JPH06333990A - Device and method for manufacturing semiconductor package - Google Patents

Device and method for manufacturing semiconductor package

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JPH06333990A
JPH06333990A JP12581193A JP12581193A JPH06333990A JP H06333990 A JPH06333990 A JP H06333990A JP 12581193 A JP12581193 A JP 12581193A JP 12581193 A JP12581193 A JP 12581193A JP H06333990 A JPH06333990 A JP H06333990A
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JP
Japan
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substrate
tab
tab component
semiconductor element
outer lead
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Pending
Application number
JP12581193A
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Japanese (ja)
Inventor
Noriyasu Kashima
規安 加島
Tetsuo Ando
鉄男 安藤
Koichiro Atsumi
幸一郎 渥美
Taizo Tomioka
泰造 冨岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides

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Abstract

PURPOSE:To provide a device and method for manufacturing a semiconductor package, which can mount TAB parts accurately and favorably on a ceramic substrate, and can manufacture a favorable semiconductor package. CONSTITUTION:This device is equipped with a TAB parts supply line 21, which strikes a TAB part from a film carrier 24 and also form an outer lead, and a ceramic substrate supply line 22, which supplies a ceramic substrate. And, after a solder sheet feeder 45 supplies a solder sheet onto a substrate, this device transfers a TAB component onto this solder sheet, and an outer lead bonder 46 junctions outer leads and wiring patterns provided on the substrate individually one set by one set, and also a soldering device 47 fuses the solder sheet in oxidation preventive atmosphere so as to fix the TAB component to the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、ＴＡＢ（Tape Autom
eted Bonding）の技術を利用した半導体装置の製造装置
に関し、特に、セラミック半導体パッケ−ジの製造装置
および方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a TAB (Tape Autom
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus using an eted bonding technique, and more particularly to a ceramic semiconductor package manufacturing apparatus and method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体パッケ−ジには、セラミックパッ
ケ−ジと称される種類のものがある。このセラミックパ
ッケ−ジは、あらかじめ配線が施されてなるセラミック
製の基板を用い、このセラミック基板に半導体素子を搭
載して製造されるパッケ−ジである。2. Description of the Related Art Semiconductor packages include a type called a ceramic package. This ceramic package is a package that is manufactured by using a ceramic substrate on which wiring is provided in advance and mounting a semiconductor element on the ceramic substrate.

【０００３】セラミックパッケ−ジは、プラスチックパ
ッケ−ジと比較して気密封止が可能でかつ比較的容易に
低熱抵抗化が図れるといった利点を有するため、ＵＬＳ
Ｉの分野でその必要性が高まっている。The ceramic package has the advantages that it can be hermetically sealed and that the thermal resistance can be relatively easily achieved, as compared with the plastic package.
The need is increasing in the field of I.

【０００４】また、上記セラミックパッケ−ジとして、
上記半導体素子と上記セラミック基板との接続にＴＡＢ
（Tape Automated Bonding ）の技術を応用し、さらな
る高密度化を図ったものがある。As the above-mentioned ceramic package,
TAB is used to connect the semiconductor element and the ceramic substrate.
There are some that have applied the technology of (Tape Automated Bonding) to achieve higher density.

【０００５】以下、図７を参照して、ＴＡＢの技術を用
いたセラミックパッケ−ジの製造工程を概説する。図
（ａ）中１は、セラミック基板である。このセラミック
基板１は、矩形平板状に成形されたもので、上面の中央
部には、図示しない配線パタ−ンが設けられている。ま
た、このセラミック基板１の外縁部には、この配線パタ
−ンに接続された外部端子としてのピン２…が複数本立
設されている。The manufacturing process of the ceramic package using the TAB technique will be outlined below with reference to FIG. Reference numeral 1 in the figure (a) is a ceramic substrate. The ceramic substrate 1 is formed into a rectangular flat plate shape, and a wiring pattern (not shown) is provided at the center of the upper surface. Further, a plurality of pins 2 ... As external terminals connected to the wiring pattern are provided upright on the outer edge of the ceramic substrate 1.

【０００６】一方、同図中３はＴＡＢ部品である。この
ＴＡＢ部品３は、長尺なるフィルムキャリア４に設けら
れたインナ−リ−ド５に半導体素子６をボンディング
（インナ−リ−ドボンディング）した後、上記フィルム
キャリア４を上記アウタリ−ド７の外側部分で切断し、
このアウタリ−ド７をガルウイング状にフォ−ミングす
ることで製造されたものである。On the other hand, 3 in the figure is a TAB component. In this TAB component 3, after the semiconductor element 6 is bonded (inner lead bonding) to the inner lead 5 provided on the long film carrier 4, the film carrier 4 is attached to the outer lead 7. Cut at the outer part,
The outer lead 7 is manufactured by forming a gull wing.

【０００７】セラミックパッケ−ジの組み立てにおいて
は、このＴＡＢ部品３の半導体素子６を上記セラミック
基板１の中央部に電気的かつ機械的に固定すると共に、
上記アウタリ−ド７を上記セラミック基板１の上面に設
けられた図示しない配線パタ−ンに接続する。In assembling the ceramic package, the semiconductor element 6 of the TAB component 3 is electrically and mechanically fixed to the central portion of the ceramic substrate 1, and
The outer lead 7 is connected to a wiring pattern (not shown) provided on the upper surface of the ceramic substrate 1.

【０００８】このためには、まず、同図に示すように、
上記セラミック基板１の中央部の表面に接着剤としての
銀ペ−スト９を塗布する。ついで、上記ＴＡＢ部品３
を、上記セラミック基板１の上方近傍に位置させる。そ
して、図示しない撮像手段を用いて上記アウタリ−ド７
と上記配線パタ−ンとを撮像し、両者の位置決めを行
う。To this end, first, as shown in FIG.
A silver paste 9 as an adhesive is applied to the surface of the central portion of the ceramic substrate 1. Then, the TAB part 3 above
Are located near the upper part of the ceramic substrate 1. Then, the outer lead 7 is formed by using an image pickup means (not shown).
The wiring pattern and the above wiring pattern are imaged, and both are positioned.

【０００９】ついで、このＴＡＢ部品３を上記セラミッ
ク基板１に装着した後、同図（ｂ）に示すように、ボン
ディングツ−ル１０を用いて、上記アウタリ−ド７を図
示しない配線パタ−ンに加圧、加熱してハンダ付け（ア
ウタリ−ドボンディング）する。なお、図中１１はこの
ボンディングツ−ル１０を所定の温度に加熱し保温する
ヒ−タである。Then, after the TAB component 3 is mounted on the ceramic substrate 1, a bonding tool 10 is used to connect the outer lead 7 to a wiring pattern (not shown) as shown in FIG. And pressurize and heat to solder (outer lead bonding). Reference numeral 11 in the drawing is a heater for heating the bonding tool 10 to a predetermined temperature and keeping it warm.

【００１０】アウタリ−ドボンディングが終了したなら
ば、このセラミック基板１を加熱炉としてのオ−ブンに
挿入し、上記銀ペ−スト９を加熱硬化させる。このこと
で、上記ＴＡＢ部品３は、上記セラミック基板１に電気
的、機械的に固定され、上記セラミックパッケ−ジは完
成する。After the outer lead bonding is completed, the ceramic substrate 1 is inserted into an oven as a heating furnace, and the silver paste 9 is heated and hardened. As a result, the TAB component 3 is electrically and mechanically fixed to the ceramic substrate 1, and the ceramic package is completed.

【００１１】[0011]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のセラ
ミックパッケ−ジの製造方法およびこの製造方法によっ
て製造された半導体パッケ−ジには以下に説明する解決
すべき課題がある。第１に、従来のアウタリ−ドボンデ
ィング装置は、上記セラミック基板１に銀ペ−スト９を
塗布する機構は備えておらず、すでに銀ペ−スト９が塗
布されたセラミック基板１を受けとって、このセラミッ
ク基板１上にＴＡＢ部品３を実装していた。The conventional method of manufacturing a ceramic package and the semiconductor package manufactured by this method have the following problems to be solved. First, the conventional outer bonding apparatus does not have a mechanism for applying the silver paste 9 to the ceramic substrate 1, but receives the ceramic substrate 1 already coated with the silver paste 9, The TAB component 3 was mounted on the ceramic substrate 1.

【００１２】しかし、上記銀ペ−スト９は粘性および粘
着性を有するので、この銀ペ−スト９が塗布されたセラ
ミック基板１の取扱いは困難であるということがあっ
た。また、このセラミック基板１を搬送する最中に銀ペ
−スト９が乾燥・変質し、接着性能が低下し濡れ性が悪
くなるという不都合も考えられる。However, since the silver paste 9 has viscosity and adhesiveness, it has been difficult to handle the ceramic substrate 1 coated with the silver paste 9. Further, it is also possible that the silver paste 9 is dried and deteriorated during the transportation of the ceramic substrate 1, the adhesive performance is deteriorated, and the wettability is deteriorated.

【００１３】第２に、図８に示すように、半導体パッケ
−ジの種類によっては、パッケ−ジの放熱性を向上させ
るために、上記セラミック基板１に放熱部材１５が設け
られる場合がある。このような半導体パッケ−ジでは、
上記半導体素子６で発生した熱は、上記銀ペ−スト９を
介して上記放熱部材１５に伝導することになる。Secondly, as shown in FIG. 8, depending on the type of the semiconductor package, the heat dissipation member 15 may be provided on the ceramic substrate 1 in order to improve the heat dissipation of the package. In such a semiconductor package,
The heat generated in the semiconductor element 6 is conducted to the heat dissipation member 15 via the silver paste 9.

【００１４】しかし、上記銀ペ−スト９を用いて上記半
導体素子６を上記セラミック基板１に固定する場合に
は、この銀ペ−スト９の熱伝導性があまり良くないため
に、十分な放熱性を確保することが困難であった。However, when the semiconductor element 6 is fixed to the ceramic substrate 1 by using the silver paste 9, the heat conductivity of the silver paste 9 is not so good, so that sufficient heat dissipation is achieved. It was difficult to secure the sex.

【００１５】第３に、上記セラミック基板１は、焼結に
より製造された多層のセラミック基板であるために、表
面に「うねり」が生じている場合が多い。このような場
合には、図９に（イ）で示すように、上記アウタリ−ド
７がセラミック基板に接触しなかったり、反対に（ロ）
で示すように、上記アウタリ−ド７の付け根が上記基板
に強く押し付けられるために上記アウタリ−ド７の先端
が浮き上がって十分な位置合わせや接合ができないとい
うことがあった。Thirdly, since the ceramic substrate 1 is a multilayer ceramic substrate manufactured by sintering, "undulation" often occurs on the surface. In such a case, as shown in FIG. 9 (a), the outer lead 7 does not contact the ceramic substrate, or conversely (b).
As shown in (4), since the base of the outer lead 7 is strongly pressed against the substrate, the tip of the outer lead 7 may be lifted up, and sufficient alignment and joining may not be possible.

