JPH06348006A - Positive radiation sensitive resin composition - Google Patents
Positive radiation sensitive resin compositionInfo
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- JPH06348006A JPH06348006A JP13498093A JP13498093A JPH06348006A JP H06348006 A JPH06348006 A JP H06348006A JP 13498093 A JP13498093 A JP 13498093A JP 13498093 A JP13498093 A JP 13498093A JP H06348006 A JPH06348006 A JP H06348006A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型感放射線性樹脂
組成物に関する。更に詳しくは、紫外線、遠紫外線、X
線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プ
ロトンビームなどの放射線に感応する超高集積回路作製
用レジストとして好適なポジ型感放射線性樹脂組成物に
関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a positive type radiation sensitive resin composition. More specifically, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X
The present invention relates to a positive-type radiation-sensitive resin composition suitable as a resist for producing a highly integrated circuit which is sensitive to radiation such as rays, electron rays, molecular rays, γ rays, synchrotron radiation, and proton beams.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、ポジ型レジストは、高解像度のレ
ジストパターンが得られるため、集積回路の製造等の微
細加工の分野で広く使用されており、近年における集積
回路の高集積化の進行に伴って、より解像度の高いレジ
ストパターンを形成することができるポジ型レジストの
開発が強力に推し進められている。2. Description of the Related Art Conventionally, positive resists have been widely used in the field of fine processing such as manufacturing of integrated circuits because a high-resolution resist pattern can be obtained. Along with this, the development of positive resists capable of forming resist patterns with higher resolution has been strongly promoted.
【0003】微細加工に際しては、通常、縮小投影露光
機(ステッパー)を用い、ポジ型レジストに所定のマス
クパターンを介して放射線を照射(以下「露光」とい
う。)したのち、現像してレジストパターンを形成して
おり、その解像度を向上する手段の一つとして、ステッ
パーのレンズの開口数(NA)を大きくする方法があ
る。In fine processing, a reduction projection exposure machine (stepper) is usually used to irradiate a positive resist with radiation through a predetermined mask pattern (hereinafter referred to as "exposure") and then develop it to form a resist pattern. One of the means for improving the resolution is to increase the numerical aperture (NA) of the stepper lens.
【0004】そして、一般に前記のような微細加工にお
ける光学系では、焦点深度(DOF)と開口数(NA)
との関係は次のレイリーの式によって示される。 DOF=k×λ/(NA)2 (但し、k:定数, λ:放射線の波長) 焦点深度(DOF)は、焦点が光軸方向にずれても寸法
制御されたレジストパターンを形成することができるフ
ォーカス許容性の尺度となるものであり、前記式から明
らかとなるように、開口数(NA)を大きくすること
は、焦点深度(DOF)すなわちフォーカス許容性が著
しく小さくなる。従って、高開口数のステッパーに対応
するためには、特にフォーカス許容性に優れたポジ型レ
ジストが必要とされている。Generally, in the optical system in the fine processing as described above, the depth of focus (DOF) and the numerical aperture (NA) are set.
The relation with and is shown by the following Rayleigh equation. DOF = k × λ / (NA) 2 (where, k: constant, λ: wavelength of radiation) The depth of focus (DOF) can form a dimension-controlled resist pattern even if the focus shifts in the optical axis direction. As is clear from the above formula, increasing the numerical aperture (NA) significantly reduces the depth of focus (DOF), that is, the focus allowance. Therefore, in order to cope with a stepper having a high numerical aperture, a positive resist having excellent focus tolerance is required.
【0005】しかしながら、従来のポジ型レジストは、
解像限界に近いところで実用に供されているため、高開
口数のステッパーを使用して露光する際、焦点がずれた
場合に、パターン形状の変形や設計線幅との差、現像性
の低下が著しくなり、十分なフォーカス許容性を有する
とはいえなかった。However, the conventional positive resist is
Since it is practically used near the resolution limit, when using a high numerical aperture stepper for exposure, if the focus is misaligned, the pattern shape will be deformed, the difference between the design line width and the developability will decrease. Was remarkable, and it could not be said that it has sufficient focus tolerance.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、特
にフォーカス許容性に優れるとともに、感度、解像度、
耐熱性、現像性およびパターン形状にも優れたレジスト
として有用なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供するこ
とを目的とするものである。Therefore, the present invention is particularly excellent in focus allowance, as well as in sensitivity, resolution,
It is an object of the present invention to provide a positive type radiation sensitive resin composition which is useful as a resist excellent in heat resistance, developability and pattern shape.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的は、キノンジアジドスルホニル基を持つ化合物を含む
ポジ型感放射線性樹脂組成物であって、アルカリ可溶性
ノボラック樹脂(A)、ならびに下記式(1)および式
(2)According to the present invention, the above object is a positive-type radiation-sensitive resin composition containing a compound having a quinonediazidesulfonyl group, which comprises an alkali-soluble novolak resin (A) and the following formula: (1) and equation (2)
【0008】[0008]
【化3】 [Chemical 3]
【0009】[式(1)および式(2)のQは下記式
(3)[Q in the equations (1) and (2) is the following equation (3)]
【0010】[0010]
【化4】 [Chemical 4]
【0011】で表わされる1価の基であり;式(1)、
式(2)および式(3)において、Dは水素原子または
キノンジアジドスルホニル基を示し、複数存在するDは
同一であっても異なっていてもよく;R1は炭素数1〜
10のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル
基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数7〜15のア
ラルキルオキシ基、炭素数1〜7のアシル基、炭素数6
〜14のアリール基、炭素数7〜18のアラルキル基、
炭素数6〜10のアリールオキシ基または炭素数2〜1
0のアルコキシカルボニル基を示し、R1が式(1)ま
たは式(2)のなかに複数存在する場合は相互に同一で
あっても異なっていてもよく;R2は炭素数1〜6のア
ルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数
6〜14のアリール基または炭素数7〜18のアラルキ
ル基を示し、R2が式(1)または式(2)のなかに複
数存在する場合は相互に同一であっても異なっていても
よく;R3〜R6は相互に同一であっても異なっていても
よく、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキ
ル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜
14のアリール基または炭素数7〜18のアラルキル基
を示し;R7〜R9は相互に同一であっても異なっていて
もよく、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、または
炭素数3〜10のシクロアルキル基を示し;R10および
R11は相互に同一であっても異なっていてもよく、水素
原子、炭素数1〜6のアルキル基または炭素数3〜10
のシクロアルキル基を示し;R12は水素原子、炭素数1
〜6のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル
基、炭素数6〜14のアリール基または炭素数7〜18
のアラルキル基を示し;aは1〜3の整数、bは0〜3
の整数であり、しかもa+b≦5を満し、cは1〜3の
整数、dは0〜2の整数であり、しかもc+d≦3を満
たす。]で表わされる化合物群から選択される少なくと
も1種の化合物(B)を含有することを特徴とするポジ
型感放射線性樹脂組成物によって達成される。Is a monovalent group represented by the formula;
In the formulas (2) and (3), D represents a hydrogen atom or a quinonediazidesulfonyl group, and a plurality of Ds may be the same or different; R 1 has 1 to 1 carbon atoms.
10 alkyl group, C 3-10 cycloalkyl group, C 1-8 alkoxy group, C 7-15 aralkyloxy group, C 1-7 acyl group, C 6
To 14 aryl groups, C7 to C18 aralkyl groups,
Aryloxy group having 6 to 10 carbon atoms or 2 to 1 carbon atoms
0 represents an alkoxycarbonyl group, and when plural R 1 s are present in the formula (1) or the formula (2), they may be the same or different from each other; R 2 has 1 to 6 carbon atoms. An alkyl group, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms or an aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms, and a plurality of R 2 s are present in the formula (1) or the formula (2). R 3 to R 6 may be the same or different from each other, and a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, Cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, 6 to carbon atoms
Represents an aryl group having 14 or an aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms; R 7 to R 9 may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a carbon number. 3-10 cycloalkyl group; R 10 and R 11 may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, a C 1-6 alkyl group or a C 3-10.
Represents a cycloalkyl group of: R 12 is a hydrogen atom and has 1 carbon atom.
~ 6 alkyl group, C3-10 cycloalkyl group, C6-14 aryl group or C7-18
Is an integer from 1 to 3 and b is 0 to 3
Is satisfied, a + b ≦ 5 is satisfied, c is an integer of 1 to 3, d is an integer of 0 to 2, and c + d ≦ 3 is satisfied. ] A positive type radiation sensitive resin composition comprising at least one compound (B) selected from the group of compounds represented by
【0012】以下、本発明を具体的に説明するが、これ
により、本発明の目的、構成および効果が明確となるで
あろう。The present invention will be specifically described below, but the purpose, constitution and effect of the present invention will be clarified by this.
【0013】まず、本発明において用いられるアルカリ
可溶性ノボラック樹脂(A)(以下、「ノボラック樹脂
(A)」という。)は、フェノール類とアルデヒド類と
を酸性触媒を用いて重縮合することにより得られる。First, the alkali-soluble novolak resin (A) used in the present invention (hereinafter referred to as "novolak resin (A)") is obtained by polycondensing phenols and aldehydes using an acidic catalyst. To be
【0014】フェノール類としては、例えばフェノー
ル、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾー
ル、o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、p
−エチルフェノール、o−n−プロピルフェノール、m
−n−プロピルフェノール、p−n−プロピルフェノー
ル、o−イソプロピルフェノール、m−イソプロピルフ
ェノール、p−イソプロピルフェノール、o−n−ブチ
ルフェノール、m−n−ブチルフェノール、 p−n−
ブチルフェノール、o−t−ブチルフェノール、m−t
−ブチルフェノール、p−t−ブチルフェノール、p−
n−ペンチルフェノール、p−t−ペンチルフェノー
ル、p−n−ヘキシルフェノール、p−t−ヘキシルフ
ェノール、p−n−ヘプチルフェノール、p−t−ヘプ
チルフェノール、p−n−オクチルフェノール、p−t
−オクチルフェノール、p−n−ノニルフェノール、p
−t−ノニルフェノール、o−アリルフェノール、m−
アリルフェノール、p−アリルフェノール、o−プロペ
ニルフェノール、m−プロペニルフェノール、p−プロ
ペニルフェノール、o−シクロペンチルフェノール、m
−シクロペンチルフェノール、p−シクロペンチルフェ
ノール、o−シクロヘキシルフェノール、m−シクロヘ
キシルフェノール、p−シクロヘキシルフェノール、o
−フェニルフェノール、m−フェニルフェノール、p−
フェニルフェノール、p−クミルフェノール、o−メト
キシフェノール、m−メトキシフェノール、p−メトキ
シフェノール、o−エトキシフェノール、m−エトキシ
フェノール、p−エトキシフェノール、Examples of phenols include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, m-ethylphenol and p.
