JPH06333280A - Magneto-optical recording medium which enables overwriting - Google Patents

Magneto-optical recording medium which enables overwriting

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JPH06333280A
JPH06333280A JP5122737A JP12273793A JPH06333280A JP H06333280 A JPH06333280 A JP H06333280A JP 5122737 A JP5122737 A JP 5122737A JP 12273793 A JP12273793 A JP 12273793A JP H06333280 A JPH06333280 A JP H06333280A
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JP
Japan
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layer
medium
magnetization
recording
magneto
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Application number
JP5122737A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazutomo Miyata
一智 宮田
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH06333280A publication Critical patent/JPH06333280A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve durability for repetition of writing by forming layers in such a manner that at least one of the memory layer or writing layer has a quasi-crystalline structure and the other layer having no quasi-crystalline structure has a multilayer structure. CONSTITUTION:The M layer and/or W layer of this magneto-optical recording medium has a quasi-crystalline structure. When the W layer and M layer are formed by sputtering from heavy rare earty-transition metal alloy targets, N2, O2, Al, Cu, Cr, etc., are added by sputtering from gas or targets. The obtd. medium shows little change in the window margin (the range of beam intensity to obtain desired C/N) while a medium produced by a conventional method shows large changes in the window margin. Namely, the obtd. medium has high durability for repetition of writing.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は記録磁界の向きを変調さ
せずに、光ビームの強度変調だけでオーバーライトが可
能な光磁気記録媒体、特に繰り返し記録再生に対して高
耐久性を有する記録媒体に関する。オーバーライト(ove
r write)とは、前の情報を消去せずに新たな情報を記録
する行為を言う。この場合、再生したとき、前の情報は
再生されてはならない。本明細書で言う「オーバーライ
ト」とは、特に、記録磁界Hb の向き及び強度を変調せ
ずに、単にレーザービームを記録すべき情報に従いパル
ス変調しながら照射する(irradiate) ことにより、オー
バーライトすることを言う。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium which can be overwritten only by intensity modulation of a light beam without modulating the direction of a recording magnetic field, and in particular, recording having high durability against repeated recording and reproduction. Regarding the medium. Overwrite (ove
r write) is the act of recording new information without erasing the previous information. In this case, when played back, the previous information should not be played back. The term "overwrite" as used in the present specification refers to overwrite by simply irradiating the laser beam while modulating the pulse according to the information to be recorded, without modulating the direction and intensity of the recording magnetic field Hb. Tell what to do.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。
2. Description of the Related Art Recently, an optical recording / reproducing method satisfying various requirements including high density, large capacity, high access speed, and high recording / reproducing speed, and a recording apparatus, reproducing apparatus and recording medium used therefor. Efforts are being made to develop. Among a wide range of optical recording / reproducing methods, the magneto-optical recording / reproducing method has a unique advantage that information can be recorded and then erased, and new information can be recorded again and again. For being full of the greatest attraction.

【0003】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録を残す層として1層又は多層からなる垂直
磁化膜(perpendicular magnetic layer or layers) を
有する。この磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGd
Co、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどからなる。垂直磁
化膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有し
ており、このトラックの上に情報が記録される。トラッ
クは明示的な場合と黙示的な場合の2通りある。 〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はディスク形状を
している。明示的なトラックを有するディスクは、ディ
スク平面に対し垂直方向から見た場合、情報を記録する
トラックが渦巻状又は同心円状に形成されている。そし
て、隣接する2つのトラック間にトラッキングのため及
び分離のための溝(グルーブ groove )が存在する。逆
に溝と溝の間をランド(land)と呼ぶ。実際には、ディス
クの裏表でランドと溝が逆になる。そこで、ビームが入
射するのと同じにディスクを見て、手前を溝、奥をラン
ドと呼ぶ。垂直磁化膜は、溝の上にもランドの上にも一
面に形成するので、溝の部分をトラックにしてもよい
し、ランドの部分をトラックにしてもよい。溝の幅とラ
ンドの幅との間に特に大小関係はない。
A recording medium used in this magneto-optical recording / reproducing method has a perpendicular magnetic layer (perpendicular magnetic layer or layers) consisting of one layer or multiple layers as a layer for recording. This magnetic film is made of, for example, amorphous GdFe or Gd.
It is composed of Co, GdFeCo, TbFe, TbCo, TbFeCo and the like. The perpendicular magnetic film generally has concentric or spiral tracks, and information is recorded on the tracks. There are two types of tracks, explicit and implicit. [Explicit Track] The magneto-optical recording medium has a disk shape. In a disc having explicit tracks, tracks for recording information are formed in a spiral shape or a concentric circle shape when viewed in a direction perpendicular to the disk plane. There is a groove for tracking and separation between two adjacent tracks. Conversely, the space between the grooves is called a land. In reality, the land and groove are reversed on the front and back of the disc. Therefore, looking at the disk in the same way as the beam enters, the front side is called a groove and the back side is called a land. Since the perpendicularly magnetized film is formed over both the groove and the land, the groove portion may be the track or the land portion may be the track. There is no particular relationship between the width of the groove and the width of the land.

【0004】このようなランドと溝を構成するために、
一般に、基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成さ
れたランドと、2つの隣合うランド間に挟まれた溝が存
在する。このような基板上に薄く垂直磁化膜が形成され
る。これにより垂直磁化膜はランドと溝を持つ。 〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き(upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「A
向き」、他方を「逆A向き」と定義する。
In order to form such a land and groove,
Generally, a substrate has a land formed in a spiral or concentric shape on the surface and a groove sandwiched between two adjacent lands. A thin perpendicular magnetic film is formed on such a substrate. As a result, the perpendicular magnetization film has lands and grooves. [Mark] In the present specification, “upward (upwar
d) "or" downward "
Orientation "and the other is defined as" reverse A orientation ".