【００１６】この発明は、以上述べたような事情に鑑み
て成されたもので、ＴＡＢ部品を基板に、より精密かつ
良好に実装することができ、良好な半導体パッケ−ジを
製造することができる半導体パッケ−ジの製造装置およ
び製造方法を提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and allows TAB components to be mounted on a substrate more precisely and satisfactorily, and a good semiconductor package can be manufactured. It is an object of the present invention to provide a semiconductor package manufacturing apparatus and manufacturing method that can be used.

【００１７】[0017]

【課題を解決するための手段】この発明の第１の手段
は、半導体素子がインナ−リ−ドボンディングされてい
るフィルムキャリアを供給するフィルムキャリア供給手
段と、このフィルムキャリアから上記半導体素子を含む
ＴＡＢ部品を打ち抜くと共に、上記ＴＡＢ部品のアウタ
リ−ドを所定の形状にフォ−ミングする打ち抜きフォ−
ミング手段と、表面に電極を有する基板を供給する基板
供給手段と、この基板の表面の上記ＴＡＢ部品の半導体
素子が搭載される位置にハンダ材を供給するハンダ材供
給手段と、上記打ち抜きフォ−ミング手段から上記ＴＡ
Ｂ部品を取り出すと共に、このＴＡＢ部品のアウタリ−
ドと上記基板の電極とを対向させ位置決めするＴＡＢ部
品位置決め手段と、上記ＴＡＢ部品のアウタリ−ドを上
記基板の電極に接合するアウタリ−ドボンディング手段
と、上記基板を加熱することで上記ハンダを溶融させ上
記ＴＡＢ部品の半導体素子を上記基板にハンダ付けする
ハンダ付け手段とを有することを特徴とする半導体パッ
ケ−ジの製造装置である。A first means of the present invention includes a film carrier supplying means for supplying a film carrier to which a semiconductor element is inner-lead bonded, and the semiconductor element from the film carrier. A punching die for punching a TAB component and forming the outer lead of the TAB component into a predetermined shape.
And a punching means, a board supplying means for supplying a board having an electrode on the surface thereof, a solder material supplying means for supplying a solder material to a position on the surface of the board where the semiconductor element of the TAB component is mounted, and the punching die. From the minging means to the TA
While taking out the B part, the outer part of this TAB part
TAB component positioning means for positioning the board and the electrode of the substrate so as to face each other, outer lead bonding means for joining the outer lead of the TAB component to the electrode of the substrate, and the solder by heating the substrate. And a soldering means for melting and soldering the semiconductor element of the TAB component to the substrate, which is an apparatus for manufacturing a semiconductor package.

【００１８】第２の手段は、上記第１の手段において、
上記基板の表面に供給されたハンダ材を溶融させた後、
上記半導体素子を含むＴＡＢ部品を上記基板に対して押
圧する押圧手段を有することを特徴とする半導体パッケ
−ジの製造装置である。The second means is the same as the first means,
After melting the solder material supplied to the surface of the substrate,
An apparatus for manufacturing a semiconductor package, comprising a pressing means for pressing a TAB component including the semiconductor element against the substrate.

【００１９】第３の手段は、半導体素子がインナ−リ−
ドボンディングされているフィルムキャリアを供給する
フィルムキャリア供給手段と、このフィルムキャリアか
ら上記半導体素子を含むＴＡＢ部品を打ち抜くと共に上
記ＴＡＢ部品のアウタリ−ドを所定の形状にフォ−ミン
グする打ち抜きフォ−ミング手段と、表面に電極を有す
る基板を供給する基板供給手段と、この基板の表面の上
記ＴＡＢ部品の半導体素子が搭載される位置に、この半
導体素子と基板とを接合するペ−ストを供給するペ−ス
ト供給手段と、上記打ち抜きフォ−ミング手段から上記
ＴＡＢ部品を取り出すと共に、このＴＡＢ部品のアウタ
リ−ドと上記基板の電極とを対向させ位置決めするＴＡ
Ｂ部品位置決め手段と、上記ＴＡＢ部品のアウタリ−ド
を上記基板の電極に接合するアウタリ−ドボンディング
手段とを有することを特徴とする半導体パッケ−ジの製
造装置である。In the third means, the semiconductor element is an inner layer.
Film carrier supplying means for supplying a film carrier that has been bonded, and punching forming for punching a TAB component including the semiconductor element from the film carrier and forming an outer lead of the TAB component into a predetermined shape. Means, a substrate supply means for supplying a substrate having an electrode on the surface, and a paste for joining the semiconductor element and the substrate to a position on the surface of the substrate where the semiconductor element of the TAB component is mounted. TA for taking out the TAB component from the paste supply means and the punching and forming means, and positioning the outer lead of the TAB component and the electrode of the substrate so as to face each other.
An apparatus for manufacturing a semiconductor package, comprising: B component positioning means and outer lead bonding means for joining the outer lead of the TAB component to the electrode of the substrate.

【００２０】第４の手段は、表面に電極が形成された基
板に半導体素子を含むＴＡＢ部品を実装することで半導
体パッケ−ジを製造する半導体パッケ−ジの製造装置に
おいて、上記基板に設けられた電極と上記ＴＡＢ部品に
設けられたアウタリ−ドとを一組ずつ個別に接合するこ
とができるアウタリ−ドボンディングツ−ルを具備する
ことを特徴とする半導体パッケ−ジの製造装置である。A fourth means is provided in the above-mentioned substrate in a semiconductor package manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor package by mounting a TAB component including a semiconductor element on a substrate having electrodes formed on its surface. An apparatus for manufacturing a semiconductor package is provided with an outer lead bonding tool capable of individually joining a pair of electrodes and an outer lead provided on the TAB component.

【００２１】第５の手段は、表面に電極が形成された基
板に半導体素子を含むＴＡＢ部品を実装することで半導
体パッケ−ジを製造する半導体パッケ−ジの製造方法に
おいて、基板の表面の上記ＴＡＢ部品の上記半導体素子
が搭載される位置にハンダ材を供給する工程と、上記Ｔ
ＡＢ部品のアウタリ−ドと上記基板の電極とを対向させ
位置決めするＴＡＢ部品位置決め工程と、上記ＴＡＢ部
品のアウタリ−ドと上記基板の電極とを接合するアウタ
リ−ドボンディング工程と、酸化防止雰囲気中で上記ハ
ンダ材を溶融させ、上記ＴＡＢ部品の半導体素子を上記
基板にハンダ付けするハンダ付け工程とを具備すること
を特徴とする半導体パッケ−ジの製造方法である。A fifth means is a semiconductor package manufacturing method for manufacturing a semiconductor package by mounting a TAB component including a semiconductor element on a substrate having electrodes formed on the surface thereof. A step of supplying a solder material to a position where the semiconductor element of the TAB component is mounted,
A TAB component positioning step of positioning the outer lead of the AB component and the electrode of the substrate so as to face each other; an outer bond bonding step of joining the outer lead of the TAB component and the electrode of the substrate; And a soldering step of melting the solder material and soldering the semiconductor element of the TAB component to the substrate.

【００２２】第６の手段は、第５の手段において、基板
に供給されたハンダ材を溶融させた後、半導体素子を含
むＴＡＢ部品を上記基板に押圧する押圧工程を有するこ
とを特徴とする半導体パッケ−ジの製造方法である。A sixth means is the semiconductor device according to the fifth means, further comprising a pressing step of pressing the TAB component including the semiconductor element against the substrate after melting the solder material supplied to the substrate. It is a method of manufacturing a package.

【００２３】第７の手段は、表面に電極が形成された基
板に半導体素子を含むＴＡＢ部品を実装することで半導
体パッケ−ジを製造する半導体パッケ−ジの製造方法に
おいて、上記基板に設けられた電極と上記ＴＡＢ部品に
設けられたアウタリ−ドとを一組ずつ個別に接合する工
程を有することを特徴とする半導体パッケ−ジの製造方
法である。The seventh means is a semiconductor package manufacturing method for manufacturing a semiconductor package by mounting a TAB component including a semiconductor element on a substrate having electrodes formed on the surface thereof. The method of manufacturing a semiconductor package is characterized by including the step of individually joining the electrodes and the outer leads provided on the TAB components one by one.

【００２４】第８の手段は、フィルムキャリアから半導
体素子を含むＴＡＢ部品を打ち抜くと共にこのＴＡＢ部
品のアウタリ−ドを基板の電極に相対的に位置決めし、
このＴＡＢ部品のアウタリ−ドと上記基板の電極とを接
合することで半導体パッケ−ジを製造する半導体パッケ
−ジの製造方法において、上記ＴＡＢ部品のアウタリ−
ドと先端部を上記基板に対して平行な状態から所定角度
傾斜するようにフォ−ミングすることを特徴とする半導
体パッケ−ジの製造方法である。Eighth means punches a TAB part including a semiconductor element from a film carrier and positions the outer lead of the TAB part relatively to an electrode of a substrate,
In the method of manufacturing a semiconductor package, the outer package of the TAB component is joined to the electrode of the substrate, and the outer package of the TAB component is manufactured.
The method of manufacturing a semiconductor package is characterized in that forming is performed so that the blade and the tip end portion are inclined at a predetermined angle from a state parallel to the substrate.

【００２５】[0025]

【作用】第１、第２の手段によれば、フィルムキャリア
からのＴＡＢ部品の打ち抜きフォ−ミングから、このＴ
ＡＢ部品の基板への実装までの工程を連続的に行うこと
が可能になると共に、アウタリ−ドボンディングしたＴ
ＡＢ部品の裏面全体を熱伝導性の高いハンダ材で固定す
ることができる。According to the first and second means, it is possible to obtain the T from the punching forming of the TAB component from the film carrier.
It becomes possible to continuously perform the process of mounting the AB component on the substrate, and the outer-bonded T
The entire back surface of the AB component can be fixed with a solder material having high thermal conductivity.

【００２６】第３の手段によれば、フィルムキャリアか
らのＴＡＢ部品の打ち抜き・フォ−ミングから、このＴ
ＡＢ部品の基板への実装までの工程を連続的に行うこと
が可能になる。According to the third means, the TAB component is punched and formed from the film carrier, so that the T
It becomes possible to continuously carry out the steps until the AB component is mounted on the substrate.

【００２７】第４の手段によれば、ＴＡＢ部品のアウタ
リ−ドと基板の電極とを一組ずつ個別に接合するように
したので、すべてのアウタリ−ドについて均一の接合条
件を得ることが可能になる。According to the fourth means, since the outer lead of the TAB component and the electrode of the substrate are individually joined one by one, it is possible to obtain a uniform joining condition for all the outer leads. become.

【００２８】第５の手段によれば、アウタリ−ドボンデ
ィングしたＴＡＢ部品の半導体素子の裏面全体を熱伝導
性の高いハンダ材で基板に固定することができる。第６
の手段によれば、ＴＡＢ部品の半導体素子の基板へのハ
ンダ付けを確実かつ傾きなく行うことができる。According to the fifth means, the entire rear surface of the semiconductor element of the outer tab bonded TAB component can be fixed to the substrate with a solder material having high thermal conductivity. Sixth
According to the means, it is possible to solder the semiconductor element of the TAB component to the substrate reliably and without inclination.

