JPH0676728A - Circuit protective element - Google Patents
Circuit protective elementInfo
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- JPH0676728A JPH0676728A JP21531592A JP21531592A JPH0676728A JP H0676728 A JPH0676728 A JP H0676728A JP 21531592 A JP21531592 A JP 21531592A JP 21531592 A JP21531592 A JP 21531592A JP H0676728 A JPH0676728 A JP H0676728A
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- metal wire
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、回路の過電流破壊を防
止する回路保護用素子に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit protection device for preventing overcurrent breakdown of a circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、回路保護用素子としては、例えば
実公昭58ー38988号公報に記載されているよう
に、金属線の外周に柔軟性を有する樹脂をコーテングし
た構造が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a circuit protection element, a structure in which a flexible resin is coated on the outer periphery of a metal wire is known, as described in, for example, Japanese Utility Model Publication No. 58-38988.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の金属線の周
囲に柔軟性を有する樹脂をコーテングした構造の回路保
護用素子では、溶断後の絶縁が不確実になるおそれがあ
る。その理由は、例え、金属線が溶融したとしても、金
属線の溶断部分周囲の柔軟性を有する樹脂は燃焼して炭
化し、この炭化物などが原因で溶断後の絶縁が充分には
保証できない問題がある。In the conventional circuit protection element having a structure in which a flexible resin is coated around the metal wire, insulation after fusing may be uncertain. The reason is that even if the metal wire is melted, the flexible resin around the melted part of the metal wire burns and carbonizes, and due to this carbide, etc., the insulation after melting cannot be sufficiently guaranteed. There is.
【0004】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
で、金属線が溶融したときに金属線の周囲に炭化が生じ
ないようにして、金属線の溶断後の絶縁が確実に保証で
きる回路保護用素子を提供するものである。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a circuit in which carbonization does not occur around the metal wire when the metal wire is melted and the insulation of the metal wire after fusing can be surely guaranteed. A protective element is provided.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の回路保護用素子
は、回路の過電流を防止する回路保護用素子であって、
対をなす電極と、前記電極の所定位置間に張設接続した
金属線と、前記金属線の外周および少なくとも前記電極
の金属線との接続部とを被覆する少なくとも低融点ガラ
スを含む無機成分の粉末もしくは粉末集合体の低融点ガ
ラス体と、前記電極に金属線張設接続した側の前記低融
点ガラス体の外面を被覆する合成樹脂と、前記電極と前
記金属線と前記低融点ガラス体および前記合成樹脂とを
モールド成形し前記両電極の端部を導出させたモールド
樹脂体とからなるものである。A circuit protection element of the present invention is a circuit protection element for preventing an overcurrent of a circuit,
A pair of electrodes, a metal wire stretched and connected between predetermined positions of the electrode, and an inorganic component containing at least a low-melting glass that covers the outer periphery of the metal wire and at least the connection portion with the metal wire of the electrode. A low melting point glass body of powder or a powder aggregate, a synthetic resin covering the outer surface of the low melting point glass body on the side where the metal wire is stretched and connected to the electrode, the electrode, the metal wire, and the low melting point glass body, and And a molded resin body obtained by molding the synthetic resin and leading out the ends of the both electrodes.
【0006】[0006]
【作用】本発明の回路保護用素子は、金属線の外周全体
および少なくとも電極の金属線との接続部を被覆する低
融点ガラス体はボソボソもしくはサラサラした状態の粉
末もしくは粉末集合体で、この粉末もしくは粉末集合体
間には隙間が生じ、低融点ガラス体は粉末もしくは粉末
集合体で多孔性であるため、残留空気もしくは残留酸素
により金属線の燃焼溶断が確実となる。In the circuit protection element of the present invention, the low melting point glass body covering the entire outer periphery of the metal wire and at least the connection portion of the electrode with the metal wire is a powder or a powder aggregate in a rugged or dry state. Alternatively, a gap is formed between the powder aggregates, and the low melting point glass body is a powder or a powder aggregate and is porous, so that the burnout of the metal wire is ensured by the residual air or residual oxygen.
