JPH0645536A - Pnp transistor circuit - Google Patents
Pnp transistor circuitInfo
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- JPH0645536A JPH0645536A JP4154821A JP15482192A JPH0645536A JP H0645536 A JPH0645536 A JP H0645536A JP 4154821 A JP4154821 A JP 4154821A JP 15482192 A JP15482192 A JP 15482192A JP H0645536 A JPH0645536 A JP H0645536A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はＰＮＰトランジスタ回路
に関するものであり、更に詳しくはモノシリック集積回
路内のＰＮＰトランジスタの動作に対する光の影響の低
減化に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to PNP transistor circuits, and more particularly to reducing the effect of light on the operation of PNP transistors in a monolithic integrated circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３に従来のバイポーラモノシリック集
積回路におけるＰＮＰトランジスタの光電流補償回路の
等価回路を、図４にその集積回路断面構造を示す。2. Description of the Related Art FIG. 3 shows an equivalent circuit of a photocurrent compensation circuit for a PNP transistor in a conventional bipolar monolithic integrated circuit, and FIG. 4 shows a sectional structure of the integrated circuit.
【０００３】図４に示すように集積回路の構造上、Ｎ型
エピタキシャル層（２２）とＰ型サブストレート層（２
１）の間には寄生フォトダイオード（１０４）が存在す
るため、図３の等価回路においてＰＮＰトランジスタ
（Ｑ101）のベース端子と接地点間にこの寄生フォトダ
イオード（１０４）が接続されることになる。As shown in FIG. 4, in view of the structure of the integrated circuit, an N type epitaxial layer (22) and a P type substrate layer (2
Since the parasitic photodiode (104) exists between 1), the parasitic photodiode (104) is connected between the base terminal of the PNP transistor (Q 101 ) and the ground point in the equivalent circuit of FIG. Become.
【０００４】図３において特にＰＮＰトランジスタ（Ｑ
101）が光電変換素子と同一チップ内に近接して設けら
れた集積回路内に存在する場合は、光を受けて寄生フォ
トダイオード（１０４）に光電流（ＩPD104）が発生す
る可能性が高くなる。したがって、ＰＮＰトランジスタ
（Ｑ101）のベース電流（ＩB101’）はベース端子（Ｂ
101）から他の回路へ流れる電流（ＩB101）と光電流
（ＩPD104）の和、すなわち、次式で示す電流値とな
る。 ＩB101’＝ＩB101＋ＩPD104 このため、ＰＮＰトランジスタ（Ｑ101）のベース電流
（ＩB101’）が増加し、回路の特性に多大な影響を及ぼ
す。In FIG. 3, in particular, a PNP transistor (Q
When 101 ) exists in an integrated circuit provided in the same chip as the photoelectric conversion element and in the vicinity thereof, it is highly possible that a photocurrent ( IPD104 ) is generated in the parasitic photodiode (104) upon receiving light. Become. Therefore, the base current of the PNP transistor (Q 101) (I B101 ' ) is a base terminal (B
Sum of the currents (I B101) and photocurrent (I PD 104) flowing from the 101) to other circuits, that is, the current value indicated by the following equation. I B101 ′ = I B101 + I PD104 Therefore, the base current (I B101 ′) of the PNP transistor (Q 101 ) increases, and the characteristics of the circuit are greatly affected.
【０００５】従来はこの影響を減少させるため、発明者
が特開平３−２６２１５３号に記述し、更に図３に示す
ようにＰＮＰトランジスタ（Ｑ102），（Ｑ103）による
カレントミラー回路を付加することにより、寄生フォト
ダイオード（１０４）の光電流（ＩPD104）を補正する
電流（ＩC103）をＰＮＰトランジスタ（Ｑ101）のベー
ス端子に流し込み、表面から侵入する光による光電流
（ＩPD104）を補正する回路を提案した。Conventionally, in order to reduce this effect, the inventor has described in Japanese Patent Laid-Open No. 3-262153, and further adds a current mirror circuit by PNP transistors (Q 102 ) and (Q 103 ) as shown in FIG. by a current for correcting the photocurrent (I PD 104) of the parasitic photodiode (104) (I C103) poured into the base terminal of the PNP transistor (Q 101), the photocurrent due to light entering from the surface (I PD 104) A correction circuit was proposed.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし上記回路では、
図３に示すようにＰＮＰトランジスタ（Ｑ101）のベー
ス端子（Ｂ101）の電位が周辺回路の影響等のために変
化した場合、ＰＮＰトランジスタ（Ｑ103）のコレクタ
−エミッタ間電圧（ＶCEQ103）が変化し、アーリー効果
によりＰＮＰトランジスタ（Ｑ103）のコレクタ電流
（ＩC103）が変化する。そのため光電流（ＩPD104）に
対する補正がずれ、高精度の光電流補正ができなくな
る。However, in the above circuit,
As shown in FIG. 3, when the potential of the base terminal (B 101 ) of the PNP transistor (Q 101 ) changes due to the influence of peripheral circuits, etc., the collector-emitter voltage (V CEQ103 ) of the PNP transistor (Q 103 ). Changes, and the collector current (I C103 ) of the PNP transistor (Q 103 ) changes due to the Early effect. Therefore, the correction for the photocurrent ( IPD104 ) is deviated, and the photocurrent correction cannot be performed with high accuracy.
