JPH0677525A - Solar radiation sensor - Google Patents

Solar radiation sensor

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Publication number
JPH0677525A
JPH0677525A JP22604292A JP22604292A JPH0677525A JP H0677525 A JPH0677525 A JP H0677525A JP 22604292 A JP22604292 A JP 22604292A JP 22604292 A JP22604292 A JP 22604292A JP H0677525 A JPH0677525 A JP H0677525A
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JP
Japan
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light
sunlight
altitude
position detecting
detecting element
Prior art date
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Pending
Application number
JP22604292A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaya Nakamura
雅也 中村
Makoto Shirai
白井  誠
Manabu Yamada
学 山田
Yutaka Maeda
豊 前田
Tomoji Terada
知司 寺田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
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Filing date
Publication date
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To detect azimuth, altitude and intensity of solar light with high precision even when the altitude of solar light is low or when it is cloudy. CONSTITUTION:A solar radiation sensor 41 is constituted of a position detecting element 42, a case 43 accommodating the element 42, a lens 44 mounted on the upper surface of the case 43, etc. In the position detecting element 42, a light shielding film 46 having a light introducing hole 49 is formed on the upper surface of a glass substrate 45, and a light detecting part 47 is formed on the lower surface. As to the lens 44, a convex part 44a is formed on the upper surface side, and a concave part 44b is formed on the lower surface side. By the effect of light refraction due to the lens 44, the incident elevation of solar light into the upper surface of the position detecting element 42 becomes larger than the altitude (incident elevation of solar light into the concave part 44a), so that the reflection of the solar light on the upper surface of the position detecting element 42 is reduced, and the incident light amount into the position detecting element 42 is increased even in the case that the altitude of the solar light is low or it is cloudy.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、太陽光をスポット状に
入射させてその光スポットの位置・光量から太陽光の方
位、高度及び強度を検出するための位置検出素子を内蔵
した日射センサに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar radiation sensor having a built-in position detection element for detecting the azimuth, altitude and intensity of sunlight based on the position / amount of light of the incident light spot. It is a thing.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、例えば自動車用の空調装置におい
ては、より快適な空調を目指して、太陽光の方位、高度
及び強度に応じて吹出風の温度・風量や吹出モード(左
右風量比)を制御する、いわゆる日射補正制御が提案さ
れている。この日射補正制御の精度を向上するには、太
陽光の方位、高度及び強度を精度良く検出できる日射セ
ンサを開発する必要がある。
2. Description of the Related Art Recently, for example, in an air conditioner for an automobile, aiming at more comfortable air conditioning, the temperature / air volume and the air blow mode (left / right air flow ratio) of the blown air are adjusted according to the direction, altitude and intensity of sunlight. A so-called solar radiation correction control for controlling has been proposed. In order to improve the accuracy of this solar radiation correction control, it is necessary to develop a solar radiation sensor that can accurately detect the azimuth, altitude and intensity of sunlight.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者ら
は、太陽光の方位、高度及び強度を検出するために、太
陽光をスポット状に入射させて、その光スポットの位置
・光量を電気的に検出する位置検出素子を内蔵した日射
センサを開発しつつある。
Therefore, in order to detect the azimuth, altitude, and intensity of sunlight, the inventors of the present invention make the sunlight incident in a spot shape, and determine the position / light amount of the light spot by an electric signal. We are developing a solar radiation sensor with a built-in position detection element that detects automatically.

【0004】この日射センサは、位置検出素子を内蔵す
るケースの上面に、保護用の透明カバーを装着し、この
透明カバーを透過した太陽光を、位置検出素子の上面側
に形成された導光孔からスポット状に入射させる構成と
している。この日射センサの検出精度を高めるには、上
記導光孔に入射する太陽光の光量をできるだけ多くする
必要がある(但し、導光孔は小さい方が良い)。
In this solar radiation sensor, a protective transparent cover is mounted on the upper surface of a case containing a position detecting element, and the sunlight transmitted through the transparent cover is guided to the upper surface side of the position detecting element. The structure is such that the light is incident in a spot shape from the hole. In order to increase the detection accuracy of the solar radiation sensor, it is necessary to increase the amount of sunlight incident on the light guide hole as much as possible (however, the light guide hole should be small).

【0005】しかしながら、本発明者らが現在開発して
いる日射センサは、晴天で太陽光の高度(以下「日射高
度」という)が比較的高い場合には検出精度が良いが、
日射高度が15°以下の低高度の太陽光を検出する場合
には、透明カバーの上下両面や位置検出素子の上面にお
ける反射光量が多すぎて、位置検出素子の光検出部に到
達する光量が少なすぎ、検出精度が悪くなってしまう欠
点がある[図11(b),図12(b)参照]。つま
り、透明カバーの上下両面や位置検出素子の上面におけ
る光の反射は、日射高度が低くなるに従って増加するの
で、現状の日射センサでは、日射高度が15°以下にな
ると、位置検出素子内に到達する光量が不足して、日射
高度等を正確に検出することは困難である。
However, the solar radiation sensor currently developed by the present inventors has good detection accuracy when the altitude of sunlight (hereinafter referred to as "solar radiation altitude") is relatively high in fine weather.
When detecting low-altitude sunlight with an insolation altitude of 15 ° or less, the amount of reflected light on the upper and lower surfaces of the transparent cover and the upper surface of the position detecting element is too large, and the amount of light reaching the light detecting portion of the position detecting element is too large. There is a drawback that the detection accuracy becomes poor because the amount is too small [see FIG. 11 (b) and FIG. 12 (b)]. In other words, the reflection of light on both the upper and lower surfaces of the transparent cover and the upper surface of the position detection element increases as the solar radiation height decreases, so that the current solar radiation sensor reaches the position detection element when the solar radiation altitude is 15 ° or less. It is difficult to accurately detect the solar radiation altitude and the like because the amount of light to be emitted is insufficient.

【0006】また、曇りの日には、地上に到達する太陽
光の総量が少なくなるので、日射高度が比較的高い場合
でも、透明カバーの上下両面や位置検出素子の上面にお
ける反射光量の存在が無視できなくなり、やはり、日射
高度等を正確に検出することは困難である。
On a cloudy day, since the total amount of sunlight reaching the ground is small, even if the solar radiation height is relatively high, there is the amount of reflected light on the upper and lower surfaces of the transparent cover and the upper surface of the position detecting element. It cannot be ignored, and it is still difficult to accurately detect the solar radiation altitude and the like.

【0007】本発明はこの様な事情を考慮してなされた
もので、その目的は、日射高度が低い場合や曇りの日で
も、太陽光の方位、高度及び強度を精度良く検出できる
日射センサを提供することにある。
The present invention has been made in consideration of such circumstances, and an object thereof is to provide a solar radiation sensor capable of accurately detecting the direction, altitude and intensity of sunlight even when the solar radiation altitude is low or on a cloudy day. To provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の日射センサは、太陽光をスポット状に入射
させてその光スポットの位置・光量から太陽光の方位、
高度及び強度を検出するための位置検出素子を内蔵した
ものにおいて、前記位置検出素子へ入射する太陽光の反
射を抑制するように構成したものである(請求項1)。
In order to achieve the above object, the solar radiation sensor of the present invention is a solar radiation sensor in which sunlight is incident in a spot shape and the direction and direction of the sunlight are determined from the position / light quantity of the light spot.
A device having a built-in position detecting element for detecting altitude and intensity is configured to suppress reflection of sunlight incident on the position detecting element (claim 1).

【0009】具体的には、前記位置検出素子の上面に対
する太陽光の入射仰角を大きくするように入射太陽光を
屈折させる光学素子を設けた構成とする(請求項2)。
More specifically, an optical element for refracting incident sunlight is provided so as to increase the incident elevation angle of sunlight on the upper surface of the position detecting element (claim 2).

【0010】または、前記位置検出素子の上面に対する
太陽光の入射仰角を大きくするように少なくとも前記位
置検出素子を傾斜させて設置しても良い(請求項3)。
Alternatively, at least the position detecting element may be installed so as to be inclined so as to increase the incident elevation angle of sunlight on the upper surface of the position detecting element (claim 3).

【0011】或は、前記位置検出素子の上方を覆う透明
カバーと前記位置検出素子との間にこれら両者の屈折率
に近い屈折率の透明充填材を充填するようにしても良い
(請求項4)。
Alternatively, a transparent filler having a refractive index close to that of both the transparent cover covering the position detecting element and the position detecting element may be filled between the position and the position detecting element (claim 4). ).

【0012】[0012]

【作用】請求項1の構成により、位置検出素子へ入射す
る太陽光の反射が抑制されれば、日射高度が低い場合や
曇りの日でも、位置検出素子内に到達する光量が増えて
日射高度等を正確に検出することが可能となる。
According to the structure of claim 1, if the reflection of sunlight incident on the position detecting element is suppressed, the amount of light reaching the position detecting element is increased even when the solar radiation altitude is low or on a cloudy day. It becomes possible to accurately detect the like.

【0013】この場合、請求項2では、入射する太陽光
を光学素子により屈折させて位置検出素子に入射させる
ことにより、位置検出素子の上面に対する太陽光の入射
仰角を大きくして、位置検出素子へ入射する太陽光の反
射を抑制している。
In this case, according to the second aspect, the incident sunlight is refracted by the optical element and is incident on the position detecting element, whereby the incident elevation angle of the sunlight with respect to the upper surface of the position detecting element is increased, and the position detecting element is increased. It suppresses the reflection of sunlight incident on.