【0007】また、低融点ガラス体は無機質材料のた
め、金属線の溶断時に発熱による炭化物が殆どなく、残
留抵抗が発生することがなく、金属線の溶断後の絶縁を
確実にすることができる。Further, since the low melting point glass body is an inorganic material, there is almost no carbide due to heat generation when the metal wire is melted, residual resistance does not occur, and insulation after melting of the metal wire can be ensured. .
【0008】さらに、低融点ガラスを覆う合成樹脂はこ
の低融点ガラスと金属線を緩衝保護する。Further, the synthetic resin covering the low melting glass buffer-protects the low melting glass and the metal wire.
【0009】[0009]
【実施例】次に本発明の回路保護用素子の一実施例を図
面について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of the circuit protection device of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0010】図1および図2において、1,1は回路保
護用素子を過電流より保護すべき回路間に装着するため
の導電性金属などで形成された対をなす電極で、この電
極1,1にはこの電極1,1の所定位置、例えば先端間
に金属線2が中間部を円弧状に彎曲して張設されてこの
金属線2の両端部が電極1,1に接続されている。この
金属線2は所定の電流で溶断する金属細線であり、線径
10μm〜50μm、例えば20μmのアルミニウム線を超音
波ボンダーによりワイヤボンディングして前記電極1,
1に接続している。なお、この金属線2はアルミニウム
線に限定されるものではなく、溶断電流に対応して金
(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)などのワイヤボンディング
可能な金属細線を使用することもできる。In FIGS. 1 and 2, reference numerals 1 and 1 denote a pair of electrodes formed of a conductive metal or the like for mounting a circuit protection element between circuits to be protected from overcurrent. 1, a metal wire 2 is stretched at a predetermined position of the electrodes 1, 1 between the tips, for example, by bending an intermediate portion in an arc shape and both ends of the metal wire 2 are connected to the electrodes 1, 1. . This metal wire 2 is a thin metal wire that melts with a predetermined current and has a wire diameter
An aluminum wire having a thickness of 10 μm to 50 μm, for example, 20 μm is wire-bonded by an ultrasonic bonder to the electrode 1,
Connected to 1. The metal wire 2 is not limited to an aluminum wire, and a metal thin wire capable of wire bonding, such as gold (Au), silver (Ag), or copper (Cu), may be used depending on the fusing current. it can.
【0011】また、前記金属線2の外周および少なくと
も前記電極1,1の金属線2との接続部とを低融点ガラ
ス体3で被覆する。この低融点ガラス体3は少なくとも
低融点ガラスを含む無機成分の粉末もしくは粉末集合体
で、この低融点ガラス体3は金属線2よりも融点の低い
低融点ガラス体である。そして、この低融点ガラス体3
はペースト状のを加熱することにより溶剤の蒸発もしく
は揮発により粘性を失い、いわゆる全くのボソボソもし
くはサラサラした状態の粉末もしくは粉末集合体とな
る。Further, the outer periphery of the metal wire 2 and at least the connecting portion of the electrodes 1, 1 with the metal wire 2 are covered with a low melting point glass body 3. The low-melting glass body 3 is a powder or powder aggregate of an inorganic component containing at least low-melting glass, and the low-melting glass body 3 is a low-melting glass body having a lower melting point than the metal wire 2. And this low melting point glass body 3
When the paste is heated, it loses its viscosity due to the evaporation or volatilization of the solvent, and becomes a so-called completely dry or dry powder or powder aggregate.
【0012】この低融点ガラス体3は、例えば鉛主成分
系低融点ガラスとシリカ粒子およびバインダー樹脂とを
含んでいるペーストを塗布して形成する。The low melting point glass body 3 is formed, for example, by applying a paste containing lead-based low melting point glass, silica particles and a binder resin.
【0013】このシリカ粒子は、例えばアエロジルとし
て知られている SiO2 主成分系で増粘作用を有してい
る。この増粘作用によって、すなわち、シリカ粒子はそ
の表面にシラノール基(SiOH)を有し、水素結合によっ
て相互に結び付く傾向があり、この水素結合は比較的弱
い結合で小さい外力を加えると再び分離し、粘度が減少
し、静止状態となると再び化学結合が生じ、この現象に
よってチクソトロピー効果が発生し、この合成樹脂4を
金属線2の外周に塗布した場合、両電極1,1の金属線
2の接続部から外側に拡がることがなく、低融点ガラス
体3の塗布領域の制御調整が容易となる。The silica particles have a thickening action in the SiO 2 main component system known as Aerosil, for example. By virtue of this thickening effect, that is, the silica particles have silanol groups (SiOH) on their surface and tend to bond to each other by hydrogen bonds, which are relatively weak bonds and are separated again when a small external force is applied. , When the viscosity decreases and the state becomes stationary, a chemical bond is generated again, and this phenomenon causes a thixotropic effect. When this synthetic resin 4 is applied to the outer circumference of the metal wire 2, the metal wire 2 of both electrodes 1, 1 It does not spread from the connection portion to the outside, and the control adjustment of the application region of the low melting point glass body 3 becomes easy.