【００２９】第７の手段によれば、ＴＡＢ部品のアウタ
リ−ドと基板の電極とを一組ずつ個別に接合するように
したので、すべてのアウタリ−ドについて均一の接合条
件を得ることが可能になる。第８の手段によれば、アウ
タリ−ドボンディングの際に、ＴＡＢ部品のアウタリ−
ドの先端部を基板に対して弾性的に当接させることがで
きる。According to the seventh means, since the outer lead of the TAB component and the electrode of the substrate are individually joined one by one, it is possible to obtain a uniform joining condition for all the outer leads. become. According to the eighth means, the outer lead of the TAB component is attached during the outer lead bonding.
It is possible to elastically bring the tip portion of the blade into contact with the substrate.

【００３０】[0030]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図１〜図６を参
照して説明する。なお、従来例で説明した構成要素と同
一の構成要素には、同一符号を付してその説明は省略す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The same components as those described in the conventional example are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【００３１】まず第１の実施例について説明する。図１
中２０は、基台である。この基台２０には、ＴＡＢ部品
供給ライン２１（ＴＡＢ部品供給手段）とセラミック基
板供給ライン２２（セラミック基板供給手段）とが平行
に離間して設けられている。First, the first embodiment will be described. Figure 1
The middle 20 is a base. On this base 20, a TAB component supply line 21 (TAB component supply means) and a ceramic substrate supply line 22 (ceramic substrate supply means) are provided in parallel with each other.

【００３２】まず、上記ＴＡＢ部品供給ライン２１につ
いて説明する。このＴＡＢ部品供給ライン２１は、図示
しないスライドキャリアに保持された短冊状のフィルム
キャリア２４を供給する供給装置２３と、上記フィルム
キャリア２４を上記スライドキャリアごと上記基台２０
の中央部に搬送するコンベア２５（フィルムキャリア供
給手段）と、このコンベア２５によって搬送されたフィ
ルムキャリア２４からＴＡＢ部品３を打ち抜くと共にこ
のＴＡＢ部品３のアウタリ−ド７をフォ−ミングする打
ち抜き・フォ−ミング装置２６とを具備する。First, the TAB component supply line 21 will be described. The TAB component supply line 21 includes a supply device 23 for supplying a strip-shaped film carrier 24 held by a slide carrier (not shown), and the film carrier 24 together with the slide carrier for the base 20.
Of the conveyor 25 (film carrier supply means) that conveys the TAB component 3 from the film carrier 24 that is conveyed by the conveyor 25, and punches and forms the outer lead 7 of the TAB component 3. And a ming device 26.

【００３３】上記供給装置２３は、複数枚のスライドキ
ャリア（フィルムキャリア２４）を上下方向に積層保持
するマガジン２７と、このマガジン２７から上記スライ
ドキャリアを取り出して上記コンベア２５に移載するス
ライドキャリア移載機構２８とを具備する。The feeding device 23 has a magazine 27 for stacking and holding a plurality of slide carriers (film carriers 24) in the vertical direction, and a slide carrier transfer for picking up the slide carriers from the magazine 27 and transferring them to the conveyor 25. And a mounting mechanism 28.

【００３４】上記コンベア２５は、上記スライドキャリ
ア（フィルムキャリア２４）の幅方向両側を支持する搬
送ベルト２９を有し、この搬送ベルト２９を図示しない
駆動手段で駆動することで、上記スライドキャリアを搬
送するようになっている。The conveyor 25 has a conveyor belt 29 that supports both sides of the slide carrier (film carrier 24) in the width direction, and the conveyor belt 29 is driven by a driving means (not shown) to convey the slide carrier. It is supposed to do.

【００３５】上記打ち抜き・フォ−ミング装置２６は、
上記搬送ベルト２９を挟む上下に設けられた上型３０お
よび下型３１を具備する。上型３０と下型３１は、図に
３２で示す上下駆動シリンダによって互いに接離する方
向に駆動され、上記フィルムキャリア２４からＴＡＢ部
品３を打ち抜くと共に上記アウタリ−ド７のフォ−ミン
グとを行うようになっている。なお、このとき、図５に
示すように、上記アウタリ−ド７の先端部は、先端に向
かって下方向に約５〜１５°傾斜するように成形され
る。The punching / forming device 26 is
It comprises an upper mold 30 and a lower mold 31 provided above and below to sandwich the conveyor belt 29. The upper die 30 and the lower die 31 are driven in a direction in which they are brought into contact with and separated from each other by an up-and-down drive cylinder shown at 32 in FIG. It is like this. At this time, as shown in FIG. 5, the tip portion of the outer lead 7 is formed so as to be inclined downward by about 5 to 15 ° toward the tip.

【００３６】このようにして形成されたＴＡＢ部品３
は、図１に３３で示すＴＡＢ部品移載装置（ＴＡＢ部品
位置決め手段）の保持ア−ム３４の先端部によって保持
され、上記セラミック基板供給ライン２２に移送される
ようになっている。TAB component 3 formed in this way
Is held by the tip of the holding arm 34 of the TAB component transfer device (TAB component positioning means) 33 shown in FIG. 1 and is transferred to the ceramic substrate supply line 22.

【００３７】次に、上記セラミック基板供給ライン２２
について説明する。このセラミック基板供給ライン２２
は、上記セラミック基板１を供給する供給部３５と、こ
の供給されたセラミック基板１を搬送するコンベア３６
（基板供給手段）と、上記セラミック基板１を回収する
回収部３７とを具備する。Next, the above-mentioned ceramic substrate supply line 22
Will be described. This ceramic substrate supply line 22
Is a supply unit 35 that supplies the ceramic substrate 1 and a conveyor 36 that conveys the supplied ceramic substrate 1.
(Substrate supply means) and a recovery unit 37 for recovering the ceramic substrate 1 are provided.

【００３８】なお、このセラミック基板供給ライン２２
は、図２を引用して示すように、搬送部材３８上に３枚
のセラミック基板１…を保持し、この搬送部材３８を搬
送することで、上記セラミック基板１を供給するように
なっている。また、この搬送部材３８には、上記セラミ
ック基板１を保持する位置に、このセラミック基板１の
外形よりも若干小さい貫通孔３９…が設けられている。The ceramic substrate supply line 22
2, three ceramic substrates 1 are held on the conveying member 38, and the conveying member 38 is conveyed to supply the ceramic substrate 1. . Further, the conveying member 38 is provided with through holes 39 ... Which are slightly smaller than the outer shape of the ceramic substrate 1 at positions where the ceramic substrate 1 is held.

【００３９】なお、上記セラミック基板１の中央部に
は、図示しないが、図８を引用して示すのと同様に貫通
孔１ａが設けられ、この貫通孔１ａ内には放熱部材１５
が嵌着されている。また、同様に図示しないが、このセ
ラミック基板１の周縁部の上面には、外部端子としての
複数本のピン２…が突設されている。Although not shown, a through hole 1a is provided in the central portion of the ceramic substrate 1 in the same manner as shown by citing FIG. 8, and the heat radiating member 15 is provided in the through hole 1a.
Is fitted. Similarly, although not shown, a plurality of pins 2 as external terminals are projected on the upper surface of the peripheral portion of the ceramic substrate 1.

【００４０】一方、図１に示すように、上記供給部３５
は、この搬送部材３８を上下方向に複数枚積層保持する
マガジン４０を具備する。このマガジン４０は、上記搬
送部材３８を一つずつ上記コンベア３６上に移載するよ
うになっている。On the other hand, as shown in FIG.
Is equipped with a magazine 40 that holds a plurality of the transport members 38 in the vertical direction. The magazine 40 is configured to transfer the carrying members 38 one by one onto the conveyor 36.

【００４１】上記コンベア３６は、上記搬送部材３８を
搬送自在に保持するガイドレ−ル４２（図２に示す）を
有し、上記搬送部材３６を上記セラミック基板一つ分の
ピッチで間欠的に送り駆動するようになっている。そし
て、このコンベア３６は、上記各セラミック基板１を、
図にＡで示すハンダシ−ト供給位置、Ｂで示すアウタリ
−ドボンディング位置およびＣで示すハンダ付け位置に
順次停止させるようになっている。The conveyor 36 has a guide rail 42 (shown in FIG. 2) for holding the carrying member 38 so that the carrying member 38 can be carried, and the carrying member 36 is intermittently fed at a pitch of one ceramic substrate. It is designed to drive. Then, the conveyor 36 connects the ceramic substrates 1
In the drawing, the solder sheet supplying position shown by A, the outer lead bonding position shown by B, and the soldering position shown by C are sequentially stopped.

【００４２】一方、上記回収部３７は、上記ハンダシ−
ト供給位置Ａ、アウタリ−ドボンディング位置Ｂおよび
ハンダ付け位置Ｃを通過した上記搬送部材３８を順次収
納するマガジン４３を具備する。On the other hand, the recovery section 37 is connected to the solder seal.
A magazine 43 is provided for accommodating the transport members 38 that have passed through the feeding position A, the outer bonding position B, and the soldering position C in sequence.

【００４３】また、この装置は、上記ハンダシ−ト供給
位置Ａにハンダシ−ト供給装置４５（ハンダシ−ト供給
手段）、上記アウタリ−ドボンディング位置Ｂにアウタ
リ−ドボンディング装置４６（アウタリ−ドボンディン
グ手段）、上記ハンダ付け位置Ｃにハンダ付け装置４７
（ハンダ付け手段）をそれぞれ具備する。以下、各装置
の構成および作用について説明する。In this apparatus, a solder sheet supplying device 45 (solder sheet supplying means) is provided at the solder sheet supplying position A, and an outer lead bonding device 46 (outer lead bonding) is provided at the outer bonding position B. Means) and the soldering device 47 at the soldering position C.
(Soldering means) respectively. The configuration and operation of each device will be described below.

【００４４】まず、ハンダシ−ト供給装置４５について
説明する。図２に示すように、上記ハンダシ−ト供給装
置４５は、テ−プ状の長尺なるハンダシ−ト４８を巻回
収納するリ−ル４９を具備する。上記テ−プ状のハンダ
シ−ト４８は、上記リ−ル４９から引き出され、図に５
０で示す送りロ−ラによって所定ピッチで送り駆動さ
れ、カッター５１によって短冊状に切断されるようにな
っている。First, the solder sheet supply device 45 will be described. As shown in FIG. 2, the solder sheet supplying device 45 includes a reel 49 for winding and storing a long tape-shaped solder sheet 48. The tape-shaped solder sheet 48 is pulled out from the reel 49, and is shown in FIG.
It is driven by a feed roller indicated by 0 at a predetermined pitch, and cut by a cutter 51 into strips.