【0014】また、請求項3では、位置検出素子を傾斜
させることにより、位置検出素子の上面に対する太陽光
の入射仰角を大きくして、上述と同様の光反射抑制作用
を得ている。
Further, according to the third aspect, by tilting the position detecting element, the incident elevation angle of sunlight with respect to the upper surface of the position detecting element is increased to obtain the same light reflection suppressing effect as described above.

【0015】一般に、光の反射は、屈折率の異なる媒質
の界面を通過する過程で発生する点に着目して、請求項
4では、透明カバーと位置検出素子との間に、これら両
者の屈折率に近い屈折率の透明充填材を充填し、光入射
経路の媒質の屈折率の差を小さくして、前述と同様の光
反射抑制作用を得ている。
In general, in light of the fact that the reflection of light occurs in the process of passing through the interface of media having different refractive indexes, in claim 4, the refraction of both the transparent cover and the position detecting element is performed. A transparent filler having a refractive index close to that of the refractive index is filled to reduce the difference in the refractive index of the medium in the light incident path, thereby obtaining the same light reflection suppressing effect as described above.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の第1実施例を図1乃至図13
に基づいて説明する。日射センサ41は、図1に示すよ
うに、位置検出素子42と、この位置検出素子42を収
納したケース43と、このケース43の上面に装着した
光学素子たるレンズ44等とから構成され、このレンズ
44は位置検出素子42を保護する透明カバーとしても
機能している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
It will be described based on. As shown in FIG. 1, the solar radiation sensor 41 includes a position detecting element 42, a case 43 accommodating the position detecting element 42, a lens 44 as an optical element mounted on the upper surface of the case 43, and the like. The lens 44 also functions as a transparent cover that protects the position detection element 42.

【0017】上記位置検出素子42は、ガラス基板45
の上面に遮光膜46を形成し、下面に光検出部47を形
成して構成されている。この位置検出素子42は、上面
中央部分(遮光膜46の中央部分)を除き、遮光性のモ
ールド樹脂48によりモールドされている。また、遮光
膜46は、例えば黒色エポキシ樹脂の印刷や金属薄膜の
蒸着により極めて薄く形成され、その中心には、太陽光
を導入する例えば直径2mm程度の導光孔49が形成され
ている。この導光孔49の深さ寸法(遮光膜46の厚さ
寸法)が薄くなるほど、斜め上方から導光孔49内に入
射する太陽光が導光孔49の端面で遮られる割合が少な
くなって、低い高度の太陽光の通過量が増えるので、遮
光膜46の厚さは薄い方が好ましい。
The position detecting element 42 is a glass substrate 45.
The light-shielding film 46 is formed on the upper surface and the photodetector 47 is formed on the lower surface. The position detecting element 42 is molded with a light-shielding molding resin 48 except for the central portion of the upper surface (the central portion of the light shielding film 46). The light-shielding film 46 is formed to be extremely thin, for example, by printing a black epoxy resin or vapor-depositing a metal thin film, and a light guide hole 49 having a diameter of, for example, about 2 mm for introducing sunlight is formed in the center thereof. As the depth dimension of the light guide hole 49 (thickness dimension of the light-shielding film 46) becomes thinner, the rate at which sunlight entering the light guide hole 49 from obliquely above is blocked by the end surface of the light guide hole 49 decreases. It is preferable that the light-shielding film 46 has a small thickness because the amount of sunlight passing through at a low altitude increases.

【0018】一方、ガラス基板45は、例えば厚さ1.
8mmのソーダガラス板にSi Oをコートしたものを使
用している。このガラス基板45の下面に形成された光
検出部47は、図4に示すように、光の入射方向から順
に透明なX方向抵抗体膜50、光電変換膜51及びY方
向抵抗体膜52を積層して構成され、更にX方向抵抗体
膜50とY方向抵抗体膜52の各端部にはそれぞれリー
ド電極X1,X2,Y1,Y2 が設けられている。
On the other hand, the glass substrate 45 has, for example, a thickness of 1.
An 8 mm soda glass plate coated with SiO 2 is used. As shown in FIG. 4, the photo-detecting section 47 formed on the lower surface of the glass substrate 45 includes an X-direction resistor film 50, a photoelectric conversion film 51, and a Y-direction resistor film 52 which are transparent in order from the light incident direction. The X-direction resistor film 50 and the Y-direction resistor film 52 are laminated, and lead electrodes X1, X2, Y1, and Y2 are provided at the respective ends.

【0019】この第1実施例では、光電変換膜51は、
光の入射方向から順にアモルファスシリコン(以下「a
−Si」と略称する)合金膜によりn型半導体膜53、
i型半導体膜54、p型半導体膜55、i型半導体膜5
6及びn型半導体膜57を積層したn-i-p-i-n 層構造に
なっているが、p-i-n-i-p 層構造にしても良い。これら
いずれの場合でも、光電変換膜51は、2つのダイオー
ド成分を極性を互いに反対にして直列接続した構造とな
り、いずれの極性の電圧が直列接続のダイオード成分に
印加されても電流は流れないようになっている。これに
より、光電変換膜51は、温度が上昇しても、逆方向の
漏れ電流が流れることが一方のダイオード成分により阻
止され、温度上昇による出力電圧の変動が抑制されて、
正確な位置検出が可能となる。但し、日射センサ41の
使用温度が例えば65℃以下の場合には、光電変換膜5
1はi型半導体のみであっても良い。
In the first embodiment, the photoelectric conversion film 51 is
Amorphous silicon (hereinafter “a
Abbreviated as “-Si”).
i-type semiconductor film 54, p-type semiconductor film 55, i-type semiconductor film 5
Although it has a nipin layer structure in which 6 and the n-type semiconductor film 57 are laminated, a pinip layer structure may be used. In any of these cases, the photoelectric conversion film 51 has a structure in which two diode components are connected in series with their polarities opposite to each other, and a current does not flow even if a voltage of any polarity is applied to the diode components connected in series. It has become. Thereby, in the photoelectric conversion film 51, even if the temperature rises, the leakage current in the opposite direction is blocked by one diode component, and the fluctuation of the output voltage due to the temperature rise is suppressed,
Accurate position detection is possible. However, when the operating temperature of the solar radiation sensor 41 is, for example, 65 ° C. or lower, the photoelectric conversion film 5
1 may be an i-type semiconductor only.

【0020】一方、X方向抵抗体膜50の必要な機能と
しては、光を透過すること及び適当なシート抵抗値を有
することであり、例えば、SnO、ZnO、ITO等
により厚さ600オングストローム程度の薄膜状に形成
されている。このX方向抵抗体膜50のシート抵抗値
は、例えば10Ω/cm以上で1MΩ/cm以下であれ
ば良いが、好ましくは、100Ω/cm以上で50KΩ
/cm以下の範囲である。この理由としては、X方向抵
抗体膜50のシート抵抗値が低すぎると、リード電極X
1,X2 の抵抗値との差がなくなり、抵抗体としての意味
をなさないからであり、反対に、X方向抵抗体膜50の
シート抵抗値が高すぎると、光が照射されたときの光電
変換膜51の抵抗値(a−Siでは約1KΩ〜500K
Ω)よりも高くなってしまい、適正な出力が得られなく
なってしまうからである。
On the other hand, the necessary function of the X-direction resistor film 50 is to transmit light and to have an appropriate sheet resistance value. For example, SnO 2 , ZnO, ITO or the like having a thickness of about 600 angstroms. Is formed into a thin film. The sheet resistance value of the X-direction resistor film 50 may be, for example, 10 Ω / cm 2 or more and 1 MΩ / cm 2 or less, but is preferably 100 Ω / cm 2 or more and 50 KΩ.
/ Cm 2 or less. The reason for this is that if the sheet resistance value of the X-direction resistor film 50 is too low, the lead electrode X
This is because there is no difference between the resistance values of 1 and X2 and it does not make sense as a resistor. On the contrary, if the sheet resistance value of the X-direction resistor film 50 is too high, photoelectric conversion when light is irradiated is generated. Resistance value of the conversion film 51 (a-Si: about 1 KΩ to 500 K
Ω), and an appropriate output cannot be obtained.

【0021】同様に、Y方向抵抗体膜52のシート抵抗
値も、X方向抵抗体膜50と同じ設定にすれば良い。従
って、Y方向抵抗体膜52もX方向抵抗体膜50と同じ
材料で形成しても良いが、Y方向抵抗体膜52は光を透
過させる必要がないので、例えばTi、Cr、Ni等の
金属薄膜やAgペースト、Niペースト、Cuペースト
等を使用しても良く、例えばTiを使用する場合には厚
さ400オングストローム程度に形成すれば良い。
Similarly, the sheet resistance value of the Y-direction resistor film 52 may be set to be the same as that of the X-direction resistor film 50. Therefore, the Y-direction resistor film 52 may be formed of the same material as the X-direction resistor film 50, but since the Y-direction resistor film 52 does not need to transmit light, for example, Ti, Cr, Ni or the like is used. A metal thin film, Ag paste, Ni paste, Cu paste or the like may be used. For example, when Ti is used, the thickness may be about 400 angstrom.

【0022】以上のように構成された位置検出素子42
は、図1に示すように、両面パターン・スルホール付き
の配線基板58上にスペーサ59を介して実装され、各
リード電極X1,X2,Y1,Y2 が配線基板58に半田付け
されている。この配線基板58に半田付けされた接続端
子60にリード線61の端末が圧着固定され、このリー
ド線61を通して検出信号が取り出されるようになって
いる。
The position detecting element 42 configured as described above
1, is mounted on a wiring board 58 having double-sided patterns and through holes via a spacer 59, and the lead electrodes X1, X2, Y1, Y2 are soldered to the wiring board 58. An end of a lead wire 61 is pressure-bonded and fixed to a connection terminal 60 soldered to the wiring board 58, and a detection signal is taken out through the lead wire 61.

