JPH0673158A - エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置Info
- Publication number
- JPH0673158A JPH0673158A JP25224992A JP25224992A JPH0673158A JP H0673158 A JPH0673158 A JP H0673158A JP 25224992 A JP25224992 A JP 25224992A JP 25224992 A JP25224992 A JP 25224992A JP H0673158 A JPH0673158 A JP H0673158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- moisture
- inorganic filler
- type phenolic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明は、（Ａ）ビス（グリシジルオキシキ
シリル）−α−ナフチル−メタンに類するエポキシ樹
脂、（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂および（Ｃ）無
機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記
（Ｃ）の無機質充填剤を25〜90重量％の割合で含有して
なるエポキシ樹脂組成物であり、このエポキシ樹脂組成
物の硬化物によって、半導体チップが封止されてなる半
導体封止装置である。 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封
止装置は、耐湿性、半田耐熱性に優れ、電極の腐蝕によ
る断線や水分によるリーク電流の発生等を著しく低減す
ることができ、しかも長期間にわたって信頼性を保証す
ることができる。
シリル）−α−ナフチル−メタンに類するエポキシ樹
脂、（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂および（Ｃ）無
機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記
（Ｃ）の無機質充填剤を25〜90重量％の割合で含有して
なるエポキシ樹脂組成物であり、このエポキシ樹脂組成
物の硬化物によって、半導体チップが封止されてなる半
導体封止装置である。 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封
止装置は、耐湿性、半田耐熱性に優れ、電極の腐蝕によ
る断線や水分によるリーク電流の発生等を著しく低減す
ることができ、しかも長期間にわたって信頼性を保証す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐湿性、半田耐熱性に
優れたエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置に関す
る。
優れたエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えばフラットパ
ッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合
に、従来リードピン毎に半田付けを行っていたが、最近
では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されてい
る。
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えばフラットパ
ッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合
に、従来リードピン毎に半田付けを行っていたが、最近
では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のノボラック型エ
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
樹脂およびシリカ粉末からなる樹脂組成物によって封止
した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿
性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導体
装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップ、あるいは
封止樹脂とリードフレームの間の剥がれや、内部樹脂ク
ラックが生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐蝕
による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結果、
半導体装置は長期間の信頼性を保証することができない
という欠点があった。
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
樹脂およびシリカ粉末からなる樹脂組成物によって封止
した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿
性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導体
装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップ、あるいは
封止樹脂とリードフレームの間の剥がれや、内部樹脂ク
ラックが生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐蝕
による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結果、
半導体装置は長期間の信頼性を保証することができない
という欠点があった。
【０００４】本発明は、上記の欠点を解消するためにな
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封止樹脂と半導体チップ
あるいは封止樹脂とリードフレームとの剥がれや内部樹
脂クラックの発生がなく、また電極の腐蝕による断線や
水分によるリーク電流の発生もなく、長期信頼性を保証
できるエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供
しようとするものである。
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封止樹脂と半導体チップ
あるいは封止樹脂とリードフレームとの剥がれや内部樹
脂クラックの発生がなく、また電極の腐蝕による断線や
水分によるリーク電流の発生もなく、長期信頼性を保証
できるエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供
しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキ
シ樹脂を用いることによって、耐湿性、半田耐熱性に優
れた樹脂組成物が得られることを見いだし、本発明を完
成したものである。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキ
シ樹脂を用いることによって、耐湿性、半田耐熱性に優
れた樹脂組成物が得られることを見いだし、本発明を完
成したものである。
【０００６】即ち、本発明は、 （Ａ）次の一般式で示されるエポキシ樹脂、
【０００７】
【化３】 （但し、式中Ｒ1 はＣj Ｈ2j+1基を、Ｒ2 はＣk Ｈ2k+1
基をそれぞれ表し、各基におけるj 及びk は 0又は 1以
上の整数を表す） （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂および （Ｃ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）の無機
質充填剤を25〜90重量％の割合で含有してなることを特
徴とするエポキシ樹脂組成物である。また、このエポキ
シ樹脂組成物の硬化物によって、半導体チップが封止さ
れてなることを特徴とする半導体封止装置である。
基をそれぞれ表し、各基におけるj 及びk は 0又は 1以
