JPH06324076A - Semiconductor acceleration sensor - Google Patents

Semiconductor acceleration sensor

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JPH06324076A
JPH06324076A JP13541393A JP13541393A JPH06324076A JP H06324076 A JPH06324076 A JP H06324076A JP 13541393 A JP13541393 A JP 13541393A JP 13541393 A JP13541393 A JP 13541393A JP H06324076 A JPH06324076 A JP H06324076A
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layer
weight body
silicon
glass
diaphragm member
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Abstract

PURPOSE:To cut a stopper gap in a semiconductor acceleration sensor smaller in width, to avoid break during cutting and to shorten the cutting time, and further to make bonding easy. CONSTITUTION:A weight body 15 and a controlling member 19 are formed in a structure of a double layer consisting of a first glass layer 16 and a second silicon layer 17. The first layer 16 is set at the side to be bonded to a diaphragm member 10 of silicon and a stopper gap 21 is formed in the second layer 17. The bonding part is formed of silicon and glass. Moreover, the stopper gap 21 is easy to cut by a dicing saw and formed of silicon showing a small cutting resistance.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体加速度センサに関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor acceleration sensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】本発明に関連する従来技術のひとつとし
て、特開平4−84725号公報に記載の抵抗素子を用
いたセンサがある。これは、図6に示すように、中央部
分に作用部1を有しその周囲に可撓部2を介して固定部
3が形成されたシリコンからなる半導体ペレット4と、
上面の中央部分が半導体ペレット4の作用部1に接合さ
れて懸垂保持されたガラスまたはシリコンからなる重錘
体5と、重錘体5の外周囲に離間して設けられ上面が半
導体ペレット4の固定部3に接合された重錘体5と同一
材質の台座6と、重錘体5の側部とこれに対向する台座
6の側部との間に形成された所定幅のストッパギャップ
7と、台座6の下面に接合された制御基板8とを有し、
作用する加速度に応じて生ずる重錘体5の変位による半
導体ペレット4の歪をピエゾ効果を利用して検知するこ
とにより、加速度を検出するようにしたものである。
2. Description of the Related Art As one of the prior arts related to the present invention, there is a sensor using a resistance element described in JP-A-4-84725. This is, as shown in FIG. 6, a semiconductor pellet 4 made of silicon in which a fixing portion 3 is formed with a working portion 1 in the central portion and a flexible portion 2 around the working portion 1,
A weight body 5 made of glass or silicon that is suspended and held by the central portion of the upper surface of the semiconductor pellet 4 being joined to the action portion 1 of the semiconductor pellet 4 is provided. A pedestal 6 made of the same material as the weight body 5 joined to the fixed portion 3, and a stopper gap 7 having a predetermined width formed between a side portion of the weight body 5 and a side portion of the pedestal 6 facing the weight body 5. , A control board 8 joined to the lower surface of the pedestal 6,
The acceleration is detected by detecting the strain of the semiconductor pellet 4 due to the displacement of the weight body 5 caused by the acting acceleration by utilizing the piezo effect.

