JPH0677378A - Manufacture of ceramic package - Google Patents
Manufacture of ceramic packageInfo
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- JPH0677378A JPH0677378A JP27071692A JP27071692A JPH0677378A JP H0677378 A JPH0677378 A JP H0677378A JP 27071692 A JP27071692 A JP 27071692A JP 27071692 A JP27071692 A JP 27071692A JP H0677378 A JPH0677378 A JP H0677378A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックパッケージ
のリードフレームに錫（Ｓｎ）メッキ加工をする撮像素
子（ＣＣＤ）等に使用されるサーデイップタイプのセラ
ミックパッケージの製造法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic type ceramic package used for an image pickup device (CCD) or the like in which a lead frame of a ceramic package is plated with tin (Sn).
【０００２】[0002]
【従来の技術】サーデイップタイプのＣＣＤ用パッケー
ジの製造において、リードフレームのＳｎメッキ前の工
程を図２および図３を用いて説明する。ウインドフレー
ム（１）は、シーリングガラス（２）を介してベース基
板（３）と一体に成形されている。Ｆｅ−Ｎｉ、又はＦ
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなるリードフレーム（４）及び
ボンデイングパッド（５）は、タイバー（６）と共に一
体成形され、シーリングガラス（２）によってウインド
フレーム（１）とベース基板（３）の間のシーリングガ
ラス（２）内に取付けられ支持されている。ボンデング
パッド（５）及びタイバーＡｌ部（７）は、Ａｌでクラ
ッドされている。ボンデイングパッド（５）のＡｌクラ
ッドは、素子搭載の際にＡｌ線でパッケージ内の内部配
線との結合のため設けられている。タイバー（６）のタ
イバーＡｌ部（７）は、本パッケージ製品としては切り
捨てられるもので、Ａｌ被覆の必要は全くない。しかし
リードフレームの製造工程でボンデングパッド（５）へ
Ａｌクラッドする際、同時にこのタイバーＡｌ部（７）
にもＡｌがクラッドされるものである。リードフレーム
（４）は、配線盤との接続のための半田付けの際の濡れ
性の確保のためにＳｎメッキが施される。このＳｎメッ
キ工程は、メッキ不可のボンデイングパッド（５）を含
みウインドフレーム（１）全体をマスキングして本パッ
ケージ全体をメッキ浴に浸漬して行われる。最終的に、
タイバーＡｌ部（７）を含むタイバー（６）は、不要部
分として切捨てられる。2. Description of the Related Art A process before a Sn plating of a lead frame in manufacturing a package of a CCD of a surge type will be described with reference to FIGS. The wind frame (1) is integrally formed with the base substrate (3) via the sealing glass (2). Fe-Ni or F
A lead frame (4) and a bonding pad (5) made of an e-Ni-Co alloy are integrally molded with a tie bar (6), and a sealing glass (2) is provided between the wind frame (1) and the base substrate (3). It is mounted and supported in the sealing glass (2). The bonding pad (5) and the tie bar Al part (7) are clad with Al. The Al clad of the bonding pad (5) is provided for coupling with the internal wiring in the package by an Al wire when the device is mounted. The tie bar Al part (7) of the tie bar (6) is cut off as this package product, and no Al coating is necessary. However, in the lead frame manufacturing process, when the bonding pad (5) is clad with Al, the tie bar Al part (7) is simultaneously formed.
Also, Al is clad. The lead frame (4) is Sn-plated to ensure wettability during soldering for connection to the wiring board. The Sn plating process is performed by masking the entire wind frame (1) including the non-platable bonding pad (5) and immersing the entire package in a plating bath. Finally,
The tie bar (6) including the tie bar Al part (7) is cut off as an unnecessary portion.