【0014】また、前記バインダー樹脂は、例えばブチ
ルカルビノールを93〜98重量%にエチルセルロース2〜
7重量%を混合して50℃の加熱のもとで撹拌機に4時間
混合して混練する。The binder resin is, for example, butyl carbinol of 93 to 98% by weight and ethyl cellulose of 2 to 3.
7% by weight are mixed and mixed with a stirrer for 4 hours under heating at 50 ° C. and kneading.
【0015】そして、低融点ガラスペーストは、例えば
低融点ガラス85重量%、シリカ粒子10重量%、バインダ
ー樹脂5重量%をブチルカルビノール30〜40g に混合す
る。The low melting point glass paste is prepared by mixing 85% by weight of low melting point glass, 10% by weight of silica particles and 5% by weight of a binder resin with 30 to 40 g of butylcarbinol.
【0016】さらに、前記金属線2が円弧状に張設され
て膨出した外側の前記低融点ガラス体3の外周を膜状ま
たは層状の合成樹脂4にて被覆する。この合成樹脂は、
例えば、無溶剤のポリエステル樹脂を用いる。また、こ
の合成樹脂4は粉末または粉末集合体の低融点ガラス体
3を保護する目的を達成するものであれば、無溶剤型エ
ポキシ樹脂、無溶剤型シリコーン樹脂などが用いられ
る。ただし、この合成樹脂4は低融点ガラス体3の粉末
または粉末集合体内部に浸透しない非浸透性に調整する
必要がある。Further, the outer periphery of the low melting point glass body 3 on which the metal wire 2 is stretched in an arc shape and bulges is covered with a synthetic resin 4 in the form of a film or a layer. This synthetic resin is
For example, a solventless polyester resin is used. As the synthetic resin 4, a solventless epoxy resin, a solventless silicone resin, or the like may be used as long as it achieves the purpose of protecting the low melting point glass body 3 of powder or powder aggregate. However, it is necessary to adjust the synthetic resin 4 so that it does not penetrate into the powder of the low melting point glass body 3 or the inside of the powder aggregate.
【0017】また、前記電極1,1と前記金属線2と前
記低融点ガラス体3および前記合成樹脂4とはエポキシ
樹脂などの熱硬化性樹脂によるモールド樹脂体5で被覆
する。このモールド樹脂体5は耐熱性が230 ℃程度以上
ある実装時の半田付け温度に耐えるものであれば、熱硬
化性樹脂に限られず、熱可塑性樹脂など任意の樹脂で構
成することができる。そして、このモールド樹脂体5の
両端底部近傍から突出した前記両電極1,1はモールド
樹脂体5の両端面に沿って配設て他端部をこのモールド
樹脂体5の上面にて互いに対向される。The electrodes 1, 1, the metal wire 2, the low melting point glass body 3 and the synthetic resin 4 are covered with a mold resin body 5 made of a thermosetting resin such as an epoxy resin. The mold resin body 5 is not limited to the thermosetting resin as long as it has a heat resistance of about 230 ° C. or more and can withstand the soldering temperature during mounting, and can be made of any resin such as a thermoplastic resin. The electrodes 1, 1 projecting from the vicinity of the bottoms of both ends of the mold resin body 5 are arranged along both end faces of the mold resin body 5, and the other ends are opposed to each other on the upper surface of the mold resin body 5. It
【0018】次に、上記実施例の回路保護用素子6の製
造方法を説明する。Next, a method of manufacturing the circuit protection element 6 of the above embodiment will be described.