【0003】このようなセンサは、次のようにして製造
される。先ず、重錘体5および台座6を構成するガラス
またはシリコンからなる母材に、その上面から下面に向
かって幅広の溝9をダイシングソーで切削形成して重錘
体5と台座6とを画定する。次に、重錘体5と台座6と
が分離していない状態で、それらの上面を半導体ペレッ
ト4の作用部1および固定部3に夫々接合し、その後、
母材の下面からダイシングソーで所定幅のストッパギャ
ップ7を切削形成することによって重錘体5と台座6と
を分離し、これによって、重錘体5が半導体ペレット4
に宙吊り状態に保持される。ストッパギャップ7は、過
大な加速度が作用した場合に半導体ペレット4が過剰に
変形して破損することを防止するために重錘体5のスト
ッパとして機能するもので、耐衝撃性向上の観点から数
十μmの幅が必要とされる。
Such a sensor is manufactured as follows. First, the weight 5 and the pedestal 6 are defined by forming a wide groove 9 from the upper surface to the lower surface of the base material that constitutes the weight 5 and the pedestal 6 with a dicing saw. To do. Next, while the weight body 5 and the pedestal 6 are not separated, their upper surfaces are bonded to the working portion 1 and the fixing portion 3 of the semiconductor pellet 4, respectively, and thereafter,
The weight body 5 and the pedestal 6 are separated by cutting and forming a stopper gap 7 having a predetermined width from the lower surface of the base material with a dicing saw.
It is held suspended in the air. The stopper gap 7 functions as a stopper of the weight body 5 in order to prevent the semiconductor pellet 4 from being excessively deformed and damaged when an excessive acceleration is applied, and is a few from the viewpoint of improving impact resistance. A width of 10 μm is required.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、重
錘体および台座を構成する母材にガラスまたはシリコン
が用いられている。母材にガラスを用いた場合には、シ
リコンに接合可能なガラスがダイシングソーにとって難
切削物であるため、特に数十μmの幅のストッパギャッ
プの切削には非常に困難を伴うばかりでなく、その切削
にも極めて長時間を要することとなる。本発明者の実験
によれば、ストッパギャップの切削に0.1mm/se
c程度の時間を要することが確認されている。また、ガ
ラスは切削抵抗が大きいため、ストッパギャップの切削
中に重錘体を通して半導体ペレットに切削時の振動が伝
わり、半導体ペレットを破損するおそれがあるなどの問
題があった。一方、母材にシリコンを用いた場合には、
切削が容易になる反面、半導体ペレットと重錘体および
台座とがシリコンどうしの接合となり、陽極接合法を用
いることができず、シリコンとガラスの場合に比べて接
合が極めて困難になるなどの問題があった。
In the above prior art, glass or silicon is used as the base material forming the weight body and the pedestal. When glass is used as the base material, since glass that can be bonded to silicon is a difficult-to-cut material for a dicing saw, not only is it extremely difficult to cut a stopper gap having a width of several tens of μm, The cutting also requires an extremely long time. According to an experiment by the present inventor, 0.1 mm / se is used for cutting the stopper gap.
It has been confirmed that it takes about c time. Further, since glass has a large cutting resistance, there is a problem that vibration during cutting is transmitted to the semiconductor pellet through the weight body during cutting of the stopper gap, and the semiconductor pellet may be damaged. On the other hand, when silicon is used as the base material,
While easy to cut, the semiconductor pellet and the weight and the pedestal are bonded to each other by silicon, and the anodic bonding method cannot be used, which makes bonding extremely difficult compared to the case of silicon and glass. was there.

【0005】本発明は上記観点に基づいてなされたもの
で、その目的は、より幅小のストッパギャップの切削が
可能であると共に、切削中の破損防止および切削時間の
短縮化を図ることができ、しかも、接合が容易な半導体
加速度センサを提供することにある。
The present invention has been made based on the above viewpoint, and an object thereof is to be able to cut a stopper gap having a smaller width, to prevent damage during cutting and to shorten the cutting time. Moreover, it is to provide a semiconductor acceleration sensor that can be easily joined.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明においては、中央
部分に作用部を有しその周囲に可撓部を介して固定部が
形成されたシリコンからなるダイアフラム部材と、一面
の中央部分が前記ダイアフラム部材の作用部に接合され
て懸垂保持された重錘体と、前記重錘体の外周囲に離間
して設けられ一面が前記ダイアフラム部材の固定部に接
合された制限部材と、前記重錘体の側部とこれに対向す
る前記制限部材の側部との間に形成された所定幅のスト
ッパギャップとを有する半導体加速度センサにおいて、
前記重錘体および前記制限部材を構成する母材がガラス
からなる第1の層とシリコンからなる第2の層とを接合
した二層構造で、前記第1の層が前記ダイアフラム部材
への接合側として前記重錘体および前記制限部材が前記
ダイアフラム部材の作用部および固定部に夫々接合され
ており、前記第2の層に前記所定幅のストッパギャップ
が形成されている半導体加速度センサによって、上記目
的を達成する。
SUMMARY OF THE INVENTION In the present invention, a diaphragm member made of silicon having a working portion at the central portion and a fixing portion formed around the working portion via a flexible portion, and the central portion of one surface are A weight body that is joined to an acting portion of the diaphragm member and is suspended and held; a restricting member that is spaced apart from the outer periphery of the weight body and has one surface joined to the fixing portion of the diaphragm member; In a semiconductor acceleration sensor having a stopper gap of a predetermined width formed between a side part of the body and a side part of the limiting member facing the side part,
A two-layer structure in which a base material forming the weight body and the limiting member is made of glass and a second layer made of silicon is joined, and the first layer is joined to the diaphragm member. On the side, the weight body and the limiting member are respectively joined to the acting portion and the fixing portion of the diaphragm member, and the semiconductor acceleration sensor in which the stopper gap having the predetermined width is formed in the second layer is used. Achieve the purpose.