-Ethylphenol, on-propylphenol, m
-N-propylphenol, pn-propylphenol, o-isopropylphenol, m-isopropylphenol, p-isopropylphenol, on-butylphenol, mn-butylphenol, pn-
Butylphenol, ot-butylphenol, mt
-Butylphenol, pt-butylphenol, p-
n-pentylphenol, pt-pentylphenol, pn-hexylphenol, pt-hexylphenol, pn-heptylphenol, pt-heptylphenol, pn-octylphenol, pt
-Octylphenol, pn-nonylphenol, p
-T-nonylphenol, o-allylphenol, m-
Allylphenol, p-allylphenol, o-propenylphenol, m-propenylphenol, p-propenylphenol, o-cyclopentylphenol, m
-Cyclopentylphenol, p-cyclopentylphenol, o-cyclohexylphenol, m-cyclohexylphenol, p-cyclohexylphenol, o
-Phenylphenol, m-phenylphenol, p-
Phenylphenol, p-cumylphenol, o-methoxyphenol, m-methoxyphenol, p-methoxyphenol, o-ethoxyphenol, m-ethoxyphenol, p-ethoxyphenol,
【0015】o−n−プロポキシフェノール、m−n−
プロポキシフェノール、p−n−プロポキシフェノー
ル、o−イソプロポキシフェノール、m−イソプロポキ
シフェノール、p−イソプロポキシフェノール、o−n
−ブトキシフェノール、m−n−ブトキシフェノール、
p−n−ブトキシフェノール、o−t−ブトキシフェノ
ール、m−t−ブトキシフェノール、p−t−ブトキシ
フェノール、o−n−ペンチルオキシフェノール、m−
n−ペンチルオキシフェノール、p−n−ペンチルオキ
シフェノール、o−n−ヘキシルオキシフェノール、m
−n−ヘキシルオキシフェノール、p−n−ヘキシルオ
キシフェノール、o−n−ヘプチルオキシフェノール、
m−n−ヘプチルオキシフェノール、p−n−ヘプチル
オキシフェノール、o−フェノキシフェノール、m−フ
ェノキシフェノール、p−フェノキシフェノール、2,
3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4−キシ
レノール、3,5−キシレノール、5−イソプロピル−
3−メチルフェノール、2−t−ブチル−5−メチルフ
ェノール、2,5−ジ−sec−ブチルフェノール、2,
5−ジ−t−ブチルフェノール、2,3,5−トリメチル
フェノール、3,4,5−トリメチルフェノール、3−メ
トキシ−4−メトキシフェノール、3−エトキシ−4−
メトキシフェノール、3−メトキシ−4−エトキシフェ
ノール、3−エトキシ−4−エトキシフェノール、カテ
コール、レゾルシノール、ハイドロキノン、3−メチル
カテコール、4−メチルカテコール、2−メチルレゾル
シノール、4−メチルレゾルシノール、メチルハイドロ
キノン、3−エチルカテコール、4−エチルカテコー
ル、2−エチルレゾルシノール、4−エチルレゾルシノ
ール、エチルハイドロキノン、n−プロピルハイドロキ
ノン、イソプロピルハイドロキノン、t−ブチルハイド
ロキノン、4−n−ヘキシルレゾルシノール、4−ヘキ
サノイルレゾルシノール、3,5−ジメチルカテコー
ル、2,5−ジメチルレゾルシノール、2,3−ジエチル
ハイドロキノン、2,5−ジメチルハイドロキノン、3,
5−ジエチルカテコール、O-n-propoxyphenol, m-n-
Propoxyphenol, pn-propoxyphenol, o-isopropoxyphenol, m-isopropoxyphenol, p-isopropoxyphenol, on
-Butoxyphenol, mn-butoxyphenol,
pn-butoxyphenol, ot-butoxyphenol, mt-butoxyphenol, pt-butoxyphenol, on-pentyloxyphenol, m-
n-pentyloxyphenol, pn-pentyloxyphenol, on-hexyloxyphenol, m
-N-hexyloxyphenol, pn-hexyloxyphenol, on-heptyloxyphenol,
m-n-heptyloxyphenol, pn-heptyloxyphenol, o-phenoxyphenol, m-phenoxyphenol, p-phenoxyphenol, 2,
3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, 5-isopropyl-
3-methylphenol, 2-t-butyl-5-methylphenol, 2,5-di-sec-butylphenol, 2,
5-di-t-butylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol, 3-methoxy-4-methoxyphenol, 3-ethoxy-4-
Methoxyphenol, 3-methoxy-4-ethoxyphenol, 3-ethoxy-4-ethoxyphenol, catechol, resorcinol, hydroquinone, 3-methylcatechol, 4-methylcatechol, 2-methylresorcinol, 4-methylresorcinol, methylhydroquinone, 3-ethylcatechol, 4-ethylcatechol, 2-ethylresorcinol, 4-ethylresorcinol, ethylhydroquinone, n-propylhydroquinone, isopropylhydroquinone, t-butylhydroquinone, 4-n-hexylresorcinol, 4-hexanoylresorcinol, 3 , 5-Dimethylcatechol, 2,5-dimethylresorcinol, 2,3-diethylhydroquinone, 2,5-dimethylhydroquinone, 3,
5-diethylcatechol,
【0016】2,5−ジエチルレゾルシノール、2,5−
ジエチルハイドロキノン、3,5−ジイソプロピルカテ
コール、2,5−ジイソプロピルレゾルシノール、2,3
−ジイソプロピルハイドロキノン、2,5−ジイソプロ
ピルハイドロキノン、3,5−ジ−t−ブチルカテコー
ル、2,5−ジ−t−ブチルレゾルシノール、2,3−ジ
−t−ブチルハイドロキノン、2,5−ジ−t−ブチル
ハイドロキノン、ピロガロール、フロログルシノール、
1,2,4−ベンゼントリオール、ビスフェノール−A、
没食子酸メチル、没食子酸エチル、没食子酸n−プロピ
ル、没食子酸n−ブチル、没食子酸n−ペンチル、没食
子酸n−ヘキシル、没食子酸n−ヘプチル、没食子酸n
−オクチル、サリチル酸メチル、サリチル酸エチル、サ
リチル酸n−プロピル、2−ヒドロキシ安息香酸メチ
ル、2−ヒドロキシ安息香酸エチル、4−ヒドキシ安息
香酸n−プロピル、4−ヒドロキシ安息香酸メチル、4
−ヒドロキシ安息香酸エチル、4−ヒドロキシ安息香酸
プロピルなどが挙げられる。2,5-diethylresorcinol, 2,5-
Diethylhydroquinone, 3,5-diisopropylcatechol, 2,5-diisopropylresorcinol, 2,3
-Diisopropylhydroquinone, 2,5-diisopropylhydroquinone, 3,5-di-t-butylcatechol, 2,5-di-t-butylresorcinol, 2,3-di-t-butylhydroquinone, 2,5-di- t-butyl hydroquinone, pyrogallol, phloroglucinol,
1,2,4-benzenetriol, bisphenol-A,
Methyl gallate, ethyl gallate, n-propyl gallate, n-butyl gallate, n-pentyl gallate, n-hexyl gallate, n-heptyl gallate, n gallic acid
-Octyl, methyl salicylate, ethyl salicylate, n-propyl salicylate, methyl 2-hydroxybenzoate, ethyl 2-hydroxybenzoate, n-propyl 4-hydroxybenzoate, methyl 4-hydroxybenzoate, 4
-Ethyl hydroxybenzoate, propyl 4-hydroxybenzoate and the like can be mentioned.
【0017】これらのフェノール類のうち、特にフェノ
ール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾー
ル、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、
2,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4−
キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリ
メチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール、
レゾルシノールおよびピロガロールが好ましい。Of these phenols, particularly phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, m-ethylphenol, p-ethylphenol,
2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-
Xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol,
Resorcinol and pyrogallol are preferred.
【0018】これらのフェノール類は、単独でまたは2
種以上を組み合わせて使用することができる。These phenols may be used alone or in the form of 2
Combinations of more than one species can be used.
【0019】また、フェノール類と重縮合させるアルデ
ヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、ベンズアル
デヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェ
ニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒ
ド、β−フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、
p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−クロロベンズア
ルデヒド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベ
ンズアルデヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニ
トロベンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、
o−メチルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデ
ヒド、p−メチルベンズアルデヒド、o−エチルベンズ
アルデヒド、m−エチルベンズアルデヒド、p−エチル
ベンズアルデヒド、o−n−プロピルベンズアルデヒ
ド、m−n−プロピルベンズアルデヒド、p−n−プロ
ピルベンズアルデヒド、o−n−ブチルベンズアルデヒ
ド、m−n−ブチルベンズアルデヒド、p−n−ブチル
ベンズアルデヒド、フルフラールなどを挙げることがで
きる。これらのアルデヒド類のうち、特にホルムアルデ
ヒドが好ましい。これらのアルデヒド類は、単独でまた
は2種以上を組み合わせて使用することができる。Examples of aldehydes to be polycondensed with phenols include formaldehyde, benzaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropylaldehyde, β-phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde. ,
p-hydroxybenzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde,
o-methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde, p-methylbenzaldehyde, o-ethylbenzaldehyde, m-ethylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, o-n-propylbenzaldehyde, m-n-propylbenzaldehyde, p-n-propylbenzaldehyde , O-n-butylbenzaldehyde, m-n-butylbenzaldehyde, pn-butylbenzaldehyde, furfural and the like. Of these aldehydes, formaldehyde is particularly preferable. These aldehydes can be used alone or in combination of two or more kinds.
【0020】アルデヒドとしてホルムアルデヒドを使用
する場合のホルムアルデヒド発生源としては、例えばホ
ルマリン、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、メチ
ルヘミホルマール、エチルヘミホルマール、プロピルヘ
ミホルマール、ブチルヘミホルマール、フェニルヘミホ
ルマールなどのヘミホルマール類を挙げることができ
る。これらのうち、ホルマリンおよびブチルヘミホルマ
ールが特に好ましい。これらのアルデヒド発生源も、単
独でまたは2種以上を混合して使用することができる。When formaldehyde is used as the aldehyde, examples of the formaldehyde generating source include hemiformals such as formalin, trioxane, paraformaldehyde, methyl hemiformal, ethyl hemiformal, propyl hemiformal, butyl hemiformal, and phenyl hemiformal. be able to. Of these, formalin and butyl hemiformal are particularly preferred. These aldehyde generating sources can also be used alone or in combination of two or more.
【0021】アルデヒド類の使用量は、フェノール類1
モルに対し、0.7〜3モルが好ましい。The amount of aldehyde used is 1 phenol.
It is preferably 0.7 to 3 mol per mol.
【0022】フェノール類とアルデヒド類との重縮合に
通常用いられる酸性触媒としては、例えば塩酸、硝酸、
硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸などを挙げることができ
る。これらの酸性触媒の使用量は、通常、フェノール類
1モルに対し、1×10-5〜5×10-1モルである。Examples of acidic catalysts usually used for polycondensation of phenols and aldehydes include hydrochloric acid, nitric acid,
Examples thereof include sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, acetic acid and the like. The amount of these acidic catalysts used is usually 1 × 10 −5 to 5 × 10 −1 mol per mol of phenols.
【0023】フェノール類とアルデヒド類との重縮合に
おいては、通常、水が反応媒質として使用されるが、用
いられるフェノール類がアルデヒド類の水溶液に溶解せ
ず、反応初期から不均一となる場合は、親水性溶媒を反
応媒質として使用することもできる。これらの親水性溶
媒としては、例えばメタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ
−ル、ブタノ−ルなどのアルコ−ル類;ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、
1,2−ジエトキシエタンなどのエーテル類;およびテ
トラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エ−テル類が
挙げられる。これらの反応媒質の使用量は、通常、反応
原料100重量部当り、20〜1,000重量部であ
る。In the polycondensation of phenols and aldehydes, water is usually used as a reaction medium, but when the phenols used are not dissolved in an aqueous solution of aldehydes and become heterogeneous from the initial reaction, A hydrophilic solvent can also be used as the reaction medium. Examples of the hydrophilic solvent include alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol; diethylene glycol dimethyl ether, 1,2-dimethoxyethane,
Ethers such as 1,2-diethoxyethane; and cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane. The amount of these reaction media used is usually 20 to 1,000 parts by weight per 100 parts by weight of the reaction raw material.
【0024】フェノール類とアルデヒド類との重縮合の
温度は、反応原料の反応性に応じて、適宜調整される
が、通常、10〜200℃である。The temperature of the polycondensation of phenols and aldehydes is appropriately adjusted depending on the reactivity of the reaction raw materials, but is usually 10 to 200 ° C.
【0025】フェノール類とアルデヒド類との重縮合の
方法としては、フェノール類、アルデヒド類、酸性触媒
などを一括して仕込み反応させる方法、酸性触媒の存在
下でフェノール類、アルデヒド類、酸性触媒などを徐々
に添加しながら反応させる方法などを採用することがで
きる。The polycondensation method of phenols and aldehydes includes a method in which phenols, aldehydes, acidic catalysts, etc. are charged at the same time and reacted, or phenols, aldehydes, acidic catalysts, etc. in the presence of an acidic catalyst. It is possible to employ a method of reacting while gradually adding.
【0026】重縮合の終了後、反応系内に存在する未反
応原料、酸性触媒、反応媒質などを除去するために、一
般的には、反応系の温度を130〜230℃に上昇し、
減圧下、例えば20〜50mmHg程度の圧力下で、揮
発分を留去して、生成したノボラック樹脂(A)を回収
する。After completion of the polycondensation, the temperature of the reaction system is generally increased to 130 to 230 ° C. in order to remove the unreacted raw materials, the acid catalyst, the reaction medium and the like existing in the reaction system.
The volatile matter is distilled off under reduced pressure, for example, under a pressure of about 20 to 50 mmHg, and the produced novolac resin (A) is recovered.
【0027】また本発明において使用するノボラック樹
脂(A)の標準ポリスチレン換算重量平均分子量(以
下、「Mw」という。)は、従来から感放射線性樹脂組
成物に使用されているノボラック樹脂の分子量の範囲か
ら適宜選定することができるが、通常、3,000〜2
0,000であり、好ましくは4,000〜15,000
である。Mwが上記範囲でにあることにより、本発明の
組成物の現像性、感度および耐熱性を向上させることが
できる。The standard polystyrene-reduced weight average molecular weight (hereinafter referred to as "Mw") of the novolak resin (A) used in the present invention is the molecular weight of the novolak resin conventionally used in radiation-sensitive resin compositions. Although it can be appropriately selected from the range, it is usually 3,000 to 2
000, preferably 4,000 to 15,000
Is. When the Mw is in the above range, the developability, sensitivity and heat resistance of the composition of the present invention can be improved.
【0028】特に、高分子量のノボラック樹脂(A)が
望ましい場合には、前記重縮合によって得られたノボラ
ック樹脂(A)を、エチレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート、ジオキサン、メタノール、酢酸エチルな
どの良溶媒に溶解したのち、水、n−ヘキサン、n−ヘ
プタン、トルエン、キシレンなどの貧溶媒を添加、混合
して、析出したノボラック樹脂を溶液層から分離するこ
とにより、分画された高分子量のノボラック樹脂(A)
を得ることができる。Particularly, when a high molecular weight novolak resin (A) is desired, the novolak resin (A) obtained by the polycondensation is mixed with ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, dioxane, methanol, After being dissolved in a good solvent such as ethyl acetate, a poor solvent such as water, n-hexane, n-heptane, toluene, xylene, etc. is added and mixed to separate the precipitated novolak resin from the solution layer. High molecular weight novolak resin (A)
Can be obtained.
