JPH0648768A - Laser glass emitting light at 0.8mum wavelength - Google Patents

Laser glass emitting light at 0.8mum wavelength

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JPH0648768A
JPH0648768A JP22203892A JP22203892A JPH0648768A JP H0648768 A JPH0648768 A JP H0648768A JP 22203892 A JP22203892 A JP 22203892A JP 22203892 A JP22203892 A JP 22203892A JP H0648768 A JPH0648768 A JP H0648768A
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ions
glass
ion
laser
mol
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JP22203892A
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Japanese (ja)
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Tetsuo Izumitani
徹郎 泉谷
Gakuroku Suu
学禄 鄒
Nami Hou
波 彭
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Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide laser glass emitting light at 0.8mum wavelength and useful for optical communication and further a high-output laser and having high luminous intensity. CONSTITUTION:This fluoride laser glass comprises 7-19mol% Yb<3+> and 0.1-1.0mol% Tm<3+>. The laser glass contains, e.g. Zr, Hf, Al, Mg, Ca, Sr, Ba or Na as cations other than the Yb and Tm and at least fluorine as an anion. A laser beam at 0.8mum wavelength can be emitted by irradiating the laser glass with a semiconductor laser beam at 0.98mum wavelength.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、Yb3+及びTm3+をド
ープした0.8μmのレーザー光を発生するフッ化物レ
ーザーガラスに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a Yb 3+ and Tm 3 + -doped fluoride laser glass which emits 0.8 μm laser light.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、安価な半導体レーザーとシリコン
感知器を利用するために、0.8μm付近の光が短距離
通信用の光として非常に注目されている。現在アップコ
ンバージョンによる0.85μmのEr3+ドープガラス
ファイバレーザーの研究が進んでいる。しかし、このレ
ーザーはアップコンバージョンの効率が低く、満足な結
果が得られていなかった。
2. Description of the Related Art Recently, in order to utilize an inexpensive semiconductor laser and a silicon sensor, light around 0.8 .mu.m has received much attention as light for short-distance communication. Currently, research is being conducted on 0.85 μm Er 3+ -doped glass fiber laser by upconversion. However, this laser had low up-conversion efficiency and did not give satisfactory results.

【0003】一方、0.65μm〜0.69μmと0.
78μm〜0.8μmなどの帯に強い吸収を有するTm
3+は0.68μm或いは0.79μmの半導体レーザー
で励起すると、そのエネルギーを蛍光寿命の長い 34
にためて同時に0.8〜0.82μm帯に発光する。ま
た、Judd−Ofelt理論からの計算によりTm3+
34 から 36 への輻射せん移確率も大きく、その
ブランツイング割合も90%以上になるので、発光効率
の高いレーザー活性化イオンとして期待されている。
On the other hand, 0.65 μm to 0.69 μm and 0.
Tm having strong absorption in the band of 78 μm to 0.8 μm
When 3+ is excited by a semiconductor laser of 0.68 μm or 0.79 μm, its energy is 3 F 4 which has a long fluorescence lifetime.
Therefore, they simultaneously emit light in the 0.8 to 0.82 μm band. In addition, Tm 3+ is calculated from the Judd-Ofelt theory.
The probability of radiation transfer from 3 F 4 to 3 H 6 is large, and the blunting ratio is 90% or more, so that it is expected as a laser-activated ion with high emission efficiency.

【0004】しかし、Tm3+を活性化イオンとして用い
た0.8μmレーザーガラスはこれまで知られていな
い。そこで本発明者らは先にTm3+ドープレーザーガラ
スを開発して特許出願した〔特願平4−148523
号〕。
However, a 0.8 μm laser glass using Tm 3+ as an activating ion has not been known so far. Therefore, the present inventors previously developed a Tm 3+ -doped laser glass and applied for a patent [Japanese Patent Application No. 4-148523].
issue〕.

【0005】光通信とは別に、核融合や加工用として高
出力レーザーに関する開発も進められている。現在知ら
れている高出力レーザーとしてはNd3+レーザーがあ
る。しかし、Nd3+の発光波長は1.06μと比較的長
波長であることや蛍光寿命が短く蓄積エネルギーが大き
くないなどの課題がある。
Apart from optical communication, development of high-power lasers for nuclear fusion and processing is also in progress. The currently known high-power laser is the Nd 3+ laser. However, there are problems such that the emission wavelength of Nd 3+ is 1.06 μ, which is a relatively long wavelength, the fluorescence lifetime is short, and the accumulated energy is not large.

