JPH06313878A - Liquid crystal element - Google Patents

Liquid crystal element

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Publication number
JPH06313878A
JPH06313878A JP10275393A JP10275393A JPH06313878A JP H06313878 A JPH06313878 A JP H06313878A JP 10275393 A JP10275393 A JP 10275393A JP 10275393 A JP10275393 A JP 10275393A JP H06313878 A JPH06313878 A JP H06313878A
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JP
Japan
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liquid crystal
gradient
electrodes
electrode
pixel
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Pending
Application number
JP10275393A
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Japanese (ja)
Inventor
Shuzo Kaneko
修三 金子
Katsuhiko Shinjo
克彦 新庄
Hirokatsu Miyata
浩克 宮田
Masaaki Shibata
雅章 柴田
Shinjiro Okada
伸二郎 岡田
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide easily controllable gradation drive. CONSTITUTION:This is a liquid crystal element with a liquid FLC clamped between a pair of electrodes 14 and 1903. A plurality of stripe type projections 12 formed with different intervals are provided on one of the electrodes 14 and 1903 within a picture element formed at an intersection with the other electrode. In addition, the liquid crystal element features that means 10 and 11 are provided to form the change of space between the projections 12 along a slope within the picture element, and further form field strength acting on the liquid crystal element distributed along the change of the space slope.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は表示装置や液晶プリンタ
に用いられる液晶素子に関し、特に、自発分極を有する
強誘電性液晶を用いて良好な表示特性を付与するための
液晶素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal element used in a display device or a liquid crystal printer, and more particularly to a liquid crystal element for imparting good display characteristics by using a ferroelectric liquid crystal having spontaneous polarization.

【0002】[0002]

【従来の技術】強誘電性液晶(FLC)はその高速性、
メモリ性などの利点に注目され、表示素子、ライトバル
ブなどのために積極的に利用されている。
2. Description of the Related Art Ferroelectric liquid crystal (FLC) has high speed,
Attention has been paid to advantages such as memory properties, and it is actively used for display devices, light valves, and the like.

【0003】上記利点を生かしたターゲットとして、光
シャッタアレイ、単純マトリクス駆動による高精細表示
装置、光導電体と組み合わせた高密度記録のライトバル
ブなどが挙げられる。さらに薄膜トランジスタ(TF
T)などを用いたアクティブマトリクス駆動による動画
像表示にも期待がよせられている。
Targets that take advantage of the above advantages include an optical shutter array, a high-definition display device driven by a simple matrix, and a light valve for high-density recording combined with a photoconductor. Furthermore, thin film transistors (TF
There are also expectations for moving image display by active matrix driving using T).

【0004】さらにFLCの表示能力を高めるために不
可欠な課題として、良好な中間調を得るための多大な努
力がなされている。
Further, as an indispensable subject for enhancing the display capability of FLC, great efforts have been made to obtain good halftone.

【0005】例えば、ひとつの画素内に、白黒のドメイ
ンの混在状態を作り出すものとして、特開昭59−19
3427号公報明細書中に記載のように電極基板の自然
発生的なムラあるいは意図的に微小モザイクパターンを
付与することによる方法、または特開昭61−1665
90号公報記載の絶縁層厚みに階段状分布をつけること
により諧調を得る方法などが挙げられる。さらには特開
昭64−77023号公報に欠陥の多い配向状態を得る
ことによる方法が開示されている。さらに上記以外に
も、パターン化した凹凸に周期構造をもたせたりするな
どの工夫が多くなされている。
For example, Japanese Patent Laid-Open No. 59-19 discloses a method for creating a mixed state of black and white domains in one pixel.
No. 3427, a method by spontaneously giving unevenness in the electrode substrate or intentionally providing a minute mosaic pattern as described in Japanese Patent Laid-Open No. 3427 or JP-A-61-1665.
There is a method for obtaining a gradation by providing a stepwise distribution in the thickness of the insulating layer described in JP-A-90. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-77023 discloses a method by obtaining an alignment state with many defects. Further, in addition to the above, many ideas have been made such as giving patterned irregularities a periodic structure.

【0006】上記のような方法により、中間調状態を作
り出すことは確認されているが、さらに画素内で均一化
された中間調あるいは制御された諧調特性が望まれてい
る。
It has been confirmed that a halftone state is created by the above method, but it is further desired that the grayscale is made uniform in the pixel or the controlled grayscale characteristics.

【0007】さらにコントラストを良好に保つには、な
るべく欠陥の観察されない配向状態が望ましい。
In order to maintain a good contrast, it is desirable to have an alignment state in which no defects are observed.

【0008】本出願人はさらに特開昭62−11952
1号公報において、画素内に電位伝達の遅延を生じさせ
て階調性をもたせるもの、また特開昭62−12533
0号公報その他において画素内に強制的な電位勾配を形
成して階調性をもたせるもの、あるいは特開昭62−1
45216号公報においては電極間距離(セル厚)に勾
配をもたせて階調性をもたせるものなどの提案をしてい
る。これらはいずれも、内部の液晶に印加される電界強
度の画素内勾配を利用して、液晶の反転面積を制御する
ものであり、以下に示す様なものである。
The present applicant has further filed Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-11952.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-12533, which delays potential transmission in a pixel to provide gradation.
No. 0, etc., to form a forcible potential gradient in a pixel to provide gradation, or JP-A-62-1
In Japanese Patent No. 45216, there is proposed a method in which an inter-electrode distance (cell thickness) is provided with a gradient to provide gradation. Each of these controls the inversion area of the liquid crystal by utilizing the in-pixel gradient of the electric field intensity applied to the liquid crystal inside, and is as shown below.