【0029】本発明の組成物において、ノボラック樹脂
(A)は、単独でまたは2種以上を混合して使用するこ
とができる。In the composition of the present invention, the novolac resin (A) can be used alone or in admixture of two or more.
【0030】次に、前記式(1)および式(2)で表わ
される化合物(B)(以下、「化合物(B)」とい
う。)において、炭素数1〜6のアルキル基の例として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基などを挙げることができる。その中
でも、メチル基およびエチル基が好ましい。炭素数1〜
10のアルキル基の例としては、炭素数1〜6のアルキ
ル基の例に挙げたものの他に、ヘプチル基、オクチル
基、ノニル基などを挙げることができる。その中でも、
メチル基およびエチル基が好ましい。炭素数3〜10の
シクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、
シクロヘプチル基、シクロオクチル基などを挙げること
ができる。炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数2〜1
0のアルコキシカルボニル基において、これらの酸素原
子に隣接した部分は、前述のアルキル基およびシクロア
ルキル基の例示に示されたものを挙げることができる。Next, in the compound (B) represented by the above formulas (1) and (2) (hereinafter referred to as “compound (B)”), examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms are: Examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group and a hexyl group. Of these, a methyl group and an ethyl group are preferable. Carbon number 1
Examples of the alkyl group of 10 include a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, and the like in addition to the examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Among them,
Methyl and ethyl groups are preferred. Examples of the cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group,
Examples thereof include a cycloheptyl group and a cyclooctyl group. C1-C8 alkoxy group, C2-C1
In the alkoxycarbonyl group of 0, examples of the portion adjacent to these oxygen atoms include those shown in the examples of the alkyl group and cycloalkyl group described above.
【0031】炭素数6〜14のアリール基の例として
は、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、ト
リル基、キシリル基、クミル基、メシチル基、ヒドロキ
シフェニル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基
などを挙げることができる。その中でもフェニル基が好
ましい。炭素数6〜10のアリールオキシ基において、
これらのアリール部分は、前述のアリール基の例示に示
されたものを挙げることができる。炭素数7〜18のア
ラルキル基の例としては、ベンジル基、フェネチル基、
フェニルプロピル基などを挙げることができる。その中
でも、ベンジル基が好ましい。炭素数7〜15のアラル
キルオキシ基において、これらのアラルキル部分は、前
述のアラルキル基の例示に示されたものを挙げることが
できる。炭素数1〜7のアシル基においても、そのカル
ボニルに隣接した部分は、上述のアルキル基の例示に示
されたものを挙げることができる。またハロゲン原子の
具体例としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙
げることができる。その中でも塩素原子および臭素原子
が好ましい。Examples of the aryl group having 6 to 14 carbon atoms are phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, tolyl group, xylyl group, cumyl group, mesityl group, hydroxyphenyl group, chlorophenyl group and methoxyphenyl group. A group etc. can be mentioned. Of these, a phenyl group is preferable. In the aryloxy group having 6 to 10 carbon atoms,
Examples of these aryl moieties include those shown in the examples of the aryl group above. Examples of the aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms include benzyl group, phenethyl group,
Examples thereof include a phenylpropyl group. Of these, a benzyl group is preferable. In the aralkyloxy group having 7 to 15 carbon atoms, these aralkyl moieties include those shown in the above-mentioned examples of the aralkyl group. In the acyl group having 1 to 7 carbon atoms, examples of the portion adjacent to the carbonyl include those shown in the above examples of the alkyl group. Further, specific examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Among them, chlorine atom and bromine atom are preferable.
【0032】化合物(B)としては、下記式(4)およ
び式(5)The compound (B) is represented by the following formula (4) and formula (5)
【0033】[0033]
【化5】 [Chemical 5]
【0034】[式(4)および式(5)のZは下記式
(6)[Z in the formulas (4) and (5) is represented by the following formula (6).
【0035】[0035]
【化6】 [Chemical 6]
【0036】で表わされる1価の基であり、そして式
(4)、式(5)および式(6)において、R1〜
R11、a、b、cおよびdは、式(1)、式(2)およ
び式(3)の場合と同義である。]A monovalent group represented by the following formulas, and in the formulas (4), (5) and (6), R 1 to
R 11 , a, b, c and d have the same meanings as in the case of formula (1), formula (2) and formula (3). ]
【0037】で表わされる化合物(以下、「化合物
(B’)」という。)を挙げることができる。Examples thereof include compounds represented by (hereinafter referred to as "compound (B ')").
【0038】さらに、この化合物(B’)のフェノール
性水酸基の少なくとも1つの水素原子をキノンジアジド
スルホニル基で置換したものも化合物(B)として挙げ
ることができる。ここにおける置換の方法としては、化
合物(B’)にキノンジアジドスルホニルクロライドで
例示されるキノンジアジドスルホニルハライドを反応さ
せる方法が挙げられる。Further, the compound (B ') in which at least one hydrogen atom of the phenolic hydroxyl group is substituted with a quinonediazidesulfonyl group can also be mentioned as the compound (B). Examples of the substitution method here include a method of reacting compound (B ′) with a quinonediazidesulfonyl halide exemplified by quinonediazidesulfonyl chloride.
【0039】ここで化合物(B’)とキノンジアジドス
ルホニルハライドとの反応割合は化合物(B’)のフェ
ノール性水酸基1グラム当量当り、キノンジアジドスル
ホニルハライドが0.2〜1モルが好ましく、0.4〜1
モルが特に好ましい。The reaction ratio between the compound (B ') and the quinonediazidesulfonyl halide is preferably 0.2 to 1 mol, more preferably 0.4 to 1 mol, of the quinonediazidesulfonyl halide per gram equivalent of the phenolic hydroxyl group of the compound (B'). 1
Molar is particularly preferred.
【0040】前記キノンジアジドスルホニル基として
は、例えば1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニ
ル基、1,2−ナフトキノンジアジド−6−スルホニル
基、2,1−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル
基、2,1−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル
基、2,1−ナフトキノンジアジド−6−スルホニル
基、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル
基、1,2−ベンゾキノンジアジド−5−スルホニル基
などを挙げることができる。これらのうち、1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホニル基および1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基が好ましい。Examples of the quinonediazidesulfonyl group include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl group, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group, 1,2-naphthoquinonediazide-6-sulfonyl group, and 2,1. -Naphthoquinonediazide-4-sulfonyl group, 2,1-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group, 2,1-naphthoquinonediazide-6-sulfonyl group, 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonyl group, 1,2-benzo Examples thereof include a quinonediazide-5-sulfonyl group. Of these, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl group and 1,2-
A naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group is preferred.
【0041】化合物(B’)にキノンジアジドスルホニ
ル基を導入する際の平均縮合率[(化合物(B’)の全
フェノール性水酸基に対するキノンジアジドスルホニル
基が導入されたフェノール性水酸基の割合]は、本発明
の組成物の感度を考慮すると、75%以下が好ましい。The average condensation rate when introducing a quinonediazidesulfonyl group into the compound (B ′) [(the ratio of the phenolic hydroxyl group into which the quinonediazidesulfonyl group is introduced to the total phenolic hydroxyl groups in the compound (B ′)] is determined by the present invention. Considering the sensitivity of the composition, it is preferably 75% or less.
【0042】前記式(4)および式(5)で表わされる
化合物(B’)は、例えば以下の方法で製造することが
できる。すなわち、それぞれ下記式(7)および式
(8)The compound (B ') represented by the above formulas (4) and (5) can be produced, for example, by the following method. That is, the following equations (7) and (8), respectively:
【0043】[0043]
【化7】 [Chemical 7]
【0044】[式(7)および式(8)において、R2
〜R9、R12、cおよびdは、前記式(1)、式(2)
および式(3)の場合と同義である。][In the formulas (7) and (8), R 2
To R 9 , R 12 , c and d are represented by the above formulas (1) and (2).
And is synonymous with the case of formula (3). ]
【0045】で表わされる化合物(以下、「化合物
(C)」という。)を、例えば塩基性下でアルデヒド類
もしくはケトン類と反応させて、下記式(9)および式
(10)A compound represented by the following formula (hereinafter referred to as "compound (C)") is reacted with, for example, an aldehyde or a ketone under a basic condition to give the following formula (9) and formula (10).
【0046】[0046]
【化8】 [Chemical 8]
【0047】[式(9)および式(10)において、Y
は下記式(11)[In Expressions (9) and (10), Y
Is the following formula (11)
【0048】[0048]
【化9】 [Chemical 9]
【0049】で表わされる1価の基である。そして、式
(9)、式(10)および式(11)のR2〜R12、c
およびdは、前記式(1)、式(2)および式(3)の
場合と同義であり、式(11)の2個のXは相互に同一
であっても異なっていてもよく、水酸基、炭素数1〜6
のアルコキシ基、炭素数1〜6のアシロキシ基、炭素数
2〜6のアルコキシアルコキシ基、炭素数2〜6のジア
ルキルアミノ基、ピペリジノ基またはモルホリノ基、好
ましくは水酸基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基、ピペリジノ基、モルホリノ基であり、特に好ましく
は水酸基を示す。]It is a monovalent group represented by: Then, R 2 to R 12 , c in the formulas (9), (10) and (11)
And d have the same meanings as in the above formulas (1), (2) and (3), and the two X's in the formula (11) may be the same or different from each other. , Carbon number 1-6
An alkoxy group, a C1-6 acyloxy group, a C2-6 alkoxyalkoxy group, a C2-6 dialkylamino group, a piperidino group or a morpholino group, preferably a hydroxyl group, a dimethylamino group, a diethylamino group, It is a piperidino group or a morpholino group, particularly preferably a hydroxyl group. ]
【0050】で表わされる化合物(以下、「化合物
(D)」という。)を得、しかる後、この化合物(D)
を下記式(12)A compound represented by the following formula (hereinafter referred to as "compound (D)") was obtained, and thereafter, this compound (D) was obtained.
The following formula (12)
【0051】[0051]
【化10】 [Chemical 10]
【0052】[式(12)において、R1、aおよびb
は、前記式(3)の場合と同義である。][In the formula (12), R 1 , a and b
Is synonymous with the case of the above formula (3). ]
【0053】で表わされるフェノール類(以下、「フェ
ノール類(b)」という。)と重縮合させることにより
化合物(B’)を製造することができる。The compound (B ') can be produced by polycondensation with a phenol represented by (hereinafter referred to as "phenol (b)").
【0054】化合物(C)と反応させるアルデヒド類と
しては、ノボラック樹脂(A)の製造で例示したアルデ
ヒド類を挙げることができる。これらのうち、特にホル
ムアルデヒドおよびアセトアルデヒドが好ましい。これ
らのアルデヒド類は、単独でまたは2種以上を組み合わ
せて使用することができる。Examples of the aldehydes reacted with the compound (C) include the aldehydes exemplified in the production of the novolak resin (A). Of these, formaldehyde and acetaldehyde are particularly preferable. These aldehydes can be used alone or in combination of two or more kinds.
【0055】アルデヒドとしてホルムアルデヒドを使用
する場合のホルムアルデヒド発生源としては、ノボラッ
ク樹脂(A)の製造で例示したアルデヒド類を挙げるこ
とができる。これらのうち、ホルマリン、トリオキサン
およびパラホルムアルデヒドが特に好ましい。これらの
アルデヒド発生源は、単独でまたは2種以上を組み合わ
せて使用することができる。When formaldehyde is used as the aldehyde, examples of the formaldehyde source include the aldehydes exemplified in the production of the novolak resin (A). Of these, formalin, trioxane and paraformaldehyde are particularly preferred. These aldehyde generating sources can be used alone or in combination of two or more kinds.
【0056】また、化合物(C)と反応させるケトン類
としては、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタ
ノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノ
ン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノ
ン、メチルイソブチルケトン、アセトフェノン、プロピ
オフェノンなどを挙げることができる。これらのうち、
アセトンおよびメチルエチルケトンが特に好ましい。こ
れらのケトン類は、単独でまたは2種以上を組み合わせ
て使用することができる。化合物(C)に対する上述し
たアルデヒド類もしくはケトン類の使用量は、化合物
(C)1モルに対し、通常、6〜15モルである。The ketones to be reacted with the compound (C) include acetone, methyl ethyl ketone, 2-pentanone, 3-pentanone, 2-hexanone, 3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone and methyl. Examples thereof include isobutyl ketone, acetophenone and propiophenone. Of these,
Acetone and methyl ethyl ketone are especially preferred. These ketones can be used alone or in combination of two or more. The amount of the above-mentioned aldehydes or ketones used with respect to the compound (C) is usually 6 to 15 mol per 1 mol of the compound (C).