【0005】記録すべき情報は、予め2値化されてお
り、この情報が「A向き」の磁化を有するマーク(B1)
と、「逆A向き」の磁化を有するマーク(B0)の2つの
信号で記録される。これらのマークB1 ,B0 は、デジ
タル信号の1,0の何れか一方と他方にそれぞれ相当す
る。しかし、一般には記録されるトラックの磁化は、記
録前に強力な外部磁場を印加することによって「逆A向
き」に揃えられる。この磁化の向きを揃える行為は、古
い意味で「初期化* (initialize* )」と呼ばれる。そ
の上でトラックに「A向き」の磁化を有するマーク(B
1)を形成する。情報は、このマーク(B1)の有無、位
置、マークの前端位置、後端位置、マーク長等によって
表現される。特にマークのエッジ位置が情報を表す方法
はマーク長記録と呼ばれる尚、マークは、過去にピット
又はビットと呼ばれたことがあるが、最近はマークと呼
ぶ。
The information to be recorded is binarized in advance, and this information has a mark (B 1 ) having a magnetization in "A direction".
Then, two signals of the mark (B 0 ) having the magnetization in the “reverse A direction” are recorded. These marks B 1 and B 0 correspond to either one or the other of the digital signals 1 and 0, respectively. However, generally, the magnetization of the track to be recorded is aligned in the "reverse A direction" by applying a strong external magnetic field before recording. Act to align the magnetization direction is referred to as the "initialization * (initialize *)" in the old sense. Then, the mark (B
1 ) to form. Information is represented by the presence or absence of the mark (B 1 ), the position, the front end position, the rear end position of the mark, the mark length, and the like. In particular, a method in which the edge position of a mark represents information is called mark length recording. A mark has been called a pit or a bit in the past, but is recently called a mark.

【0006】ところで、記録ずみの媒体を再使用するに
は、 (1) 媒体を再び初期化* 装置で初期化* するか、
又は (2) 記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを
併設するか、又は (3) 予め、前段処理として記録装置
又は消去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要があ
る。従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ
情報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録でき
るオーバーライトは、不可能とされていた。
By the way, in order to reuse the recorded medium, (1) initialize the medium again * initialize it with the device * , or
Or (2) it is necessary to add an erasing head similar to the recording head to the recording device, or (3) it is necessary to erase the recorded information in advance by using the recording device or the erasing device as a pre-stage process. Therefore, in the magneto-optical recording system, it has hitherto been impossible to perform overwriting capable of recording new information on the spot regardless of the presence or absence of recorded information.

【0007】もっとも、もし記録磁界Hb の向きを必要
に応じて「A向き」と「逆A向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Hb の向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Hb が永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Hbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。
However, if the direction of the recording magnetic field Hb can be freely modulated between "A direction" and "reverse A direction" as required, overwriting becomes possible. However, it is impossible to modulate the direction of the recording magnetic field Hb at high speed. For example, when the recording magnetic field Hb is a permanent magnet, it is necessary to mechanically reverse the direction of the magnet. However, it is impossible to reverse the direction of the magnet at high speed. Even when the recording magnetic field Hb is an electromagnet, it is impossible to modulate the direction of a large-capacity current at such a high speed.

【0008】しかしながら、技術の進歩は著しく、記録
磁界Hb の強度を変調せずに(ON、OFF を含む) 又は記
録磁界Hb の向きを変調せずに、照射する光ビームの強
度を記録すべき2値化情報に従い変調するだけで、オー
バーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用され
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれ
に使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明さ
れ、特許出願された(特開昭62−175948号=DE3,619,61
8A1 =米国特許出願中 Ser.No453,255) 。以下、この発
明を「基本発明」と引用する。 〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録再生層recording layer
(本明細書では、この記録再生層をメモリー層 Memory
layer又はM層と言う)と、垂直磁化可能な磁性薄膜か
らなる記録補助層 referencelayer (本明細書では、こ
の記録補助層をライティング層 Writing layer 又はW
層と言う)とを含み、両層は交換結合(exchange-coupl
ed) しており、かつ、室温でM層の磁化の向きは変えな
いでW層の磁化のみを所定の向きに向けておくことがで
きるオーバーライト可能な多層光磁気記録媒体」を使用
する。
However, the technical progress is remarkable, and the intensity of the irradiation light beam should be recorded without modulating the intensity of the recording magnetic field Hb (including ON and OFF) or without modulating the direction of the recording magnetic field Hb. A magneto-optical recording method capable of overwriting, a magneto-optical recording medium capable of being overwritten, and an overwritable recording apparatus also employed therefor have been invented only by modulating in accordance with binary information. A patent application has been filed (JP-A-62-175948 = DE3,619,61)
8A1 = US patent pending Ser. No. 453,255). Hereinafter, this invention is referred to as a "basic invention". [Description of Basic Invention] In the basic invention, "a recording / reproducing layer basically composed of a magnetic thin film capable of perpendicular magnetization
(In this specification, this recording / reproducing layer is referred to as a memory layer Memory
layer or M layer) and a recording auxiliary layer consisting of a perpendicularly magnetizable magnetic thin film reference layer (in this specification, this recording auxiliary layer is a writing layer Writing layer or W).
Layer) and both layers are exchange-coupled (exchange-coupl
ed), and at the room temperature, the overwritable multilayer magneto-optical recording medium capable of keeping only the magnetization of the W layer in a predetermined direction without changing the magnetization direction of the M layer is used.

【0009】そして、情報をM層(場合によりW層に
も)における「A向き」磁化を有するマークと「逆A向
き」磁化を有するマークで表現し、記録するのである。
この媒体は、W層が外部手段(例えば初期補助磁界Hin
i. )によって、その磁化の向きを「A向き」に揃える
ことができる。しかも、そのとき、M層は、磁化の向き
は反転せず、更に、一旦「A向き」に揃えられたW層の
磁化の向きは、M層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にM層の磁化の向きは、「A向き」に揃えられた
W層からの交換結合力を受けても反転しない。
Information is represented and recorded by a mark having an "A direction" magnetization and a mark having an "inverse A direction" magnetization in the M layer (and also in the W layer in some cases).
In this medium, the W layer has an external means (for example, an initial auxiliary magnetic field Hin.
By i.), the direction of the magnetization can be aligned in the “A direction”. Moreover, at that time, the magnetization direction of the M layer is not reversed, and further, the magnetization direction of the W layer once aligned in the “A direction” is not reversed even when the exchange coupling force from the M layer is received. On the contrary, the magnetization direction of the M layer is not reversed even when receiving the exchange coupling force from the W layer aligned in the “A direction”.