【0009】上記特開昭62−119521号公報また
は特開昭62−125330号公報で代表されるもの
は、基本構成として低抵抗の電極ラインとこれを結合さ
れた比較的高抵抗の膜により構成され、前者は電極ライ
ンに給電された電位が高抵抗膜内では遅延伝達される結
果として、また後者は高抵抗膜を面内で挟持する少なく
とも2本の上記低抵抗電極に異なった電位を給電するこ
とにより、強制的に上記高抵抗膜中に電位勾配が形成さ
れるものである。
What is represented by the above-mentioned JP-A-62-119521 or JP-A-62-125330 is basically composed of a low-resistance electrode line and a relatively high-resistance film connected to the electrode line. In the former, the potential supplied to the electrode line is delayed and transmitted in the high resistance film, and in the latter, at least two low resistance electrodes sandwiching the high resistance film in the plane are supplied with different potentials. By doing so, a potential gradient is forcibly formed in the high resistance film.

【0010】[0010]

【解決すべき技術課題】これらの電位勾配を付与するも
のの解決すべき技術課題としては、上記低抵抗電極ライ
ンにも通常無視できない抵抗があり、該電極ラインに外
部電源から電位を付与する場合、給電部と給電部から離
れた部分とで電極ライン中にも遅延や電位のドロップに
よる液晶への印加電圧の不均一が起きてしまい、たとえ
ば1000×1000画素程度のマトリクスパネルを構
成するにあたっては場所的に無視できない階調表示ムラ
を与える可能性があることなどである。
Technical Problems to be Solved As technical problems to be solved by applying these potential gradients, there is usually a resistance which cannot be ignored in the low resistance electrode line, and when applying a potential from an external power source to the electrode line, Nonuniformity of the voltage applied to the liquid crystal due to delay and potential drop occurs in the electrode line between the power feeding portion and the portion away from the power feeding portion. For example, when constructing a matrix panel of about 1000 × 1000 pixels, There is a possibility that gradation unevenness that cannot be ignored is given.

【0011】また前記特開昭62−145216号公報
で代表される電極間距離に勾配をもたせるものは階調特
性として大きなガンマ特性(代表的には飽和電圧÷閾値
電圧の値)を得るためにはセル厚差として相当大きなも
のを必要とする場合があり、この時に、セル厚差により
リターデーションに大きな差が出来、光学的に色づいた
りするため、カラー表示などに困難を伴なうことなどが
ある。
Further, the one having a gradient in the distance between the electrodes, which is represented by the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 62-145216, has a large gamma characteristic as a gradation characteristic (typically, saturation voltage / threshold voltage value). May require a considerably large cell thickness difference, and at this time, a large difference in retardation due to the cell thickness difference may cause optical coloration, which may cause difficulty in color display, etc. There is.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は上述した技術課
題に鑑みてなされたものであり、良好な配向性と均一で
安定した中間調を得、かつ制御のしやすい階調駆動が実
現される液晶素子を提供することを目的とするものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned technical problems, and realizes a gradation drive which is easy to control and which has good orientation and uniform and stable halftone. It is intended to provide a liquid crystal element having

【0013】即ち本発明は一対の電極間に液晶を挟持し
た液晶素子であって、該電極の少なくとも一方の電極上
には、他方の電極との交差部で形成される画素内におい
て、異なるスペースをなして形成された複数のストライ
プ状凸部を有し、該凸部間のスペースの変化は画素内で
勾配をなすように形成し、かつ上記スペースの変化の勾
配に沿って、上記液晶に作用する電界強度の分布勾配が
形成される手段を構成したことを特徴とし、また、さら
には上記スペースの変化は一画素にわたって勾配をなす
ことを特徴とするものである。
That is, the present invention is a liquid crystal element in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of electrodes, and different spaces are formed on at least one of the electrodes in a pixel formed at the intersection with the other electrode. A plurality of stripe-shaped convex portions formed so as to form a gradient in the space between the convex portions, and the liquid crystal is formed along the gradient of the variation in the space along the gradient. The present invention is characterized in that a means for forming a distribution gradient of the electric field strength that acts is formed, and further that the change in the space forms a gradient over one pixel.

【0014】又、本発明の液晶素子は一対の電極間に液
晶を挟持した液晶素子であって、該電極の少なくとも一
方は、給電される第1の低抵抗のストライプ状電極と他
方の電極との交差部で形成される一画素内において、互
いにその間隔が異なる様に複数独立形成された第2のス
トライプ状電極とを有し、かつ上記第1および第2のス
トライプ状の電極間は104 Ω/□以上108 Ω/□以
下のシート抵抗を有する膜とからなることを特徴とする
ものである。
Further, the liquid crystal device of the present invention is a liquid crystal device in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of electrodes, and at least one of the electrodes is a first low resistance striped electrode to which power is supplied and the other electrode. A plurality of second stripe-shaped electrodes independently formed so that the intervals are different from each other in one pixel formed at the intersection of the first and second stripe-shaped electrodes. It is characterized by comprising a film having a sheet resistance of 4 Ω / □ or more and 10 8 Ω / □ or less.

