JPH0669558A - 基板加熱方法及び装置並びに酸化物超伝導体膜の製造方法 - Google Patents
基板加熱方法及び装置並びに酸化物超伝導体膜の製造方法Info
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- JPH0669558A JPH0669558A JP4216895A JP21689592A JPH0669558A JP H0669558 A JPH0669558 A JP H0669558A JP 4216895 A JP4216895 A JP 4216895A JP 21689592 A JP21689592 A JP 21689592A JP H0669558 A JPH0669558 A JP H0669558A
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Landscapes
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、発熱体上に基板を押し付け固定して
加熱する基板加熱方法及び装置に関し、基板の全面にわ
たって均一な温度で加熱することができる基板加熱方法
及び装置を提供することを目的とする。 【構成】熱を発生する発熱体１０と、開口１６が形成さ
れた固定治具１４とを有する。固定治具１４の開口１６
の内周縁部１６ａの端面が、基板１２の外周縁部１２ａ
の傾斜した端面に当接するように傾斜している。固定治
具１４の開口１６下の発熱体１０上に加熱すべき基板１
２が載置され、固定治具１４の開口１６の内周縁部１６
ａに基板１２の外周縁部１２ａを当接させることによ
り、発熱体１０に基板１２を押し付け固定する。
加熱する基板加熱方法及び装置に関し、基板の全面にわ
たって均一な温度で加熱することができる基板加熱方法
及び装置を提供することを目的とする。 【構成】熱を発生する発熱体１０と、開口１６が形成さ
れた固定治具１４とを有する。固定治具１４の開口１６
の内周縁部１６ａの端面が、基板１２の外周縁部１２ａ
の傾斜した端面に当接するように傾斜している。固定治
具１４の開口１６下の発熱体１０上に加熱すべき基板１
２が載置され、固定治具１４の開口１６の内周縁部１６
ａに基板１２の外周縁部１２ａを当接させることによ
り、発熱体１０に基板１２を押し付け固定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発熱体上に基板を押し付
け固定して加熱する基板加熱方法及び装置、並びに加熱
しながら基板上に酸化物超伝導体膜を形成する酸化物超
伝導体膜の製造方法に関する。
け固定して加熱する基板加熱方法及び装置、並びに加熱
しながら基板上に酸化物超伝導体膜を形成する酸化物超
伝導体膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に酸化物超伝導体膜を成長させる
方法としてはスパッタ法や蒸着法やＣＶＤ法などを知ら
れている。酸化物超伝導体膜を形成するための基板とし
てはＳｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＭｇＯ基板、ＳｒＴｉＯ
3 基板、ＬａＡｌＯ3 基板等が用いられている。
方法としてはスパッタ法や蒸着法やＣＶＤ法などを知ら
れている。酸化物超伝導体膜を形成するための基板とし
てはＳｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＭｇＯ基板、ＳｒＴｉＯ
3 基板、ＬａＡｌＯ3 基板等が用いられている。
【０００３】上述した成長方法のうち、蒸着法において
は基板を熱輻射により加熱して酸化物超伝導体膜を成長
させることが多いが、スパッタ法やＣＶＤ法においては
基板を発熱体に密着させて加熱して酸化物超伝導体膜を
成長させることが一般的である。また、上述した基板の
うち、ＭｇＯ基板、ＳｒＴｉＯ3 基板、ＬａＡｌＯ3基
板等は赤外線を透過するため、熱輻射によるよりも発熱
体に密着させて熱伝導により基板を加熱する方が成膜中
の熱的条件が変化することなく望ましい。
は基板を熱輻射により加熱して酸化物超伝導体膜を成長
させることが多いが、スパッタ法やＣＶＤ法においては
基板を発熱体に密着させて加熱して酸化物超伝導体膜を
成長させることが一般的である。また、上述した基板の
うち、ＭｇＯ基板、ＳｒＴｉＯ3 基板、ＬａＡｌＯ3基
板等は赤外線を透過するため、熱輻射によるよりも発熱
体に密着させて熱伝導により基板を加熱する方が成膜中
