JPH0681142A - Sputtering target and its production - Google Patents
Sputtering target and its productionInfo
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- JPH0681142A JPH0681142A JP25348392A JP25348392A JPH0681142A JP H0681142 A JPH0681142 A JP H0681142A JP 25348392 A JP25348392 A JP 25348392A JP 25348392 A JP25348392 A JP 25348392A JP H0681142 A JPH0681142 A JP H0681142A
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Abstract
Description
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリングターゲ
ット及びその製造方法に関し、詳しくは、ターゲット部
材と、該ターゲット部材を支持するためのターゲット支
持部材とから構成されるスパッタリングターゲット及び
その製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering target and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a sputtering target including a target member and a target support member for supporting the target member and a method of manufacturing the same.
【０００１】[0001]
【従来の技術】ＬＳＩ或いは磁気ヘッド等の電子デバイ
スにおいて、例えばアルミニウムを主成分とする配線
は、例えば１μm 程度の薄膜として絶縁層上に形成され
た後、リソグラフィ等によって所定の配線パターンに形
成される。薄膜形成には、スパッタリング法が多用され
ており、このためのスパッタリングターゲットには、ス
パッタ面を有するターゲット部材と、ターゲット支持部
材を成すバッキングプレートとから構成されるものがあ
る。2. Description of the Related Art In an electronic device such as an LSI or a magnetic head, a wiring containing aluminum as a main component is formed as a thin film of about 1 μm on an insulating layer and then formed into a predetermined wiring pattern by lithography or the like. It A sputtering method is often used for forming a thin film, and some sputtering targets for this purpose include a target member having a sputtering surface and a backing plate which forms a target supporting member.
【０００２】図４を参照して、従来のスパッタリングタ
ーゲットの構造を説明する。同図において、ターゲット
部材１及びバッキングプレート２はいずれも、平面形状
が直径１００〜２００mm程度の円、若しくは１辺が１０
０〜２００mm程度の４角形で、厚みが１０mm程度の板状
に形成されている。双方は、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ａｇ
系、或いはＩｎ系等の半田３によって接合されている。The structure of a conventional sputtering target will be described with reference to FIG. In the figure, both the target member 1 and the backing plate 2 have a plane shape of a circle having a diameter of about 100 to 200 mm or one side of 10
It is a square with a thickness of about 0 to 200 mm and a plate shape with a thickness of about 10 mm. Both are Sn-Pb system, Pb-Ag
It is joined by a solder 3 of a system or In.
【０００３】スパッタリングターゲットは、一般に、真
空槽内において、バッキングプレート２を支持する支持
具を介して所定位置に固定される。ターゲット部材１の
スパッタ面１１は、真空槽内において加速されたイオン
によって照射され、ターゲット部材を構成する原子がス
パッタ面１１から叩き出される。この原子は、真空槽内
に対向配置されるウエハに向かい、ウエハ上に堆積して
薄膜を形成する。スパッタ面１１には、イオンの衝突に
より熱エネルギーが与えられ、この熱エネルギーにより
ターゲット部材１の温度が上昇する。The sputtering target is generally fixed in a predetermined position in a vacuum chamber through a support tool that supports the backing plate 2. The sputtering surface 11 of the target member 1 is irradiated with the ions accelerated in the vacuum chamber, and the atoms forming the target member are knocked out from the sputtering surface 11. The atoms are deposited on the wafer to form a thin film, which is directed to the wafer which is arranged to face the vacuum chamber. Thermal energy is applied to the sputtering surface 11 by collision of ions, and the thermal energy raises the temperature of the target member 1.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】スパッタリング法で
は、近年、薄膜形成速度を高める目的で、イオン加速の
際に高いスパッタ電力が採用される傾向にある。このた
め、スパッタ面の温度が過度に上昇し、ターゲット部材
とバッキングプレートとの接合部の温度が、半田の融点
近くまで上昇することがある。接合部の温度が半田の融
点以上に上昇する場合には、半田の溶解により、ターゲ
ット部材がバッキングプレートから剥離して、スパッタ
リングが停止する事態も生ずる。In the sputtering method, in recent years, a high sputtering power tends to be adopted at the time of ion acceleration for the purpose of increasing the thin film formation rate. For this reason, the temperature of the sputter surface may excessively rise, and the temperature of the joint between the target member and the backing plate may rise to near the melting point of the solder. When the temperature of the joint portion rises above the melting point of the solder, the target material may be separated from the backing plate due to melting of the solder, and the sputtering may stop.