【0015】更に、本発明の液晶素子は、一対の電極間
に液晶を挟持した液晶素子であって、該電極の少なくと
も一方の電極上には、他方の電極との交差部で形成され
る画素内において異なるスペースをなして形成された複
数のストライプ状凸部を有し、該凸部間のスペースの変
化は画素内で勾配をなすように形成し、かつ上記スペー
スの変化の勾配に沿って、上記一対の電極基体の電極間
距離に勾配を設けたことを特徴とするものである。
Furthermore, the liquid crystal element of the present invention is a liquid crystal element in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of electrodes, and a pixel formed on at least one electrode of the electrodes at the intersection with the other electrode. A plurality of stripe-shaped convex portions formed with different spaces in the interior, and the variation of the spaces between the convex portions is formed to have a gradient within the pixel, and along the gradient of the variation of the space A gradient is provided in the distance between the electrodes of the pair of electrode bases.

【0016】[0016]

【実施例】図1はマトリクス型に形成した本発明による
液晶素子を説明する為の模式図であり、セルを構成する
上基板の平面、および断面、また下基板の平面を示して
いる。
FIG. 1 is a schematic view for explaining a liquid crystal device according to the present invention formed in a matrix type, showing a plane and a cross section of an upper substrate and a plane of a lower substrate which constitute a cell.

【0017】図1における上基板で1901はガラス、
石英、プラスチック等の透明基体、1902はITO、
SnO2 、In23 等の透明電極、また1903はポ
リイミド、ナイロン、その他の樹脂、またはポリアニリ
ン、ポリピロール等の一般に導電性高分子材料として知
られる膜をラビングしたもの、またはSiO、SiO2
等の斜方蒸着により得られた配向膜である。
In the upper substrate in FIG. 1, 1901 is glass,
Transparent substrate such as quartz or plastic, 1902 is ITO,
A transparent electrode of SnO 2 , In 2 O 3 or the like, and 1903 is a rubbed film of polyimide, nylon, other resin, or a film generally known as a conductive polymer material such as polyaniline or polypyrrole, or SiO or SiO 2.
Etc. is an alignment film obtained by oblique vapor deposition.

【0018】一方、下基板側には、構成要素としてスト
ライプ状の突起部12を設ける。該突起部はたとえば4
μm巾の凸部で、2μmから10μm程度の範囲におい
て0.5μmステップで画素幅内で連続的に間隔(スペ
ース)を変化させた形で1例として約1500Åの高さ
で形成し、上基板とクロスマトリクスでセル化した場合
に、上基板の透明電極と下基板の凸部形成部位との交差
部で画素が形成される。
On the other hand, on the lower substrate side, stripe-shaped protrusions 12 are provided as constituent elements. The protrusion is, for example, 4
A convex portion with a width of μm is formed with a height of about 1500 Å as an example in a form in which a space (space) is continuously changed within a pixel width in 0.5 μm steps in a range of about 2 μm to 10 μm. When cells are formed by a cross matrix, pixels are formed at the intersections of the transparent electrodes on the upper substrate and the protrusion forming portions on the lower substrate.

【0019】上記凸部を形成する材質としては、特にA
l、Ti、Au、Pt、Crなどの金属又はSnO2
In23 、ITOなどの透明導電酸化物などが最も好
ましいが、別の突起体の形成要素としては、SiO2
の他の無機物、さらには、ポリイミド、ポリアミド、そ
の他の樹脂が、公知のパターニング、あるいは、デポ技
術により形成される。
As a material for forming the above-mentioned convex portion, especially A
1, metal such as Ti, Au, Pt, Cr or SnO 2 ,
In 2 O 3 , transparent conductive oxides such as ITO are most preferable, but as another element for forming the protrusion, SiO 2 and other inorganic substances, further polyimide, polyamide, and other resins are known patterning elements, Alternatively, it is formed by a depot technique.

【0020】上記突起部上に必要に応じて設ける配向膜
としては、上記1903と同様のラビング膜または斜方
蒸着膜により内部の液晶に一軸配向性を与えるものであ
っても良いし、またはシランカップリング剤の皮膜や無
機の単純蒸着膜で形成した非一軸配向処理膜であっても
良い。
The alignment film provided on the protrusions as needed may be a rubbing film or an oblique deposition film similar to that of 1903, which imparts uniaxial alignment to the internal liquid crystal, or silane. A non-uniaxially oriented film formed of a coupling agent film or an inorganic simple vapor deposition film may be used.

【0021】なお上記上下の基板の配向処理による一軸
性付与方向は上記ストライプ凸部長手方向に近い様にし
た方が配向性の面では良好であるがこれ以外の方向を選
んでも本発明効果は充分認められる。上下基板外側には
クロスニコルに配置した偏光板を設けている。
It is better in terms of orientation that the direction of imparting uniaxiality due to the alignment treatment of the upper and lower substrates is close to the longitudinal direction of the stripe projections, but the effect of the present invention is obtained even if other directions are selected. Admitted enough. Polarizing plates arranged in crossed Nicols are provided outside the upper and lower substrates.

【0022】図2に示す(a)、(b)、(c)3つの
素子(セル)の断面図により本発明の実施態様による液
晶素子の構成についてさらに詳しく説明する。
The structure of the liquid crystal device according to the embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the sectional views of three devices (cells) shown in FIGS. 2 (a), (b) and (c).