の熱的条件が変化することなく望ましい。
【０００４】したがって、スパッタ法やＣＶＤ法におい
ては、ＭｇＯ基板、ＳｒＴｉＯ3 基板、ＬａＡｌＯ3 基
板等を機械的に発熱体に押し付けて密着させて加熱する
方法が採られている。加熱された基板表面では熱的エネ
ルギにより基板上に到達した原子がマイグレーションを
おこし、また酸素と反応して所望の酸化物が成長するこ
ととなる。このように基板の表面温度は酸化物超伝導体
膜を成長させるための重要な条件であり、基板の全面に
わたって均一な温度で加熱しなければならない。
ては、ＭｇＯ基板、ＳｒＴｉＯ3 基板、ＬａＡｌＯ3 基
板等を機械的に発熱体に押し付けて密着させて加熱する
方法が採られている。加熱された基板表面では熱的エネ
ルギにより基板上に到達した原子がマイグレーションを
おこし、また酸素と反応して所望の酸化物が成長するこ
ととなる。このように基板の表面温度は酸化物超伝導体
膜を成長させるための重要な条件であり、基板の全面に
わたって均一な温度で加熱しなければならない。
【０００５】従来の基板加熱装置を図５及び図６を用い
て説明する。図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は断面図
である。白金のヒータ（図示せず）が埋め込まれた発熱
体５０上に加熱すべき基板５２が載置される。固定治具
５４は基板５２を発熱体５０上に押し付け固定するため
のものである。固定治具５４の中央には基板５２の形状
に合わせた矩形の開口５６が形成されている。開口５６
の内周縁部５６ａの端面には段差が形成されている。固
定治具５４の開口５４の内周縁部５４ａに基板５２の外
周縁部５２ａが係合するように、基板５２を発熱体５０
上に載置し、固定治具５４を４か所でねじ６０、６２、
６４、６６により発熱体５０にねじ止めすることによ
り、基板５２を発熱体５０に押し付け固定する。基板５
２は発熱体５０からの熱伝導により加熱される。
て説明する。図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は断面図
である。白金のヒータ（図示せず）が埋め込まれた発熱
体５０上に加熱すべき基板５２が載置される。固定治具
５４は基板５２を発熱体５０上に押し付け固定するため
のものである。固定治具５４の中央には基板５２の形状
に合わせた矩形の開口５６が形成されている。開口５６
の内周縁部５６ａの端面には段差が形成されている。固
定治具５４の開口５４の内周縁部５４ａに基板５２の外
周縁部５２ａが係合するように、基板５２を発熱体５０
上に載置し、固定治具５４を４か所でねじ６０、６２、
６４、６６により発熱体５０にねじ止めすることによ
り、基板５２を発熱体５０に押し付け固定する。基板５
２は発熱体５０からの熱伝導により加熱される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板加熱装置の場合、固定治具５４により基板５２の外
周縁部５２ａを発熱体５０の強い力で押し付けるため、
図６（ａ）に示すように、基板５２の外周縁部５２ａの
みが発熱体５０に密着し、基板５２の中央部が密着しな
くなり、均一に加熱されないという問題があった。
基板加熱装置の場合、固定治具５４により基板５２の外
周縁部５２ａを発熱体５０の強い力で押し付けるため、
図６（ａ）に示すように、基板５２の外周縁部５２ａの
みが発熱体５０に密着し、基板５２の中央部が密着しな
くなり、均一に加熱されないという問題があった。
【０００７】また、発熱体５０により基板５２を加熱す
ると、固定治具５４は金属であるため熱膨張係数が基板
５２より大きい。その結果、図６（ｂ）に示すように、
固定治具５４の開口５６が基板５２より大きくなり、基
板５２の外周縁部５２ａのより端の部分を押し付けるこ
とになり、均一な加熱がより困難になる。このように従
来の基板加熱装置では、基板の全面にわたって均一な温
度で加熱することが困難であった。特に酸化物超伝導体
膜の場合、成長温度により結晶構造が変化してしまい、
均質な酸化物超伝導体膜を形成することが困難であっ
た。
ると、固定治具５４は金属であるため熱膨張係数が基板
５２より大きい。その結果、図６（ｂ）に示すように、
固定治具５４の開口５６が基板５２より大きくなり、基
板５２の外周縁部５２ａのより端の部分を押し付けるこ
とになり、均一な加熱がより困難になる。このように従
来の基板加熱装置では、基板の全面にわたって均一な温
度で加熱することが困難であった。特に酸化物超伝導体