【０００７】又、ＰＮＰトランジスタの電流増幅率ｈｆ
ｅはＮＰＮトランジスタのそれよりも低く一般的には２
０〜６０程度となり、電流増幅率ｈｆｅが低下するとカ
レントミラーのミラー係数が１より小さくなり、アーリ
ー効果によるＰＮＰトランジスタ（Ｑ103）のコレクタ
電流（ＩC103）が変化し、光電流（ＩPD104）に対する
補正がずれ、やはり高精度の光電流補正ができず所期の
目的を達成し得なくなる。The current amplification factor hf of the PNP transistor
e is lower than that of the NPN transistor and is generally 2
When the current amplification factor hfe decreases, the mirror coefficient of the current mirror becomes smaller than 1, the collector current (I C103 ) of the PNP transistor (Q 103 ) changes due to the Early effect, and the photocurrent (I PD104 ). However, the photocurrent correction cannot be performed with high precision, and the intended purpose cannot be achieved.
【０００８】本発明はこのような問題を解決し、ＰＮＰ
トランジスタ（Ｑ101）のベース端子（Ｂ101）が電位変
化する場合、あるいはカレントミラーを構成するＰＮＰ
トランジスタ（Ｑ102），（Ｑ103）の電流増幅率ｈｆｅ
が低下するような場合であっても、光が完全に遮断され
たとほぼ同等の動作を行うことができるＰＮＰトランジ
スタ回路を提供することを目的とする。The present invention solves such a problem and solves the problem of PNP.
When transistor base terminal (Q 101) (B 101) changes the potential, or PNP constituting a current mirror
Current amplification factor hfe of transistors (Q 102 ) and (Q 103 ).
It is an object of the present invention to provide a PNP transistor circuit that can perform an operation almost equivalent to that when light is completely cut off even when the light emission is reduced.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項１に記載のＰＮＰトランジスタ回路では、モノシ
リック集積回路内に形成され第１のＰＮＰトランジスタ
を有するＰＮＰトランジスタ回路において、第２，第３
及び第４のＰＮＰトランジスタを用いて構成され、前記
第２，第３のＰＮＰトランジスタの両ベース端子と前記
第４のエミッタ端子のみを結線した接続点を有し、前記
第２のＰＮＰトランジスタのコレクタ端子を前記第４の
ＰＮＰトランジスタのベース端子に接続し、前記第４の
ＰＮＰトランジスタのコレクタ端子を前記第１のＰＮＰ
トランジスタのベース端子に結線したカレントミラー回
路を設けている。In order to achieve the above-mentioned object, a PNP transistor circuit according to claim 1 is a PNP transistor circuit having a first PNP transistor formed in a monolithic integrated circuit.
And a fourth PNP transistor, and has a connection point in which only both base terminals of the second and third PNP transistors and the fourth emitter terminal are connected, and a collector of the second PNP transistor. A terminal is connected to a base terminal of the fourth PNP transistor, and a collector terminal of the fourth PNP transistor is connected to the first PNP transistor.
A current mirror circuit connected to the base terminal of the transistor is provided.
【００１０】そして請求項２に記載のＰＮＰトランジス
タ回路では、前記請求項２に記載のＰＮＰトランジスタ
回路において、次の条件式を満足するように構成してい
る。 Ｓ1＝Ｓ4−（Ｓ2＋Ｓ3）×｛（２／ｈｆｅ）（１＋１／ｈｆｅ）＋１｝ ここで、 Ｓ1：前記第１のＰＮＰトランジスタのベース領域の面
積 Ｓ2：前記第２のＰＮＰトランジスタのベース領域の面
積 Ｓ3：前記第３のＰＮＰトランジスタのベース領域の面
積 Ｓ4：前記第４のＰＮＰトランジスタのベース領域の面
積 ｈｆｅ：前記第２，第３，第４のＰＮＰトランジスタの
電流増幅率である。In the PNP transistor circuit according to the second aspect, the PNP transistor circuit according to the second aspect is configured to satisfy the following conditional expression. S 1 = S 4 − (S 2 + S 3 ) × {(2 / hfe) (1 + 1 / hfe) +1} where, S 1 : the area of the base region of the first PNP transistor S 2 : the second Area of base region of PNP transistor S 3 : Area of base region of the third PNP transistor S 4 : Area of base region of the fourth PNP transistor hfe: Of the second, third, and fourth PNP transistors The current amplification factor.