上の整数を表す） （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂および （Ｃ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）の無機
質充填剤を25〜90重量％の割合で含有してなることを特
徴とするエポキシ樹脂組成物である。また、このエポキ
シ樹脂組成物の硬化物によって、半導体チップが封止さ
れてなることを特徴とする半導体封止装置である。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂は、前
記の一般式化３で示されるものが使用され、その分子量
等に制限されることなく使用することができる。具体的
な化合物として、例えば
記の一般式化３で示されるものが使用され、その分子量
等に制限されることなく使用することができる。具体的
な化合物として、例えば
【００１０】
【化４】
【００１１】
【化５】 等が挙げられ、これらは単独又は混合して使用すること
ができる。また、このエポキシ樹脂には、ノボラック系
エポキシ樹脂、エピビス系エポキシ樹脂、その他、一般
に公知のエポキシ樹脂を併用することができる。
ができる。また、このエポキシ樹脂には、ノボラック系
エポキシ樹脂、エピビス系エポキシ樹脂、その他、一般
に公知のエポキシ樹脂を併用することができる。
【００１２】本発明に用いる（Ｂ）ノボラック型フェノ
ール樹脂としては、フェノール、アルキルフェノール等
のフェノール類とホルムアルデヒドあるいはパラホルム
アルデヒドとを反応させて得られるノボラック型フェノ
ール樹脂およびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化も
しくはブチル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げら
れ、これらは単独又は混合して使用することができる。
ノボラック型フェノール樹脂の配合割合は、前記（Ａ）
のエポキシ樹脂のエポキシ基（a ）と（Ｂ）のノボラッ
ク型フェノール樹脂のフェノール性水酸基（b ）とのモ
ル比［（a ）／（b ）］が0.1 〜10の範囲内であること
が望ましい。モル比が0.1 未満もしくは10を超えると耐
湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が悪くなり、
いずれの場合も好ましくない。
ール樹脂としては、フェノール、アルキルフェノール等
のフェノール類とホルムアルデヒドあるいはパラホルム
アルデヒドとを反応させて得られるノボラック型フェノ
ール樹脂およびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化も
しくはブチル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げら
れ、これらは単独又は混合して使用することができる。
ノボラック型フェノール樹脂の配合割合は、前記（Ａ）
のエポキシ樹脂のエポキシ基（a ）と（Ｂ）のノボラッ
ク型フェノール樹脂のフェノール性水酸基（b ）とのモ
ル比［（a ）／（b ）］が0.1 〜10の範囲内であること
が望ましい。モル比が0.1 未満もしくは10を超えると耐
湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が悪くなり、
いずれの場合も好ましくない。
【００１３】本発明に用いる（Ｃ）無機質充填剤として
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μm 以下の
シリカ粉末が好ましく使用される。平均粒径30μm を超
えると耐湿性および成形性が悪く好ましくない。無機質
充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して25〜90
重量％含有するように配合することが好ましい。その割
合が25重量％未満では樹脂組成物の吸湿性が高く、半田
浸漬後の耐湿性に劣り、また90重量％を超えると極端に
流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましくない。
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μm 以下の
シリカ粉末が好ましく使用される。平均粒径30μm を超
えると耐湿性および成形性が悪く好ましくない。無機質
充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して25〜90
重量％含有するように配合することが好ましい。その割
合が25重量％未満では樹脂組成物の吸湿性が高く、半田
浸漬後の耐湿性に劣り、また90重量％を超えると極端に
流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましくない。
【００１４】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
特定の（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ノボラック型フェノ
ール樹脂および（Ｃ）無機質充填剤を必須成分とする
が、本発明の目的に反しない限度において、また必要に
応じて、例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖
脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン
類等の離型剤、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボン
ブラック等の着色剤、シランカップリング剤、種々の硬
化促進剤、ゴム系やシリコーン系の低応力付与剤等を適
宜添加配合することができる。
特定の（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ノボラック型フェノ
ール樹脂および（Ｃ）無機質充填剤を必須成分とする
が、本発明の目的に反しない限度において、また必要に
応じて、例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖
脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン
類等の離型剤、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボン
ブラック等の着色剤、シランカップリング剤、種々の硬
化促進剤、ゴム系やシリコーン系の低応力付与剤等を適
宜添加配合することができる。
【００１５】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的方法は、前述した特定のエポ
キシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、無機質充填剤
およびその他の成分を配合し、ミキサー等によって十分
均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理
またはニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化
させ適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができ
る。こうして得られた成形材料は、半導体装置をはじめ
とする電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等
に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与させることが
できる。
して調製する場合の一般的方法は、前述した特定のエポ
キシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、無機質充填剤
およびその他の成分を配合し、ミキサー等によって十分
均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理
またはニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化
させ適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができ
る。こうして得られた成形材料は、半導体装置をはじめ
