JPH0685062A - Design of cell base layout - Google Patents

Design of cell base layout

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JPH0685062A
JPH0685062A JP4237442A JP23744292A JPH0685062A JP H0685062 A JPH0685062 A JP H0685062A JP 4237442 A JP4237442 A JP 4237442A JP 23744292 A JP23744292 A JP 23744292A JP H0685062 A JPH0685062 A JP H0685062A
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JP
Japan
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wiring
cell
inter
power supply
channel
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4237442A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahito Sakate
将人 坂手
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0685062A publication Critical patent/JPH0685062A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable higher integration of a semiconductor integrated circuit by improving usage efficiency of the first wiring layer. CONSTITUTION:Rectangular areas 17P and 17N which traverse in parallel with a pair of power source wirings 13P and 13N, with no inter-cell wiring between them in the same wiring layer in the standard cell, are allowed to extend/ contact in the direction orthogonal to the power source wirings 13P and 13N within a specified range, and the rectangular-area of the wiring layer is set as the inter-cell wiring channels 17P and 17N, and further, wiring tracks T1P, T2P, T1N and T2N are run in the direction parallel with the power source wirings 13P and 13N, and in addition, the number of wiring tracks is set variable within the range specified by the extension/contraction. On the inter-cell wiring channels 17P and 17N, inter-cell rough routing is made so as to decide the number of wiring tracks in the inter-cell wiring channel, and then based upon the decided number of wiring tracks, the rectangle area of the standard cell is extended/contracted.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、セルベースレイアウト
設計方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cell-based layout design method.

【0002】[0002]

【従来の技術】セルベース設計では、基本ゲートや使用
頻度の高い論理回路のパターンを予め標準セルとして登
録しておき、標準セルの配置とセル間の配線によりレイ
アウト設計を行う。
2. Description of the Related Art In cell-based design, patterns of basic gates and logic circuits that are frequently used are registered in advance as standard cells, and layout design is performed by arranging standard cells and wiring between cells.

【0003】図9は、従来の標準セルの一例を示す。こ
の標準セルはCMOSインバータであり、セル枠10内
には、1対のP型拡散領域11P及びN型拡散領域11
Nと、P型拡散領域11P上及びN型拡散領域11N上
に延びたポリシリコン等のゲート12と、ゲート12上
で12と直角方向に延びた1対の高電位側電源配線13
P及び低電位側電源配線13Nと、電源配線13PとP
型拡散領域11Pのソースとの間を接続するためのコン
タクト14Pと、電源配線13NとN型拡散領域11N
のソースとの間を接続するためのコンタクト14Nと、
ゲート12と平行に延びた第1配線層(半導体基板から
1番目のメタル配線層)のセル内配線15と、セル内配
線15の一端とP型拡散領域11Pのドレインとの間を
接続するためのコンタクト16Pと、セル内配線15の
他端とN型拡散領域11Nのドレインとの間を接続する
ためのコンタクト16Nとがある。
FIG. 9 shows an example of a conventional standard cell. This standard cell is a CMOS inverter, and a pair of P-type diffusion region 11P and N-type diffusion region 11 are provided in the cell frame 10.
N, a gate 12 made of polysilicon or the like extending on the P-type diffusion region 11P and the N-type diffusion region 11N, and a pair of high-potential-side power supply wirings 13 extending on the gate 12 in a direction perpendicular to 12
P and the low potential side power supply wiring 13N and the power supply wirings 13P and P
The contact 14P for connecting the source of the type diffusion region 11P, the power supply wiring 13N, and the N type diffusion region 11N.
A contact 14N for connecting to the source of
To connect the in-cell wiring 15 of the first wiring layer (first metal wiring layer from the semiconductor substrate) extending in parallel with the gate 12 to one end of the in-cell wiring 15 and the drain of the P-type diffusion region 11P Contact 16P and a contact 16N for connecting the other end of the in-cell wiring 15 and the drain of the N-type diffusion region 11N.

【0004】電源配線13P及び13Nは第1配線層の
配線(第1層配線)であって、その長手方向はセル列に
平行であり、この方向をX方向とすると、半導体基板側
から2番目のメタル配線層である第2配線層の電源配線
の長手方向は、X方向と直角なY方向となっており、半
導体基板側から3番目のメタル配線層である第3配線層
の電源配線の長手方向は、X方向となっている。このた
め、異なるセル列間の配線は第2配線層しか使えない。
第2配線層の配線トラックが不足すると、セル間に新た
な配線領域を確保して配線を行わなければならないの
で、回路の集積度が低下する。
The power supply wirings 13P and 13N are wirings of the first wiring layer (first layer wirings), and the longitudinal direction thereof is parallel to the cell row, and when this direction is taken as the X direction, it is the second from the semiconductor substrate side. The longitudinal direction of the power supply wiring of the second wiring layer which is the metal wiring layer is the Y direction perpendicular to the X direction, and the power supply wiring of the third wiring layer which is the third metal wiring layer from the semiconductor substrate side is The longitudinal direction is the X direction. Therefore, only the second wiring layer can be used for wiring between different cell columns.
If the number of wiring tracks in the second wiring layer is insufficient, it is necessary to secure a new wiring area between cells and perform wiring, so that the degree of circuit integration is reduced.

【0005】近年のセルベース設計では、集積度を向上
させるために、セル内配線のみならずセル間配線もセル
上第1配線層を用いて行っている。このセル上配線のた
めに、標準セルには予め配線トラックT1P、T2P、
TN1及びTN2が設定されており、このトラック上に
配線を敷設することでセル間配線が行われる。
In the recent cell-based design, in order to improve the degree of integration, not only the in-cell wiring but also the inter-cell wiring is performed using the first wiring layer on the cell. For this on-cell wiring, the wiring tracks T1P, T2P,
TN1 and TN2 are set, and wiring between cells is performed by laying wiring on this track.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来では、セ
ル上配線のトラックが固定されていたので、配線トラッ
クが未使用で無駄になったり、逆に配線トラックスが不
足して第2配線層及び層間接続用コンタクトを使用しな
ければならなくなっていたので、集積度が低下する原因
となっていた。
However, in the prior art, since the track of the on-cell wiring was fixed, the wiring track was unused and wasted, or conversely, the wiring tracks were insufficient and the second wiring layer and Since it has been necessary to use the contact for interlayer connection, it has been a cause of lowering the degree of integration.

【0007】また、現在では一般に、セミカスタムLS
Iはセルベース設計でグリッドレイアウトが行われ、フ
ルカスタムLSIはマニュアル設計でグリッドレスレイ
アウトが行われている。しかし、微細加工技術がさらに
進歩して1チップに数千万個のトランジスタを集積でき
るようになると、フルカスタムLSIでも、セルベース
設計の占める割合が増えてくる。したがって、グリッド
レイアウトを行った後、コンパクションによりグリッド
レスレイアウトにした場合に、集積度がより高くなるよ
うに配線を行う手法が強く望まれるようになる。
Further, at present, generally, a semi-custom LS is used.
I is a cell-based design for grid layout, and full-custom LSI is a manual design for gridless layout. However, if the microfabrication technology further advances and tens of millions of transistors can be integrated on one chip, the proportion of cell-based designs in full-custom LSIs will increase. Therefore, there is a strong demand for a method of performing wiring so that the degree of integration becomes higher when the gridless layout is performed by the compaction after the grid layout is performed.