【0007】[0007]

【作用】重錘体および制限部材がガラスからなる第1の
層とシリコンからなる第2の層との二層構造で構成され
ており、ガラスからなる第1の層がシリコンからなるダ
イアフラム部材に接合され、シリコンからなる第2の層
にストッパギャップが形成されている。ダイアフラム部
材と重錘体および制限部材との接合はシリコンとガラス
であり、陽極接合法によって容易に接合することができ
る。ストッパギャップは、ダイシングソーにとって切削
しやすく且つ切削抵抗が小さいシリコンからなる第2の
層に形成されるので、より幅小の、ガラスでは不可能に
近い例えば10μm程度のストッパギャップの切削が可
能となり、耐衝撃性を大幅に向上させることができ、し
かも、切削中の破損防止をはかることができると共に、
切削時間を大幅に短縮することができる。
The weight body and the limiting member have a two-layer structure of a first layer made of glass and a second layer made of silicon, and the first layer made of glass serves as a diaphragm member made of silicon. A stopper gap is formed in the second layer which is joined and made of silicon. The diaphragm member, the weight body, and the limiting member are made of silicon and glass, and can be easily joined by the anodic joining method. Since the stopper gap is formed in the second layer made of silicon that is easy to cut by the dicing saw and has a small cutting resistance, it is possible to cut the stopper gap having a smaller width, for example, about 10 μm, which is not possible with glass. The impact resistance can be greatly improved, and moreover, damage can be prevented during cutting, and
The cutting time can be greatly reduced.

【0008】[0008]

【実施例】図1は本発明の一実施例を示す断面構成図で
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.

【0009】図1において、10はシリコンからなるダ
イアフラム部材で、その下面にエッチング等によって形
成された溝11によって、中央部分に肉厚の作用部12
が、この作用部12の周囲に肉薄の可撓部13が、この
可撓部13の周囲に肉厚の固定部14が夫々形成されて
いる。ダイアフラム部材10の作用部12は、可撓部1
3が撓むことによって固定部14に対して変位するよう
になっている。このようなダイアフラム部材10の作用
部12の下面には、重錘体15が懸垂保持されている。
In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a diaphragm member made of silicon, and a groove 11 formed by etching or the like on the lower surface thereof has a thick action portion 12 at the central portion.
However, a thin flexible portion 13 is formed around the acting portion 12, and a thick fixing portion 14 is formed around the flexible portion 13. The acting portion 12 of the diaphragm member 10 is the flexible portion 1
The bending of 3 causes it to be displaced with respect to the fixed portion 14. A weight body 15 is suspended and held on the lower surface of the acting portion 12 of the diaphragm member 10.