とする電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等
に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与させることが
できる。
【００１６】本発明の半導体封止装置は、上述の成形材
料を用いて半導体チップを封止することにより容易に製
造することができる。封止を行う半導体装置としては、
例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイ
リスタ、ダイオード等で特に限定されるものではない。
封止の最も一般的な方法としては、低圧トランスファー
成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封
止も可能である。成形材料で封止後加熱して硬化させ、
最終的にはこの硬化物によって封止された半導体封止装
置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃以上に加熱し
て硬化させることが望ましい。
料を用いて半導体チップを封止することにより容易に製
造することができる。封止を行う半導体装置としては、
例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイ
リスタ、ダイオード等で特に限定されるものではない。
封止の最も一般的な方法としては、低圧トランスファー
成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封
止も可能である。成形材料で封止後加熱して硬化させ、
最終的にはこの硬化物によって封止された半導体封止装
置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃以上に加熱し
て硬化させることが望ましい。
【００１７】
【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、特定のエポキシ樹脂を用いることによって、樹
脂組成物の吸水性が低下し、またガラス転移温度が上昇
し、熱機械的特性と低応力性が向上し、半田浸漬、半田
リフロー後の樹脂クラックの発生がなくなり、耐湿性劣
化が少なくなるものである。
装置は、特定のエポキシ樹脂を用いることによって、樹
脂組成物の吸水性が低下し、またガラス転移温度が上昇
し、熱機械的特性と低応力性が向上し、半田浸漬、半田
リフロー後の樹脂クラックの発生がなくなり、耐湿性劣
化が少なくなるものである。
【００１８】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例および比較例において「％」とは「重
量％」を意味する。
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例および比較例において「％」とは「重
量％」を意味する。
【００１９】実施例１ 次の化６に示したエポキシ樹脂12％、
【００２０】
【化６】 ノボラック型フェノール樹脂5 ％、シリカ粉末81％、硬
化促進剤 1.0％、エステルワックス類 0.6％およびシラ
ンカップリング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95
℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料（Ａ）を製造し
た。
化促進剤 1.0％、エステルワックス類 0.6％およびシラ
ンカップリング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95
℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料（Ａ）を製造し
た。
【００２１】実施例２ 実施例１で用いたと同じ化６のエポキシ樹脂9 ％、エピ
ビス型エポキシ樹脂4％、ノボラック型フェノール樹脂
5％、シリカ粉末80％、硬化促進剤 1.0％、エステルワ
ックス類 0.6％およびシランカップリング剤 0.4％を常
温で混合し、さらに90〜95℃で混練した後、粉砕して成
形材料（Ｂ）を製造した。
ビス型エポキシ樹脂4％、ノボラック型フェノール樹脂
5％、シリカ粉末80％、硬化促進剤 1.0％、エステルワ
ックス類 0.6％およびシランカップリング剤 0.4％を常
温で混合し、さらに90〜95℃で混練した後、粉砕して成
形材料（Ｂ）を製造した。
【００２２】比較例１ o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂17％、ノボラッ
ク型フェノール樹脂 8％、シリカ粉末74％、硬化促進剤
0.3％、エステルワックス類 0.3％およびシランカップ
リング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練
冷却した後、粉砕して成形材料（Ｃ）を製造した。
ク型フェノール樹脂 8％、シリカ粉末74％、硬化促進剤
0.3％、エステルワックス類 0.3％およびシランカップ
リング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練
冷却した後、粉砕して成形材料（Ｃ）を製造した。
【００２３】比較例２ エピビス型エポキシ樹脂（エポキシ当量450 ）20％、、
ノボラック型フェノール樹脂5 ％、シリカ粉末74％、硬
化促進剤 0.3％、エステルワックス類 0.3％およびシラ
ンカップリング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95
℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料（Ｄ）を製造し
た。
ノボラック型フェノール樹脂5 ％、シリカ粉末74％、硬
化促進剤 0.3％、エステルワックス類 0.3％およびシラ
ンカップリング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95
℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料（Ｄ）を製造し
た。
【００２４】こうして製造した成形材料（Ａ）〜（Ｄ）
を用いて 170℃に加熱した金型内にトランスファー注入
し、硬化させて半導体チップを封止して半導体封止装置
を製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験
を行ったので、その結果を表１に示したが、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物および半導体封止装置は、耐湿性、半
田耐熱性に優れており、本発明の顕著な効果を確認する
ことができた。
を用いて 170℃に加熱した金型内にトランスファー注入
し、硬化させて半導体チップを封止して半導体封止装置
を製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験
を行ったので、その結果を表１に示したが、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物および半導体封止装置は、耐湿性、半
田耐熱性に優れており、本発明の顕著な効果を確認する
ことができた。
【００２５】
【表１】 ＊1 ：トランスファー成形によって直径50mm、厚さ3mm
の成形品を作り、これを127℃， 2.5気圧の飽和水蒸気
中に24時間放置し、増加した重量によって測定した。 ＊2 ：吸水率の場合と同様な成形品を作り、175 ℃，8
時間の後硬化を行い、適当な大きさの試験片とし、熱機
械分析装置を用いて測定した。 ＊3 ：ＪＩＳ−Ｋ−６９１１に準じて試験した。 ＊4 ：成形材料を用いて、 2本以上のアルミニウム配線
を有するシリコン製チップを、通常の42アロイフレーム
に接着し、175 ℃，2 分間トランスファー成形した後、
175 ℃，8 時間の後硬化を行った。こうして得た成形品
を、予め40℃，95％ＲＨ、100 時間の吸湿処理した後、
250 ℃の半田浴に10秒間浸漬した。その後、127 ℃，
2.5気圧の飽和水蒸気中でＰＣＴを行い、アルミニウム
の腐蝕による50％断線を不良として評価した。 ＊5 ： 8×8mm ダミーチップをＱＦＰ（14×14×1.4 m
m）パッケージに納め、成形材料を用いて175 ℃で2 分
間トランスファー成形した後、175 ℃で8 時間の後硬化
