JPH06318751A - 縦モード選択レーザー - Google Patents

縦モード選択レーザー

Info

Publication number
JPH06318751A
JPH06318751A JP5144285A JP14428593A JPH06318751A JP H06318751 A JPH06318751 A JP H06318751A JP 5144285 A JP5144285 A JP 5144285A JP 14428593 A JP14428593 A JP 14428593A JP H06318751 A JPH06318751 A JP H06318751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
cavity
grating
fabry
fiber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5144285A
Other languages
English (en)
Inventor
David R Huber
アール、ハーバー ディビッド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Arris Technology Inc
Original Assignee
Arris Technology Inc
General Instrument Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Arris Technology Inc, General Instrument Corp filed Critical Arris Technology Inc
Publication of JPH06318751A publication Critical patent/JPH06318751A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018—Mode suppression
    • H01S3/08022—Longitudinal modes
    • H01S3/08031—Single-mode emission
    • H01S3/08036—Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
    • H01S3/083—Ring lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/0675—Resonators including a grating structure, e.g. distributed Bragg reflectors [DBR] or distributed feedback [DFB] fibre lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/06791—Fibre ring lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018—Mode suppression
    • H01S3/08022—Longitudinal modes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
    • H01S3/082—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors defining a plurality of resonators, e.g. for mode selection or suppression
    • H01S3/0823—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors defining a plurality of resonators, e.g. for mode selection or suppression incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H01S3/0826—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors defining a plurality of resonators, e.g. for mode selection or suppression incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1608—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth erbium

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、きれいな光搬送波を供給するレー
ザーを提供するものである。 【構成】 本レーザーは光ファイバーの様な光伝送媒体
から成り、希土類元素でドーピングされた部分によるレ
ーザー空洞を有している。ほぼ単一なモードに抑制する
ため空洞内に関連する手段が備はっている。この抑制手
段は格子の様な光レゾネータ、フアブリ−ペロー空洞、
またはこれらのエレメントの組み合わせを伝送媒体内に
含んでいる。抑制手段はドーピングされた部分内または
この外側に設けられている。一つの実施例では伝送媒体
はリング状に配置され抑制手段はリング部分内にモアレ
格子の様な光学格子レゾネータから成っている。発振が
一方向のみに起こる様に光アイソレータがリング内に設
けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、縦モード選択の希土
類元素をドーピングしたレーザーに関するものである。
【０００２】
【従来技術とその課題】この発明はレーザーの、特に縦
モード選択の希土類元素をドーピングしたレーザーに関
するものである。このドーピングしたレーザーは光ファ
イバー又はシリカ導波管の様な光伝送媒体として使用さ
れる。希土類元素は、例えばエルビウム、ネオジム及び
プラセオジムである。光ファイバー技術の応用は速いペ
ースで進展しており、遠隔通信、センサー、医療及びビ
デオ伝送等はみな光技術の有利性を受けており、特に実
際面における無限性の帯域幅及び低減衰性は有利とみな
される。ケーブルテレビジョンシステムはこの光ファイ
バー技術が従来の同軸ケーブル分配方式に代わる効率的
かつ経済的なシステムをもたらした一例である。光ファ
イバー技術にとって、１．３又は１．５ミクロン（μ
ｍ）でより高出力で動作させられるレーザーがあればよ
りコスト的に有利となり応用が広がるであろう。
【０００３】Ｅｒ3+ファイバーレーザーが高レベルの出
力を与えることが説明されており、これについては例え
ばＭ．Ｓ．オサリバン等（Ｍ．Ｓ．ＯＳｕｌｌｉｖａ
ｎ，ｅｔａｌ）の“高出力で狭ライン幅のエルビウム、
ドーピング、レーザー”ＣＬＥＯ １９８９、ＴＵＰ
３、ｐｐ、１３４−１３６を参照されたい。この参照文
献中ではエルビウム、ドーピング、レーザーの欠点が多
重縦モードであるということが指摘されている。ケーブ
ルテレビジョン分配網等で光ファイバーを通じて混成ビ
デオ信号を送信する様な場合、レーザーは単に単一縦モ
ードか又は光学振動数が十分に離れたせいぜい数モード
で動作させる必要がある。さもないとビートが発生し
（例えば高周波領域に落ち込んだ光学縦モード間の）Ｒ
Ｆ帯域中に容認しがたいレベルのノイズが生じる。ＲＦ
周波数（ケーブルテレビジョンスペクトルに対して５、
７５ＭZ ないし５５０ＭＨZ もしくはこれ以上）のオー
