JPH0682640B2 - Dry etching method - Google Patents
Dry etching methodInfo
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- JPH0682640B2 JPH0682640B2 JP60231613A JP23161385A JPH0682640B2 JP H0682640 B2 JPH0682640 B2 JP H0682640B2 JP 60231613 A JP60231613 A JP 60231613A JP 23161385 A JP23161385 A JP 23161385A JP H0682640 B2 JPH0682640 B2 JP H0682640B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ドライエッチング方法に関し、特に、Au層を
反応性イオンエッチングするためのドライエッチング方
法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a dry etching method, and more particularly to a dry etching method for reactive ion etching of an Au layer.
Au層を加工する場合、従来の技術としては、イオンミリ
ング法を用いて有機膜をマスクに加工をすることが知ら
れている。このような従来のAu層の加工方法について説
明する。When processing the Au layer, as a conventional technique, it is known to process the organic film as a mask using an ion milling method. A method of processing such a conventional Au layer will be described.
まず、第２図（ａ）のように基板１上にAu層２を蒸着法
スパッタ法又はメッキ法を用いて形成する。さらにその
Au膜２の上に有機膜３を選択的に形成する。次に、第２
図（ｂ）のようにイオンミリング法を用いて、有機膜３
をマスクにAu層２をエッチングして行く。エッチングが
終了した状態を第２図（ｃ）に示す。次に第２図（ｄ）
のように前記有機膜３をO2プラズマ処理又は有機洗浄な
どを行ない除去する。First, as shown in FIG. 2A, the Au layer 2 is formed on the substrate 1 by the vapor deposition method, the sputtering method or the plating method. Furthermore that
The organic film 3 is selectively formed on the Au film 2. Then the second
The organic film 3 is formed by using the ion milling method as shown in FIG.
The Au layer 2 is etched using the mask as a mask. The state in which the etching is completed is shown in FIG. Next, FIG. 2 (d)
As described above, the organic film 3 is removed by O 2 plasma treatment or organic cleaning.
上述した従来のイオンミリング法は、第２図（ｂ）に示
すように加工途中に除去されたAu層がマスク材である有
機膜３の側壁に付着５して行くため、マスク材と同一の
形状が得られない。したがってマスク寸法４に対してAu
層寸法６は太くなり微細化できない。又、除去されたAu
層が別の部分に付着して特性不良及び外観不良を誘発す
る。さらに、従来の反応性イオンエッチング法でAu層を
加工する場合、陰極降下電圧が500V以上のような比較的
高い領域を用いるためマスク材として有機膜を使用する
ことができなかった。In the above-mentioned conventional ion milling method, as shown in FIG. 2B, the Au layer removed during processing adheres to the side wall 5 of the organic film 3 which is the mask material, and therefore the same as the mask material is used. The shape cannot be obtained. Therefore, for mask size 4, Au
The layer size 6 becomes thick and cannot be miniaturized. Also, the removed Au
The layer adheres to another part and causes poor characteristics and poor appearance. Furthermore, when the Au layer is processed by the conventional reactive ion etching method, an organic film cannot be used as a mask material because a relatively high region where the cathode drop voltage is 500 V or more is used.
本発明の目的は、上記欠点を除去し、Au層の反応性イオ
ンエッチングに於いて再付着の発生しない有機膜をもマ
スクとして用いることができる、ドライエッチング方法
を提供することである。It is an object of the present invention to eliminate the above-mentioned drawbacks and provide a dry etching method in which an organic film that does not cause redeposition in reactive ion etching of an Au layer can also be used as a mask.
本発明によれば、Au層を該層上に形成されたマスクパタ
ーンとして有機膜を用いて選択的にエッチングするドラ
イエッチング方法に於いて、前記エッチングガスとして
塩素系ガスを主成分として用い、かつ、陰極電圧が500V
以下であって前記Au層のエッチング速度が前記有機膜の
エッチング速度を越える電圧以下となるように設定され
て反応性イオンエッチングを行うことを特徴とするドラ
イエッチング方法が得られる。According to the present invention, in a dry etching method for selectively etching an Au layer using an organic film as a mask pattern formed on the layer, a chlorine-based gas is used as a main component as the etching gas, and , The cathode voltage is 500V
The dry etching method is characterized in that the reactive ion etching is performed under the condition that the etching rate of the Au layer is equal to or lower than the voltage exceeding the etching rate of the organic film.
〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。EXAMPLES Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。まず第１
図（ａ）のように基板１上にAu層２を蒸着法、スパッタ
法又はメッキ法などで形成する。さらに有機膜３を選択
的に形成する。次に、第１図（ｂ）のように反応性イオ
ンエッチング装置を用いて、例えばマグネトロン型反応
性イオンエッチング装置を用いて、エッチング室内の一
方の電極上に前記試料を配置し、CClЕ2F2エッチングガ
スを導入すると共に各電極間に高周波電圧を印加する。
この時に第３図に示すように高周波電力を100Wとして陰
極電圧を50V程度にすることによりAu膜のエッチング速
度が速くなり、有機膜のエッチング速度が遅くなるため
選択比（Au/有機膜）を3.5倍となる。FIG. 1 is a vertical sectional view of an embodiment of the present invention. First of all
As shown in FIG. 3A, the Au layer 2 is formed on the substrate 1 by a vapor deposition method, a sputtering method or a plating method. Further, the organic film 3 is selectively formed. Next, using the reactive ion etching apparatus as shown in FIG. 1 (b), for example, the magnetron type reactive ion etching apparatus, the sample is placed on one electrode in the etching chamber, and CClΦ 2 F 2 Introduce an etching gas and apply a high frequency voltage between each electrode.
