JPH0666510B2 - Optical memory writing method - Google Patents

Optical memory writing method

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JPH0666510B2
JPH0666510B2 JP21073284A JP21073284A JPH0666510B2 JP H0666510 B2 JPH0666510 B2 JP H0666510B2 JP 21073284 A JP21073284 A JP 21073284A JP 21073284 A JP21073284 A JP 21073284A JP H0666510 B2 JPH0666510 B2 JP H0666510B2
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bistable semiconductor
optical memory
injection
value
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邦雄 長島
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は注入電流と出射光量との間にヒステリシス特性
を示す双安定半導体レーザを用いた光メモリの書き込み
方式に関する。
The present invention relates to a writing system for an optical memory using a bistable semiconductor laser exhibiting a hysteresis characteristic between an injection current and an emitted light quantity.

(従来技術) 従来、電気信号の論理演算を高速で行なうデバイスとし
ては、カレント・スイッチを基本ブロックとしてカレン
トモードロジックが知られており更には近年GaAs FETや
ジョセフソン結合素子等を用いた超高速論理演算デバイ
スの研究が進められている。
(Prior Art) Conventionally, as a device for performing a logical operation of an electric signal at a high speed, a current mode logic has been known with a current switch as a basic block, and in recent years, an ultra-high speed using a GaAs FET or a Josephson coupling element. Research on logical operation devices is in progress.

しかしながら画像情報等の2次元的で大量なデータの高
速ディジタル情報処理を電気信号で行なうには演算速
度、消費電力等の面で限界がある。このため高速で2次
元並列の情報処理に親和性のある光信号を光のままディ
ジタル情報処理することのできる光論理演算デバイスの
実現が望まれており、このような光論理演算デバイスに
は光情報を読み書きすることのできる光メモリが不可欠
である。
However, there is a limit in terms of calculation speed, power consumption, and the like for performing high-speed digital information processing of a large amount of two-dimensional data such as image information using electric signals. For this reason, it is desired to realize an optical logic operation device capable of digital information processing of optical signals as they are, which is compatible with high-speed two-dimensional parallel information processing. An optical memory capable of reading and writing information is essential.

このような光メモリとしては例えば文献エレクトロニク
ス・レター(Electronics Letter)第17巻741ページ記
載の双安定半導体レーザが知られている。
As such an optical memory, for example, a bistable semiconductor laser described in Document Electronics Letter, Vol. 17, page 741 is known.

第5図500は双安定半導体レーザの具体例を示す断面図
である。構造は通常用いられる電流注入形の半導体レー
ザとほぼ同じであり、例えば、GaAlAs/GaAsやInGaAsP/I
nPを材料とするダブルヘテロ接合構造のレーザである。
但し、電極501が一様ではなく、一部に電流の注入され
ない部分502が存在していることが通常の半導体レーザ
とは異なっている。上記電流の非注入領域502は可飽和
吸収体として働くので第5図の双安定半導体レーザでは
注入電流i対光出力Po特性にヒステリシス特性をもたせ
ることができる。なお、電極を不均一にするかわりに、
発光領域である活性層の部分に不均一性をもたせ、一部
に可飽和吸収領域を設置することにより同様な双安定特
性を持たせることができる。これらの双安定半導体レー
ザでは注入電流iを適当に選ぶことによって、外部から
の注入光Piに対する出射光Poの特性にも双安定特性が得
られる。
FIG. 5 is a sectional view showing a specific example of a bistable semiconductor laser. The structure is almost the same as that of a commonly used current injection type semiconductor laser. For example, GaAlAs / GaAs or InGaAsP / I
This is a laser with a double heterojunction structure made of nP.
However, this is different from a normal semiconductor laser in that the electrode 501 is not uniform and a part 502 where current is not injected exists in part. Since the current non-injection region 502 functions as a saturable absorber, the injection current i vs. optical output P o characteristic can have a hysteresis characteristic in the bistable semiconductor laser of FIG. Instead of making the electrodes non-uniform,
Similar bistable characteristics can be provided by providing non-uniformity in the part of the active layer that is the light emitting region and providing a saturable absorption part in part. In these bistable semiconductor lasers, by appropriately selecting the injection current i, bistable characteristics can be obtained in the characteristics of the outgoing light P o with respect to the injection light P i from the outside.