【0010】そして、W層は、M層に比べて低い保磁力
C と高いキュリー点TC を持つ。基本発明の記録方法
によれば、記録媒体は、記録前までに、外部手段により
W層の磁化の向きだけが「A向き」に揃えられる。この
行為を本明細書では特別に“初期化(initialize)”と呼
ぶ。この“初期化”はオーバーライト可能な媒体に特有
なことである。
The W layer has a lower coercive force H C and a higher Curie point T C than the M layer. According to the recording method of the basic invention, only the magnetization direction of the W layer of the recording medium is aligned in the “A direction” by external means before recording. This act is specifically referred to herein as "initialize". This "initialization" is unique to overwritable media.

【0011】その上で、2値化情報に従いパルス変調さ
れたレーザービームが媒体に照射される。レーザービー
ムの強度は、高レベルPH と低レベルPL があり、これ
はパルスの高レベルと低レベルに相当する。この低レベ
ルは、再生時に媒体を照射する再生レベルPR よりも高
い。既に知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを<非常な低レベル>で点灯することが
ある。この<非常な低レベル>も、再生レベルPR と同
一又は近似のレベルである。
Then, the medium is irradiated with a laser beam pulse-modulated according to the binarized information. The intensity of the laser beam has a high level P H and a low level P L , which correspond to the high level and low level of the pulse. This low level is higher than the reproduction level P R that illuminates the medium during reproduction. As is already known, the laser beam may be turned on at a <very low level> even when recording is not performed, for example, to access a predetermined recording position on the medium. This <very low level> is also the same as or close to the reproduction level P R.

【0012】例えば、「A向き」に“初期化(initializ
e)”された媒体は、低レベルPL のレーザービームの照
射を受けると、媒体の温度が向上してM層の保磁力Hc1
が非常に小さくなるか極端にはゼロになる。ゼロになる
のは、媒体の温度がM層のキュリー点以上であるときで
ある。このとき、W層の保磁力Hc2は十分に大きく、
「逆A向き」の記録磁界Hb で反転されることはない。
そして、W層の力が交換結合力を介してM層に及ぶ。M
層、W層は、一般に重希土類金属(heavy rareearth me
tal:以下、REと略す)−遷移金属(transition meta
l:以下、TMと略す)合金で構成される。交換結合力
は、両層のRE磁気モーメント同士を揃える力と両層の
TM磁気モーメント同士を揃える力からなる。尚、合金
中ではREの副格子磁化とTMの副格子磁化とは、向き
が逆であり、大きい方の副格子磁化の向きが、合金の磁
化の向きを決める。両副格子磁化が等しいとき、その組
成を補償組成(compensation composition) と言い、そ
の温度を補償温度(compensation temperature) と言
う。 補償温度より上では、TM副格子磁化の方が強
く、補償温度より下では、RE副格子磁化の方が強い。
For example, "initialize" for "A direction"
When the medium subjected to e) ”is irradiated with a laser beam of a low level P L , the temperature of the medium is increased and the coercive force H c1 of the M layer is increased.
Becomes very small or extremely zero. It becomes zero when the temperature of the medium is equal to or higher than the Curie point of the M layer. At this time, the coercive force H c2 of the W layer is sufficiently large,
It is not reversed by the recording magnetic field Hb in the "reverse A direction".
Then, the force of the W layer reaches the M layer via the exchange coupling force. M
Layers and W layers are generally composed of heavy rare earth metals.
tal: hereinafter abbreviated as RE) -transition metal (transition meta
l: abbreviated as TM hereinafter). The exchange coupling force is composed of a force that aligns the RE magnetic moments of both layers and a force that aligns the TM magnetic moments of both layers. In the alloy, the sublattice magnetization of RE and the sublattice magnetization of TM have opposite directions, and the direction of the larger sublattice magnetization determines the direction of magnetization of the alloy. When both sublattice magnetizations are equal, the composition is called a compensation composition and the temperature is called a compensation temperature. Above the compensation temperature, the TM sublattice magnetization is stronger, and below the compensation temperature, the RE sublattice magnetization is stronger.

【0013】レーザービームを照射する前のマークの状
態は、M層とW層との間に界面磁壁が存在する状態
と、存在しない状態との2種がある。存在しない状
態のマークは、形成しようとするマークと一致する。
存在する状態のマークは、形成しようとするマークと一
致しない。後者の場合、W層の力が交換結合力を介し
てM層に及ぶ結果、非常に小さくなった保磁力Hc1を持
つM層の磁化は、W層によって支配された所定の向き
(例えば、「A向き」)を向かされる。その結果、M層
とW層との間に界面磁壁が存在しないマーク(目的とす
るマーク)が形成される。
There are two types of marks before irradiation with the laser beam: a state in which an interface domain wall exists between the M layer and the W layer and a state in which no interface magnetic wall exists. The mark which does not exist corresponds to the mark to be formed.
The existing mark does not match the mark to be formed. In the latter case, as a result of the force of the W layer reaching the M layer via the exchange coupling force, the magnetization of the M layer having a very small coercive force H c1 is determined in a predetermined direction (eg, "A direction"). As a result, a mark having no interface domain wall (target mark) is formed between the M layer and the W layer.

【0014】仮にM層の磁化がゼロだった場合(Tc1
上)でもレーザービームの照射がなくなり、媒体の温度
が自然に低下してキュリー点Tc1よりやや下がると、M
層に磁化が現れる。このとき、同様にW層の力が交換結
合力を介してM層に及ぶ。そのため、M層に現れる磁化
は、W層によって支配された所定の向き(例えば、「A
向き」)を向く。この状態から室温に戻るが、所定の向
きが保たれる。ただし、室温へ戻る途中にM層、W層に
補償温度があると、そこを越えたとき、その層の磁化の
向きは逆転する。このプロセスは低温サイクル又は低温
プロセスと呼ばれる。
Even if the magnetization of the M layer is zero (T c1 or more), the irradiation of the laser beam is stopped, and the temperature of the medium naturally lowers to slightly lower than the Curie point T c1.
Magnetization appears in the layer. At this time, similarly, the force of the W layer reaches the M layer via the exchange coupling force. Therefore, the magnetization appearing in the M layer has a predetermined direction (for example, “A
Direction "). From this state, the temperature returns to room temperature, but the predetermined orientation is maintained. However, if there is a compensation temperature in the M layer and the W layer during returning to room temperature, the magnetization direction of the layer is reversed when the temperature exceeds the compensation temperature. This process is called a cold cycle or cold process.