【0010】重錘体15は、シリコンに接合可能なガラ
スからなる第1の層16とシリコンからなる第2の層1
7とが接合された二層構造で、ガラスからなる第1の層
16を上にして設けられている。重錘体15は、その上
面の中央部分が凸上となるように周辺部分がエッチング
等によって一段低く形成されており、その凸上の中央部
分に接合面18を有している。重錘体15は、接合面1
8がダイアフラム部材10の作用部12の下面に接合さ
れることによって、ダイアフラム部材10に懸垂保持さ
れている。このような重錘体15の周囲には、重錘体1
5を囲む制限部材19が設けられている。
The weight body 15 includes a first layer 16 made of glass and a second layer 1 made of silicon that can be bonded to silicon.
7 has a two-layer structure bonded to each other, and is provided with the first layer 16 made of glass facing upward. The peripheral portion of the weight body 15 is formed lower by etching or the like so that the central portion of the upper surface of the weight body 15 has a convex shape, and a bonding surface 18 is provided at the central portion of the convex shape. The weight body 15 is the joint surface 1
8 is joined to the lower surface of the acting portion 12 of the diaphragm member 10 to be suspended and held by the diaphragm member 10. Around the weight body 15 like this, the weight body 1
A limiting member 19 that surrounds 5 is provided.

【0011】制限部材19は、後述するように重錘体1
5と同一の母材から分離形成されるので、重錘体15と
同様に、シリコンに接合可能なガラスからなる第1の層
16とシリコンからなる第2の層17とが接合された二
層構造で、ガラスからなる第1の層16を上にして重錘
体15を囲むように設けられている。制限部材19の上
面はダイアフラム部材10の固定部14の下面に接合さ
れている。制限部材19と重錘体15との間には、分離
溝20と、これに連通するストッパギャップ21とが形
成されている。分離溝20は、第1の層16の上面から
下面にわたって形成された幅広の溝で、第1の層16を
制限部材19と重錘体15とに分離している。ストッパ
ギャップ21は、シリコンからなる第2の層17の上面
から下面わたって形成されており、第2の層17を制限
部材19と重錘体15とに分離している。ストッパギャ
ップ21は、加速度に応じた重錘体15の平面方向の変
位を制限する機能を有し、所望の幅に設定されている。
The limiting member 19 has a weight 1 as will be described later.
Since it is formed separately from the same base material as that of No. 5, like the weight body 15, a two-layer structure in which a first layer 16 made of glass and a second layer 17 made of silicon that can be joined to silicon are joined. In the structure, the weight 15 is provided so that the first layer 16 made of glass faces upward. The upper surface of the limiting member 19 is joined to the lower surface of the fixed portion 14 of the diaphragm member 10. A separating groove 20 and a stopper gap 21 communicating with the separating groove 20 are formed between the limiting member 19 and the weight body 15. The separation groove 20 is a wide groove formed from the upper surface to the lower surface of the first layer 16 and separates the first layer 16 into the limiting member 19 and the weight body 15. The stopper gap 21 is formed from the upper surface to the lower surface of the second layer 17 made of silicon, and separates the second layer 17 into the limiting member 19 and the weight body 15. The stopper gap 21 has a function of limiting the displacement of the weight body 15 in the plane direction according to the acceleration, and is set to a desired width.

【0012】22は制限部材19および重錘体15の下
方に設けられた基板である。重錘体15および制限部材
19を構成する第2の層17の下面には、基板22の上
面周辺部が制限部材19の下面に接合された際に重錘体
15の変位を阻害しないように、凹部17aが形成され
ている。基板22はその上面周辺部が制限部材19の下
面に接合されており、重錘体15は凹部17aを介して
その変位が阻害されないようになっている。
Reference numeral 22 is a substrate provided below the limiting member 19 and the weight body 15. The lower surface of the second layer 17 forming the weight body 15 and the limiting member 19 should not hinder the displacement of the weight body 15 when the peripheral portion of the upper surface of the substrate 22 is joined to the lower surface of the limiting member 19. The recess 17a is formed. The peripheral portion of the upper surface of the substrate 22 is joined to the lower surface of the limiting member 19, and the displacement of the weight body 15 is not hindered through the recess 17a.

【0013】以上のごとき構成の半導体加速度センサ
は、図2〜図5に示す工程に従って製造される。
The semiconductor acceleration sensor having the above structure is manufactured according to the steps shown in FIGS.

【0014】図2,図3,図4および図5は図1の構成
の半導体加速度センサの製造工程図で、図2は第1工
程,図3は第2工程,図4は第3工程,図5は第4工程
を示している。なお、図1と同符号のものは同一物を示
している。
2, FIG. 3, FIG. 4 and FIG. 5 are manufacturing process drawings of the semiconductor acceleration sensor having the structure shown in FIG. 1. FIG. 2 is a first process, FIG. 3 is a second process, and FIG. 4 is a third process. FIG. 5 shows the fourth step. The same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same elements.