【０００５】本発明は、上記に鑑み、高いスパッタ電力
によって加速されたイオンによって、ターゲット部材と
ターゲット支持部材との接合部の温度が上昇しても、そ
の接合部が容易に剥離することのないスパッタリングタ
ーゲット及びその製造方法を提供することを目的とす
る。In view of the above, according to the present invention, even if the temperature of the joint between the target member and the target support member rises due to the ions accelerated by the high sputtering power, the joint does not easily peel off. An object of the present invention is to provide a sputtering target and a manufacturing method thereof.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明のスパッタリングターゲットは、スパッタ面を有する
ターゲット部材と、該ターゲット部材を支持するための
ターゲット支持部材とを備え、前記ターゲット部材と前
記ターゲット支持部材とが、該双方に形成され相互に当
接して配設された環状の接合面において、電子ビーム溶
接されていることを特徴とする。A sputtering target of the present invention that achieves the above object comprises a target member having a sputtering surface and a target support member for supporting the target member, and the target member and the target. The supporting member and the supporting member are electron-beam welded on the annular joint surfaces which are formed on both of them and are arranged so as to abut each other.
【０００７】また、本発明のスパッタリングターゲット
の製造方法は、スパッタ面を有するターゲット部材と、
該ターゲット部材を支持するためのターゲット支持部材
とを接合して成るスパッタリングターゲットの製造方法
において、前記ターゲット部材及び前記ターゲット支持
部材の双方の接合面を実質的に同形の環状面として形成
し、前記双方の接合面を重ね合せた後、電子ビーム照射
により溶接することを特徴としている。The method of manufacturing a sputtering target of the present invention comprises a target member having a sputtering surface,
In a method of manufacturing a sputtering target, which comprises bonding a target support member for supporting the target member, the bonding surfaces of both the target member and the target support member are formed as substantially the same annular surface, It is characterized in that after joining the both joint surfaces, they are welded by electron beam irradiation.
【０００８】[0008]
【作用】ターゲット部材とターゲット支持部材とを、双
方の接合面において電子ビーム溶接する構成を採用した
ことにより、双方の部材は冶金的に結合するので、高い
スパッタ電力によるスパッタリングのために、接合面附
近の温度が上昇する場合にも、双方の部材の電子ビーム
溶接部の接合力が弱まるおそれはない。このため、ター
ゲット部材のターゲット支持部材からの剥離のおそれは
小さい。By adopting a construction in which the target member and the target support member are electron beam welded on both joint surfaces, both members are metallurgically joined, so that the joint surface is formed for sputtering with high sputtering power. Even when the temperature around the member rises, there is no fear that the joining force of the electron beam welded portions of both members will be weakened. Therefore, there is little risk that the target member will be separated from the target support member.
【０００９】[0009]
【実施例】図面を参照して本発明を更に説明する。図１
は、本発明の一実施例のスパッタリングターゲットの軸
方向断面図である。同図において、ターゲット部材１
は、全体として円板状を成し、円板状の上面にスパッタ
面１１を有すると共に、円板状の下面周縁部から下方に
突出する円筒状の脚部１２を有している。ターゲット部
材１の脚部１２の端面は、環状の接合面１３を形成して
いる。The present invention will be further described with reference to the drawings. Figure 1
FIG. 3 is an axial cross-sectional view of a sputtering target according to an example of the present invention. In the figure, the target member 1
Has a disk shape as a whole, has a sputtering surface 11 on the disk-shaped upper surface, and has a cylindrical leg portion 12 projecting downward from the peripheral edge of the disk-shaped lower surface. The end surface of the leg 12 of the target member 1 forms an annular joint surface 13.
【００１０】ターゲット部材１は、目的とする配線組成
により適宜選択され、例えば厚みが１０mm程度のアルミ
ニウム、アルミニウム合金、又はチタン材から形成され
る。The target member 1 is appropriately selected according to the intended wiring composition, and is made of, for example, aluminum, aluminum alloy, or titanium material having a thickness of about 10 mm.
【００１１】ターゲット支持部材を成すバッキングプレ
ート２は、両端が解放する中空円筒形を成しており、一
方の端面を成す環状の接合面２３において、ターゲット
部材１の端面１３と電子ビーム溶接されている。なお、
バッキングプレート２の他方の端部は、図示の形状とは
別の形状、例えばフランジ構造とすることもできる。バ
ッキングプレート２の材質としては、電子ビーム溶接が
可能な材料であればよく、例えば、銅、アルミニウム、
ステンレス等の材料が採用される。The backing plate 2 forming the target supporting member has a hollow cylindrical shape whose both ends are open, and the end face 13 of the target member 1 is electron beam welded to the end face 13 of the target member 1 at an annular joint surface 23 forming one end face. There is. In addition,
The other end of the backing plate 2 may have a shape other than the shape shown, for example, a flange structure. The backing plate 2 may be made of any material capable of electron beam welding, such as copper, aluminum,
Materials such as stainless steel are used.
