JPH0655388A

JPH0655388A - 形状加工方法及びその装置

Info

Publication number: JPH0655388A
Application number: JP21164292A
Authority: JP
Inventors: Souichi Katagiri; 創一片桐; Masaaki Ito; 昌昭伊東; Hidekazu Seya; 英一瀬谷; Hiroaki Oiizumi; 博昭老泉; Shigeo Moriyama; 茂夫森山; Eiji Takeda; 英次武田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-08-07
Filing date: 1992-08-07
Publication date: 1994-03-01

Abstract

(57)【要約】【目的】Ｘ線集光鏡等に用いる任意曲面に必要な形状
精度２ｎｍｐ−ｖおよび、表面あらさ０．５ｎｍｒｍ
ｓを実現する加工方法と装置を提供することが本発明の
目的である。【構成】空間周期の低い部分と高い部分の形状を創成
する機械加工による１次加工手段と、その際の被加工物
の形状精度を精密に計測する計測手段と、その計測結果
に基づいて部分的に薄膜付着あるいは部分的に除去する
２次加工手段からなる。【効果】研磨加工等の従来技術の延長では達成困難な
超平滑な任意曲面が、局所的な薄膜付着等による２次加
工を行うことにより初めて加工可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は形状加工装置に係り、平
面、球面あるいは非球面等の任意形状加工方法及びその
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

公知例（特許公報又は文献名） Robert A.Jones;"Computer-controlled polishing of t
elescope mirror segments," OPTICAL ENGINEERING, Ma
r/Apr Vol.22, No.2, 1983 従来の加工方法は、オプティカルエンジニアリング、Vo
l.22、No.2、１９８３年発行の"Computer-controlled p
olishing of telescope mirror segments"に記載されて
いるように機械加工のみを用いて非球面加工を行ってい
た。形状精度として０.０２５λ（λ＝６３３ｎｍ）ｒ
ｍｓが得られている。２３８頁のＦｉｇ.４に記載され
ているように従来の機械加工のみによる形状創成では、
すべての空間周期にわたって形状修正を理想的に行うの
は困難であることがわかる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体製造の微
細加工能力はますます高まり、２１世紀初頭には０.１
μｍのパターン形成が要求される。この微細パターンを
形成する手段として、Ｘ線縮小露光システムが有望視さ
れている。このＸ線縮小露光システムに用いられる露光
光学素子に要求されるあらさは、０.０００８λ ｒｍ
ｓ（０.５ｎｍｒｍｓ）程度、形状精度は２ｎｍｐ
−ｖ程度であり、しかも非球面である。上記従来技術の
延長によりＸ線縮小露光システムに用いられる露光光学
素子に要求される形状精度を満たすのは困難である。

【０００４】その他の課題として、将来の記憶媒体とし
て有望視されるものにアトミックストレッジがある。ア
トミックストレッジとは原子や分子の凹凸を記憶単位と
して用いるメモリのことである。このアトミックストレ
ッジには、少なくとも数平方ミリメートルの領域におい
て原子オーダで平坦な基板が必要とされる。このような
基板の加工は極めて困難である。

【０００５】その他の課題として、磁気ディスク基板が
ある。磁気ディスクの記録密度は、磁気ヘッドと基板間
の距離(スペーシング)によって決まる。現在の記録密度
１５０Ｍｂ／ｉｎ²では、スペーシングは約８０ｎｍで
ある。このスペーシングにおいて要求されるあらさ及び
平坦度は、１０ｎｍＲｍａｘ程度である。今後、記録密
度が向上するとスペーシングはますます小さくなり、同
時に要求されるあらさ及び平坦度はナノメートルオーダ
となる。このようなディスク基板の製造は、従来法の延
長では困難である。

【０００６】以上の記述から理解されるように機械加工
のみによる形状創成で、ナノメートルのオーダの形状精
度を得ることは非常に困難である。本発明の課題は、あ
らさ０.０００８λ ｒｍｓ（０.５ｎｍｒｍｓ）、
形状精度２ｎｍｐ−ｖより高い形状精度を任意曲面に
おいて実現することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】空間周期の低い部分と高
い部分の形状の創成を機械加工手段にて行い、その際の
被加工物の形状精度を精密に計測し、その計測結果に基
づいて部分的に薄膜付着あるいは部分的に結晶成長する
かあるいは、部分的にエッチングすることによって残さ
れた空間周期の中間部分の形状修正を行うことによって
達成される。