第6図(a),(b)は前記第5図の双安定半導体レーザの動
作を説明するための図である。第6図(a)は入射光量Pi
=0とした時の注入電流iと出射光量Poとの関係を示す
図である。すなわち注入電流iをicから増加させたとき
にはi=iuで急激に出射光量Poが増加し、逆に注入電流
iをiu以上の値から減少させた場合には出射光量Poはi
=idで急激に減少するようなヒステリシス特性を示し、
i=ibにおいて出射光量0およびPohの2つの安定点A
およびBを有する。第6図(b)に示した600は第5図にお
いて注入電流i=iwとした時の入射光量Piと出射光量Po
との関係を示す。すなわち出射光量Po=0の第1の安定
点Aにある時に入射光量Piを0から増加させた場合は出
射光量PoはPi=Piuで急激に増加し以降入射量Pi=Pih
ら減少させた場合には出射光量Poはほとんど減少せずに
出射光量Po=Pohの第2の安定点Bに移る。第6図(a)に
おける点A,Bはそれぞれ第6図(b)における点A,B
と同一の点を表わす。
FIGS. 6 (a) and 6 (b) are views for explaining the operation of the bistable semiconductor laser of FIG. Figure 6 (a) shows the incident light intensity P i
It is a figure which shows the relationship between the injection electric current i and the emitted light quantity P o when = 0. That is, the injection current i rapidly emission light intensity P o increases with i = i u in when increasing from i c, the amount of emitted light P o if the injected current i in the opposite reduced from i u or more values i
Shows a hysteresis characteristic that decreases sharply at = i d ,
When i = i b , the two stable points A with zero output and P oh
And B. Reference numeral 600 shown in FIG. 6 (b) denotes the incident light quantity P i and the outgoing light quantity P o when the injection current i = i w in FIG.
Shows the relationship with. That is, when the incident light amount P i is increased from 0 at the first stable point A where the emitted light amount P o = 0, the emitted light amount P o sharply increases at P i = P iu and thereafter the incident amount P i = When it is decreased from P ih, the amount of emitted light P o hardly decreases and the amount of emitted light P o = P oh moves to the second stable point B. Points A and B in FIG. 6 (a) are points A and B in FIG. 6 (b), respectively.
Represents the same point as.

(発明が解決しようとする問題点) 第6図(a)において、注入電流iの値をiwからibに減少
させると、第6図(b)の601に示すように入出射光量特性
は出射光量Poが立ち上がる入射光量PiがPiuからPiu′に
増加し、これにより双安定半導体レーザは、入射光量Pi
を0からPihに増加させても、発振状態に至らず、出射
光量Poは0のままに留まる。
(Problems to be Solved by the Invention) In FIG. 6 (a), when the value of the injection current i is decreased from i w to i b , as shown by 601 in FIG. increases from the incident light intensity P i is P iu is the amount of emitted light P o rises to P iu ', thereby bistable semiconductor laser, the amount of incident light P i
Even if is increased from 0 to P ih , the oscillation state is not reached, and the emitted light amount P o remains 0.

第7図は従来技術による光メモリ書き込み方式を示す図
である。
FIG. 7 is a diagram showing a conventional optical memory writing method.

第7図において、第5図と同一番号を付したものは第5
図と同一の構成要素を示す。
In FIG. 7, the same reference numerals as those in FIG.
The same components as in the figure are shown.

第8図は第7図に示した光メモリの動作を説明するため
のタイムチャートを示す。
FIG. 8 shows a time chart for explaining the operation of the optical memory shown in FIG.