【００４５】切断された短冊状のハンダシ−ト４８は、
ＸＹＺ方向に駆動される吸着ヘッド５２によって吸着保
持され、上記ハンダシ−ト供給位置Ａに停止したセラミ
ック基板１の中央部（放熱部材１５の上面）に載置され
るようになっている。なお、このハンダシ−ト４８は金
属箔状のもので、表面には粘着性はないが、上記吸着ヘ
ッド５２内に内蔵された針状工具（図示しない）によっ
て、上記基板に対して加圧されることで、この基板に仮
付けされる。The cut strip-shaped solder sheet 48 is
The ceramic head 1 is sucked and held by the suction head 52 driven in the XYZ directions, and is placed on the central portion (the upper surface of the heat dissipation member 15) of the ceramic substrate 1 stopped at the solder sheet supply position A. It should be noted that this solder sheet 48 is of a metal foil shape and does not have adhesiveness on the surface, but is pressed against the substrate by a needle tool (not shown) built in the suction head 52. By doing so, it is temporarily attached to this substrate.

【００４６】このようにして、セラミック基板１上にハ
ンダシ−ト４８が供給されたならば、このセラミック基
板１は順次間欠的に送り駆動され、上記アウタリ−ドボ
ンディング位置Ｂへ移送される。When the solder sheet 48 is supplied onto the ceramic substrate 1 in this way, the ceramic substrate 1 is sequentially intermittently driven and driven, and is transferred to the outer bonding position B.

【００４７】次に、上記アウタリ−ドボンディング装置
４６は、図３に示すような構成を具備する。図中３３
は、前述したＴＡＢ部品移載装置である。このＴＡＢ部
品移載装置３３は、保持ア−ム３４を具備し、上記ＴＡ
Ｂ部品３をこのアウタリ−ドボンディング位置Ｂに停止
したセラミック基板１（ハンダシ−ト４８）上に載置す
るようになっている。なお、図中４２は、コンベア３６
を構成するガイドレ−ル、３８は上記搬送部材である。Next, the outer bonding device 46 has a structure as shown in FIG. 33 in the figure
Is the TAB component transfer device described above. The TAB component transfer device 33 includes a holding arm 34, and the TA
The B component 3 is mounted on the ceramic substrate 1 (solder sheet 48) stopped at the outer bonding position B. In the figure, 42 is the conveyor 36.
The guide rails 38 and 38 are the above-mentioned conveying members.

【００４８】一方、上記ＴＡＢ部品３が移載される経路
の中途部には、上記ＴＡＢ部品３のアウタリ−ド７を撮
像する第１の撮像カメラ５４が設けられている。また、
上記アウタリ−ドボンディング位置Ｂの上方には、上記
セラミック基板１に設けられた配線パタ−ン（電極）を
撮像する第２の撮像カメラ５５が設けられている。On the other hand, a first image pickup camera 54 for picking up an image of the outer lead 7 of the TAB part 3 is provided in the middle of the route on which the TAB part 3 is transferred. Also,
A second image pickup camera 55 for picking up an image of the wiring pattern (electrode) provided on the ceramic substrate 1 is provided above the outer bonding position B.

【００４９】一方、図中５６は、このアウタリ−ドボン
ディング位置Ｂにおいて、上記搬送部材３８の下面側か
ら上記貫通孔３９を通して上記セラミック基板１の下面
を保持するボンディングステ−ジ５６である。On the other hand, reference numeral 56 in the drawing denotes a bonding stage 56 which holds the lower surface of the ceramic substrate 1 from the lower surface side of the carrying member 38 through the through hole 39 at the outer bonding position B.

【００５０】このボンディングステ−ジ５６は、上記基
台２０の上面に取着されたＺ・θ駆動装置５７と、この
Ｚ・θ駆動装置５７によって上下および回動駆動自在に
保持され、上記セラミック基板１の下面を真空吸着によ
り保持する第１のヒ−タブロック５８とからなる。ま
た、この第１のヒ−タブロック５８内には、上記セラミ
ック基板を所定の温度に加熱し保温するためのヒ−タ５
９が埋設されている。The bonding stage 56 is held by the Z.theta. Drive device 57 attached to the upper surface of the base 20 and the Z.theta. The first heater block 58 holds the lower surface of the substrate 1 by vacuum suction. In addition, in the first heater block 58, a heater 5 for heating the ceramic substrate to a predetermined temperature and keeping it warm is provided.
9 is buried.

【００５１】さらに、図中６０は、ボンディングヘッド
である。このボンディングヘッド６０は、上記基台２０
上に取着されたＸＹテ−ブル６４によってＸＹ方向に駆
動されるようになっている。また、このボンディングヘ
ッド６０内には、図示しない超音波発振装置が設けられ
ていて、この超音波発振装置には、上記ボンディングヘ
ッド６０の一面から上記ボンディング位置Ｂ側へ突出す
る超音波ホ−ン６１が接続されている。そして、この超
音波ホ−ン６１の突端部には、針状のボンディングツ−
ル６２が軸線を垂直にして取り付けられている。Further, reference numeral 60 in the figure denotes a bonding head. The bonding head 60 is the base 20.
It is adapted to be driven in the XY directions by the XY table 64 attached above. An ultrasonic oscillating device (not shown) is provided in the bonding head 60. The ultrasonic oscillating device has an ultrasonic horn protruding from one surface of the bonding head 60 to the bonding position B side. 61 is connected. A needle-like bonding tool is attached to the tip of the ultrasonic horn 61.
The lever 62 is attached with its axis vertical.

【００５２】したがって、このアウタリ−ドボンディン
グ装置は、まず上記ヒ−タブロック５８を上方向に駆動
し、上記セラミック基板１を上記搬送部材３８の上面か
ら所定寸法上方に持ち上げ、必要に応じて上記セラミッ
ク基板１を所定の温度に加熱し保温する。（図３に示す
状態） 次に上記ＴＡＢ部品移載装置３３は上記第１、第２の撮
像カメラ５４、５５の検出信号に基づいて上記ＴＡＢ部
品３のアウタリ−ド７とセラミック基板１に配線パタ−
ンとを精密に位置合わせし、上記ＴＡＢ部品をこのセラ
ミック基板１に対向させた状態で保持する。Therefore, in this outer lead bonding apparatus, first, the heater block 58 is driven upward to lift the ceramic substrate 1 upward from the upper surface of the carrying member 38 by a predetermined dimension and, if necessary, the above-mentioned. The ceramic substrate 1 is heated to a predetermined temperature and kept warm. (State shown in FIG. 3) Next, the TAB component transfer device 33 is wired to the outer lead 7 of the TAB component 3 and the ceramic substrate 1 based on the detection signals of the first and second imaging cameras 54 and 55. Pattern
Are precisely aligned with each other, and the TAB component is held in a state of being opposed to the ceramic substrate 1.

【００５３】ついで、この装置は上記ボンディングヘッ
ド６０をＸＹ方向に駆動すると共に、ボンディングツ−
ル６２を上下方向に高速で作動させつつ上記超音波発振
装置を作動させることで上記ＴＡＢ部品３のアウタリ−
ド７と上記セラミック基板１の配線パタ−ンとを超音波
エネルギまたは、熱エネルギと超音波エネルギとの併用
によって一組ずつ個別的に接合していく。このような接
合方法をシングルポイントボンディング方法という。Next, this apparatus drives the bonding head 60 in the XY directions and simultaneously performs the bonding tool.
The outer side of the TAB part 3 is operated by operating the ultrasonic oscillator while operating the rule 62 at high speed in the vertical direction.
The wiring 7 and the wiring pattern of the ceramic substrate 1 are individually joined one by one by using ultrasonic energy or heat energy and ultrasonic energy in combination. Such a joining method is called a single point bonding method.

【００５４】このシングルポイントボンディングが終了
したならば、上記ＴＡＢ部品移載装置３３は、上記ＴＡ
Ｂ部品３の保持を解除する。このように、ボンディング
の間中上記ＴＡＢ部品３を保持しておくことで、このＴ
ＡＢ部品３のアウタリ−ド７と上記セラミック基板１の
配線パタ−ンとの間に位置ずれが生じることが有効に防
止される。When the single point bonding is completed, the TAB component transfer device 33 causes the TA
The holding of the B part 3 is released. In this way, by holding the TAB component 3 during bonding, the T
The positional deviation between the outer lead 7 of the AB component 3 and the wiring pattern of the ceramic substrate 1 is effectively prevented.

【００５５】次に、上記ハンダ付け装置４７について図
４を参照して説明する。図中４２は上述したガイドレ−
ル、３８はこのハンダ付け位置Ｃに停止された搬送部材
である。このハンダ付け装置は、略コ字状のフレ−ム６
５を具備する。このフレ−ム６５の下端水平部の上面に
は、上記搬送部材３８から上記セラミック基板１を持ち
上げるための上下駆動シリンダ６６が駆動軸を上方に延
出させて設けられている。Next, the soldering device 47 will be described with reference to FIG. In the figure, 42 is the guide rail described above.
Reference numerals 38 and 38 are conveying members stopped at the soldering position C. This soldering device has a substantially U-shaped frame 6
5 is provided. A vertical drive cylinder 66 for lifting the ceramic substrate 1 from the transfer member 38 is provided on the upper surface of the horizontal lower end of the frame 65 with its drive shaft extending upward.

【００５６】この上下駆動シリンダ６６の駆動軸６６ａ
の上端には、テ−ブル６７が設けられ、このテ−ブル６
７の上面には、ロ−タリシリンダ６８が回転軸６８ａの
軸線を略水平にして設けられている。そして、この回転
軸６８ａの基端部と先端部とには、略同じ形状の第１、
第２の偏心カム６９、７０が、互いに上死点を約１８０
°ずらした状態で固着されている。The drive shaft 66a of the vertical drive cylinder 66
A table 67 is provided at the upper end of the table 6
On the upper surface of 7, a rotary cylinder 68 is provided with the axis of the rotary shaft 68a being substantially horizontal. Then, the base end portion and the tip end portion of the rotary shaft 68a have a first and substantially same shape.
The second eccentric cams 69 and 70 have a top dead center of about 180 relative to each other.
° It is stuck in a shifted state.

【００５７】上記第１の偏心カム６９の外周面には、図
に７１で示すヒ−タブロックの下面に突設された支持柱
７１ａの下端面が摺動自在に当接している。また、上記
第２の偏心カム７０には、上記ヒ−タブロック７１の外
側を覆うように設けられた保持部材７２の下端が摺動自
在に当接している。On the outer peripheral surface of the first eccentric cam 69, a lower end surface of a supporting column 71a projecting from the lower surface of the heater block 71 shown in FIG. Further, the lower end of a holding member 72 provided so as to cover the outside of the heater block 71 slidably contacts the second eccentric cam 70.