【0023】本発明は上記の突起間隔スペースの変化勾
配をつけたことによる連続的な階調性の傾向に着目し、
さらに上記勾配に沿って液晶に印加される電界強度に勾
配を付加することで、階調性に対して、さらに良好な制
御効果を与え、また従来例で示した様な電界強度に勾配
を印加する階調方式の課題を同時に解決するものであ
る。
In the present invention, attention is paid to the tendency of continuous gradation due to the above-mentioned change gradient of the protrusion spacing space,
Furthermore, by adding a gradient to the electric field strength applied to the liquid crystal along the above-mentioned gradient, a better control effect is given to the gradation, and the gradient is applied to the electric field strength as shown in the conventional example. This is to simultaneously solve the problem of the gradation method.

【0024】図2の(a)は、上記突起間隔の変化の勾
配とともに下基板に強制的な電位勾配を形成し、対向す
る上基板電位との差により挟持される液晶に上記突起間
隔変化勾配に沿った電界強度の分布勾配が形成される様
にしたものである。
In FIG. 2A, a forcible potential gradient is formed on the lower substrate together with the gradient of the change in the projection spacing, and the projection spacing variation gradient is formed in the liquid crystal sandwiched by the difference between the opposing upper substrate potential. The distribution gradient of the electric field strength along the is formed.

【0025】図において10および11は外部より給電
される電極であり、Al、Cr、Au等の低抵抗の金属
で形成する。
In the figure, 10 and 11 are electrodes to which electric power is supplied from the outside, and are formed of a low resistance metal such as Al, Cr and Au.

【0026】また14はSnO2 、Ta23等の金属
酸化物により、そのシート抵抗が104 Ω/□ないし1
8 Ω/□程度に調整された透明な膜であり、これは製
膜時に酸素濃度等の制御により形成可能である。本例に
おいては該高抵抗膜上に前記のストライプ状突起部12
を設けるが該突起は金属やITO等の低抵抗なものが望
ましい。ここで膜14は突起部12の金属やITOより
高抵抗である為、高抵抗膜と便宜上呼ぶこともある。
Further, 14 is a metal oxide such as SnO 2 or Ta 2 O 3 and has a sheet resistance of 10 4 Ω / □ to 1
It is a transparent film adjusted to about 0 8 Ω / □, and this can be formed by controlling the oxygen concentration during film formation. In this example, the stripe-shaped protrusions 12 are formed on the high resistance film.
However, it is desirable that the protrusion has a low resistance such as metal or ITO. Here, since the film 14 has a higher resistance than the metal of the projection 12 and ITO, it may be referred to as a high resistance film for convenience.

【0027】なお、配向膜の図示は省略した。The illustration of the alignment film is omitted.

【0028】なお、本発明においては上記高抵抗膜とス
トライプ状電極は基板15上の配置として先にストライ
プ状電極12または低抵抗電極10、11を形成した後
に膜14が形成されても良い。
In the present invention, the high resistance film and the striped electrode may be arranged on the substrate 15, and the film 14 may be formed after the striped electrode 12 or the low resistance electrodes 10 and 11 are formed first.

【0029】この場合はポリアニリン、ポリピロール、
ポリアセチレン等の導電性高分子からなる皮膜、あるい
はSnO2 、ITOまたはその他金属や金属酸化物の超
微粒子をポリイミド、ポリシロキサン、ナイロン、他の
樹脂母体に分散塗工した皮膜により、高抵抗膜14が形
成されてもよく、場合によってはそれ自体にラビングを
施すなどして、配向膜としても兼用できる。
In this case, polyaniline, polypyrrole,
A high resistance film 14 is formed by a film made of a conductive polymer such as polyacetylene, or a film obtained by dispersing and coating SnO 2 , ITO or ultrafine particles of a metal or metal oxide on polyimide, polysiloxane, nylon or another resin matrix. May be formed, and in some cases, it may be used as an alignment film by rubbing itself.

【0030】ここで上記低抵抗電極10および11にそ
れぞれ異なった電位V1 、V2 を与えると、図3に示す
様な電位勾配が形成される。この結果上基板の電極19
03の階調に応じて付与される電位に対して液晶部分に
は電界強度の分布勾配が形成される。
When different potentials V 1 and V 2 are applied to the low resistance electrodes 10 and 11, a potential gradient as shown in FIG. 3 is formed. As a result, the electrode 19 on the upper substrate
A distribution gradient of electric field strength is formed in the liquid crystal portion with respect to the potential applied according to the gradation of 03.

【0031】上記した様に画素全体に電位勾配を形成
し、かつストライプ突起間にスペースの変化勾配をつけ
たことによる階調作用について以下に説明する。
The gradation effect due to the potential gradient formed in the entire pixel and the space variation gradient provided between the stripe protrusions as described above will be described below.

【0032】まず、凸部である突起部は階調ドメインの
発生ポイントを各画素で均一化する。突起電極部は他の
部分にくらべ液晶に対して直接強い電界が作用し、電界
印加時に明確に優先された応答をする。また突起部近傍
では微妙な分子配列の変化などが考えられ、特に電界を
トルクとして受け易いなどの効果が認められる。
First, the protrusions, which are the protrusions, make the generation points of the gradation domain uniform in each pixel. A strong electric field acts directly on the liquid crystal in the protruding electrode portion as compared with the other portions, and when the electric field is applied, a clearly prioritized response is obtained. In addition, a slight change in the molecular arrangement may be considered in the vicinity of the protrusion, and the effect of being particularly susceptible to an electric field as torque is recognized.