【0019】まず、リードフレーム(図示せず)に形成
された所望形状からなる対をなす電極1,1の一端部間
に金属線2の両端を超音波ボンディングにより溶着す
る。次に、低融点ガラスペーストにより、少なくとも金
属線2の全外周および電極1,1の金属線2との接続部
とに塗布する。次に、金属線2の該低融点ガラスペース
トの外周を無溶剤型ポリエステル樹脂などの合成樹脂4
で被覆する。First, both ends of the metal wire 2 are welded by ultrasonic bonding between one ends of the pair of electrodes 1 and 1 having a desired shape formed on a lead frame (not shown). Next, a low melting point glass paste is applied to at least the entire outer circumference of the metal wire 2 and the connection portion of the electrodes 1 and 1 with the metal wire 2. Next, the outer periphery of the low melting point glass paste of the metal wire 2 is covered with a synthetic resin 4 such as a solventless polyester resin.
Cover with.
【0020】そして、この合成樹脂4の硬化温度、例え
ば、150 ℃で一時間加熱もしくは加温して乾燥する。こ
の合成樹脂4の硬化温度で、低融点ガラスペーストの粘
性が失われ、いわゆるボソボソもしくはサラサラした粉
末もしくは粉末集合体の状態の低融点ガラス体3とな
り、この低融点ガラス体3の外周の一部を被覆している
合成樹脂4も硬化して層もしくは膜を形成する(図
2)。Then, the synthetic resin 4 is dried by heating or heating at a curing temperature of, for example, 150 ° C. for 1 hour. At the curing temperature of this synthetic resin 4, the viscosity of the low-melting glass paste is lost, and the low-melting glass body 3 becomes a so-called blunt or dry powder or powder aggregate, and a part of the outer periphery of the low-melting glass body 3 The synthetic resin 4 covering the resin is also cured to form a layer or film (FIG. 2).
【0021】次に、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性
樹脂により、両電極1,1の各他端部が外側に導出され
るようにモールド成形して、モールド樹脂体5を形成す
る。この場合、前記硬化された合成樹脂4がモールド樹
脂体5を注入する時の圧力を吸収するため、前記低融点
ガラス体3および金属線2などに影響を及ぼすことはな
い。Next, a mold resin body 5 is formed by molding with a thermosetting resin such as an epoxy resin so that the other ends of the electrodes 1 and 1 are led out to the outside. In this case, since the hardened synthetic resin 4 absorbs the pressure when the mold resin body 5 is injected, it does not affect the low melting point glass body 3 and the metal wire 2.
【0022】そして、電極1,1の各他端部(図示せ
ず)をリードフレーム(図示せず)の所望箇所で切離
し、該電極1,1の各他端部がモールド樹脂体5の側面
より外側に導出した状態とする。次いで、この電極1,
1の各他端部(図示せず)をモールド樹脂体5の両端面
に沿って折り曲げ配設して他端部をこのモールド樹脂体
5の上面にて互いに対向させる。図1に示す面実装型の
チップ構成とする。以上のようにして本実施例の面実装
型の回路保護用素子6の製造ができる。Then, the other ends (not shown) of the electrodes 1 and 1 are cut off at desired positions of a lead frame (not shown), and the other ends of the electrodes 1 and 1 are side surfaces of the molded resin body 5. It is in a state of being led to the outside. Then this electrode 1,
The other end portions (not shown) of 1 are bent and arranged along both end surfaces of the molded resin body 5 so that the other end portions face each other on the upper surface of the molded resin body 5. The surface mount type chip configuration shown in FIG. 1 is used. As described above, the surface-mounting type circuit protection element 6 of this embodiment can be manufactured.
【0023】次にこの実施例の作用を説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.
【0024】この実施例の回路保護用素子6は低融点ガ
ラス体3を覆う合成樹脂4はこの低融点ガラス体3と金
属線2とを緩衝保護する。In the circuit protection element 6 of this embodiment, the synthetic resin 4 covering the low melting point glass body 3 buffer-protects the low melting point glass body 3 and the metal wire 2.
