JPH065224A - Ｃｒｔ内蔵抵抗器 - Google Patents
Ｃｒｔ内蔵抵抗器Info
- Publication number
- JPH065224A JPH065224A JP16298792A JP16298792A JPH065224A JP H065224 A JPH065224 A JP H065224A JP 16298792 A JP16298792 A JP 16298792A JP 16298792 A JP16298792 A JP 16298792A JP H065224 A JPH065224 A JP H065224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- resistor
- crt
- built
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 分圧抵抗器を構成する抵抗体上に保護層とし
ての絶縁層が形成されているＣＲＴ内蔵抵抗器におい
て、上記絶縁層の絶縁破壊が起こることがないようにす
る。 【構成】 アルミナ基板１２上に電極１４および抵抗体
１３が形成され、その抵抗体１３上に絶縁層１５が形成
されたＣＲＴ内蔵抵抗器において、絶縁層１５上に新た
な絶縁層１６を形成し、この新たな絶縁層１６の表面抵
抗率が絶縁層１５の表面抵抗率よりも小さい値にされて
いる。このため、新たな絶縁層１６の表面に電子が発生
しても速やかに電極１４に放出されるので、帯電によっ
て発生する電位差が絶縁層１５の絶縁破壊電圧を超える
ことが防止されて絶縁破壊が起こることがない。
ての絶縁層が形成されているＣＲＴ内蔵抵抗器におい
て、上記絶縁層の絶縁破壊が起こることがないようにす
る。 【構成】 アルミナ基板１２上に電極１４および抵抗体
１３が形成され、その抵抗体１３上に絶縁層１５が形成
されたＣＲＴ内蔵抵抗器において、絶縁層１５上に新た
な絶縁層１６を形成し、この新たな絶縁層１６の表面抵
抗率が絶縁層１５の表面抵抗率よりも小さい値にされて
いる。このため、新たな絶縁層１６の表面に電子が発生
しても速やかに電極１４に放出されるので、帯電によっ
て発生する電位差が絶縁層１５の絶縁破壊電圧を超える
ことが防止されて絶縁破壊が起こることがない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、カラーＣＲＴ
に適用して好適なＣＲＴ内蔵抵抗器に関する。
に適用して好適なＣＲＴ内蔵抵抗器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、例えば、３ビーム単電子銃型
のＣＲＴにおいては、良好なコンバーゼンス特性を得る
ために、静電偏向板に陽極電圧より数％程度低い電圧を
印加するようになっていた。
のＣＲＴにおいては、良好なコンバーゼンス特性を得る
ために、静電偏向板に陽極電圧より数％程度低い電圧を
印加するようになっていた。
【０００３】この電圧は、陽極電圧を分圧抵抗器で分割
することにより得られ、このため、ＣＲＴの中に、この
分圧抵抗器の構成にされた抵抗器が内蔵されている。こ
のような抵抗器をＣＲＴ内蔵抵抗器と称している。
することにより得られ、このため、ＣＲＴの中に、この
分圧抵抗器の構成にされた抵抗器が内蔵されている。こ
のような抵抗器をＣＲＴ内蔵抵抗器と称している。
【０００４】このＣＲＴ内蔵抵抗器は、アルミナ基板上
に３つの電極と分圧抵抗器としての抵抗体とが形成さ
れ、さらにその抵抗体上に絶縁層が形成された構成にな
っている。
に３つの電極と分圧抵抗器としての抵抗体とが形成さ
れ、さらにその抵抗体上に絶縁層が形成された構成にな
っている。
【０００５】図３は、このように構成されるＣＲＴ内蔵
抵抗器が適用されたＣＲＴのネック部分を模式的に示し
ている。
抵抗器が適用されたＣＲＴのネック部分を模式的に示し
ている。
【０００６】このＣＲＴのネック部分には、電子銃１が
配置され、この電子銃１は、第１〜第５グリッドＧ1 〜
Ｇ5 と静電偏向電極ＣＯＮＶなどを有している。
配置され、この電子銃１は、第１〜第５グリッドＧ1 〜
Ｇ5 と静電偏向電極ＣＯＮＶなどを有している。
【０００７】ここで、ＣＲＴ内蔵抵抗器２は、電子銃１
に沿うように配置されている。なお、図３において、Ｃ
ＲＴ内蔵抵抗器２は回路構成として描いている。
に沿うように配置されている。なお、図３において、Ｃ
ＲＴ内蔵抵抗器２は回路構成として描いている。
【０００８】このＣＲＴ内蔵抵抗器２には、上記したよ
うに、図示しないアルミナ基板上に抵抗体である分圧抵
抗器３，４と、この分圧抵抗器３，４の各端子に接続さ
れる３つの電極５〜７とが形成されている。分圧抵抗器
３，４上には絶縁層１０が形成されている。