【0015】他方、例えば、「A向き」に“初期化(ini
tialize)”された媒体は、高レベルPH のレーザービー
ムの照射を受けると、媒体の温度が向上してM層の保磁
力Hc1はゼロになり、W層の保磁力Hc2は非常に小さく
なるか、極端にはゼロになる。そのため、非常に小さい
保磁力Hc2を持つW層の磁化は、記録磁界Hb に負けて
所定の向き(例えば、「逆A向き」)を向く。仮にW層
の磁化がゼロだった場合でもレーザービームの照射がな
くなり、媒体の温度が自然に低下して キュリー点Tc2
よりやや下がると、W層に磁化が現れるが、このとき、
同様に記録磁界Hb に負けて、W層の磁化は所定の向き
(例えば、「逆A向き」)を向く。更に媒体の温度が冷
えてキュリー点Tc1よりやや下がると、M層に磁化が現
れる。このとき、W層の力が交換結合力を介してM層に
及ぶ。そのため、M層に現れる磁化は、W層によって支
配された所定の向き(例えば、「逆A向き」)を向く。
この状態から室温に戻るが、所定の向きが保たれる。但
し、室温へ戻る途中にM層、W層に補償温度があると、
そこを越えたとき、M層、W層の磁化の向きは逆転す
る。このプロセスは高温サイクル又は高温プロセスと呼
ばれる。
On the other hand, for example, "Initialization (ini
tialize) "is media receives the irradiation of the laser beam of high level P H, the coercive force H c1 of the M layer is improved temperature of the medium is zero, the coercive force H c2 of W layer is very Therefore, the magnetization of the W layer, which has a very small coercive force H c2 , loses the recording magnetic field Hb and faces a predetermined direction (for example, the “reverse A direction”). Even if the magnetization of the W layer is zero, the irradiation of the laser beam is stopped and the temperature of the medium is naturally lowered to the Curie point T c2.
When it goes down a little, magnetization appears in the W layer, but at this time,
Similarly, when the recording magnetic field Hb is lost, the magnetization of the W layer is oriented in a predetermined direction (for example, "reverse A direction"). Further, when the temperature of the medium cools and falls slightly below the Curie point T c1 , magnetization appears in the M layer. At this time, the force of the W layer reaches the M layer via the exchange coupling force. Therefore, the magnetization appearing in the M layer is oriented in a predetermined direction (for example, “reverse A direction”) dominated by the W layer.
From this state, the temperature returns to room temperature, but the predetermined orientation is maintained. However, if there is a compensation temperature in the M and W layers on the way back to room temperature,
When it exceeds that, the magnetization directions of the M layer and the W layer are reversed. This process is called a high temperature cycle or high temperature process.

【0016】以上の低温サイクル、高温サイクルは、M
層、W層の磁化の向きに無関係に、起こる。ともかく、
レーザービームの照射前にW層が“初期化(initializ
e)”されておれば良い。そのため、オーバーライトが可
能となる。基本発明では、レーザービームは、記録すべ
き情報に従いパルス状に変調される。しかし、このこと
自身は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべ
き2値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手
段は既知の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM T
ECHNICAL JOURNAL, Vol.62(1983),1923 −1936に詳し
く説明されている。従って、ビーム強度の必要な高レベ
ルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修
正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、その
ような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与え
られれば、容易であろう。
The above low temperature cycle and high temperature cycle are M
It occurs regardless of the direction of magnetization of the layer and the W layer. anyway,
Before the laser beam irradiation, the W layer is “initialized (initializ
e) ”, so that overwriting is possible. In the basic invention, the laser beam is pulse-modulated according to the information to be recorded. However, the means for pulse-modulating the beam intensity according to the binary information to be recorded is a known means, for example, THE BELL SYSTEM T.
It is described in detail in ECHNICAL JOURNAL, Vol.62 (1983), 1923-1936. Therefore, given the required high and low levels of beam intensity, they are readily available with some modifications to conventional modulation means. For those skilled in the art, such modification would be easy given the high and low levels of beam intensity.

【0017】基本発明に於いて特徴的なことの1つは、
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Hb その他の外部手段
によりW層の「A向き」磁化を「逆A向き」に反転(re
verse)させ、このW層の「逆A向き」磁化によってM層
に「逆A向き」磁化〔又は「A向き」磁化〕を有するマ
ークを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、W層の
磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず、そして、W
層の作用(この作用は交換結合力を通じてM層に伝わ
る)によってM層に「A向き」磁化〔又は「逆A向き」
磁化〕を有するマークを形成する。
One of the features of the basic invention is
There are high and low levels of beam intensity. That is, when the beam intensity is at a high level, the "A direction" magnetization of the W layer is reversed (reverse A direction) by the recording magnetic field Hb or other external means (re
verse), and the "reverse A direction" magnetization of the W layer forms a mark having "reverse A direction" magnetization (or "A direction" magnetization) in the M layer. When the beam intensity is low, the magnetization direction of the W layer is the same as in the "initialized" state, and
By the action of the layer (this action is transmitted to the M layer through the exchange coupling force), the M layer is magnetized "A direction" [or "reverse A direction"].
Magnetization] is formed.

【0018】なお、本明細書で、○○○〔又は△△△〕
という表現は、先に〔 〕の外の○○○を読んだときに
は、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも、〔 〕の
外の○○○を読むことにする。それに対して先に○○○
を読まずに〔 〕内の△△△の方を選択して読んだとき
には、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも○○○を
読まずに〔 〕内の△△△を読むものとする。
In the present specification, ○○○ [or △△△]
With the expression, when XX outside [] is read first, XX outside [] will be read also in the following XX [or ΔΔΔ ]. On the contrary, ○○○
If you select and read the △△△ one in [] without reading, you can also read △ ○ △ in [] without reading ○○○ even in the following ○○○ [or △△△ ] Should be read.