【００１１】[0011]
【作用】請求項１に記載のＰＮＰトランジスタ回路によ
ると、第４のＰＮＰトランジスタの寄生フォトダイオー
ドで発生した光電流と第２，３のＰＮＰトランジスタの
寄生フォトダイオードで発生した光電流の差に応じた電
流が、カレントミラー効果を利用して第４のＰＮＰトラ
ンジスタのコレクタ電流として取り出され、第１のＰＮ
Ｐトランジスタのベース端子に流し込まれる。これによ
りＰＮＰトランジスタの寄生フォトダイオードで発生し
た光電流に起因するベース電流の変化分が補償され、第
１のＰＮＰトランジスタの動作に対する光の影響が低減
される。そして、第１のＰＮＰトランジスタのベース端
子の電位変化あるいは第２，第３，第４のＰＮＰトラン
ジスタの電流増幅率低下が起こった場合においても、ほ
ぼ一定の第４のＰＮＰトランジスタのコレクタ電流が第
１のＰＮＰトランジスタのベース端子に流し込まれ、第
１のＰＮＰトランジスタのベース端子の電位変化及び第
２，第３，第４のＰＮＰトランジスタの電流増幅率の低
下に影響を受けず、光電流の補正ができる。According to the PNP transistor circuit of the first aspect, the photocurrent generated by the parasitic photodiode of the fourth PNP transistor and the photocurrent generated by the parasitic photodiodes of the second and third PNP transistors are responded to. Current is extracted as the collector current of the fourth PNP transistor by using the current mirror effect, and the first PN
It is poured into the base terminal of the P-transistor. This compensates for the change in the base current due to the photocurrent generated in the parasitic photodiode of the PNP transistor, and reduces the influence of light on the operation of the first PNP transistor. Even when the potential of the base terminal of the first PNP transistor changes or the current amplification factors of the second, third, and fourth PNP transistors decrease, the collector current of the fourth PNP transistor remains almost constant. It is poured into the base terminal of the first PNP transistor and is not affected by the potential change of the base terminal of the first PNP transistor and the decrease of the current amplification factor of the second, third, and fourth PNP transistors, and the correction of the photocurrent is performed. You can
【００１２】請求項２に記載のＰＮＰトランジスタ回路
によると、前記第１請求項に記載のＰＮＰトランジスタ
回路において、第４のＰＮＰトランジスタのコレクタか
ら第１のＰＮＰトランジスタのベース端子に流し込まれ
る電流と、第１のＰＮＰトランジスタの寄生フォトダイ
オードで発生した光電流とがほぼ等しくなり、第１のＰ
ＮＰトランジスタのベース電流の変化分に対する補償が
高精度に行われる。According to the PNP transistor circuit of the second aspect, in the PNP transistor circuit of the first aspect, a current flowing from the collector of the fourth PNP transistor to the base terminal of the first PNP transistor, The photocurrent generated in the parasitic photodiode of the first PNP transistor becomes substantially equal to
The compensation for the change in the base current of the NP transistor is performed with high accuracy.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明のＰＮＰトランジスタ回路の一
実施例について、図１及び図２を参照しつつ説明する。
図１は本実施例の等価回路を示しており、図２は本実施
例の集積回路断面構造を示している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the PNP transistor circuit of the present invention will be described below with reference to FIGS.
FIG. 1 shows an equivalent circuit of this embodiment, and FIG. 2 shows a sectional structure of an integrated circuit of this embodiment.
【００１４】図１においてＰＮＰトランジスタ回路はＰ
ＮＰトランジスタ（Ｑ1）を有しており、トランジスタ
（Ｑ1）のエミッタ，コレクタ及びベースの各端子
（Ｅ1），（Ｃ1），（Ｂ1）は周辺回路に接続されてＰ
ＮＰトランジスタとしての機能を周辺回路に提供してい
る。また、トランジスタ（Ｑ1）のベース端子（Ｂ1）は
トランジスタ（Ｑ4）のコレクタ端子にも結線されてい
る。他方、ＰＮＰトランジスタ（Ｑ2），（Ｑ3）及び
（Ｑ4）はトランジスタ（Ｑ1）の動作に対する光の影響
を低減するための回路を構成し、更にトランジスタ（Ｑ
1）のベース端子（Ｂ1）の電位変化やＰＮＰトランジス
タ（Ｑ2），（Ｑ3），（Ｑ4）のｈｆｅのバラツキに対
しても、一定の電流をトランジスタ（Ｑ1）のベース端
子（Ｂ1）に供給することができる。In FIG. 1, the PNP transistor circuit is P
It has an NP transistor (Q 1 ), and each terminal (E 1 ), (C 1 ), (B 1 ) of the emitter, collector and base of the transistor (Q 1 ) is connected to the peripheral circuit to form P.
