cは
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram for explaining the basic configuration of the present invention. The left part of the figure shows an example of parallel connection of the variable capacitance element 5 having parallel plates 5 and 5a and the inductance element 2. Reference numeral 3 is a negative resistance circuit composed of transistors. Terminals 4 and 4a are microwave oscillation output terminals. This negative resistance circuit is constructed in the form of an emitter E-coupled collector C output having a base B grounded. The variable capacitance element 1 is configured to change the distance d between the two metal parallel plates 5 and 5a by Δd by a mechanical means. When the surface area of the metal flat plates 5 and 5a is S and the relative permittivity of the insulating medium is ε, the capacitance C of the variable capacitance element 1 is

【数1】C=K1εεoS/d で表わされる。ここで、εoは真空の誘電率、K1は1よ
り小さい比例係数である。 一方の2枚の金属平板5、
5aの間隔dをΔdだけ小さくした場合、このときの静
電容量は
## EQU1 ## C = K 1 εε o S / d Here, ε o is the dielectric constant of vacuum, and K 1 is a proportional coefficient smaller than 1. One of the two metal flat plates 5,
When the distance d of 5a is reduced by Δd, the electrostatic capacitance at this time is

【数2】C=K1εεoS/(d−Δd) のように変化する。このとき、インダクタンス素子2の
インダクタンスをLとすると、図1の並列共振回路の共
振周波数fは
## EQU2 ## It changes as C = K 1 εε o S / (d−Δd). At this time, assuming that the inductance of the inductance element 2 is L, the resonance frequency f of the parallel resonance circuit of FIG.

【数3】 f=1/(2π√LC)=√d−Δd/(2π√K1εεoSL) のように変化する。これにともない、数3で表される周
波数成分のマイクロ波だけが負性抵抗回路3で増幅さ
れ、端子4、4aに同じ周波数のマイクロ波が出力され
る。図2は本発明の一つの実施例を示す。インダクタン
ス素子2として終端短絡のストリップライン2aを用い
た。かつ可変静電容量素子1として機械的変位素子6に
より2枚の金属平行平板5、5aの間隔を変化させる構
成を用いた。図中、7は地導体、8は絶縁体、9は機械
的変位手段6を固定する構造体である。地導体7の一部
分が盛り上がり、その上に平行平板の一方5aが固定さ
れている。ストリップライン2aと金属平板5は接続さ
れている。また、それらはトランジスタTrのエミッタ
Eに接続されている。また、ベースは結合コンデンサC
2を介して、地導体7に接続されている。コレクタCは
結合コンデンサC1を介して出力端子4となる。出力端
子の一方4aは地導体7に接続されている。これによ
り、地導体に対して静電容量Cを有する可変静電容量素
子1とインダクタンス素子2との並列共振子を用いた周
波数可変マイクロ波発振器が実現できた。本実施例では
2枚の平行平板の間隔dは約20μmとした。図3は直
列共振の本発明の他の実施例を示す。図2と異なるの
は、2枚の金属平行平板5、5aはストリップライン2
aに対して直列に接続されている点である。これによ
り、インダクタンス素子2に直列に静電容量Cを有する
可変静電容量素子1が接続された直列共振子が実現さ
れ、これと負性抵抗回路を組み合わせた周波数可変マイ
クロ波発振器が実現できた。本実施例では2枚の平行平
板の間隔dは約20μmとした。図4は、前記実施例図
2及び図3を実行するために用いた機械的変位素子6と
しての圧電素子6aの構成を示す。この素子は端子1
0、10aに電圧Vを印加することにより変位を得るも
のである。端子10、10aに150Vの電圧を印加す
ることによりΔd=10μmが得られた。一般に、圧電
素子6aの変位量ΔdはΔd=K2Vのように、端子電
圧Vに比例するので、数2は次のようになる。
F = 1 / (2π√LC) = √d−Δd / (2π√K 1 εε o SL) Along with this, only the microwave of the frequency component expressed by the equation 3 is amplified by the negative resistance circuit 3, and the microwave of the same frequency is output to the terminals 4 and 4a. FIG. 2 shows one embodiment of the present invention. As the inductance element 2, a strip line 2a with a short-circuited termination is used. In addition, as the variable capacitance element 1, a configuration in which the distance between the two metal parallel plates 5 and 5a is changed by the mechanical displacement element 6 is used. In the figure, 7 is a ground conductor, 8 is an insulator, and 9 is a structure for fixing the mechanical displacement means 6. A part of the ground conductor 7 rises, and one of the parallel plates 5a is fixed thereon. The strip line 2a and the metal flat plate 5 are connected. Also, they are connected to the emitter E of the transistor Tr. The base is a coupling capacitor C
It is connected to the ground conductor 7 via 2. The collector C becomes the output terminal 4 via the coupling capacitor C1. One of the output terminals 4a is connected to the ground conductor 7. As a result, the variable frequency microwave oscillator using the parallel resonator of the variable capacitance element 1 having the capacitance C with respect to the ground conductor and the inductance element 2 was realized. In this embodiment, the distance d between the two parallel plates is about 20 μm. FIG. 3 shows another embodiment of the present invention for series resonance. The difference from FIG. 2 is that the two metal parallel plates 5 and 5a are strip lines 2
It is a point connected in series with a. As a result, a series resonator in which the variable capacitance element 1 having the capacitance C is connected to the inductance element 2 in series is realized, and a variable frequency microwave oscillator in which this and a negative resistance circuit are combined can be realized. . In this embodiment, the distance d between the two parallel plates is about 20 μm. FIG. 4 shows the structure of the piezoelectric element 6a as the mechanical displacement element 6 used for carrying out the above-described FIG. 2 and FIG. This element is terminal 1
The displacement is obtained by applying a voltage V to 0 and 10a. By applying a voltage of 150 V to the terminals 10 and 10a, Δd = 10 μm was obtained. In general, the displacement amount Δd of the piezoelectric element 6a is proportional to the terminal voltage V, as in Δd = K 2 V, and therefore the equation 2 is as follows.