【0057】化合物(C)とアルデヒド類もしくはケト
ン類との反応には、通常、塩基性触媒が用いられ、例え
ば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、アンモニア水、水素化ナトリウム、
水素化リチウムなどの無機塩基、トリエチルアミン、ジ
メチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピリジ
ン、1,8−ジアザビシクロ−(5.4.0)−7−ウン
デセン、1,5ージアザビシクロ−(4.3.0)−5−
ノナン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ピペリジ
ン、モルホリンなどの有機塩基を挙げることができる。
これらの塩基性触媒の使用量は、通常、化合物(C)中
のフェノール性水酸基1グラム当量に対し、0.3〜5
モルである。In the reaction of the compound (C) with aldehydes or ketones, a basic catalyst is usually used. For example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, aqueous ammonia, sodium hydride,
Inorganic bases such as lithium hydride, triethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, choline, pyridine, 1,8-diazabicyclo- (5.4.0) -7-undecene, 1,5-diazabicyclo -(4.3.0) -5-
Organic bases such as nonane, dimethylamine, diethylamine, piperidine and morpholine can be mentioned.
The amount of these basic catalysts used is usually 0.3 to 5 relative to 1 gram equivalent of the phenolic hydroxyl group in the compound (C).
It is a mole.
【0058】化合物(C)とアルデヒド類もしくはケト
ン類との反応に際しては、無溶媒下で反応させてもよ
く、また、水、トルエン、キシレン、ジオキサンなどの
不活性溶媒を使用して反応させてもよい。これらの不活
性溶媒の使用量は、通常、反応原料100重量部当り、
20〜1,000重量部である。When the compound (C) is reacted with the aldehydes or ketones, the reaction may be carried out in the absence of a solvent, or by using an inert solvent such as water, toluene, xylene or dioxane. Good. The amount of these inert solvents used is usually 100 parts by weight of the reaction raw material,
It is 20 to 1,000 parts by weight.
【0059】化合物(C)とアルデヒド類もしくはケト
ン類との反応温度および反応時間は、反応原料の反応性
に応じて適宜調節されるが、通常、反応温度が−10〜
150℃、反応時間が1時間〜2週間である。The reaction temperature and reaction time of the compound (C) with aldehydes or ketones are appropriately adjusted depending on the reactivity of the reaction raw materials, but usually the reaction temperature is from -10 to -10.
The reaction time is 1 hour to 2 weeks at 150 ° C.
【0060】化合物(C)とアルデヒド類もしくはケト
ン類との反応の終了後、一般に、反応混合物を酸で中和
した後、反応混合物中の、中和に用いた酸などを大量の
水で洗浄し、未反応のアルデヒド類もしくはケトン類
を、水、トルエン/n−ヘプタン、トルエン/n−ヘキ
サンなどで洗浄し、除去して、生成した化合物(D)を
回収する。After completion of the reaction of the compound (C) with an aldehyde or a ketone, the reaction mixture is generally neutralized with an acid, and then the acid used for the neutralization in the reaction mixture is washed with a large amount of water. Then, unreacted aldehydes or ketones are washed with water, toluene / n-heptane, toluene / n-hexane, etc. and removed to recover the produced compound (D).
【0061】さらに、続いて行われる化合物(D)との
重縮合に用いられるフェノール類(b)の具体例として
は、ノボラック樹脂(A)について挙げたフェノール類
(a)(但し、o−アリルフェノール、m−アリルフェ
ノール、p−アリルフェノール、o−プロペニルフェノ
ール、m−プロペニルフェノールおよびp−プロペニル
フェノールを除く)を挙げることができる。Further, specific examples of the phenols (b) used in the subsequent polycondensation with the compound (D) include the phenols (a) mentioned for the novolak resin (A) (however, o-allyl). (Excluding phenol, m-allylphenol, p-allylphenol, o-propenylphenol, m-propenylphenol and p-propenylphenol).
【0062】これらのフェノール類のうち、特にフェノ
ール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾー
ル、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、
2,3−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−
キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノ
ール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−ト
リメチルフェノール、レゾルシノール、ピロガロールな
どが好ましい。Of these phenols, particularly phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, m-ethylphenol, p-ethylphenol,
2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-
Xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol, resorcinol, pyrogallol and the like are preferable.
【0063】フェノール類(b)の使用量は、化合物
(D)1モル当り、6〜50モルが好ましい。The amount of the phenols (b) used is preferably 6 to 50 mol per mol of the compound (D).
【0064】化合物(D)とフェノール類(b)との重
縮合においては、通常、酸性触媒が用いられ、例えば塩
酸、硫酸、シュウ酸、p−トルエンスルホン酸、トリフ
ルオロ酢酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンス
ルホン酸などを挙げることができる。これらの酸性触媒
の使用量は、化合物(D)1モル当り、1×10-6〜5
×10-1モルが好ましい。In the polycondensation of the compound (D) and the phenols (b), an acidic catalyst is usually used. For example, hydrochloric acid, sulfuric acid, oxalic acid, p-toluenesulfonic acid, trifluoroacetic acid, methanesulfonic acid, Examples thereof include trifluoromethanesulfonic acid. The amount of these acidic catalysts used is 1 × 10 −6 to 5 per mol of the compound (D).
× 10 -1 mol is preferable.
【0065】化合物(D)とフェノール類(b)との重
縮合は、無溶媒でもよく、また、トルエン、キシレン、
メチルイソブチルケトンなどの不活性溶媒を使用しても
よい。これらの不活性溶媒の使用量は、通常、反応原料
100重量部当り、20〜1,000重量部である。The polycondensation of the compound (D) with the phenols (b) may be carried out without solvent, or may be carried out with toluene, xylene,
An inert solvent such as methyl isobutyl ketone may be used. The amount of these inert solvents used is usually 20 to 1,000 parts by weight per 100 parts by weight of the reaction raw material.
【0066】化合物(D)とフェノール類(b)との重
縮合温度および重縮合時間は、反応原料の反応性に応じ
て適宜調節されるが、通常、重縮合温度が、30〜15
0℃、重縮合時間は、10分〜24時間である。The polycondensation temperature and the polycondensation time of the compound (D) and the phenol (b) are appropriately adjusted depending on the reactivity of the reaction raw material, but the polycondensation temperature is usually 30 to 15
0 degreeC and polycondensation time are 10 minutes-24 hours.
【0067】化合物(D)とフェノール類(b)との重
縮合の終了後、一般に、反応混合物を水中に投入して酸
性触媒を水中に溶出させた後、反応混合物中の未反応原
料、反応溶媒などを除去するため、反応混合物を昇温
し、減圧下で揮発分を除去して、生成した化合物
(B’)を回収する。After completion of the polycondensation of the compound (D) and the phenol (b), generally, the reaction mixture is put into water to elute the acidic catalyst into water, and then the unreacted raw materials and the reaction in the reaction mixture are carried out. In order to remove the solvent and the like, the reaction mixture is heated and the volatile matter is removed under reduced pressure to recover the produced compound (B ′).
【0068】化合物(D)の具体例としては、下記式
(13)〜(24)が挙げられる。Specific examples of the compound (D) include the following formulas (13) to (24).
【0069】[0069]
【化11】 [Chemical 11]
【0070】[0070]
【化12】 [Chemical 12]
【0071】[0071]
【化13】 [Chemical 13]
【0072】[0072]
【化14】 [Chemical 14]
【0073】[0073]
【化15】 [Chemical 15]
【0074】[0074]
【化16】 [Chemical 16]
【0075】本発明の組成物において、化合物(B)
は、単独でまたは2種以上を混合して使用することがで
きる。In the composition of the present invention, the compound (B)
Can be used alone or in admixture of two or more.
【0076】また、本発明の組成物には、化合物(B)
に加えて、他のフェノール化合物のキノンジアジドスル
ホン酸エステル(以下、「スルホン酸エステル(b)」
という。)、例えばベンゼン環数2〜5程度のフェノー
ル化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルを配合す
ることもできる。特に化合物(B)がキノンジアジドス
ルホニル基を有さない場合[化合物(B)として化合物
(B’)のみを使用する場合に相当]は、このスルホン
酸エステル(b)が配合される。In the composition of the present invention, the compound (B)
In addition to quinonediazide sulfonic acid ester of other phenolic compounds (hereinafter, referred to as “sulfonic acid ester (b)”)
Say. ), For example, a quinonediazide sulfonic acid ester of a phenol compound having about 2 to 5 benzene rings can be blended. In particular, when the compound (B) does not have a quinonediazidesulfonyl group [corresponding to the case where only the compound (B ′) is used as the compound (B)], the sulfonic acid ester (b) is blended.
【0077】このようなスルホン酸エステル(b)とし
ては、例えば2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,
4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’
3,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、3’−メ
トキシ−2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,2’,3,4,4’−ペンタヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,2’,3,4,6’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,3’,4,4’,5’−ヘキサヒドロキ
シベンゾフェノン、2,3’,4,4’,5’,6−ヘキサ
ヒドロキシベンゾフェノンなどの(ポリ)ヒドロキシフ
ェニルアリールケトンの1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステル類;Examples of such sulfonic acid ester (b) include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, 2,3, and
4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 '
3,4'-tetrahydroxybenzophenone, 3'-methoxy-2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2', 3,4, 4'-pentahydroxybenzophenone, 2,2 ', 3,4,6'-pentahydroxybenzophenone, 2,3,3', 4,4 ', 5'-hexahydroxybenzophenone, 2,3', 4,4 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid esters or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid esters of (poly) hydroxyphenyl aryl ketones such as ', 5', 6-hexahydroxybenzophenone;
【0078】ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、
ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス
(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2,2
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−
ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパン、2,2
−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン
などのビス[(ポリ)ヒドロキシフェニル]アルカンの
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル類;Bis (4-hydroxyphenyl) methane,
Bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2
-Bis (4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-
Bis (2,4-dihydroxyphenyl) propane, 2,2
1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester of bis [(poly) hydroxyphenyl] alkane such as bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid Esters;
【0079】4,4’−ジヒドロキシトリフェニルメタ
ン、4,4’,4”−トリヒドロキシトリフェニルメタ
ン、2,2’,5,5’−テトラメチル−2”,4,4’−
トリヒドロキシトリフェニルメタン、3,3’,5,5’
−テトラメチル−2”,4,4’−トリヒドロキシトリフ
ェニルメタン、4,4’,5,5’−テトラメチル−2,
2’,2”−トリヒドロキシトリフェニルメタン、2,
2’,5,5’−テトラメチル−4,4’,4”−トリヒド
ロキシトリフェニルメタン、1,1,1−トリス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタン、1,1,3−トリス(2,5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,
1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)ブタン、1,3,3−トリス(4−ヒドロキシフェ
ニル)ブタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−4−[1−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−メチルエチル]−1−フェニルエタンなどの
(ポリ)ヒドロキシトリフェニルアルカンの1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル類;4,4'-dihydroxytriphenylmethane, 4,4 ', 4 "-trihydroxytriphenylmethane, 2,2', 5,5'-tetramethyl-2", 4,4'-
Trihydroxytriphenylmethane 3,3 ', 5,5'
-Tetramethyl-2 ", 4,4'-trihydroxytriphenylmethane, 4,4 ', 5,5'-tetramethyl-2,
2 ', 2 "-trihydroxytriphenylmethane, 2,
2 ′, 5,5′-tetramethyl-4,4 ′, 4 ″ -trihydroxytriphenylmethane, 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1,3-tris (2, 5
-Dimethyl-4-hydroxyphenyl) propane, 1,
1,3-Tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) butane, 1,3,3-Tris (4-hydroxyphenyl) butane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane 1,2-naphtho of (poly) hydroxytriphenylalkane such as 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -4- [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1-phenylethane Quinonediazide-4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester;
【0080】2,4,4−トリメチル−2’,4’,7−ト
リヒドロキシ−2−フェニルフラバン、2,4,4’−ト
リメチル−2’,4’,5’,6,7−ペンタヒドロキシ−
2−フェニルフラバンなどのポリヒドロキシフェニルフ
ラバンの1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン
酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステル類を挙げることができる。2,4,4-Trimethyl-2 ', 4', 7-trihydroxy-2-phenylflavan, 2,4,4'-trimethyl-2 ', 4', 5 ', 6,7-penta Hydroxy-
1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-5 of polyhydroxyphenylflavan such as 2-phenylflavan
Sulfonic acid esters may be mentioned.
【0081】さらには特開平1−144,463号公
報、特開平1−156,738号公報などに記載されて
いるキノンジアジドスルホン酸エステル類も使用するこ
とができる。これらのスルホン酸エステル(b)は、単
独でまたは2種以上を混合して使用することができる。Further, quinonediazide sulfonic acid esters described in JP-A-1-144,463 and JP-A-1-156,738 can be used. These sulfonic acid esters (b) can be used alone or in admixture of two or more.
