JPH06503062A - 複合一体構造型ラップ盤及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 複合一体構造型ラップ盤及びその製造方法技術分野 本発明は、セラミック物品の製造に関し、特に、研削及び／または研磨用ラップ 盤、ならびに同様な工具の製造に関する。

背景技術 従来、研削及び／または研磨用のラップ盤として、さまざまな構成のものが知ら れており、その中には、鏡、レンズ、その他の光学部品にこのような加工を施す のに特に適したものがある。この種の部品は比較的こわれやすく、また、表面品 質及び形状適合性のいずれにおいても、できるだけ高い精度が要求される。この ため、このようなラップ盤は、工作品からの材料除去プロセスに大きく影響する とともに、それぞれの用途に応じて適切に選択されるべき、いくつかの特性を有 していなければならない。これらの特性のひとつとして、ラップ盤または同様な 研削及び／または研磨工具の剛性があげられる。剛性は、ラップ盤や工具への研 磨粒子の侵入度に影響し、したがって、工作品に形成されるカットの深さに影響 する。剛性が大きいと、材料除去速度がより速くなりカットはより深くなるが、 損傷もより大きくなり、工作品がもろい材料からできている場合には特に顕著と なる。さらに、工具の剛性は、材料除去動作中に行なわれる形状制御にも影響す る。すなわち、剛性のより大きいう・ソブ盤は、より柔軟なラップ盤よりも形状 制御の点ですぐれている。別の重要な特性は、工具の熱伝導率であり、これは工 作品の表面温度に影響する。そして、工作品の表面温度は形状制御に影響し、さ らに材料除去プロセスの化学作用にまで影響することもある。さらに別の重要な 特性は、ラップ盤や同様な工具の硬度であり、これは、研磨粒子がどの程度工具 に付着するかを決定するものである。

一体構造型ラップ盤の特定の用途における研削や研磨要件のすべてを満足するこ とは、不可能ではないまでも難しいことが、経験的にわかっている。その理由は 、特に、これらの要件の少なくともいくつかは、互いに相反するものであるとい うことである。すなわち、特性の１つを変化させて上記要件の１つをより満足さ せようとすれば、別の要件の満足度に悪影響をもたらすことになるのが普通であ る。そこで、従来、一体構造型ラップ盤や同様な工具の材料選択は、しばしば妥 協の問題であった。すなわち、さまざまな要件の相対的な重要度をはかり、最良 の（しかし理想のではない）性能が得られるように工具材料を選択していた。こ のような妥協の結果、通常、光学部品の研削や研磨に用いられるラップ盤材料は 、ピッチなどの比較的軟質の材料に所望の研磨剤を含ませたものであり、たとえ ば、軟質材料体と工作品のあいだに研磨剤の層を介在させ工作品に対してラップ 盤の軟質材料体を押しつけることにより得られる。多くの場合、軟質材料体を、 剛性の大きい支持部や背受部に搭載することにより、全体的な剛性を増加させて いる。しかしながら、このような方策を講じても、工作品に最も近接した領域に おいてラップ体材料は比較的高い降伏度を呈するため、工作品の形状ならびに工 作品への研磨粒子の侵入度に悪影響を及ぼすことを防ぐことはできない。

また、研削用ラップ盤に研磨粒子が埋め込まれていないまたは埋め込まれること にならない、いわゆる自由研磨剤研削を用いることも従来提案されている。ここ では、異なる材料の複数個のラップ盤を用いて、所望の全体的な成果を達成しよ うとしている。すなわち、自由研削動作の異なる段階において及び／または異な る用途に応じて、異なるラップ盤が用いられていた。この場合、当然のことなが ら、上記複数個の異なるラップ盤を製造または購入し、保管し、特定の研削段階 または特定の用途にあわせてラップ盤を適切に選択して配置し、先に使用したラ ップ盤を新しいものと交換する必要が生じるなど、不便なものであった。通常、 光学部品の自由研磨剤研削に用いられるラップ盤の材料としては、種々の剛性度 を呈する種々のガラス、セラミックタイル、金属などの、比較的硬質の材料が選 択されていた。いくつかの例では、硬質材料体を、剛性の大きい支持部や背受部 に搭載することにより、全体的な剛性を増加させている。