【0008】本発明の目的は、このような問題点及び事
情に鑑み、第1配線層の使用効率を高めて半導体集積回
路の高集積化を可能にするセルベースレイアウト設計方
法を提供することにある。
In view of the above problems and circumstances, it is an object of the present invention to provide a cell-based layout designing method which improves the use efficiency of the first wiring layer and enables high integration of a semiconductor integrated circuit. is there.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段及びその作用】本発明に係
るセルベースレイアウト設計方法を、実施例に係る図を
参照して説明する。
A cell-based layout designing method according to the present invention will be described with reference to the drawings according to the embodiments.

【0010】本発明では、例えば図1〜3に示す如く、
(70)予め登録された、一対の平行な電源配線13
P、13Nを含む標準セルを配置し、標準セル間を概略
配線した後、(74)該概略配線を詳細配線にすること
により半導体集積回路のレイアウト設計を行う。
In the present invention, for example, as shown in FIGS.
(70) A pair of pre-registered parallel power supply wirings 13
After arranging standard cells including P and 13N and roughly wiring between the standard cells, (74) a layout design of the semiconductor integrated circuit is performed by making the rough wiring detailed wiring.

【0011】該標準セルについては、該標準セルの、一
対の電源配線13P、13Nの間で電源配線13P、1
3Nと同一配線層(第1配線層)に該標準セル内の素子
間配線が存在しない、電源配線13P、13Nと平行に
横切る矩形領域17P、17Nを、電源配線13P、1
3Nと直角な方向へ所定範囲内で伸縮自在とし、該配線
層の該矩形領域をセル間配線チャネルとし、該セル間配
線チャネル内に、電源配線13P、13Nと平行な方向
の配線トラックT1P〜T3P、T1N〜T3Nを通
し、該配線トラックの数を、該伸縮の範囲で定まる所定
範囲内で可変としておく。
Regarding the standard cell, the power source wirings 13P and 1P are provided between the pair of power source wirings 13P and 13N of the standard cell.
The rectangular areas 17P and 17N that intersect in parallel with the power supply wirings 13P and 13N, in which the inter-element wiring in the standard cell does not exist in the same wiring layer (first wiring layer) as 3N, are connected to the power supply wirings 13P and 1P.
3N is made expandable / contractible within a predetermined range in a predetermined range, the rectangular region of the wiring layer is used as an inter-cell wiring channel, and wiring tracks T1P to Through T3P and T1N to T3N, the number of the wiring tracks is made variable within a predetermined range determined by the expansion / contraction range.

【0012】(70〜73)該セル間配線チャネル上で
セル間概略配線を行って該セル間配線チャネル内の配線
トラック数を決定し、決定した該配線トラック数に基づ
いて該標準セルの該矩形領域を伸縮させる。
(70-73) The inter-cell wiring channel is roughly wired to determine the number of wiring tracks in the inter-cell wiring channel, and the number of wiring tracks in the standard cell is determined based on the determined number of wiring tracks. Stretch a rectangular area.

【0013】この伸縮範囲は、トランジスタの特性上制
限される。本方法により矩形領域17P、17Nを短縮
した場合には、無駄な第1層配線領域が狭くなって第1
配線層の使用効率が高められ、回路の集積度を向上させ
ることができる。本方法により矩形領域17P、17N
を伸張した場合には、例えば図4(A)及び図5(A)
をそれぞれ図4(B)及び図5(B)と比較すれば明ら
かなように、第1配線層の使用効率が高められ、半導体
集積回路の集積度向上に寄与する。
This expansion / contraction range is limited due to the characteristics of the transistor. When the rectangular regions 17P and 17N are shortened by this method, the useless first-layer wiring region becomes narrower and the first
The use efficiency of the wiring layer can be improved, and the degree of integration of the circuit can be improved. With this method, rectangular areas 17P and 17N
Is extended, for example, in FIG. 4 (A) and FIG. 5 (A)
As is clear from comparison between FIG. 4B and FIG. 5B, the use efficiency of the first wiring layer is increased, which contributes to the improvement of the integration degree of the semiconductor integrated circuit.

【0014】本発明の第1態様では、例えば図1(A)
に示す如く1対の電源配線13P、13Nの一方13P
側のセル間配線チャネル17Pと一対の電源配線13
P、13Nの他方13N側のセル間配線チャネル17N
とを互いに独立なそれぞれ1つのセル間配線チャネルと
して、セル間概略配線を行って該セル間配線チャネル1
7P、17N内の配線トラック数を決定する。
In the first aspect of the present invention, for example, FIG.
One pair of power supply wirings 13P, 13N as shown in
Side inter-cell wiring channel 17P and a pair of power supply wirings 13
Inter-cell wiring channel 17N on the other 13N side of P and 13N
And 1 are defined as independent inter-cell wiring channels, and inter-cell rough wiring is performed to perform inter-cell wiring channel 1
Determine the number of wiring tracks in 7P and 17N.

【0015】本発明の第2態様では、例えば図1(B)
に示す如く1対の電源配線13P、13Nの一方13P
側のセル間配線チャネル17P(図1(A))と一対の
電源配線13P、13Nの他方13N側のセル間配線チ
ャネル17N(図1(A))とを合わせて1つの合成セ
ル間配線チャネル17として、セル間概略配線を行って
合成セル間配線チャネル17内の配線トラック数を決定
する。
In the second aspect of the present invention, for example, FIG.
One pair of power supply wirings 13P, 13N as shown in
Side inter-cell wiring channel 17P (FIG. 1 (A)) and inter-cell wiring channel 17N (FIG. 1 (A)) on the other side 13N of the pair of power supply wirings 13P and 13N are combined into one combined inter-cell wiring channel. 17, the rough wiring between cells is performed to determine the number of wiring tracks in the wiring channel 17 between combined cells.

【0016】ブロックの配線要求によってはこのような
構成とすることができ、この場合、概略配線が図1
(A)の場合よりも簡単になる。
Such a structure can be adopted depending on the wiring requirements of the block. In this case, the schematic wiring is shown in FIG.
It is easier than the case (A).

【0017】本発明の第3態様では、例えば図1(C)
に示す如く1対の電源配線13P、13Nの一方13P
側の第1のセル間配線チャネル17P(図1(A))に
さらに、該一方の電源配線13Pを挟んで第1セル間配
線チャネル17Pと反対側に、電源配線13P、13N
と同一配線層の矩形領域の第2セル間配線チャネルを確
保し、第1セル間配線チャネル17Pと該第2セル間配
線チャネルとを合わせて1つの合成セル間配線チャネル
27Pとして、合成セル間配線チャネル27P内の配線
トラック数を一定にし、セル間概略配線を第1段階と第
2段階に分け、該第1段階ではどのセル間配線を合成セ
ル間配線チャネル27Pに通すかを決定し、該第2段階
では第1セル間配線チャネル17Pと該第2セル間配線
チャネルとを互いに独立なそれぞれ1つのセル間配線チ
ャネルとして、セル間概略配線を行って第1セル間配線
チャネル17P内の配線トラック数を決定する。
In the third aspect of the present invention, for example, FIG.
One pair of power supply wirings 13P, 13N as shown in
Power supply wirings 13P and 13N on the side opposite to the first inter-cell wiring channel 17P with the one power supply wiring 13P sandwiched therebetween.
The second inter-cell wiring channel in the rectangular area of the same wiring layer is secured, and the first inter-cell wiring channel 17P and the second inter-cell wiring channel are combined to form one inter-synthetic cell wiring channel 27P. The number of wiring tracks in the wiring channel 27P is made constant, the inter-cell rough wiring is divided into a first stage and a second stage, and in the first stage, it is determined which inter-cell wiring is to be passed through the inter-synthesis cell wiring channel 27P. In the second stage, the first inter-cell wiring channel 17P and the second inter-cell wiring channel are set as independent inter-cell wiring channels, and the inter-cell rough wiring is performed to make Determine the number of wiring tracks.