The peripheral circuit is provided with a function as an NP transistor. Further, the transistor (Q 1) base terminal (B 1) of which is connected to the collector terminal of the transistor (Q 4). On the other hand, the PNP transistors (Q 2 ), (Q 3 ) and (Q 4 ) form a circuit for reducing the influence of light on the operation of the transistor (Q 1 ).
1 ) Even if the potential of the base terminal (B 1 ) of the transistor and the variation of hfe of the PNP transistors (Q 2 ), (Q 3 ), (Q 4 ) are varied, a constant current is applied to the base terminal of the transistor (Q 1 ). (B 1 ) can be supplied.
【００１５】すなわち、ＰＮＰトランジスタ（Ｑ2），
（Ｑ3）及び（Ｑ4）はＰＮＰトランジスタ（Ｑ2），
（Ｑ3）のベース端子とトランジスタ（Ｑ3）のコレクタ
端子とトランジスタ（Ｑ4）のエミッタ端子を結線する
と共に、トランジスタ（Ｑ2）のコレクタ端子とトラン
ジスタ（Ｑ4）のベース端子を結線している。そして、
トランジスタ（Ｑ2），（Ｑ3）のエミッタ端子は電源
（ＶCC）にそれぞれ接続し、カレントミラー回路を構成
している。That is, the PNP transistor (Q 2 ),
(Q 3 ) and (Q 4 ) are PNP transistors (Q 2 ),
While connecting the emitter terminal of the collector terminal of transistor (Q 4) of the base terminal and transistor (Q 3) (Q 3) , and connecting the base terminal of the transistor collector terminal and transistor (Q 2) (Q 4) ing. And
The emitter terminals of the transistors (Q 2 ) and (Q 3 ) are connected to the power supply (V CC ) to form a current mirror circuit.
【００１６】また、トランジスタ（Ｑ4）のコレクタ端
子を前述したようにトランジスタ（Ｑ1）のベース端子
（Ｂ1）に結線している。Further, the collector terminal of the transistor (Q 4 ) is connected to the base terminal (B 1 ) of the transistor (Q 1 ) as described above.
【００１７】ここで、図１に示すように接続点（ａ）は
トランジスタ（Ｑ2）のコレクタ端子とトランジスタ
（Ｑ4）のベース端子のみを結線した接続点であり、他
には結線されていない。Here, as shown in FIG. 1, the connection point (a) is a connection point in which only the collector terminal of the transistor (Q 2 ) and the base terminal of the transistor (Q 4 ) are connected, and the others are connected. Absent.
【００１８】上記のＰＮＰトランジスタ回路をモノシリ
ック集積回路内で実現するために図２に示すようにＮ型
エピタキシャル層（２２）がＰ型サブストレート層（２
１）に形成される。図２の断面図は理解を容易にするた
めエミッタ及びコレクタは省略している。形成された各
Ｎ型エピタキシャル層（２２）はそれぞれトランジスタ
（Ｑ1），（Ｑ2），（Ｑ3），（Ｑ4）のベースに対応す
るが、Ｎ型エピタキシャル層（２２）とＰ型サブストレ
ート層（２１）の間には寄生フォトダイオード（５），
（６），（７），（８）が存在する。このため、図１の
等価回路においてトランジスタ（Ｑ1），（Ｑ2），（Ｑ
3），（Ｑ4）の各ベース端子と接地点間に逆バイアスさ
れた寄生フォトダイオード（５），（６），（７），
（８）がそれぞれ接続されることになる。In order to realize the above PNP transistor circuit in a monolithic integrated circuit, as shown in FIG. 2, the N type epitaxial layer (22) is replaced by the P type substrate layer (2).
1) is formed. In the sectional view of FIG. 2, the emitter and the collector are omitted for easy understanding. The formed N-type epitaxial layers (22) correspond to the bases of the transistors (Q 1 ), (Q 2 ), (Q 3 ), and (Q 4 ), respectively. Between the substrate layer (21), a parasitic photodiode (5),
There are (6), (7), and (8). Therefore, the transistors (Q 1 ), (Q 2 ), (Q
3 ), parasitic photodiodes (5), (6), (7), which are reverse-biased between the base terminals of (Q 4 ) and the ground point,
(8) will be connected respectively.