第8図によれば、第7図に示した双安定半導体レーザ50
0の電極501には可変定電流源700によって800で示す注入
電流iが供給されておりこれにより活性層701の一端702
から入射される801で示す光信号Piを記憶し、活性層701
の一端702および他端703から802で示す光信号Poを出射
する。
According to FIG. 8, the bistable semiconductor laser 50 shown in FIG.
The injection current i indicated by 800 is supplied to the electrode 501 of 0 by the variable constant current source 700.
The optical signal P i indicated by 801 incident from
The optical signal P o indicated by 802 is emitted from one end 702 and the other end 703.

第6図(b)に示したように注入電流iの値がibである限
りはたとえ光量Pihの光信号Piが入射されても第7図に
示した双安定半導体レーザ500は前回書き込まれた値に
応じて光量0あるいはPohのいずれか一方の出射光Po
保持している。
Sixth bistable semiconductor laser 500 shown in FIG. 7 also the optical signal P i is the incident injection current i value i b a is as long as if the light amount P ih as shown in Figure (b) the previous in accordance with the written value holds one of the outgoing light P o of the light quantity 0 or P oh.

ここで、第8図803に示すように注入電流iの値を第6
図(a)に示すibからひとたびicに減少すると双安定半導
体レーザ500は第6図(a)に示すA,Bいずれの安定点に
あってもリセットされ、出射光Poの光量は0となる。こ
の後に、第8図804に示す如く注入電流iの値を第6図
(a)に示すiwに増加すると、第6図(b)に示す如く、双安
定半導体レーザ500は光量Pihの入射光Piによってセット
することができる。すなわち、第7図に示した双安定半
導体レーザ500は注入電流iの値がiwとなる期間804に活
性層701の一端702に入射される光信号Piに応じた値を記
憶し、以後注入電流iの値がibである限りその値を保持
する。
Here, the value of the injection current i is set to the sixth value as shown in FIG.
Once i b shown in FIG. 6A is decreased to i c , the bistable semiconductor laser 500 is reset at any stable point A or B shown in FIG. 6A , and the amount of emitted light P o is It becomes 0. After this, the value of the injection current i is changed as shown in FIG.
When it increases to i w shown in (a), the bistable semiconductor laser 500 can be set by the incident light P i having the light quantity P ih as shown in FIG. 6 (b). That is, the bistable semiconductor laser 500 shown in FIG. 7 stores a value corresponding to the optical signal P i incident on the one end 702 of the active layer 701 during the period 804 in which the value of the injection current i becomes i w. As long as the value of the injection current i is i b , that value is held.

第7図に示した従来技術による光メモリ書き込み方式は
活性層701の一端702から入射された光信号Piの値を注入
電流iを制御することによってラッチする。
In the conventional optical memory writing method shown in FIG. 7, the value of the optical signal P i incident from one end 702 of the active layer 701 is latched by controlling the injection current i.

本発明の目的は活性層の一端および他端にそれぞれ入射
される2つの光信号のいずれか一方を選択して記憶する
ことのできる光メモリ書き込み方式を提供することにあ
る。
It is an object of the present invention to provide an optical memory writing method capable of selecting and storing either one of two optical signals incident on one end and the other end of an active layer.

(問題点を解決するための手段) 本発明は電極が共振軸方向に第1および第2の電極の2
つに分割されている双安定半導体レーザと、前記第1お
よび第2の電極にそれぞれ第1および第2の注入電流を
供給する第1および第2の可変電流源とによって構成さ
れる光メモリにおいて、前記第1および第2の注入電流
値を互いに独立に制御することによって前記双安定半導
体レーザの活性層の第1の電極側端面および第2の電極
側端面からそれぞれ入射される2つの光信号のいずれか
一方の値を記憶することを特徴とする光メモリ書き込み
方式である。
(Means for Solving the Problems) In the present invention, the electrode is composed of two first and second electrodes in the resonance axis direction.
In an optical memory including a bistable semiconductor laser divided into two and first and second variable current sources that supply first and second injection currents to the first and second electrodes, respectively, By controlling the first and second injected current values independently of each other, two optical signals respectively incident from the first electrode side end surface and the second electrode side end surface of the active layer of the bistable semiconductor laser are The optical memory writing method is characterized by storing either one of the values.