【0023】一方、ケース43の上面に接着等により装
着されたレンズ44は、例えばポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂等の透明樹脂により形成され、上面側に凸
面部44aが形成され、下面側に凹面部44bが形成さ
れており、これら凸面部44aと凹面部44bは共に鏡
面仕上げされている。但し、凸面部44aのみについて
は、鏡面仕上げせずに、表面に微細な凹凸を付けて、意
匠的に見栄えを良くするようにしても良い。このレンズ
44の各部の寸法は図6に示されている。このレンズ4
4に太陽光が入射する場合、図6に示すように太陽光は
凸面部44aと凹面部44bでそれぞれ屈折して位置検
出素子42に導かれることになる。そこで、凸面部44
aに対する太陽光の入射仰角(高度)をθo 、位置検出
素子42の上面に対する太陽光の入射仰角をθ1 とする
と、レンズ44の光屈折作用により、θo とθ1 との関
係は、図7に示すように一次関数で表され、図6に示さ
れた寸法設定の場合には、θ1 =2/3×θo +30と
なる。このレンズ44は、焦点距離が無限大になってい
て、導光孔49へ向かう太陽光の光束が平行に屈折され
るように設計されている。
On the other hand, the lens 44 mounted on the upper surface of the case 43 by adhesion or the like is made of, for example, polycarbonate resin,
It is made of a transparent resin such as acrylic resin, a convex surface portion 44a is formed on the upper surface side, and a concave surface portion 44b is formed on the lower surface side. Both the convex surface portion 44a and the concave surface portion 44b are mirror-finished. However, only the convex surface portion 44a may be finely roughened on the surface without being mirror-finished so as to improve the appearance in design. The dimensions of each part of the lens 44 are shown in FIG. This lens 4
When the sunlight enters the light source 4, the sunlight is refracted by the convex surface portion 44a and the concave surface portion 44b and guided to the position detecting element 42 as shown in FIG. Therefore, the convex portion 44
When the incident elevation angle (altitude) of sunlight with respect to a is θ o and the incident elevation angle of sunlight with respect to the upper surface of the position detecting element 42 is θ 1, the relationship between θ o and θ 1 is shown in FIG. 7 due to the photorefractive action of the lens 44. Thus, in the case of the dimension setting shown in FIG. 6, θ1 = 2/3 × θo + 30. The lens 44 has an infinite focal length, and is designed so that the light flux of sunlight toward the light guide hole 49 is refracted in parallel.

【0024】このレンズ44の下面外周側の複数箇所に
は、図1に示すように、位置決め用ボス部71が下向き
に一体に形成され、この位置決め用ボス部71の下端に
形成された小突起72が、位置検出素子42のモールド
樹脂48に形成された位置決め穴73に嵌合されてい
る。これにより、位置検出素子42に対するレンズ44
の水平方向及び上下方向の位置決めがなされている。
As shown in FIG. 1, positioning boss portions 71 are integrally formed downward at a plurality of positions on the outer peripheral surface of the lower surface of the lens 44, and small protrusions formed at the lower end of the positioning boss portion 71. 72 is fitted in a positioning hole 73 formed in the mold resin 48 of the position detection element 42. Accordingly, the lens 44 for the position detecting element 42
Are positioned in the horizontal and vertical directions.

【0025】以上のように構成された日射センサ41
は、例えば図8に示すように、自動車62のダッシュボ
ード63の上面に水平に取り付けられている。この自動
車62には、図9に示すように、日射センサ41の他、
外気温センサ64、室内気温センサ65、冷却器(図示
せず)の後部温度を検出するエバ後温センサ66、エン
ジン冷却水の温度を検出する水温センサ67、各種の操
作スイッチ(図示せず)を備えた操作パネル68等が設
けられ、これらから入力されるデータを制御回路69で
演算処理して、空調装置70から吹き出す風の温度・風
量や吹出モード(左右風量比)を制御するようになって
いる。
The solar radiation sensor 41 constructed as described above
Is horizontally attached to the upper surface of a dashboard 63 of an automobile 62, for example, as shown in FIG. As shown in FIG. 9, in this automobile 62, in addition to the solar radiation sensor 41,
An outside air temperature sensor 64, an indoor air temperature sensor 65, an after air temperature sensor 66 for detecting a rear temperature of a cooler (not shown), a water temperature sensor 67 for detecting a temperature of engine cooling water, and various operation switches (not shown). An operation panel 68 and the like provided with are provided, and the data input from these are processed by the control circuit 69 to control the temperature / air volume of the air blown from the air conditioner 70 and the blowout mode (left / right airflow ratio). Has become.

【0026】この制御回路69は、日射センサ41から
出力される信号に基づいて、太陽光の方位、高度及び強
度を次のようにして検出する。ここで、太陽光の方位と
高度の基準となる三次元座標は、図13に示すように水
平右方向をX軸方向、水平後方をY軸方向、鉛直上方を
Z軸方向とし、光電変換膜51上での光スポットの位置
をP(x,y)としている。
The control circuit 69 detects the azimuth, altitude and intensity of sunlight on the basis of the signal output from the solar radiation sensor 41 as follows. Here, the three-dimensional coordinates that are the basis of the azimuth and altitude of sunlight are, as shown in FIG. 13, the horizontal right direction is the X-axis direction, the horizontal rear direction is the Y-axis direction, and the vertically upper direction is the Z-axis direction. The position of the light spot on 51 is P (x, y).

【0027】(A)光スポットP(x,y)のX座標検
出方法 図5の左欄に示すようにX方向抵抗体膜50の両端のリ
ード電極X1,X2 にそれぞれ5V,0Vを印加して、Y
方向抵抗体膜52の両端のリード電極Y1,Y2のいずれ
か一方または両方から、光スポットP(x,y)のX座
標に対応した電圧(以下「X座標電圧」という)Vx を
得る。この際、電流は光電変換膜51のうちの光スポッ
トの照射位置をX方向抵抗体膜50側からY方向抵抗体
膜52側へ流れる。
(A) Method for detecting X coordinate of light spot P (x, y) As shown in the left column of FIG. 5, 5V and 0V are applied to the lead electrodes X1 and X2 on both ends of the X-direction resistor film 50, respectively. Y
A voltage (hereinafter referred to as "X coordinate voltage") Vx corresponding to the X coordinate of the light spot P (x, y) is obtained from one or both of the lead electrodes Y1 and Y2 on both ends of the directional resistor film 52. At this time, the current flows from the X-direction resistor film 50 side to the Y-direction resistor film 52 side at the light spot irradiation position in the photoelectric conversion film 51.

【0028】尚、X座標電圧Vx を検出する回路(例え
ばデジタルマルチメータ)としては、入力インピーダン
スが1MΩ以上のもの、つまり、ほとんど電流を流さず
に電圧値を検出できるものが望ましい。この入力インピ
ーダンスが小さいと、Y方向抵抗体膜52の既存抵抗に
よる電圧降下が無視できなくなって、X座標電圧Vxが
低下してしまうからである。
As a circuit (for example, a digital multimeter) for detecting the X coordinate voltage Vx, it is desirable that the input impedance is 1 MΩ or more, that is, the voltage value can be detected with almost no current flowing. This is because if this input impedance is small, the voltage drop due to the existing resistance of the Y-direction resistor film 52 cannot be ignored, and the X coordinate voltage Vx drops.

【0029】ここで、導光孔49の真下に位置する光電
変換膜51の中心点Oから得られるX座標電圧をVox、
光電変換膜51のX軸方向の電位勾配[V/mm]をΔV
x とすると、光スポットP(x,y)のX座標に対応し
て検出されたX座標電圧Vxから光スポットP(x,
y)のX座標は、次のように表される。
Here, the X coordinate voltage obtained from the center point O of the photoelectric conversion film 51 located directly below the light guide hole 49 is Vox,
The electric potential gradient [V / mm] of the photoelectric conversion film 51 in the X-axis direction is ΔV
If x is set, the light spot P (x, y) is converted from the X-coordinate voltage Vx detected corresponding to the X coordinate of the light spot P (x, y).
The X coordinate of y) is expressed as follows.

【0030】x=(Vx −Vox)/ΔVxX = (Vx-Vox) / ΔVx

【0031】(B)光スポットP(x,y)のY座標検
出方法 図5の中欄に示すようにY方向抵抗体膜52の両端のリ
ード電極Y1,Y2 にそれぞれ5V,0Vを印加して、X
方向抵抗体膜50の両端のリード電極X1,X2のいずれ
か一方または両方から、光スポットP(x,y)のY座
標に対応した電圧(以下「Y座標電圧」という)Vy を
得る。この際、流れる電流の向きは、上述の場合とは反
対になり、Y方向抵抗体膜52側からX方向抵抗体膜5
0側へ流れる。これ以外は、上述したX座標検出と同じ
である。
(B) Method for detecting Y coordinate of light spot P (x, y) As shown in the middle column of FIG. 5, 5V and 0V are applied to the lead electrodes Y1 and Y2 on both ends of the Y-direction resistor film 52, respectively. X
A voltage (hereinafter referred to as “Y coordinate voltage”) Vy corresponding to the Y coordinate of the light spot P (x, y) is obtained from one or both of the lead electrodes X1 and X2 at both ends of the directional resistor film 50. At this time, the direction of the flowing current is opposite to the above-mentioned case, and the X-direction resistor film 5 is moved from the Y-direction resistor film 52 side.
It flows to the 0 side. Other than this, it is the same as the X coordinate detection described above.