【0019】基本発明で使用される媒体は、第1実施態
様と第2実施態様とに大別される。いずれの実施態様に
おいても、 記録媒体は、M層とW層を含む多層構造を
有する。M層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低
い磁性層である。W層はM層に比べ相対的に室温で保磁
力が低く磁化反転温度が高い磁性層である。なお、M層
とW層ともに、それ自体多層膜から構成されていてもよ
い。 場合によりM層とW層との間に中間層(例えば、
交換結合力σW 調整層・・・・以下、この層をInt.層と
略す)が存在していてもよい。Int.層については、特開
昭64−50257 号や特開平1−273248号を参照されたい。
The medium used in the basic invention is roughly classified into a first embodiment and a second embodiment. In any of the embodiments, the recording medium has a multilayer structure including an M layer and a W layer. The M layer is a magnetic layer having a high coercive force and a low magnetization reversal temperature at room temperature. The W layer is a magnetic layer having a lower coercive force and a higher magnetization reversal temperature at room temperature than the M layer. Both the M layer and the W layer may themselves be composed of a multilayer film. In some cases, an intermediate layer (for example, between the M layer and the W layer)
Exchange coupling force σ W adjusting layer ... (Hereinafter, this layer is abbreviated as Int. Layer). For the Int. Layer, see JP-A-64-50257 and JP-A-1-273248.

【0020】また、オーバーライト可能な光磁気記録に
ついては、その外、特開平4−123339号や特開平4−13
4741号など多くの資料が出されているので、ここでは、
これ以上の説明を省く。なお、特開平4−123339号に開
示された4層構造のディスクは、M層、W層の外に、
“初期化”層 (Initializing layer:以下、I層と略
す)、I層とW層との間に両層の間の交換結合をオン・
オフするスイッチング層(Switching layer :以下:S
層と略す)を持つ。
Further, regarding overwritable magneto-optical recording, in addition to the above, JP-A-4-123339 and JP-A-4-13
Since many materials such as No. 4741 have been issued, here,
Omit further explanation. The disc having a four-layer structure disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-123339 has, in addition to the M layer and the W layer,
"Initializing layer" (hereinafter abbreviated as I layer), and exchange coupling between I layer and W layer is turned on.
Switching layer to turn off (below: S
Layer).

【0021】C/N比を高めるために、M層の上に(つ
まり、レーザービームの入射側に)M層よりキュリー点
が高くカー効果の高い再生層(Readout layer :以下:
R層と略す)を積層したものも提案されている。例え
ば、特開昭63−64651 号公報、特開昭63−48637 号公報
を参照されたい。提案されたR層もRE−TM系合金で
構成される。
In order to increase the C / N ratio, a read-out layer (Readout layer: below) having a higher Curie point and a higher Kerr effect than the M layer on the M layer (that is, on the laser beam incident side):
A laminate of R layers) is also proposed. For example, see JP-A-63-64651 and JP-A-63-48637. The proposed R layer is also composed of a RE-TM based alloy.

【0022】従来、M層及びW層は重希土類金属と遷移
金属とからなるアモルファス構造をとる垂直磁化膜をス
パッタリングにより成膜させていた。
Conventionally, the M layer and the W layer have been formed by sputtering a perpendicularly magnetized film having an amorphous structure composed of a heavy rare earth metal and a transition metal.

【0023】[0023]

【発明が解決しようとする課題】従来、オーバーライト
可能な光磁気記録媒体は、繰り返し書き込みを行うとC
/Nが低下してゆき、再生される情報の信頼性が劣って
ゆくという問題点があった。そこで、本発明はこれらの
問題点を解決し、繰り返し書き込みしてもC/Nの低下
がない、オーバーライト可能な光磁気記録媒体を得るこ
とを目的とする。
Conventionally, an overwritable magneto-optical recording medium has a C content when repeatedly written.
There is a problem that / N decreases and reliability of reproduced information deteriorates. SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to solve these problems and to obtain an overwritable magneto-optical recording medium in which the C / N does not decrease even after repeated writing.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】本発明者は、オーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体の再生信号のC/Nが低下し
ていく原因を検討した。そこでM層及びW層の結晶構造
と記録条件との関係を調べた。その結果、記録再生時に
照射するレーザー光の熱の影響により、アモルファス構
造であるM層又はW層の結晶構造が変化してしまうこと
を突き止めた。これにより、磁化の反転動作が不安定に
なり原情報通りの記録マークの形成ができなくったり、
古い情報から新しい情報に書き換える場合に層内の結晶
構造が不安定であるために、古い情報がそのまま残り、
これがノイズとなってC/Nが低下することが判った。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present inventor has investigated the cause of a decrease in C / N of a reproduction signal of an overwritable magneto-optical recording medium. Therefore, the relationship between the crystal structure of the M layer and the W layer and the recording conditions was investigated. As a result, it was found that the crystal structure of the M layer or W layer, which is an amorphous structure, changes due to the influence of the heat of the laser beam applied during recording and reproduction. As a result, the magnetization reversal operation becomes unstable, and it becomes impossible to form the recording mark according to the original information.
When rewriting old information to new information, the crystal structure in the layer is unstable, so the old information remains as it is,
It was found that this becomes noise and C / N is lowered.

【0025】本発明者は、鋭意研究の結果、M層及びW
層の結晶構造を自由エネルギーが従来のアモルファス構
造よりも低く、安定な構造を有する材料で形成すること
を提案した。そこで本発明は、第1に「(請求項1)」
を提供する。第2に「(請求項2)」を提供する。
As a result of earnest research, the present inventor has found that the M layer and W
It was proposed that the crystal structure of the layer be formed of a material having a stable structure with a lower free energy than the conventional amorphous structure. Therefore, the present invention is firstly “(Claim 1)”.
I will provide a. Secondly, “(Claim 2)” is provided.