(作用) 本発明は上述の構成をとることにより双安定半導体レー
ザの活性層の両端にそれぞれ加えられる光信号のいずれ
か一方を選択して記憶することを可能にした。
(Operation) With the above-described configuration, the present invention makes it possible to select and store either one of the optical signals applied to both ends of the active layer of the bistable semiconductor laser.

すなわち、双安定半導体レーザとして溝をはさんで電極
が共振軸方向に2つに分割されているタンデム電極構造
の双安定半導体レーザを用いるとともに2つの電極にそ
れぞれ供給されている2つの注入電流を個々に制御する
ことにより、活性層の両端にそれぞれ入射されている光
信号のいずれか一方を選択して記憶することができる。
That is, as a bistable semiconductor laser, a bistable semiconductor laser having a tandem electrode structure in which an electrode is divided into two in a direction of a resonance axis across a groove is used, and two injection currents respectively supplied to the two electrodes are used. By individually controlling, either one of the optical signals incident on both ends of the active layer can be selected and stored.

(実施例) 以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第3図300は本発明に用いる双安定半導体レーザの具体
例を示す断面図である。基本的構造は第5図に示した双
安定半導体レーザ500とほぼ同じであるが、本発明では
電極が溝をはさんで共振軸方向に電極301と電極302との
2つに分割されていることが第5図に示した双安定半導
体レーザ500と異なっている。
FIG. 3 is a sectional view showing a specific example of a bistable semiconductor laser used in the present invention. The basic structure is almost the same as that of the bistable semiconductor laser 500 shown in FIG. 5, but in the present invention, the electrode is divided into two electrodes 301 and 302 in the resonance axis direction with a groove in between. This is different from the bistable semiconductor laser 500 shown in FIG.

このような双安定半導体レーザとしては昭和57年度電子
通信学会光・電波部門全国大会講演論文集(分冊2)27
2番に述べられているものが知られている。この文献に
は、本発明に使用できる双安定半導体レーザの2つの電
極を互いに接続して、1つの電流源回路で駆動した場合
の動作しか記載されていない。また、入力される光信号
も1つである。
As a bistable semiconductor laser of this kind, Proceedings of the 57th National Congress of the Institute of Electronics and Communications, Division of Light and Radio, 1987 (Volume 2) 27
The one mentioned in number 2 is known. This document only describes the operation when two electrodes of a bistable semiconductor laser usable in the present invention are connected to each other and driven by one current source circuit. Also, the number of optical signals input is one.

第3図に示した双安定半導体レーザ300の電極301および
302にはそれぞれ注入電流i1およびi2が供給されてお
り、これによって活性層303の一端304および他端305に
それぞれ入射されている2つの光信号P1およびP2のいず
れか一方の値を記憶し、活性層303の両端から光信号Po
を出射する。
The electrode 301 of the bistable semiconductor laser 300 shown in FIG.
The injection currents i 1 and i 2 are supplied to 302, respectively, whereby the values of one of the two optical signals P 1 and P 2 incident on one end 304 and the other end 305 of the active layer 303, respectively. And the optical signal P o from both ends of the active layer 303.
Is emitted.