【0018】比較的大きなブロック内でのセル間配線で
は、図1(A)のようにセル間配線チャネル17P、1
7Nを取ると、概略配線が複雑になるが、この第3態様
によれば、概略配線の複雑化が避けられる。
For inter-cell wiring within a relatively large block, inter-cell wiring channels 17P, 1P are provided as shown in FIG.
When 7N is taken, the general wiring becomes complicated. However, according to the third mode, the general wiring can be prevented from becoming complicated.

【0019】本発明の第4態様では、例えば図6(A)
に示す如く、詳細配線において、電源配線13Pに平行
な方向の座標がXA1、XA2の2点間を接続する第1
セル間配線50と、該座標がXB1、XB2の2点間を
接続する第2セル間配線51とがセル間配線チャネル内
に在り、XA1>XB1かつXA2<XB2である場合
に、第1セル間配線50と第2セル間配線51とが互い
に交差しないように配線する。
In the fourth aspect of the present invention, for example, FIG.
As shown in, in the detailed wiring, the coordinates in the direction parallel to the power supply wiring 13P connect the two points XA1 and XA2 to each other.
If the inter-cell wiring 50 and the second inter-cell wiring 51 connecting the two points of the coordinates XB1 and XB2 are in the inter-cell wiring channel and XA1> XB1 and XA2 <XB2, the first cell The inter-wiring 50 and the second inter-cell wiring 51 are wired so as not to intersect with each other.

【0020】この構成の場合、第2層配線本数をできる
だけ少なくして第1配線層の使用効率を高めることがで
きる。
In this structure, the number of second-layer wirings can be reduced as much as possible to improve the use efficiency of the first wiring layer.

【0021】本発明の第5態様では、例えば図8に示す
如く、詳細配線後において、電源配線13N1、13N
2と直角な方向に隣合う2つの標準セルの隣合う電源配
線13N1、13N2が同電位でかつ隣合う電源配線1
3N1、13N2間に電源配線13N1、13N2と同
一配線層の配線が存在しない場合に、隣合う標準セルを
互いに接近させて隣合う2本の電源配線13N1、13
N2を1本化し、かつ、1本化した電源配線13Nの幅
を、1本化前の2本の電源配線13N1、13N2の幅
の和よりも小さくする。
In the fifth aspect of the present invention, as shown in FIG. 8, for example, after the detailed wiring, the power supply wirings 13N1 and 13N are formed.
Power supply wiring 1 in which two power supply wirings 13N1 and 13N2 of two standard cells adjacent to each other in the direction perpendicular to 2 have the same potential and are adjacent to each other
When there is no wiring in the same wiring layer as the power supply wirings 13N1 and 13N2 between the 3N1 and 13N2, the two standard power supply wirings 13N1 and 13N that are adjacent to each other by bringing adjacent standard cells close to each other.
N2 is unified and the width of the unified power supply wiring 13N is made smaller than the sum of the widths of the two power supply wirings 13N1 and 13N2 before integration.

【0022】この構成の場合、2本の電源配線13N
1、13N2間が無くなり、かつ、1本化した電源配線
13Nの幅が1本化前の2本の電源配線13N1、13
N2の幅の和よりも小さくすることができるので、半導
体集積回路の集積度が高められる。
In the case of this configuration, two power supply wirings 13N
1 and 13N2 are eliminated, and the width of the integrated power supply wiring 13N is two before the integration of the two power supply wirings 13N1 and 13N1.
Since it can be made smaller than the sum of the widths of N2, the degree of integration of the semiconductor integrated circuit can be improved.

【0023】[0023]

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0024】図1及び図3では、図9と同一構成要素に
同一符号を付している。
In FIGS. 1 and 3, the same components as those in FIG. 9 are designated by the same reference numerals.

【0025】本実施例では、図1において、高電位側電
源配線13P及び低電位側電源配線13Nをその長手方
向に直角な方向へセル列単位で移動可能とし、すなわ
ち、セル間接続用セル上第1層配線が通されるセル間配
線チャネルの幅を可変にし、概略配線の結果に応じてこ
の幅を決定するようにしている。図1は、このセル間配
線チャネルの取り方を3通り示している。各セル間配線
チャネルは、そのセル列に共通の1つの配線チャネルと
して、配線トラックと無関係に概略配線が行われる。
In this embodiment, in FIG. 1, the high-potential-side power supply wiring 13P and the low-potential-side power supply wiring 13N can be moved in the cell column unit in the direction perpendicular to the longitudinal direction, that is, on the cell for inter-cell connection. The width of the inter-cell wiring channel through which the first layer wiring is passed is made variable, and this width is determined according to the result of the rough wiring. FIG. 1 shows three ways of forming the inter-cell wiring channel. Each inter-cell wiring channel is one wiring channel common to the cell column, and is roughly wired regardless of the wiring track.

【0026】図1(A)では、P型拡散領域11P上の
第1層配線未使用領域に可変幅のセル間配線チャネル1
7Pを取り、N型拡散領域11N上の第1層配線未使用
領域に可変幅のセル間配線チャネル17Nを取ってい
る。セル間配線チャネル17Pには、電源配線13Pの
長手方向に平行な配線トラックT1P及びT2Pが初期
設定されている。同様に、セル間配線チャネル17Nに
は、電源配線13Nの長手方向に平行な配線トラックT
1N及びT2Nが初期設定されている。
In FIG. 1A, a variable width inter-cell wiring channel 1 is formed in the first layer wiring unused area on the P type diffusion area 11P.
7P, and a variable-width inter-cell wiring channel 17N is provided in the first layer wiring unused area on the N-type diffusion area 11N. In the inter-cell wiring channel 17P, wiring tracks T1P and T2P parallel to the longitudinal direction of the power supply wiring 13P are initially set. Similarly, in the inter-cell wiring channel 17N, a wiring track T parallel to the longitudinal direction of the power supply wiring 13N is provided.
1N and T2N are initialized.

【0027】概略配線においては各配線チャネルについ
て、N0−ΔN1≦N≦N0+ΔN2なる範囲のN本の
セル間接続用第1層配線が配線トラックと無関係に通さ
れる。ここにN0は、電源配線を移動させる前の初期サ
イズの標準セルのセル間配線チャネル17P内及び17
N内の各々の配線トラック数であり、図1(A)ではN
0=2である。ΔN1及びΔN2は、MOSトランジス
タの特性上許容される範囲内の値であり、例えばΔN1
=2、ΔN2=1である。
In the general wiring, for each wiring channel, N first cell wirings for inter-cell connection in the range of N0-ΔN1≤N≤N0 + ΔN2 are passed irrespective of the wiring track. Here, N0 is in the inter-cell wiring channel 17P and 17 of the standard cell of the initial size before moving the power supply wiring.
The number of each wiring track in N, and in FIG.
0 = 2. ΔN1 and ΔN2 are values within the allowable range due to the characteristics of the MOS transistor, and for example, ΔN1
= 2 and ΔN2 = 1.

【0028】ブロック内の配線要求によっては、図1
(B)のように、電源配線13Pと電源配線13Nとの
間に、可変幅の1つのセル間配線チャネル17を取るこ
とができる。セル間配線チャネル17には、図1(A)
と同様に第1層配線未使用領域に配線トラックT1P、
T2P、T1N及びT2Nが初期設定されている。
Depending on the wiring requirements in the block, FIG.
As in (B), one variable width inter-cell wiring channel 17 can be provided between the power supply wiring 13P and the power supply wiring 13N. The inter-cell wiring channel 17 is shown in FIG.
Similarly to the first layer wiring unused area, the wiring track T1P,
T2P, T1N and T2N are initialized.