を行った。こうして得た半導体封止装置を85℃，85％，
24時間の吸湿処理をした後、240 ℃の半田浴に 1分間浸
漬した。その後、実体顕微鏡でパッケージ表面を観察
し、外部樹脂クラックの発生の有無を評価した。
の成形品を作り、これを127℃， 2.5気圧の飽和水蒸気
中に24時間放置し、増加した重量によって測定した。 ＊2 ：吸水率の場合と同様な成形品を作り、175 ℃，8
時間の後硬化を行い、適当な大きさの試験片とし、熱機
械分析装置を用いて測定した。 ＊3 ：ＪＩＳ−Ｋ−６９１１に準じて試験した。 ＊4 ：成形材料を用いて、 2本以上のアルミニウム配線
を有するシリコン製チップを、通常の42アロイフレーム
に接着し、175 ℃，2 分間トランスファー成形した後、
175 ℃，8 時間の後硬化を行った。こうして得た成形品
を、予め40℃，95％ＲＨ、100 時間の吸湿処理した後、
250 ℃の半田浴に10秒間浸漬した。その後、127 ℃，
2.5気圧の飽和水蒸気中でＰＣＴを行い、アルミニウム
の腐蝕による50％断線を不良として評価した。 ＊5 ： 8×8mm ダミーチップをＱＦＰ（14×14×1.4 m
m）パッケージに納め、成形材料を用いて175 ℃で2 分
間トランスファー成形した後、175 ℃で8 時間の後硬化
を行った。こうして得た半導体封止装置を85℃，85％，
24時間の吸湿処理をした後、240 ℃の半田浴に 1分間浸
漬した。その後、実体顕微鏡でパッケージ表面を観察
し、外部樹脂クラックの発生の有無を評価した。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
は、耐湿性、半田耐熱性に優れ、吸湿による影響が少な
く、電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電流の発
生等を著しく低減することができ、しかも長期間にわた
って信頼性を保証することができる。
に、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
は、耐湿性、半田耐熱性に優れ、吸湿による影響が少な
く、電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電流の発
生等を著しく低減することができ、しかも長期間にわた
って信頼性を保証することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）次の一般式で示されるエポキシ樹
脂、 【化１】 （但し、式中Ｒ1 はＣj Ｈ2j+1基を、Ｒ2 はＣk Ｈ2k+1
基をそれぞれ表し、各基におけるj 及びk は 0又は 1以
上の整数を表す） （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂および （Ｃ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）の無機
質充填剤を25〜90重量％の割合で含有してなることを特
徴とするエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 （Ａ）次の一般式で示されるエポキシ樹
脂、 【化２】 （但し、式中Ｒ1 はＣj Ｈ2j+1基を、Ｒ2 はＣk Ｈ2k+1
基をそれぞれ表し、各基におけるj 及びk は 0又は 1以
上の整数を表す） （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂および （Ｃ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）の無機
質充填剤を25〜90重量％の割合で含有したエポキシ樹脂
組成物の硬化物によって、半導体チップが封止されてな
ることを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25224992A JPH0673158A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25224992A JPH0673158A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0673158A true JPH0673158A (ja) | 1994-03-15 |
Family
ID=17234599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25224992A Pending JPH0673158A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673158A (ja) |
-
1992
- 1992-08-27 JP JP25224992A patent/JPH0673158A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH093161A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JP3441102B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JP3421375B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0570562A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH08134183A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH07242733A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH07138345A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0673158A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0673154A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0753667A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0656960A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH07242730A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0753669A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0673153A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0753670A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0753672A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH07278263A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH06220167A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH06220165A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH06145308A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH06239968A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH07304850A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0790051A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0665353A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH07188387A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |