JPH0654788B2 - Wafer transfer device - Google Patents
Wafer transfer deviceInfo
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- JPH0654788B2 JPH0654788B2 JP17059688A JP17059688A JPH0654788B2 JP H0654788 B2 JPH0654788 B2 JP H0654788B2 JP 17059688 A JP17059688 A JP 17059688A JP 17059688 A JP17059688 A JP 17059688A JP H0654788 B2 JPH0654788 B2 JP H0654788B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ウエハを装填したカセットが収納されかつ
不活性ガスが封入された容器から、ウエハを取り出して
処理室に移送して処理させるウエハ移送装置に関する。The present invention relates to a wafer which is taken out from a container in which a cassette loaded with wafers is housed and in which an inert gas is sealed and which is transferred to a processing chamber for processing. The present invention relates to a transfer device.
従来におけるウエハ移送装置の概略構成を第２図に示
す。図において、１は本体、２は入側予備排気室、３は
処理室、４は出側予備排気室、５はローディングステー
ジ、６はアンローディングステージである。Ｃ１，Ｃ２
はウエハを装填したカセットであって、それぞれローデ
ィングステージ５とアンローディングステージ６に置か
れている。A schematic configuration of a conventional wafer transfer device is shown in FIG. In the figure, 1 is a main body, 2 is an inlet side preliminary exhaust chamber, 3 is a processing chamber, 4 is an outlet side preliminary exhaust chamber, 5 is a loading stage, and 6 is an unloading stage. C1, C2
Are cassettes loaded with wafers, which are placed on the loading stage 5 and the unloading stage 6, respectively.
このような移送装置では、まずウエハを装填したカセッ
トＣ１をローディングステージ５におき、カセットＣ１
内のウエハを一枚づつ前側予備排気室２から処理室３に
送り込み、そして処理を行った後、ウエハを後側予備排
気室４からアンローディングステージ６に取出す。この
ような装置は通常はクリーンルームにおいて使用される
が、ウエハは装置のローディング部あるいはアンローデ
ィング部に、ある一定時間保持されるため、この時、保
持時間に比例したダストの付着が起る。In such a transfer device, first, the cassette C1 loaded with wafers is placed on the loading stage 5 and then the cassette C1 is loaded.
The wafers therein are sent one by one from the front preliminary exhaust chamber 2 to the processing chamber 3, and after being processed, the wafers are taken out from the rear preliminary exhaust chamber 4 to the unloading stage 6. Such an apparatus is usually used in a clean room, but since the wafer is held in the loading section or the unloading section of the apparatus for a certain period of time, at this time, dust adheres in proportion to the holding time.
また、装置から装置への搬送においても同様なダスト付
着が生じるため、ダスト数の管理が問題となる。更に、
ウエハは大気に曝されており、ウエハ表面の酸化膜厚や
吸着層厚は大気に曝される時間等により変化し、ウエハ
毎に異なるためプロセス後の特性に不均一性が生じる。In addition, since the same dust adheres when transported from device to device, the management of the number of dusts becomes a problem. Furthermore,
The wafer is exposed to the atmosphere, and the oxide film thickness and the adsorption layer thickness on the surface of the wafer change depending on the time of exposure to the atmosphere and the like, and the characteristics after the process become non-uniform because they differ for each wafer.
一方、ダストフリーで搬送できるシステムとしてはＳＭ
ＩＦ（スミフ）がある。第３図は、その概略構成図であ
る。図において、１１はポットの上蓋、１２はカセッ
ト、１３はポット１１の底面、１４はローディング部の
ステージ、１５はローディング部のケーシング、１６は
入側予備排気室、１７は処理室、１８はローディング用
ウエハ移載器である。また、図において処理室１７の左
側には、入側予備排気室１６と同様の出側予備排気室が
構成されていると共に、ローディング部と同様のアンロ
ーディング部が構成されている。On the other hand, SM is a system that can be transported without dust.
There is an IF (Smiff). FIG. 3 is a schematic configuration diagram thereof. In the figure, 11 is an upper lid of a pot, 12 is a cassette, 13 is a bottom surface of the pot 11, 14 is a stage of a loading section, 15 is a casing of a loading section, 16 is an inlet side preliminary exhaust chamber, 17 is a processing chamber, and 18 is loading. Wafer transfer device. Further, in the figure, on the left side of the processing chamber 17, an outlet side preliminary exhaust chamber similar to the inlet side preliminary exhaust chamber 16 and an unloading section similar to the loading section are formed.