また、スリップ注型により耐熱物質及び金属の形材を成形することが知られてい る。たとえば、１９８２年７月２７日に付与された米国特許第４，３４１．７２ ５号に、スリップ注型プロセスが開示されている。ここでは、成形工程及びそれ に続く成形プレフォームの凍結工程に先立って、核剤がスリップに添加され、成 形プレフォームの凍結中に成形プレフォーム内に生成される氷結晶の大きさを十 分低いレベルに保ち、プレフォームに対する構造的損傷を防いでいる。このよう な損傷は、氷結晶が大きすぎるときに生じる。ところで、上記特許において、そ の方法の用途として説明されているのは、一定の内径及び外径をもつ単純な管を 製造するという唯一の用途だけである。また、たとえ上記特許が、同じプロセス を用いること１こよりその他の部品をも製造できると述べているとしても、上記 特許に開示されているプロセスにより得られる焼結された最終製品は、その形状 にかかわらず、光学部品などの高精度の用途に用いられる自由研磨剤研削工具と して用いるには全く不向きである。これは、ひとえに、光学部品などがかなりの もろさを有しているためである。

最後に、本件と同一譲受人に譲渡された米国特許第４．９７４゜２２５号には、 まず多孔性の焼結体すなわちプレフォームを形成し、次に、元来流動性をもつ物 質をこのプレフォームの小孔に導入し、この小孔を完全に充填してその内部で固 化させることにより、固体基板を製造する方法が開示されている。しかしながら 、上記特許には、この方法の唯一の用途として、鏡基板の製造に用いることが開 示されているにすぎない。そして、この方法を他の物品、特に研削及び／または 研磨用ラップ盤を製造するのに用い得ることまたは用いるべきであることは全く 示唆されていない。

したがって、本発明の包括的な目的は、従来技術の欠点を解消することである。

詳しくは、本発明の目的は、従来方法の欠陥を取り除き、自由研磨剤または埋め 込み研磨剤ラップ盤などの、比較的堅固な研削研磨工具の製造方法を提供するこ とである。

本発明の別の目的は、製造される工具にめられる要件の満足度を向上させること ができるように改良した上記方法を提供することである。

本発明のさらに別の目的は、局部的にも全体的にも十分な剛性をもち、比較的高 速の材料除去速度において、工具により加工される工作品の形状制御を良好に実 現できるようにした研削研磨工具を製造することのできる上記方法を提供するこ とである。

本発明の付随的な目的は、広範囲にわたる動作条件において、従来工具に比して 請求められる要件をより満足させることのできる特性を有する、汎用性のある研 削研磨工具を提供することである。

発明の開示 これらの目的及び以下に明らかになるその他の目的を達成するため、本発明の特 徴とするところは、複合的にして一体構造型の材料除去ラップ盤において、セラ ミックまたは金属物質からなる多孔性焼結マトリクスと、少なくとも上記ラップ 盤により加工される工作品に接触する上記ラップ盤の有効領域全体において、上 記多孔性焼結マトリクスプレフォームの小孔を実質的に完全に充填する多量の含 浸物質とを含むことを特徴とする。本発明の別の態様によれば、上記ラップ盤は 、まず、金型キャビティにセラミックまたは金属粒子を液状媒体と混合してなる 濃厚スリップを充填して一次プレフオームを形成する工程と、次に上記−次プレ フオームを凍結する工程と、上記−次プレフオームを凍結乾燥して液状媒体を取 り除く工程と、このようにして得られた乾燥プレフォームを、より大型の粒子が 融合しそれらの間に相互連結された小孔を残す程度に焼結する工程と、このよう にして得られたマトリクスプレフォームを上記含浸物質の融点よりも高温にし、 上記多孔性マトリクスプレフォームを上記多量の溶融含浸物質に接触させ、少な くとも、上記ラップ盤により加工される工作品に接触する上記ラップの有効領域 の上記小孔を実質的に完全に充填するのに必要な程度に、上記溶融含浸物質を、 上記マトリクスプレフォームの小孔に侵入させることにより、上記多孔性マトリ クスプレフォームを上記ラップ盤に転換する工程により、製造される。