【0026】[0026]

【作用】本発明は、M層及び/又はW層が準晶構造を成
している。準晶構造とはアモルファス構造(非晶質構
造)と結晶構造の中間的な構造のことであり、非晶質と
結晶が混在している状態の構造をいう。準晶構造につい
て小角X線散乱分析を行うと回折パターンが現れるが、
広角X線散乱分析を行うと回折パターンは現れない。前
記のように準晶構造であるW層又はM層は、完全なアモ
ルファス構造をとる場合に比較して、層の自由エネルギ
ーが低くなる。自由エネルギーが低くなるために、記録
再生時にレーザー光を照射した場合に熱による層内の構
造変化が繰り返し書き込みの前後で少なくなり、媒体の
熱耐久性が向上する。
According to the present invention, the M layer and / or the W layer has a quasi-crystal structure. The quasi-crystal structure is an intermediate structure between an amorphous structure (amorphous structure) and a crystal structure, and means a structure in which amorphous and crystal are mixed. When a small angle X-ray scattering analysis is performed on the quasicrystal structure, a diffraction pattern appears,
No diffraction pattern appears when wide-angle X-ray scattering analysis is performed. As described above, the W layer or the M layer having a quasi-crystal structure has a lower free energy of the layer as compared with the case of having a completely amorphous structure. Since the free energy becomes low, the structural change in the layer due to heat upon irradiation with laser light during recording / reproduction is reduced before and after repeated writing, and the thermal durability of the medium is improved.

【0027】上記課題の解決のために、本発明ではW層
及びM層を成膜する際に、重希土類−遷移金属系合金タ
ーゲットからのスパッタリングとともに N2 、O2
Al、Cu、Cr等をガスあるいはターゲットからのス
パッタリングにより添加する。
In order to solve the above problems, in the present invention, when the W layer and the M layer are formed, N 2 , O 2 and N 2 are added together with sputtering from a heavy rare earth-transition metal alloy target.
Al, Cu, Cr, etc. are added by sputtering from a gas or a target.

【0028】[0028]

【実施例1】 (1)まず、直径130 mm、厚さ約1.2 mmのガラス基板
(G)上に紫外線硬化型樹脂(PP:Photo polymer )
が形成された2P基板を用意する。この樹脂層(PP)
上には、内周側(半径r=30mm位置) から外周側(r=
60mm位置) にかけて多数本の溝が渦巻状に形成に形成さ
れている。溝の寸法は、幅が0.35μm、ピッチが1.4 μ
m、深さが約700 Åである。 (2)次にスパッタリングを行う。図1は、本実施例に
係わる光磁気記録媒体製造用のスパッタリング装置を模
式的に示した概略図である。
Embodiment 1 (1) First, an ultraviolet curable resin (PP: Photo polymer) is formed on a glass substrate (G) having a diameter of 130 mm and a thickness of about 1.2 mm.
A 2P substrate on which is formed is prepared. This resin layer (PP)
Above, from the inner circumference side (radius r = 30 mm position) to the outer circumference side (r =
A large number of grooves are formed in a spiral shape up to the 60 mm position). Groove dimensions are 0.35 μm wide and 1.4 μ pitch
m, depth is about 700 Å. (2) Next, sputtering is performed. FIG. 1 is a schematic view schematically showing a sputtering apparatus for manufacturing a magneto-optical recording medium according to this embodiment.

【0029】スパッタリングは、チャンバー内を一旦5
×10-5Pa以下の真空度に排気した後に行う。スパッタリ
ング装置は、3つの真空槽をもち、このうちの2つの槽
は、それぞれ3元のカソードのあるスパッタ室(6)、
(7)が設置されている。最初にスパッタ室(7)にお
いてSiターゲットを用い、ガス圧0.3 PaのArガスに加え
てN2 ガスをチャンバー内に導入して反応性スパッタリ
ングを行い、樹脂の上に膜厚700 Åの窒化シリコンの保
護層を形成する。スパッタリングの堆積速度は100 Å/
分とした。この媒体をスパッタ室(6)に移動し、ター
ゲット(1)のFeCo合金、ターゲット(2)のTbの2つ
のターゲットから2元同時スパッタリングを行いM層を
成膜した。スパッタリング条件は、Arガス圧0.5Pa 、堆
積速度200 Å/ 分である。このようにM層は、2元同時
スパッタリングにより形成されるので、基板が各ターゲ
ット上を通過するように基板ホルダーを回転させる。そ
のために、M層は極薄い膜が層状に積層された多層構造
を成している。
For the sputtering, once the inside of the chamber
It is performed after evacuation to a vacuum of × 10 -5 Pa or less. The sputtering apparatus has three vacuum chambers, two of which are sputtering chambers (6) each having a ternary cathode,
(7) is installed. First, using a Si target in the sputtering chamber (7), N 2 gas was introduced into the chamber in addition to Ar gas with a gas pressure of 0.3 Pa to carry out reactive sputtering, and 700 Å film thickness of silicon nitride was deposited on the resin. To form a protective layer. Sputtering deposition rate is 100Å /
Minutes This medium was moved to the sputtering chamber (6), and two-source simultaneous sputtering was performed from the two targets of FeCo alloy of the target (1) and Tb of the target (2) to form the M layer. The sputtering conditions are an Ar gas pressure of 0.5 Pa and a deposition rate of 200 Å / min. Since the M layer is thus formed by the two-source simultaneous sputtering, the substrate holder is rotated so that the substrate passes over each target. Therefore, the M layer has a multilayer structure in which extremely thin films are laminated in layers.

【0030】次にターゲット(3)により良好なオーバ
ーライト特性を持たせるために中間層(Int.層)として
GdFeCoを成膜した。これらのスパッタリング条件は前述
の通りである。保護層、M層、 Int.層が形成された媒
体をスパッタ室(7)に移動する。ターゲット(4)は
W層を形成するためのDyFeCo合金のターゲットであり、
ターゲット(5)はCrのターゲットである。この各タ
ーゲットを用い同時スパッタをすることによりW層を成
膜する。このときのCrのターゲット(5)のパワー
(印加電圧)はターゲット(4)の0.5%とした。また、
スパッタリング時のArガス圧は0.2Pa 、堆積速度は150
Å/ 分とした。
Next, as an intermediate layer (Int. Layer), the target (3) has better overwrite characteristics.
A GdFeCo film was formed. These sputtering conditions are as described above. Protective layer, M layer, Int. The medium on which the layer is formed is moved to the sputtering chamber (7). The target (4) is a DyFeCo alloy target for forming the W layer,
The target (5) is a Cr target. Co-sputtering is performed using each of these targets to form a W layer. The power (applied voltage) of the Cr target (5) at this time was 0.5% of the target (4). Also,
Ar gas pressure during sputtering is 0.2 Pa, deposition rate is 150
Å / min.