うに、図示しないアルミナ基板上に抵抗体である分圧抵
抗器３，４と、この分圧抵抗器３，４の各端子に接続さ
れる３つの電極５〜７とが形成されている。分圧抵抗器
３，４上には絶縁層１０が形成されている。
【０００９】電極５は、図示しない陽極ボタンから内装
カーボン８を通じて高電圧（陽極電圧）が印加されてい
る第５グリッド電極Ｇ5 に接続されている。
カーボン８を通じて高電圧（陽極電圧）が印加されてい
る第５グリッド電極Ｇ5 に接続されている。
【００１０】電極６は、静電偏向電極ＣＯＮＶに接続さ
れている。
れている。
【００１１】電極７は、図示しないネックピンおよび図
示しないソケットを通じて可変抵抗器９の一端に接続さ
れ、その可変抵抗器９の他端は接地されている。
示しないソケットを通じて可変抵抗器９の一端に接続さ
れ、その可変抵抗器９の他端は接地されている。
【００１２】このような構成において、可変抵抗器９を
調節することにより最適なコンバーゼンスの調整が行え
る。
調節することにより最適なコンバーゼンスの調整が行え
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
技術によるＣＲＴ内蔵抵抗器２の上記抵抗体（分圧抵抗
器３，４）上に形成される絶縁層１０の材料としては、
ガラス等比較的に体積抵抗率の大きい材料が使用されて
いる。この絶縁層１０は、ＣＲＴ動作中に印加される高
電圧およびＣＲＴ製造工程において試験的に印加される
高電圧（上記ＣＲＴ動作中に印加される高電圧より高い
電圧）による放電等により上記抵抗体（分圧抵抗器３，
４）が絶縁破壊を起こすのを防止するために形成されて
いる。
技術によるＣＲＴ内蔵抵抗器２の上記抵抗体（分圧抵抗
器３，４）上に形成される絶縁層１０の材料としては、
ガラス等比較的に体積抵抗率の大きい材料が使用されて
いる。この絶縁層１０は、ＣＲＴ動作中に印加される高
電圧およびＣＲＴ製造工程において試験的に印加される
高電圧（上記ＣＲＴ動作中に印加される高電圧より高い
電圧）による放電等により上記抵抗体（分圧抵抗器３，
４）が絶縁破壊を起こすのを防止するために形成されて
いる。
【００１４】しかしながら、体積抵抗率の大きい材料
は、一般に、表面抵抗率も大きいために、絶縁層１０の
表面が帯電した場合、その帯電によって蓄積された電子
は、その絶縁層の表面に蓄積され続け、帯電電圧がしだ
いに上昇する。そして帯電電圧が絶縁層１０の絶縁破壊
電圧を超えると絶縁破壊を起こし、この絶縁破壊時に発
生する放電電流が上記抵抗体（分圧抵抗器３，４）に損
傷（抵抗体の変質）を与える場合があるという問題があ
った。
は、一般に、表面抵抗率も大きいために、絶縁層１０の
表面が帯電した場合、その帯電によって蓄積された電子
は、その絶縁層の表面に蓄積され続け、帯電電圧がしだ
いに上昇する。そして帯電電圧が絶縁層１０の絶縁破壊
電圧を超えると絶縁破壊を起こし、この絶縁破壊時に発
生する放電電流が上記抵抗体（分圧抵抗器３，４）に損
傷（抵抗体の変質）を与える場合があるという問題があ
った。
【００１５】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、絶縁層に絶縁破壊が起こることのないＣＲ
Ｔ内蔵抵抗器を提供することを目的とする。
ものであり、絶縁層に絶縁破壊が起こることのないＣＲ
Ｔ内蔵抵抗器を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明ＣＲＴ内蔵抵抗器
は、例えば、図１に示すように、絶縁基板１２上に電極
１４および抵抗体１３が形成され、その抵抗体１３上に
絶縁層１５が形成されたＣＲＴ内蔵抵抗器において、絶
縁層１５上に新たな絶縁層１６を形成し、この新たな絶
縁層１６の表面抵抗率が絶縁層１５の表面抵抗率よりも
小さい値にされたものである。
は、例えば、図１に示すように、絶縁基板１２上に電極
１４および抵抗体１３が形成され、その抵抗体１３上に
絶縁層１５が形成されたＣＲＴ内蔵抵抗器において、絶
縁層１５上に新たな絶縁層１６を形成し、この新たな絶
縁層１６の表面抵抗率が絶縁層１５の表面抵抗率よりも
小さい値にされたものである。
【００１７】
【作用】本発明ＣＲＴ内蔵抵抗器によれば、抵抗体１３
上に形成された絶縁層１５の上に新たな絶縁層１６が形
成され、この新たな絶縁層１６の表面抵抗率が絶縁層１
５の表面抵抗率よりも小さい値にされている。このた
め、新たな絶縁層１６の表面に電子が発生しても速やか
に電極１４に放出されるので、帯電によって発生する電
位差が絶縁層１５の絶縁破壊電圧を超えることが防止さ
れて、絶縁破壊が起こることがない。
上に形成された絶縁層１５の上に新たな絶縁層１６が形
成され、この新たな絶縁層１６の表面抵抗率が絶縁層１
５の表面抵抗率よりも小さい値にされている。このた
