JPH0677316A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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- JPH0677316A JPH0677316A JP4229898A JP22989892A JPH0677316A JP H0677316 A JPH0677316 A JP H0677316A JP 4229898 A JP4229898 A JP 4229898A JP 22989892 A JP22989892 A JP 22989892A JP H0677316 A JPH0677316 A JP H0677316A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法に関し、特に半導体ウエハに形成された複数の半導体
素子を個々に切断分離するスルーカットダイシング方法
を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device using a through-cut dicing method for individually cutting and separating a plurality of semiconductor elements formed on a semiconductor wafer. is there.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置を製造するために用いられる
従来のスルーカットダイシング方法を図１３の斜視図及
び図１４の断面図により説明する。半導体ウエハに形成
された複数の半導体素子を個別の半導体素子として切断
するには、まず、図１４に示すように、半導体ウエハ１
を、紫外線硬化型粘着剤（以下、単に「粘着剤」と称
す。）２Ａが塗布されたウエハシート２（以下、「ＵＶ
シート」と称す。）に貼り合わせる。その後、図１３に
示すように、このＵＶシート２を金属等によって形成さ
れたフレームリング３に保持し、次いで、ニッケル等の
母材にダイヤ等の微粒子を混入したブレードからなる切
断刃例えば回転刃４を、複数の半導体素子５間に形成さ
れた切断部（以下、「切断ライン」と称す。）６に沿っ
て移動させ、半導体ウエハ１にその厚さ以上の切り込み
を入れることにより複数の半導体素子５を個々に切断分
離する。2. Description of the Related Art A conventional through-cut dicing method used for manufacturing a semiconductor device will be described with reference to a perspective view of FIG. 13 and a sectional view of FIG. To cut a plurality of semiconductor elements formed on a semiconductor wafer into individual semiconductor elements, first, as shown in FIG.
Is a wafer sheet 2 (hereinafter, referred to as “UV”) to which an ultraviolet curable adhesive (hereinafter, simply referred to as “adhesive”) 2A is applied.
"Sheet". ) Pasted together. After that, as shown in FIG. 13, the UV sheet 2 is held on a frame ring 3 made of metal or the like, and then a cutting blade, for example, a rotary blade made of a blade in which fine particles such as diamond are mixed in a base material such as nickel. 4 is moved along a cutting portion (hereinafter, referred to as a “cutting line”) 6 formed between a plurality of semiconductor elements 5, and a plurality of semiconductors are cut by cutting the semiconductor wafer 1 at a thickness or more. The elements 5 are individually cut and separated.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の製造方法におけるスルーカットダイシング
方法の場合には、半導体ウエハ１から半導体素子５を確
実に切断するためには、図１４に示すように、回転刃４
をＵＶシート２に食い込むようにする必要があり、その
切断時にＵＶシート２の切断屑及び粘着剤２Ａが切削屑
（以下、「シート屑」と称す。）として回転刃４に付着
し、回転刃４の切断性能を劣化させたり、その摩耗を促
進したりするなどの課題があり、更には、シート屑が半
導体素子４の表面や側面に付着するなどして半導体装置
の品質を劣化させ、ひいてはその歩留りを低下させると
いう課題があった。However, in the case of the through-cut dicing method in the conventional method of manufacturing a semiconductor device, in order to surely cut the semiconductor element 5 from the semiconductor wafer 1, as shown in FIG. , Rotary blade 4
Need to bite into the UV sheet 2, and at the time of cutting, the cutting waste of the UV sheet 2 and the adhesive 2A adhere to the rotary blade 4 as cutting waste (hereinafter referred to as "sheet waste"), 4 has a problem of deteriorating the cutting performance and accelerating the abrasion thereof, and further, the sheet waste adheres to the surface and the side surface of the semiconductor element 4 to deteriorate the quality of the semiconductor device, and There is a problem of reducing the yield.