【0006】前記Tm3+ドープレーザーガラスは発光波
長が0.8μmと短波長であり、発光強度もNd3+レー
ザーより強く、かつ蛍光寿命も長いという優れたもので
ある。しかし、さらに高出力の0.8μm発光のレーザ
ーが求められている。
The Tm 3+ -doped laser glass is excellent in that it has a short emission wavelength of 0.8 μm, an emission intensity higher than that of the Nd 3+ laser, and a long fluorescence lifetime. However, there is a demand for a laser having a higher output of 0.8 μm.

【0007】そこで、本発明の目的は、Tm3+ドープレ
ーザーガラスの発光強度をさらに高めた0.8μmのレ
ーザー光を発生するTmドープレーザーガラスを提供す
ることにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a Tm-doped laser glass which emits a 0.8 μm laser beam in which the emission intensity of the Tm 3+ -doped laser glass is further increased.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、Yb3+を7〜
19モル%及びTm3+を0.1〜1.0モル%含有する
フッ化物レーザーガラスに関する。
The present invention provides Yb 3+ of 7 to 7
It relates to a fluoride laser glass containing 19 mol% and Tm 3+ of 0.1 to 1.0 mol%.

【0009】本発明のガラスにおいて媒質ガラスとして
は、フッ化物ガラスを用いる。けい酸塩、ゲルマニウム
酸塩、フツ燐酸塩、アルミ酸塩、フッ化物ガラスなど各
種ガラスにTm3+を添加し、波長0.8μmにおける発
光強度と蛍光寿命を測定し、さらに、各種ガラスに発光
強度の最大値を現するTm3+の添加量を決め、各ガラス
の発光の量子効率を計算した。その結果、フッ化物ガラ
スが媒質として最適であることを見出した。これはフッ
化物ガラスのフォノンエネルギーが最も小さいことによ
るものと推察される。
Fluoride glass is used as the medium glass in the glass of the present invention. Tm 3+ is added to various glasses such as silicate, germanate, fluorophosphate, aluminate, and fluoride glass, and the emission intensity and fluorescence lifetime at a wavelength of 0.8 μm are measured. The addition amount of Tm 3+ that represents the maximum intensity was determined, and the quantum efficiency of light emission of each glass was calculated. As a result, they have found that fluoride glass is the most suitable medium. It is speculated that this is because the phonon energy of the fluoride glass is the smallest.

【0010】次にYb3+及びTm3+添加量について説明
する。
Next, the amounts of Yb 3+ and Tm 3+ added will be described.

【0011】Tm3+だけをドープしたフッ化物ガラスを
0.68μの半導体レーザーで励起するとTm3+の基底
状態(36)から 33 準位に励起され、次いでその下の
34 準位とのエネルギー間隔がとても小さいので、ほ
とんどのエネルギーが 33から 34 まで熱的に緩和
される。そして 34 から 36 基底準位への輻射遷移
により0.8μmの発光を生じる。これに対して本発明
者らは、Tm3+に加えて、増感イオンとしてYb3+を加
えることでより強い0.8μmレーザー発光が得られる
ことを見出した。
[0011] is excited only Tm 3+ from the ground state of the doped fluoride glass excited with a semiconductor laser of 0.68μ Tm 3+ (3 H 6) to the 3 F 3 level, then the underlying
Since 3 F 4 is very small energy gap between the levels is thermally relaxed most of the energy from 3 F 3 to 3 F 4. Then, radiative transition from 3 F 4 to 3 H 6 ground level causes emission of 0.8 μm. On the other hand, the present inventors have found that a stronger 0.8 μm laser emission can be obtained by adding Yb 3+ as a sensitizing ion in addition to Tm 3+ .