膜の場合、成長温度により結晶構造が変化してしまい、
均質な酸化物超伝導体膜を形成することが困難であっ
た。
【０００８】例えば、Ｂｉ系超伝導体膜の場合、ユニッ
トセル内に含まれているＣｕ−Ｏ面の数の相違に応じて
臨界温度（Ｔｃ）が異なる酸化物超伝導体が存在するこ
とが知られている。すなわち、次式のＢｉ系超伝導体膜 Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏx において、ｎ＝１に対するＴｃ＝１０Ｋの相、ｎ＝２に
対するＴｃ＝８０Ｋの相、ｎ＝３に対するＴｃ＝１１０
Ｋの相が存在することが知られている。基板温度が６７
０℃では１０Ｋの相が成長し、基板温度が７００℃では
８０Ｋの相が成長し、基板温度が７４０℃では１１０Ｋ
の相が成長する。
トセル内に含まれているＣｕ−Ｏ面の数の相違に応じて
臨界温度（Ｔｃ）が異なる酸化物超伝導体が存在するこ
とが知られている。すなわち、次式のＢｉ系超伝導体膜 Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏx において、ｎ＝１に対するＴｃ＝１０Ｋの相、ｎ＝２に
対するＴｃ＝８０Ｋの相、ｎ＝３に対するＴｃ＝１１０
Ｋの相が存在することが知られている。基板温度が６７
０℃では１０Ｋの相が成長し、基板温度が７００℃では
８０Ｋの相が成長し、基板温度が７４０℃では１１０Ｋ
の相が成長する。
【０００９】このため、基板上に均質な超伝導体膜を成
長させるためには、基板全体にわたって均一に加熱する
と共に時間的にも安定した加熱が必要であるが、従来の
基板加熱装置では均一で安定した加熱を行うことが困難
であった。本発明の目的は、基板の全面にわたって均一
な温度で加熱することができる基板加熱方法及び装置を
提供することにある。
長させるためには、基板全体にわたって均一に加熱する
と共に時間的にも安定した加熱が必要であるが、従来の
基板加熱装置では均一で安定した加熱を行うことが困難
であった。本発明の目的は、基板の全面にわたって均一
な温度で加熱することができる基板加熱方法及び装置を
提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、基板上に均質な酸化
物超伝導体膜を形成することができる酸化物超伝導体膜
の製造方法を提供することにある。
物超伝導体膜を形成することができる酸化物超伝導体膜
の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、固定治具の
開口下の発熱体上に加熱すべき基板を載置し、前記固定
治具の開口の内周縁部により前記基板の外周縁部を押さ
えることにより、前記発熱体に前記基板を押し付け固定
して加熱する基板加熱方法において、前記固定治具の開
口の内周縁部の端面を、前記基板の外周縁部の傾斜した
端面に当接するように傾斜させ、前記固定治具の開口の
内周縁部の傾斜した端面を前記基板の外周縁部の傾斜し
た端面に当接させるようにして、前記固定治具の開口の
内周縁部により前記基板の外周縁部を押さえることによ
り、前記発熱体に前記基板を押し付け固定して均一に加
熱することを特徴とする基板加熱方法によって達成され
る。
開口下の発熱体上に加熱すべき基板を載置し、前記固定
治具の開口の内周縁部により前記基板の外周縁部を押さ
えることにより、前記発熱体に前記基板を押し付け固定
して加熱する基板加熱方法において、前記固定治具の開
口の内周縁部の端面を、前記基板の外周縁部の傾斜した
端面に当接するように傾斜させ、前記固定治具の開口の
内周縁部の傾斜した端面を前記基板の外周縁部の傾斜し
た端面に当接させるようにして、前記固定治具の開口の
内周縁部により前記基板の外周縁部を押さえることによ
り、前記発熱体に前記基板を押し付け固定して均一に加
熱することを特徴とする基板加熱方法によって達成され
る。
【００１２】また、上記目的は、熱を発生する発熱体
と、開口が形成された固定治具とを有し、前記固定治具
の開口下の前記発熱体上に加熱すべき基板が載置され、
前記固定治具の開口の内周縁部により前記基板の外周縁
部を押さえることにより、前記発熱体に前記基板が押し
付け固定される基板加熱装置において、前記固定治具の
開口の内周縁部の端面が、前記基板の外周縁部の傾斜し
た端面に当接するように傾斜していることを特徴とする
基板加熱装置によって達成される。
と、開口が形成された固定治具とを有し、前記固定治具
の開口下の前記発熱体上に加熱すべき基板が載置され、