ダーにおけるこれらのレーザー動作モードの相互接近度
はＣＡＴＶに対する応用面に使用するためには抑制され
ねばならない。かかる抑制後には残りのモードのみでＲ
Ｆ領域でビート周波数を発生しないのである。多重縦モ
ード動作もまた各モードが出入することによる分配雑音
に起因する過剰雑音強度（ＲＩＮ）として表れる。
【０００４】技術面で周知の様に、あるレーザーに存在
する実際のモードはレーザー空洞の配置、レーザーゲイ
ンのスペクトルおよび空洞内の周波数選択要素により決
まるのである。ほとんど単一モードに抑制された希土類
元素ドーピングレーザーを提供できるこつは有意義であ
ろう。付加的なモードはビートが発生しない様に周波数
が十分に離れて残っていることが認められる。この様な
レーザーはＲＦスペクトルで妨害ビートを発生すること
なく動作が可能である。レーザーから生じたエネルギー
は信号伝送向けのクリーンな光搬送波となる。本発明は
上記の様な利点を持つレーザーを提供するものである。
【０００５】
【発明の構成】本発明はきれいな光搬送波を供給するレ
ーザーを提供するものである。本レーザーは光ファイバ
ーの様な光伝送媒体から成り、希土類元素でドーピング
された部分によるレーザー空洞を有している。ほぼ単一
なモードに抑制するため空洞内に関連する手段が備はっ
ている。この抑制手段は格子の様な光レゾネータ、ファ
ブリ−ペロー空洞、またはこれらのエレメントの組み合
わせを伝送媒体内に含んでいる。抑制手段はドーピング
された部分内またはこの外側に設けられている。一つの
実施例では伝送媒体はリング状に配置され抑制手段はリ
ング部分内にモアレ格子の様な光学格子レゾネータから
成っている。発振が一方向のみに起こる様に光アイソレ
ータがリング内に設けられている。もう一つの実施例で
は伝送媒体はサニヤツク レゾネータである。フオツク
ス−スミス レゾネータもレーザー動作の単一モードを
選択するのに使われる。いづれの場合でも抑制手段はモ
アレ格子等によっている。
【０００６】別の実施例では光伝送媒体はリングまたは
線状配置で抑制手段はリング内に直列に接続された複数
のフアブリ−ペロー空洞から構成されている。望むモー
ド抑制のため不等長のフアブリ−ペロー空洞が設けられ
ている。レーザー空洞内に光アイソレ−ターが置かれて
おり、またモード選択を強化するためフアブリ−ペロー
空洞を含む媒体内に光学格子が設けられている。直列に
接続されたフアブリ−ペロー空洞を用いた実施例では長
さＬの第１フアブリ−ペロー空洞がレーザー空洞を供給
するためのレーザー媒体を含む光学材料から形成されて
いる。長さｌ（ここでｌ＜Ｌ）の第２フアブリ−ペロー
空洞は第１フアブリ−ペロー空洞の中心またはその近く
に置かれている。第１フアブリ−ペロー空洞長Ｌはレー
ザー空洞の縦モードを制限する様に選ばれ、第２フアブ
リ−ペロー空洞長ｌは望むレージング波長以外のゲイン
を最小にする様に選定される。第２フアブリ−ペロー空
洞の近くに二つの偏光モード内のレージングをおさえる
ため偏光フィルターを設置する。第１フアブリ−ペロー
空洞はその一端に反射器を、他端に格子を設ける。第２
フアブリ−ペロー空洞は金属、誘電体又は格子構造の近
接した反射器で構成されている。第２フアブリ−ペロー
空洞の制度は第１フアブリ−ペローにより形成されてい
るレーザー空洞により維持されている縦モードの一つの
みを選ぶに十分であるべきである。
【０００７】光学材料は例えば光ファイバーまたはシリ
カ導波管の様な材質をエルビウム、ネジウム又はプラセ
オジムの様な希土類で少なくとも部分的にドーピングし
たもので構成されている。その他の実施例ではモード選
択はドーピングされたレーザー空洞に接続された外部の
格子で行っている。光アイソレータがレーザー空洞と直
列に設けられており、レーザー空洞は光ファイバー、シ
リカ導波管、又はその他の周知の構成によっている。希
土類ドーピング剤にはエルビウム、ネオジム、プラセオ
ジム、又は同等元素が含まれる。更に別の実施例では、
フアブリ−ペロー空洞内にモアレ格子が設けられてい
る。フアブリ−ペロー空洞はレーザー空洞の縦モードを
制限する様に選ばれた長さを有し、モアレ格子は前記の
モードに伝送ピークを有している。
【０００８】
【発明の実施例】図面にもとづいてこの発明の実施例を
説明する。本発明は縦モード選択の希土類レーザーを提
供するものである。線状、リング及びサニヤツク空洞レ
ーザーを含む各種の実施例が含まれており、その他フオ
ツクス−スミス空洞レーザー等の実施例が以下の説明か
ら明らかになるであろう。実際面で本発明により被きよ
う導波光ファイバーレーザー空洞のどのタイプのもので
も使用可能である。図１に示した実施例のリング空洞レ
ーザーはエルビウムドーピング光ファイバー１４で構成
されており、エルビウムドーピング（ゲイン媒体）によ
り光学ゲインが得られる。エルビウムは１．５ミクロン
領域で動作するレーザーに対しては特に有効であるが、
ネオジムおよびプラセオジムは１．３ミクロン領域で効
果が大である。レーザー空洞１４はポンプレーザー１０
でポンピングされ光ファイバー１２を通じてレーザー空
洞を結合している通常の結合器２６を経て出力ファイバ
ー２８に伝送される。エルビウムドーピングの場合はポ
ンプレーザー１０は標準として９８０ｎｍまたは１４８
０ｎｍの波長で作動させる。
【０００９】光学アイソレータ１６がリングの波動を一
方向のみにおさえるためにリング内に設けられており、
この光学アイソレータは一つの偏光のみレイジングされ
ることが防止できる。単一偏光を使用することで高精度
空洞が実現でき、単一偏光で励起することにより複フレ
ンジは問題にならない。光学アイソレータ１６の出力は
光ファイバーを通って第１ミラーリ−ペローされ、つづ
いて光ファイバー２２を通り第２ミラー２４に接続され
る。一対の直列の不等長フアブリ−ペロー干渉計内の波
長選択性が得られるのである。フアブリ−ペロー干渉計
の動作の検討についてはＤ．Ｒ．ヒューバーおよびＪ．
Ｂ．キャロル（Ｄ．Ｒ．Ｈｕｂｅｒ ａｎｄ Ｊ．Ｂ．
Ｃａｒｒｏｌｌ）の“光学振動数掃引フアブリ−ペロー
干渉計の時間領域レスポンス”Ａｐｐｌｉｅｄ Ｏｐ
ｔｉｅｓ，Ｖｏｌ、２５，ｐｐ，２３８６−２３９０に
説明されている。
【００１０】図１に示した構成ではリング内のフアブリ
−ペロー干渉計の集束はレーザー空洞内でより少ない縦
モードを選択するのに使われている。空洞のあ長さはモ
ード数を減らすように選び、エルビウムドーピング、シ
リカ基質の装置であは二つの空洞のディメンションはた
だ一つのモードが得られる様に定められるのである。ま
た例えば後述の図３に示した一つの空洞を用いても単一
モードを供給することは可能である。リングの直径はで
きうるかぎり小さくすることが望ましく、これはリング
径を小さくする程縦モードの間隔が離れることによるた
めである。リング全部をエルビウムでドーピングする
か、または図１に示した１４の部分だけをドーピングす
ることになる。
【００１１】図２は図１の二つの直列フアブリ−ペロー
空洞の伝達関数を３０として図示してある。結合空洞の
周波数の一致および伝達関数は各空洞内での周波数の産
物である。このため例えばエルビウムドーピングファイ
バー１４による空洞の配置で光アイソレータ１６および
光ファイバー１８が一組の振動数に共鳴し、光ファイバ
ー２２から成る空洞が他の一組の振動数に共鳴し、各空
洞中の一致した振動数３２、３４のみが加えられ他の振
動数は実質的に消去されることになる。図３は格子共鳴
器の構成（例えばモアレ型格子）が図１のフアブリ−ペ
ロー干渉計に代わってモード選択を行っている。この様
な格子の理論および構成はラグデール、キャサリンＭ、