【0025】そして電極1,1間に過電流が流れると、
金属線2が発熱溶解して切断される。この際、金属線2
の外周および電極1,1の少なくとも金属線2の接続部
には、低融点ガラス体3が存在するため、金属線2の溶
断時の発熱により、この金属線2の略周辺部は溶解し、
図3に示す溶断により発生する空間部7へ該低融点ガラ
ス体3が侵入していくとともに、金属線2の張力解放作
用により低融点ガラス体3の粉末もしくは粉末集合体が
落ち込む。When an overcurrent flows between the electrodes 1 and 1,
The metal wire 2 is exothermicly melted and cut. At this time, the metal wire 2
Since the low-melting-point glass body 3 exists in the outer periphery of the metal wire 2 and at least the connection portion of the electrodes 1, 1 with the metal wire 2, the heat generated when the metal wire 2 is melted melts the substantially peripheral portion of the metal wire 2,
The low-melting glass body 3 enters the space portion 7 generated by fusing shown in FIG. 3, and the powder or the powder aggregate of the low-melting glass body 3 falls due to the tension releasing action of the metal wire 2.
【0026】そして、金属線2の溶断時の発熱によっ
て、低融点ガラス体3は無機質のため、溶断略周辺部で
溶解するが、燃焼することはなく、導電性の炭化物を生
成しない。このため、溶断後の金属線2a,2aが互いに接
触することがなくなり、さらに、炭化物の生成がないこ
とにより、溶断後の絶縁を完全に保証することができ、
実施例の回路保護用素子6を例えば半導体装置の電源ラ
インや、大きな電流の流れるドライバラインなどに装着
することにより、この装置での過電流により確実かつ的
確に反応して、その電流供給を遮断でき、その遮断状態
がより確実に保持できる。Since the low melting point glass body 3 is an inorganic substance due to the heat generated when the metal wire 2 is melted, it melts in the vicinity of the melting area, but does not burn and does not form conductive carbide. Therefore, the metal wires 2a, 2a after fusing do not come into contact with each other, and further, since no carbide is generated, insulation after fusing can be completely guaranteed,
By mounting the circuit protection element 6 of the embodiment on, for example, a power supply line of a semiconductor device or a driver line through which a large current flows, an overcurrent in this device reacts reliably and accurately to cut off the current supply. It is possible to hold the cutoff state more reliably.
【0027】次に他の実施例について説明する。Next, another embodiment will be described.
【0028】低融点ガラス体3は、低融点ガラス粉末
を、例えば60〜65重量%、好ましくは63重量%と、シリ
カ粉末を、例えば3.5 〜7重量%、好ましくは7重量%
を、溶剤として例えばブチルカルビノールを25〜35重量
%、好ましくは30重量%を混合する。なお、シリカには
増粘効果があるため、バインダーを添加しなくとも、粘
性を有し塗布し易いペーストができる。The low-melting glass body 3 contains low-melting glass powder, for example, 60 to 65% by weight, preferably 63% by weight, and silica powder, for example, 3.5 to 7% by weight, preferably 7% by weight.
Is mixed with 25 to 35% by weight, preferably 30% by weight, of butyl carbinol as a solvent. Since silica has a thickening effect, a paste having viscosity and easy to apply can be formed without adding a binder.
【0029】他の構成は前記実施例と同一である。The other structure is the same as that of the above embodiment.
【0030】この実施例でも前記実施例の図1の構成と
同様に、空気中で、合成樹脂4の硬化温度(例えば15
0℃で60分間)で加熱する。その結果、外周の合成樹
脂4が硬化するととも内側の前記ブチルカルビノールが
系外へと蒸発もしくは揮発して飛散し、低融点ガラスと
シリカ粘性などを失い、いわゆるボソボソもしくはサラ
サラした粉末もしくは粉末集合体の状態を有する低融点
ガラス体3aとなる。Also in this embodiment, similarly to the structure of FIG. 1 of the previous embodiment, the curing temperature of the synthetic resin 4 (for example, 15
Heat at 0 ° C. for 60 minutes). As a result, when the outer peripheral synthetic resin 4 hardens, the inner butylcarbinol evaporates or volatilizes out of the system and loses its low melting point glass and silica viscosity, resulting in a so-called blunt or dry powder or powder aggregate. The low melting point glass body 3a has a body state.