【0012】Tm3+にさらに増感イオンとしてYb3+
添加したフッ化物ガラスについてのエネルギー準位図を
図1に示す。Yb3+を0.98LDで励起するとYb3+
27/2 (基底状態)から 25/2 に励起され、Yb
3+ 25/2 からTm3+ 35 へエネルギーが移行す
る。次いでTm3+ 35 準位のTm3+イオンは 34
まで熱的に緩和する。次いでTm3+ 34 から、更に
Yb3+の1.03μm発光エネルギーを受けて 32
でアップコンバージョンを起こす(ESA:上準位吸
収)。 32 から 34 まで熱的に緩和した後Tm3+
34 から基底状態である 36 へ輻射遷移することに
より0.8μmの発光を生じる。
FIG. 1 shows an energy level diagram of a fluoride glass obtained by adding Yb 3+ as a sensitizing ion to Tm 3+ . When Yb 3+ is excited with 0.98 LD, Yb 3+
From 2 F 7/2 (ground state) to 2 F 5/2 , and Yb
Energy is transferred from 3+ 2 F 5/2 to Tm 3+ 3 H 5 . Then Tm 3+ ions 3 H 5 level position of the Tm 3+ is 3 H 4
Thermally relax up to. Next, from 3 H 4 of Tm 3+ , 1.03 μm emission energy of Yb 3+ is further received to cause up-conversion to 3 F 2 (ESA: upper level absorption). From 3 F 2 of Tm 3+ after relaxation thermally to 3 F 4
Radiation transition from 3 F 4 to 3 H 6 , which is the ground state, causes emission of 0.8 μm.

【0013】さらに図4に示すように、Yb3+を一定量
とし、Tm3+量を増加させると、Yb3+の蛍光寿命が減
少する。このことは、Tm3+の添加によりYb3+からT
3+へエネルギーが移行していること、即ち、Yb3+
よりTm3+発光が増感されていることを示す
Further, as shown in FIG. 4, when the amount of Yb 3+ is fixed and the amount of Tm 3+ is increased, the fluorescence lifetime of Yb 3+ is reduced. This is due to the addition of Tm 3+ to Yb 3+ to T
Indicates that energy is transferred to m 3+ , that is, Tm 3+ emission is sensitized by Yb 3+.

【0014】Tm3+の添加量は、図2に示すように0.
1〜1.0モル%の範囲で0.8μm発光が特に強い。
一方、Yb3+の添加量は図3に示すように7〜19モル
%の範囲で、0.8μmの発光強度が高い。尚、Yb3+
が19モル%を超えるとガラスが失透することがあるの
で上限は19モル%とすることが適当である。Yb3+
特に10〜19モル%であることが好ましい。
The amount of Tm 3+ added was 0.
Emission of 0.8 μm is particularly strong in the range of 1 to 1.0 mol%.
On the other hand, the amount of Yb 3+ added is in the range of 7 to 19 mol% as shown in FIG. 3, and the emission intensity at 0.8 μm is high. In addition, Yb 3+
Is more than 19 mol%, the glass may devitrify, so the upper limit is appropriately set to 19 mol%. Yb 3+ is particularly preferably 10 to 19 mol%.

【0015】また、本発明のレーザーガラスは、具体的
には例えばガラスを構成する陽イオンとして、Zrイオ
ン、Hfイオン、Alイオン、Mgイオン、Caイオ
ン、Srイオン、Baイオン、Ybイオン、Tmイオン
とを含み、前記陽イオン中の各イオンの割合がモル%表
示で、ZrイオンとHfイオンとの合量が1〜25%、
Alイオンが20〜45%、MgイオンとCaイオンと
SrイオンとBaイオンとの合量が20〜70%、Yb
イオンが7〜19%、Tmイオンが0.1〜1.0%で
あり、かつガラスを構成する陰イオンとして、少なくと
もFイオンを含み、陰イオン中のFイオンの割合がモル
%表示で80〜100%であるフッ化物ガラスである。
Further, the laser glass of the present invention is, for example, as a cation constituting the glass, for example, Zr ion, Hf ion, Al ion, Mg ion, Ca ion, Sr ion, Ba ion, Yb ion, Tm. Ion, and the ratio of each ion in the cation is expressed in mol%, and the total amount of Zr ion and Hf ion is 1 to 25%,
20 to 45% of Al ions, 20 to 70% of total amount of Mg ions, Ca ions, Sr ions and Ba ions, Yb
Ions are 7 to 19%, Tm ions are 0.1 to 1.0%, and at least F ions are contained as anions constituting the glass, and the proportion of F ions in the anions is 80 in terms of mol%. ~ 100% fluoride glass.

