JPH06324340A - Production of ferroelectric liquid crystal element - Google Patents

Production of ferroelectric liquid crystal element

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JPH06324340A
JPH06324340A JP13524893A JP13524893A JPH06324340A JP H06324340 A JPH06324340 A JP H06324340A JP 13524893 A JP13524893 A JP 13524893A JP 13524893 A JP13524893 A JP 13524893A JP H06324340 A JPH06324340 A JP H06324340A
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Abstract

PURPOSE:To produce a ferroelectric liquid crystal element without orientation defect. CONSTITUTION:Transparent electrodes 12a, 12b and orientation controlling layers 14a, 14b are formed on glass substrates 11a, 11b, respectively, and the orientation controlling layers 14a, 14b are treated by rubbing. The glass substrates 11a, 11b are cleaned and dried at low temp. as <100 deg.C. Further, these glass substrates 11a, 11b are sealed with a UV-curing sealing agent at low temp. (<100 deg.C), and a ferroelectric liquid crystal is injected at low temp. as <100 deg.C.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶素子の製
造方法に係り、詳しくは強誘電性液晶中に配向欠陥が生
じないようにした製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a ferroelectric liquid crystal device, and more particularly to a method of manufacturing a ferroelectric liquid crystal in which alignment defects are prevented from occurring.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、強誘電性液晶の屈折率異方性を利
用して、偏光子と組み合わせることにより透過光線を制
御する型の液晶素子がクラーク(Clark)及びラガ
ウエル(Lagerwall)により提案されている
(特開昭56−107216号公報、米国特許第436
7924号明細書等)。この強誘電性液晶は、双安定性
を有し、一般に特定の温度領域において、非らせん構造
のカイラルスメクティックC相(SmC* )又はカイラ
ルスメクティックH相(SmH* )を有している。そし
て、この強誘電性液晶に電界が印加されると、液晶分子
は電界ベクトルに対応した配向状態を示すようになる。
しかし、この状態間の移行は連続的に起こらず所定の閾
値を持って断続的に変化する。この結果、第1の光学的
安定状態と第2の光学安定状態とからなる2つの光学的
安定状態(双安定性)が現れる様になる。また、先の光
学的安定状態は熱力学的安定状態でもあることから、状
態間の移行にはエネルギ−を必要とし、この為電界印加
後でも電界印中の配向状態を維持する(メモリー特性)
特性がある。さらに、電界変化に対する応答が早く、且
つ、視野角も大きいことから、高速動作の可能な大型の
液晶素子への適用が期待されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a liquid crystal device of a type in which transmitted light rays are controlled by combining with a polarizer by utilizing a refractive index anisotropy of a ferroelectric liquid crystal has been proposed by Clark and Lagerwall. (JP-A-56-107216, U.S. Pat. No. 436).
7924 specification). This ferroelectric liquid crystal has bistability and generally has a non-helical chiral smectic C phase (SmC * ) or chiral smectic H phase (SmH * ) in a specific temperature region. Then, when an electric field is applied to the ferroelectric liquid crystal, the liquid crystal molecules exhibit an alignment state corresponding to the electric field vector.
However, the transition between the states does not occur continuously but changes intermittently with a predetermined threshold value. As a result, two optically stable states (bistability), which are the first optically stable state and the second optically stable state, appear. Further, since the above-mentioned optically stable state is also a thermodynamically stable state, energy is required for transition between the states, so that the alignment state during electric field application is maintained even after the electric field is applied (memory characteristic).
There is a characteristic. Furthermore, since it responds quickly to changes in the electric field and has a wide viewing angle, it is expected to be applied to a large-sized liquid crystal element that can operate at high speed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、強誘電性液晶
を用いた液晶素子は、配向欠陥が生じ易く、この欠陥が
コントラストの低下や表示ムラになって見えるという欠
点があった。すなわち、スメクティック相のシェブロン
構造を含む配向は、図3に示すようなC1及びC2の2
種類の配向モデルで説明できる。なお、図3中で、符号
31はスメクティック層を示し、符号32はC1配向の
領域を示し、さらに符号33はC2配向の領域を示して
いる。スメクティック液晶は一般に層構造をもつが、S
A相からSC相またはSC*相に転移すると相間隔が縮
むので図3のように層が上下基板11a、11bの中央
で折れ曲がった構造(シェブロン構造)をとる。折れ曲
がる方向は図に示すようにC1とC2の2つ有り得る
が、よく知られているようにラビングによって基板界面
の液晶分子は基板に対して角度をなし(このように、基
板の配向膜の界面と液晶とのなす角度を“プレチルト
角”とする)、その方向はラビング方向Aに向って液晶
分子が頭をもたげる(先端が浮いた格好になる)向きで
ある。このプレチルトのためにC1配向とC2配向は弾
性エネルギー的に等価でなく、上述のようにある温度で
転移が起こる。また、機械的な歪みで転移が起こること
もある。図3の層構造を平面的にみると、ラビング方向
Aに向ってC1配向からC2配向に移るときの境界34
はジグザグの稲妻状でライトニング欠陥と呼ばれ、C2
からC1に移るときの境界35は幅の広い、穏やかな曲
線状でヘアピン欠陥と呼ばれる。
However, the liquid crystal element using the ferroelectric liquid crystal has a drawback that an alignment defect is likely to occur, and this defect appears as a decrease in contrast or display unevenness. That is, the orientation including the chevron structure of the smectic phase is 2 in C1 and C2 as shown in FIG.
It can be explained by different types of orientation models. In FIG. 3, reference numeral 31 indicates a smectic layer, reference numeral 32 indicates a C1 oriented region, and reference numeral 33 indicates a C2 oriented region. Smectic liquid crystals generally have a layered structure, but S
When the transition from the A phase to the SC phase or the SC * phase occurs, the phase interval shrinks, so that the layer has a bent structure (chevron structure) at the center of the upper and lower substrates 11a and 11b as shown in FIG. As shown in the figure, there may be two bending directions, C1 and C2, but as is well known, the liquid crystal molecules at the substrate interface form an angle with the substrate by rubbing (as described above, the alignment film interface of the substrate becomes The angle formed by the liquid crystal and the liquid crystal is referred to as a "pretilt angle"), and the direction is a direction in which the liquid crystal molecules lift their heads toward the rubbing direction A (the tip becomes floating). Due to this pretilt, the C1 orientation and the C2 orientation are not elastically energy-equivalent, and a transition occurs at a certain temperature as described above. In addition, mechanical strain may cause dislocation. When the layered structure of FIG. 3 is viewed in plan, the boundary 34 when the C1 orientation is changed to the C2 orientation in the rubbing direction A
Is a zigzag lightning bolt and is called a lightning defect.
Boundary 35 from transitioning from C1 to C1 has a wide, gentle curve and is called a hairpin defect.