【００１２】なお、ターゲット部材がアルミニウム、若
しくはアルミニウム合金の場合に、バッキングプレート
に同じ材料を採用すると、双方の熱膨張率が同じとなる
ので熱応力が生じなく、また、アルミニウムは熱伝導率
が高いため、冷却にも有利である。If the target member is aluminum or an aluminum alloy and the same material is used for the backing plate, both have the same coefficient of thermal expansion, so that thermal stress does not occur, and aluminum has a thermal conductivity. Since it is expensive, it is also advantageous for cooling.
【００１３】ターゲット部材１及びバッキングプレート
２が、相互に電子ビーム溶接された後、接合面１３、２
３に隣接する円筒の内周面及び外周面は、他の円筒部分
と面一に成るように機械加工によって研削され、所定の
寸法に仕上げられている。電子ビーム溶接で接合された
ターゲット部材１及びバッキングプレート２の境界部で
は、双方の原子が互いに溶融し合い、冶金的に結合して
いるので、組織上一体の構造となっている。After the target member 1 and the backing plate 2 are electron beam welded to each other, the joining surfaces 13 and 2 are joined together.
The inner peripheral surface and the outer peripheral surface of the cylinder adjacent to No. 3 are ground by machining so as to be flush with the other cylinder portions and finished to a predetermined size. At the boundary between the target member 1 and the backing plate 2 which are joined by electron beam welding, both atoms are fused to each other and are metallurgically bonded to each other, so that they have an integrally structured structure.
【００１４】上記実施例のスパッタリングターゲット
は、使用に際して、スパッタ面１１が真空槽の内部に面
し、円筒形状の内側部分４が真空槽の外部に露出するよ
うに、真空槽の外壁に取り付けられる。スパッタリング
に先立って、その円筒状の内側部分４には冷却水配管が
接続され、スパッタリング時には冷却水が導入されて、
スパッタ面１１の冷却がその裏面から行われる。In use, the sputtering target of the above embodiment is attached to the outer wall of the vacuum chamber so that the sputtering surface 11 faces the inside of the vacuum chamber and the cylindrical inner portion 4 is exposed to the outside of the vacuum chamber. . Prior to sputtering, a cooling water pipe is connected to the cylindrical inner portion 4 and cooling water is introduced during sputtering,
The sputter surface 11 is cooled from its back surface.
【００１５】上記実施例では、ターゲット部材１及びバ
ッキングプレート２の端面１３、２３相互を電子ビーム
溶接によって接合したことにより、高いスパッタ電力に
よる高速のイオン照射に際して、接合部の温度が上昇す
る場合にも、双方の接合部分が冶金的に結合しているの
で、ターゲット部材１がバッキングプレート２から剥離
するおそれはない。In the above embodiment, the end faces 13 and 23 of the target member 1 and the backing plate 2 are joined together by electron beam welding, so that the temperature of the joining portion rises during high-speed ion irradiation with high sputtering power. However, since both joints are metallurgically bonded, there is no risk that the target member 1 will be separated from the backing plate 2.
【００１６】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例の
スパッタリングターゲットの製造方法を模式的に示して
いる。各図は夫々、断面図を工程毎に示している。な
お、本実施例におけるスパッタリングターゲットは、対
称形であるため中心線から一方側のみを図示した。同図
（ａ）において、ターゲット部材１及びバッキングプレ
ート２は、真空槽内において組立てられている。バッキ
ングプレート２は、ターゲット部材１の接合面１３の径
方向内側に突出する突出部２２を、バッキングプレート
２の環状の接合面２３の内周部に隣接して備えている。
ターゲット部材１の脚部１２は、単にターゲット部材１
をバッキングプレート２上に載せる作業のみで、この突
出部２２によってバッキングプレート２と芯出しされる
ので、ターゲット部材１とバッキングプレート２との組
立てが容易に行われる。2 (a) to 2 (c) schematically show a method of manufacturing a sputtering target according to an embodiment of the present invention. Each drawing shows a cross-sectional view for each step. Since the sputtering target in this example is symmetrical, only one side from the center line is shown. In FIG. 1A, the target member 1 and the backing plate 2 are assembled in a vacuum chamber. The backing plate 2 is provided with a protrusion 22 that protrudes radially inward of the joint surface 13 of the target member 1 adjacent to the inner peripheral portion of the annular joint surface 23 of the backing plate 2.
