JP2002043391A - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造
工程において、ウェーハ上に薄膜を形成したり、逆に、
ウェーハ上の物質を除去したりする等の反応を行う反応
室を備えた半導体製造装置が用いられている。このよう
な半導体製造装置によってウェーハを処理する場合に、
ウェーハはカセットポッドと呼ばれるウェーハ収納容器
に納められて該装置内に移され、該装置内において、ウ
ェーハ移載機によって反応室内に移され、薄膜形成ある
いは物質除去等の反応の後に、上記と逆の操作によっ
て、上記装置外に取り出される。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing semiconductor devices such as ICs and LSIs, a thin film is formed on a wafer,
2. Description of the Related Art A semiconductor manufacturing apparatus having a reaction chamber for performing a reaction such as removal of a substance on a wafer is used. When processing a wafer by such a semiconductor manufacturing apparatus,
The wafers are placed in a wafer storage container called a cassette pod and transferred into the apparatus. In the apparatus, the wafers are transferred into a reaction chamber by a wafer transfer machine, and after a reaction such as thin film formation or substance removal, the wafer is reversed. Is taken out of the apparatus by the above operation.
【０００３】図５は、従来使用されている半導体製造装
置の１例を示す平面図である。図において、２１は反応
室であり、２２は、ウェーハの反応室２１への出し入れ
の際に開き、反応中は閉じるウェーハゲートバルブであ
り、２３はウェーハ搬送室であり、この室内にはウェー
ハ移載機２４が設置されている。２５は装置内に移され
たカセットポッド２７の蓋を開閉するポッド蓋開閉機で
ある。２６はカセットポッド２７を置くカセットポッド
インタフェイスであり、２７はウェーハを収納するカセ
ットポッドであり、２８は、反応後、反応室から取り出
された高温のウェーハを冷却するための冷却ステージで
あり、２９はウェーハの方位を揃えるノッチアライナで
ある。カセットポッド２７中のウェーハは、カセットと
呼ばれるかご状の収納器に納められている。FIG. 5 is a plan view showing an example of a conventionally used semiconductor manufacturing apparatus. In the drawing, reference numeral 21 denotes a reaction chamber, 22 denotes a wafer gate valve which is opened when a wafer is put into and taken out of the reaction chamber 21 and is closed during the reaction, and 23 denotes a wafer transfer chamber. A loading machine 24 is provided. Reference numeral 25 denotes a pod lid opening / closing device for opening and closing the lid of the cassette pod 27 transferred into the apparatus. 26 is a cassette pod interface for placing a cassette pod 27, 27 is a cassette pod for storing wafers, 28 is a cooling stage for cooling a high-temperature wafer taken out of the reaction chamber after the reaction, Reference numeral 29 denotes a notch aligner for aligning the orientation of the wafer. The wafers in the cassette pod 27 are housed in a basket-like container called a cassette.
【０００４】図５に示した半導体製造装置におけるウェ
ーハの処理はつぎのように行われる。すなわち、ウェー
ハを収納したカセットポッド２７はカセットポッドイン
タフェイス２６に置かれ、カセットポッド２７の蓋はポ
ッド蓋開閉機２５で開けられ、カセットポッド２７内の
ウェーハはウェーハ移載機２４によって反応室２１に移
し替えられる。反応室２１にウェーハが充填されると、
ウェーハゲートバルブ２２が閉じられ、ウェーハが処理
される。処理が終了すると、ウェーハは逆順でカセット
ポッド２７に回収されるが、ウェーハの処理温度が高く
て、反応室２１から取り出されたウェーハの温度がカセ
ットポッド２７の耐熱温度より高い場合、ウェーハは冷
却ステージ２８で冷却された後、カセットポッド２７に
回収される。The processing of a wafer in the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 5 is performed as follows. That is, the cassette pod 27 containing the wafer is placed on the cassette pod interface 26, the lid of the cassette pod 27 is opened by the pod lid opening / closing device 25, and the wafer in the cassette pod 27 is moved to the reaction chamber 21 by the wafer transfer device 24. Transferred to. When the reaction chamber 21 is filled with a wafer,
The wafer gate valve 22 is closed and the wafer is processed. When the processing is completed, the wafers are collected in the cassette pod 27 in the reverse order. However, if the processing temperature of the wafer is high and the temperature of the wafer taken out of the reaction chamber 21 is higher than the heat-resistant temperature of the cassette pod 27, the wafer is cooled. After being cooled by the stage 28, it is collected in the cassette pod 27.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述の半導体製造装置
によるウェーハの処理においては、カセットポッド２７
から反応室２１までウェーハを移載する環境が大気であ
るため、ウェーハを反応室２１に入れたり反応室２１か
ら出したりする際に、不必要で好ましくない酸化膜がウ
ェーハ上に形成され、半導体素子の高集積化の妨げにな
っている。In the processing of wafers by the semiconductor manufacturing apparatus described above, the cassette pod 27 is used.