等（Ｒａｇｄａｉｅ，ＣａｔｈｅｒｉｎｅＭ，ｅｔａ
ｔ）により“狭域ファイバー格子フィルター”ＩＥＥＥ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｎＳｅｌｅｃｔｅｄ Ａｖｅａｓ
ｉｎ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｖｏｌ８，Ｎ
ｏ６，１９９０ ８月 ｐｐ、１１４６−１１５０で解
説されている。この中で格子共鳴器は位相シフト部によ
って分けられた二つのブラツグ格子部で構成されている
ことが説明されている。
【００１２】二つの格子部の移送がずれている時の波長
は伝送レスポンス中に強いピークがあり、ブラツグ反射
レスポンス中に相当する降下が起きる。同じくＫ、Ｌ、
ベルズリー、Ｊ、Ｂ、キャロル、Ｌ、Ａ、ヘス、Ｄ、
Ｒ、ヒューバー、およびＤ、シュマーデン（Ｋ、Ｌ、Ｂ
ｅｌｓｌｅｌｅｙ，Ｊ，Ｂ，Ｃａｒｒｏｌｌ，Ｌ．Ａ．
Ｈｅｓｓ，Ｄ．Ｒ．Ｈｕｂｅｒ，ａｎｄ Ｄ．Ｓｃｈｍ
ａｄｅｌ）の“光学的多重化干渉ファイバー光学センサ
ーシステム”ＳＰＩＥ、１９８５、Ｖｏｌ，５６６，ｐ
ｐ，２５７−２６４およびＷ、Ｖ、ゾリンとＳ、Ａ、ニ
ュートン（Ｗ、Ｖ、Ｓｏｒｉｎ ａｎｄ Ｓ、Ａ、Ｎｅ
ｗｔｏｎ）の“広域−可変外置き−ファイバー−空洞レ
ーザー”ＯＦＣ１９８８、Ｖｏｌ，ＷＱ２６，ｐｐ．１
２３を参照されたい。本発明によるレーザーを組み立て
るため、格子ディメンションはエツビウムレーザーのゲ
インカーブ内の望む波長を持った単一モードの周波数ピ
ークを供給する様に選定するべきである。このタイプの
実験的に実現できた格子の伝送レスポンスを図１１に示
した。
【００１３】図１１に１５２として表したスペクトルか
ら判る様に、非常に狭いピーク１５０が訳４ＧＨZ の３
ｄＢ光学帯域を供給している。実験にもとづく格子は光
屈折効果により約２３ｍｍで共鳴が起こる様に格子の中
心に１ｍｍのギャップが設けられている。この様な格子
共鳴器を本発明で使うことでファイバーレーザーの単一
モード動作の周波数選択帯域レスポンスを与えることが
できたのである。図４はフアブリ−ペロー空洞のモード
選択を行う単一の反射格子とミラーを備えた線状構成を
示したものである。ポンプレーザー１０がエルビウムド
ーピングファイバー５３を励起させるために必要な光エ
ネルギーを供給している。ミラー５２と組み合わせた格
子５４がレーザー空洞の長さを決めることになる。光学
アイソレータ５８がレーザー空洞中に反射光が逆行する
のを防いでおり、レーザーで発生した光搬送波は光ファ
イバー６０に出力される。レーザー空洞の長さで空洞自
体のレゾナンスが決まり、この本来のレゾナンスから格
時が選定され、このためレーザーのゲインカーブ内の単
一モードが供給されるのである。
【００１４】図４の実施例の線状駆動はファイバー内の
格子と合体化したエルビウムドーピング光ファイバーか
ら構成されているが、一方エルビウムドーピングファイ
バーに接続されたドーピングしてない格子ファイバーも
含まれている。ミラー５２はファイバー端に例えば銀、
金、またはアルミニウムを蒸着しファイバーと重ね継ぎ
したもので構成されているが、また周知の誘電ミラーで
も構成できる。図４の配置は単一周波数で動作するレー
ザー組み立ての一つの方法である。反射器５４および５
２で決まるレーザー空洞の長さは空洞内にある単に一つ
のフアブリ−ペローモード位の短さである。このことが
レーザーを単一周波数で動作させるのである。かかるレ
ーザーの設計例を次に示してみる。レーザーは反射器の
幅内で励起し、代表的な反射器の帯域は１オングストロ
ームである。フアブリ−ペロー空洞のモード間隔ＦＳＲ
（自由スペクトルＮ範囲）は次式で与えられる。
【００１５】
【数式１】
【００１６】このため１オングストロームのモード間隔
（ＦＳＲ）に対してはレーザー空洞長（Ｌ）は８．２ミ
リメートルと計算できる。明らかにこの長さは実際のド
ーピングファイバーに対しては短すぎる。エルビニウム
およびゲルマニウムを多量にドーピングしたプレーナー
型シリカ導波管がマイクロレーザーを作るのに使われ
る。もし１ピコメーターの格子帯域が得られた時はレー
ザー空洞長さはＬ＝８２センチメートルの計算となる。
この場合８０センチメートルのレーザー空洞中のエルビ
ウムを多量にドーピングしたものを使うと単一周波数レ
ーザーが得られる。かかる狭域格子を作る一つの方法は
前述のラグデール（Ｒａｇｄａｌｅ）等の文献で説明さ
れている。
【００１７】もう一つの方法として図７に複合空洞レー
ザーの実施例を示してある。本デザインではおのおのが
１オングストロームの反射率の帯域幅を持つ格子１００
および１０２があり同一波長で反射する。格子によって
形成されているフアブリ−ペローの自由スペクトル範囲
は格子の反射帯域幅よりも小さいから、格子の反射帯域
幅中には一つのフアブリ−ペローモードのみが存在する
ことになる。格子１００とミラー１０４で形成されてい
る空洞は長さが８０センチメートルであるので、このＦ
ＳＲは１２８ＭＨZ となり、格子１００と１０２で形成
される８ミリメートルの空洞のＦＳＲは１２．８ＧＨZ
である。図７の短い空洞は図２に示したピーク３２およ
び３４に類似したフリンジを作る。図２中のより接近し
た間隔のフリンジは８０ミリメートル空洞によるフリン
ジと類似している。格子１００と１０２で形成されるフ
アブリ−ペロー中で適当したモード選択を確実に行うに
は１００倍の制度が必要であろう。はっきりしているこ
とは１００および１０２の格子が帯域幅が狭くなるにつ
れて、レーザーが単一モードを選択するのが容易になる
ことである。
【００１８】図４の簡単な配列であは格子５４の光学帯
域幅が反射器５４と５２で形成される空洞の一つのフア
ブリ−ペローモードよりも大きく維持されている時でも
単一周波数で動作できる。これはエルビウムレーザーが
大抵は均等に広がっているので単一な発振周波数を自身
で選択しようとするためである。上述の複合空洞のデザ
インは同じく他のレーザーシステムに適用できる。１．
３ミクロンで動作するネオジムは良い一例である。本発
明の実施に当たり使用されるポンプレーザーは市販の各
用途に用いられるものが適用でき、また格子も例えばユ
ナイテッド、テクノロジーズ、コーポレーションからの
市販のもので良く、これはゲルマニウム、ドーパントを
有するファイバー中に格子を設けたものである。例えば
２４８ナノメーターにおいて高出力のレーザーで干渉パ
ターンが生じさせることで行われ、この干渉パターンは
ファイバーを露出させるに使われ、このことによりファ
イバーの屈折率を局部的に改善できる。同様な技術が前
述のベイズレ（Ｂｅｌｓｌｅｙ）等の文献で説明されて
いる。
【００１９】図４の５２の様な反射器は部分的に反射す
るミラーから成り、例えばファイバーを切断し、誘電体
をコーティングし、ファイバーを再びつき重なることで
製ることができる。ほとんど無損失もミラーはミラーに
対し反射率５％から９５％まで変えることで得ることが
できる。本発明で使われている光アイソレータとカプラ
ーもまた容易に入手できるものでよい。図５の実施例は
本発明を実施するのに使われるが、その他の図に示した
実施例の進展においてより応用性があるといえる。ポン
プレーザー１０が光ファイバー７０を通じカプラー７２
にエネルギーを出力する。格子レンズ７４がエルビウム
ドーピングファイバー７６に接続されており、カプラー
７２を通してポンプレーザーエネルギーを受ける。この
カプラーはレーザー空洞中のポンプ光と十分に結合し、
またレージング周波数の位置でポンプレーザー中に光が
逆戻りするのを防止するために波長選択性カプラーであ
る必要がある。ミラー７８がエルビウムファイバーレー