The leg 12 of the target member 1 is simply the target member 1
Is only placed on the backing plate 2, and the projecting portion 22 centers the backing plate 2, so that the target member 1 and the backing plate 2 can be easily assembled.
【００１７】図２（ｂ）に示したように、真空槽内に配
された電子ビーム照射装置５によって、双方の重ね合わ
された接合面１３、２３に対して、径方向外側から高速
の電子ビーム６が照射される。照射は、例えばターゲッ
ト部材１及びバッキングプレート２を一体に回転させる
ことにより、接合面１３、２３全周に亘って均一に行わ
れる。この照射により、ターゲット部材１及びバッキン
グプレート２の接合面１３、２３附近が熱せられ、双方
の部材１、２の接合面に隣接する部分１４、２４が溶解
して、接合面１３、２３での溶接が可能となる。この溶
接の際、バッキングプレート２の突出部２２の一部も、
電子ビーム照射により溶解し、ターゲット部材１の内周
部分と結合する。As shown in FIG. 2 (b), an electron beam irradiation device 5 arranged in a vacuum chamber is used to apply a high-speed electron beam from the outer side in the radial direction to the joint surfaces 13 and 23 on which the two are superposed. 6 is irradiated. Irradiation is performed uniformly over the entire circumferences of the joint surfaces 13 and 23 by integrally rotating the target member 1 and the backing plate 2, for example. By this irradiation, the vicinity of the joint surfaces 13 and 23 of the target member 1 and the backing plate 2 is heated, the portions 14 and 24 adjacent to the joint surfaces of both members 1 and 2 are melted, and the joint surfaces 13 and 23 at the joint surfaces 13 and 23 are melted. Welding becomes possible. At the time of this welding, a part of the protruding portion 22 of the backing plate 2 also
It is melted by electron beam irradiation and bonded to the inner peripheral portion of the target member 1.
【００１８】ターゲット部材１及びバッキングプレート
２は、電子ビームによる接合後、図２（ｃ）に示したよ
うに、コップ状の内面及び側面並びにスパッタ面の各破
線で囲まれた部分Ａが機械加工により削り取られる。双
方の部材１、２は、この研削に必要な寸法が予め見込ま
れて製作されている。電子ビーム溶接の際に、接合部に
隣接する部分１４、２４では、その表面の一部が溶けて
落下することにより、微細な空洞が形成されることがあ
るが、この空洞部分は前記研削により除かれる。このよ
うにして、所定の寸法に仕上げされた、図１に示した如
き形状のスパッタリングターゲットが得られる。After the target member 1 and the backing plate 2 are bonded by the electron beam, as shown in FIG. 2 (c), the cup-shaped inner surface and side surface and the portion A surrounded by each broken line of the sputtering surface are machined. It is scraped off by. Both of the members 1 and 2 are manufactured with the dimensions required for this grinding being estimated in advance. At the time of electron beam welding, in the portions 14 and 24 adjacent to the joint portion, a part of the surface thereof may be melted and dropped to form a fine cavity. Excluded. In this way, a sputtering target having a shape as shown in FIG. 1 finished to a predetermined size is obtained.
【００１９】製造工程の最終段階において、ヘリウムデ
ィテクタによって、ターゲット部材１とバッキングプレ
ート２との接合部に漏れの無いことが確認される。これ
によって、スパッタリングが実際に行われる際に、真空
槽内の３×１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空下でも、このスパ
ッタリングターゲット部分での漏れが防止される。At the final stage of the manufacturing process, it is confirmed by the helium detector that there is no leakage at the joint between the target member 1 and the backing plate 2. This prevents leakage at this sputtering target portion even when the sputtering is actually performed even under a vacuum of about 3 × 10 −3 Torr in the vacuum chamber.