Since the environment in which the wafer is transferred from the reaction chamber 21 to the atmosphere is the atmosphere, an unnecessary and undesired oxide film is formed on the wafer when the wafer is put into or taken out of the reaction chamber 21, and the semiconductor This hinders high integration of the device.
【０００６】上記の問題を解決するために、ウェーハを
大気に触れさせることなく不活性ガス中で半導体製造装
置に対し搬入、搬出することを可能とする半導体製造装
置が考えられ、その一例として、半導体ウェーハ等の被
処理物を収納するボックス本体と、このボックス本体を
密封状態に閉塞して内部を不活性ガス雰囲気に維持する
開閉操作可能な蓋とを備え、そのボックス本体内に被処
理物を収納すると共に蓋を閉じて該ボックス本体内を不
活性ガス雰囲気に維持したまま処理装置に搬入出される
構成が特開平６−３０２６７９号公報に記載されてい
る。In order to solve the above problem, a semiconductor manufacturing apparatus capable of carrying a wafer into and out of the semiconductor manufacturing apparatus in an inert gas without exposing the wafer to the atmosphere is considered. A box body for storing an object to be processed such as a semiconductor wafer, and a lid capable of being opened and closed to keep the box body closed and maintain an inert gas atmosphere inside the box body; Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-302679 describes a configuration in which the box body is stored and the lid is closed, and the box body is carried in and out of the processing apparatus while maintaining the inside of the box body in an inert gas atmosphere.
【０００７】しかしながら、上記構成においては、上記
ボックスが該処理装置に搬入された状態において、上記
開閉操作可能な蓋は該ボックスの底面となっていて、こ
の蓋をこの装置内で開けるための操作は、蓋の位置は変
えずに、ボックス本体を上に持ち上げることによって行
われる。したがって、この操作にはボックス本体を上に
持ち上げる手段と、ボックス本体の上方への移動を許す
余分な空間とが必要となる。また、ボックス内の被処理
物を反応室内に搬送する際に、被処理物を収めたカセッ
トの水平方向および垂直方向の移動を必要とし、そのた
めの搬送機構が複雑となっている。However, in the above configuration, when the box is carried into the processing apparatus, the lid that can be opened and closed is the bottom of the box, and the operation for opening the lid in the apparatus is performed. Is carried out by lifting the box body up without changing the position of the lid. Therefore, this operation requires a means for lifting the box body and an extra space for allowing the box body to move upward. Further, when the object to be processed in the box is transported into the reaction chamber, the cassette containing the object to be processed needs to be moved in the horizontal direction and the vertical direction, and the transport mechanism for that is complicated.