前記固定治具の開口の内周縁部により前記基板の外周縁
部を押さえることにより、前記発熱体に前記基板が押し
付け固定される基板加熱装置において、前記固定治具の
開口の内周縁部の端面が、前記基板の外周縁部の傾斜し
た端面に当接するように傾斜していることを特徴とする
基板加熱装置によって達成される。
【００１３】さらに、上記目的は、固定治具の開口下の
発熱体上に加熱すべき基板を載置し、前記固定治具の開
口の内周縁部により前記基板の外周縁部を押さえること
により、前記発熱体に前記基板を固定して加熱しなが
ら、前記基板上に酸化物超伝導体膜を形成する酸化物超
伝導体膜の製造方法において、前記固定治具の開口の内
周縁部の端面を、前記基板の外周縁部の傾斜した端面に
当接するように傾斜させ、前記固定治具の開口の内周縁
部の傾斜した端面を前記基板の外周縁部の傾斜した端面
に当接させるようにして、前記固定治具の開口の内周縁
部により前記基板の外周縁部を押さえ、前記発熱体に前
記基板を押し付け固定して均一に加熱しながら、前記基
板上に酸化物超伝導体膜を形成することを特徴とする酸
化物超伝導体膜の製造方法によって達成される。
発熱体上に加熱すべき基板を載置し、前記固定治具の開
口の内周縁部により前記基板の外周縁部を押さえること
により、前記発熱体に前記基板を固定して加熱しなが
ら、前記基板上に酸化物超伝導体膜を形成する酸化物超
伝導体膜の製造方法において、前記固定治具の開口の内
周縁部の端面を、前記基板の外周縁部の傾斜した端面に
当接するように傾斜させ、前記固定治具の開口の内周縁
部の傾斜した端面を前記基板の外周縁部の傾斜した端面
に当接させるようにして、前記固定治具の開口の内周縁
部により前記基板の外周縁部を押さえ、前記発熱体に前
記基板を押し付け固定して均一に加熱しながら、前記基
板上に酸化物超伝導体膜を形成することを特徴とする酸
化物超伝導体膜の製造方法によって達成される。
【００１４】
【作用】本発明によれば、固定治具の開口の内周縁部の
端面を、基板の外周縁部の傾斜した端面に当接するよう
に傾斜させ、固定治具の開口の内周縁部の端面を基板の
外周縁部の傾斜した端面に当接させるようにして、固定
治具の開口の内周縁部により基板の外周縁部を押さえる
ことにより、発熱体に前記基板を押し付け固定したの
で、基板全体に機械的圧力を分散させて均一に加熱する
ことができると共に、熱膨張しても基板を加熱体に密着
させて常に安定して均一に加熱することができる。
端面を、基板の外周縁部の傾斜した端面に当接するよう
に傾斜させ、固定治具の開口の内周縁部の端面を基板の
外周縁部の傾斜した端面に当接させるようにして、固定
治具の開口の内周縁部により基板の外周縁部を押さえる
ことにより、発熱体に前記基板を押し付け固定したの
で、基板全体に機械的圧力を分散させて均一に加熱する
ことができると共に、熱膨張しても基板を加熱体に密着
させて常に安定して均一に加熱することができる。
【００１５】また、本発明によれば、固定治具の開口の
内周縁部の端面を、基板の外周縁部の傾斜した端面に当
接するように傾斜させ、固定治具の開口の内周縁部の端
面を基板の外周縁部の傾斜した端面に当接させるように
して、固定治具の開口の内周縁部により基板の外周縁部
を押さえ、発熱体に基板を押し付け固定して加熱しなが
ら酸化物超伝導体膜を成長するようにしたので、基板を
均一に安定して加熱することができ均質な酸化物超伝導
体膜を形成することができる。
内周縁部の端面を、基板の外周縁部の傾斜した端面に当
接するように傾斜させ、固定治具の開口の内周縁部の端
面を基板の外周縁部の傾斜した端面に当接させるように
して、固定治具の開口の内周縁部により基板の外周縁部
を押さえ、発熱体に基板を押し付け固定して加熱しなが
ら酸化物超伝導体膜を成長するようにしたので、基板を
均一に安定して加熱することができ均質な酸化物超伝導
体膜を形成することができる。
【００１６】
【実施例】本発明の一実施例による基板加熱装置を図１
及び図２を用いて説明する。図１（ａ）は平面図、図１
（ｂ）は断面図である。白金のヒータ（図示せず）が埋
め込まれた発熱体１０上に加熱すべき基板１２が載置さ
れる。固定治具１４は基板１２を発熱体１０上に押し付
け固定するためのものである。固定治具１４の中央には
基板１２の形状に合わせた矩形の開口１６が形成されて
いる。
及び図２を用いて説明する。図１（ａ）は平面図、図１
（ｂ）は断面図である。白金のヒータ（図示せず）が埋
め込まれた発熱体１０上に加熱すべき基板１２が載置さ
れる。固定治具１４は基板１２を発熱体１０上に押し付