図面の簡単な説明 本発明は、添付図面を参照してより詳細に説明される。添付図面において、 第１図は、本発明による研削研磨用ラップ盤の平面図でありラップの有効領域を 示している。

第２図は、ラップ盤の一部を示す第１図の２−２線に沿った拡大断面図であり、 ラップ盤により加工される工作品の一部と並べて示している。

第３図は、第２図の３−３線に沿った細部を示すさらなる拡大図であり、特に、 自由研磨剤研削に用いるものとして構成されたラップ盤の有効領域の内部構造を 示している。

第４図は、埋め込み研磨剤研削や研磨に用いるものとして構成されたラップ盤の 第３図と同様な図である。

発明を実施するための最良の形態 さて、図面を詳細に参照すると、符号１０は、本発明の研削研磨用ラップ盤の全 体を示している。ラップ盤１０は、円形ディスクの形状を有するものとして図示 されている。第１図及び第２図の比較から明らかになるとおり、図示のラップ盤 １０において、第１図の観察者に対面する露出主面１２の領域１１には、はぼ等 間隔の溝１３及び１４との２つの直交する列が設けられ、これらは互いに交差し 、露出主面１２の下方の、領域１１の深さに対応、する、ある深さまで穿設され ている。これにより、領域１１は、はぼ正方形の輪郭をもつ多数の隆起部すなわ ちメサ１５に分割されている。特に第２図に示されるように、溝１３及び１４は 、露出主面１２を、メサ１５の各露出面１６に分割し、これらは、ラップ盤１０ が使用位置にあるときに研削研磨される工作品２０に対面する。

以上、図示した形状のラップ盤１０について説明したが、以下、その内部構造及 びこの内部構造を得るための好ましい方法について、第３図及び第４図を参照し てまず概略的に説明する。当初は、自由研磨剤研削用と埋め込み研磨剤研削用の ラップ盤の構造を区別せずに説明することとする。

第１のステップとして、ラップ盤１０の「生の」プレフォームがスリップ注型に より製造される。この例は、上記２件の米国特許に開示されており、このスリッ プ注型プロセスの詳細についてはこれらを参照されたい。「スリップ注型」なる 表現は、ここでは、金属粉末、セラミック粉末、炭素粉末、またはこれらの粉末 の混合物と、液体（通常は水）からなる注入可能なスリップを、非吸収性の型に 注入し、混合物を凍結し、型から取り出して最後に凍結乾燥し、焼成用の「生状 態のコ物体を得るプロセスを表わしている。

本発明の方法の実施に用いられるスリップに自存される粉末は、好ましくは、大 型粒子１７と小型粒子１８とを互いに密に混合したものである。上述のスリップ 注型プロセスにより得られた「生の」プレフォームは、次に軽く焼結される。す なわち、小型粒子１８が溶融して大型粒子１７を互いに連結し、比較的安定して いるが全くもろい第３図に示した多孔性マトリクスを形成する程度に、焼結する 。ラップ盤１０用の、このようにして得られた焼結プレフォームすなわちマトリ クス体を、ラップ盤１０を形成するあいだ流動性すなわち液状の状態にある孔充 填物質すなわち含浸物質１９または１９′に接触させ、孔充填物質１９または１ ９′　を、焼結粒子１７及び１８の間に存在する孔すなわち間隙に侵入させる。