【0015】先ず、図2の第1工程において、ガラスか
らなる第1の層16とシリコンからなる第2の層17と
が陽極接合法によって接合され、重錘体15および制限
部材19を構成するための二層構造の母材30が形成さ
れる。第1の層16と第2の層17とは、ガラスとシリ
コンとの接合であるので、陽極接合法によって容易に接
合することができる。そして、この母材30のガラスか
らなる第1の層16の表面に、エッチング等によって凹
部31が形成されることによって、ダイアフラム部材1
0に対する重錘体15の接合面18および制限部材19
の接合面32が形成される。また、母材30のシリコン
からなる第2の層17の下面に、重錘体15の変位を阻
害しないようにするための凹部17aがエッチング等に
よって形成される。凹部17aは、シリコンからなる第
2の層17に形成されるので、ガラスに形成する場合と
比較して容易に形成することができる。次に、図3の第
2工程において、ガラスからなる第1の層16にダイシ
ングソーによって分離溝20が形成され、重錘体15と
制限部材19とが画定される。分離溝20は、構成説明
で述べたように幅広の溝であるので、ストッパギャップ
21に比較して容易に切削形成することができる。分離
溝20が形成された段階では、重錘体15と制限部材1
9とはまだ分離されておらず、第2の層17によって結
合された状態におかれている。次に、図4の第3工程に
おいて、作用部12,可撓部13および固定部14が形
成されたダイアフラム部材10に、重錘体15の接合面
18および制限部材19の接合面32が陽極接合法によ
って接合される。構成説明で述べたように、重錘体15
の接合面18はダイアフラム部材10の作用部1の下面
に接合され、制限部材19の接合面32はダイアフラム
部材10の固定部14の下面に接合される。重錘体15
および制限部材19の接合面18,32とダイアフラム
部材10との接合は、ガラスとシリコンとの接合である
ので、陽極接合法によって容易に接合することができ
る。その後、図5の第4工程において、シリコンからな
る第2の層17にダイシングソーによってストッパギャ
ップ21が切削形成され、重錘体15と制限部材19と
が分離される。ストッパギャップ21は、ダイシングソ
ーにとって切削しやすく且つ切削抵抗の小さいシリコン
からなる第2の層17に形成されるので、極めて幅小
の、ガラスでは不可能に近い10μm程度にすることも
可能であり、また、切削中の破損防止をはかることがで
きると共に、切削時間を大幅に短縮することができる。
First, in the first step of FIG. 2, the first layer 16 made of glass and the second layer 17 made of silicon are joined by the anodic bonding method to form the weight body 15 and the limiting member 19. A base material 30 having a two-layer structure is formed. Since the first layer 16 and the second layer 17 are bonded to glass and silicon, they can be bonded easily by the anodic bonding method. The recess 31 is formed on the surface of the first layer 16 made of glass of the base material 30 by etching or the like, whereby the diaphragm member 1
The joint surface 18 of the weight body 15 with respect to 0 and the limiting member 19
The joint surface 32 of is formed. Further, a recess 17a for preventing displacement of the weight body 15 is formed on the lower surface of the second layer 17 made of silicon of the base material 30 by etching or the like. Since the recess 17a is formed in the second layer 17 made of silicon, it can be easily formed as compared with the case where it is formed in glass. Next, in a second step of FIG. 3, a separation groove 20 is formed in the first layer 16 made of glass by a dicing saw, and the weight body 15 and the limiting member 19 are defined. Since the separation groove 20 is a wide groove as described in the description of the structure, it can be easily formed by cutting as compared with the stopper gap 21. At the stage where the separation groove 20 is formed, the weight body 15 and the limiting member 1
It is not yet separated from 9 and remains bound by the second layer 17. Next, in the third step of FIG. 4, the joint surface 18 of the weight body 15 and the joint surface 32 of the limiting member 19 are formed on the diaphragm member 10 on which the acting portion 12, the flexible portion 13 and the fixing portion 14 are formed. It is joined by the joining method. As described in the configuration description, the weight body 15
The joining surface 18 of the diaphragm member 10 is joined to the lower surface of the acting portion 1 of the diaphragm member 10, and the joining surface 32 of the limiting member 19 is joined to the lower surface of the fixing portion 14 of the diaphragm member 10. Weight 15
Since the bonding surfaces 18 and 32 of the limiting member 19 and the diaphragm member 10 are bonded to each other by glass and silicon, they can be easily bonded by the anodic bonding method. Then, in a fourth step of FIG. 5, a stopper gap 21 is cut and formed in the second layer 17 made of silicon with a dicing saw, and the weight body 15 and the limiting member 19 are separated. Since the stopper gap 21 is formed in the second layer 17 made of silicon which is easy to cut by the dicing saw and has a small cutting resistance, it is possible to set the stopper gap 21 to about 10 μm, which is extremely small and is not possible with glass. In addition, it is possible to prevent damage during cutting, and it is possible to significantly reduce the cutting time.