【0082】前記スルホン酸エステル(b)のうち、
2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,
4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,
2’,3,4,4’−ペンタヒドロキシベンゾフェノンの
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル、2,2’,5,5’−テトラメチル−2”,4,4’−
トリヒドロキシトリフェニルメタンの1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,1,1−ト
リス(4−ヒドロキシフェニル)エタンの1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニ
ルエタンの1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−1−{4−[1−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−メチルエチル]}フェニルエタンの1,2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル、2,4,4−トリメチル−2’,4’,7−トリヒドロ
キシ−2−フェニルフラバンの1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス
(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)ブタン
の1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エス
テルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロパンの1,2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,
3,3−トリス(4−ヒドロキシフェニル)ブタンの1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルま
たは1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステルなどが好ましい。Among the sulfonic acid ester (b),
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester of 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3,
1,4-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester of 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester of 2 ', 3,4,4'-pentahydroxybenzophenone, 2,2', 5,5'-tetramethyl-2 ", 4,4'-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester of trihydroxytriphenylmethane, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester of 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane or 1,
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester,
1,2-bis (4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-5
-Sulfonic acid ester, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1- {4- [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl]} phenylethane 1,2-
1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester 2,2,4,4-trimethyl-2 ', 4', 7-trihydroxy-2-phenylflavane Naphthoquinonediazide-5-sulfonate, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonate or 1,2-naphthoquinonediazide of 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) butane 5-sulfonic acid ester, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-
1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester of 4-hydroxyphenyl) propane or 1,2-
Naphthoquinonediazide-5-sulfonate, 1,
1, of 3,3-tris (4-hydroxyphenyl) butane
2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester is preferred.
【0083】本発明の組成物において、化合物(B)の
配合量は、ノボラック樹脂(A)100重量部当り、通
常、3〜75重量部、好ましくは5〜50重量部であ
る。スルホン酸エステル(b)の配合量は、ノボラック
樹脂(A)100重量部当り、通常、70重量部以下、
好ましくは5〜40重量部である。また、化合物(B)
とスルホン酸エステル(b)との合計配合量は、ノボラ
ック樹脂(A)100重量部に対して、通常、3〜10
0重量部、好ましくは5〜50重量部である。In the composition of the present invention, the compounding amount of the compound (B) is usually 3 to 75 parts by weight, preferably 5 to 50 parts by weight, per 100 parts by weight of the novolak resin (A). The compounding amount of the sulfonic acid ester (b) is usually 70 parts by weight or less per 100 parts by weight of the novolac resin (A),
It is preferably 5 to 40 parts by weight. In addition, the compound (B)
The total compounding amount of the sulfonic acid ester (b) and the sulfonic acid ester (b) is usually 3 to 10 relative to 100 parts by weight of the novolak resin (A).
It is 0 part by weight, preferably 5 to 50 parts by weight.
【0084】本発明の組成物はキノンジアジドスルホニ
ル基を含む。このキノンジアジドスルホニル基は化合物
(B)および/またはスルホン酸エステル(b)のなか
に含有されている。組成物中に含まれるキノンジアジド
スルホニル基の総量は、固形分換算で、通常、5〜25
重量%、好ましくは10〜20重量%である。The composition of the present invention contains a quinonediazidesulfonyl group. This quinonediazidesulfonyl group is contained in the compound (B) and / or the sulfonic acid ester (b). The total amount of the quinonediazidesulfonyl group contained in the composition is usually 5 to 25 in terms of solid content.
% By weight, preferably 10 to 20% by weight.
【0085】本発明の組成物には、さらに必要に応じ
て、溶解促進剤、増感剤、界面活性剤などの各種配合剤
を配合することができる。The composition of the present invention may further contain various compounding agents such as a dissolution accelerator, a sensitizer and a surfactant, if necessary.
【0086】前記溶解促進剤は、ノボラック樹脂(A)
のアルカリ溶解性を促進するなどの目的で使用される化
合物である。その好ましい例としては、ベンゼン環数2
〜6程度のフェノール化合物を挙げることができ、具体
的には前述の化合物(C)の他に、下記式(25)〜
(35)で表わされる低分子量のフェノール化合物を挙
げることができる。The dissolution accelerator is a novolac resin (A).
It is a compound used for the purpose of promoting the alkali solubility of As a preferable example, the number of benzene rings is 2
To about 6 phenol compounds, specifically, in addition to the compound (C) described above, the following formula (25)
A low molecular weight phenol compound represented by (35) can be mentioned.
【0087】[0087]
【化17】 [Chemical 17]
【0088】[式(25)において、R13は、炭素数1
〜6のアルキル基を示し、R13が複数存在する場合は相
互に同一であっても異なっていてもよく、R14およびR
15は、相互に同一であっても異なっていてもよく、水素
原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜14のア
リール基または炭素数7〜18のアラルキル基を示し、
e、f、xおよびyはそれぞれ0〜3の整数であるが、
eとfが同時に0となることはなく、かつ、e+x≦5
およびf+y≦5を満たす。][In the formula (25), R 13 has 1 carbon atom.
Indicates 6 alkyl group, if R 13 there are a plurality or different and be identical to one another, R 14 and R
15's may be the same or different from each other and represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms or an aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms,
e, f, x and y are each an integer of 0 to 3,
e and f are never 0 at the same time, and e + x ≦ 5
And f + y ≦ 5 are satisfied. ]
【0089】[0089]
【化18】 [Chemical 18]
【0090】[式(26)において、R16は、炭素数1
〜6のアルキル基を示し、R16が複数存在する場合は相
互に同一であっても異なっていてもよく、e、f、xお
よびyはそれぞれ0〜3の整数であるが、eおよびfが
同時に0となることはなく、かつ、e+x≦5およびf
+y≦5を満たす。][In the formula (26), R 16 has 1 carbon atom.
When R 16 is present in plural numbers, they may be the same or different, and e, f, x and y are each an integer of 0 to 3, but e and f Never become 0 at the same time, and e + x ≦ 5 and f
+ Y ≦ 5 is satisfied. ]
【0091】[0091]
【化19】 [Chemical 19]
【0092】[式(27)において、R17は、炭素数1
〜6のアルキル基を示し、R17が複数存在する場合は相
互に同一であっても異なっていてもよく、e、f、g、
x、yおよびzはそれぞれ0〜3の整数であるが、e、
fおよびgが同時に0となることはなく、かつ、e+x
≦5、f+y≦5およびg+z≦5を満たす。][In the formula (27), R 17 has 1 carbon atom.
In the case where a plurality of R 17's are present, they may be the same or different, and e, f, g,
x, y and z are each an integer of 0 to 3, but e,
f and g are never 0 at the same time, and e + x
≦ 5, f + y ≦ 5 and g + z ≦ 5 are satisfied. ]
【0093】[0093]
【化20】 [Chemical 20]
【0094】[式(28)において、R18は、炭素数1
〜6のアルキル基を示し、R18が複数存在する場合は相
互に同一であっても異なっていてもよく、R19〜R
22は、相互に同一または異なって、水素原子、炭素数1
〜6のアルキル基、炭素数6〜14のアリール基または
炭素数7〜18のアラルキル基を示し、e、f、g、
x、yおよびzはそれぞれ0〜3の整数であるが、e、
fおよびgが同時に0となることはなく、かつ、e+x
≦5、f+y≦5およびg+z≦5を満たす。][In the formula (28), R 18 has 1 carbon atom
And R 19 to R 6 are the same as or different from each other when a plurality of R 18's are present.
22 is the same or different from each other and is a hydrogen atom or a carbon number 1
~ 6 alkyl groups, C6-14 aryl groups or C7-18 aralkyl groups, e, f, g,
x, y and z are each an integer of 0 to 3, but e,
f and g are never 0 at the same time, and e + x
≦ 5, f + y ≦ 5 and g + z ≦ 5 are satisfied. ]
【0095】[0095]
【化21】 [Chemical 21]
【0096】[式(29)において、R23は、炭素数1
〜6のアルキル基を示し、R23が複数存在する場合は相
互に同一であっても異なっていてもよく、R24〜R
28は、相互に同一または異なって、水素原子、炭素数1
〜6のアルキル基、炭素数6〜14のアリール基または
炭素数7〜18のアラルキル基を示し、e、f、g、
x、yおよびzはそれぞれ0〜3の整数であるが、e、
fおよびgが同時に0となることはなく、かつ、e+x
≦5、f+y≦5およびg+z≦5を満たす。][In the formula (29), R 23 has 1 carbon atom
Indicates 6 alkyl group, if R 23 there are a plurality or different and be identical to one another, R 24 to R
28 are mutually the same or different and each is a hydrogen atom or a carbon number 1
~ 6 alkyl groups, C6-14 aryl groups or C7-18 aralkyl groups, e, f, g,
x, y and z are each an integer of 0 to 3, but e,
f and g are never 0 at the same time, and e + x
≦ 5, f + y ≦ 5 and g + z ≦ 5 are satisfied. ]
【0097】溶解促進剤は、単独でまたは2種以上を混
合して使用することができ、その配合量は、ノボラック
樹脂(A)100重量部当り、通常、50重量部以下、
好ましくは30重量部以下である。The dissolution accelerator may be used alone or in admixture of two or more, and the compounding amount thereof is usually 50 parts by weight or less per 100 parts by weight of the novolak resin (A),
It is preferably 30 parts by weight or less.
【0098】前記増感剤は、レジストの放射線に対する
感度を向上させる作用を有するものであり、その例とし
ては、2H−ピリド−(3,2−b)−1,4−オキサジ
ン−3(4H)−オン類、10H−ピリド−(3,2−
b)−(1,4)−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、
ヒダントイン類、バルピツール酸類、グリシン無水物
類、1−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル類、アロキサン
類、マレイミド類などを挙げることができる。これらの
増感剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用するこ
とができ、その配合量は、ノボラック樹脂(A)100
重量部当り、通常、50重量部以下である。The sensitizer has a function of improving the sensitivity of the resist to radiation. As an example thereof, 2H-pyrido- (3,2-b) -1,4-oxazine-3 (4H ) -Ones, 10H-pyrido- (3,2-
b)-(1,4) -benzothiazines, urazoles,
Hydantoins, barpituric acids, glycine anhydrides, 1-hydroxybenzotriazoles, alloxans, maleimides and the like can be mentioned. These sensitizers can be used alone or in admixture of two or more, and the compounding amount thereof is novolac resin (A) 100.
It is usually 50 parts by weight or less per part by weight.
【0099】また前記界面活性剤は、本発明の組成物の
塗布性、現像性を改良する作用を有するものであり、そ
の例としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、
ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチ
レンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウ
レート、ポリエチレングリコールジステアレートなどの
ノニオン系界面活性剤;エフトップ EF122A、E
F122B、EF351、EF352、EF601、E
F801、EF802(商品名、三菱金属製);メガフ
ァックス F142D、F144D、F171、F17
2、F173、F177、F179A(商品名、大日本
インキ製);フロラード FC176、FC430、F
C431(商品名、住友スリーエム製);アサヒガード
AG710、サーフロン S−381、S−382、
SC−101、SC−102、SC−103、SC−1
04、SC−105、SC−106(商品名、旭硝子
製);KP341(商品名、信越化学工業製);アクリ
ル酸系またはメタクリル酸系(共)重合体ポリフローN
o.75、No.90、No.95、S、フローレン A
C202、AC300、AC303、AC326F、A
C903、AC1190(商品名、共栄社油脂化学工業
製);ハイオニック PE40、PE90、PE10
0、PE120、モデイコールL、X、ダプロ S−6
5、ペレノール F40、カラースパース 188A
(商品名、サンノプコ製);エマゾール O−15R、
O−30(F)、S−20(商品名、花王製);ZON
YE FSN、FSN−100、FSO、FSO−10
0(商品名、デュポン製);DS−401、DS−40
3、DS−406、DS−451(商品名、ダイキン
製);フタージェント250、251、PEF−20
3、PFE−800B、NBX−15(商品名、ネオス
製)などが挙げられる。The above-mentioned surfactant has a function of improving the coatability and developability of the composition of the present invention, and examples thereof include polyoxyethylene lauryl ether,
Nonionic surfactants such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol distearate; F-top EF122A, E
F122B, EF351, EF352, EF601, E
F801, EF802 (trade name, made by Mitsubishi Metals); Megafax F142D, F144D, F171, F17
2, F173, F177, F179A (trade name, manufactured by Dainippon Ink); Fluorard FC176, FC430, F
C431 (trade name, manufactured by Sumitomo 3M); Asahi Guard AG710, Surflon S-381, S-382,
SC-101, SC-102, SC-103, SC-1
04, SC-105, SC-106 (trade name, manufactured by Asahi Glass); KP341 (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.); acrylic acid-based or methacrylic acid-based (co) polymer Polyflow N
o.75, No.90, No.95, S, Floren A
C202, AC300, AC303, AC326F, A
C903, AC1190 (trade name, manufactured by Kyoeisha Oil & Fat Chemical Co., Ltd.); Hyonic PE40, PE90, PE10
0, PE120, Modicol L, X, Dapro S-6
5, Perenol F40, Color Sparse 188A
(Trade name, manufactured by San Nopco); Emazole O-15R,
O-30 (F), S-20 (trade name, made by Kao); ZON
YE FSN, FSN-100, FSO, FSO-10
0 (trade name, manufactured by DuPont); DS-401, DS-40
3, DS-406, DS-451 (trade name, manufactured by Daikin); Futgent 250, 251, PEF-20
3, PFE-800B, NBX-15 (trade name, manufactured by Neos) and the like.