【０００３】一般的に、ＳｎはＡｌ上にメッキされな
い。しかし実際には、メッキ前処理液及び水洗水の純度
等の微妙な変動によりＡｌ表面が侵されてメッキ時に活
性化される部分が発生し、ＡｌにＳｎ付着が起こる。こ
の付着した細かいＳｎ粉は、その後の工程でパッケージ
内へ剥がれ落ちて汚染源となり、歩留低下の原因となっ
ていた。このためＳｎメッキする前に、タイバーＡｌ部
にマスキングテープを施してメッキ処理液から保護した
りしていた。しかし、このマスキング作業は、微細な場
所で困難なため不完全であり、その後の工程を含めて金
属粉が異物としてパッケージ内に残留し、約１０％の不
良発生を生じる等の問題があった。このため、量産時の
方法としては完全な処理法は見出せないままになってい
た。Generally, Sn is not plated on Al. However, in reality, due to subtle changes in the purity of the pretreatment liquid for plating and the washing water, the Al surface is attacked to generate a portion that is activated during plating, causing Sn to adhere to Al. The adhered fine Sn powder was peeled off into the package in the subsequent process and became a pollution source, which was a cause of yield reduction. For this reason, a masking tape is applied to the Al portion of the tie bar to protect it from the plating solution before Sn plating. However, this masking work is incomplete because it is difficult to perform in a fine place, and metal powder remains as foreign matter in the package including subsequent steps, causing a problem of about 10% defectiveness. . For this reason, a perfect treatment method has not been found as a method for mass production.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のリー
ドフレームへのＳｎメッキの際のリードフレームタイバ
ーＡｌ部への部分的、不完全なＳｎメッキ付着により生
じるパッケージ内へのＳｎメッキ粉の混入を防止して、
本パッケージの歩留向上を図ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, Sn plating powder in a package caused by partial or incomplete Sn plating adhesion to an Al portion of a lead frame tie bar at the time of Sn plating on the above lead frame is provided. Prevent mixing,
The purpose is to improve the yield of this package.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックパ
ッケージに取付けられたリードフレームの錫メッキにお
いて、該リードフレームのタイバー部のアルミニウムを
化学的処理により除去後、該リードフレームに錫メッキ
することを特徴とするセラミックパッケージの製造方法
である。According to the present invention, in tin plating of a lead frame attached to a ceramic package, aluminum of a tie bar portion of the lead frame is removed by a chemical treatment, and then the lead frame is tin-plated. And a method of manufacturing a ceramic package.
【０００６】[0006]
【作用】本発明者らは、上記Ｓｎメッキ付着粉の除去及
びタイバーＡｌ部のマスキングによるＳｎ付着の防止等
の種々の試みを行った後本発明に至ったものである。即
ち本発明は、不完全なマスキングの代わりに、タイバー
Ａｌ部に完全にＳｎを付着させるためにこのＡｌ部を化
学処理により完全に除去後、リードフレームにＳｎメッ
キを施す方法である。そのＳｎメッキの製造工程を図１
で説明する。The present inventors arrived at the present invention after making various attempts such as removal of the above-mentioned Sn-plated adhesion powder and prevention of Sn adhesion by masking the tie bar Al portion. That is, the present invention is a method in which, instead of incomplete masking, Sn is completely attached to the Al portion of the tie bar, the Al portion is completely removed by chemical treatment, and then the lead frame is plated with Sn. Figure 1 shows the Sn plating manufacturing process.
Described in.
【０００７】セラミックパッケージのウインドフレーム
をマスキングしてラッキングする。次いで該パッケージ
をＡｌ剥離前洗浄（中性脱脂等）−Ａｌ剥離液−メッキ
前洗浄−Ｓｎメッキする。本発明により、タイバーＡｌ
部は、Ａｌを完全に除去しているため該部はタイバー
（６）全体に完全にＳｎメッキが施されるため、従来の
ように不完全なＳｎ付着粉によるパツケージ内への混入
が防止できる。The wind frame of the ceramic package is masked and racked. Then, the package is washed before Al stripping (neutral degreasing, etc.)-Al stripping solution-Washing before plating-Sn plating. According to the present invention, tie bar Al
Since the part completely removes Al, the whole part of the tie bar (6) is completely Sn-plated, so that it is possible to prevent the incomplete Sn adhering powder from mixing into the package as in the conventional case. .