【0032】ここで、導光孔49の真下に位置する光電
変換膜51の中心点Oから得られるY座標電圧をVoy、
光電変換膜51のY軸方向の電位勾配[V/mm]をΔV
y とすると、光スポットP(x,y)のY座標に対応し
て検出されたY座標電圧Vyから光スポットP(x,
y)のY座標は、次のように表される。
Here, the Y coordinate voltage obtained from the center point O of the photoelectric conversion film 51 located directly below the light guide hole 49 is Voy,
The potential gradient [V / mm] of the photoelectric conversion film 51 in the Y-axis direction is ΔV
Let y be the light spot P (x, y) from the Y coordinate voltage Vy detected corresponding to the Y coordinate of the light spot P (x, y).
The Y coordinate of y) is represented as follows.

【0033】y=(Vy −Voy)/ΔVyY = (Vy-Voy) / ΔVy

【0034】(C)日射強度(光電流)の検出方法 図5の右欄に示すようにY方向抵抗体膜52の両端のリ
ード電極Y1,Y2 に共に5Vを印加して、Y方向抵抗体
膜52の全領域を同電位に保つ。この状態で、光スポッ
トが照射された位置に発生する光電流(Y方向抵抗体膜
52側からX方向抵抗体膜50側へ流れる電流)を検出
する。この光電流は、光スポットがどこに照射されても
変わらず(Y方向抵抗体膜52の全領域が同電位である
ため)、日射強度(入射光量)に応じて変化する信号と
なる。
(C) Method of detecting solar radiation intensity (photocurrent) As shown in the right column of FIG. 5, 5V is applied to both lead electrodes Y1 and Y2 on both ends of the Y-direction resistor film 52 to apply the Y-direction resistor. The entire area of the membrane 52 is kept at the same potential. In this state, the photocurrent (current flowing from the Y-direction resistor film 52 side to the X-direction resistor film 50 side) generated at the position where the light spot is irradiated is detected. This photocurrent does not change wherever the light spot is irradiated (because the entire region of the Y-direction resistor film 52 has the same potential), and becomes a signal that changes according to the solar radiation intensity (incident light amount).

【0035】尚、上述とは反対に、X方向抵抗体膜50
の両端のリード電極X1,X2 に共に5Vを印加して、X
方向抵抗体膜50側からY方向抵抗体膜52側へ流れる
光電流を検出するようにしても良いことは言うまでもな
い。
Contrary to the above, the X-direction resistor film 50 is formed.
Apply 5V to the lead electrodes X1 and X2 on both ends of
It goes without saying that the photocurrent flowing from the direction resistor film 50 side to the Y direction resistor film 52 side may be detected.

【0036】ここで、光スポットP(x,y)に発生す
る光電流をJ、日射強度をIとし、後述するようにして
求められる太陽光の入射仰角(高度)をθo とすると、
光電流Aは、 J=I×sin θo となるので、日射強度Iは、次の(1)式で求められ
る。
Here, when the photocurrent generated in the light spot P (x, y) is J, the solar radiation intensity is I, and the incident elevation angle (altitude) of sunlight obtained as described later is θo.
Since the photocurrent A is J = I × sin θo, the solar radiation intensity I is obtained by the following equation (1).

【0037】I=J/sin θo ……(1) しかし、実際には、レンズ44やガラス基板45の表面
で発生する光の反射による影響を受けるため、次の
(2)式によって上記(1)式を近似して日射強度Iを
求める。
I = J / sin θo (1) However, in reality, since it is affected by the reflection of light generated on the surface of the lens 44 and the glass substrate 45, the following (1) is given by the following equation (2). ) Is approximated to obtain the insolation intensity I.

【0038】[0038]

【数1】 この(2)式において、a,b,c,d,e,fは定数
である。
[Equation 1] In this equation (2), a, b, c, d, e and f are constants.

【0039】(D)太陽光の方位φの検出方法 図13に示すように、太陽光の方位φを光スポットP
(x,y)とY軸とのなす角度とすると、前述のように
して求められた光スポットP(x,y)の座標から、太
陽光の方位φは次のようにして求められる。
(D) Method of Detecting Sunlight Direction φ As shown in FIG.
Assuming the angle between (x, y) and the Y-axis, the azimuth φ of sunlight is calculated as follows from the coordinates of the light spot P (x, y) calculated as described above.

【0040】[0040]

【数2】 [Equation 2]

【0041】(E)太陽光の高度θo の検出方法 太陽光はレンズ44を透過して位置検出素子42のガラ
ス基板45に入射するため、図6に示すように、太陽光
はレンズ44の凸面部44aと凹面部44bでそれぞれ
屈折して位置検出素子42のガラス基板45に導かれる
ことになる。そこで、レンズ44の凸面部44aに対す
る太陽光の入射仰角(高度)をθo 、位置検出素子42
のガラス基板45の上面に対する太陽光の入射仰角をθ
1 とすると、レンズ44の光学作用により、θo とθ1
との関係は、図7に示すように、一次関数で表され、図
6に示された寸法設定の場合には、 θ1 =2/3×θo +30 ……(4) となる。この(4)式から太陽光の高度θo を求める式
は次の(5)のようになる。
(E) Method of detecting altitude θo of sunlight Since sunlight passes through the lens 44 and enters the glass substrate 45 of the position detecting element 42, the sunlight is convex on the lens 44 as shown in FIG. The light is refracted by the portion 44a and the concave portion 44b and is guided to the glass substrate 45 of the position detecting element 42. Therefore, the incident elevation angle (altitude) of sunlight on the convex surface portion 44a of the lens 44 is θo, and the position detection element 42
The incident elevation angle of sunlight on the upper surface of the glass substrate 45 of
If set to 1, θo and θ1
As shown in FIG. 7, the relationship between and is expressed by a linear function, and in the case of the dimension setting shown in FIG. 6, θ1 = 2/3 × θo + 30 (4). The formula for obtaining the altitude θo of the sunlight from the formula (4) is as the following formula (5).

【0042】 θo =3/2×θ1 −45 ……(5) 更に、位置検出素子42のガラス基板45で屈折される
入射光の角度をθ2 とし、ガラス基板45の屈折率をn
とし、空気の屈折率を1とすると、ガラス基板45への
入射仰角θ1 と、ガラス基板45で屈折される入射光の
角度θ2 との関係は次の(6)式で表される。
Θo = 3/2 × θ1 −45 (5) Further, the angle of incident light refracted by the glass substrate 45 of the position detecting element 42 is θ2, and the refractive index of the glass substrate 45 is n.
Then, assuming that the refractive index of air is 1, the relationship between the incident elevation angle θ1 to the glass substrate 45 and the angle θ2 of the incident light refracted by the glass substrate 45 is expressed by the following equation (6).

【0043】 sin (π/2−θ1 )/sin (π/2−θ2 )=n ……(6) そして、ガラス基板45の厚さ寸法をtとすると、ガラ
ス基板45への入射仰角θ1 は次の(7)式から求めら
れる。
Sin (π / 2−θ1) / sin (π / 2−θ2) = n (6) Then, assuming that the thickness dimension of the glass substrate 45 is t, the incident elevation angle θ1 to the glass substrate 45 is It is calculated from the following equation (7).

【0044】[0044]

【数3】 この(7)式において、αは、導光孔49の深さ(遮光
膜46の厚さ)によって光スポットの中心位置がずれる
ことを考慮した補正係数である。この(7)式により算
出されたθ1 を(5)式に代入することにより、太陽光
の高度θo が求められる。尚、導光孔49の深さによる
影響を無視できる場合には、α=0となり、(6)式を
用いてAは次のように表される。
[Equation 3] In the equation (7), α is a correction coefficient that takes into account the deviation of the center position of the light spot depending on the depth of the light guide hole 49 (thickness of the light shielding film 46). By substituting θ1 calculated by the equation (7) into the equation (5), the altitude θo of the sunlight can be obtained. When the influence of the depth of the light guide hole 49 can be ignored, α = 0, and A is expressed as follows using the equation (6).

【0045】[0045]

【数4】 [Equation 4]

【0046】次に、制御回路69による空調制御の流れ
を図10のフローチャートに従って説明する。まず、各
種データを初期設定し(ステップ201)、日射センサ
41や他のセンサ64〜67と操作パネル68から入力
されるデータを読み込む(ステップ202)。この後、
太陽光の高度θo と方位φを算出する(ステップ20
3)。ここで、太陽光の高度θo は、前述した(7)式
と(5)式を用いて算出し、方位φは、前述した(3)
式を用いて算出する。次いで、前述した(2)式を用い
て日射強度Iを算出する(ステップ204)。
Next, the flow of air conditioning control by the control circuit 69 will be described with reference to the flowchart of FIG. First, various data are initialized (step 201), and the data input from the solar radiation sensor 41 or other sensors 64 to 67 and the operation panel 68 are read (step 202). After this,
Calculate the altitude θo and direction φ of the sunlight (step 20)
3). Here, the altitude θo of the sunlight is calculated using the equations (7) and (5) described above, and the azimuth φ is the equation (3) described above.
Calculate using a formula. Next, the solar radiation intensity I is calculated using the above-mentioned equation (2) (step 204).