このような装置を動作させる場合は、まずカセット１２
の入ったポット１１をローディング部のケーシング１５
の上部に置く。ポット１１の底部１３はローディング部
のステージ１４とマグネットあるいは止め金具等で機械
的に密着させ固定する。この状態でステージ４をケーシ
ング１５の内部へ下げ、そしてカセット１２内のウエハ
を、ローディング用移載器１８によってダストフリーで
取り出して処理室１７内にローディングする。処理後の
ウエハは、出側予備排気室内のアンローディング用移載
器によってアンローディングして、アンローディング部
のポット内に収納する。これにより、ダストフリーで搬
送が可能となる。このように、ウエハは、ポット１１内
に大気中で装填されてから、装置内で取出されて処理後
に再び大気中でポット１１内に装填されて、装置外に取
出される。When operating such a device, first the cassette 12
The pot 11 containing the
Put on top of. The bottom portion 13 of the pot 11 is mechanically brought into close contact with and fixed to the stage 14 of the loading portion by a magnet, a stopper or the like. In this state, the stage 4 is lowered into the casing 15, and the wafer in the cassette 12 is taken out by the loading transfer device 18 in a dust-free manner and loaded into the processing chamber 17. The processed wafer is unloaded by the unloading transfer device in the exit side preliminary exhaust chamber and stored in the pot of the unloading section. This enables dust-free transportation. In this way, the wafer is loaded in the pot 11 in the atmosphere, then taken out in the apparatus, and after processing, loaded in the pot 11 in the atmosphere again and taken out of the apparatus.
したがって、本例の場合もウエハ周辺の雰囲気制御がな
されていない。Therefore, also in this example, the atmosphere around the wafer is not controlled.
上述したように、従来にあっては、ウエハ周辺の雰囲気
制御がなされていないため、ウエハの表面にダストが付
着したり、大気に曝される時間等によって、ウエハ表面
の酸化膜厚や吸着層厚が変化するため、プロセス後の特
性に不均一性が生じるという問題があった。As described above, since the atmosphere around the wafer is not conventionally controlled, the thickness of the oxide film on the wafer surface or the adsorption layer may vary depending on the time when the dust adheres to the wafer surface or is exposed to the atmosphere. Since the thickness changes, there is a problem that non-uniformity occurs in the characteristics after the process.
この発明の目的は、ウエハを装置に装填する際のダスト
数を低減させてウエハ間で一定にすること、更にクリー
ンルーム外の装置においてもダストフリーで使用できる
こと、またウエハ表面の酸化膜厚や吸着層厚を最小値で
かつ１カセット内で一定値を保つことができる新規なウ
エハ移送装置を提供することにある。The object of the present invention is to reduce the number of dusts when loading the wafers into the apparatus so that the wafers can be kept constant between the wafers, and also to be used dust-free even in the apparatus outside the clean room. It is an object of the present invention to provide a novel wafer transfer device capable of keeping the layer thickness at a minimum value and keeping it constant within one cassette.
この発明のウエハ移送装置は、 ウエハを装填したカセットが収納されかつ不活性ガスが
封入された容器から、ウエハを取り出して処理室に移送
して処理させるウエハ移送装置であって、 前記処理室の前段に、前記容器内のウエハを不活性ガス
雰囲気中で取り出すローディング室を設け、 かつ前記処理室の後段に、前記処理室にて処理された後
のウエハを不活性ガス雰囲気中で前記容器内に収納する
アンローディング室を備えたことを特徴とする。The wafer transfer device of the present invention is a wafer transfer device that takes out a wafer from a container in which a cassette loaded with wafers is housed and in which an inert gas is sealed, and transfers the wafer to a processing chamber for processing. A loading chamber for taking out the wafer in the container in an inert gas atmosphere is provided in the former stage, and a wafer after being processed in the processing chamber is provided in the container in the inert gas atmosphere in the latter stage of the processing chamber. It is characterized by having an unloading chamber for storing in.
この発明のウエハ移送装置は、ウエハを装填したカセッ
トが収納され、かつＮ２等の不活性ガスが封入された気
密性の高い容器から、ウエハを取り出して処理室に移送
する。すなわち、そのカセットを処理室の前段に設けた
ローディング室に入れ、清浄空気でブローしてダストフ
リーにする。その後、Ｎ２等不活性ガス雰囲気にしてか
ら容器を開け、カセットからウエハを自動的に取出して
装置の処理室へ送り込む。その後、再び逆の過程でウエ
ハを回収する。このように、大気に触れさせるこなく、
ウエハを装置の処理室へ送り込む。The wafer transfer device of the present invention takes out a wafer from a highly airtight container in which a cassette loaded with wafers is housed and which is filled with an inert gas such as N 2 and transfers the wafer to the processing chamber. That is, the cassette is placed in a loading chamber provided in the preceding stage of the processing chamber and blown with clean air to be dust-free. After that, the atmosphere is changed to an inert gas atmosphere such as N 2 , the container is opened, and the wafer is automatically taken out from the cassette and sent to the processing chamber of the apparatus. Then, the wafer is collected again in the reverse process. In this way, without touching the atmosphere,
The wafer is sent to the processing chamber of the apparatus.