【0004】ところで、このような欠陥の有無は、強誘
電性液晶を用いた液晶素子の配向状態はプレチルト角α
と大きく関係しており、プレチルト角αが大きい場合
(具体的にはα≧10°)には配向欠陥のない良好な配
向状態が得られる。すなわち、上述したC1配向状態は
4つの配向状態を有し、従来のC1配向状態とは異なっ
ており、なかでも4つのC1配置状態のうちの2つの状
態は、双安定状態(ユニフォーム状態)を形成してい
る。ここで、無電界時のみかけのチルト角をθaとすれ
ば、C1配向状態における4つの状態のうち、2式の関
係を示す状態をユニフォーム状態という。
The presence or absence of such defects depends on the pretilt angle α of the alignment state of the liquid crystal element using the ferroelectric liquid crystal.
When the pretilt angle α is large (specifically α ≧ 10 °), a good alignment state without alignment defects can be obtained. That is, the above-mentioned C1 orientation state has four orientation states and is different from the conventional C1 orientation state. Among them, two of the four C1 orientation states are bistable states (uniform states). Is forming. Here, if the apparent tilt angle in the absence of an electric field is θa, of the four states in the C1 orientation state, the state showing the relationship of two expressions is called the uniform state.

【0005】Θ>θa>Θ/2 … 2式 ユニフォーム状態においては、その光学的性質からみて
ダイレクタが上下基板間でねじれていないと考えられ
る。図4(a)はC1配向の各状態における基板間の各
位置でのダイレクタの配置を示す模式図である。図中5
1〜54は各状態においてダイレクタをコーンの底面に
投影し、これを底面から見た様子を示しており、51及
び52がスプレー状態、53及び54がユニフォーム状
態と考えられるダイレクタの配置である。同図からわか
るとおり、ユニフォームの2状態53と54において
は、上下いずれかの基板界面の液晶分子の位置がスプレ
イ状態の位置と入れ替わっている。図4(b)はC2配
向を示しており、界面のスイッチングはなく内部のスイ
ッチングで2状態55と56がある。このC1配向のユ
ニフォーム状態は、従来用いていたC2配向における双
安定状態よりも大きなチルト角θaを生じ、輝度が大き
くコントラストが高い。
.THETA.>. THETA.a> .THETA. / 2 Equation 2 In the uniform state, it is considered that the director is not twisted between the upper and lower substrates in view of its optical properties. FIG. 4A is a schematic view showing the arrangement of directors at respective positions between the substrates in each state of C1 orientation. 5 in the figure
1 to 54 show the state in which the director is projected on the bottom surface of the cone in each state and viewed from the bottom surface, 51 and 52 are the spraying state, and 53 and 54 are the arrangement of the directors considered to be the uniform state. As can be seen from the figure, in the two states 53 and 54 of the uniform, the positions of the liquid crystal molecules at either the upper or lower substrate interface are replaced with the positions in the splay state. FIG. 4B shows the C2 orientation, and there are two states 55 and 56 due to internal switching without interface switching. The uniform state of the C1 orientation produces a larger tilt angle θa than the conventionally used bistable state of the C2 orientation, and the luminance is large and the contrast is high.

【0006】しかし、このように大きいプレチルト角
(α≧10°)をもつ液晶素子は、製造処理枚数や製造
の工程によりその配向状態が変わるため、安定して製造
することが困難であった。
However, it has been difficult to stably manufacture a liquid crystal device having such a large pretilt angle (α ≧ 10 °) because its alignment state changes depending on the number of manufacturing processes and the manufacturing process.

【0007】そこで、本発明は、良好な配向状態を安定
に達成し、表示品位の高い強誘電性液晶素子を提供する
ことを目的とする。
[0007] Therefore, an object of the present invention is to provide a ferroelectric liquid crystal device which stably achieves a good alignment state and has a high display quality.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、その第1の発明は、電極及び
一軸配向処理の施された配向膜を形成した基板を洗浄し
乾燥させる第1の工程と、該洗浄・乾燥された一対の基
板をシール部材で張り合せた後に該シール部材を硬化さ
せる第2の工程と、該シール部材によって密封された一
対の基板間に脱気した上で強誘電性液晶を注入する第3
の工程と、を備えた強誘電性液晶素子の製造方法におい
て、前記第1の工程、第2の工程、及び第3の工程を1
00℃以下の温度で行う、ことを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and the first invention is to wash and dry a substrate on which an electrode and an uniaxially oriented alignment film are formed. A first step of curing, a second step of bonding the cleaned and dried pair of substrates with a seal member and then curing the seal member, and degassing between the pair of substrates sealed by the seal member. Third, after injecting ferroelectric liquid crystal
In the method for manufacturing a ferroelectric liquid crystal device, which comprises the steps of
It is characterized in that it is carried out at a temperature of 00 ° C. or lower.

【0009】この場合、前記配向膜の界面と前記強誘電
性液晶とのなす角度が10°以上となるように前記一軸
配向処理を施す、ようにすると好ましい。
In this case, it is preferable that the uniaxial alignment treatment is performed so that the angle between the interface of the alignment film and the ferroelectric liquid crystal is 10 ° or more.

【0010】また、前記一軸配向処理を、高分子薄膜を
ラビングすることにより行う、ようにしてもよい。
Further, the uniaxial orientation treatment may be performed by rubbing a polymer thin film.

【0011】さらに、前記基板における上下界面におけ
る一軸配向処理が交差し、その交差角θc が、20°>
θc >0°である、ようにしてもよい。
Further, the uniaxial orientation treatments at the upper and lower interfaces of the substrate intersect, and the intersection angle θ c is 20 °>
It may be that θ c > 0 °.

【0012】一方、第2の発明は、電極及び一軸配向処
理の施された配向膜を形成した基板を洗浄し乾燥させる
第1の工程と、張り合せられた一対の基板間に強誘電性
液晶を注入する第3の工程と、を備えた強誘電性液晶素
子の製造方法において、前記第1の工程にて一軸配向処
理した後、前記第3の工程にて強誘電性液晶を注入する
までに100℃以上に加熱する時間をt1とし、該液晶
を注入した後に80℃以上に加熱する時間をt2とした
場合に、2t1>t2≧t1の関係が成り立つようにす
る、ことを特徴とする。
On the other hand, a second aspect of the present invention is the first step of cleaning and drying a substrate on which an electrode and an alignment film subjected to uniaxial alignment treatment are formed, and a ferroelectric liquid crystal between a pair of bonded substrates. And a third step of injecting a ferroelectric liquid crystal in the third step, after the uniaxial alignment treatment in the first step. When the time of heating to 100 ° C. or higher is set to t1 and the time of heating to 80 ° C. or higher after injecting the liquid crystal is set to t2, the relationship of 2t1> t2 ≧ t1 is established. .

【0013】この場合、前記一軸配向処理後から液晶を
注入するまでに加える熱履歴と、液晶を注入した後に加
える熱履歴をほぼ等しくする、ようにすると好ましい。
In this case, it is preferable that the heat history applied after the uniaxial alignment treatment and before the liquid crystal is injected is approximately equal to the heat history applied after the liquid crystal is injected.

【0014】また、前記一軸配向処理を、高分子薄膜を
ラビングすることにより行う、ようにしてもよい。
Further, the uniaxial orientation treatment may be performed by rubbing a polymer thin film.

【0015】さらには、前記基板における上下界面にお
ける一軸配向処理が交差し、その交差角θc が、20°
>θc >0°である、ようにしてもよい。
Furthermore, the uniaxial orientation treatments at the upper and lower interfaces of the substrate intersect, and the intersection angle θ c is 20 °.
> Θ c > 0 ° may be set.

【0016】[0016]

【実施例】以下、図面に沿って、本発明の実施例につい
て説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】まず、液晶素子の構造について、図1に沿
って説明する。
First, the structure of the liquid crystal element will be described with reference to FIG.

【0018】図1に示すように、液晶素子は一対の平行
に配置した上基板11a及び下基板11bを備えてお
り、それぞれの基板11a,11b上には、厚さが約4
00−3000Åの透明電極12a,12bが形成され
ている。また、これらの透明電極12a,12b上に
は、厚さが100−3000Åの絶縁膜13a,13b
が形成されており、さらに絶縁膜13a,13bの上に
は、厚さが50−1000Åの配向制御層(配向膜)1
4a,14bが形成されている。そして、これらの上基
板11aと下基板11bとの間には強誘電性液晶15が
配置されている。なお、上述した絶縁膜13a,13b
は塗布焼成タイプの無機酸化物でも良いし、スパッタ膜
や、2層以上に構成した多層膜でも良い。また、配向制
御層14a,14bには高分子ポリマーが通常用いられ
るが、本発明のように大きいプレチルト角を与える必要
がある場合にはフッ素含有ポリイミド等を用いるのが好
ましい。なお、プレチルト角の値は10〜30°が好ま
しい。一軸配向処理方法としては、通常には高分子薄膜
であるポリマーをラビングする方法が用いられる。また
上下基板11a,11bをラビングする場合、上下のラ
ビング方向を0−20°の範囲で交差させることができ
る。これにより前述のユニフォーム状態53,54を安
定化することができ、より高いコントラストを得ること
ができる。本発明では強誘電性液晶15としてカイラル
スメクティック相状態のものを用いることができ、具体
的には、カイラルスメクティックC相(Sm*C)、H
相(Sm*H)、I相(Sm*I)、K相(Sm*K)
やG相(Sm*G)の液晶を用いることができる。特に
好ましい液晶としては、高温側でコレステリック相を示
すものを用いることができ、例えば下述の相転移温度及
び物性値を示すピリミジン系混合液晶を用いることがで
きる。
As shown in FIG. 1, the liquid crystal element includes a pair of upper and lower substrates 11a and 11b arranged in parallel, and each of the substrates 11a and 11b has a thickness of about 4 mm.
00-3000Å transparent electrodes 12a, 12b are formed. Further, on these transparent electrodes 12a, 12b, insulating films 13a, 13b having a thickness of 100-3000Å are formed.
Is formed, and on the insulating films 13a and 13b, an alignment control layer (alignment film) 1 having a thickness of 50 to 1000 Å is formed.
4a and 14b are formed. The ferroelectric liquid crystal 15 is arranged between the upper substrate 11a and the lower substrate 11b. In addition, the above-mentioned insulating films 13a and 13b
May be a coating and baking type inorganic oxide, a sputtered film, or a multilayer film composed of two or more layers. A high molecular polymer is usually used for the orientation control layers 14a and 14b, but when it is necessary to give a large pretilt angle as in the present invention, it is preferable to use a fluorine-containing polyimide or the like. The value of the pretilt angle is preferably 10 to 30 °. As the uniaxial orientation treatment method, a method of rubbing a polymer, which is usually a polymer thin film, is used. In addition, when rubbing the upper and lower substrates 11a and 11b, the upper and lower rubbing directions can intersect in the range of 0-20 °. As a result, the uniform states 53 and 54 described above can be stabilized, and higher contrast can be obtained. In the present invention, a ferroelectric liquid crystal 15 having a chiral smectic phase state can be used. Specifically, the chiral smectic C phase (Sm * C), H
Phase (Sm * H), I phase (Sm * I), K phase (Sm * K)
Alternatively, a G-phase (Sm * G) liquid crystal can be used. As a particularly preferable liquid crystal, a liquid crystal exhibiting a cholesteric phase on the high temperature side can be used, and for example, a pyrimidine-based mixed liquid crystal exhibiting the phase transition temperature and the physical property values described below can be used.

【0019】ピリミジン系液晶 A Pyrimidine liquid crystal A

【0020】[0020]

【外1】 コーン角 Θ=14° (30℃) 層の傾斜角 δ=11° ( 〃 ) 見かけのチルト角 θa=11.5°( 〃 ) なお、本実施例においては、プレチルト角αが10°以
上になるように一軸配向処理を施すと共に、かかる一軸
配向処理後から液晶注入までの熱履歴を100℃以下に
抑えるようにして、強誘電性液晶素子を製造した。
[Outer 1] Cone angle Θ = 14 ° (30 ° C.) Layer inclination angle δ = 11 ° (〃) Apparent tilt angle θa = 11.5 ° (〃) In this embodiment, the pretilt angle α is 10 ° or more. A ferroelectric liquid crystal device was manufactured by performing uniaxial alignment treatment so that the heat history from the uniaxial alignment treatment to the liquid crystal injection was suppressed to 100 ° C. or less.

【0021】これにより、製造された液晶素子のプレチ
ルト角αは10°以上に維持され、安定した大きいプレ
チルト角が達成できる。そして、ジグザグ欠陥等の配向
欠陥のない、良好なユニフォーム配向状態を安定に作成
することができる。以下に、本発明者が効果を確認する
ために行った実験について説明する。
As a result, the pretilt angle α of the manufactured liquid crystal element is maintained at 10 ° or more, and a stable large pretilt angle can be achieved. Then, it is possible to stably create a good uniform alignment state without alignment defects such as zigzag defects. Hereinafter, an experiment conducted by the present inventor to confirm the effect will be described.

【0022】本実験に用いたガラス基板11a,11b
は、7.5cm×7.5cmの大きさであり、その基板
11a,11bの表面には透明電極12a,12bを形
成した。また、これらの透明電極12a,12bの上に
は、酸化タンタルの薄膜(絶縁膜13a,13b)をス
パッタ法で形成し、さらにその上にフッ素系ポリイミド
の1%NMP溶液をスピナーで塗布し270℃で1時間
焼成して配向制御層14a,14bを形成した。次に、
これらの基板11a,11bをラビングしてプレチルト
角αを10°以上にした。さらに、ラビング方向が同一
方向かつ平行からセル上方から見て時計まわりにねじら
れ、それらの交差角θc が10°となるように、かつ
1.5μmのセル厚を保つように、両基板11a,11
bを貼り合わせてセルを作成した。なお、ラビング後の
セルを洗浄し乾燥させる工程(第1の工程)において
は、洗浄液としてIPA(イソプロピルアルコール)を
用いて、乾燥が低温(80℃)でできるようにした。ま
た、上下基板11a,11bの張り合せ工程(第2の工
程)においてはシール部材としてUV硬化シールを用
い、UV光での硬化が可能なようにして熱履歴が加わら
ないよう工夫した。
The glass substrates 11a and 11b used in this experiment
Has a size of 7.5 cm × 7.5 cm, and the transparent electrodes 12a and 12b are formed on the surfaces of the substrates 11a and 11b. Further, a thin film of tantalum oxide (insulating films 13a and 13b) is formed on the transparent electrodes 12a and 12b by a sputtering method, and a 1% NMP solution of fluorine-based polyimide is further applied thereon by a spinner 270. The alignment control layers 14a and 14b were formed by firing at 1 ° C. for 1 hour. next,
The substrates 11a and 11b were rubbed to set the pretilt angle α to 10 ° or more. Further, the rubbing directions are twisted in the clockwise direction when viewed from above the cell from the same direction and parallel to each other, so that the crossing angle θ c between them is 10 ° and the cell thickness of 1.5 μm is maintained. , 11
A cell was created by bonding b. In the step of washing and drying the cell after rubbing (first step), IPA (isopropyl alcohol) was used as the washing liquid so that the drying could be performed at a low temperature (80 ° C.). In addition, in the step of bonding the upper and lower substrates 11a and 11b (second step), a UV curing seal is used as a seal member so that it can be cured by UV light and heat history is not added.

【0023】このような方法で5つのセルを作成し、そ
のうちの4つのセルを80℃、100℃、120℃、1
50℃で6時間熱処理をした。また、残りの1つのセル
は熱処理をしなかった。さらに、UV硬化シールにて張
り合せた基板11a,11b間に液晶を注入する工程
(第3の工程)においては、まず基板11a,11b間
の脱気を行い、その後で、フェニルピリミジンを主成分
とするコーン角14°(但し、室温)の強誘電性液晶を
85℃の低温で注入した。さらに、その注入後にカイラ
ルスメクティックC相まで徐冷した。
Five cells were prepared by such a method, and four cells among them were set at 80 ° C., 100 ° C., 120 ° C., 1
Heat treatment was performed at 50 ° C. for 6 hours. The remaining one cell was not heat-treated. Further, in the step (third step) of injecting the liquid crystal between the substrates 11a and 11b bonded by the UV curing seal, first, the substrates 11a and 11b are deaerated, and then phenylpyrimidine is used as a main component. Ferroelectric liquid crystal having a cone angle of 14 ° (however, room temperature) was injected at a low temperature of 85 ° C. Further, after the injection, the chiral smectic C phase was gradually cooled.

【0024】なお、強誘電性液晶の相転移温度は以下の
とおりである。
The phase transition temperature of the ferroelectric liquid crystal is as follows.

【0025】[0025]

【外2】 このようにして液晶素子を作成し、下記4つのケースに
ついてそれぞれ液晶の配向状態を調べた。
[Outside 2] A liquid crystal element was prepared in this manner, and the alignment state of the liquid crystal was examined in each of the following four cases.

【0026】1.駆動前の配向状態 2.15℃で駆動電圧25V駆動した時の配向状態 3.30℃ 〃 4.45℃ 〃 なお、かかる駆動電圧には、図2(b) に示す波形ものを
用いた。すなわち、Com信号及びSeg信号を合成し
たもので、ピーク間電圧Vppを50Vとした。また、
パルス幅は、液晶のスイッチングが正常に行える範囲で
適当に合せた。また、プレチルト角は、いわゆるクリス
タルローテーション法(Jpn.J.Appl.Phy
s.Vo.119(1980)NO.short No
tes2013に記載されている方法)に従って測定し
た。また、プレチルト角の測定用の液晶はチッソ社製強
誘電性液晶CS−1014に下記の構造式で示される化
合物を重量比で20%混合したものを標準液晶とした。
1. Orientation state before driving 2. Alignment state when driven at a driving voltage of 25V at 2.15 ° C. 3.30 ° C.-4.45 ° C. Note that the driving voltage used has the waveform shown in FIG. 2 (b). That is, the Com signal and the Seg signal are combined, and the peak-to-peak voltage Vpp is set to 50V. Also,
The pulse width was appropriately adjusted within a range where liquid crystal switching can be normally performed. In addition, the pretilt angle is determined by the so-called crystal rotation method (Jpn. J. Appl. Phy.
s. Vo. 119 (1980) NO. short No
The method described in tes2013). The liquid crystal for measuring the pretilt angle was a standard liquid crystal in which 20% by weight of a compound represented by the following structural formula was mixed with ferroelectric liquid crystal CS-1014 manufactured by Chisso Corporation.

【0027】[0027]

【化1】 なお、この混合した液晶組成物は、10〜50℃でSm
A相を示す。そして測定法は、ガラス基板に垂直且つ一
軸配向処理軸を含む面で回転させながら、回転軸と45
°の角度をなす偏向面を持つヘリウム・ネオンレーザ光
を回転軸に垂直な方向から照射して、その反対側で入射
偏向面と平行な透過軸を持つ偏向板を通してフォトダイ
オードで透過光強度を測定した。この時、干渉によって
できた透過光強度の双曲線群の中心となる角とガラス基
板に垂直な線とのなす角度をφxとし、下式に代入して
プレチルト角αを求めた。
[Chemical 1] The mixed liquid crystal composition had a Sm of 10 to 50 ° C.
Phase A is shown. Then, the measurement method is such that while rotating the glass substrate in a plane perpendicular to the glass substrate and including the uniaxial orientation treatment axis,
A helium-neon laser beam with a deflection surface that makes an angle of ° is emitted from a direction perpendicular to the rotation axis, and on the opposite side, the transmitted light intensity is obtained with a photodiode through a deflection plate that has a transmission axis parallel to the incident deflection surface. It was measured. At this time, the angle formed by the center angle of the hyperbolic group of transmitted light intensity formed by interference and the line perpendicular to the glass substrate was defined as φx, and the pretilt angle α was calculated by substituting it in the following formula.

【0028】[0028]

【数1】 0 :常光屈折率 ne :異常光屈折率 実験結果を表1に示す。[Equation 1] n 0 : ordinary light refractive index n e : extraordinary light refractive index Table 1 shows the experimental results.

【0029】[0029]

【表1】 表1に示した実験結果から、以下の事柄が分かる。[Table 1] From the experimental results shown in Table 1, the following matters can be understood.

【0030】すなわち、駆動電圧を印加しない状態(駆
動前)の配向状態は、熱処理温度が100℃以下のも
の、及び未処理のものが良好なユニフォーム状態を示し
ており、それに対して熱処理温度を120℃以上とした
ものではC2配向が混在していた。また、15℃の温度
で駆動した場合には、熱処理温度が100℃のものにも
C2配向が混在した。そして、このC2配向が混在した
液晶については、ジグザグ欠陥の発生を確認し、コント
ラストの著しい低下を確認した。なお、熱処理温度を8
0℃以下としたものでは、駆動時の温度を30℃や45
℃に上げても、C2配向は見られなかった。
That is, regarding the orientation state in which the driving voltage is not applied (before driving), the heat treatment temperature of 100 ° C. or less and the untreated state show a good uniform state. When the temperature was 120 ° C. or higher, C2 orientation was mixed. Further, when driven at a temperature of 15 ° C., C2 orientation was mixed even in the heat treatment temperature of 100 ° C. Then, with respect to the liquid crystal in which the C2 orientation was mixed, it was confirmed that zigzag defects were generated, and that the contrast was remarkably lowered. The heat treatment temperature is 8
When the temperature is 0 ° C or less, the driving temperature is 30 ° C or 45 ° C.
Even if the temperature was raised to 0 ° C, C2 orientation was not observed.

【0031】なお、このように100℃以上の熱履歴を
加えた場合にはC2配向が混在し、ジグザグ欠陥が発生
するが、このジグザグ欠陥は熱履歴の温度が高いほど顕
著になることも確認した。また、表1には示していない
が、プレチルト角αを10°未満にするとC1配向のユ
ニフォーム配向の中にC2配向が混在し、ジグザグ欠陥
が発生してくることも確認した。このような欠陥は、駆
動電圧を高くしたり、液晶素子の温度を低くすると顕著
になる。
When a heat history of 100 ° C. or higher is applied in this way, C2 orientation is mixed and zigzag defects occur, but it is also confirmed that the zigzag defects become more remarkable as the temperature of the heat history increases. did. Although not shown in Table 1, it was also confirmed that when the pretilt angle α was set to less than 10 °, the C2 orientation was mixed with the uniform orientation of the C1 orientation, and zigzag defects were generated. Such defects become remarkable when the driving voltage is increased or the temperature of the liquid crystal element is decreased.

【0032】また、本発明者は、熱処理時間を6時間か
ら20時間に長くして同様の実験を行った。その実験結
果を表2に示す。
Further, the inventor of the present invention conducted the same experiment by increasing the heat treatment time from 6 hours to 20 hours. The experimental results are shown in Table 2.

【0033】[0033]

【表2】 本実験において20時間で熱処理した試料と、上述の実
験において6時間で熱処理した試料とを比較することに
より以下のことがわかった。すなわち、100℃以上の
温度で処理した試料では、熱処理時間を長くするとC2
状態の混在が著しくなり、ジグザグ欠陥も多くなる。一
方、80℃以下の温度で処理した場合には、熱処理時間
を長くしても良好なユニフォーム配向が得られる。この
ことより、熱処理時間の如何にかかわらず熱履歴を10
0℃未満にすれば良好なユニフォーム配向が得られるこ
とを確認した。
[Table 2] By comparing the sample heat-treated for 20 hours in this experiment with the sample heat-treated for 6 hours in the above experiment, the following was found. That is, in the sample treated at a temperature of 100 ° C. or higher, when the heat treatment time is extended, C2
Mixing of states becomes significant, and zigzag defects also increase. On the other hand, when the treatment is performed at a temperature of 80 ° C. or lower, good uniform orientation can be obtained even if the heat treatment time is extended. From this, the thermal history is 10 regardless of the heat treatment time.
It was confirmed that if the temperature is lower than 0 ° C, good uniform orientation can be obtained.

【0034】なお、本発明者は熱処理時間をさらに延ば
し30時間で実験を行ったが、80℃以下の温度では良
好なユニフォーム状態が得られた。
The present inventor further extended the heat treatment time and conducted the experiment for 30 hours, but at a temperature of 80 ° C. or lower, a good uniform state was obtained.

【0035】次に、本発明の第2実施例について説明す
る。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.

【0036】本実施例においては、一軸配向処理後から
液晶を注入するまでに100℃以上の熱履歴を加える時
間をt1とし、また、液晶を注入した後に80℃以上の
熱履歴を加える時間をt2とした場合に、 2t1>t2≧t1 なる関係が成り立つようにした。
In the present embodiment, the time for which a heat history of 100 ° C. or more is applied after the uniaxial alignment treatment until the liquid crystal is injected is t1, and the time of applying a heat history of 80 ° C. or more after the liquid crystal is injected is t1. When t2 is set, the relation of 2t1> t2 ≧ t1 is established.

【0037】これにより、液晶は均一なユニフォーム状
態が得られた。以下に、本発明者が効果を確認するため
に行った実験について説明する。
As a result, the liquid crystal was in a uniform uniform state. Hereinafter, an experiment conducted by the present inventor to confirm the effect will be described.

【0038】本実施例においても、上述実施例と同様に
セルを作成した。すなわち、本実験に用いたガラス基板
11a,11bは、7.5cm×7.5cmの大きさで
あり、その基板11a,11bの表面には透明電極12
a,12bを形成した。また、これらの透明電極12
a,12bの上には、酸化タンタルの薄膜(絶縁膜13
a,13b)をスパッタ法で形成し、さらにその上にフ
ッ素系ポリイミドの1%NMP溶液をスピナーで塗布し
270℃で1時間焼成して配向制御層14a,14bを
形成した。次に、これらの基板11a,11bをラビン
グしてプレチルト角αを10°以上にした。さらに、ラ
ビング方向が同一方向かつ平行からセル上方から見て時
計まわりにねじられ、それらの交差角θc が10°とな
るように、かつ1.5μmのセル厚を保つように、両基
板11a,11bを貼り合わせてセルを作成した。な
お、ラビング後のセルを洗浄し乾燥させる工程(第1の
工程)においては、洗浄液としてIPA(イソプロピル
アルコール)を用いて、乾燥が低温(80℃)でできる
ようにした。また、上下基板11a,11bの張り合せ
工程(第2の工程)においてはシール部材としてUV硬
化シールを用い、UV光での硬化が可能なようにして熱
履歴が加わらないよう工夫した。
Also in this embodiment, a cell was prepared in the same manner as the above-mentioned embodiment. That is, the glass substrates 11a and 11b used in this experiment had a size of 7.5 cm × 7.5 cm, and the transparent electrodes 12 were formed on the surfaces of the substrates 11a and 11b.
a and 12b were formed. In addition, these transparent electrodes 12
A thin film of tantalum oxide (insulating film 13
a, 13b) was formed by a sputtering method, and a 1% NMP solution of fluorine-based polyimide was applied thereon by a spinner and baked at 270 ° C. for 1 hour to form alignment control layers 14a, 14b. Next, the substrates 11a and 11b were rubbed to set the pretilt angle α to 10 ° or more. Further, the rubbing directions are twisted in the clockwise direction when viewed from above the cell from the same direction and parallel to each other, so that the crossing angle θ c between them is 10 ° and the cell thickness of 1.5 μm is maintained. , 11b were stuck together to form a cell. In the step of washing and drying the cell after rubbing (first step), IPA (isopropyl alcohol) was used as the washing liquid so that the drying could be performed at a low temperature (80 ° C.). In addition, in the step of bonding the upper and lower substrates 11a and 11b (second step), a UV curing seal is used as a seal member so that it can be cured by UV light and heat history is not added.

【0039】このような方法で5つのセルを作成し、そ
のうちの4つのセルについては100℃で6時間の熱処
理を行った。また、残りの1つのセルについては熱処理
をしなかった。さらに、これらのセルに、上述実施例と
同様に、フェニルピリミジンを主成分とするコーン角1
4°(但し、室温)の強誘電性液晶を注入した。なお、
この注入時の温度は88℃とし、注入時間は1時間とし
た。そして、上述のように100℃で6時間の熱処理を
行った後液晶を注入した4つの試料を、それぞれ100
℃で3時間、6時間、10時間、20時間の熱処理を行
った。また、液晶注入前に熱処理を行わなかった試料に
ついては注入後も熱処理を省略した。そして、これらの
試料をカイラルスメクチックC相まで徐冷した。さら
に、上述実施例と同様に、 1.駆動前の配向状態 2.15℃で駆動電圧25V駆動した時の配向状態 3.30℃ 〃 4.45℃ 〃 のそれぞれの配向状態を調べた。
Five cells were prepared by the above method, and four of them were heat-treated at 100 ° C. for 6 hours. The remaining one cell was not heat-treated. Further, in these cells, as in the above-mentioned example, a cone angle 1 containing phenylpyrimidine as a main component was used.
Ferroelectric liquid crystal of 4 ° (at room temperature) was injected. In addition,
The temperature during this injection was 88 ° C., and the injection time was 1 hour. Then, after heat treatment was performed at 100 ° C. for 6 hours as described above, each of the four samples injected with the liquid crystal was treated with 100
Heat treatment was performed at 3 ° C. for 3 hours, 6 hours, 10 hours, and 20 hours. In addition, the heat treatment was omitted after the injection for the sample that was not heat treated before the liquid crystal injection. Then, these samples were gradually cooled to the chiral smectic C phase. Further, as in the above-described embodiment, 1. Alignment state before driving 2. Orientation state when driven at a driving voltage of 25 V at 2.15 ° C. Each orientation state of 3.30 ° C. 〃 4.45 ° C. 〃 was investigated.

【0040】なお、かかる駆動電圧には図2(b) に示す
波形ものを用い、またプレチルト角は、上述実施例と同
様にクリスタルローテーション法に従って測定した。
The drive voltage having the waveform shown in FIG. 2 (b) was used, and the pretilt angle was measured by the crystal rotation method as in the above embodiment.

【0041】実験結果を表3に示す。The experimental results are shown in Table 3.

【0042】[0042]

【表3】 この実験においては、液晶素子を駆動する前において
は、熱処理を行わなかったもの(未処理)や、3時間と
いう短時間のみ熱処理を行ったものに、C1ツイスト状
態の混在が見られた。これに対し、6時間から20時間
の熱処理を行ったものの場合には、少なくとも駆動前に
おいては良好なユニフォーム状態が観察された。一方、
これらの試料を各温度で駆動すると、20時間の熱処理
を行ったものについては15℃の駆動温度でC2状態の
混在が見られジグザグ欠陥が多数発生していた。また、
6時間の熱処理を行ったものについては45℃の温度で
C1ツイスト状態の混在が見られ、コントラストの著し
い低下を確認した。
[Table 3] In this experiment, before driving the liquid crystal element, the C1 twist state was found to be mixed in those that were not heat-treated (untreated) and those that were heat-treated only for a short time of 3 hours. On the other hand, in the case of performing the heat treatment for 6 to 20 hours, a good uniform state was observed at least before driving. on the other hand,
When these samples were driven at each temperature, the one subjected to the heat treatment for 20 hours showed a mixture of C2 states at a driving temperature of 15 ° C. and many zigzag defects were generated. Also,
Regarding the one that was heat-treated for 6 hours, a mixture of C1 twist states was observed at a temperature of 45 ° C., and it was confirmed that the contrast was significantly lowered.

【0043】以上の実験結果より、一軸配向処理後から
液晶を注入するまでに100℃以上の熱履歴を加える時
間をt1(本実施例においては、t1=0,6時間)と
し、液晶を注入した後に80℃以上の熱履歴を加える時
間をt2(本実施例においては、t2=0,3,6,1
0,20)とした場合、 t2<t1(3時間の熱処理を行ったもの) 2t1<t2(20時間の熱処理を行ったもの) の条件では欠陥が発生し、 t2≦t1(6時間の熱処理を行ったもの) の条件では欠陥が発生しなかった。つまり、2t1>t
2≧t1の条件では駆動の有無を問わず均一なユニフォ
ーム配向が得られることがわかる。
From the above experimental results, the time for applying a thermal history of 100 ° C. or more after the uniaxial alignment treatment until the liquid crystal is injected is set to t1 (t1 = 0, 6 hours in this embodiment), and the liquid crystal is injected. After that, the time for applying a thermal history of 80 ° C. or higher is t2 (t2 = 0, 3, 6, 1 in this embodiment).
0,20), defects are generated under the conditions of t2 <t1 (heat treatment for 3 hours) 2t1 <t2 (heat treatment for 20 hours), and t2 ≦ t1 (heat treatment for 6 hours). No defects occurred under the conditions of (1). That is, 2t1> t
It can be seen that under the condition of 2 ≧ t1, uniform uniform orientation can be obtained regardless of whether or not driving is performed.

【0044】これは、熱履歴によりプレチルト角が影響
を受け、しかも、t1とt2ではそれぞれプレチルト角
に与える影響が相反する方向であるためと考えられる。
すなわち、t1はプレチルト角を下げる方向に影響し、
t2はプレチルト角を上げる方向に影響するものである
と考えられる。したがって、一軸配向処理により制御し
た配向状態(t1=0時間、t2=0時間)を安定に作
成するためには、t1とt2を管理しなければならな
い。
It is considered that this is because the pretilt angle is affected by the thermal history, and the effects on the pretilt angle are opposite at t1 and t2.
That is, t1 affects the direction of decreasing the pretilt angle,
It is considered that t2 affects the direction of increasing the pretilt angle. Therefore, t1 and t2 must be managed in order to stably create the alignment state (t1 = 0 hours, t2 = 0 hours) controlled by the uniaxial alignment treatment.

【0045】また、本発明者は、本実施例による効果を
確かめるために他の実験を行った。すなわち、液晶注入
前のセルに、50℃、80℃、100℃、120℃の温
度で、それぞれ3、6、10、20、50時間の熱処理
を施し、熱処理を施していないセルと共に駆動前の配向
状態を調べた。その結果を表4に示す。
Further, the present inventor conducted another experiment in order to confirm the effect of this embodiment. That is, the cells before the liquid crystal injection are subjected to heat treatment at temperatures of 50 ° C., 80 ° C., 100 ° C., and 120 ° C. for 3, 6, 10, 20, and 50 hours, respectively, and the cells before being subjected to the heat treatment are subjected to the pre-driving The orientation state was investigated. The results are shown in Table 4.

【0046】[0046]

【表4】 本実験より、100℃以上の温度で熱処理を施した試料
については配向状態の大きな変化を確認したが、熱処理
温度が50℃、80℃のものについては配向状態の大き
な変化が見られなかった。本実験より、一軸配向処理後
から液晶注入までの熱履歴で、配向状態に大きく影響す
るのは100℃以上の温度であることがわかった。な
お、この100℃という値は、ポリイミド配向膜のα分
散点やβ分散点にくらべ十分小さい値である。
[Table 4] From this experiment, it was confirmed that the samples subjected to the heat treatment at a temperature of 100 ° C. or higher showed a large change in the orientation state, but the heat treatment temperatures of 50 ° C. and 80 ° C. did not show a large change in the orientation state. From this experiment, it was found that the thermal history from the uniaxial alignment treatment to the liquid crystal injection largely affects the alignment state at a temperature of 100 ° C. or higher. The value of 100 ° C. is sufficiently smaller than the α dispersion point and β dispersion point of the polyimide alignment film.

【0047】さらに、本発明者は、液晶注入前のセルに
100℃・6時間の熱処理を行い、液晶注入後に、温度
が50℃、80℃、100℃で、時間が3、6、10、
20、50時間の熱処理を施し、熱処理を施していない
セルと共に駆動前の配向状態を調べた。その結果を表5
に示す。
Further, the present inventor heat-treats the cell before liquid crystal injection at 100 ° C. for 6 hours, and after the liquid crystal injection, the temperature is 50 ° C., 80 ° C., 100 ° C., and the time is 3, 6, 10,
After heat treatment for 20 to 50 hours, the alignment state before driving was examined together with the cells not subjected to heat treatment. The results are shown in Table 5.
Shown in.

【0048】[0048]

【表5】 この実験より、液晶を注入した状態の熱履歴でも80℃
以上の温度では時間により配向状態の変化が観察できた
が、50℃では配向状態の変化が見られなかった。この
実験から液晶注入後の熱履歴で、配向状態に大きく影響
するのは80℃以上の温度であることがわかる。また、
この80℃という値はポリイミド配向膜のα分散点やβ
分散点にくらべ十分小さい値であり、しかも液晶注入前
の熱履歴の場合より小さくなっている。これらのことを
考えると、熱履歴の影響を受ける温度は、ポリイミド配
向膜のα分散点やβ分散点ではなく、液晶材料と配向膜
の関係から決まるものではないかと考えられる。
[Table 5] From this experiment, even if the thermal history of liquid crystal is 80 ° C
At the above temperatures, changes in the alignment state could be observed with time, but at 50 ° C no change in the alignment state was observed. From this experiment, it is understood that the temperature of 80 ° C. or higher has a great influence on the alignment state in the thermal history after the liquid crystal injection. Also,
This value of 80 ° C is the α dispersion point or β of the polyimide alignment film.
The value is sufficiently smaller than the dispersion point, and is smaller than the case of thermal history before liquid crystal injection. Considering these points, it is considered that the temperature affected by the thermal history is determined not by the α dispersion point or β dispersion point of the polyimide alignment film but by the relationship between the liquid crystal material and the alignment film.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上説明したように、第1の発明による
と、製造された液晶素子のプレチルト角αは10°以上
に維持されて、安定した大きいプレチルト角が達成でき
る。そして、ジグザグ欠陥等の配向欠陥のない、良好な
ユニフォーム配向状態を安定に作成することができる。
As described above, according to the first invention, the pretilt angle α of the manufactured liquid crystal element is maintained at 10 ° or more, and a stable large pretilt angle can be achieved. Then, it is possible to stably create a good uniform alignment state without alignment defects such as zigzag defects.