【0029】概略配線においては、セル間配線チャネル
17内に2N0−2ΔN1≦N≦2N0+2ΔN2なる
範囲のN本のセル間接続用第1層配線が配線トラックと
無関係に通され、概略配線が図1(A)の場合よりも簡
単になる。
In the rough wiring, N first layer wirings for inter-cell connection in the range of 2N0-2ΔN1 ≦ N ≦ 2N0 + 2ΔN2 are passed through the inter-cell wiring channel 17 independently of the wiring track, and the rough wiring is shown in FIG. It is easier than the case (A).

【0030】比較的大きなブロック内でのセル間配線で
は、図1(A)のようにセル間配線チャネル17P及び
17Nを取ると、概略配線が複雑になる。このような場
合には、図1(C)のように、電源配線13Pの両側に
わたった固定幅のセル間配線チャネル27Pと、電源配
線13Nの両側にわたった固定幅のセル間配線チャネル
27Nとを取る。
In the inter-cell wiring in a relatively large block, if the inter-cell wiring channels 17P and 17N are taken as shown in FIG. 1A, the general wiring becomes complicated. In such a case, as shown in FIG. 1C, an inter-cell wiring channel 27P having a fixed width extending over both sides of the power supply wiring 13P and an inter-cell wiring channel 27N having a fixed width extending over both sides of the power supply wiring 13N. And take.

【0031】セル間配線チャネル27Pは、図1(A)
の可変幅のセル間配線チャネル17Pと同一の第1層配
線未使用領域を含み、かつ、電源配線13Pを挟んでセ
ル間配線チャネル17Pと反対側にセル間配線チャネル
17Pと同じ広さの第1層配線未使用領域を含んでい
る。前者の領域には配線トラックT1Pと配線トラック
T2Pとが初期設定され、後者の領域には配線トラック
T4Pと配線トラックT5Pとが初期設定されている。
同様に、セル間配線チャネル27Nは、図1(A)の可
変幅のセル間配線チャネル17Nと同一の第1層配線未
使用領域を含み、かつ、電源配線13Nを挟んでセル間
配線チャネル17Nと反対側にセル間配線チャネル17
Nと同じ広さの第1層配線未使用領域を含んでいる。前
者の領域には配線トラックT1Nと配線トラックT2N
とが初期設定され、後者の領域には配線トラックT4N
と配線トラックT5Nとが初期設定されている。
The inter-cell wiring channel 27P is shown in FIG.
Of the variable-width inter-cell wiring channel 17P, which is the same as the inter-cell wiring channel 17P on the side opposite to the inter-cell wiring channel 17P with the power supply wiring 13P interposed therebetween. It includes an unused area of the first layer wiring. A wiring track T1P and a wiring track T2P are initialized in the former area, and a wiring track T4P and a wiring track T5P are initialized in the latter area.
Similarly, the inter-cell wiring channel 27N includes the same first-layer wiring unused area as the variable-width inter-cell wiring channel 17N of FIG. 1A, and the inter-cell wiring channel 17N sandwiches the power supply wiring 13N. Inter-cell wiring channel 17 on the other side
The first layer wiring unused area having the same width as N is included. In the former area, the wiring track T1N and the wiring track T2N are provided.
And are initialized, and the wiring track T4N is set in the latter area.
And the wiring track T5N are initialized.

【0032】概略配線の第1段階においては、セル間配
線チャネル27P及び27Nの各々について固定本数
C、図1(C)の場合は4本のセル間接続用第1層配線
が配線トラックと無関係に通され、どの配線が通される
かが決定される。概略配線の第2段階においては、セル
間配線チャネル27Pを図1(A)の可変幅のセル間配
線チャネル17Pと残りの領域のセル間配線チャネルと
に分け、適当な評価関数を用いて、セル間配線チャネル
17NにN0−ΔN1≦N≦N0+ΔN2なる範囲のN
本のセル間接続用第1層配線を通し、もう一方のセル間
配線チャネルにC−N本のセル間接続用第1層配線を通
す。セル間配線チャネル27Nについても同様である。
In the first stage of the rough wiring, a fixed number C is set for each of the inter-cell wiring channels 27P and 27N, and in the case of FIG. 1C, four inter-cell connecting first layer wirings are unrelated to the wiring tracks. To determine which wiring is to be routed. In the second stage of the rough wiring, the inter-cell wiring channel 27P is divided into the inter-cell wiring channel 17P having a variable width shown in FIG. 1A and the inter-cell wiring channel in the remaining area, and using an appropriate evaluation function, N in the range of N0−ΔN1 ≦ N ≦ N0 + ΔN2 in the inter-cell wiring channel 17N
Through the first inter-cell connection first layer wiring, and C-N inter-cell connection first layer wiring through the other inter-cell wiring channel. The same applies to the inter-cell wiring channel 27N.

【0033】次に、上記のようなセル間配線チャネルが
設定された標準セルの配置・配線設計手順を図2に基づ
いて説明する。この設計はCADにより手動モード又は
自動モードで行われる。なお、図1(A)〜(C)のど
のセル間配線チャネルを用いるかは、例えば、経験に基
づき全てのセル列又はセル列毎に予め決めておく。以
下、括弧内の数値は、図中のステップ識別番号を表す。
Next, the layout / wiring design procedure of the standard cell in which the inter-cell wiring channel as described above is set will be described with reference to FIG. This design is done by CAD in either manual or automatic mode. Note that which inter-cell wiring channel in FIGS. 1A to 1C is to be used is determined in advance for all cell columns or for each cell column based on experience, for example. Hereinafter, the numerical value in the parenthesis represents the step identification number in the figure.

【0034】(70)ネットリストに基づいて、標準セ
ルを配置し、概略配線を行う。例えば図1(A)の標準
セルを用いた場合には、セル間配線チャネル17P及び
17Nにそれぞれ0〜3本の配線を通すことができると
して、配線経路を具体的に決定せずに概略配線を行う。
この際、適当な評価関数を用いて最適化を図る。これに
よりセル間配線チャネル17P、17N又は17に通さ
れる配線の本数Nが決定される。
(70) Based on the netlist, standard cells are arranged and rough wiring is performed. For example, in the case of using the standard cell of FIG. 1A, it is assumed that 0 to 3 wirings can be passed through the inter-cell wiring channels 17P and 17N, respectively, and the rough wiring is not specifically determined. I do.
At this time, optimization is performed by using an appropriate evaluation function. As a result, the number N of wirings that pass through the inter-cell wiring channels 17P, 17N or 17 is determined.

【0035】(71)上記N0と概略配線後の上記Nと
を比較し、N>N0であればステップ72へ進み、N<
N0であればステップ73へ進み、N=N0であればス
テップ74へ進む。
(71) Compare N0 with N after rough wiring. If N> N0, proceed to step 72, where N <
If N0, the process proceeds to step 73, and if N = N0, the process proceeds to step 74.