【0100】これらの界面活性剤は、単独でまたは2種
以上を混合して使用することができ、その配合量は、組
成物の固形分100重量部当り、通常、2重量部以下で
ある。These surfactants may be used alone or in admixture of two or more, and the compounding amount thereof is usually 2 parts by weight or less per 100 parts by weight of the solid content of the composition.
【0101】さらに本発明の組成物は、染料や顔料を配
合することにより、露光部の潜像を可視化させ、露光時
のハレーションの影響を少なくすることができ、また接
着助剤を配合することにより、組成物の基板に対する接
着性を改善することができる。また、保存安定剤、消泡
剤などの他の添加剤を配合することもできる。Furthermore, the composition of the present invention can contain a dye or a pigment to visualize the latent image in the exposed area and reduce the effect of halation during exposure, and also contain an adhesion aid. Thereby, the adhesiveness of the composition to the substrate can be improved. Further, other additives such as a storage stabilizer and an antifoaming agent can be added.
【0102】本発明の組成物を使用してレジストパター
ンを形成する際には、ノボラック樹脂(A)と化合物
(B)、必要に応じてスルホン酸エステル(b)を、各
種添加剤とともに、例えば固形分濃度が20〜40重量
%となるように溶剤に溶解し、例えば孔径0.2μm程
度のフィルターで濾過することにより、組成物溶液とし
て調製される。When a resist pattern is formed using the composition of the present invention, the novolak resin (A) and the compound (B), and if necessary, the sulfonic acid ester (b) together with various additives, for example, It is prepared as a composition solution by dissolving in a solvent so that the solid content concentration becomes 20 to 40% by weight, and filtering through a filter having a pore size of about 0.2 μm.
【0103】前記組成物溶液の調製に用いられる溶剤と
しては、例えばエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピル
エーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘ
プタノン、4−ヘプタノン、2−ヒドロキシプロピオン
酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エ
チル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2
−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、ピルビン酸
メチル、ピルビン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸
メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキ
シプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどを挙げることができ
る。これらの溶剤は、単独でまたは2種以上を混合して
使用することができる。Examples of the solvent used for preparing the composition solution include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, Propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate , Ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, 2
-Methyl hydroxy-3-methylbutanoate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl acetate, butyl acetate And so on. These solvents may be used alone or in admixture of two or more.
【0104】さらに、前記溶剤には、N−メチルホルム
アミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホ
ルムアニリド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメ
チルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルス
ルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエー
テル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、
カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベン
ジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュ
ウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクト
ン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソル
ブアセテートなどの高沸点溶剤を1種以上添加すること
もできる。Further, as the solvent, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformanilide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide and benzylethyl are used. Ether, dihexyl ether, acetonylacetone, isophorone, caproic acid,
One high boiling solvent such as caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate The above can be added.
【0105】次いで、組成物溶液として調製された本発
明の組成物は、回転塗布、流延塗布、ロール塗布などの
塗布方法により、例えばシリコンウェハー、アルミニウ
ムで被覆されたウェハーなどの基板上に塗布して感放射
線性樹脂層を形成し、部分的に露光し、現像液で現像す
ることによって、レジストパターンを形成する。この際
に使用される放射線としては、i線などの紫外線が好ま
しく用いられるが、組成物の特性に応じて、紫外線、遠
紫外線、X線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン
放射線、プロトンビームなどの各種放射線を選択し、用
いることができる。Then, the composition of the present invention prepared as a composition solution is applied to a substrate such as a silicon wafer or a wafer covered with aluminum by a coating method such as spin coating, cast coating or roll coating. Then, a radiation-sensitive resin layer is formed, exposed partially, and developed with a developing solution to form a resist pattern. As the radiation used at this time, ultraviolet rays such as i-rays are preferably used, but depending on the characteristics of the composition, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, electron beams, molecular beams, γ rays, synchrotron radiation, Various kinds of radiation such as a proton beam can be selected and used.
【0106】本発明においては、組成物を基板上に塗布
し、予備焼成および露光を行った後、70〜140℃で
加熱処理する操作(以下、「露光後焼成」という。)を
行い、その後に現像することによって、本発明の効果を
さらに向上させることができる。In the present invention, the composition is coated on a substrate, prebaked and exposed, and then heat-treated at 70 to 140 ° C. (hereinafter referred to as “post-exposure baking”), and thereafter. The effect of the present invention can be further improved by developing the film.
【0107】本発明の組成物の現像液としては、例えば
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、
エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、
ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジ
エチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロ
ール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ−[5.4.
0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4.
3.0]−5−ノネンなどのアルカリ性化合物を、濃度
が、通常、1〜10重量%、好ましくは2〜5重量%と
なるように溶解したアルカリ性水溶液が使用される。Examples of the developer for the composition of the present invention include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate,
Sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia,
Ethylamine, n-propylamine, diethylamine,
Di-n-propylamine, triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide,
Tetraethylammonium hydroxide, choline, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo- [5.4.
0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo- [4.
An alkaline aqueous solution in which an alkaline compound such as 3.0] -5-nonene is dissolved so that the concentration is usually 1 to 10% by weight, preferably 2 to 5% by weight is used.
【0108】また、前記現像液には、水溶性有機溶媒、
例えばメタノール、エタノールなどのアルコール類や界
面活性剤を適量添加することもできる。なお、このよう
なアルカリ性水溶液からなる現像液を使用した場合に
は、一般に、現像後、水で洗浄する。The developing solution contains a water-soluble organic solvent,
For example, alcohols such as methanol and ethanol and a surfactant can be added in appropriate amounts. When a developer containing such an alkaline aqueous solution is used, it is generally washed with water after development.
【0109】[0109]
【実施例】以下、実施例および比較例により本発明をさ
らに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、これらの実施例になんら制約されるものではない。
ここで、Mwの測定および各レジストの評価は、以下の
方法により行った。The present invention will be described in more detail with reference to the following examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples as long as the gist thereof is not exceeded.
Here, measurement of Mw and evaluation of each resist were performed by the following methods.
【0110】Mw:東ソー(株)製GPCカラム(G2
000HXL 2本、G3000HXL 1本、G4000H
XL 1本)を用い、流量1.0ml/分、溶出溶媒テトラ
ヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散
ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマ
トグラフ法により測定した。Mw: GPC column (G2 manufactured by Tosoh Corporation)
000H XL 2 Pieces, G3000H XL 1 Piece, G4000H
XL 1 piece), the flow rate was 1.0 ml / min, the elution solvent was tetrahydrofuran, and the column temperature was 40 ° C.
【0111】感度:(株)ニコン製 NSR−2005
i9C縮小投影露光機(レンズの開口数;0.57)を
用い、露光時間を変化させて、波長365nmのi線に
より露光したのち、2.4重量%テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液により、25℃で60秒間現像
し、水洗し、乾燥してウェハー上にポジ型レジストパタ
ーンを形成した。その際、線幅0.35μmのライン・
アンド・スペースパターン(1L1S)を1対1の幅に
形成する露光時間(以下、「最適露光時間」という。)
を感度とした。Sensitivity: NSR-2005 manufactured by Nikon Corporation
Using an i9C reduction projection exposure machine (numerical aperture of lens: 0.57), the exposure time was changed, and exposure was performed with i-line having a wavelength of 365 nm, and then 25 ° C. with a 2.4 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Developed for 60 seconds, washed with water, and dried to form a positive resist pattern on the wafer. At that time, a line with a line width of 0.35 μm
Exposure time for forming an and space pattern (1L1S) in a width of 1: 1 (hereinafter referred to as "optimum exposure time")
Was taken as the sensitivity.
【0112】解像度:最適露光時間で露光した時に解像
されている最小のレジストパターンの寸法を解像度とし
た。Resolution: The dimension of the smallest resist pattern resolved when exposed for the optimum exposure time was taken as the resolution.
【0113】フォーカス許容性:線幅0.35μmのラ
イン・アンド・スペースパターン(1L1S)を走査型
電子顕微鏡を用いて観察し、解像されるパターン寸法が
マスクの設計寸法の±10%以内であり、かつレジスト
パターンの現像前の膜の厚さに対する現像後の膜の厚さ
の割合(以下、「残膜率」という。)が90%以上であ
る場合のフォーカスの振れ幅(フォーカスレンジ)によ
り、フォーカス許容性を評価した。フォーカスレンジが
大きいほど、フォーカス許容性が良好であることを示し
ている。Focus tolerance: A line-and-space pattern (1L1S) having a line width of 0.35 μm is observed with a scanning electron microscope, and the resolved pattern dimension is within ± 10% of the mask design dimension. If there is, and the ratio of the thickness of the film after development to the thickness of the film before development of the resist pattern (hereinafter referred to as "residual film ratio") is 90% or more, the focus swing range (focus range) The focus tolerance was evaluated by. The larger the focus range, the better the focus tolerance.
【0114】ノボラック樹脂(A)の製造 合成例1 オートクレーブに m−クレゾール 60.6g(0.56モル) 2,3,5−トリメチルフェノール 19.1g(0.14モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 51.1g(ホルムアルデヒド 0.63モル) シュウ酸2水和物 4.41g(0.035モル) 水 57.5g および ジオキサン 269g を仕込んだ後、オートクレーブを油浴に浸し、反応液の
温度を130℃に保持して攪拌しながら6時間重縮合を
行った。次いで、反応液を室温まで冷却した後、内容物
をビーカーに移して放置し、2層に分離した下層を取り
出し、濃縮し、脱水し、乾燥してノボラック樹脂(A)
を回収した。この樹脂(Mw=8,800)を、ノボラ
ック樹脂(A1)とする。 Production of Novolac Resin (A) Synthesis Example 1 m-cresol 60.6 g (0.56 mol) 2,3,5-trimethylphenol 19.1 g (0.14 mol) 37 wt% formaldehyde aqueous solution 51 in autoclave 0.1g (formaldehyde 0.63mol) Oxalic acid dihydrate 4.41g (0.035mol) Water 57.5g and dioxane 269g were charged, then the autoclave was immersed in an oil bath and the temperature of the reaction solution was 130 ° C. While maintaining the temperature at 60 ° C., polycondensation was performed for 6 hours while stirring. Then, after cooling the reaction solution to room temperature, the contents were transferred to a beaker and left to stand, the lower layer separated into two layers was taken out, concentrated, dehydrated and dried to obtain the novolac resin (A).
Was recovered. This resin (Mw = 8,800) is referred to as novolac resin (A1).
【0115】合成例2 オートクレーブに m−クレゾール 53.0g(0.49モル) 2,3−キシレノール 17.1g(0.14モル) 2,3,5−トリメチルフェノール 9.53g(0.07モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 49.7g(ホルムアルデヒド 0.61モル) シュウ酸2水和物 4.41g(0.035モル) 水 58.3g および ジオキサン 369g を仕込んで、8時間重縮合を行った以外は、合成例1と
同様に処理して、ノボラック樹脂(A)を回収した。こ
の樹脂(Mw=8,400)をノボラック樹脂(A2)
とする。Synthesis Example 2 m-Cresol 53.0 g (0.49 mol) 2,3-xylenol 17.1 g (0.14 mol) 2,3,5-trimethylphenol 9.53 g (0.07 mol) in an autoclave ) 37% by weight aqueous formaldehyde solution 49.7 g (formaldehyde 0.61 mol) oxalic acid dihydrate 4.41 g (0.035 mol) Water 58.3 g and dioxane 369 g were charged, and polycondensation was carried out for 8 hours. Was treated in the same manner as in Synthesis Example 1 to recover the novolak resin (A). This resin (Mw = 8,400) is a novolac resin (A2)
And
【0116】合成例3 オートクレーブに m−クレゾール 53.0g(0.56モル) 2,3−キシレノール 12.8g(0.105モル) 3,4−キシレノール 4.28g(0.035モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 48.7g(ホルムアルデヒド 0.60モル) シュウ酸2水和物 4.41g(0.035モル) 水 48.0g および ジオキサン 237g を仕込んで、8時間重縮合を行った以外は、合成例1と
同様に処理して、ノボラック樹脂(A)を回収した。こ
の樹脂(Mw=8,100)をノボラック樹脂(A3)
とする。Synthesis Example 3 m-cresol 53.0 g (0.56 mol) 2,3-xylenol 12.8 g (0.105 mol) 3,4-xylenol 4.28 g (0.035 mol) 37 wt% in autoclave % Aqueous formaldehyde solution 48.7 g (formaldehyde 0.60 mol) Oxalic acid dihydrate 4.41 g (0.035 mol) Water 48.0 g and dioxane 237 g were charged, and polycondensation was carried out for 8 hours. The novolak resin (A) was recovered in the same manner as in Example 1. This resin (Mw = 8,100) is a novolac resin (A3)
And
【0117】合成例4 攪拌機、冷却管および温度計を装着したフラスコに、 m−クレゾール 103.8g(0.96モル) 2,3−キシレノール 3.67g(0.03モル) 3,4−キシレノール 3.67g(0.03モル) ホルムアルデヒド40重量%ブタノール溶液(ブチルヘミホルマール) 101.4g(ホルムアルデヒド 1.35モル) および シュウ酸2水和物 945mg(0.0075モル) を仕込んだ後、フラスコを油浴中に侵し、反応液の濃度
を100℃に保持し、攪拌下、30分間重縮合を行っ
た。次いで、 m−クレゾール 26.0g(0.24モル) 2,3−キシレノール 14.7g(0.12モル) および 3,4−キシレノール 14.7g(0.12モル) を加えてさらに100分間重縮合を行った。次いで油浴
の温度を180℃まで上げ、同時にフラスコ内の圧力を
30〜50mmHgまで減圧して、揮発分を除去し、溶
融しているノボラック樹脂(A)を室温まで冷却して回
収した。この樹脂(Mw=5,700)を、ノボラック
樹脂(A4)とする。Synthesis Example 4 A flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer was charged with m-cresol 103.8 g (0.96 mol) 2,3-xylenol 3.67 g (0.03 mol) 3,4-xylenol. 3.67 g (0.03 mol) Formaldehyde 40 wt% butanol solution (butyl hemiformal) 101.4 g (formaldehyde 1.35 mol) and oxalic acid dihydrate 945 mg (0.0075 mol) were charged, and then the flask was charged. Was immersed in an oil bath, the concentration of the reaction solution was maintained at 100 ° C., and polycondensation was performed for 30 minutes while stirring. Then, 26.0 g (0.24 mol) of m-cresol, 14.7 g (0.12 mol) of 2,3-xylenol and 14.7 g (0.12 mol) of 3,4-xylenol were added and the mixture was further added for 100 minutes. Condensation was performed. Next, the temperature of the oil bath was raised to 180 ° C., and at the same time, the pressure inside the flask was reduced to 30 to 50 mmHg to remove volatile components, and the molten novolac resin (A) was cooled to room temperature and recovered. This resin (Mw = 5,700) is referred to as novolac resin (A4).