第4図は第3図に示した双安定半導体レーザ300の特性
を示す図である。第4図(a)に示すように第3図に示し
た双安定半導体レーザ300は入射光量P1=0,注入電流i
2=i2bとした時に注入電流i1と出射光量Poとの間に400
で示すヒステリシス特性を有し、注入電流i1の値をi1b
に設定することによって2つの安定点AおよびBを示
す。更にまた、第3図に示した双安定半導体レーザ300
は、i2=i2wとした場合にも、ヒステリシス特性400と同
様のヒステリシス特性を有する。第4図(b)は注入電流i
2=i2bとした時の入射光量P1と出射光量Poとの関係を示
す図であり、第3図に示した双安定半導体レーザ300は
注入電流i1の値を第4図(a)に示したi1bの値に設定する
ことにより401で示す特性を有する。ここで注入電流i1
の値を第4図(b)に示すi1wに設定すると、双安定半導体
レーザ300は402で示す特性を示す。
FIG. 4 is a diagram showing characteristics of the bistable semiconductor laser 300 shown in FIG. As shown in FIG. 4 (a), the bistable semiconductor laser 300 shown in FIG. 3 has an incident light amount P 1 = 0 and an injection current i.
When 2 = i 2b , there is 400 between the injection current i 1 and the emitted light quantity P o.
Has a hysteresis characteristic indicated by the value of the injected current i 1 to i 1b
Two stable points A and B are shown by setting to. Furthermore, the bistable semiconductor laser 300 shown in FIG.
Has a hysteresis characteristic similar to the hysteresis characteristic 400 even when i 2 = i 2w . Figure 4 (b) shows the injection current i.
2 = a i 2b incident light amount P 1 when a is a diagram showing a relationship between light emission amount P o, third bistable semiconductor laser 300 shown in figure injection current i values a fourth view of 1 (a The characteristic indicated by 401 is obtained by setting the value of i 1b shown in (). Where injection current i 1
When the value of is set to i 1w shown in FIG. 4 (b), the bistable semiconductor laser 300 exhibits the characteristic indicated by 402.

更にまた、第3図に示した双安定半導体レーザ300は、i
2=i2wとした場合にも、401,402と同様の特性を有す
る。
Furthermore, the bistable semiconductor laser 300 shown in FIG.
Even when 2 = i 2w , it has the same characteristics as 401 and 402.

一方第4図(c)に示すように第3図に示した双安定半導
体レーザ300はまた入射光量P2=0、注入電流i2=i2b
した時に注入電流i2と出射光量Poとの間に403で示すヒ
ステリシス特性を有し注入電流i2の値をi2bに設定する
ことによって2つの安定点AおよびBを示す。更にま
た、第3図に示した双安定半導体レーザ300は、i1=i1w
とした場合にも、403と同様のヒステリシス特性を有す
る。第4図(d)は注入電流i1=i1bとした時の入射光量P2
と出射光量Poとの関係を示す図であり、第3図に示した
双安定半導体レーザ300は注入電流i2の値を第4図(c)に
示したi2bの値に設定することにより404で示す特性を有
する。ここで注入電流i2の値を第4図(c)に示すi2wに設
定すると双安定半導体レーザ300は403で示す特性を示
す。更にまた、第3図に示した双安定半導体レーザ300
は、i1=i1wとした場合にも、403,404と同様の特性を
有する。第4図(a)における点A,Bはそれぞれ第4図
(b)〜(d)における点A,Bと同一の点を表わす。
On the other hand, as shown in FIG. 4 (c), the bistable semiconductor laser 300 shown in FIG. 3 also has an injection current i 2 and an emission light amount P o when the incident light amount P 2 = 0 and the injection current i 2 = i 2b. Two stable points A and B are shown by setting the value of the injection current i 2 to i 2b which has a hysteresis characteristic indicated by 403 between and. Furthermore, the bistable semiconductor laser 300 shown in FIG. 3 has i 1 = i 1w
In this case also, it has the same hysteresis characteristic as 403. Figure 4 (d) shows the incident light intensity P 2 when the injection current i 1 = i 1b.
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the emitted light amount P o and the bistable semiconductor laser 300 shown in FIG. 3, in which the injection current i 2 is set to the value of i 2b shown in FIG. 4 (c). Has the characteristic indicated by 404. Here, when the value of the injection current i 2 is set to i 2w shown in FIG. 4 (c), the bistable semiconductor laser 300 exhibits the characteristic indicated by 403. Furthermore, the bistable semiconductor laser 300 shown in FIG.
Has the same characteristics as 403 and 404 even when i 1 = i 1w . Points A and B in Fig. 4 (a) are shown in Fig. 4, respectively.
The same points as points A and B in (b) to (d) are shown.

第1図は本発明の実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.

第1図において、第3図と同一番号を付したものは第3
図と同一の構成要素を示す。
In FIG. 1, the ones given the same numbers as in FIG. 3 are the third
The same components as in the figure are shown.