【０００４】この発明は、上記課題を解決するためにな
されたもので、スルーカットダイシング時にＵＶシート
からシート屑が発生しないようにして高品質の半導体装
置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供
することを目的としている。The present invention has been made in order to solve the above problems, and a method of manufacturing a semiconductor device capable of manufacturing a high quality semiconductor device by preventing sheet waste from being generated from a UV sheet during through cut dicing. Is intended to provide.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置の
製造方法は、半導体ウエハの切断時に切断刃がウエハシ
ートに接触しないように上記半導体ウエハ又は上記ウエ
ハシートにパターンよりも幅広の溝を設けたものであ
る。According to a method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, a groove wider than a pattern is provided on the semiconductor wafer or the wafer sheet so that a cutting blade does not contact the wafer sheet when the semiconductor wafer is cut. It is a thing.
【０００６】[0006]
【作用】この発明によれば、半導体ウエハをウエハシー
トに貼り合わせた後、切断刃によって上記半導体ウエハ
を所定のパターンに従って切断して複数の半導体素子を
個々に分離する際に、上記切断刃がウエハシートに接触
しないようにしたので、ウエハシートからシート屑が発
生しない。According to the present invention, when the semiconductor wafer is attached to the wafer sheet and then the semiconductor wafer is cut according to a predetermined pattern by the cutting blade to separate a plurality of semiconductor elements, the cutting blade is Since no contact is made with the wafer sheet, no sheet waste is generated from the wafer sheet.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、図１〜図１２に示す実施例に基づいて
この発明を説明する。尚、各図中、図１はこの発明に係
る半導体装置の製造方法の実施例１に用いられる半導体
ウエハをＵＶシートに貼り合わせた状態を示す斜視図、
図２は図１に示す半導体ウエハが貼り合わされたＵＶシ
ートの裏面側を示す斜視図、図３は図１に示す半導体ウ
エハを、ＵＶシートを介してフレームリングに固定した
状態を示す平面図、図４は図３におけるＩＶ−ＩＶ線方
向の断面図、図５はこの発明の実施例２に用いられるＵ
Ｖシートを示す斜視図、図６は図５に示すＵＶシートを
用いて半導体ウエハをフレームリングに固定した状態を
示す平面図、図７はこの発明の実施例３における半導体
ウエハをフレームリングに固定した状態を示す斜視図、
図８は図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線方向の断面
図、図９はこの発明の実施例４に用いられるＵＶシート
を示す平面図、図１０は図９に示すＵＶシートを用いて
半導体ウエハをフレームリングに固定した状態を示す平
面図、図１１はこの発明の実施例５に用いられるＵＶシ
ートを示す平面図、図１２は図１１に示すＵＶシートを
用いて半導体ウエハをフレームリングに固定した状態を
示す平面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on the embodiments shown in FIGS. In each figure, FIG. 1 is a perspective view showing a state in which a semiconductor wafer used in Example 1 of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is bonded to a UV sheet,
2 is a perspective view showing the back surface side of the UV sheet to which the semiconductor wafer shown in FIG. 1 is attached, and FIG. 3 is a plan view showing a state in which the semiconductor wafer shown in FIG. 1 is fixed to a frame ring via the UV sheet, 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3, and FIG. 5 is a U used in the second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a perspective view showing a V-sheet, FIG. 6 is a plan view showing a state in which a semiconductor wafer is fixed to a frame ring by using the UV sheet shown in FIG. 5, and FIG. 7 is a semiconductor wafer in Example 3 of the present invention fixed to the frame ring. Perspective view showing a state where
8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 7, FIG. 9 is a plan view showing a UV sheet used in Example 4 of the present invention, and FIG. 10 is a semiconductor wafer framed using the UV sheet shown in FIG. 11 is a plan view showing a state in which the semiconductor wafer is fixed to the ring, FIG. 11 is a plan view showing a UV sheet used in the fifth embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a state in which the semiconductor wafer is fixed to the frame ring using the UV sheet shown in FIG. FIG.
【０００８】実施例１．この実施例１では、半導体ウエ
ハ１１をＵＶシート１２に貼り合わせ、従来公知の切断
刃としての回転刃（図１３参照）によって半導体ウエハ
１１を所定のパターン形状に形成された切断ライン１３
に従って切断して複数の半導体素子１４を個々に分離す
るようにしている。Example 1. In Example 1, the semiconductor wafer 11 is bonded to the UV sheet 12, and the semiconductor wafer 11 is cut into a predetermined pattern by a rotary blade (see FIG. 13) as a conventionally known cutting blade.