【００５８】したがって、上記ヒ−タブロック７１と保
持部材７２は、上記上下駆動シリンダ６６によって一体
的に上下駆動されると共に、上記ロ−タリシリンダ６８
が回転することで、上記第１、第２の偏心カム６９、７
０によって互いに逆方向に上下駆動されるようになって
いる。Therefore, the heater block 71 and the holding member 72 are integrally vertically driven by the vertical drive cylinder 66, and the rotary cylinder 68 is also provided.
Is rotated, the first and second eccentric cams 69, 7 described above are rotated.
0 is driven up and down in opposite directions.

【００５９】なお、上記ヒ−タブロック７１内にはヒ−
タ７１ｂが設けられ、このヒ−タ７１ｂによってこのヒ
−タブロック７１は常時加熱されている。一方、上記フ
レ−ム６５の上端水平部の下面側には、後述するように
上記セラミック基板１が上方向に駆動されたときに、上
記セラミック基板１の上面を覆うチャンバ７４が区画さ
れている。The heater block 71 has a heater inside.
A heater 71b is provided, and the heater block 71 constantly heats the heater block 71. On the other hand, a chamber 74 that covers the upper surface of the ceramic substrate 1 when the ceramic substrate 1 is driven upward as described later is defined on the lower surface side of the upper horizontal portion of the frame 65. .

【００６０】また、上記フレ−ム６５の上端水平部に
は、上記チャンバ７４内にハンダ材酸化防止用のＮ2 ガ
スを供給する供給管７５が接続されている。この供給管
７５内には、供給されるＮ2 ガスの温度を調整するため
のヒ−タ７６と、上記Ｎ2 ガスの温度を測定する熱電対
７７と、上記熱電対７７からの測定検出信号に応じて上
記ヒ−タ７６を制御する温度調整計７８が設けられてい
る。この温度調整計７８によって上記チャンバ７４内に
供給されるＮ2 ガスの温度は室温から約４００℃の範囲
で制御されるようになっている。A supply pipe 75 for supplying N 2 gas for preventing solder material oxidation into the chamber 74 is connected to the horizontal portion of the upper end of the frame 65. A heater 76 for adjusting the temperature of the supplied N 2 gas, a thermocouple 77 for measuring the temperature of the N 2 gas, and a measurement detection signal from the thermocouple 77 are provided in the supply pipe 75. A temperature controller 78 for controlling the heater 76 according to the above is provided. The temperature of the N 2 gas supplied into the chamber 74 is controlled by the temperature controller 78 in the range of room temperature to about 400 ° C.

【００６１】一方、上記フレ−ム６５の上端水平部の上
面には、上記セラミック基板１に搭載されたＴＡＢ部品
３を上記セラミック基板１に押し付ける押圧機構８０
（押圧手段）が設けられている。On the other hand, on the upper surface of the horizontal upper portion of the frame 65, a pressing mechanism 80 for pressing the TAB component 3 mounted on the ceramic substrate 1 against the ceramic substrate 1.
(Pressing means) is provided.

【００６２】この押圧機構８０は、上記フレ−ム６５の
上端水平部から上方に突設されたブラケット８１と、こ
のブラケット８１の上端に取着されたシリンダ装置８２
と、このシリンダ装置８２の駆動軸８２ａに取着された
加圧ヘッド８３とからなる。The pressing mechanism 80 includes a bracket 81 projecting upward from a horizontal upper portion of the frame 65 and a cylinder device 82 attached to the upper end of the bracket 81.
And a pressure head 83 attached to the drive shaft 82a of the cylinder device 82.

【００６３】上記加圧ヘッド８３は、ヘッド本体８４
と、このヘッド本体８４内にばね８５を介して上下動自
在に保持され、下端部を上記チャンバ７４内に挿入させ
た押圧棒８６とを具備する。また、上記ばね８５の復元
力は、上記ヘッド本体８４に上端部に設けられたマイク
ロメ−タ８７によって調節することができるようになっ
ている。The pressure head 83 has a head body 84.
And a pressing rod 86 which is held in the head main body 84 so as to be vertically movable via a spring 85 and has a lower end portion inserted into the chamber 74. The restoring force of the spring 85 can be adjusted by a micrometer 87 provided at the upper end of the head body 84.

【００６４】このハンダ付け装置は、所定のセラミック
基板１が加熱位置Ｃに停止されたならば、図に示すよう
に、上記上下駆動シリンダ６６を作動させ、上記貫通孔
３９を通して上記保持部材７２の上面で上記セラミック
基板１の下面を保持すると共に、このセラミック基板１
を所定量上方に持ち上げる。In this soldering device, when a predetermined ceramic substrate 1 is stopped at the heating position C, the vertical drive cylinder 66 is operated to move the holding member 72 through the through hole 39 as shown in the figure. The upper surface holds the lower surface of the ceramic substrate 1 and the ceramic substrate 1
Is lifted a predetermined amount.

【００６５】このことで、上記セラミック基板１は、上
記チャンバ７４内に挿入され、このチャンバ７４内で保
持される。（図４に示す状態） このチャンバ７４内には、上記供給管７５を通じて、常
時室温と同じ温度のＮ2 ガスが供給されている。したが
って、所定時間が経過することによって、このチャンバ
７４内に位置するセラミック基板１の上面は酸化防止雰
囲気で覆われる。As a result, the ceramic substrate 1 is inserted into the chamber 74 and held in the chamber 74. (State shown in FIG. 4) N 2 gas at the same temperature as room temperature is constantly supplied into the chamber 74 through the supply pipe 75. Therefore, when a predetermined time elapses, the upper surface of the ceramic substrate 1 located in the chamber 74 is covered with the oxidation preventing atmosphere.

【００６６】次に、上記ロ−タリシリンダ６８が作動
し、上記ヒ−タブロック７１を上記セラミック基板１に
当接させると共に、上記保持部材７２をこのヒ−タブロ
ック７１に対して相対的に下降させる。このことで、上
記セラミック基板１は上記ヒ−タブロック７１に受け渡
される。同時に、温度調整計７８によってＮ2 ガスの温
度は約４００℃に昇温される。Next, the rotary cylinder 68 operates to bring the heater block 71 into contact with the ceramic substrate 1 and lower the holding member 72 relative to the heater block 71. Let As a result, the ceramic substrate 1 is transferred to the heater block 71. At the same time, the temperature of the N 2 gas is raised to about 400 ° C. by the temperature controller 78.

【００６７】このことで、上記セラミック基板１は、上
記ヒ−タブロック７１によって加熱され、このことによ
って、上記ハンダシ−ト４８は溶融する。ついで、上記
加圧機構８０が作動し、上記加圧棒８６により上記ＴＡ
Ｂ部品３の半導体素子６を上記溶融したハンダシ−ト４
８へ弾性的に押し付ける。ここで、上記加圧棒８６によ
る押し付けを行うのは、上記半導体素子６のセラミック
基板１への固定をハンダの接着むらがなく、かつ傾きが
生じないようにするためである。As a result, the ceramic substrate 1 is heated by the heater block 71, whereby the solder sheet 48 is melted. Then, the pressure mechanism 80 is activated, and the TA is pushed by the pressure rod 86.
Solder sheet 4 obtained by melting semiconductor element 6 of B part 3 as described above.
Elastically press onto 8. Here, the pressing by the pressure bar 86 is carried out in order to fix the semiconductor element 6 to the ceramic substrate 1 so that there is no uneven bonding of solder and no inclination occurs.

【００６８】次に、上記ロ−タリシリンダ６８（図４に
示す）が作動して、上記ヒ−タブロック７１を下降駆動
すると共に上記保持部材７２を上昇駆動する。上記保持
部材７２の上端が上記セラミック基板１の下面に当接し
たならば、上記セラミック基板１は、上記ヒ−タブロッ
ク７１から離間し、代わりに上記保持部材７２によって
保持されることとなり、上記ヒ−タブロック７１による
上記セラミック基板１の加熱は停止される。また、同時
に、上記温度調節計７８は、上記チャンバ７４内に供給
するＮ2 ガスの温度を室温に降温させる。Next, the rotary cylinder 68 (shown in FIG. 4) is actuated to drive the heater block 71 downward and drive the holding member 72 upward. If the upper end of the holding member 72 comes into contact with the lower surface of the ceramic substrate 1, the ceramic substrate 1 is separated from the heater block 71 and is held by the holding member 72 instead. The heating of the ceramic substrate 1 by the heater block 71 is stopped. At the same time, the temperature controller 78 lowers the temperature of the N 2 gas supplied into the chamber 74 to room temperature.

【００６９】なお、上記加圧棒８６はばね８５によって
弾性的に保持されているので、このような動作中上記半
導体素子６を上記セラミック基板１に押し付けている。
このようにして上記セラミック基板１の下面から上記ヒ
−タブロック７１が離間することで、上記セラミック基
板１の冷却が開始される。上記セラミック基板１の温度
が所定温度以下になり冷却が終了すると、まず上記加圧
棒８６が上昇し、ついで上記上下駆動シリンダ６６が作
動し上記セラミック基板１を下降させる。このことで、
上記セラミック基板１は、チャンバ７４内から取り出さ
れ、再び上記搬送部材３８の上面に載置される。Since the pressure bar 86 is elastically held by the spring 85, the semiconductor element 6 is pressed against the ceramic substrate 1 during such an operation.
By separating the heater block 71 from the lower surface of the ceramic substrate 1 in this manner, cooling of the ceramic substrate 1 is started. When the temperature of the ceramic substrate 1 becomes equal to or lower than a predetermined temperature and the cooling is completed, the pressing rod 86 first rises, and then the vertical drive cylinder 66 operates to lower the ceramic substrate 1. With this,
The ceramic substrate 1 is taken out from the chamber 74 and placed on the upper surface of the transfer member 38 again.

【００７０】上記一つの搬送部材３８上に保持された各
セラミック基板１…すべてについて、このような動作が
終了したならば、上記コンベア３６は、この搬送部材３
８を、図１に示す上記回収部３７へと搬送する。上記回
収部３７は、この搬送部材３８を上記マガジン４３内に
順次収納するようになっている。When such an operation is completed for each of the ceramic substrates 1 ... All held on the one conveying member 38, the conveyor 36 is made to convey the conveying member 3 to each other.
8 is conveyed to the collection part 37 shown in FIG. The recovery unit 37 is configured to sequentially store the transport member 38 in the magazine 43.

【００７１】このような構成によれば、以下に説明する
効果がある。第１に、上記ＴＡＢ部品３を上記セラミッ
ク基板１に固定するために、常温では粘着性のないハン
ダシ−ト４８を用いるようにし、ＴＡＢ部品３の製造、
セラミック基板１へのハンダシ−ト４８の供給および、
上記セラミック基板１へのＴＡＢ部品３の実装の各工程
を一つの装置で連続的に行うようにした。According to such a configuration, there are the effects described below. First, in order to fix the TAB component 3 to the ceramic substrate 1, a solder sheet 48 that is not adhesive at room temperature is used to manufacture the TAB component 3.
Supply of the solder sheet 48 to the ceramic substrate 1, and
Each step of mounting the TAB component 3 on the ceramic substrate 1 is continuously performed by one device.