第2図は第1図に示した光メモリの動作を説明するため
のタイムチャートである。第2図によれば第1図に示し
た双安定半導体レーザ300の電極301および302にはそれ
ぞれ可変定電流源100および101によって200および201で
示す注入電流が供給されており、これによって活性層30
3の一端304および他端305から入射され、それぞれ第2
図202および203で示される光信号P1およびP2のいずれか
一方の値を記憶し、活性層303の一端304および他端305
から204で示す光信号Poを出射する。
FIG. 2 is a time chart for explaining the operation of the optical memory shown in FIG. According to FIG. 2, the injection currents 200 and 201 are supplied to the electrodes 301 and 302 of the bistable semiconductor laser 300 shown in FIG. 1 by the variable constant current sources 100 and 101, respectively. 30
3 is incident from one end 304 and the other end 305 of the second
The values of one of the optical signals P 1 and P 2 shown in FIGS. 202 and 203 are stored, and one end 304 and the other end 305 of the active layer 303 are stored.
To 204, the optical signal P o indicated by 204 is emitted.

第4図(b)および(d)に示したように注入電流i1,i2がそ
れぞれi1b,i2bである限りはたとえ光量P1h,P2hの光信
号P1,P2がそれぞれ活性層303の一端304および他端305
に入射されても第1図に示した双安定半導体レーザ300
は前回書き込まれた値に応じて光量0あるいはPohのい
ずれか一方の出射光Poを保持している。
As shown in FIGS. 4 (b) and (d), as long as the injection currents i 1 and i 2 are i 1b and i 2b , respectively, the light signals P 1 and P 2 of the light amounts P 1h and P 2h are respectively generated. One end 304 and the other end 305 of the active layer 303
Bistable semiconductor laser 300 shown in FIG.
Holds the emitted light P o of either light intensity 0 or P oh depending on the value written last time.

ここで第2図205,206に示すように注入電流i1,i2のい
ずれか一方の値をそれぞれ第4図(a),(b)に示すi1c,i
2cに減少すると、双安定半導体レーザ300は第4図(a),
(c)に示すA,Bいずれの安定点にあってもリセットさ
れ、出射光Poの光量は0となる。この後に例えば第2図
206に示すように注入電流i2の値を第4図(a)に示すi2w
に増加すると、第4図(b)に示す如く双安定半導体レー
ザ300は光量P1hの入射光P1によってセットすることがで
き、注入電流i1の値がi1bを保っている限り活性層303の
一端304に入射されている光信号P1は前記のセット動作
には何等の影響を及ぼすことがない。すなわち第1図に
示した半導体レーザ300は注入電流i1,i1bを保ち注入電
流i2の値がi2wとなる期間206に活性層303の他端305に入
射される光信号P2に応じた値を記憶し、以後注入電流
i1,i2の値がそれぞれi1b,i2bである限りその値を保持
する。
Here, as shown in 205 and 206 in FIG. 2 , one of the injection currents i 1 and i 2 is represented by i 1c and i 2 in FIGS. 4 (a) and 4 (b), respectively.
When it is reduced to 2c , the bistable semiconductor laser 300 is shown in FIG.
It is reset at both stable points A and B shown in (c), and the amount of emitted light P o becomes zero. After this, for example, Fig. 2
As shown in 206, the value of the injection current i 2 is i 2w shown in Fig. 4 (a).
As shown in FIG. 4 (b), the bistable semiconductor laser 300 can be set by the incident light P 1 having the light quantity P 1h , and the active layer can be set as long as the injection current i 1 remains i 1b. The optical signal P 1 incident on the one end 304 of 303 does not have any influence on the setting operation. That is, the semiconductor laser 300 shown in FIG. 1 keeps the injection currents i 1 and i 1b and changes the optical signal P 2 incident on the other end 305 of the active layer 303 during the period 206 during which the value of the injection current i 2 is i 2w. Store the value according to the injection current
The values of i 1 and i 2 are held as long as they are i 1b and i 2b , respectively.