【0016】このような半導体加速度センサは、加速度
が作用すると宙吊り状態の重錘体15がそれに応じて変
位し、これによってダイアフラム部材10の可撓部13
が撓んでダイアフラム部材10が変位する。このダイア
フラム部材10の変位をピエゾ効果等を利用して検知す
ることによって、作用した加速度の大きさを検出するこ
とができる。そして、このような構成によれば、ダイア
フラム部材10と重錘体15および制限部材19との接
合がシリコンとガラスであり、また、重錘体15および
制限部材19を構成する母材30もガラスとシリコンの
接合であるので、陽極接合法を用いることができ、接合
において問題を生ずることはない。また、ダイシングソ
ーにとって切削容易であり且つ切削抵抗の小さいシリコ
ンからなる第2の層17にストッパギャップ21が形成
されるので、より幅小のストッパギャップを切削形成す
ることができ、また、切削中にダイアフラム部材10に
伝わる振動が小さく、切削中の破損防止を図ることがで
きるばかりでなく、ガラスの場合と比較して切削時間を
大幅に短縮することができる。1mm/sec〜10m
m/secの速度で切削が可能であることが、本発明者
によって確認されている。
In such a semiconductor acceleration sensor, when the acceleration acts, the weight body 15 suspended in the air is displaced accordingly, whereby the flexible portion 13 of the diaphragm member 10 is displaced.
And the diaphragm member 10 is displaced. By detecting the displacement of the diaphragm member 10 using the piezo effect or the like, the magnitude of the applied acceleration can be detected. According to such a configuration, the diaphragm member 10 is bonded to the weight body 15 and the limiting member 19 by silicon and glass, and the base material 30 forming the weight body 15 and the limiting member 19 is also glass. Since this is the bonding of silicon with silicon, the anodic bonding method can be used without causing any problems in bonding. Further, since the stopper gap 21 is formed in the second layer 17 made of silicon which is easy to cut by the dicing saw and has a small cutting resistance, it is possible to cut and form a stopper gap having a smaller width. In addition, the vibration transmitted to the diaphragm member 10 is small, so that it is possible not only to prevent damage during cutting, but also to significantly reduce the cutting time as compared with the case of glass. 1 mm / sec-10 m
It has been confirmed by the present inventor that cutting can be performed at a speed of m / sec.