【０００８】本発明は、上記の点に鑑み、なされたもの
であり、本発明が解決しようとする課題は、反応室内で
ウェーハを処理する半導体製造装置であって、該装置の
内容積を従来よりも増加させることなく、ウェーハを大
気に触れさせることなしに該反応室内部に搬入すること
を可能とする簡便で操作性良好な半導体製造装置を提供
することである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus for processing a wafer in a reaction chamber. An object of the present invention is to provide a simple and easy-to-operate semiconductor manufacturing apparatus capable of carrying a wafer into the reaction chamber without exposing the wafer to the atmosphere without increasing the number of wafers.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、請求項１に記載のように、反応室内でウ
ェーハを処理する半導体製造装置であって、側面にウェ
ーハ搬入口を有する気密容器の収容が可能であり、内部
空間の不活性ガス置換が可能な気密室がウェーハ搬送室
に密接連結していることを特徴とする半導体製造装置を
構成する。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus for processing a wafer in a reaction chamber. The semiconductor manufacturing apparatus is characterized in that an airtight chamber capable of housing an airtight container having the same and capable of purging an inert gas in an internal space is closely connected to a wafer transfer chamber.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下に、図を用いて、本発明の実
施の形態を説明するが、本発明はこれに限られるもので
はない。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
【００１１】図１は、本発明に係る半導体製造装置の構
成を示す平面図である。図において、１は反応室であ
り、２は、ウェーハの反応室１への出し入れの際に開
き、反応中は閉じるウェーハゲートバルブであり、３
は、内部の気体を窒素ガス（Ｎ２）に置換することがで
きるＮ２パージウェーハ搬送室であり、この室内にはウ
ェーハ移載機４が設置されている。５は、カセットポッ
ドパスボックス８内に移されたカセットポッド９の蓋を
開閉するポッド蓋開閉機である。６は、カセットポッド
９を、カセットポッドパスボックス８に、垂直方向に出
し入れする際に開くトップポッドゲートであり、その形
状は板状である。７は、カセットポッド９を、カセット
ポッドパスボックス８に、水平方向に出し入れする際に
開くフロントポッドゲートであり、その形状も板状であ
る。８は内部の気体を窒素ガス（Ｎ２）に置換すること
ができるカセットポッドパスボックスであり、９はウェ
ーハを収納するカセットポッドであり、１５は反応後、
反応室から取り出された高温のウェーハを冷却するため
の冷却ステージであり、１６はウェーハの方位を揃える
ノッチアライナである。FIG. 1 is a plan view showing the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention. In the figure, 1 is a reaction chamber, 2 is a wafer gate valve which is opened when a wafer is put into and taken out of the reaction chamber 1 and is closed during the reaction, and 3
Is an N 2 purge wafer transfer chamber in which the gas inside can be replaced with nitrogen gas (N 2 ), and a wafer transfer machine 4 is installed in this chamber. Reference numeral 5 denotes a pod lid opening / closing device that opens and closes the lid of the cassette pod 9 transferred into the cassette pod pass box 8. Reference numeral 6 denotes a top pod gate which is opened when the cassette pod 9 is vertically moved into and out of the cassette pod pass box 8, and has a plate shape. Reference numeral 7 denotes a front pod gate which is opened when the cassette pod 9 is taken in and out of the cassette pod pass box 8 in the horizontal direction, and has a plate shape. Reference numeral 8 denotes a cassette pod pass box capable of replacing an internal gas with nitrogen gas (N 2 ), 9 denotes a cassette pod for storing wafers, and 15 denotes a cassette pod after the reaction.
A cooling stage for cooling the high-temperature wafer taken out of the reaction chamber, and a notch aligner 16 for aligning the orientation of the wafer.
【００１２】本装置において、カセットポッド９が、請
求項１に記載の、側面にウェーハ搬入口を有する気密容
器に該当し、カセットポッドパスボックス８が、請求項
１に記載の、側面にウェーハ搬入口を有する気密容器の
収容が可能であり、内部空間の不活性ガス置換が可能な
気密室に該当し、カセットポッドパスボックス８はウェ
ーハ搬送室３に密接連結している。In the present apparatus, the cassette pod 9 corresponds to the airtight container having a wafer loading port on the side as described in claim 1, and the cassette pod pass box 8 corresponds to the wafer loading in side as described in claim 1. The cassette pod pass box 8 is tightly connected to the wafer transfer chamber 3, which can accommodate an airtight container having a mouth, and corresponds to an airtight chamber in which an inert gas can be replaced in an internal space.
