JPH0660873B2 - Luminescence measuring device - Google Patents

Luminescence measuring device

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JPH0660873B2
JPH0660873B2 JP27438985A JP27438985A JPH0660873B2 JP H0660873 B2 JPH0660873 B2 JP H0660873B2 JP 27438985 A JP27438985 A JP 27438985A JP 27438985 A JP27438985 A JP 27438985A JP H0660873 B2 JPH0660873 B2 JP H0660873B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の属する分野の説明 本発明は,半導体結晶に対して電子線およびレーザ光線
を照射し,その照射によって生ずる光(ルミネッセン
ス)のスペクトルおよびその強度を測定し,そのスペク
トルの成因である不純物,格子欠陥およびその複合体を
固定することによって半導体結晶の品質を解析するルミ
ネッセンス測定装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Description of the Field to which the Invention Belongs The present invention irradiates a semiconductor crystal with an electron beam and a laser beam, and measures the spectrum of light (luminescence) generated by the irradiation and its intensity. The present invention relates to a luminescence measuring device for analyzing the quality of a semiconductor crystal by fixing impurities, lattice defects and their composites, which are the causes of the spectrum.

(2)従来の技術の説明 従来のルミネッセンススペクトルおよびその強度を測定
する装置の主なものとして,フォトルミネッセンス装置
とカソードルミネッセンス装置とがある。
(2) Description of conventional technology As a main device for measuring a conventional luminescence spectrum and its intensity, there are a photoluminescence device and a cathodoluminescence device.

フォトルミネッセンス装置は極低温状態の試料にレーザ
光線を照射してルミネッセンスを測定するものであり,
これらは,レーザ発生装置,液体He冷却クライオスタ
ット,分光器などから構成され,装置的には試料を真空
内に設置する必要がないことから,上記構成部品の組み
合わせによって容易に組み立てることができる。
The photoluminescence device measures the luminescence by irradiating a sample in a cryogenic state with a laser beam.
These are composed of a laser generator, a liquid He cooling cryostat, a spectroscope and the like. Since it is not necessary to install the sample in a vacuum in terms of equipment, they can be easily assembled by combining the above-mentioned components.

これに対して,カソードルミネッセンス装置は真空内に
試料を設置し,試料に電子線を照射してルミネッセンス
を測定するものであり,電子銃,真空容器,分光器など
から構成され,装置的には真空内に試料を設置するこ
と,真空容器内で発生したルミネッセンスを大気中に導
出しなければならないことなどからカソードルミネッセ
ンス装置の組み立ては比較的困難である。
On the other hand, the cathodoluminescence device is a device in which a sample is placed in a vacuum and the sample is irradiated with an electron beam to measure the luminescence. The device is composed of an electron gun, a vacuum container, a spectroscope, etc. Assembling a cathode luminescence device is relatively difficult because the sample is placed in a vacuum and the luminescence generated in the vacuum chamber must be discharged to the atmosphere.

カソードルミネッセンス装置は,電子ビームの収束が容
易なことからミクロ領域の測定が可能であり,かつ,電
子ビームの二次元スキャンによるカソードルミネッセン
ス像の測定が容易であるという特徴を有しているが,フ
ォトルミネッセンス装置の利用に比べてカソードルミネ
ッセンス装置の利用は装置的な制約のため非常に少な
い。
The cathodoluminescence device is characterized in that it is possible to measure the micro region due to the easy convergence of the electron beam, and it is easy to measure the cathodoluminescence image by two-dimensional scanning of the electron beam. The use of cathodoluminescent devices is very small compared to the use of photoluminescent devices due to device limitations.

このような状況から,カソードルミネッセンス測定とフ
ォトルミネッセンス測定とを同一の装置で実現するため
には,レーザ発生装置,液体He冷却クライオスタッ
ト,電子銃,真空容器,ルミネッセンスを大気中に導出
する光学系,および,分光器などが必要であるが,従来
のルミネッセンス装置には上記構成部品を同時に具備し
た装置はない。
Under such circumstances, in order to realize the cathodoluminescence measurement and the photoluminescence measurement with the same device, a laser generator, a liquid He cooling cryostat, an electron gun, a vacuum container, an optical system for deriving the luminescence into the atmosphere, Also, a spectroscope or the like is required, but there is no conventional luminescence device having the above-mentioned components at the same time.