【０００８】

【作用】機械加工で形状修正可能な空間周期の一例を図
２に示す。図２より形状修正可能な領域は例に用いた工
具の場合、比較的大きい周期と小さい周期になる。この
形状創成が困難な中間の空間周期部分の形状誤差を精密
に計測し、その結果に基づいて部分的な形状修正加工を
行うことによって、今までにない超平滑な面を得ること
が可能となる。図１に形状創成方法の詳細を示す。図１
の最上部の試料１は加工前の試料１の断面図である。形
状計測と１次加工を繰返し、図１の中央部に示すように
５ｍｍ以上の長周期の空間誤差のみが残るところまで加
工する。これは、２次加工可能な横分解能を確保するこ
とを意味する。つまり、２次加工の横分解能が向上すれ
ば、１次加工で低減すべき空間周期は５ｍｍより短くで
きる。その後に形状計測データに基づいて部分的な薄膜
付着を図１下部に示すように行う。また、薄膜を付着す
る代りに部分的にエッチングしてもよい。この２次加工
も１次加工と同様に許容誤差範囲に入るまで形状計測と
加工を繰り返して行う。こうすることにより、今までに
ない超平滑な任意曲面形状を得ることが可能となる。

【０００９】

【実施例】

〔実施例１〕本発明を実現する実施例を図８を用いて詳
細に説明する。この装置は、Ｘ線縮小投影露光用光学素
子の加工を行うものの一例である。本装置は１次加工手
段３９、形状計測手段４０、２次加工手段４１と制御手
段３８からなる。被加工物１は試料台４３に搭載され形
状測定手段４０にロードされる。ここで、被加工物１の
形状誤差を測定し測定データを制御手段３８のメモリに
蓄える。この形状計測手段は、あらゆる空間周期の形状
誤差を計測できるものが望ましい。しかし、現状では、
空間周期の高い部分にあたるあらさは、横分解能の高い
あらさ計測専用装置によって計測されている。また、空
間周期の低い部分は形状計測器によって計測される。そ
こで、１次加工と共に用いる形状計測手段は、あらさ計
であることが望ましい。もちろん、形状計測器を用いて
も良い。同様の理由により、２次加工と計測手段の組合
せは、形状計測器であることが望ましい。

【００１０】形状計測器は、図１３に示すようなプロー
ブ方式の測定機でも良いし、図１４に示すようなレーザ
干渉計を用いても良い。ただし、図示のようなレーザ干
渉計を用いる場合、測定対象は球面に近い曲面に限られ
る。フリンジスキャンやヘテロダイン干渉を利用したサ
ブフリンジ計測を行うことによって、現状では感度２ｎ
ｍ程度が得られる。一方、図１３に示すプローブ式は、
基準平面に対してプローブを走査する際の変位を検出す
ることによって形状を計測するので、試料１の形状制約
はレーザ干渉計ほど大きくはないという長所がある。計
測に時間がかかる点と横分解能を得にくい点が短所であ
る。現状の感度は、レーザ干渉計と同様に２ｎｍ程度が
得られる。

【００１１】次に１次加工手段３９に被加工物１をロー
ドし、計測データに基づいて加工を行う。適当な間隔を
おいて形状測定手段４０へ再びロードして被加工物１の
形状を測定してデータを制御手段３８に蓄え１次加工を
繰り返して行う。この動作を形状誤差が許容値内に入る
まで繰り返す。形状誤差の許容範囲は、主にあらさの低
減を目的とし空間周期の高い部分に着目する。１次加工
手段３９としては、切削でも研削でもよいが、研磨加工
が平滑な面を得る方法として有効である。研磨加工で
は、一般的に１μｍ以下の微小な砥粒をピッチ、ワック
ス、合成樹脂、人工皮革、などの軟質ポリッシャに保持
させて被加工物１の表面をひっかきながら塑性的な微小
切削が行われる。