【0118】合成例5 ノボラック樹脂(A4)を酢酸エチルに樹脂成分が30
重量%になるように溶解した後、この溶液の重量の0.
65倍量のメタノールと0.75倍量の水を加えて、攪
拌後放置した。次いで、2層に分離した下層を取り出
し、濃縮し、乾燥してノボラック樹脂(A)を回収し
た。この樹脂(Mw=8,000)を、ノボラック樹脂
(A5)とする。Synthesis Example 5 The novolak resin (A4) was mixed with ethyl acetate to give a resin component of 30.
After the solution was dissolved to give a weight percentage of 0.
65 times the amount of methanol and 0.75 times the amount of water were added, and the mixture was left standing after stirring. Next, the lower layer separated into two layers was taken out, concentrated and dried to recover the novolac resin (A). This resin (Mw = 8,000) is referred to as a novolac resin (A5).
【0119】化合物(B)の合成 合成例6 合成例4で用いたものと同様のフラスコに、 1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−{4−[1−(4−ヒドロキシ フェニル)−(1−メチル)エチル]}フエニルエタン(前記式(7)に相当) 42.5g(0.1モル) 10重量%水酸化ナトリウム水溶液 132g (水酸化ナトリウム0.33モル) を仕込み、攪拌下で溶解させた。次いで、フラスコを氷浴中に浸し、37重量% ホルムアルデヒド水溶液 53.6g (ホルムアルデヒド0.66モル) を、反応液の温度が5℃を超えないように、滴下ロート
を用いて徐々に滴下した。滴下終了後、HPLCで反応
を追跡し、反応が完結するまで室温で攪拌した。反応終
了後、フラスコを氷浴中に浸し、50重量%酢酸水溶液
42.0g(酢酸0.35モル)を、反応液の温度が5℃
を越えないように滴下ロートを用いて徐々に滴下し、生
成物を析出させた。次いで、室温に戻して反応液を、攪
拌下で水2リットル中に投入した後、析出物をろ別し、
さらに、大量の水で中性になるまでこの析出物を洗浄し
て取り出し、これを40℃に保持した真空乾燥機内で一
昼夜乾燥して化合物を得た。これを、化合物(D1)と
する。 Synthesis of Compound (B) Synthesis Example 6 In a flask similar to that used in Synthesis Example 4, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1- {4- [1- (4-hydroxyphenyl) )-(1-Methyl) ethyl]} phenylethane (corresponding to formula (7) above) 42.5 g (0.1 mol) 10 wt% aqueous sodium hydroxide solution 132 g (sodium hydroxide 0.33 mol) were charged and stirred. Dissolved below. Then, the flask was immersed in an ice bath, and 53.6 g of a 37% by weight aqueous formaldehyde solution (0.66 mol of formaldehyde) was gradually added dropwise using a dropping funnel so that the temperature of the reaction solution did not exceed 5 ° C. After completion of the dropwise addition, the reaction was monitored by HPLC and stirred at room temperature until the reaction was completed. After completion of the reaction, the flask was immersed in an ice bath, and 42.0 g of a 50 wt% aqueous acetic acid solution (0.35 mol of acetic acid) was added to the reaction solution at a temperature of 5 ° C.
The mixture was gradually added dropwise using a dropping funnel so as not to exceed the range, to precipitate the product. Then, after returning to room temperature and adding the reaction solution to 2 liters of water with stirring, the precipitate was filtered off,
Further, this precipitate was washed out with a large amount of water until it became neutral, and was taken out and dried overnight in a vacuum dryer kept at 40 ° C. to obtain a compound. This is designated as compound (D1).
【0120】合成例7 合成例4で用いたものと同様のフラスコに、 化合物(D1) 30.2g(0.05モル) フェノール 47.1g(0.5モル) および メチルイソブチルケトン 232g を仕込み、攪拌下で溶解させた。次いで、フラスコを水
浴中に浸し、 p−トルエンスルホン酸 0.143g(7.5×10-4モル) および メチルイソブチルケトン 1.29g を反応液の温度が50℃を越えないように、徐々に滴下
した。滴下後、湯浴上で、反応液を50℃まで昇温し、
攪拌下3時間重縮合させた。次いで、反応液を室温まで
冷却し、攪拌下でメチルイソブチルケトン200gをフ
ラスコに投入し、反応液を分液ロートに移し、水層が中
性になるまで水洗を繰り返した。その後、有機層を攪拌
機および冷却管を備えたフラスコに入れて、昇温すると
同時に減圧下で揮発分を除去し、化合物(B')を得
た。これを、化合物(B'1)とする。Synthesis Example 7 A flask similar to that used in Synthesis Example 4 was charged with 30.2 g (0.05 mol) of compound (D1), 47.1 g (0.5 mol) of phenol and 232 g of methyl isobutyl ketone. It was dissolved under stirring. Then, the flask was immersed in a water bath, and 0.143 g (7.5 × 10 −4 mol) of p-toluenesulfonic acid and 1.29 g of methyl isobutyl ketone were gradually added thereto so that the temperature of the reaction solution did not exceed 50 ° C. Dropped. After the dropping, the reaction solution is heated to 50 ° C on a hot water bath,
Polycondensation was carried out for 3 hours with stirring. Then, the reaction solution was cooled to room temperature, 200 g of methyl isobutyl ketone was put into the flask under stirring, the reaction solution was transferred to a separating funnel, and washing with water was repeated until the aqueous layer became neutral. Then, the organic layer was placed in a flask equipped with a stirrer and a cooling tube, the temperature was raised, and at the same time, volatile components were removed under reduced pressure to obtain a compound (B ′). This is designated as compound (B′1).
【0121】合成例8 化合物(B'1) 53.1g(0.05モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 48.4g(0.18モル) および ジオキサン 330g を仕込み、攪拌下で溶解させた。次いで、フラスコを3
0℃に保持した水浴中に浸し、反応液の温度が30℃で
一定になった時点で、 トリエチルアミン 19.2g(0.19モル) を反応液の温度が35℃を越えないように、滴下ロート
を用いて徐々に滴下した。次いで生成したトリエチルア
ミン塩酸塩をろ別し、ろ液を大量の希塩酸中に注いで生
成物を析出させた。この析出物をろ過した後、40℃に
保持した真空乾燥機内で一昼夜乾燥してキノンジアジド
スルホニル基を有する化合物(B)を得た。これを、化
合物(B1)とする。Synthesis Example 8 53.1 g (0.05 mol) of the compound (B'1), 48.4 g (0.18 mol) of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride and 330 g of dioxane were charged, and the mixture was stirred. Dissolved in. Then add 3 flasks
Immerse it in a water bath maintained at 0 ° C, and when the temperature of the reaction solution becomes constant at 30 ° C, add 19.2 g (0.19 mol) of triethylamine dropwise so that the temperature of the reaction solution does not exceed 35 ° C. It was gradually added dropwise using a funnel. Then, the produced triethylamine hydrochloride was filtered off, and the filtrate was poured into a large amount of dilute hydrochloric acid to precipitate the product. After filtering this deposit, it was dried for one day in a vacuum dryer kept at 40 ° C. to obtain a compound (B) having a quinonediazidesulfonyl group. This is designated as compound (B1).
【0122】合成例9 合成例4で用いたものと同様のフラスコに、 1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン(式(8)に相当) 29.2g(0.1モル) 10重量%水酸化ナトリウム水溶液 132g (水酸化ナトリウム0.33モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 53.6g (ホルムアルデヒド0.66モル) および 50重量%酢酸水溶液 42.0g(酢酸0.35モル) を使用した以外は、合成例6と同様に 処理して、化合
物(D)を得た。これを、化合物(D2)とする。Synthetic Example 9 In a flask similar to that used in Synthetic Example 4, 19.2 g (0.1 mol) of 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) methane (corresponding to formula (8)) was added. 132 g of 10% by weight sodium hydroxide aqueous solution (0.33 mol of sodium hydroxide) 53.6 g of 37% by weight aqueous formaldehyde solution (0.66 mol of formaldehyde) and 42.0 g of 50% by weight aqueous acetic acid solution (0.35 mol of acetic acid) were used. Compound (D) was obtained by the same procedure as in Synthesis Example 6 except for the above. This is designated as compound (D2).
【0123】合成例10 合成例4で用いたものと同様のフラスコに、 化合物(D2) 19.0g(0.05モル) 2,6−キシレノール 61.1g(0.5モル) メチルイソブチルケトン 240g p−トルエンスルホン酸 0.143g(7.5×10-4モル) および メチルイソブチルケトン 1.29g を仕込み、4.5時間重縮合を行った以外は、合成例6
と同様に処理して、化合物(B')を得た。これを、化
合物(B'2)とする。Synthesis Example 10 A flask similar to that used in Synthesis Example 4 was charged with Compound (D2) 19.0 g (0.05 mol) 2,6-xylenol 61.1 g (0.5 mol) methyl isobutyl ketone 240 g. Synthesis Example 6 except that 0.143 g (7.5 × 10 −4 mol) of p-toluenesulfonic acid and 1.29 g of methyl isobutyl ketone were charged and polycondensation was performed for 4.5 hours.
Compound (B ′) was obtained by the same treatment as described above. This is designated as compound (B′2).
【0124】合成例11 化合物(B'2) 54.9g(0.05モル) 1,1,1−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリド 60.5g(0.225モル) ジオキサン 380g および トリエチルアミン 23.3g(0.23モル) を使用した以外は、合成例6と同様に処理して、キノン
ジアジドスルホニル基を有する化合物(B)を得た。こ
れを化合物(B2)とする。Synthesis Example 11 Compound (B′2) 54.9 g (0.05 mol) 1,1,1-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride 60.5 g (0.225 mol) dioxane 380 g and triethylamine 23. A compound (B) having a quinonediazidesulfonyl group was obtained by the same procedure as in Synthesis Example 6 except that 3 g (0.23 mol) was used. This is designated as compound (B2).
【0125】合成例12 合成例4で用いたものと同様のフラスコに、 1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン(前記式(8)に相当) 30.6g(0.1モル) 10重量%水酸化ナトリウム水溶液 132g (水酸化ナトリウム0.33モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 53.6g (ホルムアルデヒド0.66モル) および 50重量%酢酸水溶液 42.0g(酢酸0.35モル) を使用した以外は、合成例6と同様に処理して、化合物
(D)を得た。これを、化合物(D3)とする。Synthesis Example 12 In a flask similar to that used in Synthesis Example 4, 10.6 g (0.1 mol) of 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane (corresponding to the above formula (8)) was added. ) 10 wt% aqueous sodium hydroxide solution 132 g (sodium hydroxide 0.33 mol) 37 wt% formaldehyde aqueous solution 53.6 g (formaldehyde 0.66 mol) and 50 wt% acetic acid aqueous solution 42.0 g (acetic acid 0.35 mol) were added. Compound (D) was obtained by the same treatment as in Synthesis Example 6 except that the compound (D) was used. This is designated as compound (D3).