【００７２】このことで、銀ペ−スト９が塗布されたセ
ラミック基板１を段取りする工程を省略することができ
るので半導体パッケ−ジの生産効率が向上する効果があ
る。また、従来例のように、セラミック基板１の搬送中
に、このセラミック基板１上に供給された銀ペ−スト９
がだれたり他の部分に付着したりするということがな
い。As a result, the step of preparing the ceramic substrate 1 coated with the silver paste 9 can be omitted, which has the effect of improving the production efficiency of the semiconductor package. Further, as in the conventional example, the silver paste 9 supplied on the ceramic substrate 1 during the transportation of the ceramic substrate 1.
No dripping or sticking to other parts.

【００７３】したがって、セラミック基板１へのＴＡＢ
部品３の実装をより良好に行え、品質の良好な半導体パ
ッケ−ジを得ることができる効果がある。第２に、アウ
タリ−ドボンディングした後にハンダシ−ト４８を溶融
させ、上記半導体素子６を上記セラミック基板１に固定
するようにした。このことで、以下の効果もある。Therefore, the TAB on the ceramic substrate 1
There is an effect that the component 3 can be mounted more favorably and a good quality semiconductor package can be obtained. Secondly, after the outer bonding, the solder sheet 48 is melted to fix the semiconductor element 6 to the ceramic substrate 1. This also has the following effects.

【００７４】すなわち、ハンダシ−ト４８を溶融させて
上記半導体素子６を上記セラミック基板１に固定してか
ら上記アウタリ−ドボンディングを行った場合には、上
記ハンダシ−ト４８を溶融させるときに加えた熱で、上
記セラミック基板１が熱膨張しこれによってこのセラミ
ック基板１に設けられた電極の間隔が変化してしまった
り、アウタリ−ド７の間隔が変化したりし、良好なアウ
タリ−ドボンディングが行えないということがある。That is, when the solder sheet 48 is melted and the semiconductor element 6 is fixed to the ceramic substrate 1 and then the outer lead bonding is performed, when the solder sheet 48 is melted, the addition is made. Due to the heat generated, the ceramic substrate 1 thermally expands, which causes a change in the distance between the electrodes provided on the ceramic substrate 1 and a change in the distance between the outer leads 7, resulting in good outer lead bonding. Can not be done.

【００７５】しかし、この発明では、上記アウタリ−ド
ボンディング後に、上記半導体素子６をハンダ付けする
ようにしたので、このような不具合は防止される。第３
に、ハンダは、銀ペ−スト９に比べると、放熱性が良い
ばかりか、電気伝導性も良く、上記セラミックパッケ−
ジの性能が向上する効果がある。However, in the present invention, since the semiconductor element 6 is soldered after the outer lead bonding, such a problem can be prevented. Third
In addition, the solder has not only good heat dissipation but also good electric conductivity as compared with the silver paste 9, and the above-mentioned ceramic package.
It has the effect of improving the performance of Ji.

【００７６】第４に、上記ハンダシ−ト４８が溶融した
後、上記加圧棒８６により上記半導体素子６をセラミッ
ク基板１に押し付けるようにした。このことで、上記半
導体素子６に傾きが生じることが有効に防止され、アウ
タリ−ド７と上記電極の間に偏った力がかかることが少
なくなる。このことによってより良好な製品を得ること
ができる効果がある。Fourth, after the solder sheet 48 is melted, the semiconductor element 6 is pressed against the ceramic substrate 1 by the pressure rod 86. As a result, it is possible to effectively prevent the semiconductor element 6 from tilting, and it is less likely that a biased force is applied between the outer lead 7 and the electrode. This has the effect that a better product can be obtained.

【００７７】第５に、前述したように、上記セラミック
基板１には表面に凹凸やうねりが発生していることが多
いが、上記アウタリ−ド７の先端部に所定角度の傾斜を
持たせることにより、このＴＡＢ部品３を良好に実装す
ることができる。Fifth, as described above, the ceramic substrate 1 often has irregularities or undulations on its surface, but the tip of the outer lead 7 should be inclined at a predetermined angle. Thus, the TAB component 3 can be mounted well.

【００７８】すなわち、上記セラミック基板１の表面に
凹凸があっても、上記アウタリ−ド７の先端は従来例よ
り低く位置しかつ、このアウタリ−ド７の先端部は弾性
的に変形することができるので、未接触や、浮き上がり
等の不良が生じることは少ない。That is, even if the surface of the ceramic substrate 1 is uneven, the tip of the outer lead 7 is located lower than in the conventional example, and the tip of the outer lead 7 is elastically deformable. As a result, defects such as non-contact and floating are less likely to occur.

【００７９】第６に、従来例のように、ギャングボンデ
ィング方式を用いて上記ＴＡＢ部品３のすべてのアウタ
リ−ド７…とセラミック基板１の配線パタ−ンと一度に
接合する方法では、セラミック基板１の表面に凹凸があ
ることが多いために接合状態が不均一になることが多
い。Sixth, as in the conventional example, in the method of simultaneously bonding all the outer leads 7 ... Of the TAB component 3 and the wiring pattern of the ceramic substrate 1 by using the gang bonding method, the ceramic substrate Since the surface of No. 1 is often uneven, the joining state is often non-uniform.

【００８０】しかし、この発明は、針状のボンディング
ツ−ル６２を用いたシングルポイントボンディング方式
によってアウタリ−ド７と配線パタ−ンとを一組ずつ個
別に接合するようにしたので、すべてのアウタリ−ド７
…について均一な接合状態を得ることができる。このこ
とにより、特にセラミック基板１に対するＴＡＢ部品３
の実装において、ボンディングの均一性が飛躍的に向上
する効果がある。However, according to the present invention, the outer lead 7 and the wiring pattern are individually joined one by one by the single point bonding method using the needle-shaped bonding tool 62. Outer lead 7
A uniform bonding state can be obtained for. As a result, the TAB component 3 for the ceramic substrate 1
In mounting, there is an effect that the uniformity of bonding is dramatically improved.

【００８１】第７に、上記ハンダシ−ト４８の加熱およ
び冷却は、Ｎ2 ガスによる酸化防止雰囲気中で行うよう
にしたので、溶融したハンダシ−ト４８の表面が酸化し
て接合性が低下するということが有効に防止される。Seventh, since the heating and cooling of the solder sheet 48 is performed in an oxidation preventive atmosphere with N 2 gas, the surface of the molten solder sheet 48 is oxidized and the bondability is deteriorated. That is effectively prevented.

【００８２】第８に、上述しように、上記ハンダシ−ト
４８を用いるようにしたので、上記ＴＡＢ部品３を上記
セラミック基板１へ搭載するための機構の簡略コンパク
ト化および動作の高速化を図ることが可能になる。この
ことも一連の動作を連続して行える本装置の実現に大き
く寄与している。Eighth, since the solder sheet 48 is used as described above, the mechanism for mounting the TAB component 3 on the ceramic substrate 1 can be simplified and made compact and the operation speed can be increased. Will be possible. This also greatly contributes to the realization of this device that can continuously perform a series of operations.

【００８３】次に、この発明の第２の実施例について図
６を参照して説明する。上記第１の実施例では、上記半
導体素子６とセラミック基板１とを接合する接合材とし
てハンダシ−ト４８を用いたが、図２に示したハンダ供
給装置４５の吸着ヘッド５２を取り外し、代わりに図１
０に示すような導電ペ−スト（導電性接着剤）塗布用の
シリンジ９０を取り付けることもできる。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the first embodiment, the solder sheet 48 is used as the joining material for joining the semiconductor element 6 and the ceramic substrate 1, but the suction head 52 of the solder supply device 45 shown in FIG. Figure 1
It is also possible to attach a syringe 90 for applying a conductive paste (conductive adhesive) as shown in FIG.

【００８４】このシリンジ９０内には、導電性ペ−スト
９１が満たされている。そして、このシリンジ９０の下
端側には、この導電ペ−スト９１を上記セラミック基板
１上に供給するためのノズル９２が設けられている。こ
のノズル９２は、マルチタイプのもので、複数本の細管
９３…からなる。The syringe 90 is filled with a conductive paste 91. A nozzle 92 for supplying the conductive paste 91 onto the ceramic substrate 1 is provided on the lower end side of the syringe 90. The nozzle 92 is of a multi-type and is composed of a plurality of thin tubes 93 ....

【００８５】一方、図中９４は、上記シリンジ９０に接
続されたディスペンサである。このディスペンサ９４か
らの圧縮空気によりシリンジ９０内の導電性ペ−スト９
１は、上記ノズル９２を通して上記セラミック基板１上
に供給される。On the other hand, reference numeral 94 in the figure is a dispenser connected to the syringe 90. The conductive paste 9 in the syringe 90 is compressed by compressed air from the dispenser 94.
1 is supplied onto the ceramic substrate 1 through the nozzle 92.

【００８６】このようにして、供給された導電ペ−スト
９１は、上記ＴＡＢ部品３の半導体素子６が搭載される
範囲にマトリックス状に略均一に塗布される。ついで、
このセラミック基板１上には上記第１の実施例と同様
に、上記ＴＡＢ部品３が搭載され（図示せず）、このＴ
ＡＢ部品３のアウタリ−ド７は、上記セラミック基板１
に設けられた図示しない電極にアウタリ−ドボンディン
グされる。In this way, the supplied conductive paste 91 is applied substantially uniformly in a matrix form in the area where the semiconductor element 6 of the TAB component 3 is mounted. Then,
The TAB component 3 (not shown) is mounted on the ceramic substrate 1 as in the case of the first embodiment.
The outer lead 7 of the AB component 3 is the ceramic substrate 1 described above.
Is outer-bonded to an electrode (not shown) provided on the substrate.

【００８７】ついで、このセラミック基板１は、この第
２の実施例では、図示しない加熱炉としてのオ−ブンに
挿入され、このオ−ブンを通過する。このことで、上記
導電性ペ−スト９１は硬化し、上記ＴＡＢ部品３の半導
体素子６とこのセラミック基板１との固定がなされる。Then, in the second embodiment, the ceramic substrate 1 is inserted into an oven (not shown) as a heating furnace and passes through the oven. As a result, the conductive paste 91 is hardened and the semiconductor element 6 of the TAB component 3 and the ceramic substrate 1 are fixed.

【００８８】このような構成によれば、上記第１の実施
例の半導体パッケ−ジの製造装置は、接合材として導電
性ペ−スト９１（ペ−スト）を用いることが可能にな
り、かつ、この導電ペ−スト９１を上記ＴＡＢ部品３を
搭載する直前に上記セラミック基板１上に供給すること
ができるので、上記第１の実施例と略同様の効果を得る
ことができる。With such a structure, the semiconductor package manufacturing apparatus of the first embodiment can use the conductive paste 91 (paste) as the bonding material, and Since the conductive paste 91 can be supplied onto the ceramic substrate 1 immediately before mounting the TAB component 3, it is possible to obtain substantially the same effect as that of the first embodiment.

