JPH06331748A - Scintillator and fabrication thereof - Google Patents
Scintillator and fabrication thereofInfo
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- JPH06331748A JPH06331748A JP14280493A JP14280493A JPH06331748A JP H06331748 A JPH06331748 A JP H06331748A JP 14280493 A JP14280493 A JP 14280493A JP 14280493 A JP14280493 A JP 14280493A JP H06331748 A JPH06331748 A JP H06331748A
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- scintillator
- light
- emitting element
- light emitting
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はシンチレータおよびその
製造法に関する。さらに詳しくは、光量の位置依存性が
低減されてなるシンチレータおよびその製造法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scintillator and its manufacturing method. More specifically, the present invention relates to a scintillator in which the position dependency of the amount of light is reduced and a method for manufacturing the scintillator.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より放射線の測定には、図3に示す
ように、放射線エネルギーをシンチレータ11により光
量に変換して、それを光電子増倍管12により増幅され
た電気信号に変換して、計数器13や多重波高分析器1
4に入力する方法がとられている。このシンチレータ1
1における発光素子には、例えばCsI(pure)や
CsI(Tl)などの結晶が用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, in measuring radiation, as shown in FIG. 3, radiation energy is converted into a quantity of light by a scintillator 11 and converted into an electric signal amplified by a photomultiplier tube 12, Counter 13 and multiple wave height analyzer 1
The method of inputting in 4 is adopted. This scintillator 1
For the light emitting element in 1, a crystal such as CsI (pure) or CsI (Tl) is used.
【0003】しかるに、この発光素子の発光量には結晶
状態に起因する位置依存性があるため、同じエネルギー
の放射線が入射しても、その入射位置により発光量が異
なるという現象が生ずる。したがって、同じエネルギー
の放射線が入射されても、その検知位置により測定値が
異なるという結果になる。そのため、発光量の少ない領
域の結晶表面にサンドペーパーをかけること(図4の斜
線部参照)により、その領域における光散乱を増加させ
発光量の均一化が図られている。However, since the amount of light emitted from this light emitting element has a position dependency due to the crystalline state, even if radiation of the same energy is incident, the amount of emitted light differs depending on the incident position. Therefore, even if radiation of the same energy is incident, the measurement value will differ depending on the detection position. Therefore, by applying sandpaper to the crystal surface of the region where the amount of emitted light is small (see the shaded area in FIG. 4), light scattering in that region is increased and the amount of emitted light is made uniform.
【0004】しかしながら、結晶表面にサンドペーパー
をかけた場合には、結晶寸法が変わり発光素子の発光特
性が変わる恐れがある。また、サンドペーパーをかけす
ぎた場合には元の表面状態に戻すことができないので、
その作業は慎重かつ徐々に行う必要がある。そのため、
発光素子の発光量の均一化は極めて煩雑な作業となって
いる。However, when sandpaper is applied to the crystal surface, the crystal size may change and the light emitting characteristics of the light emitting element may change. Also, if you apply too much sandpaper, you can not return to the original surface state,
The work needs to be done carefully and gradually. for that reason,
Uniformizing the amount of light emitted from a light emitting element is an extremely complicated task.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の問題点に鑑みなされたものであって、発光素子の発
光量の位置依存性が解消されることにより発光量が均一
化されてなるシンチレータおよびその製造法を提供する
ことを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and the light emission amount is made uniform by eliminating the position dependency of the light emission amount of the light emitting element. It is intended to provide a scintillator and a manufacturing method thereof.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明のシンチレータ
は、鏡面仕上げがなされた発光素子の表面所定範囲に光
量調整領域が形成された薄膜が被覆されてなることを特
徴とする。A scintillator of the present invention is characterized in that a light-emitting element having a mirror-finished surface is covered with a thin film having a light amount adjusting region formed on a predetermined area of the surface.
【0007】本発明のシンチレータにおいては、前記光
量調整領域の形成が、例えばブラックストライプやイエ
ローストライプなどの光吸収用ストライプによりなされ
るのが好ましい。In the scintillator of the present invention, it is preferable that the light amount adjusting region is formed by a light absorbing stripe such as a black stripe or a yellow stripe.
【0008】また、本発明のシンチレータにおいては、
前記薄膜がAlが両面に蒸着されたポリエチレンテレフ
タレートフィルムであるのが好ましい。Further, in the scintillator of the present invention,
The thin film is preferably a polyethylene terephthalate film having Al deposited on both sides.