ザー空洞の長さを決め、光アイソレータ８０がファイバ
ーレーザー中に逆反射するのを制御している。特異な格
子レンズ７４が望む応用に必要なディメンションを経験
的に設定するべくエルビウムファイバーに接続されてい
る。
【００２０】図６は簡単な反射格子と図１のフアブリ−
ペロー干渉計を組み合わせた別のリングレーザーの実施
例である。格子９０のディメンションは２、３の縦モー
ド、またはもし望むなら単独の縦モードで動作させる空
洞長との組み合わせで選定することになる。レーザーで
発生したキャリアはカプラー２６を経て光ファイバー９
２に出力される。他の実施例の様にミラー２０、２４の
位置が望む自然共鳴とで空洞長を決めることになる。格
子９０はリング内の何処に位置してもよく、図示した様
にミラー２０、２４の中間の短い部分中になくてもよ
い。加えて図３に関して説明した格時レゾネータをモー
ド選択性を改善するために簡単な反射格子の代わりに使
うことが可能である。図１、図３および図６の様なリン
グレーザー配置では、標準カプラー、格子および光アイ
ソレータの偏光感度は精度を上げるためには偏光コント
ローラを置くことで可能となる。手動の偏光コントロー
ラは殆どの応用面で実際的ではないので低精度と偏光感
度（複フレンジ性）に対する問題解決は偏光保持ファイ
バーでファイバーレーザーを組み、一つの偏光モードの
みに励起させることによる。この実施例では使われる様
な高精度のカプラは各製造元から購入できる。
【００２１】図８は一対の直列に接続したフアブリ−ペ
ロー空洞を使ったレーザーの申請実施例である。第１フ
アブリ−ペロー空洞に等しく、格子１１０から反射器１
１６まで長さＬとして伸びており、第２フアブリ−ペロ
ー空洞は第１フアブリ−ペローの中心またはその近くに
位置している。第２フアブリ−ペロー空洞はｌの長さを
有し第１反射器１１２と第２反射器１１４で形成されて
いる。反射器１１２、１１４は周知技術による金属状
の、誘電体状のまたは格子構造の組み合わせを使用し
て、導波管内に形成されている。一方第２フアブリ−ペ
ロー空洞はレイジング波長で伝送ピークを持つモレア型
格子で置きかえることができ、この様な格子は前述のラ
グデール（Ｒａｇｄａｌｅ）等の文献で説明されてい
る。図９はこの実施例でこれは格子１１０とミラー１１
６の位置に逆にし、反射器１１２、１１４をモレア格子
１３０で置きかえた以外は図８の構造と同じである。
【００２２】図８の配置で格子１１０は一列としてレー
ザーの動作波長（例えば１．５μｍ）で約９５％の反射
率を有している。この波長における反射器１１６の反射
率は約４−１５％である。第１フアブリ−ペロー空洞を
決める格子１１０と反射器１１６の位置は置き換えるこ
とが可能なことはわかると思う。この様な実施例ではポ
ンピング波長における透過率は約１００％である。光ア
イソレータの隣に位置した時格子１１０のレーザーの動
作波長における反射率は約４−１５％である。両方の図
面の実施例で、第１フアブリ−ペロー空洞長Ｌは１メー
トルのオーダーで、第２フアブリ−ペロー空洞長ｌは１
ミリメートルのオーダーである。第２フアブリ−ペロー
空洞の自由スペクトル範囲は格子の反射帯域幅よりも僅
かに小さい。格子はレーザーを格子の帯域幅に制限して
おり、第２フアブリ−ペロー空洞は更に帯域幅を自由ス
ペクトル範囲（ＦＳＲ）に制限している。空洞長Ｌはた
だ一つのフアブリ−ペローモードが維持されるに十分な
程度に短く選定する、第２フアブリ−ペロー空洞は望む
レージング波長以外のゲインを最小にするため第１フア
ブリ−ペロー空洞の中心近くに置く。この構成により格
子１１０と反射器１１２間と反射器１１４とミラー１１
６間に別の可能性を持った望まないレーザー空洞中のレ
ージングを抑制できる。第２フアブリ−ペロー空洞の最
適位置は格子１１０と反射器１１２間および感謝器１１
４とミラー１１６間の競合レーザー空洞の比レージング
しきい値によって決まる。格子１１０とミラー１１６の
反射率が等しい時は第２フアブリ−ペローの光学的位置
は第１フアブリ−ペロー空洞の中心位置になり、格子１
１０の反射率がミラー１１６のそれより高い時は第２フ
アブリ−ペローは格子１１０と反射器１１２間の空洞の
ゲインを最小にする様に格子１１０に近付ける様移動さ
せるべきである。
【００２３】反対にミラー１１６の反射率が高い場合は
第２フアブリ−ペローをミラーに近付ける。二つの偏光
モード中でのレージングを防ぐため、光学空洞の中心近
くに偏光フィルター１２０を置くことで二つの一次偏光
の一つのレージングを抑止できる。図８の構成はドーピ
ングした光ファイバーまたはシリカ導波管中に組み込む
ことができる。図１０はサニヤツク空洞１４０を利用し
た本発明の実施例である。通常のグラツク反射格子１４
６が空洞１４０の入力部に設けられており、この格子１
４６はサニヤツク空洞自体のそれよりも狭いが単一モー
ド動作を与えるのに十分に狭くない中間帯域幅に対しレ
ージングを制限する。単一モードの動作を行わせるため
格子レゾネータ１４４を本発明では空洞１４０中に置い
てある。さらに特に空洞は光ファイバー１４２で形成さ
れた被きよう導波空洞で格子１４４はファイバー内格子
である。光アイソレータ１４８は一般的な手法で設けら
れてある。ここで説明した反射器１４６およびレゾネー
タ１４４の接続は望みの単一モード動作が可能の様に４
ＧＨZ よりも小さい帯域を与える様に設置する。
【００２４】本発明がほぼ単一モードに抑制された光キ
ャリアを供給するための希土類をドーピングしたレーザ
ーを提供していることが理解できたと思われる。被きよ
う導波レーザー空洞内に狭域格子レゾネータを設けるこ
とは単一モードレーザーが得られ、そのため希土類ファ
イバーレーザーに固有の非常に広いレージングが帯域幅
に対処克服することができる。レーザーはゴーピングし
た光ファイバーまたはシリカガラス基質の様なその他の
伝送媒体を直接希土類元素でドーピングして組み立てら
れる。かかる構成は高いレベルの完成が得られる地点が
ある。各種の図示した実施例について本発明を説明して
きが、別記の特許請求範囲の真意および背景を離脱する
ことなく各種の応用および完全が実現できるであろう。
【００２５】
【発明の効果】この発明に係る縦モード選択レーザー
は、以上説明したように、ほとんど単一モードに抑制さ
れた希土類元素ドーピングレーザーを提供できる。付加
的なモードはビートが発生しない様に周波数が十分に離
れて残っていることが認められる。この様なレーザーは
ＲＦスペクトルで妨害ビートを発生することなく動作が
可能である。レーザーから生じたエネルギーは信号伝送
向けのクリーンな光搬送波となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】フアブリ−ペロー縦モード選択性のエルビウ
ム、リングレーザーの模式図である。
【図２】図１のレーザーの二つの直列のフアブリ−ペロ
ー空洞の伝達関数を図示したグラフである。
【図３】モード選択図のためのファイバー格子を有する
エルビウム、ファイバー 、リングレーザーの模式図で
ある。
【図４】モード選択のためのファイバー格子を備えたエ
ルビウム直線ファイバーレーザーの模式図である。
【図５】モード選択のための外部格子を有するエルビウ
ム直線ファイバーレーザーの模式図である。
【図６】モード選択のための直列フアブリ−ペロー空洞
およびファイバー格子を持つエルビウム、ファイバー、
リングレーザーの模式図である。
【図７】一対のファイバー格子を備えた直線、空洞複合
型エルビウム、ファイバーレーザーの模式図である。
【図８】中心に第２フアブリ−ペロー空洞を備えた第１
フアブリ−ペロー空洞を持つ直線、空洞複合型ファイバ
ーレーザーの模式図である。