The plurality of semiconductor elements 14 are individually separated by cutting in accordance with the above.
【０００９】そこで、ここに用いられるＵＶシート１２
について詳しく説明する。このＵＶシート１２は、半導
体ウエハ１１と同一形状でかつ同一大きさに形成された
第１ＵＶシート１２１（図１、図２参照）と、従来から
半導体ウエハ１１をフレームリング１５に固定する際に
用いられる第２ＵＶシート１２２（図３、図４参照）と
からなっている。そして、第１ＵＶシート１２１がその
粘着剤（図示せず）によって半導体ウエハ１１の裏面に
貼り合わされ、第２ＵＶシート１２２がその粘着剤（図
示せず）によって貼り合わされて半導体ウエハ１１のス
ルーカットダイシングに供されるようになっている。ま
た、各粘着剤の紫外線照射後の粘着力は、第１ＵＶシー
ト１２１の粘着剤の方が第２ＵＶシート１２２の粘着剤
よりも弱いものが用いられ、半導体ウエハ１１を切断し
た後、半導体素子１４をＵＶシート１２から剥離した時
に第１ＵＶシート１２１が第２ＵＶシート１２２に残る
ようになっている。Therefore, the UV sheet 12 used here
Will be described in detail. The UV sheet 12 is used for fixing the semiconductor wafer 11 to the frame ring 15 from the first UV sheet 121 (see FIGS. 1 and 2) having the same shape and the same size as the semiconductor wafer 11. Second UV sheet 122 (see FIGS. 3 and 4). Then, the first UV sheet 121 is attached to the back surface of the semiconductor wafer 11 by the adhesive (not shown), and the second UV sheet 122 is attached by the adhesive (not shown) to the through cut dicing of the semiconductor wafer 11. It is supposed to be served. As for the adhesive force of each adhesive after the irradiation of ultraviolet rays, the adhesive of the first UV sheet 121 is weaker than the adhesive of the second UV sheet 122. After cutting the semiconductor wafer 11, the semiconductor element 14 is cut. The first UV sheet 121 remains on the second UV sheet 122 when is removed from the UV sheet 12.
【００１０】第１ＵＶシート１２１の裏面には、図１、
図２、図４に示すように、半導体ウエハ１１の表面側の
升目状の切断ライン１３に対応する升目状の溝１２３が
形成されている。また、この升目状の溝１２３の幅Ｗ'
は、図４に示すように、半導体ウエハ１１を切断ライン
１３に沿って切断する際に、回転刃が第１ＵＶシート１
２１に接触しないように切断ライン１３の幅Ｗよりも広
い幅に形成されている。On the back surface of the first UV sheet 121, as shown in FIG.
As shown in FIGS. 2 and 4, a grid-shaped groove 123 corresponding to the grid-shaped cutting line 13 on the front surface side of the semiconductor wafer 11 is formed. In addition, the width W ′ of the grid-shaped groove 123
As shown in FIG. 4, when the semiconductor wafer 11 is cut along the cutting line 13, the rotary blade has the first UV sheet 1
It is formed in a width wider than the width W of the cutting line 13 so as not to come into contact with 21.
【００１１】ＵＶシート１２を用いて半導体ウエハ１１
を切断する場合には、まず、図１、図２に示すように半
導体ウエハ１１の裏面に第１ＵＶシート１２１を貼り合
わせた後、この第１ＵＶシート１２１に半導体ウエハ１
１の切断ライン１３に対応する升目状の溝１２３をその
裏面からエッチングあるいは回転刃によって形成する。
この時、升目状に切断された第１ＵＶシート１２１は、
図２に示すようにその粘着剤で半導体ウエハ１１の裏面
に貼り合わされた状態になっている。Semiconductor wafer 11 using UV sheet 12
When cutting the semiconductor wafer 1, first, as shown in FIGS. 1 and 2, the first UV sheet 121 is attached to the back surface of the semiconductor wafer 11, and then the semiconductor wafer 1 is attached to the first UV sheet 121.