め、新たな絶縁層１６の表面に電子が発生しても速やか
に電極１４に放出されるので、帯電によって発生する電
位差が絶縁層１５の絶縁破壊電圧を超えることが防止さ
れて、絶縁破壊が起こることがない。
【００１８】
【実施例】以下、本発明ＣＲＴ内蔵抵抗器の一実施例に
ついて図面を参照して説明する。
ついて図面を参照して説明する。
【００１９】図１はこの実施例によるＣＲＴ内蔵抵抗器
１１の断面構成を示している。このＣＲＴ内蔵抵抗器１
１は、絶縁基板としてのアルミナ基板１２を有し、この
アルミナ基板１２上に分圧抵抗器を構成する抵抗体１３
と電極１４とが形成され、抵抗体１３上に、この抵抗体
１３の保護層としての絶縁層１５が形成されている。絶
縁層１５はガラスを主成分とした材料である。
１１の断面構成を示している。このＣＲＴ内蔵抵抗器１
１は、絶縁基板としてのアルミナ基板１２を有し、この
アルミナ基板１２上に分圧抵抗器を構成する抵抗体１３
と電極１４とが形成され、抵抗体１３上に、この抵抗体
１３の保護層としての絶縁層１５が形成されている。絶
縁層１５はガラスを主成分とした材料である。
【００２０】さらにこの絶縁層１５の上に新たな絶縁層
１６が形成されている。ここで、この新たな絶縁層１６
の表面抵抗率は絶縁層１５の表面抵抗率よりも小さい値
に設定されている。
１６が形成されている。ここで、この新たな絶縁層１６
の表面抵抗率は絶縁層１５の表面抵抗率よりも小さい値
に設定されている。
【００２１】このように設定することにより、新たな絶
縁層１６の表面に電子が発生しても、その電子は速やか
に電極１４に放出されるので、帯電によって発生する電
位差が絶縁破壊電圧を超えることが防止されて絶縁破壊
が起こることがないという効果が得られる。
縁層１６の表面に電子が発生しても、その電子は速やか
に電極１４に放出されるので、帯電によって発生する電
位差が絶縁破壊電圧を超えることが防止されて絶縁破壊
が起こることがないという効果が得られる。
【００２２】ここで、新たな絶縁層１６の抵抗値は、Ｃ
ＲＴ内蔵抵抗器１１の抵抗値の５〜10倍の抵抗値に設定
することが望ましい。これ以上低いとＣＲＴ内蔵抵抗器
１１の抵抗値が変動し、これ以上高すぎると十分な効果
が得られなくなるからである。
ＲＴ内蔵抵抗器１１の抵抗値の５〜10倍の抵抗値に設定
することが望ましい。これ以上低いとＣＲＴ内蔵抵抗器
１１の抵抗値が変動し、これ以上高すぎると十分な効果
が得られなくなるからである。
【００２３】実用上、新たな絶縁層１６の抵抗値Ｒは、
体積抵抗率としてＲ＝１０10〜１０ 13［Ωｍ］程度が望
ましく、最適値としては、Ｒ＝１０11〜１０12［Ωｍ］
に設定することが望ましい。このように設定することに
より表面抵抗率も対応して小さい値になる。
体積抵抗率としてＲ＝１０10〜１０ 13［Ωｍ］程度が望
ましく、最適値としては、Ｒ＝１０11〜１０12［Ωｍ］
に設定することが望ましい。このように設定することに
より表面抵抗率も対応して小さい値になる。
【００２４】新たな絶縁層１６は、例えば、以下に示す
〜の方法で形成することができる。 絶縁層１５で使用していた材料に、例えば、チタン
（Ｔｉ）のような抵抗値調整用の材料を添加して抵抗値
を低くした材料を絶縁層１５と同様に形成する。 絶縁層１５の表面に金（Ａｕ）またはアルミニウム
（Ａｌ）のような金属などの薄い膜を、例えば、真空蒸
着によって形成する。 絶縁層１５を形成した後、還元雰囲気下で再度焼成
し、絶縁層１５の内部に含まれる金属酸化物を還元して
金属を析出させて形成する。
〜の方法で形成することができる。 絶縁層１５で使用していた材料に、例えば、チタン
（Ｔｉ）のような抵抗値調整用の材料を添加して抵抗値
を低くした材料を絶縁層１５と同様に形成する。 絶縁層１５の表面に金（Ａｕ）またはアルミニウム
（Ａｌ）のような金属などの薄い膜を、例えば、真空蒸
着によって形成する。 絶縁層１５を形成した後、還元雰囲気下で再度焼成
し、絶縁層１５の内部に含まれる金属酸化物を還元して
金属を析出させて形成する。
【００２５】図２は、本発明の他の実施例によるＣＲＴ
内蔵抵抗器２１の断面構成を示している。なお、図２に
おいて、図１に示したものと対応するものには同一の符
号を付けてその詳細な説明を省略する。
内蔵抵抗器２１の断面構成を示している。なお、図２に
おいて、図１に示したものと対応するものには同一の符
号を付けてその詳細な説明を省略する。
【００２６】このＣＲＴ内蔵抵抗器２１は、アルミナ基
板１２上に抵抗体１３と電極１４とが形成され、抵抗体
１３上に絶縁層２２が形成されている。
板１２上に抵抗体１３と電極１４とが形成され、抵抗体
１３上に絶縁層２２が形成されている。
【００２７】この絶縁層２２は、上記した絶縁層１５が