これは、少なくとも領域１１に浸透する程度でよいが、好ましくは、焼結プレフ ォーム全体の小孔すなわち間隙をほぼ完全に充填する。このようにして、このプ レフォームはラップ盤１０に転換される。

スリップ注型プロセス中に、「生の」プレフォームに溝１３及び１４を設けるよ うにしてもよい。これは、たとえば、注型用金型に金型の内部空間にくいこむ突 起すなわち突条を設けることにより行なわれる。また、溝１３及び１４を、より 後の段階で、たとえば、焼結後またはそれ以降に、フライス加工などの材料除去 工程により、形成することもできる。焼結プレフォームをラップ盤１０へ転換し たのち、領域１１を加工してメサ１５から材料を除き、露出面１６を形成する。

これは、主として、ラップ盤１０の露出面１２に平面状などの所望の形状を与え るため、また、メサ１５の露出面１６の表面品質を改良するために行なわれる。

含浸物質１９及び１９゛の主な相違点は、物質１９は、焼結プレフォームの小孔 に導入後比較的硬くなるのに対し、物質１９″は、ラップ盤１０の使用中にラッ プ盤１０の領域１１において生じるすべての温度においてマトリクス材料に比べ て軟質すなわち柔軟であることである。

廼ユ 第３図に示す種類のシリコンカーバイド自由研磨剤ラップ盤は、次のようにして 構成される。

以下の材料を以下に示す量ずつ混合し、約２７時間にわたってジャー型ミルにお いて圧延することにより、１回分の注型用スリップを調製した。

シリコンカーバイド粉末（Ｆ−３２０）　５，７７３．８ｇシリコンカーバイド 粉末（〜１．０μｍ）　４，２２０．０ｇ水　１．　３１３．　７ｇ ケイ酸ナトリウム　３４．８ｇ ジメチルスルホキシド　２０５．３ｇ このようにして調製された注型用スリップは、供給口を介して多重部品組立式金 型キャビティに導入され、これにより押しのけられた空気は、脱出口を介して金 型キャビティから放出された。充填中及びその後１５分間にわたって金型及びス リップを振動させ、混入空気を逃がした。

依然組立状態の金型とその内容物は、−８５℃に保たれた冷凍室に冒かれ、約３ ０分間放置される。次いで、金型とその内容物を冷凍環境から取り出し１、金型 部分を分解して凍結した「生の」プレフォームを取り出す。凍結プレフォームは 次に一８５℃で約１時間にわたり平衡状態に保たれた。

その後、凍結鋳造品は、以下のステップにおいて、最終製品に転換される。まず 、室温で約１００μｍＨｇに排気された室に置かれる。真空排気は約１６時間続 けられ、真空レベルが５０μｍＨｇを越えたことが観察された。これは、乾燥凍 結（昇華）プロセスが実質的に完結し、鋳造品は乾燥されたものと考えられるこ とを示している。乾燥した鋳造品は、ある分圧のアルゴン雰囲気において、２０ ５０℃の温度に置くことにより、軽（焼結された。

このようにして、部分的に焼結された多孔性プレフォームは、分圧ｌｍｍＨｇの アルゴン内で１７５０℃において溶融シリコンにさらすことにより、シリコンで 充填された。この充填工程は、焼結プレフォームを、メサ領域を下にして、加熱 プレート上に載置されたシリコン粉末層上に置き、プレフォームと加熱プレート の双方、ひいては、シリコン粉末層の温度を直前に述べた温度まで徐々に上昇さ せ、粉状シリコンを溶融させ、この溶融シリコンを、毛管力の作用により、焼結 マトリクスの小孔に侵入させるものである。シリコン粉末層中に存在するシリコ ン物質の量ならびに毛管力の大きさくこれは孔の大きさに依存する）に応じ、そ して温度などのその他のパラメータに応じ、溶融シリコンは、プレフォームの頂 部までの全距離にわたって、あるいは、その一部分のみに上昇していく。いずれ にしろ、上記パラメータは、少なくともメサ領域全体に溶融シリコンが侵入する ように、選択及び／または制御される。この程度に侵入すれば、ラップ盤は、そ の大半の用途において、十分な機能を果たす。