【0031】そして、前記低融点ガラス体3は図4に示
すように、3,000 倍程度に拡大すると、大きい角張った
ガラス粒10の隙間に細かいシリカ粒11が埋まった状態と
なり、このガラス粒10とシリカ粒11との間に空隙12が生
じている。この状態は覆浸液、例えば、シュウ酸塩アル
コール溶液に浸漬した断面を見ると、10分後(図5)か
ら1時間後(図6)に示すように覆浸液が浸透している
ことが明らかであり、このことは低融点ガラス体3が粉
末もしくは粉末集合体となり、空隙が形成され、金属線
2の溶断時の放熱に関して寄与していることが理解でき
る。As shown in FIG. 4, when the low-melting glass body 3 is enlarged about 3,000 times, the fine silica grains 11 are filled in the gaps between the large angular glass grains 10, and the glass grains 10 Voids 12 are formed between the silica grains 11. In this state, when the section immersed in the covering liquid, for example, an oxalate alcohol solution, is seen, the covering liquid has penetrated as shown in 10 minutes (Fig. 5) to 1 hour (Fig. 6). It is clear that this is because the low melting point glass body 3 becomes a powder or a powder aggregate, and voids are formed, which contributes to heat dissipation during melting of the metal wire 2.
【0032】次にこの実施例の回路保護用素子の実験結
果について説明する。Next, the experimental results of the circuit protection device of this embodiment will be described.
【0033】この回路保護用素子に定格の電流の2.5 倍
の過電流を流した結果、各定格500個の回路保護用素子
の全てが確実に1秒以内に金属線2が溶断して遮断され
る特性を示した。なお、定格電流は0.4 Aから2Aまで
の種類があり、例えば、0.4Aには2.5 倍の1Aの電流
にて溶断が発生する。As a result of passing an overcurrent of 2.5 times the rated current through this circuit protection element, all of the 500 circuit protection elements of each rating are reliably cut off within 1 second by melting the metal wire 2. It showed the characteristics that There are some types of rated current from 0.4 A to 2 A. For example, 0.4 A causes 2.5 times the current of 1 A to cause fusing.
【0034】また、金属線2が溶断した状態を、図7は
215 倍程度に拡大したもので、また、図8は800 倍程度
拡大した側断面で、金属線2が瞬間的に高温発熱により
燃焼した痕跡細孔14が見られる。このことは、低融点ガ
ラス体3の内部は多孔性であり、その孔部に空気が残留
して金属線2の燃焼に作用し、金属線2がガス化して空
孔15に侵入したものと推定される。FIG. 7 shows a state in which the metal wire 2 is blown.
FIG. 8 is a side cross-section enlarged about 215 times, and FIG. 8 shows a trace pore 14 in which the metal wire 2 instantaneously burns due to high temperature heat generation. This means that the inside of the low-melting-point glass body 3 is porous, air remains in the pores thereof, and acts on the combustion of the metal wire 2, and the metal wire 2 is gasified and enters the holes 15. Presumed.
【0035】さらに、図8に示すように、金属線2の溶
断部の周囲に低融点ガラス粉末およびシリカ粉末が存在
しており、溶断した金属線2の空洞が残っていないこと
から粉末が崩落したことが判る。Further, as shown in FIG. 8, since the low melting point glass powder and the silica powder exist around the fusing part of the metal wire 2, and the void of the melted metal wire 2 does not remain, the powder collapses. I know what I did.
【0036】さらに、金属線2が溶断した状態の断面を
電子顕微鏡写真で見ると、金属線2の溶断端部に金属線
(アルミニウム)2の残査塊が存在が確認され、金属線
2は燃焼点を中心として拡がり、燃焼が進行して燃焼温
度以下となったところで燃焼が停止していることが確認
できた。Further, when a cross section of the metal wire 2 in a melted state is viewed with an electron microscope photograph, it is confirmed that a residual mass of the metal wire (aluminum) 2 is present at the melted end of the metal wire 2, and the metal wire 2 is It was confirmed that the combustion spreads around the combustion point and stops when the combustion progresses to a temperature below the combustion temperature.
【0037】また、アルミニウムの金属線2の場合、溶
断部は酸化して電気絶縁特性が高まるものと考えられ
る。Further, in the case of the aluminum metal wire 2, it is considered that the fusing part is oxidized to improve the electric insulation property.