カソードルミネッセンス測定とフォトルミネッセンス測
定とから得られる半導体結晶品質の情報はかならずしも
一致せず,むしろカソードルミネッセンス測定のデータ
とフォトルミネッセンス測定のデータとは半導体結晶評
価において相補的な関係にある場合もある。このために
試料の同じ位置におけるカソードルミネッセンス測定と
フォトルミネッセンス測定とが要求されることがあり,
この場合,従来の装置では,カソードルミネッセンス測
定およびフォトルミネッセンス測定毎に試料を設置しな
おさなければならず,かつ試料の同じ位置の判別が煩雑
であるという欠点がある。また,電子線照射によって試
料が劣化する場合,従来の装置では,電子線照射下の試
料の劣化プロセスをフォトルミネッセンス測定でリアル
タイムに解析できないという欠点がある。
The information on the semiconductor crystal quality obtained from the cathodoluminescence measurement and the photoluminescence measurement does not always match, but rather the cathodoluminescence measurement data and the photoluminescence measurement data may have a complementary relationship in the semiconductor crystal evaluation. Therefore, cathodoluminescence measurement and photoluminescence measurement at the same position of the sample may be required.
In this case, the conventional apparatus has a drawback that the sample has to be set again for each of the cathodoluminescence measurement and the photoluminescence measurement, and it is difficult to determine the same position of the sample. Further, when the sample is deteriorated by the electron beam irradiation, the conventional apparatus has a drawback that the deterioration process of the sample under the electron beam irradiation cannot be analyzed in real time by photoluminescence measurement.

(3)発明の目的 本発明はカソードルミネッセンス装置とフォトルミネッ
センス装置とを同一の装置で実現することを特徴とし,
その目的は同一試料の同一位置においてそれぞれのルミ
ネッセンスを独立に,あるいは,同時に測定することに
ある。
(3) Object of the Invention The present invention is characterized in that a cathode luminescence device and a photoluminescence device are realized by the same device,
The purpose is to measure each luminescence independently or simultaneously at the same position of the same sample.

(4)発明の構成および作用の説明 第1図は,本発明の一実施例装置構成図であり,1は真
空容器,2は排気系(ターボポンプ,イオンポンプな
ど),3は電子銃,4は電子線光学系,5は対物レン
ズ,6は移動冷却台,7は試料,8はクライオパネル,
9はレーザ光線発生装置,10はレーザ光線集光系,1
1は光学用窓,12はミラー,13はルミネッセンス集
光系,14は光学用窓,15は集光用光学系,16は分
光器,17は検出器,18はルミネッセンス信号処理系
である。
(4) Description of Configuration and Function of the Invention FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention. 1 is a vacuum container, 2 is an exhaust system (turbo pump, ion pump, etc.), 3 is an electron gun, 4 is an electron beam optical system, 5 is an objective lens, 6 is a moving cooling table, 7 is a sample, 8 is a cryopanel,
9 is a laser beam generator, 10 is a laser beam focusing system, 1
1 is an optical window, 12 is a mirror, 13 is a luminescence condensing system, 14 is an optical window, 15 is a condensing optical system, 16 is a spectroscope, 17 is a detector, and 18 is a luminescence signal processing system.

これらを動作するにあたって,真空容器1内をターボポ
ンプおよびイオンポンプなどから構成される排気系2を
用いて高真空(例えば5×10-9Torr〜5×10-11Torr)
にする。真空容器1内をより高真空にするために,真空
容器および内部はベーキング可能な構造とする。電子銃
3から発射される電子線を電子線光学系4および対物レ
ンズ5によって集束して,試料移動ステージと冷却器と
冷却器からの熱伝導で極低温に冷却される試料台とから
構成される移動冷却台6に置かれた試料7に照射する。
このとき,試料周辺の真空度の向上,さらには試料温度
の低下をはかるため試料7の周辺にクライオパネル8を
設置する。
In operating these, a high vacuum (for example, 5 × 10 −9 Torr to 5 × 10 −11 Torr) is generated in the vacuum container 1 by using an exhaust system 2 including a turbo pump and an ion pump.
To In order to make the inside of the vacuum container 1 a higher vacuum, the vacuum container and the inside have a structure capable of baking. An electron beam emitted from the electron gun 3 is focused by an electron beam optical system 4 and an objective lens 5, and is composed of a sample moving stage, a cooler, and a sample table cooled to a cryogenic temperature by heat conduction from the cooler. The sample 7 placed on the moving cooling table 6 is irradiated.
At this time, a cryopanel 8 is installed around the sample 7 in order to improve the degree of vacuum around the sample and further lower the sample temperature.