【図９】中心にモレア格子を備えたフアブリ−ペロー空
洞を持つ複合直線、空洞型ファイバーレーザーの模式図
である。
【図１０】モード選択のための格子共振器を備えたサニ
ヤツク空洞ファイバーレーザーの模式図である。
【図１１】本発明に使用されているファイバー格子共振
器の伝送レスポンスを示すグラフである。
【符号の説明】
１２ １８ ２２ 光ファイバー ５２ ５４ 反射器 ５４ １００ １０２ 格子 １３０ モアレ格子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/094 Ｈ０４Ｂ 10/02

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光搬送波を供給するレーザーで、活性媒
    体を含むレーザー空洞と、前記の活性媒体をポンピング
    するための手段と、前記のレーザー空洞の被きよう導波
    部内の狭域特性の格子レゾネータから成り、 前記の格子レゾネータはレーザー作動の望むモードを選
    択することを特徴とする縦モード選択レーザー。
  2. 【請求項２】 前記の空洞は、その一端に反射器と他端
    に格子を含むことを特徴とする請求項１記載の縦モード
    選択レーザー。
  3. 【請求項３】 前記のレーザー空洞は、希土類元素で少
    なくとも部分的にドーピングされた光ファイバー内に形
    成されたものであることを特徴とする請求項１または２
    いずれか記載の縦モード選択レーザー
  4. 【請求項４】 前記のレーザー空洞は、リング空洞であ
    ることを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の縦
    モード選択レーザー。
  5. 【請求項５】 前記のリング空洞内にフアブリ−ペロー
    空洞を含むことを特徴とする請求項４記載の縦モード選
    択レーザー。
  6. 【請求項６】 前記のレーザー空洞はサニヤツク空洞で
    あることを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の
    縦モード選択レーザー。
  7. 【請求項７】 前記の空洞は、その一端に反射器を他端
    に格子を含むことを特徴とする請求項６記載の縦モード
    選択レーザー。
  8. 【請求項８】 前記のレーザー空洞は、フオツクス−ス
    ミス空洞を含むことを特徴とする請求項１ないし３いず
    れか記載の縦モード選択レーザー。
  9. 【請求項９】 前記の格子レゾネータは、モアレ格子を
    含むことを特徴とする請求項１ないし８いずれか記載の
    縦モード選択レーザー。
  10. 【請求項１０】 前記のレーザー空洞は、リング空洞で
    あることを特徴とする請求項９記載の縦モード選択レー
    ザー。
  11. 【請求項１１】 前記のリング空洞内にフアブリ−ペロ
    ー空洞を含むことを特徴とする請求項１０記載の縦モー
    ド選択レーザー。
JP5144285A 1992-05-22 1993-05-24 縦モード選択レーザー Pending JPH06318751A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/887,090 US5243609A (en) 1990-11-20 1992-05-22 Laser with longitudinal mode selection
US07/887,090 1992-05-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06318751A true JPH06318751A (ja) 1994-11-15

Family

ID=25390438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5144285A Pending JPH06318751A (ja) 1992-05-22 1993-05-24 縦モード選択レーザー

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5243609A (ja)
EP (1) EP0575750B1 (ja)
JP (1) JPH06318751A (ja)
CA (1) CA2096799C (ja)
DE (1) DE69307404T2 (ja)
HK (1) HK1008405A1 (ja)
NO (1) NO307855B1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6740451B2 (en) 2001-12-20 2004-05-25 The Gillette Company Gold additive for a cathode including nickel oxyhydroxide for an alkaline battery
JP2008277767A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 National Taiwan Univ Of Science & Technology 広帯域光ファイバレーザ装置
WO2011016379A1 (ja) * 2009-08-05 2011-02-10 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 レーザーコンプトン散乱を利用した光源用レーザー
WO2012018034A1 (ja) * 2010-08-05 2012-02-09 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 レーザー発振装置
US9769913B2 (en) 2013-02-01 2017-09-19 Inter-University Research Institute Corporation High Energy Accelerator Research Organization Burst-laser generator using an optical resonator

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9007912D0 (en) * 1990-04-06 1990-06-06 British Telecomm A method of forming a refractive index grating in an optical waveguide
US5579143A (en) * 1993-06-04 1996-11-26 Ciena Corporation Optical system with tunable in-fiber gratings
US5600473A (en) * 1993-06-04 1997-02-04 Ciena Corporation Optical amplifier systems with add/drop multiplexing
GB2280515B (en) * 1993-07-28 1996-06-19 Northern Telecom Ltd Optical waveguide amplifier
GB2281670B (en) * 1993-09-01 1998-01-28 Northern Telecom Ltd WDM optical communication system