【0036】(72)例えば図1(C)に示す標準セル
を用い、N0=2、N=3である場合には、図3(B)
に示す如く、電源配線13Pをその長手方向に直角な方
向かつセルの外側へ配線トラックT3Pのピッチpだけ
コンタクト14Pと一緒に移動させ、この方向へP型拡
散領域11Pを電源配線13Pの移動距離pだけ延長
し、次に、ゲート12の端部をこの距離pだけ延長す
る。セル間配線チャネル17N内においても、N=3で
あれば、セル間配線チャネル17P内と同様の処理を行
う。このようにして、標準セルのサイズを大きくする。
このサイズ変更は、セル列かつセル間配線チャネル毎に
行う。このサイズ変更は、一般には、図1(A)のよう
なセル間配線チャネル17P及び17Nに相当する第1
層配線未使用領域を、電源配線と直角な方向へ伸張させ
ればよい。次に、ステップ74へ進む。
(72) For example, when the standard cell shown in FIG. 1C is used and N0 = 2 and N = 3, FIG.
, The power supply wiring 13P is moved to the outside of the cell in the direction perpendicular to the longitudinal direction thereof along with the contact 14P by the pitch p of the wiring track T3P, and the P-type diffusion region 11P is moved in this direction by the moving distance of the power supply wiring 13P. Extend by p and then extend the end of gate 12 by this distance p. Also in the inter-cell wiring channel 17N, if N = 3, the same processing as in the inter-cell wiring channel 17P is performed. In this way, the size of the standard cell is increased.
This size change is performed for each cell column and each inter-cell wiring channel. This size change generally corresponds to the first inter-cell wiring channels 17P and 17N as shown in FIG.
The unused area of the layer wiring may be extended in a direction perpendicular to the power wiring. Then, it proceeds to step 74.

【0037】(73)例えば図1(C)に示す標準セル
を用い、N0=2、N=1である場合には、電源配線1
3Pをその長手方向に直角な方向かつセルの内側へ配線
トラックT3Pのピッチpだけコンタクト14Pと一緒
に移動させ、この方向へP型拡散領域11Pを電源配線
13Pの移動距離pだけ短縮し、次に、ゲート12の端
部をこの距離pだけ短縮する。セル間配線チャネル17
N内においても、N=1であれば、セル間配線チャネル
17P内と同様の処理を行う。このようにして、標準セ
ルのサイズを小さくし、無駄な第1層配線領域を狭くす
ることにより、回路の集積度を向上させることができ
る。このサイズ変更は、セル列かつセル間配線チャネル
毎に行う。このサイズ変更は、一般には、図1(A)の
ようなセル間配線チャネル17P及び17Nに相当する
第1層配線未使用領域を、電源配線と直角な方向へ短縮
させればよい。
(73) For example, when the standard cell shown in FIG. 1C is used and N0 = 2 and N = 1, the power supply wiring 1
3P is moved in the direction perpendicular to the longitudinal direction and inside the cell by the pitch p of the wiring track T3P together with the contact 14P, and the P-type diffusion region 11P is shortened in this direction by the moving distance p of the power supply wiring 13P. Then, the end of the gate 12 is shortened by this distance p. Inter-cell wiring channel 17
Even in N, if N = 1, the same processing as in the inter-cell wiring channel 17P is performed. In this way, the size of the standard cell is reduced and the useless first layer wiring region is narrowed, so that the degree of integration of the circuit can be improved. This size change is performed for each cell column and each inter-cell wiring channel. This size change is generally performed by shortening the unused area of the first layer wiring corresponding to the inter-cell wiring channels 17P and 17N as shown in FIG. 1A in the direction perpendicular to the power supply wiring.

【0038】(74)どの配線をどの配線トラック上に
配置するかという詳細配線を行う。Nの範囲が上記のよ
うに限定されているので、本実施例の配線方法を用いて
も第2層配線が必要になる場合がある。概略配線では具
体的な配線経路を考慮していないので、詳細配線の仕方
によってこの第2層配線の本数が異なる。そこで、第2
層配線の本数を低減するために後述の図7に示す処理を
行う。
(74) Detailed wiring is performed to determine which wiring is to be arranged on which wiring track. Since the range of N is limited as described above, the second layer wiring may be necessary even if the wiring method of this embodiment is used. Since the specific wiring route is not taken into consideration in the rough wiring, the number of the second layer wirings differs depending on the detailed wiring method. Therefore, the second
In order to reduce the number of layer wirings, processing shown in FIG. 7 described later is performed.

【0039】(75)次に、コンパクションを行ってパ
ターンの冗長部を圧縮することにより、集積度を向上さ
せる。
(75) Next, compaction is performed to compress the redundant portion of the pattern to improve the degree of integration.

【0040】コンパクションでは、グリッドレイアウト
がグリッドレスレイアウトに変換されて、周囲にコンタ
クトのない同一配線層の配線の間隔がグリッドのピッチ
よりも狭くされ、以下に具体的に示すようにマニュアル
設計に近いレイアウトを得ることができる。また、例え
ば図8(A)に示す如く、電源配線と直角な方向に隣合
う2つの標準セルの低電位側電源配線13N1と低電位
側電源配線13N2との間に配線が存在しない場合に
は、電源配線13N1と13N2とを、図8(B)に示
す如く1つの電源配線13Nとする。電源配線13Nの
幅は、電源配線13N1の幅と電源配線13N2の幅と
の和よりも小さくすることができるので、集積度が高め
られる。この1本化は、電源配線間に第1層信号線が部
分的にある場合でも、電源配線間に第1層信号線が無い
部分について行うことが可能である。図中、13P1及
び13P2は高電位側電源配線である。
In the compaction, the grid layout is converted into the gridless layout, and the spacing between the wirings of the same wiring layer having no contact in the periphery is made narrower than the pitch of the grid, which is close to the manual design, as will be concretely shown below. You can get the layout. Further, for example, as shown in FIG. 8A, when there is no wiring between the low potential side power supply wiring 13N1 and the low potential side power supply wiring 13N2 of two standard cells which are adjacent to each other in the direction perpendicular to the power supply wiring, The power supply wirings 13N1 and 13N2 are one power supply wiring 13N as shown in FIG. 8B. Since the width of the power supply wiring 13N can be made smaller than the sum of the width of the power supply wiring 13N1 and the width of the power supply wiring 13N2, the degree of integration can be increased. Even if the first-layer signal lines are partially present between the power supply wirings, this unification can be performed in a portion where the first-layer signal lines are not provided between the power supply wirings. In the figure, 13P1 and 13P2 are high potential side power supply wirings.

【0041】図4及び図5は、以上のようにして配線さ
れた本実施例の効果を従来例と比較して示す。図中、ハ
ッチングを付した配線は第2層配線であり、ハッチング
を付していない配線は第1層配線である。
FIGS. 4 and 5 show the effects of the present embodiment wired as described above in comparison with the conventional example. In the drawing, the wiring with hatching is the second layer wiring, and the wiring without hatching is the first layer wiring.

【0042】図4(B)は、電源配線13Pの位置変更
前、すなわち従来例のセル上配線を示し、図4(A)
は、ステップ72の処理を行って電源配線13Pの位置
を変更した後のセル上配線を示す。
FIG. 4B shows the on-cell wiring before the position of the power supply wiring 13P is changed, that is, the conventional on-cell wiring.
Shows the on-cell wiring after the processing of step 72 is performed to change the position of the power supply wiring 13P.

【0043】図4(B)では、セル間配線40及び41
は電源配線13Pに対しセルの内側に配置されているの
で第1配線層に敷設されているが、セル間配線42Lと
セル間配線42Rの接続はセルの内側で行うことができ
ないので、第2配線層に配置して電源配線13P上を横
切り、セル間配線42Lの一端とセル間配線42Uの一
端とをコンタクト42Aで接続し、セル間配線42Rの
一端とセル間配線42Uの他端とをコンタクト42Bで
接続している。
In FIG. 4B, inter-cell wiring 40 and 41.
Is laid in the first wiring layer because it is arranged inside the cell with respect to the power supply wiring 13P, but the connection between the inter-cell wiring 42L and the inter-cell wiring 42R cannot be performed inside the cell. It is arranged in a wiring layer and crosses over the power supply wiring 13P, one end of the inter-cell wiring 42L and one end of the inter-cell wiring 42U are connected by a contact 42A, and one end of the inter-cell wiring 42R and the other end of the inter-cell wiring 42U are connected. It is connected by the contact 42B.