け固定するためのものである。固定治具１４の中央には
基板１２の形状に合わせた矩形の開口１６が形成されて
いる。
【００１７】本実施例では約０．５〜１．０ｍｍ厚で１
５ｍｍ角のＭｇＯ基板１２を用い、その外周縁部１２ａ
の端面が傾斜するように予め加工されている。約１．０
ｍｍ厚の固定治具１４の開口１６の内周縁部１６ａの端
面は、図１（ｂ）に示すように、ＭｇＯ基板１２の端面
に当接するように傾斜させて加工されている。固定治具
１４の開口１４の内周縁部１４ａの端面がＭｇＯ基板１
２の外周縁部１２ａの端面に当接するように、ＭｇＯ基
板１２を発熱体１０上に載置し、固定治具１４を４か所
でねじ２０、２２、２４、２６により発熱体１０にねじ
止めすることにより、ＭｇＯ基板１２を発熱体１０に押
し付け固定する。ＭｇＯ基板１２は発熱体１０からの熱
伝導により加熱される。
５ｍｍ角のＭｇＯ基板１２を用い、その外周縁部１２ａ
の端面が傾斜するように予め加工されている。約１．０
ｍｍ厚の固定治具１４の開口１６の内周縁部１６ａの端
面は、図１（ｂ）に示すように、ＭｇＯ基板１２の端面
に当接するように傾斜させて加工されている。固定治具
１４の開口１４の内周縁部１４ａの端面がＭｇＯ基板１
２の外周縁部１２ａの端面に当接するように、ＭｇＯ基
板１２を発熱体１０上に載置し、固定治具１４を４か所
でねじ２０、２２、２４、２６により発熱体１０にねじ
止めすることにより、ＭｇＯ基板１２を発熱体１０に押
し付け固定する。ＭｇＯ基板１２は発熱体１０からの熱
伝導により加熱される。
【００１８】本実施例の基板加熱装置の場合、図２
（ａ）に示すように、固定治具１４の開口１６の内周縁
部１６ａの傾斜した端面により、ＭｇＯ基板１２の外周
縁部１２ａの傾斜した端面をＭｇＯ基板１２の中心に向
かう矢印の力により、ＭｇＯ基板１２を発熱体１０に押
し付けるので、ＭｇＯ基板１２全体に機械的圧力を分散
させて発熱体１０に全体を密着させて均一に加熱するこ
とができる。
（ａ）に示すように、固定治具１４の開口１６の内周縁
部１６ａの傾斜した端面により、ＭｇＯ基板１２の外周
縁部１２ａの傾斜した端面をＭｇＯ基板１２の中心に向
かう矢印の力により、ＭｇＯ基板１２を発熱体１０に押
し付けるので、ＭｇＯ基板１２全体に機械的圧力を分散
させて発熱体１０に全体を密着させて均一に加熱するこ
とができる。
【００１９】また、加熱により熱膨張しても、固定治具
１４の開口１６の内周縁部１６ａの傾斜した端面によ
る、ＭｇＯ基板１２の外周縁部１２ａの傾斜した端面に
対する力は、図２（ｂ）に矢印で示すように、大きさ及
び方向ともほとんど変化しない。したがって、加熱によ
りＭｇＯ基板１２や固定治具１４が熱膨張しても変わる
ことなく、ＭｇＯ基板１２全体に機械的圧力を分散させ
て発熱体１０に全体を密着させて均一に加熱することが
できる。
１４の開口１６の内周縁部１６ａの傾斜した端面によ
る、ＭｇＯ基板１２の外周縁部１２ａの傾斜した端面に
対する力は、図２（ｂ）に矢印で示すように、大きさ及
び方向ともほとんど変化しない。したがって、加熱によ
りＭｇＯ基板１２や固定治具１４が熱膨張しても変わる
ことなく、ＭｇＯ基板１２全体に機械的圧力を分散させ
て発熱体１０に全体を密着させて均一に加熱することが
できる。
【００２０】本実施例の基板加熱装置を用いて、スパッ
タ法によりＭｇＯ基板１２上にＢｉ系超伝導体膜を成長
させた。ターゲットとしてＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝
３：２：２：３の酸化物ターゲットを用い、Ａｒと酸素
が１：１の混合ガスによりＢｉ系超伝導体（Ｂｉ2 Ｓｒ
2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏx ）の薄膜をＭｇＯ基板１２上に成
長させた。基板加熱装置の加熱温度は７５０℃に設定し
た。
タ法によりＭｇＯ基板１２上にＢｉ系超伝導体膜を成長
させた。ターゲットとしてＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝
３：２：２：３の酸化物ターゲットを用い、Ａｒと酸素
が１：１の混合ガスによりＢｉ系超伝導体（Ｂｉ2 Ｓｒ
2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏx ）の薄膜をＭｇＯ基板１２上に成
長させた。基板加熱装置の加熱温度は７５０℃に設定し
た。
【００２１】本実施例の基板加熱装置を用いて成長した