US5323404A (en) * 1993-11-02 1994-06-21 At&T Bell Laboratories Optical fiber laser or amplifier including high reflectivity gratings
USH1813H (en) * 1993-11-19 1999-11-02 Kersey; Alan D. Spectrally-selective fiber transmission filter system
US5563732A (en) * 1994-01-06 1996-10-08 At&T Corp. Laser pumping of erbium amplifier
US5588013A (en) * 1994-11-30 1996-12-24 The Whitaker Corporation Polarization controlled tuneable ring laser
US5469455A (en) * 1994-11-30 1995-11-21 The Whitaker Corporation Fiber optic ring laser
US5546481A (en) * 1995-03-02 1996-08-13 United Technologies Corporation Single polarization fiber and amplifier
EP0732819A3 (en) * 1995-03-15 1998-03-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Chromatic dispersion compensator and chromatic dispersion compensating optical communication system
US6055081A (en) * 1995-03-15 2000-04-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Chromatic dispersion compensator and chromatic dispersion compensating optical communication system
AUPN694795A0 (en) 1995-12-01 1996-01-04 University Of Sydney, The Distributed feedback ring laser
AU705786B2 (en) * 1995-12-01 1999-06-03 University Of Sydney, The Distributed feedback ring laser
US5838851A (en) * 1996-06-24 1998-11-17 Trw Inc. Optical-loop signal processing using reflection mechanisms
US6052393A (en) * 1996-12-23 2000-04-18 The Regents Of The University Of Michigan Broadband Sagnac Raman amplifiers and cascade lasers
US5982964A (en) * 1997-06-30 1999-11-09 Uniphase Corporation Process for fabrication and independent tuning of multiple integrated optical directional couplers on a single substrate
US5915052A (en) * 1997-06-30 1999-06-22 Uniphase Telecommunications Products, Inc. Loop status monitor for determining the amplitude of the signal components of a multi-wavelength optical beam
US6151157A (en) * 1997-06-30 2000-11-21 Uniphase Telecommunications Products, Inc. Dynamic optical amplifier
DE19730830A1 (de) * 1997-07-18 1999-01-21 Alsthom Cge Alcatel Laser zur Erzeugung eines Wellenkamms
US6370290B1 (en) 1997-09-19 2002-04-09 Uniphase Corporation Integrated wavelength-select transmitter
US6031849A (en) * 1997-11-14 2000-02-29 Jds Uniphase Corporation High power three level fiber laser and method of making same
US6020986A (en) * 1997-11-21 2000-02-01 Jds Uniphase Corporation Programmable add-drop module for use in an optical circuit
GB2321130B (en) * 1997-12-23 1998-12-23 Bookham Technology Ltd An integrated optical transceiver
US6374006B1 (en) 1998-03-20 2002-04-16 Xtera Communications, Inc. Chirped period gratings for raman amplification in circulator loop cavities
US6356384B1 (en) 1998-03-24 2002-03-12 Xtera Communications Inc. Broadband amplifier and communication system
US6760148B2 (en) 1998-03-24 2004-07-06 Xtera Communications, Inc. Nonlinear polarization amplifiers in nonzero dispersion shifted fiber
US6693737B2 (en) 1998-03-24 2004-02-17 Xtera Communications, Inc. Dispersion compensating nonlinear polarization amplifiers
US6600592B2 (en) 1998-03-24 2003-07-29 Xtera Communications, Inc. S+ band nonlinear polarization amplifiers
JP5069825B2 (ja) 1998-06-16 2012-11-07 エクステラ コミュニケイションズ インコーポレイテッド 分散、利得傾斜、及び帯域ポンピング非線形性の光ファイバーの補償
US6885498B2 (en) 1998-06-16 2005-04-26 Xtera Communications, Inc. Multi-stage optical amplifier and broadband communication system
US6574037B2 (en) 1998-06-16 2003-06-03 Xtera Communications, Inc. All band amplifier