【0009】一方、本発明のシンチレータの製造法は、
発光素子の表面を鏡面仕上げする手順と、前記発光素子
の表面所定範囲に光量調整領域が形成された薄膜を被覆
する手順とを含んでなることを特徴とする。On the other hand, the manufacturing method of the scintillator of the present invention is
It is characterized in that it includes a procedure of mirror-finishing the surface of the light emitting element and a step of coating a thin film having a light amount adjusting region formed on a predetermined area of the surface of the light emitting element.
【0010】本発明のシンチレータの製造法において
は、前記光量調整領域の形成が、例えばブラックストラ
イプやイエローストライプなどの光吸収用ストライプに
よりなされているのが好ましい。In the method of manufacturing a scintillator of the present invention, it is preferable that the light amount adjusting region is formed by a light absorbing stripe such as a black stripe or a yellow stripe.
【0011】また、本発明のシンチレータの製造法にお
いては、前記薄膜がAlが両面に蒸着されたポリエチレ
ンテレフタレートフィルムであるのが好ましい。Further, in the method for producing a scintillator of the present invention, it is preferable that the thin film is a polyethylene terephthalate film having Al deposited on both sides.
【0012】[0012]
【作用】本発明のシンチレータは前記のごとく構成され
ているので、発光量の位置依存性が解消されて均一な発
光量が得られる。また、鏡面仕上げされた発光素子を単
に薄膜で被覆することにより発光量の調整がなされてい
るので、その寸法精度は高く、また特性も均一化されて
いる。Since the scintillator of the present invention is constructed as described above, the position dependency of the light emission amount is eliminated and a uniform light emission amount can be obtained. Further, since the light emission amount is adjusted by simply coating the mirror-finished light emitting element with a thin film, the dimensional accuracy is high and the characteristics are uniform.
【0013】一方、本発明のシンチレータの製造法によ
れば、簡単な作業により発光量の位置依存性が解消され
ているシンチレータを得ることができる。また、最初の
調整で均一な発光量が得られない場合でも、光調整領域
が形成された薄膜を取り替えるのみで再調整ができる。
したがって、歩留りよくシンチレータを製造することが
できる。On the other hand, according to the scintillator manufacturing method of the present invention, it is possible to obtain a scintillator in which the position dependency of the light emission amount is eliminated by a simple operation. Further, even when the uniform light emission amount cannot be obtained by the first adjustment, the readjustment can be performed only by replacing the thin film in which the light adjustment region is formed.
Therefore, the scintillator can be manufactured with high yield.
【0014】[0014]
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明を実施
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described based on embodiments with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such embodiments.
【0015】図1は本発明の一実施例のシンチレータの
概略図、図2は同シンチレータの断面図である。図にお
いて、1はシンチレータ、2は発光素子、3はAlが両
面に蒸着されたポリエチレンテレフタレートフィルム
(マイラー)、4は光吸収用ストライプ(ブラックスト
ライプ)、5は光電子増倍管を示す。FIG. 1 is a schematic view of a scintillator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of the scintillator. In the figure, 1 is a scintillator, 2 is a light emitting element, 3 is a polyethylene terephthalate film (Mylar) having Al deposited on both sides, 4 is a light absorbing stripe (black stripe), and 5 is a photomultiplier tube.
【0016】図1〜2に示す本発明の一実施例において
は、発光素子2として4角柱のCsI(pure)の結
晶が用いられている。この発光素子2の表面は、発光量
が結晶表面の状態により影響されないように鏡面に仕上
げられている。この鏡面仕上げされた面は、図2に示す
ように、マイラー3により被覆されている。なお、図2
においては、マイラー3の厚さは誇張されている。この
マイラー3の所定範囲には、図1に示すように、所定幅
の光吸収用ストライプ4が所定間隔で設けられている。
光吸収用ストライプとしては、例えばブラックストライ
プやイエローストライプなどがあげられる。図2におい
ては、光吸収用ストライプ4は光電子増倍管5との接続
端から120mmの範囲に、幅2mm、ピッチ10mm
で設けられている。なお、光吸収用ストライプ4の形成
範囲、幅およびピッチはこれに限定されるものではな
く、発光素子2のサイズ、発光量のばらつきなどに応じ
て適宜選定される。In the embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 and 2, a quadrangular prism CsI (pure) crystal is used as the light emitting element 2. The surface of the light emitting element 2 is mirror-finished so that the amount of emitted light is not affected by the state of the crystal surface. This mirror-finished surface is covered with mylar 3 as shown in FIG. Note that FIG.