有する絶縁耐圧と同等の絶縁破壊電圧を有し、かつ表面
抵抗率の比較的に低い材料が選定されて形成されてい
る。
有する絶縁耐圧と同等の絶縁破壊電圧を有し、かつ表面
抵抗率の比較的に低い材料が選定されて形成されてい
る。
【００２８】この図２例においても、絶縁層２２の表面
に電子が発生しても速やかに電極１４に放出されるの
で、帯電によって発生する電位差が絶縁破壊電圧を超え
ることが防止されて絶縁破壊が起こることがないという
効果が得られる。
に電子が発生しても速やかに電極１４に放出されるの
で、帯電によって発生する電位差が絶縁破壊電圧を超え
ることが防止されて絶縁破壊が起こることがないという
効果が得られる。
【００２９】なお、本発明は上記の実施例に限らず本発
明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り得ること
はもちろんである。
明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り得ること
はもちろんである。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明ＣＲＴ内蔵
抵抗器によれば、抵抗体上に形成された絶縁層の上に新
たな絶縁層が形成され、この新たな絶縁層の表面抵抗率
が上記絶縁層の表面抵抗率よりも小さい値にされてい
る。このため、上記新たな絶縁層の表面に電子が発生し
ても速やかに電極に放出されるので、帯電によって発生
する電位差が上記絶縁層の絶縁破壊電圧を超えることが
防止されて絶縁破壊が起こることがないという効果が得
られる。
抵抗器によれば、抵抗体上に形成された絶縁層の上に新
たな絶縁層が形成され、この新たな絶縁層の表面抵抗率
が上記絶縁層の表面抵抗率よりも小さい値にされてい
る。このため、上記新たな絶縁層の表面に電子が発生し
ても速やかに電極に放出されるので、帯電によって発生
する電位差が上記絶縁層の絶縁破壊電圧を超えることが
防止されて絶縁破壊が起こることがないという効果が得
られる。
【図１】本発明によるＣＲＴ内蔵抵抗器の一実施例の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図２】本発明によるＣＲＴ内蔵抵抗器の他の実施例の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図３】ＣＲＴ内蔵抵抗器を有するＣＲＴのネック部分
の模式的な構成を示す線図である。
の模式的な構成を示す線図である。
１２ 絶縁基板 １３ 抵抗体 １４ 電極 １５，１６ 絶縁層
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板上に電極および抵抗体が形成さ
れ、その抵抗体上に絶縁層が形成されたＣＲＴ内蔵抵抗
器において、 上記絶縁層上に新たな絶縁層を形成し、この新たな絶縁
層の表面抵抗率が上記絶縁層の表面抵抗率よりも小さい
値にされたことを特徴とするＣＲＴ内蔵抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16298792A JPH065224A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | Ｃｒｔ内蔵抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16298792A JPH065224A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | Ｃｒｔ内蔵抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065224A true JPH065224A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15765064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16298792A Pending JPH065224A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | Ｃｒｔ内蔵抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065224A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100350178B1 (ko) * | 1998-09-08 | 2002-08-24 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 음극선관용 저항체, 그 제조 방법, 음극선관, 및 그 저항체를 포함하는 ｆｅｄ |