【０００８】[0008]
【実施例】以下、ＣＣＤ用パッケージを例に本発明の実
施例を説明する。１６ピンのＣＣＤパッケージのウイン
ドフレームをマスキング、ラッキング後、中性脱脂液１
００％液で脱脂し、次いで１ｌ中に水酸化カリウム約５
０〜６０ｇ及びフェロシアン化カリウム約２４０〜２６
０ｇを含有し、液温約５０〜７０℃のＡｌ剥離液１００
％に浸漬してタイバーＡｌ部のＡｌを剥離する。Ｓｎメ
ッキ前洗浄として、硫酸５００ｇ／ｌ洗浄、化学研磨液
５０％にて前処理した後、硫酸第１錫３０ｇ／ｌ、硫酸
１８４ｇ／ｌ、光沢剤３ｃｃ／ｌ、電流密度１．２５Ａ
／ｄｍ２の、メッキ浴で、陽極に錫板を使用し、液を攪
拌しながら１０〜１５分錫メッキした後、洗浄した。得
られた錫メッキされたＣＣＤパッケージのタイバーＡｌ
部のピーリングテストをした。その結果は、他の錫メッ
キ部と同様のＳｎ接着強度が得られ、Ａｌが完全に剥離
後にＳｎメッキされていることが確認できた。Embodiments of the present invention will be described below by taking a CCD package as an example. After masking and racking the wind frame of a 16-pin CCD package, neutral degreaser 1
Degrease with 00% solution, then add about 5 parts potassium hydroxide in 1 liter.
0-60 g and potassium ferrocyanide about 240-26
Al stripping solution 100 containing 0 g and having a solution temperature of about 50 to 70 ° C.
% Of the tie bar to remove Al. As pre-cleaning for Sn plating, after cleaning with sulfuric acid 500 g / l and pretreatment with a chemical polishing liquid of 50%, stannous sulfate 30 g / l, sulfuric acid 184 g / l, brightener 3 cc / l, current density 1.25 A
In a plating bath of / dm 2 , a tin plate was used for the anode, and the solution was stirred for 10 to 15 minutes, followed by washing. Tie bar Al of the obtained tin-plated CCD package
I did a peeling test. As a result, it was confirmed that Sn adhesion strength similar to that of other tin-plated portions was obtained, and that Sn was plated after Al was completely peeled off.
【０００９】[0009]
【発明の効果】本発明は、従来使用していた不完全なタ
イバー部のマスキング作業に代わり化学処理によるＡｌ
剥離工程とすることにより、その後の製造工程で従来発
生していた金属異物による不良発生率約１０％を皆無に
することができた。また本発明によって、セラミックパ
ッケージの安定した大量生産法を確立することができ
た。According to the present invention, instead of the conventionally used incomplete tie-bar masking work, Al by chemical treatment is used.
By adopting the peeling process, it was possible to eliminate the defect occurrence rate of about 10% due to the metallic foreign matter that has conventionally occurred in the subsequent manufacturing process. Further, according to the present invention, a stable mass production method of ceramic packages could be established.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の製造方法である。FIG. 1 is a manufacturing method of the present invention.
【図２】ＣＣＤパッケージの概要図であるFIG. 2 is a schematic diagram of a CCD package.
【図３】ＣＣＤパッケージの断面図であるFIG. 3 is a sectional view of a CCD package.
１ ウインドフレーム ２ シーリングガラス
３ ベース基板 ４ リードフレーム ５ ボンデイングパッド
６ タイバー ７ タイバーＡｌ部1 wind frame 2 ceiling glass
3 Base board 4 Lead frame 5 Bonding pad
6 tie bar 7 tie bar Al section
Claims (1)
ードフレームの錫メッキにおいて、該リードフレームの
タイバー部のアルミニウムを化学的処理により除去後、
該リードフレームに錫メッキすることを特徴とするセラ
ミックパッケージの製造方法。1. In tin plating of a lead frame attached to a ceramic package, after aluminum of a tie bar portion of the lead frame is removed by a chemical treatment,
A method of manufacturing a ceramic package, characterized in that the lead frame is tin-plated.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27071692A JPH0677378A (en) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | Manufacture of ceramic package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27071692A JPH0677378A (en) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | Manufacture of ceramic package |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677378A true JPH0677378A (en) | 1994-03-18 |
Family
ID=17489967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27071692A Pending JPH0677378A (en) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | Manufacture of ceramic package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677378A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100278765B1 (en) * | 1997-12-30 | 2001-02-01 | 마이클 디. 오브라이언 | Manufacturing method of semiconductor package |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP27071692A patent/JPH0677378A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100278765B1 (en) * | 1997-12-30 | 2001-02-01 | 마이클 디. 오브라이언 | Manufacturing method of semiconductor package |
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