【0031】最後に前記保護層と同様な形成方法、スパ
ッタリング条件で反応性スパッタリングを行い、W層の
上に膜厚700 Åの窒化シリコンの保護層を形成する。
Finally, reactive sputtering is performed under the same forming method and sputtering conditions as for the protective layer to form a silicon nitride protective layer having a film thickness of 700Å on the W layer.

【0032】[0032]

【評価試験1】実施例1の製造方法により作成したDO
W媒体(ダイレクトオーバーライト)と、従来のように
M層及びW層を合金ターゲットから形成し、アモルファ
ス構造を成し、準晶構造を有さない光磁気記録媒体との
繰り返し書き込みに対する耐久性を比較測定した。
[Evaluation Test 1] DO prepared by the manufacturing method of Example 1
Durability against repetitive writing between a W medium (direct overwrite) and a magneto-optical recording medium in which an M layer and a W layer are formed from an alloy target as in the conventional case and which has an amorphous structure and does not have a quasi-crystal structure Comparative measurement was performed.

【0033】耐久性試験は以下のように行った。まず、
デューティ比=50%、周波数7.0MHzの基準信号を線速度
11.3m/s で記録マークを形成し、各条件の強度の再生
ビームを照射し、記録マークからの再生信号のC/Nの
ライトパワー変動(プロフィール)を測定した。次にデ
ュティ比=50% 、周波数2.6MHz で1500万回連続書き込
みを行い、再びデュティ比=50% 、周波数 7MHz のC/
Nのライトパワー変動を測定した。その結果をコンター
マップにしたものを図3、図4に示す。図3は本実施例
により作成した媒体について測定した結果であり、図4
は従来の媒体について測定した結果である。図3、図4
における横軸は書き込み時のレーザービームの低レベル
ビーム強度を示し、縦軸は高レベルビーム強度を示す。
それぞれの図では、C/Nが46dB、50dB、54dBを与える
書き込み時のビーム強度を表す曲線が示されている。図
中、実線が繰り返し書き込み前、破線が繰り返し書き込
み後である。
The durability test was conducted as follows. First,
Duty ratio = 50%, frequency 7.0MHz reference signal linear velocity
A recording mark was formed at 11.3 m / s, a reproducing beam having an intensity of each condition was irradiated, and the C / N write power fluctuation (profile) of the reproducing signal from the recording mark was measured. Next, write continuously for 15 million times at a duty ratio of 50% and a frequency of 2.6 MHz, and then write again at a duty ratio of 50% and a C / frequency of 7 MHz.
The write power fluctuation of N was measured. Contour maps of the results are shown in FIGS. 3 and 4. FIG. 3 shows the results of measurement of the medium prepared according to this example.
Is the result of measurement on a conventional medium. 3 and 4
The horizontal axis represents the low level beam intensity of the laser beam during writing, and the vertical axis represents the high level beam intensity.
In each figure, a curve representing the beam intensity at the time of writing, which gives C / N of 46 dB, 50 dB, and 54 dB, is shown. In the figure, the solid line is before repeated writing and the broken line is after repeated writing.

【0034】図から明らかなように従来の光磁気記録媒
体は、従来の製造方法によりW層を成膜した媒体の繰り
返し書き込み前後でのウィンドマージン(所望のC/N
を与えるビーム強度領域)の変化が著しいが、本実施例
により作成した媒体ではウィンドマージンの変化はほと
んど見られない。即ち、媒体は、繰り返し書き込みに対
する高い耐久性を有することが確かめられた。
As is apparent from the figure, the conventional magneto-optical recording medium has a window margin (desired C / N) before and after repeated writing of the medium in which the W layer is formed by the conventional manufacturing method.
The change in the window margin is not significant in the medium prepared in this example. That is, it was confirmed that the medium has high durability against repeated writing.

【0035】[0035]

【実施例2】 (1)基板は実施例1と同様のものを用意した。 (2)次にスパッタリングを行う。本実施例における光
磁気記録媒体製造用のスパッタリング装置は、実施例1
で用いた装置と同様である。次に保護層、M層、 Int.
層が形成された媒体をスパッタ室(7)に移動させる。
ターゲット(4)はDyFeCo合金のターゲットである。こ
れによりW層を形成する。DyFeCoをスパッタリングさせ
る際にチャンバー内にO2 を導入させ、反応性スパッタ
リングにより第3元素となるO2 を添加する。このとき
導入するO2のガス圧は、Arガス圧の1/160 とした。こ
のO2 のガス圧は、Arガス圧の1/200〜1/100 の範囲で
行うことが好ましい。またO2 の流量は1.0 SCCMで行っ
た。
Example 2 (1) The same substrate as in Example 1 was prepared. (2) Next, sputtering is performed. The sputtering apparatus for manufacturing the magneto-optical recording medium in this example is the same as that in Example 1.
It is the same as the device used in. Next, a protective layer, an M layer, Int.
The medium on which the layer is formed is moved to the sputtering chamber (7).
The target (4) is a DyFeCo alloy target. Thereby, the W layer is formed. DyFeCo is introducing O 2 into the chamber during which sputtering, addition of the reactive sputtering a third element O 2. The gas pressure of O 2 introduced at this time was 1/160 of the Ar gas pressure. The gas pressure of O 2 is preferably in the range of 1/200 to 1/100 of the Ar gas pressure. The flow rate of O 2 was 1.0 SCCM.

【0036】最後に実施例1と同様に膜厚700 Åの窒化
シリコンの保護層を形成する。
Finally, as in Example 1, a protective layer of silicon nitride having a film thickness of 700 Å is formed.