【0038】[0038]
【発明の効果】本発明によれば、低融点ガラス体は無機
質材料のため、金属線の溶断時に発熱による炭化物が殆
どなく、残留抵抗が発生することがなく、低融点ガラス
体は粉末もしくは粉末集合体で多孔性であるため、残留
空気もしくは残留酸素により金属線の燃焼溶断が確実と
なり、さらに、低融点ガラスを覆う合成樹脂はこの低融
点ガラスと金属線を保護し、簡単な構成で、金属線が過
電流で確実に溶断し、しかもその溶断状態を確実に保持
し、絶縁状態を確実に維持できる。According to the present invention, since the low-melting glass body is an inorganic material, there is almost no carbide due to heat generation when the metal wire is melted, no residual resistance is generated, and the low-melting glass body is powder or powder. Since the aggregate is porous, combustion blowout of the metal wire is ensured by residual air or residual oxygen, and further, the synthetic resin covering the low melting point glass protects the low melting point glass and the metal wire, and with a simple structure, The metal wire is surely blown by an overcurrent, and the blown state is surely maintained, so that the insulated state can be surely maintained.
【図1】本発明の一実施例を示す回路保護用素子の縦断
面図である。FIG. 1 is a vertical sectional view of a circuit protection element showing an embodiment of the present invention.
【図2】同上回路保護用素子の溶断前の状態を説明する
要部縦断面説明図である。FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional explanatory view of a main part for explaining a state before melting of the circuit protection element of the same.
【図3】同上回路保護用素子の溶断後の状態を説明する
要部縦断面説明図である。FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional explanatory view of relevant parts for explaining a state after the circuit protection element has been fused.
【図4】同上低融点ガラス体の拡大断面説明図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional explanatory view of the low melting point glass body of the above.
【図5】同上低融点ガラス体を覆浸液に覆浸した10分後
の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram 10 minutes after the low melting glass body is covered with a covering liquid.
【図6】同上低融点ガラス体を覆浸液に覆浸した1時間
後の説明図である。FIG. 6 is an explanatory view one hour after the low melting glass body was covered with the immersion liquid.
【図7】同上金属線の溶断状態を示す拡大縦断面説明図
である。FIG. 7 is an enlarged vertical cross-sectional explanatory view showing a melting state of the same metal wire.
【図8】同上金属線の溶断状態を示す拡大縦断面説明図
である。FIG. 8 is an enlarged vertical cross-sectional explanatory view showing a melting state of the metal wire of the above.
1 電極 2 金属線 3 低融点ガラス体 4 合成樹脂 5 モールド樹脂体 1 electrode 2 metal wire 3 low melting point glass body 4 synthetic resin 5 mold resin body
Claims (1)
であって、 対をなす電極と、 前記電極の所定位置間に張設接続した金属線と、 前記金属線の外周および少なくとも前記電極の金属線と
の接続部とを被覆する少なくとも低融点ガラスを含む無
機成分の粉末もしくは粉末集合体の低融点ガラス体と、 前記電極に金属線張設接続した側の前記低融点ガラス体
の外面を被覆する合成樹脂と、 前記電極と前記金属線と前記低融点ガラス体および前記
合成樹脂とをモールド成形し前記両電極の両端を導出さ
せたモールド樹脂体とからなることを特徴とする回路保
護用素子。1. A circuit protection element for preventing an overcurrent of a circuit, comprising a pair of electrodes, a metal wire stretched and connected between predetermined positions of the electrodes, an outer periphery of the metal wire and at least the electrode. And a low melting point glass body of an inorganic component powder or a powder aggregate containing at least a low melting point glass for covering the connection portion with the metal wire, and an outer surface of the low melting point glass body on the side where the metal wire is stretched and connected to the electrode. And a synthetic resin covering the electrode, the metal wire, the low melting point glass body and the synthetic resin, and a molded resin body in which both ends of the both electrodes are led out. Element.
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JP21531592A JP3157915B2 (en) | 1992-07-06 | 1992-08-12 | Circuit protection element |
Publications (2)
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JPH0676728A true JPH0676728A (en) | 1994-03-18 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE112022004881T5 (en) | 2021-10-11 | 2024-09-12 | Koa Corporation | CIRCUIT PROTECTION DEVICE |
-
1992
- 1992-08-12 JP JP21531592A patent/JP3157915B2/en not_active Expired - Fee Related
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