場合によっては、シリコンに接触させる直前に、シリコンの溶融温度に近い温度 もしくはそれ以上の温度に、焼結プレフォームを予熱することが望ましい。この ことにより、シリコン粉末の溶融、及び、それに続く保護雰囲気環境における焼 結マトリクス内への侵入に必要な時間を短縮できる。いずれにしろ、プレフォー ム内へのシリコンの侵入が完了したあとで、このようにして得られたラップ盤１ ０は冷却され、焼結シリコンカーバイドマトリクス１７及び１８の小孔内のシリ コン１９が固化される。その後、メサ１５の表面１６の品質を向上させるために 、領域１１を研削して表面１６から材料を除くようにしてもよい。

餞１ 第４図に示した種類のシリコンカーバイド／ピッチ複合ラップ盤は、まず、上記 の工程をプレフォームの焼結プロセスまで含めてたどることにより形成された。

次に、この部分的に焼結された多孔性プレフォームの間隙すなわち小孔を、以下 に述べるようにして、ピッチで充填した。まず、小孔の充填中にピッチが周面か ら逃げるのを防ぐため、プレフォームの周面を、アルミホイルまたはテープを貼 付することにより被覆した。そして、プレフォームを、ピッチの溶融温度以上に 加熱しく研磨研削加工に適したものとして知られる組成範囲内のピッチの正確な 組成に応じて、約９５〜１２０℃の範囲内に）、メサ領域を上にしてアルミ製ヒ ートシンク底板の上向き面上に配置し、溶融ピッチを注いでプレフォームの頂部 領域全体に広がらせ、焼結マトリクスの小孔内に流れ込ませた。周面に配された アルミホイルまたはホイル、もしくは、ヒートシンク底板のいずれかにたどりつ いたピッチは、接触するやいなや凍結すなわち固化されて各小孔を塞ぐため、ピ ッチの外部流出が避けられ、ピ・ソチが他の内部小孔に流れ込むのを遮ることは ない。最後に、このようにしてピッチを浸透させたプレフォームは、ピッチの溶 融温度以下に冷却され、残りのピッチが固化して構造１９′が得られた。そして 、プレフォームを底板から取り外し、周囲テープやホイルをはがす。

このようにして、以降の機械工作やその他上述した種類の加工に用いられるプレ フォームが製造される。

氾 例２の工程は、シリコンカーバイド／鉛複合ラップ盤の製造においても用いられ る。ただし、焼結プレフォームの温度は、溶融鉛をプレフォームの頂面上に注い で広がらせる前に、鉛の溶融温度を超える温度まで（約３７５℃まで）上げられ る（予熱など）。

第２図及び第３図を比較して、研削加工が例１のう・ノブ盤１０を用いて実行さ れる場合には、ラップ盤１０の領域１１は、実際の研削加工中に、グリッドすな わち研磨粒子２１の層２２に接触する。

この研磨粒子２１は、単独でまたは冷却媒体やペーストなどの搬送媒体との混合 または懸濁状態で、加工する工作品２０の表面上に載せられる。ラップ盤１０に より研磨粒子２１を含むまたは研磨粒子２１からなる層２２上に加えられる圧力 は、ラップ盤１０が工作品２０に沿って運動するのに伴い、この研磨粒子２１を 移動させる。

その結果、研磨粒子２１は、領域１１に対面する工作品の表面から工作品２０の 材料を磨滅する。ラップ盤１０の使用中に加えられる圧力及び／または研磨粒子 ２１の大きさは、工作品２０内への研磨粒子２１の侵入深さ、ひいては、工作品 の表面品質を決定する。