【００８９】なお、各発明は、上記一実施例に限定され
るものではなく、各発明の要旨を変更しない範囲で種々
変形可能である。例えば、上記第１、第２の実施例のハ
ンダシ−ト供給装置４５、シリンジ、アウタリ−ドボン
ディング装置４６、ハンダ付け装置４７などは、それぞ
れ独立的に設けられていても良い。Each invention is not limited to the above-mentioned embodiment, but various modifications can be made without changing the gist of each invention. For example, the solder sheet supply device 45, the syringe, the outer lead bonding device 46, the soldering device 47, etc. of the first and second embodiments may be provided independently.

【００９０】また、ハンダ付け装置４７において、酸化
防止用にＮ2 ガスを用いたが、これに限定されるもので
はなく、ハンダ材の酸化を防止できるガスであれば他の
ガスであっても良い。Further, in the soldering device 47, N2 gas was used for oxidation prevention, but the invention is not limited to this, and any other gas may be used as long as it can prevent oxidation of the solder material. .

【００９１】また、上記ハンダシ−ト供給装置４５で
は、長尺テ−プ状のハンダシ−ト４８を短冊状に切断し
て供給するようにしていたが、これに限定されるもので
はなく、あらかじめ短冊状に切断された複数枚のハンダ
シ−ト４８…を複数枚積層保持していて、順次上記セラ
ミック基板１上に供給するようにしても良い。In the solder sheet feeder 45, the long tape-shaped solder sheet 48 is cut into strips and fed, but the present invention is not limited to this. A plurality of solder sheets 48 cut into strips may be stacked and held and sequentially supplied onto the ceramic substrate 1.

【００９２】また、上記第１の実施例では、ハンダ材と
してハンダシ−ト４８を用いるようにしたが、これに限
定されるものではなく、ペ−スト状のハンダ材であって
もよい。In the first embodiment, the solder sheet 48 is used as the solder material, but the solder material is not limited to this and may be a paste-like solder material.

【００９３】[0093]

【発明の効果】以上述べたように、この発明の第１の構
成は、半導体素子がインナ−リ−ドボンディングされて
いるフィルムキャリアを供給するフィルムキャリア供給
手段と、このフィルムキャリアから上記半導体素子を含
むＴＡＢ部品を打ち抜くと共に、上記ＴＡＢ部品のアウ
タリ−ドを所定の形状にフォ−ミングする打ち抜きフォ
−ミング手段と、表面に電極を有する基板を供給する基
板供給手段と、この基板の表面の上記ＴＡＢ部品の半導
体素子が搭載される位置にハンダ材を供給するハンダ材
供給手段と、上記打ち抜きフォ−ミング手段から上記Ｔ
ＡＢ部品を取り出すと共に、このＴＡＢ部品のアウタリ
−ドと上記基板の電極とを対向させ位置決めするＴＡＢ
部品位置決め手段と、上記ＴＡＢ部品のアウタリ−ドを
上記基板の電極に接合するアウタリ−ドボンディング手
段と、上記基板を加熱することで上記ハンダを溶融させ
上記ＴＡＢ部品の半導体素子を上記基板にハンダ付けす
るハンダ付け手段とを有する半導体パッケ−ジの製造装
置である。As described above, according to the first structure of the present invention, the film carrier supplying means for supplying the film carrier to which the semiconductor element is inner-lead bonded, and the semiconductor element from the film carrier are provided. Punching forming means for punching a TAB part including the same and forming the outer lead of the TAB part into a predetermined shape; a substrate supplying means for supplying a substrate having an electrode on the surface; From the solder material supplying means for supplying the solder material to the position where the semiconductor element of the TAB component is mounted, and the punching forming means, the T
TAB for taking out the AB component and positioning the outer lead of the TAB component and the electrode of the substrate so as to face each other
Component positioning means, outer lead bonding means for joining the outer lead of the TAB component to the electrode of the substrate, and heating the substrate to melt the solder and solder the semiconductor element of the TAB component to the substrate. A semiconductor package manufacturing apparatus having a soldering means for soldering.

【００９４】第２の構成は、上記第１の構成において、
上記基板の表面に供給されたハンダ材を溶融させた後、
上記半導体素子を含むＴＡＢ部品を上記基板に対して押
圧する押圧手段を有する半導体パッケ−ジの製造装置で
ある。The second configuration is the same as the first configuration, except that
After melting the solder material supplied to the surface of the substrate,
The semiconductor package manufacturing apparatus has a pressing means for pressing the TAB component including the semiconductor element against the substrate.

【００９５】第３の構成は、半導体素子がインナ−リ−
ドボンディングされているフィルムキャリアを供給する
フィルムキャリア供給手段と、このフィルムキャリアか
ら上記半導体素子を含むＴＡＢ部品を打ち抜くと共に上
記ＴＡＢ部品のアウタリ−ドを所定の形状にフォ−ミン
グする打ち抜きフォ−ミング手段と、表面に電極を有す
る基板を供給する基板供給手段と、この基板の表面の上
記ＴＡＢ部品の半導体素子が搭載される位置に、この半
導体素子と基板とを接合するペ−ストを供給するペ−ス
ト供給手段と、上記打ち抜きフォ−ミング手段から上記
ＴＡＢ部品を取り出すと共に、このＴＡＢ部品のアウタ
リ−ドと上記基板の電極とを対向させ位置決めするＴＡ
Ｂ部品位置決め手段と、上記ＴＡＢ部品のアウタリ−ド
を上記基板の電極に接合するアウタリ−ドボンディング
手段とを有する半導体パッケ−ジの製造装置である。In the third structure, the semiconductor element is an inner-layer type.
Film carrier supplying means for supplying a film carrier that has been bonded, and punching forming for punching a TAB component including the semiconductor element from the film carrier and forming an outer lead of the TAB component into a predetermined shape. Means, a substrate supply means for supplying a substrate having an electrode on the surface, and a paste for joining the semiconductor element and the substrate to a position on the surface of the substrate where the semiconductor element of the TAB component is mounted. TA for taking out the TAB component from the paste supply means and the punching and forming means, and positioning the outer lead of the TAB component and the electrode of the substrate so as to face each other.
A semiconductor package manufacturing apparatus having a B component positioning means and an outer lead bonding means for joining an outer lead of the TAB component to an electrode of the substrate.

【００９６】第４の構成は、表面に電極が形成された基
板に半導体素子を含むＴＡＢ部品を実装することで半導
体パッケ−ジを製造する半導体パッケ−ジの製造装置に
おいて、上記基板に設けられた電極と上記ＴＡＢ部品に
設けられたアウタリ−ドとを一組ずつ個別に接合するこ
とができるアウタリ−ドボンディングツ−ルを具備する
半導体パッケ−ジの製造装置である。A fourth structure is a semiconductor package manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor package by mounting a TAB component including a semiconductor element on a substrate having electrodes formed on the surface thereof. The manufacturing apparatus for a semiconductor package is provided with an outer lead bonding tool capable of individually joining a pair of electrodes and an outer lead provided on the TAB component.

【００９７】第５の構成は、表面に電極が形成された基
板に半導体素子を含むＴＡＢ部品を実装することで半導
体パッケ−ジを製造する半導体パッケ−ジの製造方法に
おいて、基板の表面の上記ＴＡＢ部品の上記半導体素子
が搭載される位置にハンダ材を供給する工程と、上記Ｔ
ＡＢ部品のアウタリ−ドと上記基板の電極とを対向させ
位置決めするＴＡＢ部品位置決め工程と、上記ＴＡＢ部
品のアウタリ−ドと上記基板の電極とを接合するアウタ
リ−ドボンディング工程と、酸化防止雰囲気中で上記ハ
ンダ材を溶融させ、上記ＴＡＢ部品の半導体素子を上記
基板にハンダ付けするハンダ付け工程とを具備する半導
体パッケ−ジの製造方法である。A fifth structure is a semiconductor package manufacturing method for manufacturing a semiconductor package by mounting a TAB component including a semiconductor element on a substrate having electrodes formed on the surface thereof. A step of supplying a solder material to a position where the semiconductor element of the TAB component is mounted,
A TAB component positioning step of positioning the outer lead of the AB component and the electrode of the substrate so as to face each other; an outer bond bonding step of joining the outer lead of the TAB component and the electrode of the substrate; And a soldering step of melting the solder material and soldering the semiconductor element of the TAB component to the substrate.

【００９８】第６の構成は、第５の構成において、基板
に供給されたハンダ材を溶融させた後、半導体素子を含
むＴＡＢ部品を上記基板に押圧する押圧工程を有する半
導体パッケ−ジの製造方法である。The sixth structure is the manufacturing of the semiconductor package in the fifth structure, which has a pressing step of pressing the TAB component including the semiconductor element against the substrate after melting the solder material supplied to the substrate. Is the way.

【００９９】第７の構成は、表面に電極が形成された基
板に半導体素子を含むＴＡＢ部品を実装することで半導
体パッケ−ジを製造する半導体パッケ−ジの製造方法に
おいて、上記基板に設けられた電極と上記ＴＡＢ部品に
設けられたアウタリ−ドとを一組ずつ個別に接合する工
程を有する半導体パッケ−ジの製造方法である。A seventh structure is a semiconductor package manufacturing method for manufacturing a semiconductor package by mounting a TAB component including a semiconductor element on a substrate having electrodes formed on the surface thereof. And a method of manufacturing a semiconductor package, which includes a step of individually joining the electrodes and the outer leads provided on the TAB components one by one.

【０１００】第８の構成は、フィルムキャリアから半導
体素子を含むＴＡＢ部品を打ち抜くと共にこのＴＡＢ部
品のアウタリ−ドを基板の電極に相対的に位置決めし、
このＴＡＢ部品のアウタリ−ドと上記基板の電極とを接
合することで半導体パッケ−ジを製造する半導体パッケ
−ジの製造方法において、上記ＴＡＢ部品のアウタリ−
ドと先端部を上記基板に対して平行な状態から所定角度
傾斜するようにフォ−ミングする半導体パッケ−ジの製
造方法である。In the eighth structure, a TAB part including a semiconductor element is punched out from a film carrier and the outer lead of the TAB part is positioned relative to an electrode of a substrate.
In the method of manufacturing a semiconductor package, the outer package of the TAB component is joined to the electrode of the substrate, and the outer package of the TAB component is manufactured.
This is a method of manufacturing a semiconductor package, in which the card and the tip are formed so as to be inclined at a predetermined angle from the state of being parallel to the substrate.

【０１０１】このような構成によれば、ＴＡＢ部品を基
板に、効率良くかつ良好に実装することができ、より良
好な半導体パッケ−ジを製造することができる効果があ
る。According to this structure, the TAB component can be mounted on the substrate efficiently and satisfactorily, and a better semiconductor package can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】この発明の一実施例を示す全体斜視図。FIG. 1 is an overall perspective view showing an embodiment of the present invention.

【図２】同じく、ハンダ供給装置を示す斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing a solder supply device.

【図３】同じく、アウタリ−ドボンディング装置を示す
概略構成図。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an outer bonding device.