【0126】合成例13 合成例4で用いたものと同様のフラスコに、 化合物(D3) 22.1g(0.05モル) o−クレゾール 54.1g(0.5モル) メチルイソブチルケトン 228g p−トルエンスルホン酸 0.143g(7.5×10-4モル) および メチルイソブチルケトン 1.29g を仕込み、4時間重縮合を行った以外は、合成例6と同
様に処理して、化合物(B')を得た。これを、化合物
(B’3)とする。Synthesis Example 13 In a flask similar to that used in Synthesis Example 4, compound (D3) 22.1 g (0.05 mol) o-cresol 54.1 g (0.5 mol) methyl isobutyl ketone 228 g p- Compound (B ′) was treated in the same manner as in Synthesis Example 6 except that 0.143 g (7.5 × 10 −4 mol) of toluenesulfonic acid and 1.29 g of methyl isobutyl ketone were charged and polycondensation was performed for 4 hours. ) Got. This is designated as compound (B′3).
【0127】合成例14 化合物(B'3) 51.4g(0.05モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド 60.5g(0.225モル) ジオキサン 369g および トリエチルアミン 23.3g(0.23モル) を使用した以外は、合成例6と同様に処理して、キノン
ジアジドスルホニル基を有する化合物(B)を得た。こ
れを、化合物(B3)とする。Synthesis Example 14 Compound (B'3) 51.4 g (0.05 mol) 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride 60.5 g (0.225 mol) dioxane 369 g and triethylamine 23.3 g ( Compound (B) having a quinonediazidesulfonyl group was obtained by the same treatment as in Synthesis Example 6 except that 0.23 mol) was used. This is designated as compound (B3).
【0128】実施例1〜5、比較例1、2 前記合成例で合成されたノボラック樹脂(A)ならびに
化合物(B)、スルホン酸エステル(b)、化合物
(B')、溶解促進剤および溶剤を混合して、均一溶液
としたのち、孔径0.2μmのメンブランフィルターで
濾過し、表1に示す組成物の溶液を調製した。表1の数
値は重量部である。Examples 1 to 5, Comparative Examples 1 and 2 The novolak resin (A) synthesized in the above Synthesis Example and the compound (B), the sulfonic acid ester (b), the compound (B '), the dissolution accelerator and the solvent. Were mixed to form a uniform solution, which was then filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a solution of the composition shown in Table 1. The numerical values in Table 1 are parts by weight.
【0129】ここで使用したスルホン酸エステル
(b)、化合物(B')、溶解促進剤および溶剤の種類
は、下記の通りである。The types of sulfonic acid ester (b), compound (B '), dissolution promoter and solvent used here are as follows.
【0130】スルホン酸エステル(b) (b1);1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−{4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−(1−
メチル)エチル]}フエニルエタン1モルと1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド2モルの
縮合物 (b2);1,3,3−トリス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ブタン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホニルクロリド2.5モルの縮合物 (b3);1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)ブタン1モルと1,2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホニルクロリド2.5モルの縮
合物 Sulfonic acid ester (b) (b1); 1,1-bis (4-hydroxyphenyl)-
1- {4- [1- (4-hydroxyphenyl)-(1-
Condensation product of 1 mol of methyl) ethyl]} phenylethane and 2 mol of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride (b2); 1 mol of 1,3,3-tris (4-hydroxyphenyl) butane and 1,2- Naphthoquinone diazide-5
-Sulfonyl chloride 2.5 mol condensate (b3); 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-)
Condensation product of 1 mol of hydroxyphenyl) butane and 2.5 mol of 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride
【0131】化合物(B') (B'1);前記式(13)で表される化合物 (B'2);前記式(19)で表される化合物 Compound (B ′) (B′1); Compound represented by the above formula (13) (B′2); Compound represented by the above formula (19)
【0132】溶解促進剤 (e1);1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−フェニルエタン(前記式(25)に相当) (e2);1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−{4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メ
チルエチル]}フェニルエタン(前記式(7)に相当) Dissolution accelerator (e1); 1,1-bis (4-hydroxyphenyl)-
1-phenylethane (corresponding to the above formula (25)) (e2); 1,1-bis (4-hydroxyphenyl)-
1- {4- [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl]} phenylethane (corresponding to formula (7) above)
【0133】溶剤 (α);2−ヒドロキシプロピオン酸エチル (β);3−エトキシプロピオン酸エチル (γ);3−メトキシプロピオン酸メチル Solvent (α); Ethyl 2-hydroxypropionate (β); Ethyl 3-ethoxypropionate (γ); Methyl 3-methoxypropionate
【0134】各組成物の溶液を、シリコンウエハー上に
スピナーを用いて塗布したのち、100℃にて保持した
ホットプレート上で、2分間予備焼成を行って、厚さ
1.1μmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜
に、マスクパターンを介し、前述の如くに波長365n
mのi線により露光したのち、110℃に保持したホッ
トプレート上で、1分間露光後焼成を行った。次いで、
前述の如くに現像し、洗浄し、乾燥して、レジストパタ
ーンを形成し、得られたレジストパターンを基にして、
各レジストの性能評価を行った。表2に評価結果を示
す。A solution of each composition was applied onto a silicon wafer using a spinner, and then prebaked for 2 minutes on a hot plate kept at 100 ° C. to form a resist film having a thickness of 1.1 μm. Formed. As described above, a wavelength of 365n is applied to the resist film through a mask pattern.
After exposure by i-line of m, post-exposure baking was performed for 1 minute on a hot plate kept at 110 ° C. Then
Developing as described above, washing, and drying to form a resist pattern, based on the obtained resist pattern,
The performance of each resist was evaluated. Table 2 shows the evaluation results.
【0135】表2に示すように、実施例1〜5において
は、特にフォーカス許容性に優れるとともに、感度およ
び解像度にも優れ、かつ、現像性、パターン形状、耐熱
性なども良好であった。As shown in Table 2, in Examples 1 to 5, in particular, the focus tolerance was excellent, the sensitivity and the resolution were excellent, and the developability, the pattern shape and the heat resistance were good.
【0136】[0136]
【表1】 [Table 1]
【0137】[0137]
【表2】 [Table 2]
【0138】[0138]
【発明の効果】本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物
は、特にフォーカス許容性に優れるとともに、感度、解
像度、耐熱性およびパターン形状にも優れたものであ
る。従って、本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、
特に、今後さらに高集積化が進むと考えられる集積回路
製造用ポジ型レジストとして極めて有用である。The positive-working radiation-sensitive resin composition of the present invention is particularly excellent in focus tolerance as well as in sensitivity, resolution, heat resistance and pattern shape. Therefore, the positive-type radiation-sensitive resin composition of the present invention,
In particular, it is extremely useful as a positive resist for manufacturing integrated circuits, which is expected to have higher integration in the future.
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成5年9月13日[Submission date] September 13, 1993
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0035[Correction target item name] 0035
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0035】[0035]
【化6】 [Chemical 6]
【手続補正2】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0068[Correction target item name] 0068
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0068】化合物(B’)の具体例としては、下記式
(13)〜(24)が挙げられる。Specific examples of the compound (B ') include the following formulas (13) to (24).
【手続補正3】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0069[Correction target item name] 0069
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0069】[0069]
【化11】 [Chemical 11]
【手続補正4】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0070[Name of item to be corrected] 0070
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0070】[0070]
【化12】 [Chemical 12]
【手続補正5】[Procedure Amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0071[Correction target item name] 0071
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0071】[0071]
【化13】 [Chemical 13]
【手続補正6】[Procedure correction 6]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0072[Name of item to be corrected] 0072
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0072】[0072]
【化14】 [Chemical 14]
【手続補正7】[Procedure Amendment 7]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0073[Correction target item name] 0073
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0073】[0073]
【化15】 [Chemical 15]
【手続補正8】[Procedure Amendment 8]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0074[Correction target item name] 0074
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0074】[0074]
【化16】 [Chemical 16]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 昭 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Akira Tsuji 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.
Claims (1)
物を含むポジ型感放射線性樹脂組成物であって、アルカ
リ可溶性ノボラック樹脂(A)、ならびに下記式(1)
および下記式(2) 【化1】 [式(1)および式(2)のQは下記式(3) 【化2】 で表わされる1価の基であり;式(1)、式(2)およ
び式(3)において、Dは水素原子またはキノンジアジ
ドスルホニル基を示し、複数存在するDは同一であって
も異なっていてもよく;R1は炭素数1〜10のアルキ
ル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数1〜
8のアルコキシ基、炭素数7〜15のアラルキルオキシ
基、炭素数1〜7のアシル基、炭素数6〜14のアリー
ル基、炭素数7〜18のアラルキル基、炭素数6〜10
のアリールオキシ基または炭素数2〜10のアルコキシ
カルボニル基を示し、R1が式(1)または式(2)の
なかに複数存在する場合は相互に同一であっても異なっ
ていてもよく;R2は炭素数1〜6のアルキル基、炭素
数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜14のアリ
ール基または炭素数7〜18のアラルキル基を示し、R
2が式(1)または式(2)のなかに複数存在する場合
は相互に同一であっても異なっていてもよく;R3〜R6
は相互に同一であっても異なっていてもよく、水素原
子、ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数
3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜14のアリー
ル基または炭素数7〜18のアラルキル基を示し;R7
〜R9は相互に同一であっても異なっていてもよく、水
素原子、炭素数1〜6のアルキル基、または炭素数3〜
10のシクロアルキル基を示し;R10およびR11は相互
に同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素
数1〜6のアルキル基または炭素数3〜10のシクロア
ルキル基を示し;R12は水素原子、炭素数1〜6のアル
キル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6
〜14のアリール基または炭素数7〜18のアラルキル
基を示し;aは1〜3の整数、bは0〜3の整数であ
り、しかもa+b≦5を満し、cは1〜3の整数、dは
0〜2の整数であり、しかもc+d≦3を満たす。]で
表わされる化合物群から選択される少なくとも1種の化
合物(B)を含有することを特徴とするポジ型感放射線
性樹脂組成物。1. A positive-type radiation-sensitive resin composition containing a compound having a quinonediazidesulfonyl group, which comprises an alkali-soluble novolak resin (A) and the following formula (1):
And the following formula (2) [Q in the formulas (1) and (2) is represented by the following formula (3): In formula (1), formula (2) and formula (3), D represents a hydrogen atom or a quinonediazidesulfonyl group, and a plurality of D may be the same or different. R 1 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, or 1 to 1 carbon atoms.
8 alkoxy group, aralkyloxy group having 7 to 15 carbon atoms, acyl group having 1 to 7 carbon atoms, aryl group having 6 to 14 carbon atoms, aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms, and 6 to 10 carbon atoms
It indicates an aryl group or an alkoxycarbonyl group having 2 to 10 carbon atoms, if R 1 there are a plurality Some of formula (1) or (2) may be different even mutually identical; R 2 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms;
When a plurality of 2 are present in the formula (1) or the formula (2), they may be the same or different from each other; R 3 to R 6
May be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, or a carbon number. 7 to 18 aralkyl groups are shown; R 7
To R 9 may be the same as or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or 3 to 3 carbon atoms.
10 represents a cycloalkyl group; R 10 and R 11 may be the same or different from each other and represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. R 12 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, or 6 carbon atoms.
To an aryl group having 14 to 14 or an aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms; a is an integer of 1 to 3, b is an integer of 0 to 3, and a + b ≦ 5 is satisfied, and c is an integer of 1 to 3. , D are integers of 0 to 2 and satisfy c + d ≦ 3. ] The positive type radiation sensitive resin composition containing at least 1 sort (s) of compound (B) selected from the compound group represented by these.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13498093A JPH06348006A (en) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | Positive radiation sensitive resin composition |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP13498093A JPH06348006A (en) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | Positive radiation sensitive resin composition |
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JPH06348006A true JPH06348006A (en) | 1994-12-22 |
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JP13498093A Withdrawn JPH06348006A (en) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | Positive radiation sensitive resin composition |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06348006A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005008626A (en) * | 2003-05-22 | 2005-01-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Naphthoquinonediazidosulfonic acid ester, positive-type photosensitive resin composition given by using the same, semiconductor device, and display element |
WO2012141165A1 (en) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | Dic株式会社 | Positive photoresist composition, coating film thereof, and novolac phenol resin |
WO2017179385A1 (en) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Dic株式会社 | Novolak type resin and resist material |
-
1993
- 1993-06-04 JP JP13498093A patent/JPH06348006A/en not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4517723B2 (en) * | 2003-05-22 | 2010-08-04 | 住友ベークライト株式会社 | Naphthoquinonediazide sulfonic acid ester, positive photosensitive resin composition using the same, semiconductor device and display element |
WO2012141165A1 (en) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | Dic株式会社 | Positive photoresist composition, coating film thereof, and novolac phenol resin |
JP5152447B2 (en) * | 2011-04-12 | 2013-02-27 | Dic株式会社 | Positive type photoresist composition, coating film thereof and novolac type phenol resin |
US8846297B2 (en) | 2011-04-12 | 2014-09-30 | Dic Corporation | Positive photoresist composition, coating film thereof, and novolac phenol resin |
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