他方、例２及び例３のいずれかのラップ盤１０を使用する前に、領域１１に研磨 粒子２１′を含ませておくことが好ましい。これは、たとえば、ラップ盤１０の 領域１１を、主面１２の形状にほぼ適合する形状の支持部上に載置された研磨粒 子２１′の層に対して、予め定められた力で押しつけることにより、実現できる 。しかしながら、このような研磨粒子の含入は、実際の研削研磨加工中にも自動 的に行なわれる。すなわち、このような研磨粒子２１の層２２′が、単独でまた は冷却媒体やベーストなどの搬送媒体との混合または懸濁状態で、加工する工作 品２０の表面上に形成され、ラップ盤１０が層２２′に押しつけられる。いずれ にしろ、ラップ盤１０により研磨粒子２１′の層２２′　などの各層に加えられ る圧力により、この研磨粒子２２′　はラップ盤１０の領域１１内、特に、比較 的軟質の孔充填材料１９′　内に埋め込まれる。研磨粒子２１′がこのようにし て領域１１内に埋め込まれた後、ラップ盤１０を用いて、ラップ盤１０の露出面 １２に対面する工作品２０の表面を研磨研削することができる。すなわち、第４ 図から理解されるように、埋め込まれた研磨粒子２１°により工作品２０の材料 が磨滅する。ここで再び、ラップ盤１０の使用中に加えられる圧力及び／または 研磨粒子２１’　の大きさは、埋め込まれた研磨粒子２１′　の工作品２０内へ の侵入深さ、ひいては、工作品の表面品質を決定し、さらには、研削加工または 研磨加工のどちらかに磨滅動作を分類する。

どの場合にも、生成品１０は複合体であって、しかも一体構造型の、比較的剛性 の高い構造であった。しかしながら、少なくともラップ盤１０のメサ領域１１に おいて、シリコン、クールピッチ、鉛などの孔充填材制が存在するために、多孔 性焼結プレフォームの元来のもろさの悪影響を免れることができるだけでなく、 種々の大きさの研磨粒子２１や２１゛を用いることにより、各研削研磨工程また は段階における所望の磨滅度を達成することができる。さらに、このようにして 得られたラップ盤１０は、ラップ盤を構成する２つの物質の優れた特性のほとん ど理想的な組み合わせを提供する。すなわち、シリコンカーバイドの高い剛性と 高い熱伝導率により形状制御が良好となるとともに、各含浸材料の柔軟性が高い ため、研磨粒子２１や２１′の取込み度が向上する。その一方で、これらの材料 により不利な効果が生じることが回避される。

以上、本発明を、磨滅研削、研磨、その地間様な材料除去加工に用いるシリコン カーバイド／含浸材料複合ラップ盤の特別の構造に適用した場合について説明し たが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲は、 添付の請求の範囲によってのみ決定されるものであることは言うまでもない。

ＰＣＴ／ＵＳ　９１１０９１３６ フロントページの続き （５１）　Ｉｎｔ、　Ｃ１，”　識別記号　庁内整理番号Ｂ２４Ｄ　３１００　 ３４０　７９０８−３ＣＣＯ４Ｂ　３８１００　３０４　Ｂ　７２０２−４Ｇ（ ８１）指定国　ＥＰ（ＡＴ、ＢＥ、ＣＨ，ＤＥ。

ＤＫ、ＥＳ、ＦＲ，ＧＢ、ＧＲ，ＩＴ、ＬＵ、ＭＣ，ＮＬ、ＳＥ）、　ＡＵ、Ｊ Ｐ、　ＫＲ Ｉ （７２）発明者　プラット、ロイス アメリカ合衆国、フロリダ　３４８７４．オウクエコービー、ニスダブリュー　 １４４スパークウエイ　１３８５４