大気中に配置されたレーザ光線発生装置9を用いてレー
ザ光線を発生させ,レーザ光線集光系10および光学用
窓11を介してレーザ光線を真空容器1内に導く。集光
レーザ光線をミラー12を介して対物レンズ5の下を通
し,斜入射で電子線が照射された位置と同一の試料7上
に照射する。
A laser beam is generated by using the laser beam generator 9 arranged in the atmosphere, and the laser beam is guided into the vacuum container 1 through the laser beam focusing system 10 and the optical window 11. The condensed laser beam passes under the objective lens 5 via the mirror 12 and is irradiated onto the sample 7 at the same position as the position where the electron beam is obliquely incident.

電子線およびレーザ光線が照射された試料7から発生す
るルミネッセンスを対物レンズ5と試料7との空間に配
置されたルミネッセンス集光系13および光学用窓14
を介して大気中に導出する。ここで,ルミネッセンス集
光系13は,回転楕円面ミラーあるいは球面ミラーと平
面ミラーとの組合わせから構成され,電子線およびレー
ザ光線が通過しうる微細な孔を有している。
Luminescence generated from the sample 7 irradiated with the electron beam and the laser beam is placed in the space between the objective lens 5 and the sample 7, and the luminescence condensing system 13 and the optical window 14 are arranged.
Through the atmosphere. Here, the luminescence condensing system 13 is composed of a spheroidal mirror or a combination of a spherical mirror and a plane mirror, and has fine holes through which an electron beam and a laser beam can pass.

ルミネッセンスを集光用光学系15を介して分光器16
に入射し,特定波長のルミネッセンスを検出器17で検
出し,ルミネッセンス信号処理系18を用いて,ルミネ
ッセンス強度の測定,記憶,およびデータ出力を行う。
The luminescence is transmitted through the condensing optical system 15 to the spectroscope 16
The luminescence of a specific wavelength is detected by the detector 17, and the luminescence signal processing system 18 is used to measure, store, and output the luminescence intensity.

このような構造になっているから,電子線照射で生ずる
カソードルミネッセンスとレーザ光線照射で生ずるフォ
トルミネッセンスとをそれぞれ独立に同一試料の同一位
置において測定することができる。また,カソードルミ
ネッセンスの測定に際してレーザ光を同時に照射し,レ
ーザ光の光量を変えてカソードルミネッセンスを測定す
ることができる。さらに,フォトルミネッセンスの測定
に際して電子線を同時に照射し,電子の加速エネルギー
を変えてフォトルミネッセンスを測定することができ
る。
With such a structure, the cathode luminescence generated by electron beam irradiation and the photoluminescence generated by laser beam irradiation can be measured independently at the same position on the same sample. Further, it is possible to irradiate laser light at the same time when measuring the cathode luminescence and change the light amount of the laser light to measure the cathode luminescence. Furthermore, the photoluminescence can be measured by irradiating an electron beam at the same time when measuring the photoluminescence and changing the acceleration energy of the electrons.

第2図は,対物レンズ5と試料7との空間が狭く,ルミ
ネッセンス集光系13を対物レンズ5の上に配置する場
合の他の実施例装置構成図であり,5は対物レンズ,7
は試料,12はミラー,13はルミネッセンス集光系で
ある。
FIG. 2 is a device configuration diagram of another embodiment in which the space between the objective lens 5 and the sample 7 is narrow and the luminescence condensing system 13 is arranged on the objective lens 5.
Is a sample, 12 is a mirror, and 13 is a luminescence focusing system.

第1図とはレーザ光線の光路が異なる。すなわち,集光
レーザ光線をミラー12を介して対物レンズ5の間を通
し,斜入射で電子線が照射された位置と同一の試料上に
照射する。この時,レーザ光線は対物レンズ5とルミネ
ッセンス集光系13との隙間,あるいは,ルミネッセン
ス集光系13上の孔を通して試料に照射される。本構成
における動作および効果は第1図の場合と同じである。
The optical path of the laser beam is different from that in FIG. That is, the focused laser beam passes through the objective lens 5 via the mirror 12, and is irradiated on the same sample as the position where the electron beam is obliquely incident. At this time, the laser beam is applied to the sample through a gap between the objective lens 5 and the luminescence focusing system 13 or through a hole on the luminescence focusing system 13. The operation and effect of this configuration are the same as in the case of FIG.

第1図と第2図とはレーザ光線を斜入射で試料に照射す
る装置構成図であるのに対して,第3図はレーザ光線を
垂直入射で試料に照射する装置構成図の要部を示す。5
は対物レンズ,6は移動冷却台,7は試料,12はミラ
ー,13はルミネッセンス集光系,19は試料傾斜機構
である。第3図の構成は,対物レンズ5と試料7との空
間が広い場合に適合する。
1 and 2 are apparatus configuration diagrams for irradiating a sample with a laser beam at an oblique incidence, whereas FIG. 3 shows main portions of an apparatus configuration diagram for irradiating a sample with a laser beam at a normal incidence. Show. 5
Is an objective lens, 6 is a moving cooling table, 7 is a sample, 12 is a mirror, 13 is a luminescence condensing system, and 19 is a sample tilting mechanism. The configuration of FIG. 3 is suitable when the space between the objective lens 5 and the sample 7 is wide.