A grid-shaped groove 123 corresponding to one cutting line 13 is formed from the back surface by etching or a rotary blade.
At this time, the first UV sheet 121 cut in a grid pattern is
As shown in FIG. 2, the adhesive is applied to the back surface of the semiconductor wafer 11.
【００１２】その後、上記第１ＵＶシート１２１の裏面
に従来の第２ＵＶシート１２２を貼り合わせた後、この
第２ＵＶシート１２２を図３、図４に示すようにフレー
ムリング１５に取り付けることにより半導体ウエハ１１
をフレームリング１５に固定する。このように半導体ウ
エハ１１を升目状に区画された第１ＵＶシート１２１を
介して第２ＵＶシート１２２に貼り合わせると、図４に
示すように半導体ウエハ１１の切断ライン１３の裏面に
は、この升目状の切断ライン１３に対応した溝１２３が
線状空間として形成される。そして、ダイシング用の回
転刃をその最外周部が第２ＵＶシート１２２の粘着剤に
達しない位置に設定した後、この回転刃を回転させなが
らフレームリング１５で固定された半導体ウエハ１１の
切断ライン１３に沿って移動させると、回転刃は第１Ｕ
Ｖシート１２１及び第２ＵＶシート１２２のいずれにも
接触することなく半導体ウエハ１１を切断ライン１３に
沿って切断して半導体素子１４を個別に分離できるよう
な状態になる。After that, a conventional second UV sheet 122 is attached to the back surface of the first UV sheet 121, and then the second UV sheet 122 is attached to the frame ring 15 as shown in FIGS.
Is fixed to the frame ring 15. When the semiconductor wafer 11 is bonded to the second UV sheet 122 via the first UV sheet 121 divided in a grid pattern as described above, the grid pattern is formed on the back surface of the cutting line 13 of the semiconductor wafer 11 as shown in FIG. A groove 123 corresponding to the cutting line 13 is formed as a linear space. Then, after setting the rotary blade for dicing to a position where the outermost peripheral portion does not reach the adhesive of the second UV sheet 122, the cutting line 13 of the semiconductor wafer 11 fixed by the frame ring 15 is rotated while rotating the rotary blade. When moved along, the rotary blade moves to 1U
The semiconductor wafer 11 is cut along the cutting line 13 without coming into contact with either the V sheet 121 or the second UV sheet 122, so that the semiconductor elements 14 can be individually separated.
【００１３】以上説明したように実施例１によれば、回
転刃を回転させながらフレームリング１５で固定された
半導体ウエハ１１の切断ライン１３に沿って移動さて半
導体ウエハ１１を切断しても、回転刃が第１ＵＶシート
１２１及び第２ＵＶシート１２２のいずれにも接触しな
いため、従来のようにシート屑が発生することがなく、
長時間に亘り高品質の半導体装置を製造することができ
る。As described above, according to the first embodiment, even if the semiconductor wafer 11 is cut by moving along the cutting line 13 of the semiconductor wafer 11 fixed by the frame ring 15 while rotating the rotary blade, Since the blade does not come into contact with either the first UV sheet 121 or the second UV sheet 122, there is no generation of sheet waste unlike the conventional case,
A high-quality semiconductor device can be manufactured for a long time.
【００１４】実施例２．この実施例２では、図５、図６
に示すように各半導体素子１４よりも面積がやや小さい
多数枚の第１ＵＶシート２２１を、半導体ウエハ１１の
切断ライン１３で囲まれた部分に貼り合わせ、第２ＵＶ
シート２２２上で各第１ＵＶシート２２１間に半導体ウ
エハ１１の切断ライン１３よりも幅広の升目状の溝２２
３を形成する以外は実施例１と同様にして半導体ウエハ
１１をスルーカットダイシングするようにしている。従
って、実施例２でも実施例１と同様の作用効果を期する
ことができる。Example 2. In this second embodiment, as shown in FIGS.