【００１３】図２〜４は、図１に平面図で示した本発明
に係る半導体製造装置の側面図である。図２および図３
に示したように、トップポッドゲート６およびフロント
ポッドゲート７は、図中の破線矢印で示したように開閉
する。すなわち、トップポッドゲート６は１つの水平軸
の周りに回転して開閉し、フロントポッドゲート７は垂
直移動によって開閉する。このように、両ポッドゲート
が開閉するので、図３の太線矢印で示したように、カセ
ットポッド９は、垂直方向からも、水平方向からも、カ
セットポッドパスボックス８に出し入れすることができ
る。そこで、本装置は天井ポッド搬送にも地上ポッド搬
送にも、好都合に、適用可能である。特に、カセットポ
ッドがＯＨＴ方式（Over Head Transfer、天井搬送方
式)によって搬送される場合には、トップポッドゲート
６を開いて、搬送されてきたカセットポッドをカセット
ポッドパスボックス８に搬入すれば、カセットポッド９
の移動方向を変えることなく搬入が可能であり、搬出の
場合も同様であるので、きわめて好都合である。搬入さ
れたカセットポッド９は、従来の場合と同様にカセット
ポッドインタフェイス１４上に置かれる。１３（図４）
はカセットポッドパスボックス８の排気を行う際に開く
排気バルブである。FIGS. 2 to 4 are side views of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention shown in a plan view in FIG. 2 and 3
As shown in the figure, the top pod gate 6 and the front pod gate 7 open and close as indicated by broken arrows in the figure. That is, the top pod gate 6 opens and closes by rotating about one horizontal axis, and the front pod gate 7 opens and closes by vertical movement. Thus, since both pod gates open and close, the cassette pod 9 can be taken in and out of the cassette pod pass box 8 both vertically and horizontally as shown by the thick arrow in FIG. Thus, the present device is advantageously applicable to both ceiling pod transportation and ground pod transportation. In particular, when the cassette pod is transported by the OHT method (Over Head Transfer, ceiling transport method), the top pod gate 6 is opened, and the transported cassette pod is loaded into the cassette pod pass box 8. Pod 9
It is possible to carry in without changing the moving direction, and the same is true for carrying out. The loaded cassette pod 9 is placed on the cassette pod interface 14 as in the conventional case. 13 (FIG. 4)
Is an exhaust valve which is opened when exhausting the cassette pod pass box 8.
【００１４】図１〜４に示した本発明に係る半導体製造
装置におけるウェーハの処理はつぎのように行われる。
すなわち、ウェーハを収納したカセットポッド９がカセ
ットポッドパスボックス８に搬入され、収納されると、
カセットポッドパスボックス８の内部が窒素ガスで置換
される。カセットポッドパスボックス８とポッド蓋開閉
機５で連結されるＮ２パージウェーハ搬送室３も窒素ガ
ス循環により内部を窒素ガス雰囲気にしている。ウェー
ハ搬送室３に供給された窒素ガスはファン１０により圧
縮され、クリーンユニット１１を通過し高清浄化され、
ウェーハ通過領域に供給される。その後、窒素ガスはＮ
２循環ダクト１２を通って供給口へ回収される。また、
長期間使用され、大気の混入によって不純となった窒素
ガスは、Ｎ２パージウェーハ搬送室３に導入される純窒
素ガスによって装置外に押し出される（排気される）。
カセットポッド９をカセットポッドパスボックス８に投
入する際は、図４に示したパスボックス排気バルブ１３
を閉にし、トップポッドゲート６あるいはフロントポッ
ドゲート７を開け、カセットポッドパスボックス８内に
窒素ガスを導入し、ゲートからオーバフローする状況下
で行う。パスボックス８内を窒素ガス置換した後、カセ
ットポッド９の蓋をポッド蓋開閉機５で開き、ウェーハ
を、ウェーハ移載機４によって反応室１へと搬送する
が、その際、パスボックス８の排気の流量を増やし、パ
スボックス８側がＮ２パージウェーハ搬送室３側よりも
若干陰圧になるようにして、残留空気をウェーハ搬送室
３に流入させないようにする。Processing of a wafer in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention shown in FIGS. 1 to 4 is performed as follows.