これらを動作するには,ミラー12を電子線通過軸であ
ってルミネッセンス集光系13の上,あるいは,その下
に置き,電子線とレーザ光線との軸を一致させ,レーザ
光線を垂直入射で試料7に照射する。次ぎに,試料7上
で反射されたレーザ光線の輝点の位置をレーザ光線発生
装置のレーザ光線出射点に一致するように試料傾斜機構
19を調整する。そのほかの動作は第1図の場合と同じ
である。
In order to operate these, the mirror 12 is placed on the electron beam passage axis above or below the luminescence focusing system 13, the axes of the electron beam and the laser beam are aligned, and the laser beam is vertically incident. Irradiate the sample 7. Next, the sample tilting mechanism 19 is adjusted so that the position of the bright spot of the laser beam reflected on the sample 7 coincides with the laser beam emitting point of the laser beam generator. Other operations are the same as those in FIG.

本構成図における効果は第1図の場合と同じであるほ
か,レーザ光線を垂直入射で試料に照射する構造になっ
ているから,試料面のルミネッセンス光学系に対する傾
斜をなくすことができ,試料のX軸およびY軸方向への
移動に際して試料表面を常にルミネッセンス光学系の焦
点位置に配置することができる。
The effect of this configuration diagram is the same as that of the case of Fig. 1, and since the structure is such that the laser beam is vertically incident on the sample, it is possible to eliminate the inclination of the sample surface with respect to the luminescence optical system. When moving in the X-axis and Y-axis directions, the sample surface can always be placed at the focal position of the luminescence optical system.

(5)効果の説明 以上説明したように,本発明によれば,カソードルミネ
ッセンス装置とフォトルミネッセンス装置とを同一の装
置で実現するものであるから,電子線照射で生ずるカソ
ードルミネッセンスとレーザ光線照射で生ずるフォトル
ミネッセンスとをそれぞれ独立に同一試料の同一位置に
おいて測定することができる。またカソードルミネッセ
ンスの測定に際してレーザ光線を同時に照射することに
よって,試料である半導体結晶中に過剰の電子・正孔を
発生させ,特に,半絶縁性結晶試料のカソードルミネッ
センス強度を増すことができるという利点があり,レー
ザ光線の光量を変えてカソードルミネッセンスを測定す
ることができるという利点がある。
(5) Description of effects As described above, according to the present invention, the cathode luminescence device and the photoluminescence device are realized by the same device, and therefore, the cathodoluminescence generated by electron beam irradiation and the laser beam irradiation can be realized. The resulting photoluminescence can be measured independently at the same position on the same sample. In addition, by simultaneously irradiating a laser beam during the measurement of cathodoluminescence, excess electrons and holes are generated in the semiconductor crystal that is the sample, and in particular, it is possible to increase the cathodoluminescence intensity of the semi-insulating crystal sample. Therefore, there is an advantage that the cathode luminescence can be measured by changing the light amount of the laser beam.

さらに,フォトルミネッセンスの測定に際して電子線を
同時に照射し,電子の加速エネルギーを変えてフォトル
ミネッセンスを測定することによって,電子線照射下の
試料の劣化プロセスをリアルタイムで解析できる利点が
ある。
Furthermore, when measuring photoluminescence, it is possible to analyze the deterioration process of the sample under electron beam irradiation in real time by simultaneously irradiating the electron beam and changing the acceleration energy of the electrons to measure the photoluminescence.