As shown in FIG. 3, a large number of first UV sheets 221 each having a slightly smaller area than each semiconductor element 14 are attached to a portion of the semiconductor wafer 11 surrounded by the cutting line 13 to form a second UV sheet.
Between the first UV sheets 221 on the sheet 222, a grid-like groove 22 wider than the cutting line 13 of the semiconductor wafer 11 is formed.
The semiconductor wafer 11 is subjected to through-cut dicing in the same manner as in Example 1 except that No. 3 is formed. Therefore, also in the second embodiment, the same operational effect as in the first embodiment can be expected.
【００１５】実施例３．この実施例３では、上記各実施
例で用いた第１ＵＶシート１２１、２２１を用いる代わ
りに、第２ＵＶシートだけからなるＵＶシート１２を用
いると共に、図７、図８に示すように半導体ウエハ１１
の切断ライン１３の幅よりも広幅の升目状の溝１６を半
導体ウエハ１１の裏面に切断ライン１３に対応させて設
け、回転刃の最外周部がこの溝１６内に来るように設定
する以外は、上記各実施例と同様にして半導体ウエハ１
１をスルーカットダイシングするようにしている。従っ
て、実施例３でも上記各実施例と同様の作用効果を期す
ることができる。Example 3. In the third embodiment, instead of using the first UV sheets 121 and 221 used in each of the above-described embodiments, the UV sheet 12 made of only the second UV sheet is used, and as shown in FIGS.
Except that a grid-shaped groove 16 having a width wider than that of the cutting line 13 is provided on the back surface of the semiconductor wafer 11 so as to correspond to the cutting line 13 and the outermost peripheral portion of the rotary blade is located in the groove 16. , The semiconductor wafer 1 in the same manner as in the above embodiments
1 is through cut dicing. Therefore, also in the third embodiment, the same operational effects as those of the above-described respective embodiments can be expected.
【００１６】実施例４．この実施例４では、図９に示す
ようにＵＶシート１２に半導体ウエハ１１の切断ライン
１３に対応する細長形状の多数の孔（溝）１２Ａ（幅は
切断ライン１３よりも広幅）を縦横にポンチ等によって
ＵＶシート１２から打ち抜き、半導体ウエハ１１をＵＶ
シート１２に貼り合わせる際に、図１０に示すように半
導体ウエハ１１の切断ライン１３を上記孔１２Ａに位置
決めして半導体ウエハ１１をＵＶシート１２に貼り合わ
せる。このようにすれば、スルーカットダイシング時に
回転刃は殆どＵＶシート１２を切削することがなく、上
記各実施例と同様の作用効果を期することができる。Example 4. In Example 4, as shown in FIG. 9, a large number of elongated holes (grooves) 12A (width is wider than the cutting line 13) corresponding to the cutting line 13 of the semiconductor wafer 11 are punched vertically and horizontally in the UV sheet 12. The semiconductor wafer 11 is UV-cut by punching out from the UV sheet 12 by
When the semiconductor wafer 11 is attached to the sheet 12, the semiconductor wafer 11 is attached to the UV sheet 12 by positioning the cutting line 13 of the semiconductor wafer 11 in the hole 12A as shown in FIG. By doing so, the rotary blade hardly cuts the UV sheet 12 during through cut dicing, and the same effect as each of the above-described embodiments can be expected.