【0016】Ybイオン及びTmイオン以外の陽イオン
としては、Zrイオン、Hfイオン、Alイオン、Mg
イオン、Caイオン、Sraイオン、Baイオンを用い
ることができる。これらのうち、Zrイオン、Hfイオ
ン、Alイオンは、ガラス骨格を形成する成分であり、
これらの量は上記限定内でガラスの結晶化に対する安定
性を高くするので好ましい。また、Mgイオン、Caイ
オン、Srイオン、Baイオンは、ガラス修飾成分であ
り、これらの量は上記限定内で、ガラスの結晶化に対す
る安定性を高め、化学的耐久性を良くするので好まし
い。
As cations other than Yb ion and Tm ion, Zr ion, Hf ion, Al ion, Mg
Ions, Ca ions, Sra ions, and Ba ions can be used. Of these, Zr ions, Hf ions, and Al ions are components that form the glass skeleton,
These amounts are preferable because they increase the stability of the glass against crystallization within the above limits. Further, Mg ion, Ca ion, Sr ion, and Ba ion are glass modifying components, and their amounts are preferably within the above-mentioned limits because they enhance the stability against crystallization of glass and improve the chemical durability.

【0017】さらに、Liイオン、Naイオン、Kイオ
ン、Csイオン等のアルカリ金属イオン、Yイオン、S
cイオン、Gdイオン、Znイオン、Pbイオン、Cd
イオン、Inイオン、Gaイオン等もガラスの結晶化に
対する安定性を高めるのでガラスの陽イオン成分として
用いることができる。アルカリ金属イオンは、その量が
多いとガラスの化学的耐久性を低下させるので20モル
%以下が好ましく、Yイオン、Scイオン、Gdイオ
ン、Znイオン、Pbイオン、Cdイオンは、その量が
多いと逆にガラスの結晶化に対する安定性を劣化させる
ので20モル%以下が好ましい。Scイオン、Inイオ
ン、Gaイオンも同様に、5モル%以下が好ましい。
Further, alkali metal ions such as Li ion, Na ion, K ion and Cs ion, Y ion, S
c ion, Gd ion, Zn ion, Pb ion, Cd
Ions, In ions, Ga ions and the like also increase the stability of the glass against crystallization and can be used as the cation component of the glass. Alkali metal ions reduce the chemical durability of the glass when the amount is large, so 20 mol% or less is preferable, and the amount of Y ions, Sc ions, Gd ions, Zn ions, Pb ions, and Cd ions is large. On the contrary, since it deteriorates the stability of glass against crystallization, it is preferably 20 mol% or less. Similarly, Sc ions, In ions, and Ga ions are preferably 5 mol% or less.

【0018】次に、陰イオンについて説明する。Fイオ
ンはガラスの基本成分である。さらにFイオンとの置換
で、Clイオン、Brイオン、及びIイオンを含有する
ことができる。その量がClイオンについて20%、B
rイオン及びIイオンについてそれぞれ10%を超える
とガラスが結晶化し易く、化学的耐久性が低下するの
で、Clイオンは0〜20モル%、Brイオンは0〜1
0モル%、Iイオンは0〜10モル%に限定される。そ
してFイオンの量が80%未満では結晶化に対する安定
性の高いガラスが得られ難くなるので、ClイオンとB
rイオンとIイオンとの合量は20モル%以下に限定さ
れる。
Next, the anion will be described. F ions are the basic component of glass. Further, by substituting with F ions, Cl ions, Br ions, and I ions can be contained. The amount is 20% for Cl ion, B
If the content of each of r ion and I ion exceeds 10%, the glass tends to crystallize and the chemical durability is deteriorated. Therefore, Cl ion is 0 to 20 mol%, Br ion is 0 to 1
0 mol% and I ion are limited to 0 to 10 mol%. If the amount of F ions is less than 80%, it becomes difficult to obtain a glass having high stability against crystallization.
The total amount of r ions and I ions is limited to 20 mol% or less.

【0019】本発明のレーザーガラスは所定の組成にな
るように高純度のフッ化物及び又は塩化物等の原料を混
合調製し、アルゴン雰囲気中で950〜1000℃で熔
融した後に、ガラス熔液を徐冷して得ることができる。
In the laser glass of the present invention, raw materials such as high-purity fluoride and / or chloride are mixed and prepared so as to have a predetermined composition, and melted at 950 to 1000 ° C. in an argon atmosphere, and then a glass melt is prepared. It can be obtained by slow cooling.

【0020】本発明のレーザーガラスは、波長約0.9
8μmの半導体レーザーを照射することにより、約0.
8μmのレーザー光を発生させることができる。
The laser glass of the present invention has a wavelength of about 0.9.
By irradiating with a semiconductor laser of 8 μm, it is possible to obtain about 0.1
It is possible to generate a laser beam of 8 μm.

【0021】[0021]

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples.