【数4】C=K1εεoS/(d−K2V) このように、端子電圧Vを変化させることにより静電容
量Cを変化させることができ、かつ数3に従い発振周波
数が変化する周波数可変マイクロ波発振器を実現でき
た。図5は、前記実施例図2及び図3を実行するために
用いた機械的変位手段6としての磁歪素子6bの構成を
示す。この素子は端子11、11aに電流Iを流すこと
によりコイル12により磁界が発生し、これにより磁歪
素子の変位を得るものである。端子11、11aに2A
の電流を流すことによりΔd=10μmが得られた。一
般に、磁歪素子6bの変位量ΔdはΔd=K32のよう
に、端子電流Iの2乗に比例するので、数2は次のよう
になる。
## EQU4 ## C = K 1 ε ε o S / (d−K 2 V) Thus, the capacitance C can be changed by changing the terminal voltage V, and the oscillation frequency changes according to Expression 3. A variable frequency microwave oscillator has been realized. FIG. 5 shows the structure of a magnetostrictive element 6b as a mechanical displacement means 6 used to execute the above-described FIG. 2 and FIG. In this element, a magnetic field is generated by the coil 12 when a current I is applied to the terminals 11 and 11a, whereby the displacement of the magnetostrictive element is obtained. 2A for terminals 11 and 11a
Δd = 10 μm was obtained by applying the current of. In general, the displacement amount Δd of the magnetostrictive element 6b is proportional to the square of the terminal current I, as in Δd = K 3 I 2. Therefore, the equation 2 is as follows.

【数5】C=K1εεoS/(d−K32) このように、端子電流Iを変化させることにより静電容
量Cを変化させることができ、かつ数3に従い発振周波
数が変化する周波数可変マイクロ波発振器5を実現でき
る。図6は、図2の実施例において、図4の圧電素子6
aを用いた場合の、本発明の周波数可変マイクロ波発振
器の特性を示す図である。端子電圧を0から150Vに
変化させることにより、1.6GHzから1.13GHzま
で発振周波数を変化させることができた。図7は、図2
の実施例において、図5の磁歪素子6bを用いた場合
の、本発明の周波数可変マイクロ波発振器の特性を示す
図である。端子電流を0から2Aに変化させることによ
り、1.6GHzから1.2GHzまで発振周波数を変化さ
せることができた。図8は、本発明の周波数可変マイク
ロ波発振器の応用例を示すものである。発振器より出た
マイクロ波出力は方向性結合器により一部分がデバイダ
に導かれる。ここで、周波数が分割され、分周器に入
る。分周器は周波数を設定するコンピュータにより制御
された信号を出力する。この出力と水晶振動子の信号を
位相比較器により比較し、それらの信号の差に応じた制
御信号が電気的に制御可能な機械的変位素子の端子に導
かれる。このような操作により周波数が安定化されたマ
イクロ波出力が増幅器を介して外部に供給される。本発
明の周波数可変マイクロ波発振器は上記用途にきわめて
適した発振器である。
[Equation 5] C = K 1 εε o S / (d−K 3 I 2 ) Thus, the capacitance C can be changed by changing the terminal current I, and the oscillation frequency can be changed according to Equation 3. A variable frequency microwave oscillator 5 that changes can be realized. FIG. 6 shows the piezoelectric element 6 of FIG. 4 in the embodiment of FIG.
It is a figure which shows the characteristic of the frequency variable microwave oscillator of this invention when a is used. The oscillation frequency could be changed from 1.6 GHz to 1.13 GHz by changing the terminal voltage from 0 to 150V. FIG. 7 shows FIG.
6 is a diagram showing the characteristics of the variable frequency microwave oscillator of the present invention when the magnetostrictive element 6b of FIG. 5 is used in the example of FIG. The oscillation frequency could be changed from 1.6 GHz to 1.2 GHz by changing the terminal current from 0 to 2A. FIG. 8 shows an application example of the variable frequency microwave oscillator of the present invention. A part of the microwave output from the oscillator is guided to the divider by the directional coupler. Here, the frequency is divided and enters the divider. The frequency divider outputs a signal controlled by the computer which sets the frequency. This output and the signal of the crystal oscillator are compared by the phase comparator, and the control signal corresponding to the difference between these signals is introduced to the terminal of the mechanically controllable mechanical displacement element. By such an operation, the microwave output whose frequency is stabilized is supplied to the outside through the amplifier. The variable frequency microwave oscillator of the present invention is an oscillator that is extremely suitable for the above applications.