【0017】以上述べた実施例では、重錘体15の変位
を阻害しないようにするための凹部17aをシリコンか
らなる第2の層17に形成したが、図6の従来例と同様
に、基板22の上面に形成するようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the recess 17a for preventing the displacement of the weight body 15 is formed in the second layer 17 made of silicon. However, as in the conventional example of FIG. It may be formed on the upper surface of 22.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、重
錘体および制限部材をガラスからなる第1の層とシリコ
ンからなる第2の層との二層構造で構成し、ガラスから
なる第1の層をシリコンからなるダイアフラム部材への
接合側とすると共に、シリコンからなる第2の層にスト
ッパギャップを形成するように構成したので、接合の容
易性を図ることができると共に、ガラスでは不可能に近
い幅小のストッパギャップの切削が可能となり、耐衝撃
性を大幅に向上させることができ、しかも、切削中の破
損防止および切削時間の大幅な短縮を図ることができる
などの効果を奏する半導体加速度センサを提供すること
ができる。
As described above, according to the present invention, the weight body and the limiting member have a two-layer structure of a first layer made of glass and a second layer made of silicon, and are made of glass. Since the first layer is formed on the side of joining to the diaphragm member made of silicon, and the stopper gap is formed at the second layer made of silicon, the joining can be facilitated and glass is not used. It is possible to cut a stopper gap with a width that is almost impossible, greatly improving impact resistance, and preventing damage during cutting and greatly shortening the cutting time. A semiconductor acceleration sensor can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は本発明の一実施例を示す断面構成図であ
る。
FIG. 1 is a sectional configuration diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】図2は図1の構成の半導体加速度センサの製造
工程図で、第1工程を示している。
FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the semiconductor acceleration sensor having the configuration of FIG. 1, showing a first step.

【図3】図3は図1の構成の半導体加速度センサの製造
工程図で、第2工程を示している。
FIG. 3 is a manufacturing process diagram of the semiconductor acceleration sensor having the configuration of FIG. 1, showing a second step.

【図4】図4は図1の構成の半導体加速度センサの製造
工程図で、第3工程を示している。
FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the semiconductor acceleration sensor having the configuration of FIG. 1, showing a third step.

【図5】図5は図1の構成の半導体加速度センサの製造
工程図で、第4工程を示している。
FIG. 5 is a manufacturing process drawing of the semiconductor acceleration sensor having the configuration of FIG. 1, showing a fourth step.

【図6】図6は半導体加速度センサの従来例を示す断面
構成図である。
FIG. 6 is a cross-sectional configuration diagram showing a conventional example of a semiconductor acceleration sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ダイアフラム部材 12 作用部 13 可撓部 14 固定部 15 重錘体 16 第1の層 17 第2の層 18 接合面 19 制限部材 21 ストッパギャップ 30 母材 32 接合面 10 diaphragm member 12 action part 13 flexible part 14 fixing part 15 weight body 16 first layer 17 second layer 18 joining surface 19 limiting member 21 stopper gap 30 base material 32 joining surface

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 中央部分に作用部を有しその周囲に可撓
部を介して固定部が形成されたシリコンからなるダイア
フラム部材と、一面の中央部分が前記ダイアフラム部材
の作用部に接合されて懸垂保持された重錘体と、前記重
錘体の外周囲に離間して設けられ一面が前記ダイアフラ
ム部材の固定部に接合された制限部材と、前記重錘体の
側部とこれに対向する前記制限部材の側部との間に形成
された所定幅のストッパギャップとを有する半導体加速
度センサにおいて、 前記重錘体および前記制限部材を構成する母材がガラス
からなる第1の層とシリコンからなる第2の層とを接合
した二層構造で、前記第1の層が前記ダイアフラム部材
への接合側として前記重錘体および前記制限部材が前記
ダイアフラム部材の作用部および固定部に夫々接合され
ており、前記第2の層に前記所定幅のストッパギャップ
が形成されている半導体加速度センサ。
1. A diaphragm member made of silicon having a working portion in the central portion and a fixing portion formed around the working portion through a flexible portion, and a central portion of one surface joined to the working portion of the diaphragm member. A weight body suspended and held, a limiting member spaced apart from the outer periphery of the weight body and having one surface joined to a fixed portion of the diaphragm member, and a side portion of the weight body facing the side portion. In a semiconductor acceleration sensor having a stopper gap of a predetermined width formed between a side portion of the limiting member, a base material forming the weight body and the limiting member is made of glass and a first layer made of glass. In the two-layer structure in which the first layer is joined to the diaphragm member, the weight body and the limiting member are joined to the working portion and the fixing portion of the diaphragm member, respectively. And has, a semiconductor acceleration sensor stopper gap of the predetermined width to the second layer are formed.
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