以下、この発明の一実施例を第１図に基づいて説明す
る。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
図において、２１はローディング室であり、その上部に
はＨＥＰＡフィルター２２が備えられている。ローディ
ング室２１内には、コンテナ２３を昇降させるコンテナ
昇降用エレベータ２４が装備されている。コンテナ２３
にはコンテナ入口扉２５があり、この入口扉２５はコン
テナ入口扉開閉用レバー２６によって開閉されるように
なっている。コンテナ２３には、ウエハを装填したカセ
ット２７が収納されている。ローディング室２１は入側
予備排気室２８に通じており、その入側予備排気室２８
にはローディング用ウエハ移載器２９が装備されてい
る。また入側予備排気室２８はウエハの処理室３０に通
じ、更にその処理室３０は出側予備排気室３１に通じて
いる。この出側予備排気室３１には、アンローディング
用ウエハ移載器３２が装備されている。また、出側予備
排気室３１は、ローディング室２１と同様に構成された
アンローディング室に通じている。In the figure, reference numeral 21 is a loading chamber, and a HEPA filter 22 is provided above the loading chamber. Inside the loading chamber 21, a container elevating elevator 24 for elevating the container 23 is installed. Container 23
Has a container entrance door 25, and the entrance door 25 is opened and closed by a container entrance door opening / closing lever 26. The container 23 accommodates a cassette 27 loaded with wafers. The loading chamber 21 communicates with the inlet side preliminary exhaust chamber 28, and the inlet side preliminary exhaust chamber 28
Is equipped with a loading wafer transfer device 29. The inlet side preliminary exhaust chamber 28 communicates with the wafer processing chamber 30, and the processing chamber 30 communicates with the outlet side preliminary exhaust chamber 31. The exit side preliminary exhaust chamber 31 is equipped with an unloading wafer transfer device 32. Further, the outlet side preliminary exhaust chamber 31 communicates with an unloading chamber that is configured similarly to the loading chamber 21.
この装置を動作させるには、予め、クリーンルーム等の
清浄な場所にて、ウエハの装填されたカセット７をコン
テナ２３に収納し、そのコンテナ２３の中を窒素で充分
置換して、窒素を封入しておく。In order to operate this device, a cassette 7 loaded with wafers is stored in a container 23 in a clean place such as a clean room in advance, the inside of the container 23 is sufficiently replaced with nitrogen, and nitrogen is sealed. Keep it.
そして、このコンテナ２３をローディング室２１に入れ
る。ローディング室２１では、ＨＥＰＡフィルター２２
を通して窒素ガスがダウンフローとなり流れる。ローデ
ィング室２１の下部はパンチング板となっており、上部
から流れて来た窒素ガスが通過し、排気口からポンプに
より吸引されて外部へ放出される。これにより、コンテ
ナ２３の表面に付着しているダストを落し、無塵化（ク
ラス１００以下）にする。そして、気密構造となってい
るローディング室２１を無塵状態で窒素雰囲気にする。
この状態で、コンテナ入口扉２５に取り付けてあるフッ
クに開閉レバー２６を引っ掛ける。それから、コンテナ
昇降用エレベータ２４を下降させ、ウエハ移載器２９に
よってカセット２７からウエハを一枚づつ取出して、入
側予備排気室２８から処理室３０に搬送し、プロセスを
行なう。プロセスを終了したウエハは、ウエハ移載器３
２によってカセットに装填され、そしてローディング室
２１と同じ構造を有するアンローディング室にてコンテ
ナに収納される。この時の動作は窒素ガス雰囲気中で行
なう。そしてコンテナをアンローディング室から装置の
外に取り出す。Then, the container 23 is put in the loading chamber 21. In the loading chamber 21, the HEPA filter 22
Nitrogen gas flows as a down flow through. The lower part of the loading chamber 21 is a punching plate, and the nitrogen gas flowing from the upper part passes through, is sucked by the pump from the exhaust port, and is discharged to the outside. As a result, the dust adhering to the surface of the container 23 is dropped to make it dust-free (class 100 or less). Then, the loading chamber 21 having an airtight structure is made a nitrogen atmosphere in a dust-free state.