That is, when the cassette pod 9 containing the wafer is carried into the cassette pod pass box 8 and stored therein,
The inside of the cassette pod pass box 8 is replaced with nitrogen gas. The inside of the N 2 purge wafer transfer chamber 3 connected to the cassette pod pass box 8 and the pod lid opening / closing device 5 is also made to have a nitrogen gas atmosphere by circulating nitrogen gas. The nitrogen gas supplied to the wafer transfer chamber 3 is compressed by the fan 10, passes through the clean unit 11, and is highly purified.
It is supplied to the wafer passage area. Then, the nitrogen gas is N
It is recovered to the supply port through the two circulation ducts 12. Also,
Nitrogen gas that has been used for a long period of time and has become impure due to mixing with the atmosphere is pushed out (exhausted) of the apparatus by pure nitrogen gas introduced into the N 2 purge wafer transfer chamber 3.
When the cassette pod 9 is loaded into the cassette pod pass box 8, the pass box exhaust valve 13 shown in FIG.
Is closed, the top pod gate 6 or the front pod gate 7 is opened, nitrogen gas is introduced into the cassette pod pass box 8, and the process is performed under the condition of overflow from the gate. After the inside of the pass box 8 is replaced with nitrogen gas, the lid of the cassette pod 9 is opened by the pod lid opening / closing device 5, and the wafer is transferred to the reaction chamber 1 by the wafer transfer device 4. The flow rate of exhaust gas is increased so that the pressure on the pass box 8 side is slightly lower than that on the N 2 purge wafer transfer chamber 3 side, so that residual air does not flow into the wafer transfer chamber 3.
【００１５】反応室１にウェーハが充填されると、ウェ
ーハゲートバルブ２が閉じられ、ウェーハが処理され
る。処理が終了すると、ウェーハは逆順でカセットポッ
ド９に回収され、そのカセットポッド９はゲート６ある
いは７を開いて装置外に搬出される。When the reaction chamber 1 is filled with a wafer, the wafer gate valve 2 is closed and the wafer is processed. When the processing is completed, the wafers are collected in the cassette pod 9 in the reverse order, and the cassette pod 9 is carried out of the apparatus by opening the gate 6 or 7.
【００１６】カセットポッドパスボックス８の内部およ
びＮ２パージウェーハ搬送室３の内部は、いずれも窒素
ガス雰囲気に保たれているので、ウェーハは、本装置中
を、大気に触れることなく、反応室１まで搬送される。
カセットポッド９の内部も、本装置への搬入前に、不活
性ガス置換しておけば、ウェーハは、本装置への搬入前
後を通じて、大気に触れることなく、反応室１まで搬送
される。Since the inside of the cassette pod pass box 8 and the inside of the N 2 purged wafer transfer chamber 3 are both kept in a nitrogen gas atmosphere, the wafers are not exposed to the atmosphere in the reaction apparatus without being exposed to the atmosphere. Conveyed to 1.
If the inside of the cassette pod 9 is also replaced with an inert gas before being loaded into the apparatus, the wafer is transported to the reaction chamber 1 before and after loading into the apparatus, without being exposed to the atmosphere.
【００１７】本発明で使用されるカセットポッドは側面
にウェーハ搬入口を有する側面開型の気密容器であっ
て、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）と呼ばれ
るものである。この型のカセットポッドを使用した場
合、ポッドの蓋は、装置内に蓋の開閉のための余分な空
間を設ける必要なく、装置内にて開閉可能であり、好都
合である。The cassette pod used in the present invention is a side-opened airtight container having a wafer loading port on the side surface, and is called a FOUP (Front Opening Unified Pod). When a cassette pod of this type is used, the lid of the pod can be conveniently opened and closed in the apparatus without having to provide an extra space for opening and closing the lid in the apparatus.