【００１９】したがって、集積回路チップ（２０）内に
光が侵入することにより、トランジスタ（Ｑ1）のベー
ス端子（Ｂ1）に接続された寄生フォトダイオード
（５）で光電流（ＩPD5）が発生し、この光電流
（ＩPD5）の発生によって、ベース電流（ＩB’）が変化
する。また、トランジスタ（Ｑ2），（Ｑ3），（Ｑ4）
についても同様に、ベース端子に接続された寄生フォト
ダイオード（６），（７），（８）で光電流
（ＩPD6），（ＩPD7），（ＩPD8）がそれぞれ発生す
る。[0019] Thus, by the light from entering the integrated circuit chip (20), the transistor (Q 1) parasitic photodiode (5) in photocurrent connected to the base terminal (B 1) of (I PD5) is caused by the generation of the photocurrent (I PD5), the base current (I B ') is changed. In addition, transistors (Q 2 ), (Q 3 ), (Q 4 )
Similarly for the parasitic photodiode connected to the base terminal (6), (7), (8) photocurrent (I PD6), (I PD7 ), (I PD8) is generated respectively.
【００２０】ところで、トランジスタ（Ｑ2），
（Ｑ3），（Ｑ4）のベース電流をそれぞれ（ＩB2），
（ＩB3），（ＩB4）とし、トランジスタ（Ｑ2），
（Ｑ3），（Ｑ4）の電流増幅率をｈｆｅとすると下記の
（１）〜（６）式が成り立つ。 ＩPD8＝ＩC2＋ＩB4・・・（１） ＩE4＝ＩB2＋ＩB3＋ＩC3−ＩPD6−ＩPD7・・・（２） ＩC2＝ＩC3・・・（３） ＩB2＝ＩB3・・・（４） ＩC2＝ｈｆｅＩB2・・・（５） ＩE4＝ＩC4＋ＩB4・・・（６） （３），（４），（５）式より ＩB2＝ＩB3＝ＩC2／ｈｆｅ＝ＩC3／ｈｆｅ・・・（７） （７）式を（２）式に代入する ＩE4＝ＩB2＋ＩB3＋ＩC3−ＩPD6−ＩPD7＝ＩC2＋２（ＩC2／ｈｆｅ）−Ｉ PD6 −ＩPD7＝ＩC2（１＋（２／ｈｆｅ））−ＩPD6−ＩPD7 ＩC2＝（ＩE4＋ＩPD6＋ＩPD7）／（１＋２／ｈｆｅ）・・・（８） （６），（８）式を（１）式に代入すると光電流（Ｉ
PD8）は次式のようになる。 ＩPD8＝ＩC2＋ＩB4＝｛（ＩE4＋ＩPD6＋ＩPD7）／（１＋（２／ｈｆｅ） ）｝＋ＩB4＝｛（ＩC4＋ＩB4＋ＩPD6＋ＩPD7）／（１＋（２／ｈｆｅ））｝＋Ｉ B4 ＝｛２（１＋（１／ｈｆｅ））ＩB4＋ＩC4＋ＩPD6＋ＩPD7｝／（１＋（２／ｈ ｆｅ）） ここで、ＩB4＝ＩC4／ｈｆｅを代入する ＩPD8＝｛２（１＋１／ｈｆｅ）（ＩC4／ｈｆｅ）＋ＩC4＋ＩPD6＋ＩPD7 ｝／（１＋２／ｈｆｅ）＝｛（（２／ｈｆｅ）（１＋２／ｈｆｅ）＋１）＋ＩC4 ＋ＩPD6＋ＩPD7｝／（１＋２／ｈｆｅ）・・・（９） これよりコレクタ電流（ＩC4）は次式で表わされる。 ＩC4＝｛ＩPD8（１＋２／ｈｆｅ）−ＩPD6−ＩPD7｝／｛（２／ｈｆｅ） （１＋２／ｈｒｅ）＋１｝・・・（１０） （但し、ＩPD8＞ＩPD6＋ＩPD7）By the way, the transistor (Q2),
(Q3), (QFour) Base current (IB2),
(IB3), (IB4) And a transistor (Q2),
(Q3), (QFourIf the current amplification factor of) is hfe,
Expressions (1) to (6) are established. IPD8= IC2＋ IB4... (1) IE4= IB2＋ IB3＋ IC3-IPD6-IPD7... (2) IC2= IC3... (3) IB2= IB3(4) IC2= HfeIB2... (5) IE4= IC4＋ IB4... (6) From equations (3), (4), and (5), IB2= IB3= IC2/ Hfe = IC3/ Hfe (7) Substituting equation (7) into equation (2) IE4= IB2＋ IB3＋ IC3-IPD6-IPD7= IC2+2 (IC2/ Hfe) -I PD6 -IPD7= IC2(1+ (2 / hfe))-IPD6-IPD7 IC2= (IE4＋ IPD6＋ IPD7) / (1 + 2 / hfe) ... (8) Substituting equations (6) and (8) into equation (1), the photocurrent (I
PD8) Is as follows. IPD8= IC2＋ IB4= {(IE4＋ IPD6＋ IPD7) / (1+ (2 / hfe))} + IB4= {(IC4＋ IB4＋ IPD6＋ IPD7) / (1+ (2 / hfe))} + I B4 = {2 (1+ (1 / hfe)) IB4＋ IC4＋ IPD6＋ IPD7} / (1+ (2 / h fe)) where IB4= IC4Substitute / hfe IPD8= {2 (1 + 1 / hfe) (IC4/ Hfe) + IC4＋ IPD6＋ IPD7 } / (1 + 2 / hfe) = {((2 / hfe) (1 + 2 / hfe) +1) + IC4 ＋ IPD6＋ IPD7} / (1 + 2 / hfe) ... (9) From this, collector current (IC4) Is expressed by the following equation. IC4= {IPD8(1 + 2 / hfe) -IPD6-IPD7} / {(2 / hfe) (1 + 2 / hre) +1} ... (10) (however, IPD8> IPD6＋ IPD7)