【0044】これに対し、図4(A)では、電源配線1
3Pをセルの外側へ移動させているので、図4(B)の
第2層配線の代わりに第1配線層にセル間配線42を配
置することができ、これにより第1配線層の使用効率が
高くなり、回路の集積度向上に寄与する。
On the other hand, in FIG. 4A, the power supply wiring 1
Since 3P is moved to the outside of the cell, the inter-cell wiring 42 can be arranged in the first wiring layer in place of the second layer wiring in FIG. 4B, whereby the use efficiency of the first wiring layer is improved. Contributes to the improvement of circuit integration.

【0045】図4が1つのセル内配線を示しているのに
対し、図5は、電源配線と直角方向に隣合った2つのセ
ル間付近の配線を示す。図5(B)は、電源配線13P
の位置変更前、すなわち従来例のセル上配線を示し、図
5(A)は、ステップ72の処理を行って電源配線13
Pの位置を変更した後のセル上配線を示す。
While FIG. 4 shows one in-cell wiring, FIG. 5 shows wiring near two cells adjacent to each other in the direction perpendicular to the power supply wiring. FIG. 5B shows the power supply wiring 13P.
Before the position change, that is, the on-cell wiring of the conventional example is shown. In FIG.
The on-cell wiring after changing the position of P is shown.

【0046】高電位側電源配線23Pは、電源配線13
Pを含む標準セルと隣合う標準セル内のものである。図
5(B)では、セル間配線40Lとセル間配線40Rが
電源配線13Pを横切ってセル間配線40U、コンタク
ト40A及び40Bで接続され、セル間配線41Lとセ
ル間配線41Rが電源配線13Pを横切ってセル間配線
41U、コンタクト41A及び41Bで接続され、セル
間配線42Lとセル間配線42Rが電源配線13Pを横
切ってセル間配線42U、コンタクト42A及び42B
で接続されている。また、セル間配線43Lとセル間配
線43Rが電源配線23Pを横切ってセル間配線43
D、コンタクト43A及び43Bで接続され、セル間配
線44Lとセル間配線44Rが電源配線23Pを横切っ
てセル間配線44D、コンタクト44A及び44Bで接
続されている。
The high potential side power supply wiring 23P is the power supply wiring 13
It is in a standard cell adjacent to the standard cell containing P. In FIG. 5B, the inter-cell wiring 40L and the inter-cell wiring 40R cross the power supply wiring 13P and are connected by the inter-cell wiring 40U and the contacts 40A and 40B, and the inter-cell wiring 41L and the inter-cell wiring 41R connect the power supply wiring 13P. The inter-cell wiring 41U and the contacts 41A and 41B are connected to each other, and the inter-cell wiring 42L and the inter-cell wiring 42R cross the power supply wiring 13P and the inter-cell wiring 42U and the contacts 42A and 42B.
Connected by. In addition, the inter-cell wiring 43L and the inter-cell wiring 43R cross the power supply wiring 23P and the inter-cell wiring 43L.
D, the contacts 43A and 43B, and the inter-cell wiring 44L and the inter-cell wiring 44R cross the power supply wiring 23P and are connected by the inter-cell wiring 44D and the contacts 44A and 44B.

【0047】一方、図5(A)では、電源配線13Pの
移動によりセル間配線40、41及び42を第1配線層
に配置することができる。セル間配線44L及び44R
は第2配線層にあるので、電源配線23P及び13Pを
横切っても第1配線層の使用効率を低下させない。
On the other hand, in FIG. 5A, the inter-cell wirings 40, 41 and 42 can be arranged in the first wiring layer by moving the power supply wiring 13P. Inter-cell wiring 44L and 44R
Is in the second wiring layer, the use efficiency of the first wiring layer is not deteriorated even when the power wirings 23P and 13P are crossed.

【0048】図5(B)の電源配線13Pから電源配線
23Pまでの幅HB内の配線は、図5(A)の幅HA内
の配線に対応し、かつ、HA<HBとなっている。これ
により第1配線層の使用効率が高められ、集積度向上に
寄与する。
The wiring within the width HB from the power supply wiring 13P to the power supply wiring 23P in FIG. 5B corresponds to the wiring within the width HA in FIG. 5A and HA <HB. This increases the use efficiency of the first wiring layer and contributes to the improvement of the degree of integration.

【0049】図4及び図5は、電源配線位置を変更する
ことにより第1配線層の使用効率が高められる例を示し
ているが、電源配線の位置が同一であっても、配線の仕
方により第1配線層の使用効率を高めることができる場
合がある。図6は、このような場合を示しており、同一
配線を行うのに図6(A)では第2層配線本数が2本で
あるが、図6(B)では第2層配線本数が3本となって
いる。図中、ハッチングを付していないセル間配線5
0、50L、51、51U及び52Uは第1層配線であ
り、ハッチングを付したセル間配線50R、51L、5
1R、52L及び52Rは第2層配線である。
FIGS. 4 and 5 show an example in which the use efficiency of the first wiring layer is improved by changing the position of the power supply wiring, but even if the position of the power supply wiring is the same, it depends on the wiring method. In some cases, the use efficiency of the first wiring layer can be improved. FIG. 6 shows such a case. Although the number of second layer wirings is two in FIG. 6A for performing the same wiring, the number of second layer wirings is three in FIG. 6B. It is a book. Inter-cell wiring 5 without hatching in the figure
0, 50L, 51, 51U and 52U are first layer wirings, and hatched inter-cell wirings 50R, 51L, 5
1R, 52L and 52R are second layer wirings.

【0050】一般に、X座標がXA1とXA2の2点間
を接続し、XB1とXB2の2点間を接続し、XC1と
XC2の2点間を接続する場合に、第2層配線本数をで
きるだけ少なくして第1配線層の使用効率を高める方法
を図7に示す。この方法は、上記ステップ74において
用いられる。
Generally, when the X-coordinate is connected between the two points XA1 and XA2, the two points XB1 and XB2 are connected, and the two points XC1 and XC2 are connected, the number of second layer wirings is as large as possible. A method of reducing the use efficiency of the first wiring layer is shown in FIG. This method is used in step 74 above.

【0051】(80)(XA1−XB1)(XA2−X
B2)の値をJABとし、(XB1−XC1)(XB2
−XC2)の値をJBCBとし、(XC1−XA1)
(XC2−XA2)の値をJCAとする。
(80) (XA1-XB1) (XA2-X
The value of B2) is set to JAB, and (XB1-XC1) (XB2
The value of -XC2) is JBCB, and (XC1-XA1)
The value of (XC2-XA2) is JCA.

【0052】(81)JAB、JBC及びJCAの負の
個数3〜0に応じて、以下のステップ82〜85のいず
れかの処理を行い、配線間交差数をできるだけ少なくす
る。
(81) Depending on the negative numbers 3 to 0 of JAB, JBC, and JCA, one of the following steps 82 to 85 is performed to reduce the number of wiring crossings as much as possible.

【0053】(82)負の個数が3の場合には、図示の
如く3本の配線の相互交差を0にする。
(82) When the negative number is 3, the mutual intersection of the three wirings is set to 0 as shown in the figure.