【0033】次にスペースに変化をつけたことによる階
調ガンマーの形成作用は上記突起部に優先された反転応
答のスペース部への伝播効果要因とともに画素全体に制
御されて印加される電界強度の勾配が重複した大きな要
因となる。すなわち電場印加によりスイングされた液晶
分子がドメインとしてラッチ(固定化)される過程にお
いて、上記突起部からの伝播効果の作用と、上記電界強
度の勾配の作用により前記突起電極間のスペースが小さ
い位置においては液晶分子はより反転作用を受け易く、
またスペースが大きい位置では、伝播作用の減少および
平均的な電界強度の低下により、反転作用が小さくな
る。この結果として、上記スペースの小さな部分が全体
として低電圧で反転ドメインとして固定化され、図4に
示す様に、画素内で面積的に制御された階調性のある反
転部分が形成される。
Next, the formation effect of the gradation gamma due to the change in the space is accompanied by the factor of the effect of propagating the inversion response to the protrusion portion to the space portion, and the intensity of the electric field controlled and applied to the entire pixel. This is a major cause of overlapping gradients. That is, in a process in which liquid crystal molecules swung by an electric field are latched (immobilized) as domains, the space between the projection electrodes is small due to the effect of the propagation effect from the projection and the effect of the gradient of the electric field strength. , The liquid crystal molecules are more susceptible to inversion,
Further, at a position where the space is large, the reversal action becomes small due to the reduction of the propagation action and the reduction of the average electric field strength. As a result, the small portion of the space is fixed as an inversion domain at a low voltage as a whole, and as shown in FIG. 4, an area-controlled inversion portion having gradation is formed.

【0034】さらに上記スペース変化および電界強度に
勾配をつけたことにより、与える駆動パルスの波高値、
パルス幅その他パルス波形を変調することによる階調制
御は、スムーズなガンマ特性を示す。これは、反転ドメ
イン面積の広がりがスペースの最も細かい部分からの伝
播効果を従属的に拾うことにより、段階的なスペースの
変化に対しても連続的な階調性を作り出しているからだ
と思われる。
Further, the above-mentioned space variation and the gradient of the electric field strength are provided, so that the peak value of the driving pulse to be given,
The gradation control by modulating the pulse width and other pulse waveforms shows a smooth gamma characteristic. This is probably because the spread of the inversion domain area subtly picks up the propagation effect from the finest part of the space, creating a continuous gradation even with a gradual space change. .

【0035】一方、前記従来例で説明した様な電位ドロ
ップによる電位勾配のムラに対しても、前記高抵抗膜上
に低抵抗のストライプ状突起を複数設けた構成により改
善される。
On the other hand, the unevenness of the potential gradient due to the potential drop as described in the conventional example can be improved by the structure in which a plurality of low resistance stripe-shaped projections are provided on the high resistance film.

【0036】図5点線は、従来の電位勾配構成で電位勾
配を与えるライン(例えば走査側)における給電部(端
部)付近と給電部から離れた部分(中心部)付近での電
位勾配値のムラを示すものである。このムラは図6で模
式的に示す様に低抵抗の給電ラインにも抵抗が存在し、
この抵抗と高抵抗膜中の抵抗の相互作用により電位の勾
配値が端部(図中A−D間、C−F間)より中心部(B
−E間)で小さくなる現象であるが、本発明の上記スト
ライプ状突起12を低抵抗なもので形成することによ
り、低抵抗の給電ラインからの距離xにおいても低抵抗
の複数独立したストライプ状突起が見かけの配線抵抗を
下げ、それぞれ等電位面を保持しようとする結果として
図5実線で示す様に電位勾配値のムラを改善するものと
考えられる。
The dotted line in FIG. 5 shows the potential gradient values in the vicinity of the power feeding portion (end portion) and the portion (center portion) apart from the power feeding portion in the line (for example, the scanning side) which gives the potential gradient in the conventional potential gradient configuration. It shows unevenness. As shown schematically in FIG. 6, this unevenness has resistance in the low resistance power supply line,
Due to the interaction between this resistance and the resistance in the high-resistance film, the gradient value of the electric potential is from the end (between A and D in the figure, between C and F) to the central part (B
However, by forming the stripe-shaped protrusions 12 of the present invention with a low resistance, a plurality of independent stripes with a low resistance can be obtained even at a distance x from a low-resistance power supply line. It is considered that the protrusions reduce the apparent wiring resistance and try to maintain the equipotential surface, and as a result, the unevenness of the potential gradient value is improved as shown by the solid line in FIG.

【0037】ここで表示素子として高速の駆動をするた
めの代表的なパルス巾をたとえば20μsec程度と考
えると、上記示した様な電位勾配とストライプ状突起に
よる階調作用が良好に発揮されるためには、前記高抵抗
膜の抵抗条件としては過大な電流が流れないためには1
4 Ω/□程度以上、また、パルス巾内で所望の電位勾
配が達成されるために108 Ω/□程度以下が望まし
く、一方、低抵抗の給電電極としてはシート抵抗で10
Ω/□以下、またストライプ状突起部の抵抗としても1
4 Ω/□程度以下が望ましい。また上記ストライプ状
突起の高さとしては、配向の乱れを抑えるためには30
00Å以下の高さで、好ましくは使用するセル厚の5%
ないし15%程度であるのが良い。1例として約1.5
μmの平均セル厚を有するもので1500Å程度の突起
高さは特性が良好であった。
Here, if a typical pulse width for high-speed driving of the display element is considered to be, for example, about 20 μsec, the above-described potential gradient and the gradation effect by the stripe-shaped protrusions can be well exhibited. In order to prevent an excessive current from flowing as the resistance condition of the high resistance film,
0 4 Ω / □ or more, and about 10 8 Ω / □ or less is desirable in order to achieve a desired potential gradient within the pulse width. On the other hand, a sheet resistance is 10
Ω / □ or less, or 1 as the resistance of the striped protrusions
It is desirable that it is about 0 4 Ω / □ or less. The height of the stripe-shaped protrusions is set to 30 in order to suppress the disorder of the orientation.
Height less than 00Å, preferably 5% of cell thickness used
It is good to be about 15%. About 1.5 as an example
With the average cell thickness of μm, the projection height of about 1500Å had good characteristics.