【００１８】上記の説明においては、ウェーハをカセッ
トポッドに収納して装置内に搬入し、装置内から搬出す
る場合のみを説明したが、カセットポッドに代えてウェ
ーハ用カセット（ウェーハを収納できるがご状の収納
器）を用い、ウェーハをウェーハ用カセットに収納して
装置内に搬入し、装置内から装置外に搬出してもよい。
この場合にも、ウェーハ用カセットは、垂直方向から
も、水平方向からも、内部の気体を窒素ガス（Ｎ２）に
置換することができるカセットポッドパスボックスに出
し入れすることができる。特に、ウェーハ用カセットが
ＯＨＴ方式（Over Head Transfer、天井搬送方式)によ
って搬送される場合には、搬送されてきたウェーハ用カ
セットを、カセットの移動方向を変えることなく、カセ
ットポッドパスボックスに搬入することができ、搬出の
場合も同様であるので、きわめて好都合である。In the above description, only the case where wafers are housed in the cassette pod, carried into the apparatus, and unloaded from the apparatus has been described. Wafers may be stored in a wafer cassette, loaded into the apparatus, and unloaded from the apparatus to the outside of the apparatus.
Also in this case, the wafer cassette can be taken in and out of the cassette pod pass box in which the gas inside can be replaced with nitrogen gas (N 2 ) both vertically and horizontally. In particular, when the wafer cassette is transferred by the OHT method (Over Head Transfer, ceiling transfer method), the transferred wafer cassette is loaded into the cassette pod pass box without changing the moving direction of the cassette. This is very convenient because the same applies to the case of carrying out.
【００１９】本発明に係る上記の半導体製造装置を使用
することにより、空気濃度が非常に少ない環境を簡便に
作りだし、その環境条件下でウェーハを反応室１内に搬
入し、同じ環境条件下でウェーハを反応室１から搬出す
ることができ、ウェーハ上に不必要で好ましくない酸化
膜を形成することなく低コストで高品質の半導体製造が
可能となる。By using the above-described semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, an environment having a very low air concentration can be easily created, a wafer is carried into the reaction chamber 1 under the environmental conditions, and the environment is maintained under the same environmental conditions. The wafer can be carried out of the reaction chamber 1, and low-cost, high-quality semiconductor production can be performed without forming an unnecessary and undesirable oxide film on the wafer.
【００２０】また、本発明に係る上記の半導体製造装置
は、ウェーハを収納したカセットポッド９を、垂直方向
からも、水平方向からも、カセットポッドパスボックス
８に出し入れすることができるので、天井ポッド搬送に
も地上ポッド搬送にも、好都合に、適用可能である。特
に、天井ポッド搬送の場合には、カセットポッド９の移
動方向を変えることなく、カセットポッド９をカセット
ポッドパスボックス８に出し入れすることができるの
で、きわめて好都合である。Further, in the above-described semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the cassette pod 9 containing wafers can be taken in and out of the cassette pod pass box 8 both vertically and horizontally. It is advantageously applicable to both transport and ground pod transport. In particular, in the case of a ceiling pod transport, the cassette pod 9 can be taken in and out of the cassette pod pass box 8 without changing the moving direction of the cassette pod 9, which is extremely convenient.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように、本発明を実施する
ことにより、反応室内でウェーハを処理する半導体製造
装置であって、該装置の内容積を従来よりも増加させる
ことなく、ウェーハを大気に触れさせることなしに該反
応室内部に搬入することを可能とする簡便で操作性良好
な半導体製造装置を提供することができる。As described above, according to the present invention, a semiconductor manufacturing apparatus for processing a wafer in a reaction chamber by practicing the present invention. A simple and easy-to-operate semiconductor manufacturing apparatus that can be carried into the reaction chamber without touching the semiconductor device can be provided.
【図１】本発明に係る半導体製造装置の構成を示す平面
図である。FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係る半導体製造装置の構成を示す側面
図である。FIG. 2 is a side view showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
【図３】本発明に係る半導体製造装置の構成を示す側面
図であり、カセットポッドの搬入・搬出方向を示す。FIG. 3 is a side view showing a configuration of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, showing a loading / unloading direction of a cassette pod.
【図４】本発明に係る半導体製造装置の構成を示す側面
図であり、窒素ガスの流れを示す。FIG. 4 is a side view showing a configuration of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, showing a flow of nitrogen gas.
【図５】従来技術を説明する平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating a conventional technique.