【0054】(83)負の個数が2の場合、例えばJA
B及びJCAが負でJBCが正の場合には、図示の如く
XA1、XA2間の配線とXB1、XB2間の配線とを
互いに交差させずに敷設し、XC1、XC2間の配線を
XB1、XB2間の配線のみと1回交差させる。この場
合、XC2からの配線が第2層配線となるので、この配
線が図6(A)のように電源配線13Pを横切っても第
1配線層の使用効率は低下しない。
(83) When the negative number is 2, for example, JA
When B and JCA are negative and JBC is positive, the wiring between XA1 and XA2 and the wiring between XB1 and XB2 are laid without crossing each other as shown in the figure, and the wiring between XC1 and XC2 is XB1 and XB2. Intersect only the wiring between them once. In this case, since the wiring from XC2 becomes the second layer wiring, even if this wiring crosses the power supply wiring 13P as shown in FIG. 6A, the use efficiency of the first wiring layer does not decrease.

【0055】(84)負の個数が1の場合、例えばJA
Bが負でJBC及びJCAが正の場合には、図示の如く
XA1、XA2間の配線とXB1、XB2間の配線とを
互いに交差させずに敷設し、XC1、XC2間の配線を
XB1、XB2間の配線のみと1回交差させる。この場
合、XC1からの配線が第2層配線となるので、この配
線が図6(A)の電源配線13Pを横切っても第1配線
層の使用効率は低下しない。
(84) When the negative number is 1, for example, JA
When B is negative and JBC and JCA are positive, the wiring between XA1 and XA2 and the wiring between XB1 and XB2 are laid without crossing each other as shown in the drawing, and the wiring between XC1 and XC2 is XB1 and XB2. Intersect only the wiring between them once. In this case, since the wiring from XC1 becomes the second layer wiring, the use efficiency of the first wiring layer does not decrease even if this wiring crosses the power supply wiring 13P of FIG. 6 (A).

【0056】(85)負の個数が0の場合には、例えば
図示の如く、XB1、XB2間の配線とXA1、XA2
間の配線とを互いに1回交差させて敷設し、XB1、X
B2間の配線とXC1、XC2間の配線とを互いに1回
交差させて敷設する。この場合、XA2及びXC1から
の配線が第2層配線となるので、この配線が図6(A)
の電源配線13Pを横切っても第1配線層の使用効率は
低下しない。
(85) When the negative number is 0, for example, as shown in the figure, the wiring between XB1 and XB2 and XA1 and XA2
The wiring between them is laid by crossing each other once, and XB1, XB
The wiring between B2 and the wiring between XC1 and XC2 are laid so as to intersect each other once. In this case, since the wiring from XA2 and XC1 is the second layer wiring, this wiring is shown in FIG.
Even if the power wiring 13P is crossed, the use efficiency of the first wiring layer does not decrease.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明した如く、本発明に係るセルベ
ースレイアウト設計方法によれば、標準セルの電源配線
と同一配線層である第1配線層の使用効率が高められ、
半導体集積回路の高集積化が可能となるという優れた効
果を奏する。
As described above, according to the cell-based layout design method of the present invention, the use efficiency of the first wiring layer, which is the same wiring layer as the power supply wiring of the standard cell, is improved,
It has an excellent effect that the semiconductor integrated circuit can be highly integrated.

【0058】ブロックの配線要求によっては本発明の第
2態様の構成をとることができ、この場合、概略配線が
簡単になるという効果を奏する。
The configuration of the second aspect of the present invention can be adopted depending on the wiring requirement of the block, and in this case, there is an effect that the schematic wiring becomes simple.

【0059】比較的大きなブロック内でのセル間配線で
は、第1態様のようにセル間配線チャネルを取ると、概
略配線が複雑になるが、本発明の第3態様によれば、概
略配線の複雑化が避けられるという効果を奏する。
In the inter-cell wiring in a relatively large block, if the inter-cell wiring channel is taken as in the first mode, the general wiring becomes complicated. However, according to the third mode of the present invention, This has the effect of avoiding complication.

【0060】本発明の第4態様によれば、詳細配線にお
いて、第2層配線本数をできるだけ少なくして第1配線
層の使用効率を高めることができるという効果を奏す
る。
According to the fourth aspect of the present invention, in the detailed wiring, the number of second layer wirings can be reduced as much as possible, and the use efficiency of the first wiring layer can be improved.

【0061】本発明の第5態様によれば、詳細配線後に
おいて、隣合う2本の電源配線間が無くなり、かつ、1
本化した電源配線の幅が1本化前の2本の電源配線の幅
の和よりも小さくなるので、半導体集積回路の集積度が
高められるという効果を奏する。
According to the fifth aspect of the present invention, after the detailed wiring, there is no space between two adjacent power supply wirings, and
Since the width of the integrated power supply wiring is smaller than the sum of the widths of the two power supply wirings before being integrated, there is an effect that the degree of integration of the semiconductor integrated circuit can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】セル上第1層配線が通されるセル間配線チャネ
ルの取り方を示す標準セルパターン図である。
FIG. 1 is a standard cell pattern diagram showing how to take an inter-cell wiring channel through which a first layer wiring on a cell is passed.

【図2】標準セル配置・配線設計手順を示すフローチャ
ートである。
FIG. 2 is a flowchart showing a standard cell layout / wiring design procedure.

【図3】標準セルサイズ変更前後のパターン図である。FIG. 3 is a pattern diagram before and after changing a standard cell size.

【図4】電源配線位置変更前と変更後のセル上配線を示
す配線パターン図である。
FIG. 4 is a wiring pattern diagram showing on-cell wiring before and after changing the power supply wiring position.

【図5】電源配線位置変更前と変更後のセル上配線を示
す配線パターン図である。
FIG. 5 is a wiring pattern diagram showing on-cell wiring before and after changing the power supply wiring position.

【図6】セル上配線の仕方により第2層配線本数が異な
る例を示す配線パターン図である。
FIG. 6 is a wiring pattern diagram showing an example in which the number of second layer wirings differs depending on the method of wiring on the cell.

【図7】第2層配線本数低減方法を示すフローチャート
である。
FIG. 7 is a flowchart showing a method for reducing the number of second layer wirings.

【図8】コンパクションによる電源配線の1本化を示す
パターン図である。
FIG. 8 is a pattern diagram showing a single power supply wiring by compaction.

【図9】従来の標準セルパターン図である。FIG. 9 is a conventional standard cell pattern diagram.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、20 セル枠 11P P型拡散領域 11N N型拡散領域 12 ゲート 13P、13P1、13P2 高電位側電源配線 13N、13N1、13N2 低電位側電源配線 14P、14N、16P、16N、40A、40B、4
1A、41B、42A、42B、43A、43B、44
A、44B、51A、51B、50B、52A、52B
コンタクト 15 セル内配線 17P、17N、17、27P、27N セル間配線チ
ャネル T1P〜T5P、T1N〜T5N 配線トラック 40〜42、50〜52、40L、41L、42L、4
3L、44L、40R、41R、42R、43R、44
R、40U、41U、42U、43D、44D、50
L、50R、51R、51L、51U、52R、52
L、52U セル間配線
10, 20 Cell frame 11P P-type diffusion region 11N N-type diffusion region 12 Gate 13P, 13P1, 13P2 High-potential-side power supply wiring 13N, 13N1, 13N2 Low-potential-side power supply wiring 14P, 14N, 16P, 16N, 40A, 40B, 4
1A, 41B, 42A, 42B, 43A, 43B, 44
A, 44B, 51A, 51B, 50B, 52A, 52B
Contact 15 Intra-cell wiring 17P, 17N, 17, 27P, 27N Inter-cell wiring channel T1P to T5P, T1N to T5N Wiring track 40 to 42, 50 to 52, 40L, 41L, 42L, 4L
3L, 44L, 40R, 41R, 42R, 43R, 44
R, 40U, 41U, 42U, 43D, 44D, 50
L, 50R, 51R, 51L, 51U, 52R, 52
L, 52U inter-cell wiring