【0047】この後、太陽光の高度θo に対応する補正
係数Kを、ROM(図示せず)に記憶されているデータ
から求めて、この補正係数Kを日射強度Iに掛け合わせ
ることにより、太陽光の高度θo に応じて補正された日
射熱負荷量Qs を算出する(ステップ205)。次い
で、車室内の空調に必要な熱量(目標吹出温度TAO)を
上記日射熱負荷量Qs を用いて次式により算出する(ス
テップ206)。
After that, the correction coefficient K corresponding to the altitude θo of the sunlight is obtained from the data stored in the ROM (not shown), and the correction coefficient K is multiplied by the solar radiation intensity I to obtain the sun. A solar heat load amount Qs corrected according to the light altitude θo is calculated (step 205). Next, the amount of heat required for air conditioning in the passenger compartment (target blowout temperature TAO) is calculated by the following equation using the above-mentioned amount of solar heat load Qs (step 206).

【0048】 TAO=Kset ・Tset −Kr・Tr−Kam・Tam−Ks ・Qs +C ここで、Kset ,Kr,Kam・Ks ,Cは定数、Tset
は操作パネル68の温度設定スイッチ(図示せず)によ
り手動設定される設定温度、Trは室内気温センサ65
により検出される室内温度、Tamは外気温センサ64に
より検出される外気温度である。
TAO = Kset.Tset-Kr.Tr-Kam.Tam-Ks.Qs + C where Kset, Kr, Kam.Ks and C are constants and Tset
Is a set temperature manually set by a temperature setting switch (not shown) on the operation panel 68, and Tr is the indoor temperature sensor 65.
The room temperature Tam detected by Tam is the outside air temperature detected by the outside air temperature sensor 64.

【0049】この様にして求めた目標吹出温度TAOと、
エバ後温センサ66により検出したエバ後温度に基づい
て、吹出風量と吹出温度を算出し(ステップ207)、
更に、ステップ203で算出した太陽光の高度θo と方
位φに基づいて、左右のベント吹出口(図示せず)から
吹き出す風量の比を算出する(ステップ208)。以
後、上述したステップ202〜208を繰り返し実行
し、その都度、算出された吹出風量、吹出風温度及び左
右風量比に応じて空調装置70を制御する。
The target outlet air temperature TAO thus obtained,
Based on the post-evaporator temperature detected by the post-evaporator temperature sensor 66, the blown air volume and the blown-out temperature are calculated (step 207),
Further, based on the altitude θo of the sunlight and the azimuth φ calculated in step 203, the ratio of the air volume blown out from the left and right vent outlets (not shown) is calculated (step 208). After that, the above-described steps 202 to 208 are repeatedly executed, and the air conditioner 70 is controlled according to the calculated blown air volume, blown air temperature, and left / right air volume ratio each time.

【0050】以上説明した第1実施例によれば、日射セ
ンサ41に入射する太陽光をレンズ44により屈折させ
るようにしたので、たとえ太陽光の高度θo が低くて
も、位置検出素子42の上面に対する太陽光の入射仰角
θ1 を大きくできて、位置検出素子42へ入射する太陽
光の反射を抑制することができる。これにより、太陽光
の高度θo が低い場合や曇りの日でも、位置検出素子4
2への入射光量を多く確保することができて、太陽光の
方位、高度及び強度を精度良く検出できる。
According to the first embodiment described above, the sunlight incident on the solar radiation sensor 41 is refracted by the lens 44. Therefore, even if the altitude θo of the sunlight is low, the upper surface of the position detecting element 42 is prevented. The incident elevation angle θ1 of the sunlight with respect to can be increased, and the reflection of the sunlight incident on the position detection element 42 can be suppressed. As a result, even when the altitude θo of sunlight is low or on a cloudy day, the position detection element 4
It is possible to secure a large amount of light incident on the light source 2, and it is possible to accurately detect the azimuth, altitude, and intensity of sunlight.

【0051】本発明者らは第1実施例のようなレンズ装
着品の検出性能を評価するために、レンズ未装着品と性
能を比較する試験を行ったので、その試験結果を図11
と図12に示す。これら各図において、(a)はレンズ
装着品、(b)はレンズ未装着品の試験結果を示してい
る。これらの試験結果から明らかなように、レンズ未装
着品(b)では、太陽光の高度が15°以下で、日射強
度の検出が困難になると共に、高度の検出精度が著しく
悪くなるのに対し、第1実施例のようなレンズ装着品
(a)では、太陽光の高度が15°以下でも、日射強度
・高度ともに精度良く検出できることが確認されてい
る。
The present inventors conducted a test for comparing the performance with the lens-unmounted product in order to evaluate the detection performance of the lens-mounted product as in the first embodiment. The test results are shown in FIG.
And shown in FIG. In each of these figures, (a) shows a test result of a lens-mounted product, and (b) shows a test result of a lens-unmounted product. As is clear from these test results, in the lens-unmounted product (b), the altitude of sunlight is 15 ° or less, which makes it difficult to detect the insolation intensity and significantly deteriorates the accuracy of altitude detection. It has been confirmed that in the lens-mounted product (a) as in the first embodiment, both the solar radiation intensity and the altitude can be accurately detected even when the altitude of sunlight is 15 ° or less.

【0052】尚、上記第1実施例に用いたレンズ44
は、焦点距離が無限大になっていて、導光孔49へ向か
う太陽光の光束が平行に屈折されるように設計されてい
るが、図14に示す本発明の第2実施例のように、太陽
光の光束が平行に屈折されない有限の焦点距離をもつレ
ンズ75を光学素子として使用しても良い。この場合に
は、導光孔49の中心を通る太陽光線のみが正しく変換
され、導光孔49の周辺を通る太陽光線は理想値からず
れることになるが、導光孔49の径を小さくすれば、検
出誤差は無視できるレベルとなる。
The lens 44 used in the first embodiment described above.
Has an infinite focal length and is designed so that the light flux of the sunlight toward the light guide hole 49 is refracted in parallel. However, as in the second embodiment of the present invention shown in FIG. Alternatively, the lens 75 having a finite focal length in which the light flux of sunlight is not refracted in parallel may be used as an optical element. In this case, only the sun rays passing through the center of the light guide hole 49 are correctly converted, and the sun rays passing through the periphery of the light guide hole 49 deviate from the ideal values, but the diameter of the light guide hole 49 can be reduced. If so, the detection error is at a level that can be ignored.

【0053】また、日射センサの上面に装着するレンズ
(光学素子)の形状は、上記各実施例に限定されず、例
えば図15乃至図17に示す本発明の第3実施例のよう
にレンズ76を形成しても良い。このレンズ76は、上
面側に平坦部76aを有するテーパ面部76bが形成さ
れ、下面側に平坦部76cを有する凹面部76dが形成
されている。このレンズ76の各部の寸法は、図16に
示されている。このレンズ76に対する太陽光の入射仰
角(高度)をθo 、位置検出素子42の上面に対する太
陽光の入射仰角をθ1 とすると、レンズ76の光屈折作
用により、θoとθ1 との関係は図17に示すように表
され、図16に示された寸法設定の場合には、次の通り
となる。
Further, the shape of the lens (optical element) mounted on the upper surface of the solar radiation sensor is not limited to the above-mentioned respective embodiments, and for example, the lens 76 as in the third embodiment of the present invention shown in FIGS. May be formed. The lens 76 has a tapered surface portion 76b having a flat portion 76a on the upper surface side and a concave surface portion 76d having a flat portion 76c on the lower surface side. The dimensions of each part of the lens 76 are shown in FIG. When the incident elevation angle (altitude) of the sunlight on the lens 76 is θo and the incident elevation angle of the sunlight on the upper surface of the position detecting element 42 is θ1, the relationship between θo and θ1 is shown in FIG. In the case of the dimension setting shown in FIG. 16 and shown in FIG.

【0054】 0≦θo <50°のときは、θ1 =θo /2+25 50°≦θo ≦90°のときは、θ1 =θo となる。When 0 ≦ θo <50 °, θ1 = θo / 2 + 25 When 50 ° ≦ θo ≦ 90 °, θ1 = θo

【0055】この第3実施例では、50°以上の高度の
太陽光が透過するレンズ76の中央は、平坦部76a,
76cとなっているので、この平坦部76a,76cを
通る高い高度の太陽光は不必要に屈折されずに済み、演
算処理が容易になると共に、不必要なレンズ作用が避け
られる等の利点がある。
In the third embodiment, the center of the lens 76, through which sunlight at an altitude of 50 ° or higher is transmitted, has a flat portion 76a,
Since it is 76c, the high altitude sunlight passing through the flat portions 76a and 76c is not unnecessarily refracted, which facilitates the arithmetic processing and avoids an unnecessary lens action. is there.

【0056】一方、前述した第1実施例では、レンズ4
4の下面側に形成された位置決め用ボス部71の下端の
小突起72を、位置検出素子42のモールド樹脂48に
形成された位置決め穴73に嵌合することにより、位置
検出素子42に対してレンズ44の水平方向及び上下方
向の位置決めを行うようにしたので、組立精度を向上で
きる利点がある。このレンズ44の位置決め構造は種々
の変更が可能であり、例えば図18に示す本発明の第4
実施例のように、レンズ44の下面側に形成された位置
決め用ボス部71の下端の小突起72を、位置検出素子
42が実装された配線基板58の位置決め穴77に嵌合
するようにしても良い。勿論、これ以外の位置決め構造
を採用しても良いことは言うまでもない。
On the other hand, in the first embodiment described above, the lens 4
By fitting the small projection 72 at the lower end of the positioning boss portion 71 formed on the lower surface side of 4 into the positioning hole 73 formed in the mold resin 48 of the position detecting element 42, Since the lens 44 is positioned in the horizontal direction and the vertical direction, there is an advantage that the assembly accuracy can be improved. The positioning structure of the lens 44 can be modified in various ways. For example, the fourth structure of the present invention shown in FIG.
As in the embodiment, the small projection 72 at the lower end of the positioning boss portion 71 formed on the lower surface side of the lens 44 is fitted into the positioning hole 77 of the wiring board 58 on which the position detection element 42 is mounted. Is also good. Of course, it goes without saying that a positioning structure other than this may be adopted.