In, the thickness of mylar 3 is exaggerated. As shown in FIG. 1, light absorption stripes 4 having a predetermined width are provided at predetermined intervals in a predetermined range of the mylar 3.
Examples of the light absorbing stripes include black stripes and yellow stripes. In FIG. 2, the light-absorbing stripe 4 has a width of 2 mm and a pitch of 10 mm within a range of 120 mm from the connection end with the photomultiplier tube 5.
It is provided in. The range, width, and pitch of the light absorbing stripes 4 are not limited to these, and may be appropriately selected according to the size of the light emitting element 2, variations in the amount of emitted light, and the like.
【0017】次に、かかる構成を有する発光素子2の製
造法について説明する。Next, a method of manufacturing the light emitting element 2 having such a structure will be described.
【0018】ステップ1:CsI(pure)の結晶表
面を研磨し鏡面仕上げして、発光素子2とする。Step 1: The CsI (pure) crystal surface is polished and mirror-finished to obtain a light emitting element 2.
【0019】ステップ2:発光素子2の結晶サイズに合
わせてマイラー3を調整する。Step 2: The mylar 3 is adjusted according to the crystal size of the light emitting element 2.
【0020】ステップ3:このマイラー3の所定範囲
に、所定幅および所定ピッチで光吸収用ストライプ4を
形成する。この光吸収用ストライプ4の形成は、例えば
マジックインクを用いてなされる。Step 3: Form light absorbing stripes 4 in a predetermined area of the mylar 3 with a predetermined width and a predetermined pitch. The light absorbing stripes 4 are formed using, for example, magic ink.
【0021】ステップ4:発光素子2表面に、マイラー
3を光吸収用ストライプ4が形成された面を内側に向け
て、光吸収用ストライプ4が所定位置に来るように調整
して巻き付ける。Step 4: The mylar 3 is wound around the surface of the light emitting element 2 with the surface on which the light absorbing stripes 4 are formed facing inward so that the light absorbing stripes 4 come to a predetermined position.
【0022】次に、かかる光吸収用ストライプ4が形成
されたシンチレータ1の発光特性を調査した。Next, the light emission characteristics of the scintillator 1 having the light absorbing stripes 4 formed thereon were investigated.
【0023】実施例 35mm角で長さが300mmのCsI(pure)の
結晶を用いて、前記製造法によりシンチレータ1を作製
した。なお、ブラックストライプ4の形成は光電子増倍
管5の接続端から120mmまでの範囲とし、またその
幅は2mm、ピッチは10mmとした。このシンチレー
タ1の長手方向の光量の変化を測定し、その結果を表1
に示した。Example 3 A scintillator 1 was manufactured by the above-mentioned manufacturing method using a CsI (pure) crystal having a side length of 35 mm and a length of 300 mm. The black stripes 4 were formed within a range of 120 mm from the connection end of the photomultiplier tube 5, the width was 2 mm, and the pitch was 10 mm. The change in the amount of light in the longitudinal direction of this scintillator 1 was measured, and the results are shown in Table 1.
It was shown to.
【0024】比較例 比較のために、ブラックストライプを形成しなかった他
は、実施例と同様にしてシンチレータを作製した。この
シンチレータの長手方向の光量の変化を測定し、その結
果を表1に併せて示した。Comparative Example For comparison, a scintillator was produced in the same manner as in Example except that the black stripe was not formed. The change in the amount of light in the longitudinal direction of this scintillator was measured, and the results are also shown in Table 1.
【0025】[0025]
【表1】 [Table 1]
【0026】表1より、実施例のシンチレータの発光量
が、比較例のシンチレータの発光量より均一であるのが
わかる。From Table 1, it can be seen that the light emission amount of the scintillator of the example is more uniform than that of the scintillator of the comparative example.
【0027】本実施例においては、CsI(pure)
の結晶を例にとり説明してきたが、本発明は他のシンチ
レーション用材料にも好敵に適用することができる。In this embodiment, CsI (pure)
However, the present invention can be favorably applied to other scintillation materials.