【0007】[0007]

【発明の効果】本発明によれば、従来技術に比較し、可
変静電容量素子として低損失の絶縁体を媒体とする平行
平板コンデンサーを基本構成とし、その平行平板の間隔
を機械的変位素子で変化させることから、これを低損失
インダクタンス素子と組み合わせて、低雑音で可変幅の
広い温度安定な周波数可変のマイクロ波発振器を提供し
得る。
According to the present invention, as compared with the prior art, a parallel plate capacitor using a low-loss insulator as a medium is used as a variable capacitance element, and the distance between the parallel plates is set to a mechanical displacement element. It is possible to provide a low-noise, wide-variable, temperature-stable, and frequency-variable microwave oscillator by combining this with a low-loss inductance element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の基本原理の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a basic principle of the present invention.

【図2】本発明の実施例の構造を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing the structure of the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例の構造を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing the structure of the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例を実現するための部品の構造断
面図である。
FIG. 4 is a structural cross-sectional view of a component for realizing an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施例を実現するための部品の構造断
面図である。
FIG. 5 is a structural cross-sectional view of a component for realizing an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施例の特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram of an example of the present invention.

【図7】本発明の実施例の特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram of an example of the present invention.

【図8】本発明の応用例を示すブロック図である。FIG. 8 is a block diagram showing an application example of the present invention.

【図9】従来技術を示す部品記号図である。FIG. 9 is a component symbol diagram showing a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 可変静電容量素子 2 インダクタンス素子 3 負性抵抗回路 4 出力端子 5 金属平行平板 6 機械的変位素子 7 地導体 8 絶縁体 9 構造体 10 制御端子 11 制御端子 12 コイル 1 Variable Capacitance Element 2 Inductance Element 3 Negative Resistance Circuit 4 Output Terminal 5 Metal Parallel Plate 6 Mechanical Displacement Element 7 Ground Conductor 8 Insulator 9 Structure 10 Control Terminal 11 Control Terminal 12 Coil

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 静電容量素子とインダクタンス素子の組
合せにより構成されるマイクロ波共振子、前記マイクロ
波共振子と負性抵抗回路を結合させたマイクロ波発振器
であって、前記静電容量素子の静電容量を変化させるこ
とにより共振周波数が変化する前記マイクロ波共振子、
前記マイクロ波共振子の共振周波数の変化にともない前
記マイクロ波発振器の発振周波数が変化する周波数可変
マイクロ波発振器において、前記静電容量素子として2
枚の金属平板の間隔を電気的に制御可能な機械的手段に
より変化させることができる可変静電容量素子を用いた
ことを特徴とする周波数可変マイクロ波発振器。
1. A microwave resonator including a combination of an electrostatic capacitance element and an inductance element, and a microwave oscillator in which the microwave resonator and a negative resistance circuit are coupled to each other. The microwave resonator whose resonance frequency changes by changing the capacitance,
In the frequency variable microwave oscillator, in which the oscillation frequency of the microwave oscillator changes in accordance with the change of the resonance frequency of the microwave resonator, the capacitance element is
A variable frequency microwave oscillator using a variable capacitance element capable of changing a distance between metal flat plates by a mechanical means capable of being electrically controlled.
【請求項2】 前記2枚の金属平板の間隔を変えるため
の電気的に制御可能な機械的手段として圧電素子を用い
たことを特徴とする請求項1の周波数可変マイクロ波発
振器。
2. The variable frequency microwave oscillator according to claim 1, wherein a piezoelectric element is used as an electrically controllable mechanical means for changing a distance between the two metal flat plates.
【請求項3】 前記2枚の金属平板の間隔を変えるため
の電気的に制御可能な機械的手段として磁歪素子を用い
たことを特徴とする請求項1の周波数可変マイクロ波発
振器。
3. The frequency variable microwave oscillator according to claim 1, wherein a magnetostrictive element is used as an electrically controllable mechanical means for changing a distance between the two metal flat plates.
【請求項4】 前記インダクタンス素子がマイクロスト
リップラインにより構成されていることを特徴とする請
求項1の周波数可変マイクロ波発振器。
4. The frequency variable microwave oscillator according to claim 1, wherein the inductance element is formed of a microstrip line.
JP4235471A 1992-09-03 1992-09-03 Variable frequency microwave oscillator Pending JPH0685542A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008520091A (en) * 2004-11-12 2008-06-12 オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト Impedance matching of capacitively coupled RF plasma reactor suitable for large area substrates

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008520091A (en) * 2004-11-12 2008-06-12 オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト Impedance matching of capacitively coupled RF plasma reactor suitable for large area substrates

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