【図４】同じく、ハンダ付け装置を示す縦断面図。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a soldering device.

【図５】同じく、ＴＡＢ部品を示す側面図。FIG. 5 is a side view showing a TAB component.

【図６】同じく、第２の実施例を示す概略図。FIG. 6 is a schematic view showing a second embodiment as well.

【図７】従来例を示す工程図。FIG. 7 is a process drawing showing a conventional example.

【図８】同じく、半導体素子のセラミック基板への固定
を示す概略構成図。FIG. 8 is a schematic configuration diagram similarly showing fixing of the semiconductor element to the ceramic substrate.

【図９】同じく、ＴＡＢ部品のセラミック基板への実装
を示す概略構成図。FIG. 9 is a schematic configuration diagram similarly showing mounting of TAB components on a ceramic substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…セラミック基板、３…ＴＡＢ部品、６…半導体素
子、７…アウタリ−ド、２１…ＴＡＢ部品供給ライン
（ＴＡＢ部品供給手段）、２２…セラミック基板供給ラ
イン（セラミック基板供給手段）、２４…フィルムキャ
リア、２６…打ち抜き・フォ−ミング装置（打ち抜きフ
ォ−ミング手段）、３３…ＴＡＢ部品移載装置（ＴＡＢ
部品位置決め移載手段）、４５…ハンダシ−ト供給装置
（ハンダ材供給手段）、４６…アウタリ−ドボンディン
グ装置（アウタリ−ドボンディング手段）、４７…ハン
ダ付け装置（ハンダ付け手段）、４８…ハンダシ−ト
（ハンダ材）。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic substrate, 3 ... TAB component, 6 ... Semiconductor element, 7 ... Outer lead, 21 ... TAB component supply line (TAB component supply means), 22 ... Ceramic substrate supply line (ceramic substrate supply means), 24 ... Film Carrier, 26 ... Punching / forming device (punching forming means), 33 ... TAB component transfer device (TAB
Parts positioning and transfer means), 45 ... Solder sheet supply device (solder material supply means), 46 ... Outer bonding device (outer bonding device), 47 ... Solder device (soldering device), 48 ... Solder -To (solder material).

フロントページの続き (72)発明者 冨岡 泰造 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内Front page continuation (72) Inventor Taizo Tomioka 33, Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 半導体素子がインナ−リ−ドボンディン
グされているフィルムキャリアを供給するフィルムキャ
リア供給手段と、 このフィルムキャリアから上記半導体素子を含むＴＡＢ
部品を打ち抜くと共に、上記ＴＡＢ部品のアウタリ−ド
を所定の形状にフォ−ミングする打ち抜きフォ−ミング
手段と、 表面に電極を有する基板を供給する基板供給手段と、 この基板の表面の上記ＴＡＢ部品の半導体素子が搭載さ
れる位置にハンダ材を供給するハンダ材供給手段と、 上記打ち抜きフォ−ミング手段から上記ＴＡＢ部品を取
り出すと共に、このＴＡＢ部品のアウタリ−ドと上記基
板の電極とを対向させ位置決めするＴＡＢ部品位置決め
手段と、 上記ＴＡＢ部品のアウタリ−ドを上記基板の電極に接合
するアウタリ−ドボンディング手段と、 上記基板を加熱することで上記ハンダを溶融させ上記Ｔ
ＡＢ部品の半導体素子を上記基板にハンダ付けするハン
ダ付け手段とを有することを特徴とする半導体パッケ−
ジの製造装置。1. A film carrier supply means for supplying a film carrier to which a semiconductor element is inner-lead bonded, and a TAB including the semiconductor element from the film carrier.
Punching and forming means for punching the parts and forming the outer lead of the TAB parts into a predetermined shape; substrate supplying means for supplying a substrate having electrodes on the surface; and the TAB parts on the surface of the substrate. The solder material supplying means for supplying the solder material to the position where the semiconductor element is mounted, the TAB component is taken out from the punching forming means, and the outer lead of the TAB component and the electrode of the substrate are opposed to each other. TAB component positioning means for positioning, outer lead bonding means for joining the outer lead of the TAB component to the electrode of the substrate, and heating the substrate to melt the solder and
And a soldering means for soldering the semiconductor element of the AB component to the substrate.
Ji manufacturing equipment. 【請求項２】 請求項１記載の半導体パッケ−ジの製造
装置において、上記基板の表面に供給されたハンダ材を
溶融させた後、上記半導体素子を含むＴＡＢ部品を上記
基板に対して押圧する押圧手段を有することを特徴とす
る請求項１記載の半導体パッケ−ジの製造装置。2. The semiconductor package manufacturing apparatus according to claim 1, wherein after melting the solder material supplied to the surface of the substrate, the TAB component including the semiconductor element is pressed against the substrate. 2. The semiconductor package manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a pressing means. 【請求項３】 半導体素子がインナ−リ−ドボンディン
グされているフィルムキャリアを供給するフィルムキャ
リア供給手段と、 このフィルムキャリアから上記半導体素子を含むＴＡＢ
部品を打ち抜くと共に上記ＴＡＢ部品のアウタリ−ドを
所定の形状にフォ−ミングする打ち抜きフォ−ミング手
段と、 表面に電極を有する基板を供給する基板供給手段と、 この基板の表面の上記ＴＡＢ部品の半導体素子が搭載さ
れる位置に、この半導体素子と基板とを接合するペ−ス
トを供給するペ−スト供給手段と、 上記打ち抜きフォ−ミング手段から上記ＴＡＢ部品を取
り出すと共に、このＴＡＢ部品のアウタリ−ドと上記基
板の電極とを対向させ位置決めするＴＡＢ部品位置決め
手段と、 上記ＴＡＢ部品のアウタリ−ドを上記基板の電極に接合
するアウタリ−ドボンディング手段とを有することを特
徴とする半導体パッケ−ジの製造装置。3. A film carrier supply means for supplying a film carrier to which a semiconductor element is inner-lead bonded, and a TAB containing the semiconductor element from the film carrier.
Punching forming means for punching parts and forming the outer lead of the TAB part into a predetermined shape; substrate supplying means for supplying a substrate having electrodes on the surface; and TAB parts for the surface of the substrate. At the position where the semiconductor element is mounted, the TAB component is taken out from the paste supply means for supplying the paste for joining the semiconductor element and the substrate, and the TAB component is taken out from the punching and forming means. A semiconductor package comprising: a TAB component positioning means for positioning the board and the electrode of the substrate so as to face each other; and an outer lead bonding means for joining the outer lead of the TAB component to the electrode of the substrate. Ji manufacturing equipment. 【請求項４】 表面に電極が形成された基板に半導体素
子を含むＴＡＢ部品を実装することで半導体パッケ−ジ
を製造する半導体パッケ−ジの製造装置において、 上記基板に設けられた電極と上記ＴＡＢ部品に設けられ
たアウタリ−ドとを一組ずつ個別に接合することができ
るアウタリ−ドボンディングツ−ルを具備することを特
徴とする半導体パッケ−ジの製造装置。4. A semiconductor package manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor package by mounting a TAB component including a semiconductor element on a substrate having an electrode formed on the surface thereof. An apparatus for manufacturing a semiconductor package, comprising an outer lead bonding tool capable of individually joining a set and an outer lead provided on a TAB component. 【請求項５】 表面に電極が形成された基板に半導体素
子を含むＴＡＢ部品を実装することで半導体パッケ−ジ
を製造する半導体パッケ−ジの製造方法において、 基板の表面の上記ＴＡＢ部品の上記半導体素子が搭載さ
れる位置にハンダ材を供給する工程と上記ＴＡＢ部品の
アウタリ−ドと上記基板の電極とを対向させ位置決めす
るＴＡＢ部品位置決め工程と、 上記ＴＡＢ部品のアウタリ−ドと上記基板の電極とを接
合するアウタリ−ドボンディング工程と、 酸化防止雰囲気中で上記ハンダ材を溶融させ、上記ＴＡ
Ｂ部品の半導体素子を上記基板にハンダ付けするハンダ
付け工程とを具備することを特徴とする半導体パッケ−
ジの製造方法。5. A semiconductor package manufacturing method for manufacturing a semiconductor package by mounting a TAB component including a semiconductor element on a substrate having an electrode formed on the surface thereof, wherein the TAB component on the surface of the substrate is the above-mentioned. A step of supplying a solder material to a position where a semiconductor element is mounted, a TAB component positioning step of positioning an outer lead of the TAB component and an electrode of the substrate so as to face each other, and an outer lead of the TAB component and the substrate. The outer bonding step of joining the electrodes, and melting the solder material in an antioxidation atmosphere,
And a soldering step of soldering the semiconductor element of component B to the substrate.
The manufacturing method of Ji. 【請求項６】 基板に供給されたハンダ材を溶融させた
後、半導体素子を含むＴＡＢ部品を上記基板に押圧する
押圧工程を有することを特徴とする請求項５記載の半導
体パッケ−ジの製造方法。6. The method of manufacturing a semiconductor package according to claim 5, further comprising a pressing step of pressing a TAB component including a semiconductor element against the substrate after melting the solder material supplied to the substrate. Method. 【請求項７】 表面に電極が形成された基板に半導体素
子を含むＴＡＢ部品を実装することで半導体パッケ−ジ
を製造する半導体パッケ−ジの製造方法において、 上記基板に設けられた電極と上記ＴＡＢ部品に設けられ
たアウタリ−ドとを一組ずつ個別に接合する工程を有す
ることを特徴とする半導体パッケ−ジの製造方法。7. A semiconductor package manufacturing method for manufacturing a semiconductor package by mounting a TAB component including a semiconductor element on a substrate having an electrode formed on the surface thereof. A method of manufacturing a semiconductor package, comprising the step of individually joining the outer leads provided on the TAB components one by one. 【請求項８】 フィルムキャリアから半導体素子を含む
ＴＡＢ部品を打ち抜くと共にこのＴＡＢ部品のアウタリ
−ドを基板の電極に相対的に位置決めし、このＴＡＢ部
品のアウタリ−ドと上記基板の電極とを接合することで
半導体パッケ−ジを製造する半導体パッケ−ジの製造方
法において、 上記ＴＡＢ部品のアウタリ−ドと先端部を上記基板に対
して平行な状態から所定角度傾斜するようにフォ−ミン
グすることを特徴とする半導体パッケ−ジの製造方法。8. A TAB component including a semiconductor element is punched out from a film carrier, the outer lead of the TAB component is positioned relatively to an electrode of a substrate, and the outer lead of the TAB component is bonded to the electrode of the substrate. In the method of manufacturing a semiconductor package for manufacturing a semiconductor package, the outer lead and the tip of the TAB component are formed so as to be inclined at a predetermined angle from a state parallel to the substrate. A method of manufacturing a semiconductor package, comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014120496A (en) * 2012-12-13 2014-06-30 Mitsubishi Electric Corp Die bonding apparatus, method of manufacturing semiconductor device

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