| US6624561B2 (en) | 2000-09-19 | 2003-09-23 | Hitachi, Ltd. | Color cathode ray tube having an internal voltage-dividing resistor |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP16298792A patent/JPH065224A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100350178B1 (ko) * | 1998-09-08 | 2002-08-24 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 음극선관용 저항체, 그 제조 방법, 음극선관, 및 그 저항체를 포함하는 ｆｅｄ |
| US6624561B2 (en) | 2000-09-19 | 2003-09-23 | Hitachi, Ltd. | Color cathode ray tube having an internal voltage-dividing resistor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4101803A (en) | Arc suppression and static elimination system for a television crt | |
| JPH08102248A (ja) | 電界放出装置のａｒｃサプレッサ | |
| US2829292A (en) | Cathode-ray tubes | |
| US3959686A (en) | Cathode ray tube construction having defined processing and operational means incorporated therein | |
| US2545120A (en) | Cathode-ray tube arc-over preventive | |
| US4153857A (en) | Television cathode ray tube having getter flash tolerant internal resistive element | |
| JPH065224A (ja) | Ｃｒｔ内蔵抵抗器 | |
| US4403170A (en) | Color picture tubes | |
| US6005472A (en) | Inner resistor for cathode-ray tube | |
| US4345185A (en) | Cathode ray tube apparatus | |
| JPH05205660A (ja) | 陰極線管及び陰極線管の製造方法 | |
| US4531075A (en) | Electron gun having arc suppression means | |
| US4514661A (en) | Arc-suppression means for an electron gun having a split electrode | |
| US5220242A (en) | Cathode-ray tube with a coil-shaped high resistance body | |
| JP3527112B2 (ja) | 内蔵分割抵抗を有するカラー陰極線管 | |
| KR100350178B1 (ko) | 음극선관용 저항체, 그 제조 방법, 음극선관, 및 그 저항체를 포함하는 ｆｅｄ | |
| JP2607481B2 (ja) | 陰極線管 | |
| US4234816A (en) | Cathode ray tube with internal arc suppressor and protective spark gap | |
| JP2001185051A (ja) | 陰極線管内蔵分割抵抗体およびそれを備えた陰極線管 | |
| JPS6050020B2 (ja) | カラ−受像管 | |
| CA1160755A (en) | Cathode ray tube apparatus | |
| JPS6273532A (ja) | 陰極線管 | |
| US20020074950A1 (en) | Field emission display including a resistor | |
| JPH0729516A (ja) | 陰極線管 | |
| JPH0668811A (ja) | 陰極線管電子銃用抵抗器 |