At this time, as shown in FIG. 3, when the high frequency power is 100 W and the cathode voltage is about 50 V, the etching rate of the Au film becomes faster and the etching rate of the organic film becomes slower, so that the selection ratio (Au / organic film) is increased. It will be 3.5 times.
このような条件で反応性イオンエッチングすることによ
って第１図（ｂ）のように有機膜３をマスクにしてAu層
２を選択的にエッチングすることができる。さらに第１
図（ｃ）のように、有機膜３をO2プラズマ処理又は有機
洗浄などを用いて除去する。By performing reactive ion etching under such conditions, the Au layer 2 can be selectively etched using the organic film 3 as a mask as shown in FIG. 1 (b). Furthermore the first
As shown in FIG. 3C, the organic film 3 is removed by O 2 plasma treatment or organic cleaning.
以上説明したように本発明を用いれば有機膜を用いて、
Au層をエッチングすることができ、マスク幅４に対して
Au層の幅６がほぼ同一形状となりAu層の微細加工を可能
とした。又、反応性で除去するため段着部分などへの再
付着もなくなり特性不良及び外観不良も発生しなくなっ
た。尚マグネトロンイオンエッチングを用いる目的はプ
ラズマ密度を増すことにより、Au膜のエッチング速度を
速くするためのものであり通常の反応性イオンエッチン
グを用いてもかまわない。As described above, according to the present invention, the organic film is used,
Au layer can be etched and mask width 4
The width 6 of the Au layer has almost the same shape, which enables fine processing of the Au layer. Further, since it is removed by reactivity, redeposition on the stepped portion and the like is eliminated, and characteristic defects and appearance defects do not occur. The purpose of using magnetron ion etching is to increase the etching rate of the Au film by increasing the plasma density, and ordinary reactive ion etching may be used.
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を示す製造工
程の断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の製造工程の
断面図である。第３図は本発明の一実施例としてマグネ
トロンイオンエッチングを用いてCCl2F2ガスによりエッ
チングした時のエッチング特性を示す。 １……基板、２……Au層、３……有機膜、４……有機膜
（マスク）の幅、５……再付着物、６……Au層の幅。1 (a) to 1 (c) are sectional views of a manufacturing process showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 (a) to 2 (d) are sectional views of a conventional manufacturing process. FIG. 3 shows etching characteristics when etching was performed with CCl 2 F 2 gas using magnetron ion etching as one embodiment of the present invention. 1 ... Substrate, 2 ... Au layer, 3 ... Organic film, 4 ... Organic film (mask) width, 5 ... Redeposit, 6 ... Au layer width.
Claims (5)
として有機膜を用いて選択的にエッチングするドライエ
ッチング方法に於いて、前記エッチングガスとして塩素
系ガスを主成分として用い、かつ、陰極電圧が500V以下
であって前記Au層のエッチング速度が前記有機膜のエッ
チング速度を越える電圧以下となるように設定されて反
応性イオンエッチングを行うことを特徴とするドライエ
ッチング方法。1. A dry etching method for selectively etching an Au layer using an organic film as a mask pattern formed on the layer, wherein a chlorine-based gas is used as a main component as the etching gas, and A dry etching method, characterized in that reactive ion etching is performed with a cathode voltage set to 500 V or less and an etching rate of the Au layer set to a voltage that exceeds the etching rate of the organic film.
2、CCl4、SiCl4のうち少なくとも１種からなるものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライ
エッチング方法。2. The gas containing chlorine-based gas as a main component is Cl
2. The dry etching method according to claim 1, wherein the dry etching method comprises at least one of 2, CCl4 and SiCl4.
ッ素系ガスを添加ガスとして混合することを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載のドライエッチング方法。3. The dry etching method according to claim 2, wherein the gas containing chlorine gas as a main component is mixed with fluorine gas as an additive gas.
F2、CClF3のうち少なくとも１種からなるものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエッ
チング方法。4. The gas containing chlorine gas as a main component is CCl2.
The dry etching method according to claim 1, wherein the dry etching method comprises at least one of F2 and CClF3.
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項のドライ
エッチング方法。5. The dry etching method according to claim 1, wherein a magnetron reactive ion etching apparatus is used.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231613A JPH0682640B2 (en) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | Dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231613A JPH0682640B2 (en) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | Dry etching method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289332A JPS6289332A (en) | 1987-04-23 |
| JPH0682640B2 true JPH0682640B2 (en) | 1994-10-19 |
Family
ID=16926253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60231613A Expired - Lifetime JPH0682640B2 (en) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | Dry etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682640B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0670987B2 (en) * | 1987-03-19 | 1994-09-07 | 日本電気株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
| JPH06174907A (en) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Shimadzu Corp | Production of metallic grating |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150230A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Matsushita Electronics Corp | Method of forming metallic pattern for semiconductor device |
| JPS6196765A (en) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toshiba Corp | Method for forming metal pattern |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP60231613A patent/JPH0682640B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6289332A (en) | 1987-04-23 |
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