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. １．複合一体構造型材料除去磨滅ラップ盤の製造方法において、金型キャビティ に、セラミックまたは金属粒子を液状媒体と混合してなる濃厚スリップを充填し て、一次プレフォームを形成する工程と、 上記一次プレフォームを凍結する工程と、上記一次プレフォームを凍結乾燥して 液状媒体を取り除く工程と、このようにして得られた乾燥プレフォームを、より 大型の粒子が融合しそれらの間に相互連結された小孔を残す程度に焼結する工程 と、 このようにして得られた多孔性マトリクスプレフォームを、多量の含浸材料に、 上記含浸材料が流動可能な温度において接触させ、少なくとも、上記ラップ盤に より加工される工作品に接触する上記ラップ盤の有効領域の上記小孔を実質的に 完全に充填するのに必要な程度に、上記流動可能な含浸材料を、上記多孔性マト リクスプレフォームの上記小孔に侵入させることにより、上記多孔性マトリクス プレフォームを上記ラップ盤に転換する工程とを含むことを特徴とする複合一体 構造型材料除去磨滅ラップ盤の製造方法。
2. ２．上記含浸材料はシリコンであり、上記転換工程は、上記接触工程の実行前に 上記多孔性マトリクスの温度をシリコンの融点よりも高温に上げる工程を含むこ とを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. ３．上記含浸材料は、上記ラップ盤の動作温度において柔軟な種類のものであり 、さらに、上記ラップ盤の有効領域において上記含浸材料に研磨粒子を埋め込む 工程を含み、この工程は、上記有効領域と上記研磨粒子とを相互に押しつける工 程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. ４．金型キャビティに、セラミックまたは金属粒子を液状媒体と混合してなる濃 厚スリップを充填して、一次プレフォームを形成する工程と、 上記一次プレフォームを凍結する工程と、上記一次プレフォームを凍結乾燥して 液状媒体を取り除く工程と、このようにして得られた乾燥プレフォームを、より 大型の粒子が融合しそれらの間に相互連結された小孔を残す程度に焼結する工程 と、 このようにして得られた多孔性マトリクスプレフォームを、多量の含浸材料に、 上記含浸材料が流動可能な温度において接触させ、少なくとも、上記ラップ盤に より加工される工作品に接触する上記ラップ盤の有効領域の上記小孔を実質的に 完全に充填するのに必要な程度に、上記含浸材料を、上記多孔性マトリクスプレ フォームの上記小孔に侵入させることにより、上記多孔性マトリクスプレフォー ムを上記ラップ盤に転換する工程とを含む製造方法により製造されることを特徴 とする複合一体構造型材料除去磨滅ラップ盤。
5. ５．上記含浸材料はシリコンであり、上記製造方法の上記転換工程は、上記接触 工程の実行前に上記多孔性マトリクスの温度をシリコンの融点よりも高温に上げ る工程を含むことを特徴とする請求項４に記載のラップ盤。
6. ６．上記含浸材料は、上記ラップ盤の動作温度において柔軟な種類のものであり 、上記方法は、さらに、上記ラップ盤の有効領域において上記含浸材料に研磨粒 子を埋め込む工程を含み、この工程は上記有効領域と上記研磨粒子とを相互に押 しつける工程を含むことを特徴とする請求項４に記載のラップ盤。
7. ７．複合一体構造型材料除去磨滅ラップ盤において、セラミックまたは金属材料 からなる多孔性焼結マトリクスと、少なくとも、上記ラップ盤により加工される 工作品に接触する上記ラップ盤の有効領域全体において、上記多孔性焼結マトリ クスプレフォームの小孔を実質的に完全に充填する多量の固化含浸材料とからな ることを特徴とする複合一体構造型材料除去磨滅ラップ盤。
8. ８．上記含浸材料はシリコンであることを特徴とする請求項７に記載のラップ盤 。
9. ９．上記含浸材料は、上記ラップ盤の動作温度において柔軟な種類のものであり 、さらに、上記ラップの上記有効領域において上記含浸材料内に埋め込まれる研 磨粒子の層を有することを特徴とする請求項７に記載のラップ盤。