【0022】実施例1 出発原料としてZrF4 を11.6モル%、AlF3
22.9モル%、MgF2 を3.4モル%、CaF2
14モル%、SrF2 を12.4モル%、BaF2 を1
1.5モル%、NaFを2.4モル%、NaClを2.
7モル%、YbF3 19モル%、TmF3 0.3モル%
となるように秤量混合して、バッチを得た。
Example 1 As starting materials, ZrF 4 was 11.6 mol%, AlF 3 was 22.9 mol%, MgF 2 was 3.4 mol%, CaF 2 was 14 mol%, and SrF 2 was 12.4 mol%. %, BaF 2 is 1
1.5 mol%, NaF 2.4 mol%, NaCl 2.
7 mol%, YbF 3 19 mol%, TmF 3 0.3 mol%
Were weighed and mixed to obtain a batch.

【0023】次いで、得られたバッチをカーボン製のル
ツボにいれて加熱炉内に配置し、炉内をアルゴンガス雰
囲気として980℃で1時間、上記バッチを加熱して熔
融させて、ガラス融液を得た。この後、得られたガラス
融液をルツボに入れたまま空気中で徐冷してガラスをル
ツボ中で固化させ、徐冷炉中で室温まで冷却してジルコ
アルミノフッ化物ガラス(AZF)を得た。
Then, the obtained batch is put in a crucible made of carbon and placed in a heating furnace, and the inside of the furnace is heated to melt at 980 ° C. for 1 hour under an argon gas atmosphere to melt a glass melt. Got Then, the obtained glass melt was gradually cooled in the air while being put in the crucible to solidify the glass in the crucible, and cooled to room temperature in a slow cooling furnace to obtain zircoaluminofluoride glass (AZF).

【0024】実施例2 TmF3 の量を0.1、0.6、0.9又は1.2モル
%となるように原料を秤量混合した他は、実施例1と同
様にして、ジルコアルミノフッ化物ガラスを得た。得ら
れた各ガラス及び実施例1のガラスをそれぞれ980n
mダイオードレーザーでポンプして、0.8μmにおけ
る発光強度を求めた。この結果を図2に示す。この結果
より、Tmイオン濃度が0.1〜1.0モル%の範囲で
0.8μmの発光強度が高められることがわかった。
Example 2 Zircoaluminum was prepared in the same manner as in Example 1 except that the raw materials were weighed and mixed so that the amount of TmF 3 was 0.1, 0.6, 0.9 or 1.2 mol%. A nofluoride glass was obtained. The obtained glass and the glass of Example 1 were each 980n.
The emission intensity at 0.8 μm was determined by pumping with an m diode laser. The result is shown in FIG. From this result, it was found that the emission intensity of 0.8 μm was increased in the range of Tm ion concentration of 0.1 to 1.0 mol%.

【0025】実施例3 YbF3 の量を7、10、13又は16モル%となるよ
うに原料を秤量混合した他は実施例1と同様にして、ジ
ルコアルミノフッ化物ガラスを得た。得られた各ガラス
及び実施例1のガラスをそれぞれ980nmダイオード
レーザーでポンプして0.8μmにおける発光強度を求
めた。この結果を図3に示す。
Example 3 A zircoaluminofluoride glass was obtained in the same manner as in Example 1 except that the raw materials were weighed and mixed so that the amount of YbF 3 was 7, 10, 13 or 16 mol%. The obtained glass and the glass of Example 1 were each pumped with a 980 nm diode laser to determine the emission intensity at 0.8 μm. The result is shown in FIG.

【0026】この結果から、Ybイオン濃度が7モル%
以上で0.8μmの発光強度が高く、特に10〜19モ
ル%で高いことがわかった。
From these results, the Yb ion concentration was 7 mol%.
From the above, it was found that the emission intensity at 0.8 μm was high, especially at 10 to 19 mol%.

【0027】実施例4 TmF3 の量を0.1、0.3、0.5、1.0又は
2.0モル%とし、YbF3 を10モル%となるように
原料を秤量混合した他は実施例1と同様にして、ジルコ
アルミノフッ化物ガラスを得た。得られた各ガラスにつ
いて、Yb3+の蛍光寿命を測定した。結果を図4に示
す。
Example 4 The raw materials were weighed and mixed so that the amount of TmF 3 was 0.1, 0.3, 0.5, 1.0 or 2.0 mol%, and the amount of YbF 3 was 10 mol%. In the same manner as in Example 1, zircoaluminofluoride glass was obtained. The fluorescence lifetime of Yb 3+ was measured for each of the obtained glasses. The results are shown in Fig. 4.