【0057】以上説明した第1乃至第4の各実施例は、
特許請求の範囲に記載した請求項2の発明を具体化した
実施例である。
The first to fourth embodiments described above are
It is an embodiment embodying the invention of claim 2 described in the claims.

【0058】一方、図19乃至図23に示した本発明の
第5実施例は、請求項3の発明を具体化したものであ
る。この第5実施例の日射センサ81も、前述した第1
実施例(図8参照)と同じく、例えば自動車62のダッ
シュボード63の上面に取り付けられているが、位置検
出素子42の上面に対する太陽光の入射仰角θを大きく
するために、日射センサ41全体を位置検出素子42が
自動車62の進行方向の斜め上方に向くように傾斜させ
て設置している。この位置検出素子42の傾斜角度αは
30°以下であれば良いが、好ましくは10°前後であ
る。
On the other hand, the fifth embodiment of the present invention shown in FIGS. 19 to 23 embodies the invention of claim 3. The solar radiation sensor 81 of the fifth embodiment is also the same as the first embodiment described above.
Similar to the embodiment (see FIG. 8), for example, the solar sensor 41 is mounted on the upper surface of the dashboard 63 of the automobile 62. The position detecting element 42 is installed so as to be inclined so as to face obliquely upward in the traveling direction of the automobile 62. The tilt angle α of the position detecting element 42 may be 30 ° or less, but is preferably about 10 °.

【0059】この日射センサ81は、傾斜配置されてい
る点、及び上面に透明カバー82が装着されている点を
除き、前述した第1実施例の日射センサ41と同じ構成
である。尚、上記透明カバー82は、低高度の太陽光の
透過性を良くするために若干凸レンズ状に形成されてい
るが、単純な平板状や曲面状であっても良いことは言う
までもない。
The solar radiation sensor 81 has the same structure as the solar radiation sensor 41 of the first embodiment described above, except that the solar radiation sensor 81 is inclined and the transparent cover 82 is mounted on the upper surface. The transparent cover 82 is formed in a slightly convex lens shape in order to improve the transparency of low altitude sunlight, but it goes without saying that it may be a simple flat plate shape or a curved surface shape.

【0060】次に、この日射センサ81を使用して太陽
光の高度θ、方位φ及び強度Iを求める方法を説明す
る。
Next, a method for obtaining the altitude θ, azimuth φ and intensity I of sunlight using this solar radiation sensor 81 will be described.

【0061】図21に示す座標設定(導光孔49を原点
にしてX−Y座標軸を水平にした場合)における太陽光
の入射方向は、(−cos θcos φ,−cos θsin φ,−
sinθ)と表される。ここで、X軸方向は自動車62の
進行方向、Y軸方向は運転席側から見て水平左方向、Z
軸方向は鉛直上方に設定されている。
In the coordinate setting shown in FIG. 21 (when the light guide hole 49 is the origin and the XY coordinate axes are horizontal), the incident direction of sunlight is (-cos θcos φ, −cos θsin φ, −
sin θ). Here, the X-axis direction is the traveling direction of the automobile 62, the Y-axis direction is the horizontal left direction when viewed from the driver's seat side, and the Z-axis direction is Z.
The axial direction is set vertically above.

【0062】この図21の座標系をY軸の回りに角度α
だけ傾斜させると(図22参照)、新しい座標系で太陽
光の入射方向(X,Y,Z)は次式で表される。
The coordinate system of FIG. 21 is rotated by an angle α around the Y axis.
When tilted only (see FIG. 22), the incident direction (X, Y, Z) of sunlight is expressed by the following equation in the new coordinate system.

【0063】[0063]

【数5】 ここで、入射光の屈折方向を(X´,Y´,Z´)とす
ると、
[Equation 5] Here, if the refraction direction of the incident light is (X ', Y', Z '),

【数6】 更に、ガラス基板45の屈折率をnとすると、屈折の法
則から、
[Equation 6] Further, assuming that the refractive index of the glass substrate 45 is n, from the law of refraction,

【数7】 従って、これら各式と前記(8)式より、屈折方向(X
´,Y´,Z´)は次式で求められる。
[Equation 7] Therefore, from these equations and the equation (8), the refraction direction (X
′, Y ′, Z ′) is calculated by the following equation.

【0064】[0064]

【数8】 更に、z=t(tはガラス基板45の厚さ)、x/X´
=y/Y´=z/Z´であるので、光スポットP(x,
y)の座標は、次式で求められる。
[Equation 8] Furthermore, z = t (t is the thickness of the glass substrate 45), x / X '
= Y / Y '= z / Z', the light spot P (x,
The coordinates of y) are calculated by the following equation.

【0065】[0065]

【数9】 従って、太陽光の高度θと方位φは次式で求められる。[Equation 9] Therefore, the altitude θ and the azimuth φ of sunlight are calculated by the following equations.

【0066】[0066]

【数10】 一方、日射強度Iは次式で求められる。[Equation 10] On the other hand, the solar radiation intensity I is calculated by the following equation.

【0067】[0067]

【数11】 ここで、A(θ)は出力電流である。また、f(θ,
φ)は、入射方向(X,Y,Z)と位置検出素子42の
法線ベクトル(0,0,−1)との内積であり、 f(θ,φ)=(X,Y,Z)・(0,0,−1) =sin θcos α+sin αcos θcos φ となる。
[Equation 11] Here, A (θ) is the output current. Also, f (θ,
φ) is the inner product of the incident direction (X, Y, Z) and the normal vector (0, 0, −1) of the position detection element 42, and f (θ, φ) = (X, Y, Z)・ (0,0, -1) = sin θcos α + sin αcos θcos φ

【0068】以上説明した第5実施例では、位置検出素
子42を角度αだけ傾斜させることによって、第1乃至
第4の各実施例に示されたレンズ44,75,76を用
いることなく、これらと同じ光反射抑制効果を得ること
ができる。
In the fifth embodiment described above, the position detecting element 42 is tilted by the angle α, so that the lenses 44, 75 and 76 shown in the first to fourth embodiments are not used. The same light reflection suppressing effect as can be obtained.

【0069】ところで、図20(b)に示す比較例のよ
うに、位置検出素子42を水平に設置した場合、太陽光
の高度θが低いと、ガラス基板45の上面での反射光量
が多すぎて、光電変換膜51へ到達する光スポットPの
光量が少なくなってしまう。このため、光スポットPの
位置に発生する光電流A´が小さくなってしまい、この
光電流A´が、空からの散乱光(天空輻射)により導光
孔49の真下に発生する光電流B´に近付いてしまう。
通常、位置検出素子42は、光電流A´,B´の重心の
位置を光スポット位置として検出するため、上述のよう
に、A´がB´に近付くと、検出される光スポット位置
がPからP´へ大きくシフトしてしまい、太陽光の高度
θが実際よりもかなり高く検出されてしまう欠点がある
(図23の×印参照)。
By the way, when the position detecting element 42 is installed horizontally as in the comparative example shown in FIG. 20B, if the altitude θ of sunlight is low, the amount of reflected light on the upper surface of the glass substrate 45 is too large. As a result, the amount of light of the light spot P reaching the photoelectric conversion film 51 decreases. For this reason, the photocurrent A ′ generated at the position of the light spot P becomes small, and this photocurrent A ′ is generated directly below the light guide hole 49 due to scattered light from the sky (sky radiation). It approaches ´.
Normally, the position detecting element 42 detects the position of the center of gravity of the photocurrents A ′ and B ′ as the light spot position. Therefore, when A ′ approaches B ′, the detected light spot position is P, as described above. There is a drawback that the altitude θ of the sunlight is detected to be considerably higher than the actual value because it is largely shifted from P to P ′ (see x mark in FIG. 23).

【0070】この点、第5実施例では、図20(a)に
示されているように、位置検出素子42を角度αだけ傾
斜させているので、実際の日射高度θよりも角度αだけ
高い角度で太陽光が位置検出素子42に入射することに
なり、その分、位置検出素子42の上面での反射光量が
少なくなって、入射する光スポットの光量が傾斜角度α
分だけ増加する。このため、空からの散乱光(天空輻
射)による光電流Bよりも入射太陽光の光スポットによ
る光電流Aの方が十分に大きくなり、例えば、15°以
下の低い高度でも散乱光(天空輻射)の影響をあまり受
けずに済み、太陽光の高度、方位及び強度を精度良く検
出することができる。
In this regard, in the fifth embodiment, as shown in FIG. 20 (a), the position detecting element 42 is tilted by the angle α, so that it is higher than the actual insolation altitude θ by the angle α. Since the sunlight is incident on the position detecting element 42 at an angle, the amount of reflected light on the upper surface of the position detecting element 42 is reduced accordingly, and the amount of incident light spot is reduced by the inclination angle α.
Increase by minutes. For this reason, the photocurrent A due to the light spot of the incident sunlight becomes sufficiently larger than the photocurrent B due to the scattered light (sky radiation) from the sky, and for example, the scattered light (sky radiation) is low even at a low altitude of 15 ° or less. ), It is possible to detect the altitude, direction and intensity of sunlight with high accuracy.