【0038】またストライプ突起部の幅としては、使用
する液晶セル厚よりも大きい範囲が良く好ましくは、2
um〜10umである。また、突起ストライプ長さとし
ては、最大のスペース幅より長く、さらに好ましくは、
一画素長さ程度、或は、一画素長さ以上で、例えば走査
電極の電極長全域で連続したものであってよい。
The width of the stripe protrusion is preferably in a range larger than the thickness of the liquid crystal cell used, and is preferably 2
um to 10 um. Further, the protrusion stripe length is longer than the maximum space width, and more preferably,
It may be about one pixel length or more than one pixel length, and may be continuous over the entire electrode length of the scanning electrode, for example.

【0039】上記凸部間のスペース幅としては、やは
り、セル厚程度以上もたせたほうが配向性の面で好まし
く、上限として20um程度の範囲で変化させたもので
あることで、諧調性に良好な効果をもたらす。
As for the space width between the convex portions, it is preferable that the space width is equal to or more than the cell thickness in terms of the orientation, and the upper limit is changed in the range of about 20 μm, so that the gradation is excellent. Bring effect.

【0040】図7は、典型的なV−T(電圧−透過率)
特性を示す。図中点線および一点鎖線で示すものは比較
例を示し、それぞれストライプ突起および電位勾配手段
のないフラットセルのV−Tカーブ、ストライプ状突起
を通常のITO電極上に設け、電位勾配をもたせなかっ
た場合のV−Tカーブを示す。
FIG. 7 shows a typical VT (voltage-transmittance).
Show the characteristics. The dotted line and the one-dot chain line in the figure show comparative examples, in which a stripe protrusion and a VT curve of a flat cell without a potential gradient means and a striped protrusion were provided on a normal ITO electrode and no potential gradient was provided. The VT curve in the case is shown.

【0041】これに対し、本例で給電電極10、11に
それぞれ2V、0V(接地)の電位を与え電位勾配を与
えたものは実線グラフの様になった。
On the other hand, in this example, the power supply electrodes 10 and 11 to which the potentials of 2 V and 0 V (ground) are applied and the potential gradient is applied are shown by the solid line graph.

【0042】次に本発明の別の実施態様である図2の
(b)について説明する。
Next, another embodiment of the present invention, FIG. 2B, will be described.

【0043】図2の(b)に示すものは構成的には図2
の(a)において示した給電電極が符号20で示すもの
のみとし、電界強度の形成原理としては、高抵抗膜22
を利用した給電電位の遅延伝達効果を液晶に印加される
電界強度の分布勾配として作用させるものである。
What is shown in FIG. 2B is structurally shown in FIG.
(A), only the power supply electrode indicated by reference numeral 20 is used.
The effect of delaying the transmission of the power supply potential by utilizing is used as a distribution gradient of the electric field strength applied to the liquid crystal.

【0044】本例での階調性への作用効果は前記(a)
における強制的な電位勾配付与によるものとほぼ同様に
考えられ、階調性としての結果も図7と類似のものが得
られた。
The effect on the gradation in this example is as described in (a) above.
It is considered that it is almost the same as that by the forced application of the potential gradient, and the result as the gradation is similar to that of FIG. 7.

【0045】図2の(c)はさらに別の実施態様を示す
ものであり、電界強度の分布勾配をもたせるために下基
板の形状に、セル厚の勾配を付与したものである。符号
30は通常のITO等の低抵抗の電極である。
FIG. 2 (c) shows another embodiment, in which the cell thickness gradient is given to the shape of the lower substrate in order to have the distribution gradient of the electric field intensity. Reference numeral 30 is a normal low-resistance electrode such as ITO.

【0046】前記従来例において、本実施態様の様にス
ペースの変化勾配をもつストライプ状突起部を設けない
場合においては、もし仮に、ガンマ値として1.5程度
得るためには、セル厚の勾配としてセル厚の最も広い部
分と狭い部分とで電界強度の逆数、すなわち上記広い部
分に対し30%程度のセル厚の差異を形成しなくてはな
らないのに対し、本例では前記ストライプ状の突起によ
るしきい値の変化即ち階調作用が既にあることから全体
的なセル厚の勾配によるセル厚差異を小さくすることが
出来る。1例としては、上記ストライプ突起部の高さと
して1500Å設ける場合、約1500Åのセル厚差異
を設けることでも充分な階調性が得られた。なお、この
時セル間に配置するスペーサビーズの径は約1.4μm
のものを用いた。なお、本例ではテーパをもたせた基板
と、ストライプ状突起を設ける基板は互いに異なる基板
上であっても良い。この場合は画素の位置合わせに注意
を払ってパターン化、セル化を行なう。
In the above-mentioned conventional example, in the case where the stripe-shaped projections having the space variation gradient are not provided as in the present embodiment, if the gamma value is about 1.5, the gradient of the cell thickness is assumed to be obtained. As a reciprocal of the electric field strength between the widest portion and the narrowest portion of the cell thickness, that is, a difference in cell thickness of about 30% with respect to the wide portion must be formed, whereas in the present example, the stripe-shaped protrusions are used. Since there is already a change in the threshold value, that is, a gradation effect, the cell thickness difference due to the overall cell thickness gradient can be reduced. As an example, when providing 1500 Å as the height of the stripe protrusion, sufficient gradation can be obtained even by providing a cell thickness difference of about 1500 Å. At this time, the diameter of the spacer beads arranged between the cells is about 1.4 μm.
I used the one. In this example, the tapered substrate and the substrate on which the stripe-shaped protrusions are provided may be different substrates. In this case, patterning and cell formation are performed paying attention to pixel alignment.

【0047】なお図2の(c)において付与するストラ
イプ状突起12は、ITOやCrなどの導電性の材質で
あっても、SiO2 等の絶縁性の材質であっても効果を
もつが、導電性のものであって透明電極30と実質導通
がとられていれば図示した給電点33は、上記ストライ
プ状突起12のいずれか1本(たとえば点線で示す給電
ラインの給電点34)、または複数のものに接続されて
よい。
The stripe-shaped projections 12 provided in FIG. 2 (c) are effective even if they are made of a conductive material such as ITO or Cr or an insulating material such as SiO 2 . As long as it is electrically conductive and is substantially in conduction with the transparent electrode 30, the illustrated feeding point 33 is any one of the stripe-shaped protrusions 12 (for example, the feeding point 34 of the feeding line shown by the dotted line), or It may be connected to multiple things.

【0048】以上の説明により、良好な階調特性を示す
ことが理解されようが、本発明では特に1画素にわたっ
た勾配を形成し、階調としては1方向へのドメインの面
積制御を特に意図したものとする。
As can be understood from the above description, good gradation characteristics are exhibited, but in the present invention, a gradient over one pixel is formed, and the area control of the domain in one direction is particularly preferable for gradation. As intended

【0049】以下、いくつかの実施例について説明す
る。
Several embodiments will be described below.

【0050】(実施例1)厚さ1.1mmのガラス上に
レジストパターンを形成したのちSnO2 膜を酸素零囲
気中でのリアクティブスパッタ法により製膜し、リフト
オフにより図2の(a)で示す高抵抗膜14のパターン
を約200Åの膜厚で形成した。なお同じロットとして
同様にガラス上に形成した上記膜に金電極を櫛歯状に蒸
着しシート抵抗を測定したところほぼ107 Ω/□のも
のが得られていた。
(Example 1) After forming a resist pattern on a glass having a thickness of 1.1 mm, a SnO 2 film was formed by a reactive sputtering method in an atmosphere of zero oxygen, and lift-off was performed to form a SnO 2 film as shown in FIG. The pattern of the high resistance film 14 shown by is formed with a film thickness of about 200Å. In the same lot, gold electrodes were similarly vapor-deposited on the above-mentioned film formed on glass and the sheet resistance was measured, and it was found that the resistance was about 10 7 Ω / □.

【0051】次に図2の(a)の給電電極10、11を
通常のAlのエッチング工程で約10μm巾で形成した
後、さらに上記と同様リフトオフの手法によりストライ
プ状突起パターン12を形成した。この時給電電極およ
びITOパターンの突起高さは約1200Åであり突起
巾4μm、突起間スペースは前述同様2μmから10μ
mまで0.5μmステップで変化の勾配をもたせたもの
とした。
Next, the power supply electrodes 10 and 11 shown in FIG. 2A were formed to have a width of about 10 μm by a normal Al etching step, and then the stripe-shaped projection pattern 12 was formed by the lift-off method as described above. At this time, the protrusion height of the power supply electrode and the ITO pattern is about 1200Å, the protrusion width is 4 μm, and the space between the protrusions is 2 μm to 10 μm as described above.
It was assumed that a gradient of change was provided in 0.5 μm steps up to m.

【0052】次に配向膜としてポリイミドLQ1802
をスピンコート(スピン条件溶媒に対し濃度0.9wt
%、2200r.p.m.20秒)した後、乾燥焼成し
て約100Åの膜厚として形成した。
Next, as an alignment film, polyimide LQ1802 is used.
Spin coating (concentration 0.9 wt% for spin condition solvent)
%, 2200 r. p. m. After 20 seconds), it was dried and baked to form a film having a thickness of about 100Å.

【0053】一方、図1の上基板にも同様に配向膜とし
てLQ1802を用い、上下基板をラビングしたのち、
約1.4μmのシリカスペーサビーズを介してセル化し
た。ラビング方向としてはストライプ突部形成側はスト
ライプ長手方向にほぼ平行にし、一方、他方基板側は、
上記ストライプ方向から約−10°ずらせた方向にし
た。上記セルにはPsが約7nC/cm2 の強誘電性液
晶を注入した。
On the other hand, LQ1802 was similarly used as the alignment film on the upper substrate of FIG. 1, and the upper and lower substrates were rubbed.
A cell was formed through silica spacer beads of about 1.4 μm. As for the rubbing direction, the stripe protrusion forming side is made substantially parallel to the stripe longitudinal direction, while the other substrate side is
The direction was shifted by about −10 ° from the stripe direction. Ferroelectric liquid crystal having Ps of about 7 nC / cm 2 was injected into the cell.