US6335820B1 (en) 1999-12-23 2002-01-01 Xtera Communications, Inc. Multi-stage optical amplifier and broadband communication system
US6359725B1 (en) 1998-06-16 2002-03-19 Xtera Communications, Inc. Multi-stage optical amplifier and broadband communication system
US6567430B1 (en) 1998-09-21 2003-05-20 Xtera Communications, Inc. Raman oscillator including an intracavity filter and amplifiers utilizing same
US6310990B1 (en) 2000-03-16 2001-10-30 Cidra Corporation Tunable optical structure featuring feedback control
US6330388B1 (en) 1999-01-27 2001-12-11 Northstar Photonics, Inc. Method and apparatus for waveguide optics and devices
CN1145828C (zh) * 1999-08-12 2004-04-14 加利福尼亚技术学院 单模光纤环状激光器及从中产生单模激光输出的方法
CA2400900C (en) 2000-01-12 2008-11-18 Xtera Communications, Inc. Raman amplifier with bi-directional pumping
US6760509B2 (en) 2000-02-14 2004-07-06 The Regents Of The University Of Michigan SNR booster for WDM systems
US6788712B2 (en) 2000-03-24 2004-09-07 Oprel Technologies, Inc. Multiple wavelength laser source
CA2322552A1 (en) * 2000-09-26 2002-03-26 Jds Uniphase Inc. Scheme for measuring dispersion of chirped fbg and generating tunable narrow-band bandpass and notch filters using chirped fbg
US20020085270A1 (en) * 2000-11-27 2002-07-04 Bendett Mark P. Apparatus and method for integrated photonic devices having add/drop ports and gain
US6650400B2 (en) * 2001-06-13 2003-11-18 Nortel Networks Limited Optical fibre amplifiers
US7006537B2 (en) * 2001-08-07 2006-02-28 Hrl Laboratories, Llc Single polarization fiber laser
US6947637B2 (en) * 2001-08-09 2005-09-20 Corning Incorporated Measurement of fiber strain during processing
US7113328B2 (en) * 2002-03-11 2006-09-26 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Dual-wavelength pumped thulium-doped optical fiber amplifier
US6813405B1 (en) * 2002-03-29 2004-11-02 Teem Photonics Compact apparatus and method for integrated photonic devices having folded directional couplers
US20030185514A1 (en) * 2002-03-29 2003-10-02 Bendett Mark P. Method and apparatus for tapping a waveguide on a substrate
US20030196455A1 (en) * 2002-04-17 2003-10-23 Mccov Michael A. Apparatus and method for photonic waveguide fabrication
US6959028B2 (en) * 2003-01-14 2005-10-25 Intel Corporation External cavity, widely tunable lasers and methods of tuning the same
EP1650839A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-26 Wavelight Laser Technologie AG Fiber laser arrangement
CN100399082C (zh) * 2005-01-25 2008-07-02 电子科技大学 一种高精细度电调谐集成光滤波器
JPWO2007116563A1 (ja) * 2006-03-31 2009-08-20 古河電気工業株式会社 光源
US7949215B2 (en) * 2008-04-18 2011-05-24 Ofs Fitel, Llc Apparatus for side fire fiber lasers
CN101907495B (zh) * 2010-07-14 2011-08-03 北京交通大学 含有长周期光纤光栅萨格奈克环的光纤光栅波长解调系统
CN102937481B (zh) * 2012-08-30 2014-08-06 中国科学技术大学 飞秒激光脉冲完全重建系统和方法
RU2721586C2 (ru) * 2015-11-27 2020-05-20 федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук" Способ селекции оптических мод в микрорезонаторах с использованием наноантенн
CN107817062B (zh) * 2017-10-20 2018-09-07 黑龙江工程学院 一种基于Sagnac环与FP腔并联的示波器探测温度传感器
CN109494555A (zh) * 2018-12-29 2019-03-19 北京信息科技大学 基于级联光栅结合Sagnac环的可调光纤激光器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4435808A (en) * 1981-01-22 1984-03-06 Ali Javan Production of radiation at frequencies of preselected absorbing resonances and methods using same
US5166941A (en) * 1986-09-25 1992-11-24 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Single mode pulsed dye laser oscillator