また,レーザ光線を垂直入射で試料に照射することによ
って,試料のX軸およびY軸方向への移動に際して試料
表面を常にルミネッセンス光学系の焦点位置に配置する
ことができることから,フォトルミネッセンスおよびカ
ソードルミネッセンスの線分析測定において,試料面の
焦点位置からのずれに伴うルミネッセンス強度の補正が
不要であるという利点がある。
Further, by irradiating the sample with a laser beam at a normal incidence, the sample surface can be always placed at the focal position of the luminescence optical system when the sample moves in the X-axis and Y-axis directions, so that photoluminescence and cathodoluminescence are observed. In the line analysis measurement of 1), there is an advantage that it is not necessary to correct the luminescence intensity due to the deviation from the focus position of the sample surface.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は試料と対物レンズとの空間が広い場合でレーザ
光線を斜入射で試料に照射する一実施例装置構成図,第
2図は試料と対物レンズとの空間が狭い場合でレーザ光
線を斜入射で試料に照射する装置構成図の変形,第3図
はレーザ光線を垂直入射で試料に照射する装置構成図の
変形を示す。 1…真空容器,2…排気系,3…電子銃,4…電子線光
学系,5…対物レンズ,6…移動冷却台,7…試料,8
…クライオパネル,9…レーザ光線発生装置,10…レ
ーザ光線集光系,11…光学用窓,12…ミラー,13
…ルミネッセンス集光系,14…光学用窓,15…集光
用光学系,16…分光器,17…検出器,18…ルミネ
ッセンス信号処理系,19…試料傾斜機構。
FIG. 1 is an apparatus configuration diagram of an embodiment in which a laser beam is obliquely incident on a sample when the space between the sample and the objective lens is wide, and FIG. 2 is a laser beam when the space between the sample and the objective lens is narrow. FIG. 3 shows a modification of the apparatus configuration diagram for irradiating a sample with oblique incidence, and FIG. 3 shows a modification of the apparatus configuration diagram for irradiating a sample with a laser beam vertically incident. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum container, 2 ... Exhaust system, 3 ... Electron gun, 4 ... Electron beam optical system, 5 ... Objective lens, 6 ... Moving cooling stand, 7 ... Sample, 8
... Cryopanel, 9 ... Laser beam generator, 10 ... Laser beam focusing system, 11 ... Optical window, 12 ... Mirror, 13
... Luminescence condensing system, 14 ... Optical window, 15 ... Condensing optical system, 16 ... Spectrometer, 17 ... Detector, 18 ... Luminescence signal processing system, 19 ... Sample tilting mechanism.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】試料をXYZの3軸方向に駆動する試料移
動ステージと,冷却器と,該冷却器からの熱伝導で極低
温に冷却される試料台と,該試料台上の試料表面に集束
電子線を照射するZ軸方向に置かれた電子銃と,該電子
銃から発射された電子線を集束する電子線光学系および
対物レンズと,真空容器内にレーザ光を導入する窓と,
真空容器内に導入されたレーザ光を試料表面に導くミラ
ーとが配置されており,さらに該集束電子線と該集光レ
ーザ光線が照射される所から発生するルミネッセンスを
集光するルミネッセンス集光系と,該集光ルミネッセン
スを真空容器外に導く窓とが高真空容器内部に設けられ
ると共に,電子線が照射されるのと同じ位置に集光レー
ザ光線を照射するレーザ発生装置と,前記窓から真空容
器外に導かれたルミネッセンスを集光する集光用光学系
と,前記ルミネッセンスをスペクトルに分解する分光器
と,該スペクトル強度を測定する検出器と,ルミネッセ
ンス信号処理装置とを前記高真空容器外に設けたことを
特徴とするルミネッセンス測定装置。
1. A sample moving stage for driving a sample in three XYZ directions, a cooler, a sample stage cooled to an extremely low temperature by heat conduction from the cooler, and a sample surface on the sample stage. An electron gun placed in the Z-axis direction for irradiating a focused electron beam, an electron beam optical system and an objective lens for focusing the electron beam emitted from the electron gun, a window for introducing laser light into the vacuum container,
A luminescence condensing system for arranging a mirror for guiding the laser light introduced into the vacuum container to the sample surface, and further concentrating the luminescence generated from the point where the focused electron beam and the focused laser beam are irradiated. And a window for guiding the condensed luminescence to the outside of the vacuum container are provided inside the high vacuum container, and a laser generator for irradiating a condensed laser beam to the same position where the electron beam is irradiated, and the window The high-vacuum container includes a light-collecting optical system that collects luminescence guided to the outside of a vacuum container, a spectroscope that decomposes the luminescence into a spectrum, a detector that measures the spectrum intensity, and a luminescence signal processing device. A luminescence measuring device provided outside.
【請求項2】上記のレーザ光を試料表面に導くミラーは
電子線を透過しうる微細な孔を有し,ミラーが電子線の
通過軸上に置くことによって電子線の軸とレーザ光線の
軸が一致するように配置したことを特徴とする特許請求
の範囲第(1)項記載のルミネッセンス測定装置。
2. A mirror for guiding the laser beam to the sample surface has a fine hole through which an electron beam can pass, and by placing the mirror on the passing axis of the electron beam, the axis of the electron beam and the axis of the laser beam can be changed. The luminescence measuring device according to claim (1), characterized in that they are arranged so as to coincide with each other.
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