【００１２】従来の研磨加工は、球面あるいは平面原器
と試料１の摺りあわせによって形状を創成していた。こ
の方法の延長では、非球面形状を精度よく創成すること
ができない。そこで、図３に示すような研磨工具２を複
数本設けてそれぞれを独立に加工圧力を制御して非球面
形状を得る研磨加工法を採用する。この加工方法は、平
滑な非球面を得るのに有利である。研磨工具２の構造の
詳細を図４に示す。工具１０には、ピッチ１１が貼付ら
れている。この工具１０はボール９を介して圧電素子７
に接続されその先には圧力検知手段６がある。工具１０
と圧電素子７は、バネ８によりフレキシブルに固定され
る。また、加工中の発熱を検知する熱電対３７を備えて
いる。次に、図５を用いて加工のシーケンスを説明す
る。試料１はテーブル３に固定され、試料台３はモータ
４によって回転する。一方、工具２は、工具固定台５に
固定され矢印の方向に揺動する。テーブル３の回転角度
をロータリエンコーダ２９により検出し、工具の揺動位
置をリニアエンコーダ２５により検出して工具２の加工
位置を割り出してその位置における加工量を制御手段２
４のメモリから求めて工具圧力あるいは形状を変えて加
工する。加工中に発熱した場合、温度制御された研磨液
が研磨液循環部２３より供給され被加工物１の発熱を抑
えることができる。

【００１３】２次加工では、１次加工で加工困難な空間
周期の低いうねり形状の修正を行う必要がある。そこ
で、図６に示すような局部薄膜付着による形状修正加工
を採用する。１次加工終了後の試料１の形状誤差分布デ
ータを２次加工手段４１の制御部２１に転送し、このデ
ータに基づいて凹部に薄膜１４を付着させる。装置とし
ては、図６のような光ＣＶＤ(Chemical Vapor Depositi
on）が考えられる。薄膜付着位置の制御の容易さから光
ＣＶＤによる方が望ましい。ここでは、光ＣＶＤによる
２次加工について詳しく述べる。加工原理は、材料ガス
をエキシマレーザ光等によって光分解させ、発生するラ
ジカル（化学種）を基板上で再結合させて膜形成すると
いうものである。この加工方法には、光を基板と水平に
入射する水平入射型と垂直入射型の二つに分けられる。
水平入射型は、大面積に薄膜形成するのに適した方法で
ある。ここでは、局所的な薄膜形成を行うので、垂直入
射型に限って説明する。

【００１４】本発明が対象にしているＸ線集光鏡には、
軟Ｘ線用多層膜が形成される。修正用薄膜材料はこの多
層膜に相性の良い必要があることから、使用する多層膜
と同一の材料が望ましい。ただし、多層膜の欠陥修正を
考えると、図１２に示すように修正後の試料１の表面に
Ａｌ等のバッファ層を設けても良い。もちろん、修正用
の薄膜１４とバッファ層８２を同一材料としても良い。

【００１５】一般的に多層膜は、軽物質と重物質の対で
形成される。軽物質としては、Ｃ、Ｓi、Ｂ、Ｇe、Ｓi
Ｏ₂、ＳiＮ、ＢＮ、Ｂ₄Ｃ、ＳiＣ、Ｂe、ＡlＮ等があげ
られる。重物質としては、Ｍo、Ｗ、Ｎi、Ｒu、Ｒe、Ｒ
h、ＲeＷ、Ａu、Ｐt、Ｃu、Ｃr、Ｃo、Ｐb、Ｔa、Ｍo
Ｎ、ＮbＮ等及び、これらの合金、窒化物、炭化物、ホ
ウ化物があげれる。反応ガスとしては、Ｇe(ＣＨ₂)₃等
のメチル化金属Ｗ(ＣＯ)₆、Ｃr(ＣＯ)₄、Ｍo(ＣＯ)₆、
Ｆe(ＣＯ)₅がある。これらの材料のうちいずれかを選択
して用いる。以上の材料を用いてレーザ光を集光光学系
４４にて被加工物１上に絞り、回転鏡１３にて被加工物
１の所望の位置に光を走査し、薄膜を所望の位置に所望
の厚さだけ形成する。修正加工後の被加工物１の形状
は、再び形状計測手段４２により計測され、形状誤差が
大きく修正の必要があれば２次加工を繰り返して行う。