【００１７】実施例５．この実施例５では、図１１に示
すように半導体ウエハ１１の切断ライン１３に対応する
粘着剤の未塗布ライン１２Ｂ（線幅は切断ライン１３よ
りも広幅）を溝としてＵＶシート１２に升目状に形成
し、半導体ウエハ１１をＵＶシート１２に貼り合わせる
際に、図１２に示すように半導体ウエハ１１の切断ライ
ン１３を上記未塗布ライン１２Ｂに位置決めして半導体
ウエハ１１をＵＶシート１２に貼り合わせ、切断時には
回転刃を未塗布ライン１２Ｂのシート部に接触しないよ
うに設定すれば、スルーカットダイシング時に回転刃は
少なくとも粘着剤を削り取ることがなく、シート屑の回
転刃及び半導体素子１４への付着を軽減することがで
き、上記各実施例に準じた作用効果を期することができ
る。Embodiment 5. In the fifth embodiment, as shown in FIG. 11, the adhesive sheet uncoated line 12B (the line width of which is wider than the cutting line 13) corresponding to the cutting line 13 of the semiconductor wafer 11 is used as a groove to form a grid pattern on the UV sheet 12. When the semiconductor wafer 11 is formed and attached to the UV sheet 12, the cutting line 13 of the semiconductor wafer 11 is positioned on the uncoated line 12B as shown in FIG. 12, and the semiconductor wafer 11 is attached to the UV sheet 12, If the rotary blade is set so as not to contact the sheet portion of the uncoated line 12B at the time of cutting, the rotary blade does not scrape off at least the adhesive agent during through cut dicing, and the sheet scrap is attached to the rotary blade and the semiconductor element 14. It can be reduced, and the action and effect according to each of the above examples can be expected.
【００１８】尚、この発明は、上記各実施例に何等制限
されるものではなく、要は、半導体ウエハの切断時に切
断刃がＵＶシートに接触しないように半導体ウエハ又は
ＵＶシートに溝を形成した方法であれば、全てこの発明
に包含される。The present invention is not limited to the above-described embodiments. In short, a groove is formed in the semiconductor wafer or the UV sheet so that the cutting blade does not come into contact with the UV sheet when the semiconductor wafer is cut. All methods are included in the present invention.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
半導体ウエハのダイシング時に切断刃がウエハシートに
接触しないように上記半導体ウエハ又は上記ウエハシー
トにパターンよりも幅広の溝を設けたので、スルーカッ
トダイシング時にウエハシートからのシート屑の発生を
無くすか抑制して高品質の半導体装置が製造されるとい
う効果がある。As described above, according to the present invention,
Since a groove wider than the pattern is provided on the semiconductor wafer or the wafer sheet so that the cutting blade does not come into contact with the wafer sheet during dicing of the semiconductor wafer, it is possible to suppress the generation of sheet scraps from the wafer sheet during through cut dicing. Then, there is an effect that a high quality semiconductor device is manufactured.
【図１】この発明に係る半導体装置の製造方法の実施例
１に用いられる半導体ウエハをＵＶシートに貼り合わせ
た状態を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a state in which a semiconductor wafer used in a first embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is attached to a UV sheet.
【図２】図１に示す半導体ウエハが貼り合わされたＵＶ
シートの裏面側を示す斜視図である。2 is a UV to which the semiconductor wafer shown in FIG. 1 is attached.
It is a perspective view which shows the back surface side of a sheet.
【図３】図１に示す半導体ウエハを、ＵＶシートを介し
てフレームリングに固定した状態を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a state where the semiconductor wafer shown in FIG. 1 is fixed to a frame ring via a UV sheet.
【図４】図３におけるＩＶ−ＩＶ線方向の断面図であ
る。4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.
【図５】この発明の半導体装置の製造方法の他の好まし
い実施例２に用いられるＵＶシートを示す斜視図であ
る。FIG. 5 is a perspective view showing a UV sheet used in another preferred embodiment 2 of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
【図６】図５に示すＵＶシートを用いて半導体ウエハを
フレームリングに固定した状態を示す平面図である。6 is a plan view showing a state in which a semiconductor wafer is fixed to a frame ring using the UV sheet shown in FIG.
【図７】この発明の半導体装置の製造方法の更に他の好
ましい実施例３における半導体ウエハをフレームリング
に固定した状態を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a state in which a semiconductor wafer according to still another preferred embodiment 3 of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is fixed to a frame ring.
【図８】図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線方向の断面
図である。8 is a sectional view taken along line VIII-VIII in FIG.
【図９】この発明の半導体装置の製造方法の更に他の好
ましい実施例４に用いられるＵＶシートを示す平面図で
ある。FIG. 9 is a plan view showing a UV sheet used in still another preferred embodiment 4 of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
【図１０】図９に示すＵＶシートを用いて半導体ウエハ
をフレームリングに固定した状態を示す平面図である。10 is a plan view showing a state in which a semiconductor wafer is fixed to a frame ring using the UV sheet shown in FIG.