【００２１】この電流（ＩC4）はトランジスタ（Ｑ1）
のベース端子（Ｂ1）に流し込まれる。よって、トラン
ジスタ（Ｑ1）のベース端子（Ｂ1）から周辺回路に流れ
る電流を（ＩB）とすると、次式の関係になる。 ＩB’＝ＩB＋ＩPD5−ＩC4・・・（１１）This current (I C4 ) is applied to the transistor (Q 1 )
It is poured into the base terminal (B 1 ) of. Therefore, when the transistor (Q 1) (I B) the current flowing in the peripheral circuit from the base terminal (B 1) of the relation of the following equation. I B '= I B + I PD5 −I C4 (11)
【００２２】この式からわかるように、光の侵入による
トランジスタ（Ｑ1）のベース電流（ＩB’）の変化分
（ＩPD5）を（１０）式の電流（ＩC4）によって補償
し、トランジスタ（Ｑ1）の動作に対する光の影響を低
減することができる。特に、電流（ＩC4）が電流（Ｉ
PD5）に等しくなるようにすれば、ＩB’＝ＩBとなり、
光の侵入による影響を解消することができる。そのため
には以下のようにすればよい。[0022] As can be seen from this equation, compensated for by change in the base current of the transistor (Q 1) due to light penetration (I B ') to (I PD5) (10) formula of the current (I C4), the transistor The influence of light on the operation of (Q 1 ) can be reduced. In particular, the current (I C4 ) is the current (I C4 ).
PD5 ), I B '= I B ,
It is possible to eliminate the influence of the invasion of light. For that purpose, the following may be done.
【００２３】一般に、フォトダイオードで発生する光電
流はそのフォトダイオードの接合部分の面積に比例す
る。本実施例の場合、同一の光に対して寄生フォトダイ
オード（５），（６），（７），（８）で発生する光電
流は、図２に示すＮ型エピタキシャル層（２２）とＰ型
サブストレート層（２１）とのそれぞれの接合面積に比
例する。したがって、寄生フォトダイオード（５）の接
合面積（トランジスタ（Ｑ1）のベース領域の面積）
（Ｓ1）と寄生フォトダイオード（６）の接合面積（ト
ランジスタ（Ｑ2）のベース領域の面積）（Ｓ2）、寄生
フォトダイオード（７）の接合面積（トランジスタ（Ｑ
3）のベース領域の面積）（Ｓ3）及び寄生フォトダイオ
ード（８）の接合面積（トランジスタ（Ｑ3）のベース
領域の面積）（Ｓ4）との間で、次の条件式を満足する
ように設計し、かつトランジスタ（Ｑ1），（Ｑ2），
（Ｑ3），（Ｑ4）を近接して配置すればよい。 Ｓ1＝Ｓ4−（Ｓ2＋Ｓ3）｛（２／ｈｆｅ）（１＋１／ｈｆｅ）＋１｝・・ ・（１２） 上記関係のとき、ＩC4＝ＩPD5となる。Generally, the photocurrent generated in the photodiode is proportional to the area of the junction of the photodiode. In the case of the present embodiment, the photocurrents generated in the parasitic photodiodes (5), (6), (7) and (8) with respect to the same light are P-type and N-type epitaxial layers (22) shown in FIG. It is proportional to the respective bonding area with the mold substrate layer (21). Therefore, the junction area of the parasitic photodiode (5) (the area of the base region of the transistor (Q 1 ))
(S 1 ) and the junction area of the parasitic photodiode (6) (area of the base region of the transistor (Q 2 )) (S 2 ), junction area of the parasitic photodiode (7) (transistor (Q
The following conditional expression is satisfied between ( 3 ) the area of the base region) (S 3 ) and the junction area of the parasitic photodiode (8) (the area of the base region of the transistor (Q 3 )) (S 4 ). And the transistors (Q 1 ), (Q 2 ),
(Q 3 ) and (Q 4 ) may be arranged close to each other. S 1 = S 4 − (S 2 + S 3 ) {(2 / hfe) (1 + 1 / hfe) +1} ... (12) In the above relationship, I C4 = IPD5 .