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 予め登録された、一対の平行な電源配線
(13P、13N)を含む標準セルを配置し、標準セル
間を概略配線した後、該概略配線を詳細配線にすること
により半導体集積回路のレイアウト設計を行うセルベー
スレイアウト設計方法において、 該標準セルの、一対の該電源配線の間で該電源配線と同
一配線層に該標準セル内の素子間配線が存在しない、該
電源配線と平行に横切る矩形領域を、該電源配線と直角
な方向へ所定範囲内で伸縮自在とし、該配線層の該矩形
領域をセル間配線チャネル(17P、17N)とし、該
セル間配線チャネル内に、該電源配線と平行な方向の配
線トラック(T1P、T2P、T1N、T2N)を通
し、該配線トラックの数を、該伸縮の範囲で定まる所定
範囲内で可変としておき、 該セル間配線チャネル上でセル間概略配線を行って該セ
ル間配線チャネル内の配線トラック数を決定し、 決定した該配線トラック数に基づいて該標準セルの該矩
形領域を伸縮させる、 ことを特徴とするセルベースレイアウト設計方法。
1. A semiconductor integrated circuit in which standard cells including a pair of parallel power supply wirings (13P, 13N), which are registered in advance, are arranged, and between the standard cells are roughly wired, and then the rough wiring is made into a detailed wiring. In a cell-based layout design method for designing a circuit layout, there is no inter-element wiring in the standard cell in the same wiring layer as the power wiring between the pair of power wirings of the standard cell. A rectangular area that traverses in parallel is made flexible in a direction perpendicular to the power supply wiring within a predetermined range, and the rectangular area of the wiring layer is defined as an inter-cell wiring channel (17P, 17N), and in the inter-cell wiring channel, The wiring tracks (T1P, T2P, T1N, T2N) in the direction parallel to the power supply wiring are passed, and the number of the wiring tracks is made variable within a predetermined range determined by the expansion / contraction range. A cell is characterized in that rough wiring between cells is performed on a channel to determine the number of wiring tracks in the inter-cell wiring channel, and the rectangular area of the standard cell is expanded or contracted based on the determined number of wiring tracks. Base layout design method.
【請求項2】 一対の前記電源配線(13P、13N)
の一方側の前記セル間配線チャネル(17P)と一対の
該電源配線の他方側の前記セル間配線チャネル(17
N)とを互いに独立なそれぞれ1つのセル間配線チャネ
ルとして、前記セル間概略配線を行って該セル間配線チ
ャネル内の配線トラック数を決定することを特徴とする
請求項1記載のセルベースレイアウト設計方法。
2. A pair of the power supply wirings (13P, 13N)
The inter-cell wiring channel (17P) on one side and the inter-cell wiring channel (17 on the other side of the pair of power supply wirings
2. The cell-based layout according to claim 1, wherein N) and N) are defined as independent inter-cell wiring channels, and the inter-cell rough wiring is performed to determine the number of wiring tracks in the inter-cell wiring channel. Design method.
【請求項3】 一対の前記電源配線(13P、13N)
の一方側の前記セル間配線チャネル(17P)と一対の
該電源配線の他方側の前記セル間配線チャネル(17
N)とを合わせて1つの合成セル間配線チャネル(1
7)として、前記セル間概略配線を行って該合成セル間
配線チャネル内の配線トラック数を決定することを特徴
とする請求項1記載のセルベースレイアウト設計方法。
3. A pair of the power supply wirings (13P, 13N)
The inter-cell wiring channel (17P) on one side and the inter-cell wiring channel (17 on the other side of the pair of power supply wirings
N) and one synthetic inter-cell wiring channel (1
7. The cell-based layout design method according to claim 1, wherein, as 7), the rough wiring between cells is performed to determine the number of wiring tracks in the combined inter-cell wiring channel.
【請求項4】 一対の前記電源配線(13P、13N)
の一方側の第1の前記セル間配線チャネル(17P)に
さらに、該一方の該電源配線(13P)を挟んで該第1
セル間配線チャネルと反対側に、該電源配線と同一配線
層の矩形領域の第2セル間配線チャネルを確保し、該第
1セル間配線チャネルと該第2セル間配線チャネルとを
合わせて1つの合成セル間配線チャネル(27)とし
て、該合成セル間配線チャネル内の配線トラック数を一
定にし、 前記セル間概略配線を第1段階と第2段階に分け、該第
1段階ではどのセル間配線を該合成セル間配線チャネル
に通すかを決定し、該第2段階では該第1セル間配線チ
ャネルと該第2セル間配線チャネルとを互いに独立なそ
れぞれ1つのセル間配線チャネルとして、セル間概略配
線を行って該第1セル間配線チャネル内の配線トラック
数を決定することを特徴とする請求項1記載のセルベー
スレイアウト設計方法。
4. A pair of the power supply wirings (13P, 13N)
The first inter-cell wiring channel (17P) on one side is further sandwiched by the one power supply wiring (13P).
On the side opposite to the inter-cell wiring channel, a second inter-cell wiring channel in a rectangular area in the same wiring layer as the power supply wiring is secured, and the first inter-cell wiring channel and the second inter-cell wiring channel are combined to form 1 As one combined inter-cell wiring channel (27), the number of wiring tracks in the combined inter-cell wiring channel is made constant, and the inter-cell general wiring is divided into a first stage and a second stage. It is determined whether a wiring is to be passed through the composite inter-cell wiring channel, and in the second stage, the first inter-cell wiring channel and the second inter-cell wiring channel are set as independent inter-cell wiring channels. 2. The cell-based layout design method according to claim 1, wherein the number of wiring tracks in the first inter-cell wiring channel is determined by performing general wiring between the cells.
【請求項5】 前記詳細配線において、前記電源配線
(13P)に平行な方向の座標がXA1、XA2の2点
間を接続する第1セル間配線と、該座標がXB1、XB
2の2点間を接続する第2セル間配線とが前記セル間配
線チャネル(17P)内に在り、XA1>XB1かつX
A2<XB2である場合に、該第1セル間配線と該第2
セル間配線とが互いに交差しないように配線することを
特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載のセル
ベースレイアウト設計方法。
5. In the detailed wiring, a first inter-cell wiring connecting two points having coordinates XA1 and XA2 in a direction parallel to the power supply wiring (13P) and the coordinates XB1 and XB.
The second inter-cell wiring that connects the two points of 2 exists in the inter-cell wiring channel (17P), and XA1> XB1 and X
When A2 <XB2, the first inter-cell wiring and the second inter-cell wiring
5. The cell-based layout design method according to claim 1, wherein wiring is performed so that inter-cell wiring does not intersect with each other.
【請求項6】 前記詳細配線後において、前記電源配線
(13P)と直角な方向に隣合う2つの前記標準セルの
隣合う該電源配線が同電位でかつ隣合う該電源配線間に
該電源配線と同一配線層の配線が存在しない場合に、隣
合う該標準セルを互いに接近させて隣合う2本の該電源
配線を1本化し、かつ、1本化した該電源配線の幅を、
1本化前の2本の該電源配線の幅の和よりも小さくする
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1つに記載
のセルベースレイアウト設計方法。
6. After the detailed wiring, the adjacent power supply wires of two standard cells adjacent in the direction perpendicular to the power supply wire (13P) have the same potential and the power supply wire is between the adjacent power supply wires. When there is no wiring in the same wiring layer, the standard cells adjacent to each other are brought close to each other to integrate two adjacent power supply wires, and the width of the integrated power supply wire is
6. The cell-based layout designing method according to claim 1, wherein the width is smaller than the sum of the widths of the two power supply wirings before being integrated.
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