【００２０】図３（ａ）〜（ｃ）は夫々、図２のバッキ
ングプレート２に形成した突出部２２に代えて採用され
る突出部の形状を示している。同図（ａ）は、中空円筒
形に形成されたバッキングプレート２において、径方向
外側部分の研削により接合面２３が形成されるときに、
その径方向内側に突出部２５が残される例である。また
同図（ｂ）及び（ｃ）の場合には、突出部が、逆にター
ゲット部材１に形成される例である。同図（ｂ）では、
突出部１５を鍛造等によって形成しており、また、同図
（ｃ）では、円筒状の脚部１２の径方向外側部分を機械
加工で研削することによって接合面１３を形成する際
に、その径方向内側に突出部１６を残すことによって突
出部を形成している。3 (a) to 3 (c) respectively show the shapes of the protrusions employed in place of the protrusions 22 formed on the backing plate 2 of FIG. In the backing plate 2 formed in a hollow cylindrical shape, the figure (a) shows that when the joining surface 23 is formed by grinding the radially outer portion,
This is an example in which the protruding portion 25 is left on the radially inner side. In addition, the cases of FIGS. 2B and 2C are examples in which the protrusions are formed on the target member 1 in reverse. In the figure (b),
The protrusion 15 is formed by forging or the like, and in the same figure (c), when forming the joint surface 13 by grinding the radially outer portion of the cylindrical leg 12 by machining, The protrusion 16 is formed by leaving the protrusion 16 on the inner side in the radial direction.
【００２１】突出部２２、２５、１５、１６は、電子ビ
ーム照射の際に、当板として作用し、接合面１３、２３
附近の内周側表面の一部が熱により溶けて落下すること
を防止する。突出部２２、２５、１５、１６の表面に
も、電子ビームの照射により、その材料の一部が溶解し
て落下することで空洞が形成されるが、製品として残さ
れる内部で空洞が発生することを防止しており、最終仕
上の段階で、これら突出部及び外周部が削り落とされる
ので、製品に空洞部が残るおそれはない。The projections 22, 25, 15 and 16 act as a contact plate during electron beam irradiation, and join surfaces 13 and 23.
Prevents a part of the inner surface on the inner side from melting and falling due to heat. On the surfaces of the protrusions 22, 25, 15 and 16, a part of the material is melted and dropped by the irradiation of the electron beam to form a cavity, but a cavity is generated inside the product. This is prevented, and since the projecting portion and the outer peripheral portion are scraped off at the final finishing stage, there is no possibility that a hollow portion remains in the product.
【００２２】従来、スパッタリングターゲットで行われ
ている半田接合の場合には、例えば半田材料の融点は、
Ｓｎ−Ｐｂ系では１８３℃、Ｐｂ−Ａｇ系では２３０
℃、Ｉｎ系では１５７℃というように、いずれも熱に弱
く、高いスパッタ電力によるスパッタリングの際には、
ターゲット部材とバッキングプレートとの接合部で剥離
のおそれがあった。しかし、接合部を電子ビーム溶接し
た本発明のスパッタリングターゲットの場合には、各部
材の材料の融点は半田材料の融点に比べて格段に高いの
で、かかる剥離のおそれなく、高いスパッタ電力による
スパッタリングを行うことができる。これにより、ＬＳ
Ｉ等の配線膜形成速度を上げることができ、ＬＳＩ等の
生産効率が向上する。In the case of solder joining which is conventionally performed with a sputtering target, for example, the melting point of the solder material is
183 ° C for Sn-Pb system, 230 for Pb-Ag system
C. and 157.degree. C. for In-based materials, both are weak against heat, and when sputtering with high sputtering power,
There was a risk of peeling at the joint between the target member and the backing plate. However, in the case of the sputtering target of the present invention in which the bonded portion is electron beam welded, the melting point of the material of each member is significantly higher than the melting point of the solder material, and thus there is no fear of such peeling, and sputtering with high sputtering power is performed. It can be carried out. This allows LS
It is possible to increase the speed of forming a wiring film such as I and improve the production efficiency of LSI and the like.
【００２３】上記実施例では、ターゲット部材のスパッ
タ面が円形である例について説明したが、スパッタ面の
形状は円形に限らず、例えば長方形等任意の形状が可能
である。In the above-mentioned embodiment, an example in which the sputtering surface of the target member is circular has been described, but the shape of the sputtering surface is not limited to a circular shape, and any shape such as a rectangle is possible.
【００２４】本発明では、ターゲット部材とバッキング
プレートとの接合に電子ビーム溶接を採用しており、こ
の電子ビーム溶接は、通常真空層内で行われることか
ら、接合部に異物混入等のおそれが小さいので、このス
パッタリングターゲットを採用して形成される配線膜に
は、不純物の混入するおそれが小さいという利点もあ
る。In the present invention, electron beam welding is used to join the target member and the backing plate. Since this electron beam welding is usually performed in the vacuum layer, there is a risk of foreign matter entering the joint. Since it is small, there is also an advantage that impurities are less likely to be mixed in the wiring film formed by using this sputtering target.