Ｂｉ系超伝導体膜（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏx ）
のＸ線回折パターンを図３に示す。３つのＸ線回折パタ
ーン（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、ＭｇＯ基板１２の異な
る部位に対するパターンである。図３から明らかなよう
に、ＭｇＯ基板１２の各部位において、Ｂｉ系超伝導体
膜（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏx ）としてｎ＝３で
あるＴｃ＝１１０Ｋの相（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ
x ）だけが成長していることがわかる。
Ｂｉ系超伝導体膜（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏx ）
のＸ線回折パターンを図３に示す。３つのＸ線回折パタ
ーン（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、ＭｇＯ基板１２の異な
る部位に対するパターンである。図３から明らかなよう
に、ＭｇＯ基板１２の各部位において、Ｂｉ系超伝導体
膜（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏx ）としてｎ＝３で
あるＴｃ＝１１０Ｋの相（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ
x ）だけが成長していることがわかる。
【００２２】比較例として、図５に示す従来の基板加熱
装置を用い、本実施例と同様な成長条件によりＭｇＯ基
板上にＢｉ系超伝導体膜（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａn-1 Ｃｕn
Ｏx ）を成長させた。すなわち、ターゲットとしてＢ
ｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝３：２：２：３の酸化物ターゲ
ットを用い、Ａｒと酸素が１：１の混合ガスを用い、７
５０℃の加熱温度により、スパッタ法によりＢｉ系超伝
導体（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ n-1 Ｃｕn Ｏx ）の薄膜をＭｇ
Ｏ基板上に成長させた。
装置を用い、本実施例と同様な成長条件によりＭｇＯ基
板上にＢｉ系超伝導体膜（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａn-1 Ｃｕn
Ｏx ）を成長させた。すなわち、ターゲットとしてＢ
ｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝３：２：２：３の酸化物ターゲ
ットを用い、Ａｒと酸素が１：１の混合ガスを用い、７
５０℃の加熱温度により、スパッタ法によりＢｉ系超伝
導体（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ n-1 Ｃｕn Ｏx ）の薄膜をＭｇ
Ｏ基板上に成長させた。
【００２３】従来の基板加熱装置を用いて成長したＢｉ
系超伝導体膜（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａn- 1 Ｃｕn Ｏx ）のＸ
線回折パターンを図４に示す。ｎ＝３であるＴｃ＝１１
０Ｋの相（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx ）が成長せ
ず、しかも、ｎ＝１に対するＴｃ＝１０Ｋの相（Ｂｉ2
Ｓｒ2 ＣｕＯx ）、ｎ＝２に対するＴｃ＝８０Ｋの相
（Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏx ）が混合して成長してい
ることがわかる。したがって、基板の温度が加熱温度で
ある７５０℃に達せず、しかも、基板の温度が不均一で
あったことがわかるこのように本実施例によれば、固定
治具による力を基板全体に機械的圧力を分散させて発熱
体に密着させているので、基板全体を均一に加熱するこ
とができると共に、熱膨張しても基板を加熱体に密着さ
せて常に安定して均一に加熱することができる。したが
って、本実施例の基板加熱装置によりＭｇＯ基板を加熱
しながらＢｉ系超伝導体膜を成長すれば、均質で高品質
のＢｉ系超伝導体膜を成長させることができる。