【００１６】２次加工の別の手段として図７に示すよう
な走査可能な可変開口部付きのスパッタによるものも考
えられる。スパッタ法によれば、基板材料や薄膜材料の
選択性がほとんどないので、良質な薄膜が任意の材料に
おいて実現できるという長所がある。被加工物１は、駆
動手段１９により真空容器２０内にロードされ適当な位
置で固定される。真空容器２０内の圧力は、真空ポンプ
２２によって減圧及びリークされる。真空容器２０内に
は、位置可変の開口部３４が設けられている。開口部
は、駆動手段３３によって位置を変えることができる。
また、図１７に示すような開口形状可変手段を兼ねた開
口部駆動手段を設けると、薄膜付着膜厚や領域を制限で
きるようになり好ましい。

【００１７】開口部３４の位置は、形状計測データが蓄
えられた制御手段３６の指令により開口部駆動手段を作
動させることによって、薄膜を所望の位置に所望の膜厚
だけ形成する。開口部の上部には、ターゲット３２があ
り、加速粒子によって所望の粒子が被加工物１へ飛ばさ
れる。

【００１８】ここでは、図示しないが、２次加工手段と
してドライエッチングを用いて被加工物１の凸部を部分
的に除去加工してもよい。

【００１９】被加工物１には機械的なチャッキングによ
る変形があるので、一連の加工計測動作中あるいは、光
学素子として用いる場合においてもチャッキングから解
除せずに使用する方が望ましい。

【００２０】実際のＸ線投影光学系は図１８に示すよう
に複数枚の鏡の組合せからなっている。それぞれの鏡は
凹面と凸面であり、その口径は異なっているのが一般的
である。口径の大きな鏡の加工は小さいものに比べ格段
に難しくなる。そこで、口径の大きな鏡ほど加工精度を
落して光学系全体として所望の光学特性を出せるように
バランスさせる必要がある。例えば、図１８に示すよう
な３枚組の光学系の場合を例に取った場合以下のように
なる。マスク側から鏡１００、鏡１０１、鏡１０２とし
た時、口径の大きさは鏡１００、鏡１０２、鏡１０１の
順に小さくなる。鏡１００の表面あらさをそれぞれＥ１
００、Ｅ１０１、Ｅ１０２とすると光学系全体の表面あ
らさ起因の収差量Ｅは以下の式で表される。

【００２１】

【数１】

【００２２】光学系全体の収差量が許容値に収まれば良
いので、上式を満足するように各鏡の加工精度を割り振
れば良いことになる。もちろん、図１９に示すような２
枚組の光学系（１０３、１０４）においても上述の事柄
が当てはまる。

【００２３】本装置は、Ｘ線縮小投影露光用光学素子の
みならず、Ｘ線顕微鏡用の対物鏡、天体観測用集光鏡、
磁気ディスク用基板の加工や形状測定装置等の基準面の
加工にも使えることはいうまでもない。

【００２４】〔実施例２〕実施例１においては、２次加
工手段と形状計測手段を独立した手段とした。これらの
手段として、加工と計測を兼ね備えた加工計測手段を用
いてもよい。具体的な例として図９に示すＳＴＭ(Scann
ing Tunneling Microscope)がある。ＳＴＭは、導電体
に探針４６を近づけた場合に生じるトンネル電流から導
電体と探針４６間の距離を計測することにより、オング
ストロームオーダの形状計測を可能とするものである。
最近では、ＳＴＭの探針４６に電圧をかけて原子一つ一
つを除去したり付着できることが報告されている。この
現象を利用して原子オーダの計測加工が可能となる。つ
まり、ＳＴＭで表面形状を計測し、データを制御手段４
８に蓄える。図１５に示すようにそのデータにより、必
要に応じて凸部の原子を剥がして凹部に付着するかある
いは、凸部の原子を剥がして凹部については別に供給さ
れた原子を付着すればよい。材料としては、シリコン
(Ｓi)、ゲルマニウム(Ｇe)、ガリウム(Ｇa)、金(Ａu)、
銅(Ｃu)、亜鉛(Ｚn)、銀セレナイド(ＡgxＳe)、２硫化
モリブデン(ＭoＳ₂)等がある。