【0037】[0037]

【評価試験2】本実施例により作成した媒体と、従来の
方法である合金ターゲットからのスパッタリングのみに
よりW層を成膜した媒体との繰り返し書き込み耐久性を
比較測定した。耐久性試験は実施例1と同様の方法で行
い、C/Nの測定は、4MHz、50%で行った。
[Evaluation Test 2] The repetitive writing durability of the medium prepared according to this example and the medium in which the W layer was formed by only the sputtering from the alloy target, which is the conventional method, were measured for comparison. The durability test was performed in the same manner as in Example 1, and the C / N was measured at 4 MHz and 50%.

【0038】その結果を表1に示す。表1においてDISK
Aは、W層に第3元素を含まない従来の記録媒体であ
り、 DISKBは、本実施例に係わるW層に第3元素とし
て酸素を含む記録媒体である。
The results are shown in Table 1. DISK in Table 1
A is a conventional recording medium in which the W layer does not contain the third element, and DISKB is a recording medium in which the W layer according to the present embodiment contains oxygen as the third element.

【0039】[0039]

【表1】 [Table 1]

【0040】これを見るとDISKAは、耐久性試験後のC
/Nが試験後よりも低下しているのに対して、本実施例
の DISKBのC/Nは、ほとんど変化がなかった。更
に、MsHcを記録媒体のカー回転角を測定することに
よって評価した。DISKA、BのMSC が大きくなって
いることがわかった。さらにその大きさは第3元素であ
るO2の流量に依存しており、MSC の大きさは、第3
元素のO2の流量により制御できる。
Looking at this, DISKA is C after the durability test.
/ N is lower than that after the test, whereas C / N of DISKB of this example is almost unchanged. Furthermore, MsHc was evaluated by measuring the Kerr rotation angle of the recording medium. It was found that M S H C of DISK A and B were getting larger. Further, its size depends on the flow rate of O 2 which is the third element, and the size of M S H C is the third.
It can be controlled by the flow rate of elemental O 2 .

【0041】尚、本実施例においては、M層が多層構造
化された層であり、W層が準晶構造である例を挙げた
が、M層、W層共に準晶構造を成したものが好適であ
る。更に本実施例では、W層及び/又はM層に所定物質
を含有させることで準晶構造を形成したがこれに限られ
ることはなく、W層及び/又はM層が準晶構造となれば
よい。
In this embodiment, the M layer is a layer having a multi-layer structure and the W layer has a quasi-crystal structure. However, both the M layer and the W layer have a quasi-crystal structure. Is preferred. Further, in the present embodiment, the W layer and / or the M layer has a quasi-crystal structure formed by containing a predetermined substance, but the present invention is not limited to this, and the W layer and / or the M layer may have a quasi-crystal structure. Good.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、繰り返し
書き込みに対して記録媒体の劣化が少なく、耐久性が向
上し、再生信号のC/Nの低下がないので、特に繰り返
し書き込みが頻繁に行われるオーバーライト可能な光磁
気記録媒体に対して有効である。
As described above, according to the present invention, since the recording medium is less deteriorated by repeated writing, the durability is improved, and the C / N of the reproduced signal is not lowered, the repeated writing is particularly frequent. It is effective for the overwritable magneto-optical recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】は、本実施例に係わるスパッタリング装置の概
略図である。
FIG. 1 is a schematic view of a sputtering apparatus according to this embodiment.

【図2】は、本実施例に係わるオーバーライト可能な光
磁気記録媒体の垂直断面図である。
FIG. 2 is a vertical sectional view of an overwritable magneto-optical recording medium according to the present embodiment.

【図3】は、本実施例1に係わる記録媒体のコンターマ
ップの繰り返し書き込み耐久性前後の変化をあらわした
グラフである。
FIG. 3 is a graph showing changes before and after repeated writing durability of the contour map of the recording medium according to the first embodiment.

【図4】は、従来の記録媒体のコンターマップの繰り返
し書き込み耐久性試験前後の変化を示したグラフであ
る。
FIG. 4 is a graph showing changes in a contour map of a conventional recording medium before and after a repeated writing durability test.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・FeCo合金ターゲット 2・・・Tbターゲット 3・・・GdFeCo合金ターゲット 4・・・DyFeCo合金ターゲット 5・・・第3元素用ターゲット 6、7・・・スパッタリング室 以 上 1 ... FeCo alloy target 2 ... Tb target 3 ... GdFeCo alloy target 4 ... DyFeCo alloy target 5 ... Target for third element 6,7 ... Sputtering chamber and above

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 垂直磁化膜からなるメモリー層と、垂直
磁化膜からなるライティング層の少なくとも2層構造を
有し、前記メモリー層の磁化の向きを反転させることな
く前記ライティング層の磁化の向きを一方に揃えること
ができるオーバーライトが可能な光磁気記録媒体におい
て、前記ライティング層及び前記メモリー層の少なくと
も一層が準晶構造であり、前記の2層のうち準晶構造で
ない一方の層は多層構造化された層であることを特徴と
するオーバーライト可能な光磁気記録媒体。
1. A memory layer formed of a perpendicular magnetization film and a writing layer formed of a perpendicular magnetization film have at least two-layer structure, and the magnetization direction of the writing layer is changed without reversing the magnetization direction of the memory layer. In an overwritable magneto-optical recording medium that can be aligned on one side, at least one of the writing layer and the memory layer has a quasi-crystal structure, and one of the two layers that is not a quasi-crystal structure has a multilayer structure. An overwritable magneto-optical recording medium, which is a layer formed of a material.
【請求項2】 請求項1記載の準晶構造である該メモリ
ー層及び/又は該ライティング層にはAl、Cu、Cr、Si、
Ti、Ge、Pt、酸素、窒素の少なくとも1つ又はこれらの
組合せである物質を含有することを特徴とする光磁気記
録媒体。
2. The memory layer and / or the writing layer having the quasi-crystal structure according to claim 1, wherein Al, Cu, Cr, Si,
A magneto-optical recording medium containing a substance which is at least one of Ti, Ge, Pt, oxygen and nitrogen, or a combination thereof.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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