【００２４】したがって、（１１）式より次の関係が得
られる。 ＩB’≒ＩB・・・（１３）Therefore, the following relation is obtained from the equation (11). I B '≒ I B ... (13)
【００２５】以上のように設定すると、（１３）式より
トランジスタ（Ｑ1）のベース電流（ＩB’）は光の侵入
によって寄生フォトダイオード（５）で発生する光電流
（ＩPD5）の影響を受けず、トランジスタ（Ｑ1）のベー
ス端子（Ｂ1）から周辺回路へ流れる電流（ＩB）にほぼ
等しくなる。[0025] When configured as above, the influence of the base current (13) transistors from the equation (Q 1) (I B ') the photocurrent (I PD5) generated in the parasitic photodiode (5) by light invasion receiving not, it is substantially equal to the transistor base terminal (B 1) from flowing to the peripheral circuit current (I B) of (Q 1).
【００２６】そして本回路ではトランジスタ（Ｑ1）の
ベース端子（Ｂ1）の電位が変化した場合でも、図１の
トランジスタ（Ｑ4）によりトランジスタ（Ｑ3）のコレ
クタ−エミッタ間電圧（ＶCEQ3）の変化はほとんどな
く、トランジスタ（Ｑ4）のコレクタ電圧とは無関係に
一定電流ＩPD8−ＩPD6−ＩPD7（トランジスタ（Ｑ2），
（Ｑ3），（Ｑ4）の電流増幅率ｈｆｅが十分に大きい場
合）をトランジスタ（Ｑ1）のベース端子に流し込むこ
とができる。In this circuit, even if the potential of the base terminal (B 1 ) of the transistor (Q 1 ) changes, the collector-emitter voltage (V CEQ3 ) of the transistor (Q 3 ) is changed by the transistor (Q 4 ) of FIG. change in) is little, the transistor (Q 4) of the collector voltage constant regardless of the current I and PD8 -I PD6 -I PD7 (transistor (Q 2),
The current amplification factor hfe of (Q 3 ) and (Q 4 ) is sufficiently large) can be poured into the base terminal of the transistor (Q 1 ).
【００２７】また、トランジスタ（Ｑ2），（Ｑ3），
（Ｑ4）の電流増幅率ｈｆｅがたとえば２０と低くなっ
た場合においても、（１０）式より ＩC4＝０．９９５ＩPD8−｛（ＩPD6−ＩPD7）／１．１０５｝ となり、ＩC4に対する電流増幅率ｈｆｅの影響を低減す
ることができる。Further, the transistors (Q 2 ), (Q 3 ),
In the case where the current amplification factor hfe of (Q 4) becomes e.g. low as 20 well, (10) than I C4 = 0.995I PD8 - {( I PD6 -I PD7) /1.105} next, I C4 It is possible to reduce the influence of the current amplification factor hfe on.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明した通り、請求項１に記載のＰ
ＮＰトランジスタ回路によれば、外部から侵入してくる
光によるＰＮＰトランジスタの動作への影響を低減する
ことができ、第１のＰＮＰトランジスタのベース端子電
位変化あるいは第１のＰＮＰトランジスタのベース端子
に流し込む電流を形成する第２，第３，第４のトランジ
スタの電流増幅率の低下が起きた場合でも、光電流に起
因するベース電流の変化分を補償することができる。As described above, the P according to claim 1
According to the NP transistor circuit, it is possible to reduce the influence on the operation of the PNP transistor due to light entering from the outside, and change the base terminal potential of the first PNP transistor or the base terminal of the first PNP transistor. Even when the current amplification factors of the second, third, and fourth transistors that form the current decrease, the change in the base current due to the photocurrent can be compensated.
【００２９】そして、請求項２に記載のＰＮＰトランジ
スタ回路によれば、寄生フォトダイオードで発生した光
電流に起因するベース電流の変化分を高精度に補償する
ことができるため、光が完全に遮断された状態とほぼ同
じ状態でＰＮＰトランジスタを動作させることができ
る。また、第１のＰＮＰトランジスタのベース端子電位
変化及び第１のＰＮＰトランジスタのベース端子に流し
込む電流を形成する第２，第３，第４のトランジスタの
電流増幅率の低下が起きた場合でも、光電流に起因する
ベース電流の変化分を高精度に補償することができる。According to the PNP transistor circuit of the second aspect, since the change amount of the base current due to the photocurrent generated in the parasitic photodiode can be compensated with high accuracy, the light is completely blocked. The PNP transistor can be operated in almost the same state as the above-mentioned state. In addition, even if the base terminal potential of the first PNP transistor changes and the current amplification factors of the second, third, and fourth transistors that form the current flowing into the base terminal of the first PNP transistor decrease, It is possible to accurately compensate for a change in the base current due to the current.