【００２５】基本的にＳＴＭで計測可能な材料は、導電
体に限られる。そこで、ガラスのような非導電体を被加
工物１として用いる場合は、図１６に示すように被加工
物１の表面上に導電体薄膜８３を付着させてやればよ
い。また、ＳＴＭに限らず、図１０に示すようなＡＦＭ
(Atomic Force Microscope)でも上記のような構成が可
能である。

【００２６】このように２次加工手段と形状計測手段を
同一装置上で実現することも可能である。

【００２７】〔実施例３〕次に、アトミックストレッジ
用の基板加工装置について詳細に説明する。アトミック
ストレッジとは原子や分子の凹凸を記録単位として用い
るメモリのことである。図９に示すＳＴＭ(Scanning Tu
nneling Microscope)や図１０に示すＡＦＭ(Atomic For
ce Microscope)を利用したリードライト機構が用いられ
る。ＳＴＭの場合リードライトは、圧電素子４５によっ
て先端の探針４６を高速に走査して行うので、基板１に
要求される平坦度及び、あらさは原子オーダとなる。Ａ
ＦＭの場合は探針６５を固定し、ステージ５３を高速に
走査する必要があるので、やはり、ＳＴＭと同様に基板
１に要求される平坦度及び、あらさは原子オーダとな
る。さらに、記憶内容の保持のために、基板１の材料は
原子オーダで安定であることが必要である。そのような
材料としては、比較的安定な２硫化モリブデン(ＭoＳ₂)
やシリコン(Ｓi)がある。特にシリコンのような単結晶
を用いる場合、図１１に示すようにＭＢＥ(Molecular B
eam Epitaxy)を２次加工手段として用いることが考えら
れる。被加工物１としてシリコンを用いて実施例１に示
す方法にて加工を行う。形状計測の後、１次加工を行
い、形状誤差が許容値内に入るまで繰り返す。次に、Ｍ
ＢＥを用いた２次加工手段にロードして形状計測データ
に基づいて部分的に結晶成長させて所望の形状を得るも
のである。装置は、反応ガス源５９、ガス流量制御手段
６０、マイクロバルブ６４、真空容器２０等からなる。
被加工物１は、真空容器２０内にロードされた後、形状
誤差データに基づきマイクロバルブ６４を駆動手段６６
によって位置決めした後にマイクロバルブ６４を開き反
応ガスを導入して局部的に結晶成長させる。

【００２８】図１１に示したＭＢＥ装置は一つのマイク
ロバルブ６４を有するように示したが、複数の小さなマ
イクロバルブ６４からなっていても良い。いずれの場合
も、形状誤差データに基づいて所望の位置に走査して局
所的な結晶成長を行う。

【００２９】〔実施例４〕超平滑な非球面形状を得る方
法として、図２０に示すような方法もある。非球面鏡の
表面に圧電素子膜１０５を形成し、部分的に形状修正で
きるような構成にするものである。この圧電素子膜１０
５は、実施例１に記載した形状加工装置によって加工さ
れた鏡の表面に形成しても良いし、１次加工のみ終了し
た時点で形成しても良い。

【００３０】

【発明の効果】以上述べてきたように本発明によれば、
研磨加工等の従来技術の延長では達成困難な超平滑な任
意曲面が、局所的な薄膜付着等による２次加工を行うこ
とにより初めて加工可能になることから、Ｘ線集光等に
用いる非球面鏡加工や磁気ディスク基板加工あるいは、
形状計測装置等の基準面の加工、アトミックストレッジ
の記録用基板加工等においてその効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の任意形状創成方法を説明する図であ
る。