【図１１】この発明の半導体装置の製造方法の更に他の
好ましい実施例５に用いられるＵＶシートを示す平面図
である。FIG. 11 is a plan view showing a UV sheet used in still another preferred embodiment 5 of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
【図１２】図１１に示すＵＶシートを用いて半導体ウエ
ハをフレームリングに固定した状態を示す平面図であ
る。12 is a plan view showing a state where a semiconductor wafer is fixed to a frame ring using the UV sheet shown in FIG.
【図１３】従来の半導体装置の製造方法における半導体
ウエハのスルーカットダイシング方法を用いて半導体ウ
エハを切断する状態を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing a state in which a semiconductor wafer is cut by using a through-cut dicing method for a semiconductor wafer in a conventional method for manufacturing a semiconductor device.
【図１４】図１３に示す回転刃と半導体ウエハ及びＵＶ
シートとの関係を示す断面図である。FIG. 14 is a rotary blade, a semiconductor wafer, and a UV shown in FIG.
It is sectional drawing which shows the relationship with a sheet.
１１ 半導体ウエハ １２ ＵＶシート（ウエハシート） １２Ａ 孔（溝） １２Ｂ 未塗布ライン（溝） １３ 切断ライン（所定のパターン） １４ 半導体素子 １２１、２２１ 第１ＵＶシート（ウエハシート） １２２、２２２ 第２ＵＶシート（ウエハシート） １６、１２３、２２３ 溝 Reference Signs List 11 semiconductor wafer 12 UV sheet (wafer sheet) 12A hole (groove) 12B uncoated line (groove) 13 cutting line (predetermined pattern) 14 semiconductor element 121, 221 first UV sheet (wafer sheet) 122, 222 second UV sheet ( Wafer sheet) 16,123,223 groove
Claims (1)
エハをウエハシートに貼り合わせ切断刃によって上記半
導体ウエハを所定のパターンに従って切断して上記複数
の半導体素子を個々に分離する半導体装置の製造方法に
おいて、上記半導体ウエハの切断時に上記切断刃が上記
ウエハシートに接触しないように上記半導体ウエハ又は
上記ウエハシートに上記パターンより幅広の溝を設けた
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。1. A method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed is bonded to a wafer sheet, and the semiconductor wafer is cut into a predetermined pattern by a cutting blade to separate the plurality of semiconductor elements into individual pieces. In the method of manufacturing a semiconductor device, the semiconductor wafer or the wafer sheet is provided with a groove wider than the pattern so that the cutting blade does not contact the wafer sheet when the semiconductor wafer is cut.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4229898A JPH0677316A (en) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4229898A JPH0677316A (en) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677316A true JPH0677316A (en) | 1994-03-18 |
Family
ID=16899461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4229898A Pending JPH0677316A (en) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677316A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007141996A (en) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | Dicing sheet and laser dicing method |
| US7838331B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-11-23 | Denso Corporation | Method for dicing semiconductor substrate |
| JP2011199008A (en) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Sekisui Chem Co Ltd | Method for manufacturing pressure-sensitive adhesive sheet, dicing-die bonding tape, and semiconductor chip with pressure-sensitive adhesive sheet |
| WO2014199726A1 (en) * | 2013-06-13 | 2014-12-18 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Adhesive sheet, method for manufacturing semiconductor device using same, method for manufacturing thermal airflow sensor using same, and thermal airflow sensor |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP4229898A patent/JPH0677316A/en active Pending
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| JP6062545B2 (en) * | 2013-06-13 | 2017-01-18 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND THERMAL AIR FLOW SENSOR AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| JPWO2014199726A1 (en) * | 2013-06-13 | 2017-02-23 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND THERMAL AIR FLOW SENSOR AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| US9779976B2 (en) | 2013-06-13 | 2017-10-03 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Adhesive sheet, method for manufacturing semiconductor device using same, method for manufacturing thermal airflow sensor using same, and thermal airflow sensor |
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