系超伝導体膜（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａn- 1 Ｃｕn Ｏx ）のＸ
線回折パターンを図４に示す。ｎ＝３であるＴｃ＝１１
０Ｋの相（Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx ）が成長せ
ず、しかも、ｎ＝１に対するＴｃ＝１０Ｋの相（Ｂｉ2
Ｓｒ2 ＣｕＯx ）、ｎ＝２に対するＴｃ＝８０Ｋの相
（Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏx ）が混合して成長してい
ることがわかる。したがって、基板の温度が加熱温度で
ある７５０℃に達せず、しかも、基板の温度が不均一で
あったことがわかるこのように本実施例によれば、固定
治具による力を基板全体に機械的圧力を分散させて発熱
体に密着させているので、基板全体を均一に加熱するこ
とができると共に、熱膨張しても基板を加熱体に密着さ
せて常に安定して均一に加熱することができる。したが
って、本実施例の基板加熱装置によりＭｇＯ基板を加熱
しながらＢｉ系超伝導体膜を成長すれば、均質で高品質
のＢｉ系超伝導体膜を成長させることができる。
【００２４】本発明は上記実施例に限らず種々の変形が
可能である。例えば、上記実施例では、ＭｇＯ基板上に
Ｂｉ系超伝導体膜を成長させたが、他の材料の基板上に
他の酸化物超伝導体膜を成長する場合でもよい。また、
酸化物超伝導膜を成長する工程以外でも、基板を加熱し
て処理を行う他の工程にも本発明を適用できる。
可能である。例えば、上記実施例では、ＭｇＯ基板上に
Ｂｉ系超伝導体膜を成長させたが、他の材料の基板上に
他の酸化物超伝導体膜を成長する場合でもよい。また、
酸化物超伝導膜を成長する工程以外でも、基板を加熱し
て処理を行う他の工程にも本発明を適用できる。
【００２５】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、固定治具
の開口の内周縁部の端面を、基板の外周縁部の傾斜した
端面に当接するように傾斜させ、固定治具の開口の内周
縁部の端面を基板の外周縁部の傾斜した端面に当接させ
るようにして、固定治具の開口の内周縁部により基板の
外周縁部を押さえ、発熱体に前記基板を押し付け固定し
たので、基板全体に機械的圧力を分散させて均一に加熱
することができると共に、熱膨張しても基板を加熱体に
密着させて常に安定して均一に加熱することができる。
の開口の内周縁部の端面を、基板の外周縁部の傾斜した
端面に当接するように傾斜させ、固定治具の開口の内周
縁部の端面を基板の外周縁部の傾斜した端面に当接させ
るようにして、固定治具の開口の内周縁部により基板の
外周縁部を押さえ、発熱体に前記基板を押し付け固定し
たので、基板全体に機械的圧力を分散させて均一に加熱
することができると共に、熱膨張しても基板を加熱体に
密着させて常に安定して均一に加熱することができる。
【００２６】また、本発明によれば、固定治具の開口の
内周縁部の端面を、基板の外周縁部の傾斜した端面に当
接するように傾斜させ、固定治具の開口の内周縁部の端
面を基板の外周縁部の傾斜した端面に当接させるように
して、固定治具の開口の内周縁部により基板の外周縁部
を押さえ、発熱体に基板を押し付け固定して加熱しなが
ら基板上に酸化物超伝導体膜を成長するようにしたの
で、基板を均一に安定して加熱することができ均質な酸
化物超伝導体膜を形成することができる。
内周縁部の端面を、基板の外周縁部の傾斜した端面に当
接するように傾斜させ、固定治具の開口の内周縁部の端
面を基板の外周縁部の傾斜した端面に当接させるように
して、固定治具の開口の内周縁部により基板の外周縁部
を押さえ、発熱体に基板を押し付け固定して加熱しなが
ら基板上に酸化物超伝導体膜を成長するようにしたの
で、基板を均一に安定して加熱することができ均質な酸
化物超伝導体膜を形成することができる。
【図１】本発明の一実施例による基板加熱装置を示す図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例による基板加熱装置の加熱状
態を示す図である。
態を示す図である。
【図３】本発明の一実施例による基板加熱装置を用いて
成長させたＢｉ系超伝導体膜ののＸ線回折パターンであ
る。
成長させたＢｉ系超伝導体膜ののＸ線回折パターンであ
る。
【図４】従来の基板加熱装置を用いて成長させたＢｉ系
超伝導体膜ののＸ線回折パターンである。
超伝導体膜ののＸ線回折パターンである。