【0071】ちなみに、本発明者らが行った性能比較試
験(図23参照)によれば、位置検出素子42を水平設
置(傾斜角度α=0°)にした場合には、図23に×印
で示すように15°以下で検出精度が大幅に低下するの
に対し、第5実施例のように位置検出素子42を傾斜さ
せた場合には、図23に黒四角印で示すように太陽光の
高度が15°以下でも検出精度を良好に維持できること
が確認されている。
Incidentally, according to the performance comparison test conducted by the present inventors (see FIG. 23), when the position detecting element 42 is installed horizontally (inclination angle α = 0 °), the mark x in FIG. The detection accuracy is significantly reduced at 15 ° or less, as shown in FIG. 4, whereas when the position detection element 42 is tilted as in the fifth embodiment, the sunlight is indicated by black squares in FIG. It has been confirmed that the detection accuracy can be maintained well even when the altitude of 15 ° or less.

【0072】尚、第5実施例では、日射センサ41全体
を傾斜させているが、ケース43や透明カバー82等を
傾斜させずに位置検出素子42のみを傾斜させたり、或
は、位置検出素子42とこれに付随する配線基板58等
のみを傾斜させるようにしても良く、この場合でも、ほ
ぼ同様の効果を得ることができる。
Although the solar radiation sensor 41 is tilted in the fifth embodiment, only the position detecting element 42 is tilted without tilting the case 43 or the transparent cover 82, or the position detecting element is tilted. It is also possible to incline only 42 and the wiring board 58 and the like associated therewith, and even in this case, substantially the same effect can be obtained.

【0073】一方、図24乃至図26に示した本発明の
第6実施例は、請求項4の発明を具体化したものであ
る。この第6実施例では、光の反射が屈折率の差が大き
な媒質の界面で多く発生する点に着目し、日射センサ8
5のケース43の上面に装着された透明カバー86と位
置検出素子42のガラス基板45との間に、透明カバー
86とガラス基板45の屈折率に近い屈折率の透明充填
材87を充填している。この場合、透明カバー86は、
例えば屈折率が1.4〜1.6の透明樹脂により形成さ
れ、ガラス基板45は屈折率が約1.5である。そこ
で、透明充填材87としては、例えば屈折率が1.43
〜1.48の透明シリコーン樹脂[信越化学工業株式会
社製KE109(A,B)]を使用している。この透明
シリコーン樹脂は、充填後、例えば100℃で1時間経
過後に固化した状態となる。
On the other hand, the sixth embodiment of the present invention shown in FIGS. 24 to 26 embodies the invention of claim 4. In the sixth embodiment, attention is paid to the fact that a large amount of light reflection occurs at the interface of media having a large difference in refractive index.
5, a transparent filler 86 having a refractive index close to that of the transparent cover 86 and the glass substrate 45 is filled between the transparent cover 86 mounted on the upper surface of the case 43 and the glass substrate 45 of the position detection element 42. There is. In this case, the transparent cover 86 is
For example, the glass substrate 45 is formed of a transparent resin having a refractive index of 1.4 to 1.6, and the glass substrate 45 has a refractive index of about 1.5. Therefore, the transparent filler 87 has, for example, a refractive index of 1.43.
A transparent silicone resin of ˜1.48 [KE109 (A, B) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.] is used. The transparent silicone resin is in a solidified state after, for example, 1 hour at 100 ° C. after filling.

【0074】この第6実施例の日射センサ85も、前述
した第1実施例(図8参照)と同じく、例えば自動車6
2のダッシュボード63の上面に水平に取り付けられて
いる。これ以外の構成は、前述した第1実施例と同じで
ある。
The solar radiation sensor 85 of the sixth embodiment is, for example, an automobile 6 as in the first embodiment (see FIG. 8) described above.
It is horizontally attached to the upper surface of the second dashboard 63. The configuration other than this is the same as that of the first embodiment described above.

【0075】ところで、図27に示す比較例のように、
透明カバー86と位置検出素子42のガラス基板45と
の間に空気層(屈折率=1)があると、透明カバー86
と空気層との間の界面及び空気層とガラス基板45との
間の界面で、光の反射が発生し易い。この光の反射量
は、屈折率の差が大きいほど多くなり、光透過率が悪く
なる。特に、屈折率が大きい媒質(透明カバー86)か
ら屈折率の小さい媒質(空気層)へ屈折するときの光の
反射量が最も大きい。
By the way, as in the comparative example shown in FIG.
If there is an air layer (refractive index = 1) between the transparent cover 86 and the glass substrate 45 of the position detection element 42, the transparent cover 86
Reflection of light is likely to occur at the interface between the air layer and the air layer and the interface between the air layer and the glass substrate 45. The greater the difference in refractive index, the greater the amount of light reflected, and the poorer the light transmittance. In particular, the amount of light reflected when refracting from a medium with a large refractive index (transparent cover 86) to a medium with a small refractive index (air layer) is the largest.

【0076】そこで、この第6実施例では、透明カバー
86と位置検出素子42のガラス基板45との間に、透
明カバー86とガラス基板45の屈折率に近い屈折率の
透明充填材87を充填することによって、これら三者間
の屈折率の差を小さくしている。このため、これら三者
間の界面での光の反射が抑えられて、光透過率が高くな
り、光電変換膜51に到達する光スポットの光量が増加
する。
Therefore, in the sixth embodiment, a transparent filler 87 having a refractive index close to that of the transparent cover 86 and the glass substrate 45 is filled between the transparent cover 86 and the glass substrate 45 of the position detecting element 42. By doing so, the difference in the refractive index between these three is reduced. Therefore, the reflection of light at the interface between the three is suppressed, the light transmittance is increased, and the light amount of the light spot reaching the photoelectric conversion film 51 is increased.

【0077】ちなみに、本発明者らによる光透過率の計
算結果によれば、図25に示すように、透明カバー86
の屈折率が1.45、透明充填材87の屈折率が1.4
8、ガラス基板45の屈折率が1.52の場合、例えば
15°以下の低い高度でも十分に大きな光透過率を確保
できて、光電変換膜51に到達する光スポットの光量を
十分に大きくできる。このため、空からの散乱光(天空
輻射)による光電流Bよりも入射太陽光の光スポットに
よる光電流Aの方が十分に大きくなり、例えば15°以
下の低い高度でも散乱光(天空輻射)の影響をあまり受
けずに済み、太陽光の高度、方位及び強度を精度良く検
出することができる。
Incidentally, according to the calculation result of the light transmittance by the present inventors, as shown in FIG.
Has a refractive index of 1.45, and the transparent filler 87 has a refractive index of 1.4.
8. When the refractive index of the glass substrate 45 is 1.52, a sufficiently large light transmittance can be secured even at a low altitude of 15 ° or less, and the light quantity of the light spot reaching the photoelectric conversion film 51 can be sufficiently increased. . Therefore, the photocurrent A due to the light spot of the incident sunlight is sufficiently larger than the photocurrent B due to the scattered light (sky radiation) from the sky, and the scattered light (sky radiation) is generated even at a low altitude of 15 ° or less, for example. It is possible to detect the altitude, azimuth and intensity of sunlight with high accuracy without being significantly affected by.

【0078】この場合、図26に示すように、太陽光の
高度をθo とし、透明カバー86→透明充填材87→ガ
ラス基板45で順に屈折される光の入射仰角をそれぞれ
θ1,θ2,θ3 とし、透明カバー86の屈折率をn1 、透
明充填材87の屈折率をn2、ガラス基板45の屈折率
をn3 とすると、下記の数式が成り立つ。
In this case, as shown in FIG. 26, the altitude of sunlight is θo, and the incident elevation angles of light refracted sequentially by the transparent cover 86 → transparent filler 87 → glass substrate 45 are θ1, θ2, θ3, respectively. Assuming that the refractive index of the transparent cover 86 is n1, the refractive index of the transparent filling material 87 is n2, and the refractive index of the glass substrate 45 is n3, the following formulas are established.

【0079】[0079]

【数12】 これらの数式を解くことによって、太陽光の高度θo が
求められる。
[Equation 12] By solving these mathematical expressions, the altitude θo of the sunlight can be obtained.

【0080】尚、透明充填材87は、透明な材質であれ
ば、固体(例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等)、液
体、半流動体、弾性体のいずれであっても良いが、固体
や弾性体を使用すれば、透明充填材87の封止構造を簡
略化できる利点がある。また、透明カバー86の形状
も、種々の変更が可能であり、前述した第5実施例のよ
うに若干凸レンズ状に形成したり、単純な平板状に形成
しても良い。
The transparent filler 87 may be any solid (eg, epoxy resin, acrylic resin, etc.), liquid, semi-fluid, or elastic body as long as it is a transparent material. Is used, there is an advantage that the sealing structure of the transparent filler 87 can be simplified. Further, the shape of the transparent cover 86 can be variously changed, and may be formed in a slightly convex lens shape as in the fifth embodiment described above, or may be formed in a simple flat plate shape.

【0081】また、第1乃至第6の各実施例を適宜組み
合わせて実施するようにしても良い。例えば、第6実施
例以外の実施例についても、レンズ(透明カバー)と位
置検出素子との間に透明充填材を充填しても良く、ま
た、第5実施例以外の実施例についても、位置検出素子
を傾斜させて設置するようにしても良い。
Further, each of the first to sixth embodiments may be appropriately combined and implemented. For example, the transparent filler may be filled between the lens (transparent cover) and the position detecting element in any of the embodiments other than the sixth embodiment, and the positions of the embodiments other than the fifth embodiment may be changed. You may make it install a detection element inclining.