同様にして第1図の半導体レーザ300は注入電流i2がi2b
を保ち注入電流i1の値がi1wとなる期間207に活性層303
の一端304に入射される光信号P1に応じた値を記憶し以
後注入電流i1,i2の値がそれぞれi1b,i2bである限りそ
の値を保持する。
Similarly, in the semiconductor laser 300 of FIG. 1, the injection current i 2 is i 2b
During the period 207 in which the value of the injection current i 1 is i 1w .
A value corresponding to the optical signal P 1 incident on one end 304 of the is stored and held thereafter as long as the values of the injection currents i 1 and i 2 are i 1b and i 2b , respectively.

(発明の効果) 以上述べたように、第1図に示した双安定半導体レーザ
300によれば、2つの電極301,302に供給される注入電
極i1,i2を制御することにより活性層303の一端304およ
び他端305にそれぞれ加えられる光信号P1,P2のいずれ
か一方を選択して記憶し、前記活性層303の一端304およ
び他端305から光信号Poを出射することができる。
(Effect of the Invention) As described above, the bistable semiconductor laser shown in FIG.
According to 300, which of the optical signals P 1 and P 2 is applied to the one end 304 and the other end 305 of the active layer 303 by controlling the injection electrodes i 1 and i 2 supplied to the two electrodes 301 and 302, respectively. One of them can be selected and stored, and the optical signal P o can be emitted from the one end 304 and the other end 305 of the active layer 303.

すなわち本発明による光メモリ書き込み方式によれば双
方向の光メモリ動作を得ることができる効果を有するも
のである。
That is, the optical memory writing method according to the present invention has an effect that a bidirectional optical memory operation can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の実施例を示す構成図、第2図は第1図
に示した光メモリの動作を説明するためのタイミングチ
ャートを示す図、第3図は本発明に用いる双安定半導体
レーザの具体例を示す断面図、第4図は第3図に示した
双安定半導体レーザの特性を示す図、第5図は従来技術
による光メモリに用いられている双安定半導体レーザの
具体例を示す断面図、第6図は第5図に示した双安定半
導体レーザの特性を示す図、第7図は従来技術による光
メモリ書き込み方式を示す図、第8図は第7図に示した
光メモリの動作を説明するためのタイミングチャートを
示す図である。 図において100,101および700は可変定電流源、300およ
び500は双安定半導体レーザをそれぞれ表わす。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a timing chart for explaining the operation of the optical memory shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a bistable semiconductor laser used in the present invention. Is a sectional view showing a specific example of the above, FIG. 4 is a diagram showing characteristics of the bistable semiconductor laser shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a specific example of the bistable semiconductor laser used in the optical memory according to the prior art. FIG. 6 is a sectional view, FIG. 6 is a diagram showing characteristics of the bistable semiconductor laser shown in FIG. 5, FIG. 7 is a diagram showing a conventional optical memory writing method, and FIG. 8 is an operation of the optical memory shown in FIG. FIG. 6 is a diagram showing a timing chart for explaining the above. In the figure, 100, 101 and 700 are variable constant current sources, and 300 and 500 are bistable semiconductor lasers, respectively.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電極が共振軸方向に第1および第2の電極
の2つに分割されている双安定半導体レーザと、前記第
1および第2の電極にそれぞれ第1および第2の注入電
流を供給する第1および第2の可変電流源とによって構
成される光メモリにおいて、前記第1および第2の注入
電流値を互いに独立に制御することによって前記双安定
半導体レーザの活性層の第1の電極側端面および第2の
電極側端面からそれぞれ入射される2つの光信号のいず
れか一方の値を記憶することを特徴とする光メモリ書き
込み方式。
1. A bistable semiconductor laser in which an electrode is divided into two electrodes, a first electrode and a second electrode, in the direction of a resonance axis, and first and second injection currents to the first and second electrodes, respectively. In the optical memory constituted by the first and second variable current sources for supplying the first and second variable current sources, the first and second injected current values are controlled independently of each other, whereby the first of the active layers of the bistable semiconductor laser is controlled. An optical memory writing method, characterized in that a value of either one of two optical signals respectively incident from the end face on the electrode side and the end face on the second electrode side is stored.
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