【0028】また、本実施例においては、光吸収用スト
ライプとしてブラックストライプやイエローストライプ
を用いたが、ブルーストライプ、レッドストライプ、パ
ープルストライプ、グリーンストライプなども好敵に用
いることができる。Further, in the present embodiment, the black stripes and the yellow stripes are used as the light absorbing stripes, but blue stripes, red stripes, purple stripes, green stripes and the like can also be used favorably.
【0029】[0029]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のシンチレ
ータによれば発光量の均一化を図ることができる。ま
た、鏡面仕上げされた面に薄膜を被覆することにより形
成されているので、その寸法精度がよいとともに、製品
ごとのばらつきもない。したがって、製品の特性が均質
化している。したがって、特性の安定している放射線測
定装置を作製することができる。As described above, according to the scintillator of the present invention, the light emission amount can be made uniform. Further, since it is formed by coating the mirror-finished surface with a thin film, its dimensional accuracy is good and there is no variation among products. Therefore, the characteristics of the product are homogenized. Therefore, it is possible to manufacture a radiation measuring apparatus having stable characteristics.
【0030】一方、本発明のシンチレータの製造法によ
れば、簡単な作業により発光量が均一化されているシン
チレータを作製することができる。また、光調整領域が
形成された薄膜で発光量の均一化を図っているので、そ
の発光量の調整も容易である。しかも、その発光量の再
調整も単に薄膜を取り替えるだけでよく、発光素子その
ものを交換する必要がないので、発光素子を歩留りよく
製造することができる。したがって、発光素子の製造コ
ストの低減を図ることができる。On the other hand, according to the scintillator manufacturing method of the present invention, it is possible to manufacture a scintillator having a uniform light emission amount by a simple operation. Further, since the light emission amount is made uniform by the thin film in which the light adjustment region is formed, it is easy to adjust the light emission amount. Moreover, the readjustment of the amount of light emission can be achieved simply by replacing the thin film, and since it is not necessary to replace the light emitting element itself, the light emitting element can be manufactured with high yield. Therefore, the manufacturing cost of the light emitting element can be reduced.
【図1】本発明のシンチレータの一実施例の概略図であ
る。FIG. 1 is a schematic diagram of an embodiment of a scintillator of the present invention.
【図2】同実施例の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of the same embodiment.
【図3】放射線測定装置の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a radiation measuring apparatus.
【図4】従来の発光素子の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a conventional light emitting element.
1 シンチレータ 2 発光素子 3 マイラー 4 光吸収用ストライプ、ブラックストライプ 5 光電子増倍管 1 scintillator 2 light emitting element 3 mylar 4 light absorbing stripe, black stripe 5 photomultiplier tube
Claims (4)
定範囲に光量調整領域が形成された薄膜が被覆されてな
ることを特徴とするシンチレータ。1. A scintillator comprising a mirror-finished light emitting element, and a thin film having a light amount adjusting region formed on a predetermined area of the surface of the light emitting element.
と、前記発光素子の表面所定範囲に光量調整領域が形成
された薄膜を被覆する手順とを含んでなることを特徴と
するシンチレータの製造法。2. A method for manufacturing a scintillator, comprising: a step of mirror-finishing the surface of the light emitting element; and a step of coating a thin film having a light amount adjusting region formed on a predetermined area of the surface of the light emitting element. .
ライプによりなされていることを特徴とする請求項2記
載のシンチレータの製造法。3. The method of manufacturing a scintillator according to claim 2, wherein the light amount adjusting region is formed by a light absorbing stripe.
エチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とす
る請求項2または3記載のシンチレータの製造法。4. The method for producing a scintillator according to claim 2, wherein the thin film is a polyethylene terephthalate film having Al deposited on both sides.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14280493A JPH06331748A (en) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | Scintillator and fabrication thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14280493A JPH06331748A (en) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | Scintillator and fabrication thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06331748A true JPH06331748A (en) | 1994-12-02 |
Family
ID=15324029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14280493A Withdrawn JPH06331748A (en) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | Scintillator and fabrication thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06331748A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009031132A (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Tohoku Univ | Radiation detector |
WO2012105292A1 (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | Radiation detector |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP14280493A patent/JPH06331748A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009031132A (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Tohoku Univ | Radiation detector |
WO2012105292A1 (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | Radiation detector |
US8809794B2 (en) | 2011-02-02 | 2014-08-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
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Legal Events
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