【図２】研磨加工で加工可能な空間周期分布を示す図で
ある。

【図３】１次加工手段を説明する図である。

【図４】１次加工手段の工具を説明する図である。

【図５】１次加工システムを説明する図である。

【図６】２次加工として光ＣＶＤを用いた場合を説明す
る図である。

【図７】２次加工としてスパッタを用いた場合を説明す
る図である。

【図８】本発明の加工方法を達成するための装置を説明
する図である。

【図９】ＳＴＭを用いたアトミックストレッジを説明す
る図である。

【図１０】ＡＦＭを用いたアトミックストレッジを説明
する図である。

【図１１】２次加工としてＭＢＥを用いた場合を説明す
る図である。

【図１２】多層膜基板を形成した例を説明する図であ
る。

【図１３】光プローブを用いた形状計測器を説明する図
である。

【図１４】レーザ干渉計を用いた形状計測器を説明する
図である。

【図１５】ＳＴＭによる形状修正方法を説明する図であ
る。

【図１６】非導電体の形状修正をＳＴＭにより行う方法
を説明する図である。

【図１７】スパッタ加工を２次加工に用いた場合の可変
開口部を説明する図である。

【図１８】３枚組のＸ線投影光学系を説明する図であ
る。

【図１９】２枚組のＸ線投影光学系を説明する図であ
る。

【図２０】圧電素子を用いた形状可変層を説明する図で
ある。

【符号の説明】

１…被加工物、２…工具、３…回転テーブル、４…モー
タ、５…工具保持台、６…ロードセル、７…ピエゾ、８
…スプリング、９…鋼球、１０…工具ベース、１１…ピ
ッチ、１２…レーザ、１３…回転鏡、１４…薄膜、１５
…レーザ光、１６…窓、１７…バルブ、１８…反応ガス
ボンベ、１９…駆動部、２０…真空容器、２１…２次加
工制御手段、２２…真空ポンプ、２３…研磨液循環部、
２４…１次加工制御手段、２５…リニヤガイド、２６…
定盤、２７…除振台、２８…モータ、２９…ロータリエ
ンコーダ、３０…ベルト、３１…恒温チャンバ、３２…
ターゲット、３３…開口部制御手段、３４…開口部、３
５…粒子、３６…制御手段、３８…加工システム制御手
段、３９…１次加工手段、４０…形状計測手段、４１…
２次加工手段、４２…形状計測制御手段、４３…試料
台、４４…集光光学系、４５…圧電素子、４６…探針、
４７…トンネル電流検知器、４８…凹凸検出制御手段、
４９…走査制御手段、５０…モニタ、５１…レーザ、５
２…カンチレバー、５３…ステージ、５４…ステージ制
御手段、５５…モニタ、５６…変位検出手段、５７…凹
凸方向制御手段、５８…光検知器、５９…反応ガス源、
６０…流量制御手段、６１…パイプ、６２…フランジ、
６３…フレキシブルパイプ、６４…マイクロバルブ、６
５…探針、６６…マイクロバルブ位置駆動手段、６７…
レーザ、６８…集光レンズ、６９…圧電素子、７０…参
照面、７１…コリメータレンズ、７２…ハーフミラー、
７３…アパーチャ、７４…スクリーン、７５…投影レン
ズ、７６…光検出器、７７…光プローブ、７８…圧電素
子、７９…ステージ、８０…駆動手段、８１…多層膜、
８２…バッファ層、８３…導電体膜、８４…原子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者老泉博昭東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者森山茂夫東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者武田英次東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板形状を創成する形状加工方法におい
て、機械加工による１次加工工程と、上記基板形状を精
密に計測する工程と、該計測データに基づき部分的に薄
膜を付着するかあるいは、部分的に除去して所望の形状
を得る２次加工工程を少なくとも含むことを特徴とする
形状加工方法。
【請求項２】請求項１記載の形状加工方法において、上
記形状計測工程と１次加工工程は、該基板全面にわたり
形状誤差５０ｎｍｐ−ｖ以下、空間周期が５ｍｍ以下
の形状誤差を２ｎｍｐ−ｖ、あらさを０．５ｎｍｒ
ｍｓ以下になるまで繰返し行い、上記形状計測工程と２
次加工工程は、空間周期が５ｍｍ以上の形状誤差が２ｎ
ｍｐ−ｖ以下に入るまで繰返し行うことを特徴とする
形状加工方法。
【請求項３】請求項１記載の形状加工方法において、複
数枚の鏡からなる結像光学系の該鏡を加工する場合に口
径の大きい鏡の加工精度を口径の小さい鏡の加工精度よ