【００３０】したがって、本発明のＰＮＰトランジスタ
回路は外部から侵入してくる光を遮断することができな
い素子の内部で微少電流を扱っている回路や寄生フォト
ダイオードによる光電流の影響が無視できない素子に対
して極めて有効である。Therefore, the PNP transistor circuit of the present invention can be applied to a circuit in which a minute current is handled inside an element that cannot block the light coming from the outside or an element in which the influence of the photocurrent due to a parasitic photodiode cannot be ignored. It is extremely effective against
【図１】 本発明のＰＮＰトランジスタ回路の一実施例
の等価回路を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an equivalent circuit of an embodiment of a PNP transistor circuit of the present invention.
【図２】 前記実施例の集積回路断面構造を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a sectional structure of an integrated circuit of the embodiment.
【図３】 従来の光電流補償を行ったＰＮＰトランジス
タ回路の等価回路を示す図。FIG. 3 is a diagram showing an equivalent circuit of a conventional PNP transistor circuit that has been subjected to photocurrent compensation.
【図４】 従来の光電流補償を行ったＰＮＰトランジス
タ回路の集積回路断面構造を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional structure of an integrated circuit of a conventional PNP transistor circuit that has been subjected to photocurrent compensation.
（５），（６），（７），（８） 寄生フォトダイオー
ド （Ｑ1） 第１のＰＮＰトランジスタ （Ｑ2） 第２のＰＮＰトランジスタ （Ｑ3） 第３のＰＮＰトランジスタ （Ｑ4） 第４のＰＮＰトランジスタ （ａ） カレントミラー回路内の接続点(5), (6), (7), (8) a parasitic photodiode (Q 1) a first PNP transistor (Q 2) the second PNP transistor (Q 3) third PNP transistor (Q 4) the 4 PNP transistor (a) Connection point in current mirror circuit
Claims (2)
のＰＮＰトランジスタを有するＰＮＰトランジスタ回路
において、第２，第３及び第４のＰＮＰトランジスタを
用いて構成され、前記第２及び第３のＰＮＰトランジス
タの両ベース端子と前記第４のエミッタ端子のみを結線
した接続点を有し、前記第２のＰＮＰトラジスタのコレ
クタ端子を前記第４のＰＮＰトランジスタのベース端子
に接続し、前記第４のＰＮＰトランジスタのコレクタ端
子を前記第１のＰＮＰトランジスタのベース端子に結線
したカレントミラー回路を設けたことを特徴とするＰＮ
Ｐトランジスタ回路。1. A first formed in a monolithic integrated circuit
In the PNP transistor circuit having the PNP transistor, the second, third and fourth PNP transistors are used, and both base terminals of the second and third PNP transistors are connected to the fourth emitter terminal only. And connecting the collector terminal of the second PNP transistor to the base terminal of the fourth PNP transistor, and connecting the collector terminal of the fourth PNP transistor to the base terminal of the first PNP transistor. PN characterized by providing a connected current mirror circuit
P-transistor circuit.
第１請求項に記載のＰＮＰトランジスタ回路。 Ｓ1＝Ｓ4−（Ｓ2＋Ｓ3）×｛（２／ｈｆｅ）（１＋１／ｈｆｅ）＋１｝ ここで、 Ｓ1：前記第１のＰＮＰトランジスタのベース領域の面
積 Ｓ2：前記第２のＰＮＰトランジスタのベース領域の面
積 Ｓ3：前記第３のＰＮＰトランジスタのベース領域の面
積 Ｓ4：前記第４のＰＮＰトランジスタのベース領域の面
積 ｈｆｅ：前記第２，第３，第４のＰＮＰトランジスタの
電流増幅率。2. The PNP transistor circuit according to claim 1, wherein the following conditional expression is satisfied. S 1 = S 4 − (S 2 + S 3 ) × {(2 / hfe) (1 + 1 / hfe) +1} where, S 1 : the area of the base region of the first PNP transistor S 2 : the second Area of base region of PNP transistor S 3 : Area of base region of the third PNP transistor S 4 : Area of base region of the fourth PNP transistor hfe: Of the second, third, and fourth PNP transistors Current amplification factor.
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| JP4154821A JP2906387B2 (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | PNP transistor circuit |
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| JPH0645536A true JPH0645536A (en) | 1994-02-18 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812546B2 (en) | 2002-07-10 | 2004-11-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Current mirror circuit and optical signal circuit using same |
| US7061303B2 (en) | 2002-12-27 | 2006-06-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric leak current compensating circuit and optical signal circuit using same |
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1992
- 1992-06-15 JP JP4154821A patent/JP2906387B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2906387B2 (en) | 1999-06-21 |
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