【図５】従来の基板加熱装置を示す図である。
【図６】従来の基板加熱装置の加熱状態を示す図であ
る。
る。
１０…発熱体 １２…基板 １２ａ…外周縁部 １４…固定治具 １６…開口 １６ａ…内周縁部 ２０、２２、２４、２６…ねじ ５０…発熱体 ５２…基板 ５２ａ…外周縁部 ５４…固定治具 ５６…開口 ５６ａ…内周縁部 ６０、６２、６４、６６…ねじ
Claims (3)
- 【請求項１】 固定治具の開口下の発熱体上に加熱すべ
き基板を載置し、前記固定治具の開口の内周縁部により
前記基板の外周縁部を押さえることにより、前記発熱体
に前記基板を押し付け固定して加熱する基板加熱方法に
おいて、 前記固定治具の開口の内周縁部の端面を、前記基板の外
周縁部の傾斜した端面に当接するように傾斜させ、 前記固定治具の開口の内周縁部の傾斜した端面を前記基
板の外周縁部の傾斜した端面に当接させるようにして、
前記固定治具の開口の内周縁部により前記基板の外周縁
部を押さえることにより、前記発熱体に前記基板を押し
付け固定して均一に加熱することを特徴とする基板加熱
方法。 - 【請求項２】 熱を発生する発熱体と、開口が形成され
た固定治具とを有し、前記固定治具の開口下の前記発熱
体上に加熱すべき基板が載置され、前記固定治具の開口
の内周縁部により前記基板の外周縁部を押さえることに
より、前記発熱体に前記基板が押し付け固定される基板
加熱装置において、 前記固定治具の開口の内周縁部の端面が、前記基板の外
周縁部の傾斜した端面に当接するように傾斜しているこ
とを特徴とする基板加熱装置。 - 【請求項３】 固定治具の開口下の発熱体上に加熱すべ
き基板を載置し、前記固定治具の開口の内周縁部により
前記基板の外周縁部を押さえることにより、前記発熱体
に前記基板を固定して加熱しながら、前記基板上に酸化
物超伝導体膜を形成する酸化物超伝導体膜の製造方法に
おいて、 前記固定治具の開口の内周縁部の端面を、前記基板の外
周縁部の傾斜した端面に当接するように傾斜させ、 前記固定治具の開口の内周縁部の傾斜した端面を前記基
板の外周縁部の傾斜した端面に当接させるようにして、
前記固定治具の開口の内周縁部により前記基板の外周縁
部を押さえ、前記発熱体に前記基板を押し付け固定して
均一に加熱しながら、前記基板上に酸化物超伝導体膜を
形成することを特徴とする酸化物超伝導体膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4216895A JPH0669558A (ja) | 1992-08-14 | 1992-08-14 | 基板加熱方法及び装置並びに酸化物超伝導体膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4216895A JPH0669558A (ja) | 1992-08-14 | 1992-08-14 | 基板加熱方法及び装置並びに酸化物超伝導体膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669558A true JPH0669558A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16695601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4216895A Withdrawn JPH0669558A (ja) | 1992-08-14 | 1992-08-14 | 基板加熱方法及び装置並びに酸化物超伝導体膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8632105B2 (en) | 2011-02-09 | 2014-01-21 | Norma Germany Gmbh | Tension clamp |
-
1992
- 1992-08-14 JP JP4216895A patent/JPH0669558A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8632105B2 (en) | 2011-02-09 | 2014-01-21 | Norma Germany Gmbh | Tension clamp |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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