【0050】また、第2の発明によっても、ツイスト状
態やジグザグ欠陥のない良好なユニフォーム配向状態を
安定に得ることができる。
Also according to the second aspect of the present invention, it is possible to stably obtain a good uniform orientation state without a twist state or a zigzag defect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】液晶素子の構造を示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structure of a liquid crystal element.

【図2】駆動波形を説明するための図。FIG. 2 is a diagram for explaining drive waveforms.

【図3】C1配向及びC2配向を説明するための図。FIG. 3 is a diagram for explaining C1 orientation and C2 orientation.

【図4】ツイスト配向及びユニフォーム配向を説明する
ための図。
FIG. 4 is a diagram for explaining twist orientation and uniform orientation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11a,11b 基板 12a,12b 電極(透明電極) 13a,13b 絶縁膜 14a,14b 配向膜(配向制御層) 15 強誘電性液晶 11a, 11b Substrate 12a, 12b Electrode (transparent electrode) 13a, 13b Insulating film 14a, 14b Alignment film (alignment control layer) 15 Ferroelectric liquid crystal

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電極及び一軸配向処理の施された配向膜
を形成した基板を洗浄し乾燥させる第1の工程と、該洗
浄・乾燥された一対の基板をシール部材で張り合せた後
に該シール部材を硬化させる第2の工程と、該シール部
材によって密封された一対の基板間に脱気した上で強誘
電性液晶を注入する第3の工程と、を備えた強誘電性液
晶素子の製造方法において、 前記第1の工程、第2の工程、及び第3の工程を100
℃以下の温度で行う、 ことを特徴とする、強誘電性液晶素子の製造方法。
1. A first step of cleaning and drying a substrate on which an electrode and an alignment film subjected to a uniaxial alignment treatment are formed, and a step of bonding the washed and dried pair of substrates with a seal member and then the seal. Manufacture of a ferroelectric liquid crystal device including a second step of curing a member, and a third step of injecting a ferroelectric liquid crystal after deaeration between a pair of substrates sealed by the sealing member In the method, the first step, the second step, and the third step are performed 100 times.
A method for manufacturing a ferroelectric liquid crystal element, which is performed at a temperature of ℃ or less.
【請求項2】 前記配向膜の界面と前記強誘電性液晶と
のなす角度が10°以上となるように前記一軸配向処理
を施した、 ことを特徴とする、請求項1記載の強誘電性液晶素子の
製造方法。
2. The ferroelectric property according to claim 1, wherein the uniaxial alignment treatment is performed so that an angle formed between the interface of the alignment film and the ferroelectric liquid crystal is 10 ° or more. Liquid crystal device manufacturing method.
【請求項3】 前記一軸配向処理を、高分子薄膜をラビ
ングすることにより行う、 ことを特徴とする、請求項1又は2記載の強誘電性液晶
素子の製造方法。
3. The method for manufacturing a ferroelectric liquid crystal device according to claim 1, wherein the uniaxial alignment treatment is performed by rubbing a polymer thin film.
【請求項4】 前記基板における上下界面における一軸
配向処理が交差し、その交差角θc が、20°>θc
0°である、 ことを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項記載
の、強誘電性液晶素子の製造方法。
4. The uniaxial orientation treatment at the upper and lower interfaces of the substrate intersects each other, and the intersection angle θ c is 20 °> θ c >.
It is 0 degree, The manufacturing method of the ferroelectric liquid crystal element of any one of Claim 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned.
【請求項5】 電極及び一軸配向処理の施された配向膜
を形成した基板を洗浄し乾燥させる第1の工程と、張り
合せられた一対の基板間に強誘電性液晶を注入する第3
の工程と、を備えた強誘電性液晶素子の製造方法におい
て、 前記第1の工程にて一軸配向処理した後、前記第3の工
程にて強誘電性液晶を注入するまでに100℃以上に加
熱する時間をt1とし、該液晶を注入した後に80℃以
上に加熱する時間をt2とした場合に、 2t1>t2≧t1 の関係が成り立つようにする、 ことを特徴とする、強誘電性液晶素子の製造方法。
5. A first step of cleaning and drying a substrate on which an electrode and an alignment film subjected to uniaxial alignment treatment are formed, and a third step of injecting a ferroelectric liquid crystal between a pair of bonded substrates.
In the method for manufacturing a ferroelectric liquid crystal device, the method includes the step of, and a temperature of 100 ° C. or higher until the ferroelectric liquid crystal is injected in the third step after the uniaxial alignment treatment in the first step. Ferroelectric liquid crystal, characterized in that the relationship of 2t1> t2 ≧ t1 is established when the heating time is t1 and the heating time after injection of the liquid crystal is 80 ° C. or more is t2. Device manufacturing method.
【請求項6】 前記一軸配向処理後から液晶を注入する
までに加える熱履歴と、液晶を注入した後に加える熱履
歴をほぼ等しくする、 ことを特徴とする請求項5記載の、強誘電性液晶素子の
製造方法。
6. The ferroelectric liquid crystal according to claim 5, wherein the thermal history applied after the uniaxial alignment treatment and before the liquid crystal is injected is approximately equal to the thermal history applied after the liquid crystal is injected. Device manufacturing method.
【請求項7】 前記一軸配向処理を、高分子薄膜をラビ
ングすることにより行う、 ことを特徴とする、請求項5又は6記載の、強誘電性液
晶素子の製造方法。
7. The method of manufacturing a ferroelectric liquid crystal device according to claim 5, wherein the uniaxial alignment treatment is performed by rubbing a polymer thin film.
【請求項8】 前記基板における上下界面における一軸
配向処理が交差し、その交差角θc が、20°>θc
0°である、 ことを特徴とする、請求項5乃至7のいずれか1項記載
の、強誘電性液晶素子の製造方法。
8. The uniaxial orientation treatment at the upper and lower interfaces of the substrate intersects each other, and the intersection angle θ c is 20 °> θ c >.
It is 0 degree, The manufacturing method of the ferroelectric liquid crystal element as described in any one of Claims 5 thru | or 7 characterized by the above-mentioned.
JP13524893A 1993-05-13 1993-05-13 Manufacturing method of ferroelectric liquid crystal device Expired - Fee Related JP3080123B2 (en)

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