US4852960A (en) * 1987-03-11 1989-08-01 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Narrow-linewidth resonant optical device, transmitter, system, and method
JPS63231403A (ja) * 1987-03-11 1988-09-27 アメリカン　テレフォン　アンド　テレグラフ　カムパニー 光導波路を有する光学装置
DE68910114T2 (de) * 1988-02-02 1994-02-10 British Tech Group Laser.
US5151908A (en) * 1990-11-20 1992-09-29 General Instrument Corporation Laser with longitudinal mode selection
US5166940A (en) * 1991-06-04 1992-11-24 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Fiber laser and method of making same

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6740451B2 (en) 2001-12-20 2004-05-25 The Gillette Company Gold additive for a cathode including nickel oxyhydroxide for an alkaline battery
JP2008277767A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 National Taiwan Univ Of Science & Technology 広帯域光ファイバレーザ装置
WO2011016379A1 (ja) * 2009-08-05 2011-02-10 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 レーザーコンプトン散乱を利用した光源用レーザー
WO2012018034A1 (ja) * 2010-08-05 2012-02-09 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 レーザー発振装置
JP2012038866A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 High Energy Accelerator Research Organization レーザー発振装置
US8675708B2 (en) 2010-08-05 2014-03-18 Inter-University Research Institute Corporation High Energy Accelerator Research Organization Laser oscillation apparatus
US9769913B2 (en) 2013-02-01 2017-09-19 Inter-University Research Institute Corporation High Energy Accelerator Research Organization Burst-laser generator using an optical resonator

Also Published As

Publication number Publication date
HK1008405A1 (en) 1999-05-07
EP0575750A3 (en) 1994-01-19
NO931850L (no) 1993-11-23
CA2096799C (en) 2001-08-14
DE69307404D1 (de) 1997-02-27
NO931850D0 (no) 1993-05-21
NO307855B1 (no) 2000-06-05
CA2096799A1 (en) 1993-11-23
EP0575750A2 (en) 1993-12-29
DE69307404T2 (de) 1997-07-31
US5243609A (en) 1993-09-07
EP0575750B1 (en) 1997-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06318751A (ja) 縦モード選択レーザー
CA2055324C (en) Laser with longitudinal mode selection
US5134620A (en) Laser with longitudinal mode selection
US6374006B1 (en) Chirped period gratings for raman amplification in circulator loop cavities
EP0651479B1 (en) Apparatus comprising an optical fiber laser or amplifier
US6433920B1 (en) Raman-based utility optical amplifier
JP4436474B2 (ja) 集積化パッシブモードロックファイバレーザとその製法
CA2194821C (en) Rare-earth doped lithium niobate dbr laser
US5905745A (en) Noise suppression in cladding pumped fiber lasers
EP1608048A2 (en) Pulsed laser apparatus and method
JPH0744303B2 (ja) 光ファイバレーザ
WO2020244130A1 (zh) 一种基于多模干涉效应的宽可调谐的单频光纤激光器
JP4063908B2 (ja) 光源装置、光増幅器及び光通信システム
CN210779482U (zh) 可调谐窄线宽光纤激光器
WO1999043058A1 (en) Fiber optic lasers employing fiber optic amplifiers
US20050053101A1 (en) Mode selection for single frequency fiber laser
US6498799B1 (en) Single-mode fiber ring laser
CN114825007A (zh) 一种基于复合腔内驻波条件筛选方案的窄线宽光纤激光器
Gloag et al. Tunable, single frequency erbium fiber laser using an overlay bandpass filter
JPH0964440A (ja) 光ファイバレーザ
JP2717218B2 (ja) レーザ発振装置
WO1999027619A2 (en) Multi-mode fiber lasers
KR20010045864A (ko) 파장 가변 단일 주파수 레이저
JP2001358388A (ja) 光ファイバ、光ファイバアンプ及びファイバレーザー
Lit Recent advances in fiber lasers

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020625