１…反応室、２…ウェーハゲートバルブ、３…Ｎ２パー
ジウェーハ搬送室、４…ウェーハ移載機、５…ポッド蓋
開閉機、６…トップポッドゲート、７…フロントポッド
ゲート、８…カセットポッドパスボックス、９…カセッ
トポッド、１０…ファン、１１…クリーンユニット、１
２…Ｎ２循環ダクト、１３…パスボックス排気バルブ、
１４…カセットポッドインタフェイス、１５…冷却ステ
ージ、１６…ノッチアライナ、２１…反応室、２２…ウ
ェーハゲートバルブ、２３…Ｎ２パージウェーハ搬送
室、２４…ウェーハ移載機、２５…ポッド蓋開閉機、２
６…カセットポッドインタフェイス、２７…カセットポ
ッド、２８…冷却ステージ、２９…ノッチアライナ。1 ... reaction chamber, 2 ... wafer gate valve, 3 ... N 2 purge wafer transfer chamber, 4 ... wafer transfer unit, 5 ... pod lid opener, 6 ... top pod gate, 7 ... Front pod gate, 8 ... cassette pods Pass box, 9: Cassette pod, 10: Fan, 11: Clean unit, 1
2 ... N 2 circulation duct, 13 ... Pass box exhaust valve,
14 ... cassette pod interface, 15 ... cooling stage, 16 ... notch aligner 21: reaction chamber, 22 ... wafer a gate valve, 23 ... N 2 purge wafer transfer chamber, 24 ... wafer transfer machine, 25 ... pod lid opener , 2
6: cassette pod interface, 27: cassette pod, 28: cooling stage, 29: notch aligner.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ Ｆターム(参考） 4K029 BD01 KA01 KA09 4K030 CA04 CA12 GA12 KA43 5F004 AA08 AA14 BC06 5F031 CA02 DA01 DA17 MA03 NA04 PA23 5F045 BB14 DP02 DQ10 DQ17 EB08 EN04 EN05 HA24 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/3065 H01L 21/302 BF Term (Reference) 4K029 BD01 KA01 KA09 4K030 CA04 CA12 GA12 KA43 5F004 AA08 AA14 BC06 5F031 CA02 DA01 DA17 MA03 NA04 PA23 5F045 BB14 DP02 DQ10 DQ17 EB08 EN04 EN05 HA24
Claims (1)
装置であって、側面にウェーハ搬入口を有する気密容器
の収容が可能であり、内部空間の不活性ガス置換が可能
な気密室がウェーハ搬送室に密接連結していることを特
徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus for processing a wafer in a reaction chamber, wherein an airtight container having a wafer carry-in port on a side surface can be accommodated, and an airtight chamber in which an inert gas can be replaced in an internal space is provided. A semiconductor manufacturing apparatus which is closely connected to a chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000228219A JP2002043391A (en) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000228219A JP2002043391A (en) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043391A true JP2002043391A (en) | 2002-02-08 |
Family
ID=18721550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000228219A Pending JP2002043391A (en) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002043391A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004200669A (en) * | 2002-12-02 | 2004-07-15 | Rorze Corp | Minienvironment equipment, sheet-like object manufacturing system, and method of replacing atmosphere in sanitized vessel |
| JP2005340243A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Miraial Kk | Gas replacing apparatus of accommodation vessel and gas replacing method using the same |
| US8083456B2 (en) | 2008-01-08 | 2011-12-27 | Tdk Corporation | Contained object transfer system |
| JP2014112631A (en) * | 2012-10-31 | 2014-06-19 | Tdk Corp | Load port unit and EFEM system |
| KR20210146266A (en) | 2016-12-23 | 2021-12-03 | 피코앤테라(주) | EFEM, Equipment Front End Module |
-
2000
- 2000-07-28 JP JP2000228219A patent/JP2002043391A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004200669A (en) * | 2002-12-02 | 2004-07-15 | Rorze Corp | Minienvironment equipment, sheet-like object manufacturing system, and method of replacing atmosphere in sanitized vessel |
| JP2005340243A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Miraial Kk | Gas replacing apparatus of accommodation vessel and gas replacing method using the same |
| US8083456B2 (en) | 2008-01-08 | 2011-12-27 | Tdk Corporation | Contained object transfer system |
| JP2014112631A (en) * | 2012-10-31 | 2014-06-19 | Tdk Corp | Load port unit and EFEM system |
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