り低く設定することを特徴とする形状加工方法。
【請求項４】形状加工装置であって、機械加工による１
次加工手段と、形状計測手段と、部分的に薄膜を付着す
るかあるいは、部分的に除去する２次加工手段とを合わ
せもつことを特徴とする形状加工装置。
【請求項５】請求項４記載の形状加工装置の１次加工手
段として、被加工物の上に各々個別に加工圧力制御する
複数の工具を有する研磨加工手段を用いることを特徴と
する形状加工装置。
【請求項６】請求項５記載の形状加工装置において、上
記複数の工具を有する研磨加工手段は、圧電素子と圧力
検知手段を配置した工具であり、該工具は制御手段によ
り所望の加工圧力に保たれることを特徴とする形状加工
装置。
【請求項７】請求項６記載の形状加工装置において、上
記工具の制御手段は、上記形状測定手段により、計測す
るデータを蓄えるメモリを含むことを特徴とする形状加
工装置。
【請求項８】請求項４記載の形状加工装置の２次加工手
段として、加速粒子をターゲットに当てたときに飛び出
す粒子が該基板に堆積して薄膜が形成されるスパッタ装
置と、該スパッタ装置の内部に開口量可変開口部と、該
開口量可変開口部を走査する走査手段と、上記形状測定
手段により計測するデータを蓄えるメモリを有し、該デ
ータにより前記走査手段を制御する制御手段を少なくと
も有することを特徴とする形状加工装置。
【請求項９】請求項４記載の形状加工装置の２次加工手
段として、光ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置
と、該光を走査する走査手段と、該走査位置を制御する
制御手段と、上記形状測定手段により計測するデータを
蓄えるメモリを少なくとも有することを特徴とする形状
加工装置。
【請求項１０】請求項４記載の形状加工装置の２次加工
手段として、反応性イオンエッチング装置と、該反応性
イオンエッチング装置の内部に開口量可変開口部と、該
開口量可変開口部を走査する走査手段と、上記形状測定
手段により計測するデータを蓄えるメモリを有し、該デ
ータにより前記走査手段を制御する制御手段を少なくと
も有することを特徴とする形状加工装置。
【請求項１１】請求項８及び９記載の形状加工装置にお
いて、上記基板上の所望の部分に付着する薄膜の材料と
して、シリコン（Ｓi）、炭素（Ｃ）、ほう素（Ｂ）、
窒素（Ｎ）の単体あるいは、前記元素のホウ化物、窒化
物、炭化物等の化合物を用いたことを特徴とする形状加
工装置。
【請求項１２】請求項８及び９記載の形状加工装置にお
いて、上記基板上の所望の部分に付着する薄膜の材料と
して、モリブデン(Ｍo)あるいは、タングステン(Ｗ)を
用いたことを特徴とする形状加工装置。
【請求項１３】請求項４記載の形状加工装置の２次加工
手段として、分子線エピタキシャル装置と、該分子線エ
ピタキシャル装置の内部に一つあるいは複数のマイクロ
バルブと、該マイクロバルブを位置決めする駆動手段
と、該マイクロバルブと駆動手段を制御する制御手段を
少なくとも含むことを特徴とする形状加工装置。
【請求項１４】請求項１３記載の形状加工装置におい
て、上記基板上の所望の部分に付着する薄膜の材料とし
て、単結晶シリコンを用いたことを特徴とする形状加工
装置。
【請求項１５】請求項４記載の形状加工装置の形状計測
手段として、１次加工用には横分解能の高いあらさ計測
手段を備え、２次加工用には形状計測手段を備えたこと
を特徴とする形状加工装置。
【請求項１６】請求項１１記載の形状加工装置におい
て、上記基板上の所望の部分に付着する薄膜の材料とし
て、非晶質シリコンあるいは、非晶質炭素を用いたこと
を特徴とする形状加工装置。
【請求項１７】請求項１記載の形状加工方法において、
２次加工後に該基板表面にバッファ層を形成することを
特徴とする形状加工方法。
【請求項１８】請求項１７記載の形状加工方法におい
て、上記バッファ層の材質としてアルミニウムを用いた
ことを特徴とする形状加工方法。
【請求項１９】請求項１７記載の形状加工方法におい
て、上記バッファ層の材質を該部分的に付着する薄膜と
同一にしたことを特徴とする形状加工方法。
【請求項２０】請求項４記載の形状加工装置の形状計測
手段及び２次加工手段として、ＳＴＭ(Scanning Tunnel
ing Microscope)を備えたことを特徴とする形状加工装
置。
【請求項２１】請求項４記載の形状加工装置において、
上記１次加工、上記形状計測、上記２次加工の一連の動
作中に被加工物のチャッキングを解除しないことを特徴
とする形状加工装置。