【0028】図4からYb3+とTm3+を含むガラスにお
いて、Yb3+が10モル%と一定でTm3+を増した場
合、Yb3+の蛍光寿命が減少し、Tm3+添加によりエネ
ルギーがYb3+からTm3+へ移っていることがわかる。
つまりYb3+によりTm3+発光が増感されていることを
示す。
From FIG. 4, in the glass containing Yb 3+ and Tm 3+ , when Tm 3+ was increased at a constant Yb 3+ of 10 mol%, the fluorescence lifetime of Yb 3+ was decreased and Tm 3+ was added. Shows that the energy is transferred from Yb 3+ to Tm 3+ .
That is, it shows that the emission of Tm 3+ is sensitized by Yb 3+ .

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明によれば、安価な半導体レーザー
を励起光源として用いて、蛍光寿命が長く、量子効率が
大きい0.8μmの強い発光強度を有するTm3+ドープ
フッ化物レーザーガラスが得られる。
According to the present invention, an inexpensive semiconductor laser is used as an excitation light source to obtain a Tm 3+ -doped fluoride laser glass having a long fluorescence lifetime and a large emission efficiency of 0.8 μm, which has a large quantum efficiency. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】Yb3+とTm3+のエネルギー準位図である。FIG. 1 is an energy level diagram of Yb 3+ and Tm 3+ .

【図2】Ybイオン量を一定とし、Tmイオン量を変化
させた場合のTmイオン量と発光強度との関係を示す。
FIG. 2 shows the relationship between the Tm ion amount and the emission intensity when the Yb ion amount is fixed and the Tm ion amount is changed.

【図3】Tmイオン量を一定とし、Ybイオン量を変化
させた場合のYbイオン量と発光強度との関係を示す。
FIG. 3 shows the relationship between the Yb ion amount and the emission intensity when the Tb ion amount is fixed and the Yb ion amount is changed.

【図4】Ybイオン量を一定とし、Tmイオン量を変化
させた場合のTmイオン量とYb3+の蛍光寿命との関係
を示す。
FIG. 4 shows the relationship between the amount of Tm ions and the fluorescence lifetime of Yb 3+ when the amount of Tb ions is changed while keeping the amount of Yb ions constant.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 Yb3+を7〜19モル%及びTm3+
0.1〜1.0モル%含有するフッ化物レーザーガラ
ス。
1. A Yb 3+ and 7-19 mol% and Tm 3+ 0.1 to 1.0 mole% containing fluorides laser glasses.
【請求項2】 ガラスを構成する陽イオンとして、Zr
イオン、Hfイオン、Alイオン、Mgイオン、Caイ
オン、Srイオン、Baイオン、Ybイオン、Tmイオ
ンとを含み、前記陽イオン中の各イオンの割合がモル%
表示で、ZrイオンとHfイオンとの合量が1〜25
%、Alイオンが20〜45%、MgイオンとCaイオ
ンとSraイオンとBaイオンとの合量が20〜70
%、Ybイオンが7〜19%、Tmイオンが0.1〜
1.0%であり、かつガラスを構成する陰イオンとして
少なくともFイオンを含み、陰イオン中のFイオンの割
合がモル%表示で80〜100%であることを特徴とす
るフッ化物レーザーガラス。
2. Zr is used as a cation constituting glass.
Ions, Hf ions, Al ions, Mg ions, Ca ions, Sr ions, Ba ions, Yb ions, and Tm ions, and the ratio of each ion in the cations is mol%.
The total amount of Zr ions and Hf ions is 1 to 25 on the display.
%, Al ions are 20 to 45%, and the total amount of Mg ions, Ca ions, Sra ions, and Ba ions is 20 to 70.
%, Yb ions 7 to 19%, Tm ions 0.1 to
A fluoride laser glass, which is 1.0%, contains at least F ions as anions constituting the glass, and the proportion of F ions in the anions is 80 to 100% in terms of mol%.
【請求項3】 波長約0.98μmの半導体レーザーを
請求項1又は2記載のレーザーガラスに照射して0.8
μmのレーザー光を発生させる方法。
3. The laser glass according to claim 1 or 2 is irradiated with a semiconductor laser having a wavelength of about 0.98 μm to 0.8.
A method of generating a μm laser beam.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5651347A (en) * 1995-05-30 1997-07-29 Nippondenso Co., Ltd. Fuel supply apparatus for internal combustion engine

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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