【００２５】なお、本発明のスパッタリングターゲット
では、ターゲット部材及びバッキングプレートは、電子
ビーム溶接が可能な材料であればいかなる材料でもよ
く、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、チタン、ス
テンレス等、目的とする配線組成により種々の材料が使
用される。In the sputtering target of the present invention, the target member and the backing plate may be made of any material as long as they can be subjected to electron beam welding, such as aluminum, aluminum alloy, copper, titanium, stainless steel, etc. Various materials are used depending on the composition.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスパッタ
リングターゲット及びその製造方法によると、ターゲッ
ト部材とターゲット支持部材との接合を電子ビーム溶接
で行う構成により、接合部における剥離のおそれがな
く、高いスパッタ電力によるスパッタリングを介して薄
膜形成速度を上げることができるので、ＬＳＩ等の電子
デバイスの生産効率が向上する。As described above, according to the sputtering target and the method for manufacturing the same of the present invention, the target member and the target supporting member are bonded by electron beam welding, so that there is no risk of peeling at the bonded portion. Since the thin film formation rate can be increased through sputtering with high sputtering power, the production efficiency of electronic devices such as LSIs is improved.
【図１】本発明の一実施例のスパッタリングターゲット
の構造を示す軸方向の断面図である。FIG. 1 is an axial sectional view showing a structure of a sputtering target according to an embodiment of the present invention.
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例のスパッ
タリングターゲットの製造方法を示すためのスパッタリ
ングターゲットの工程毎の断面図である。FIG. 2A to FIG. 2C are cross-sectional views of each step of a sputtering target showing a method of manufacturing a sputtering target according to an embodiment of the present invention.
【図３】（ａ）〜（ｃ）は夫々、本発明のスパッタリン
グターゲットの別の実施例を示す断面図である。3 (a) to 3 (c) are cross-sectional views each showing another embodiment of the sputtering target of the present invention.
【図４】従来のスパッタリングターゲットの断面図であ
る。FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional sputtering target.
１ ：ターゲット部材 １１：スパッタ面 １２：脚部 １３：接合面 １５、１６：突出部 ２ ：バッキングプレート ２２：突出部 ２３：接合面 ５ ：電子ビーム照射装置 1: Target member 11: Sputtering surface 12: Leg part 13: Bonding surface 15, 16: Projection part 2: Backing plate 22: Projection part 23: Bonding surface 5: Electron beam irradiation device
Claims (3)
支持するためのターゲット支持部材とを備え、前記ター
ゲット部材と前記ターゲット支持部材とが、該双方に形
成され相互に当接して配設された環状の接合面におい
て、電子ビーム溶接されていることを特徴とするスパッ
タリングターゲット。1. A ring having a target member and a target support member for supporting the target member, wherein the target member and the target support member are formed on both of them and arranged in contact with each other. The sputtering target is characterized in that it is electron-beam welded on the bonding surface of.
支持するためのターゲット支持部材とを接合して成るス
パッタリングターゲットの製造方法において、 前記ターゲット部材及び前記ターゲット支持部材の双方
の接合面を実質的に同形の環状面として形成し、 前記双方の接合面を重ね合せた後、電子ビーム照射によ
り溶接することを特徴とするスパッタリングターゲット
の製造方法。2. A method of manufacturing a sputtering target, which comprises bonding a target member and a target supporting member for supporting the target member, wherein the bonding surfaces of both the target member and the target supporting member are substantially formed. A method for producing a sputtering target, which is characterized in that the sputtering target is formed as an annular surface having the same shape, and the two bonding surfaces are superposed on each other and then welded by electron beam irradiation.
支持部材のいずれか一方に、前記接合面を重ね合わせた
際に前記一方の接合面の内周部から他方の径方向内側に
突出する突出部を形成することを特徴とする請求項２記
載のスパッタリングターゲットの製造方法。3. A projecting portion that is formed on one of the target member and the target supporting member and projects radially inward from the inner peripheral portion of the one joint surface when the joint surfaces are superposed on each other. The method for manufacturing a sputtering target according to claim 2, wherein
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25348392A JPH0681142A (en) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Sputtering target and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25348392A JPH0681142A (en) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Sputtering target and its production |
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Family
ID=17252013
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP25348392A Pending JPH0681142A (en) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Sputtering target and its production |
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| JP (1) | JPH0681142A (en) |
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