In this state, the opening / closing lever 26 is hooked on the hook attached to the container entrance door 25. Then, the elevator 24 for raising and lowering the container is lowered, the wafers are taken out from the cassette 27 one by one by the wafer transfer device 29, and the wafers are transferred from the inlet side preliminary exhaust chamber 28 to the processing chamber 30 to perform the process. The wafer after the process is transferred to the wafer transfer device 3
2 is loaded into the cassette and then stored in the container in the unloading chamber having the same structure as the loading chamber 21. The operation at this time is performed in a nitrogen gas atmosphere. Then, the container is taken out of the device from the unloading chamber.
以上説明したように、この発明のウエハ移送装置は、不
活性ガス雰囲気中でウエハを出し入れする構成であるか
ら、クリーンルーム以外の通常の場所に設置されたウエ
ハ移送装置において、ダストフリーでプロセスを行なう
ことができる。しかも、窒素など不活性ガスでウエハ表
面を保護するので、表面酸化膜や吸着層厚を最少に抑え
ることができる。これらの結果、均一性と再現性の優れ
た状態で高い特性の得られる処理を、クリーンルーム外
でもダストフリーで行うことができる。As described above, since the wafer transfer device of the present invention is configured to load and unload wafers in an inert gas atmosphere, the wafer transfer device installed in a normal place other than the clean room performs a dust-free process. be able to. Moreover, since the wafer surface is protected by an inert gas such as nitrogen, the thickness of the surface oxide film and the adsorption layer can be minimized. As a result of these, it is possible to perform a treatment that provides high characteristics with excellent uniformity and reproducibility, even outside the clean room, in a dust-free manner.
第１図はこの発明の一実施例を説明するための要部の概
略構成図である。 第２図は従来における半導体製造装置のブロック図、第
３図はＳＭＩＦ（スミフ）の概略構成図である。 ２１……ローディング室、２３……コンテナ、 ２４……コンテナ昇降用エレベータ、 ２５……コンテナ入口扉、 ２６……開閉レバー、２７……カセット、 ２８……入側予備排気室、 ２９……ローディング用ウエハ移載器、 ３０……処理室、３１……出側予備排気室、 ３２……アンローディング用ウエハ移載器。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a main part for explaining an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram of a conventional semiconductor manufacturing apparatus, and FIG. 3 is a schematic configuration diagram of SMIF (smiff). 21 ... loading chamber, 23 ... container, 24 ... elevator for raising / lowering container, 25 ... container entrance door, 26 ... opening / closing lever, 27 ... cassette, 28 ... inlet side preliminary exhaust chamber, 29 ... loading Wafer transfer device, 30 ... Processing chamber, 31 ... Ejection side preliminary exhaust chamber, 32 ... Unloading wafer transfer device.
Claims (1)
不活性ガスが封入された容器から、ウエハを取り出して
処理室に移送して処理させるウエハ移送装置であって、 前記処理室の前段に、前記容器内のウエハを不活性ガス
雰囲気中で取り出すローディング室を設け、 かつ前記処理室の後段に、前記処理室にて処理された後
のウエハを不活性ガス雰囲気中で前記容器内に収納する
アンローディング室を備えたことを特徴とするウエハ移
送装置。1. A wafer transfer device for taking out a wafer from a container in which a cassette loaded with wafers is housed and in which an inert gas is sealed and transferring the wafer to a processing chamber for processing. A loading chamber for taking out the wafer in the container in an inert gas atmosphere is provided, and the wafer after being processed in the processing chamber is housed in the container in an inert gas atmosphere at a stage subsequent to the processing chamber. A wafer transfer device comprising an unloading chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17059688A JPH0654788B2 (en) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | Wafer transfer device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17059688A JPH0654788B2 (en) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | Wafer transfer device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0220040A JPH0220040A (en) | 1990-01-23 |
| JPH0654788B2 true JPH0654788B2 (en) | 1994-07-20 |
Family
ID=15907772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17059688A Expired - Fee Related JPH0654788B2 (en) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | Wafer transfer device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654788B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101293025B1 (en) * | 2011-12-22 | 2013-08-05 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | Mask Stock and Panel Passage Chamber, Method for Operating the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271836A (en) * | 1985-05-28 | 1986-12-02 | Ulvac Corp | Dry etching apparatus |
| JPS62222625A (en) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Shimizu Constr Co Ltd | Semiconductor manufacturing equipment |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP17059688A patent/JPH0654788B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271836A (en) * | 1985-05-28 | 1986-12-02 | Ulvac Corp | Dry etching apparatus |
| JPS62222625A (en) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Shimizu Constr Co Ltd | Semiconductor manufacturing equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0220040A (en) | 1990-01-23 |
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|---|---|---|---|
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