【0082】その他、本発明の日射センサは、自動車用
空調装置に使用するものに限定されず、種々の場所で、
太陽光の高度、方位、強度を検出する日射センサとして
広く利用できる等、種々変更して実施できる。
In addition, the solar radiation sensor of the present invention is not limited to the one used in the air conditioner for automobiles, and can be used in various places.
It can be widely modified as a solar radiation sensor for detecting the altitude, direction, and intensity of sunlight, and various modifications can be made.

【0083】[0083]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、位置検出素子の上方に光学素子を設けたり、
位置検出素子を傾斜させたり、位置検出素子と透明カバ
ーとの間に透明充填材を充填することによって、位置検
出素子へ入射する太陽光の反射を抑制することができる
ので、位置検出素子に入射する太陽光の光量を増大でき
て、太陽光の高度が低い場合や曇りの日でも太陽光の高
度、方位、強度を精度良く検出することができるという
優れた効果を奏する。
As is apparent from the above description, according to the present invention, an optical element is provided above the position detecting element,
By tilting the position detection element or filling a transparent filler between the position detection element and the transparent cover, it is possible to suppress reflection of sunlight incident on the position detection element. Therefore, it is possible to increase the amount of sunlight that is generated, and it is possible to accurately detect the altitude, direction, and intensity of sunlight even when the altitude of sunlight is low or on a cloudy day.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例を示す日射センサの縦断面
FIG. 1 is a vertical sectional view of a solar radiation sensor showing a first embodiment of the present invention.

【図2】位置検出素子の斜め上方から見た斜視図FIG. 2 is a perspective view of the position detection element when viewed from diagonally above.

【図3】モールド樹脂を取り除いて示す位置検出素子の
斜め下方から見た斜視図
FIG. 3 is a perspective view of the position detection element shown with a mold resin removed, as viewed from obliquely below.

【図4】位置検出素子の構造を模式的に示す縦断面図FIG. 4 is a vertical sectional view schematically showing the structure of a position detection element.

【図5】X座標・Y座標・光電流の検出方法を説明する
FIG. 5 is a diagram for explaining a method of detecting an X coordinate, a Y coordinate, and a photocurrent.

【図6】レンズの各部の寸法を示す図FIG. 6 is a diagram showing dimensions of each part of the lens.

【図7】太陽光の高度θo と位置検出素子への入射仰角
θ1 との関係を示す図
FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the altitude θo of sunlight and the incident elevation angle θ1 of the position detection element.

【図8】日射センサの設置場所を示す自動車の斜視図FIG. 8 is a perspective view of the automobile showing the installation location of the solar radiation sensor.

【図9】電気的構成を示すブロック図FIG. 9 is a block diagram showing an electrical configuration.

【図10】制御の流れを示すフローチャートFIG. 10 is a flowchart showing the flow of control.

【図11】レンズ装着品(a)とレンズ未装着品(b)
について設定高度と検出日射強度との関係を示す図
FIG. 11 is a lens-mounted product (a) and a lens-unmounted product (b).
About the set altitude and detected insolation intensity

【図12】レンズ装着品(a)とレンズ未装着品(b)
について設定高度と検出高度との関係を示す図
[FIG. 12] Lens-equipped product (a) and lens-unequipped product (b)
About the relationship between the set altitude and the detected altitude

【図13】太陽光の高度及び方位を算出するための説明
FIG. 13 is an explanatory diagram for calculating the altitude and direction of sunlight.

【図14】本発明の第2実施例を示す要部の縦断面図FIG. 14 is a vertical cross-sectional view of a main part showing a second embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第3実施例を示す要部の縦断面図FIG. 15 is a vertical cross-sectional view of a main part showing a third embodiment of the present invention.

【図16】レンズの各部の寸法を示す図FIG. 16 is a diagram showing the dimensions of each part of the lens.

【図17】太陽光の高度θo と位置検出素子への入射仰
角θ1 との関係を示す図
FIG. 17 is a diagram showing the relationship between the altitude θo of sunlight and the incident elevation angle θ1 of the position detection element.

【図18】本発明の第4実施例を示す要部の縦断面図FIG. 18 is a vertical cross-sectional view of a main part showing a fourth embodiment of the present invention.

【図19】本発明の第5実施例を示す日射センサの縦断
面図
FIG. 19 is a vertical sectional view of a solar radiation sensor showing a fifth embodiment of the present invention.

【図20】位置検出素子を傾斜させた場合(a)と位置
検出素子を水平に設置した場合(b)とを比較して作用
・効果を説明する図
FIG. 20 is a view for explaining the action and effect by comparing the case where the position detecting element is tilted (a) and the case where the position detecting element is installed horizontally (b).

【図21】基準となる座標軸(傾斜角度α=0°)の取
り方を説明する図
FIG. 21 is a diagram illustrating how to take a reference coordinate axis (tilt angle α = 0 °).

【図22】座標軸を位置検出素子の傾斜角度αに合わせ
て傾斜させたときの座標変換を説明する図
FIG. 22 is a diagram for explaining coordinate conversion when the coordinate axis is tilted according to the tilt angle α of the position detection element.

【図23】検出高度についての性能比較試験結果を示す
FIG. 23 is a diagram showing the results of a performance comparison test on the detected altitude.

【図24】本発明の第6実施例を示す要部の縦断面図FIG. 24 is a vertical cross-sectional view of the essential parts showing the sixth embodiment of the present invention.

【図25】透明充填材を使用した場合の高度と光透過率
との関係を示す図
FIG. 25 is a diagram showing the relationship between altitude and light transmittance when a transparent filler is used.

【図26】入射光の屈折角度を説明する図FIG. 26 is a diagram illustrating a refraction angle of incident light.

【図27】比較例の欠点を説明する図FIG. 27 is a diagram illustrating a defect of the comparative example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

41は日射センサ、42は位置検出素子、43はケー
ス、44はレンズ(光学素子)、45はガラス基板、4
6は遮光膜、47は光検出部、48はモールド樹脂、4
9は導光孔、50はX方向抵抗体膜、51は光電変換
膜、52はY方向抵抗体膜、53はn型半導体膜、54
はi型半導体膜、55はp型半導体膜、56はi型半導
体膜、57はn型半導体膜、75及び76はレンズ(光
学素子)、81は日射センサ、82は透明カバー、85
は日射センサ、86は透明カバー、87は透明充填材で
ある。
41 is a solar radiation sensor, 42 is a position detection element, 43 is a case, 44 is a lens (optical element), 45 is a glass substrate, 4
6 is a light-shielding film, 47 is a light detecting portion, 48 is a molding resin, 4
9 is a light guide hole, 50 is an X-direction resistor film, 51 is a photoelectric conversion film, 52 is a Y-direction resistor film, 53 is an n-type semiconductor film, 54
Is an i-type semiconductor film, 55 is a p-type semiconductor film, 56 is an i-type semiconductor film, 57 is an n-type semiconductor film, 75 and 76 are lenses (optical elements), 81 is a solar sensor, 82 is a transparent cover, 85
Is a solar radiation sensor, 86 is a transparent cover, and 87 is a transparent filler.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 豊 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 寺田 知司 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yutaka Maeda, 1-1, Showa-cho, Kariya city, Aichi Prefecture, Nihon Denso Co., Ltd. (72) Inventor, Tomoji Terada, 1-1, Showa-cho, Kariya city, Aichi prefecture Within the corporation

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 太陽光をスポット状に入射させてその光
スポットの位置・光量から太陽光の方位、高度及び強度
を検出するための位置検出素子を内蔵した日射センサに
おいて、前記位置検出素子へ入射する太陽光の反射を抑
制するように構成したことを特徴とする日射センサ。
1. A solar radiation sensor having a built-in position detecting element for detecting the azimuth, the altitude and the intensity of sunlight from the position / light quantity of the light spot by injecting sunlight in a spot shape, to the position detecting element. A solar radiation sensor, which is configured to suppress reflection of incident sunlight.
【請求項2】 前記位置検出素子の上面に対する太陽光
の入射仰角を大きくするように入射太陽光を屈折させる
光学素子を設けたことを特徴とする請求項1記載の日射
センサ。
2. The solar radiation sensor according to claim 1, further comprising an optical element that refracts incident sunlight so as to increase an incident elevation angle of sunlight on the upper surface of the position detection element.
【請求項3】 前記位置検出素子の上面に対する太陽光
の入射仰角を大きくするように少なくとも前記位置検出
素子を傾斜させて設置したことを特徴とする請求項1記
載の日射センサ。
3. The solar radiation sensor according to claim 1, wherein at least the position detecting element is installed so as to be inclined so as to increase an incident elevation angle of sunlight on the upper surface of the position detecting element.
【請求項4】 前記位置検出素子の上方を覆う透明カバ
ーを備え、この透明カバーと前記位置検出素子との間
に、これら両者の屈折率に近い屈折率の透明充填材を充
填したことを特徴とする請求項1記載の日射センサ。
4. A transparent cover is provided to cover the position detecting element from above, and a transparent filler having a refractive index close to that of the transparent cover and the position detecting element is filled between the transparent cover and the position detecting element. The solar radiation sensor according to claim 1.
JP22604292A 1992-08-25 1992-08-25 Solar radiation sensor Pending JPH0677525A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9879884B2 (en) 2014-09-30 2018-01-30 Ut-Battelle, Llc Self-calibrating solar position sensor

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