【0054】上記セルの上記給電電極10、11に階調
書込み時には約2Vの差異をもつ様な走査電圧を印加
し、かつ書込み巾としては約20μsecのパネル巾を
含む情報電圧を対向電極に印加する様な駆動波形で階調
駆動させたところ、前記図7実線で示す様な良好な階調
特性を得た。
A scanning voltage having a difference of about 2 V is applied to the power supply electrodes 10 and 11 of the cell during gradation writing, and an information voltage including a panel width of about 20 μsec as a writing width is applied to the counter electrode. When gradation driving was performed with such a driving waveform, good gradation characteristics as shown by the solid line in FIG. 7 were obtained.

【0055】(実施例2)前記実施例1と同様の作製方
法で、前記図2の(b)に示すセルを形成し、給電電極
20に走査電圧、対向電極1903に階調情報電圧を印
加し、良好な階調特性を得た。
(Embodiment 2) The cell shown in FIG. 2B is formed by the same manufacturing method as in Embodiment 1, and a scanning voltage is applied to the power supply electrode 20 and a gradation information voltage is applied to the counter electrode 1903. Then, good gradation characteristics were obtained.

【0056】(実施例3)上記実施例1、または2の給
電電極およびストライプ状突起部パターンを通常のフォ
トリソ(エッチング)工程により、ガラス基板上に、C
r(クロム)で直接形成した。この時ストライプ巾は3
μmとした。
(Embodiment 3) The power supply electrode and the stripe-shaped protrusion pattern of Embodiment 1 or 2 are formed on a glass substrate by C by a normal photolithography (etching) process.
Directly formed with r (chromium). At this time, the stripe width is 3
μm.

【0057】この後、導電性高分子材料として公知のポ
リアニリンの溶液を印刷塗工した後、1規定の希硫酸に
浸漬し、導電化工程を行なったのち乾燥し、約106 Ω
/□の約100Åの皮膜を得た。
After that, a solution of polyaniline known as a conductive polymer material is applied by printing, immersed in 1N dilute sulfuric acid, subjected to a conductive step, and dried to about 10 6 Ω.
A film of about 100Å of / □ was obtained.

【0058】一方、他方基板(上基板)上にも上記と同
様のポリアニリンの導電化膜を形成し、上下双方ともポ
リアニリン膜をストライプ突起長手方向にほぼ平行にラ
ビングを行なった。
On the other hand, a conductive film of polyaniline similar to the above was formed on the other substrate (upper substrate), and the polyaniline film was rubbed on both upper and lower sides substantially parallel to the longitudinal direction of the stripe protrusions.

【0059】こののちロッシュ製強誘電性液晶SBF6
430を注入し、約30℃の温度環境下でAC印加処理
(10Hz、±10V、約3分)を行なったのち、それ
ぞれ具体例1、具体例2と同様階調駆動したところ、良
好な階調性が得られた。
After this, ferroelectric liquid crystal SBF6 manufactured by Roche
After injecting 430 and performing AC application processing (10 Hz, ± 10 V, about 3 minutes) in a temperature environment of about 30 ° C., gradation driving was performed in the same manner as in Example 1 and Example 2, respectively. A tonality was obtained.

【0060】(実施例4)図2の(c)に示す下基板
(勾配形状30)を、アクリル系UV硬化樹脂の金型原
型からガラス基板上への転写工程により形成した。この
後通常のフォトリソ工程でITOパターン30を形成し
た後、リフトオフによりさらにストライプ状突起パター
ン12を形成した。本例の基板のテーパ形状の段差は約
1500Å、また、上記ストライプ状突起の段差も約1
500Åとした。配向膜、液晶は実施例1と同じものを
用いた。
Example 4 A lower substrate (gradient shape 30) shown in FIG. 2C was formed by a step of transferring an acrylic UV curable resin from a metal mold master onto a glass substrate. After that, an ITO pattern 30 was formed by a normal photolithography process, and then a stripe-shaped projection pattern 12 was further formed by lift-off. The taper-shaped step of the substrate of this example is about 1500Å, and the step of the stripe-shaped protrusion is about 1
It was set to 500Å. The same alignment film and liquid crystal as in Example 1 were used.

【0061】本例においても前述同様良好な階調特性を
示した。
Also in this example, good gradation characteristics were exhibited as described above.

【0062】図8に本実施例による液晶表示素子を有す
る画像表示装置の構成を示す。装置は、液晶表示素子と
しての500×500のマトリクスのパネル1801、
クロック1802、同期回路1803、及びシフトレジ
スタ1804、アナログスイッチ1805などからなる
走査波形発生器1806、及び例えばフレームメモリ1
807などからの映像情報を駆動信号に変換出力する情
報信号発生器1808とからなる。これらは実装上、マ
トリクス基板の上下の片側もしくは両側、左右の片側な
いしは両側に振り分けられて結合されても良い。中間調
信号としての情報信号波形の印加方法としては、階調情
報を付与する方法として通常考えられる電圧変調がある
が、本実施例においては特にカイラルスメクチックC相
の層方向への弾性伝播的に結合されるドメインを利用す
るため、その伝播時間を制御する意味でパルス幅変調、
位相変調などの駆動方式も有効である。
FIG. 8 shows the structure of an image display device having a liquid crystal display element according to this embodiment. The device is a panel 1801 of a 500 × 500 matrix as a liquid crystal display element,
A scanning waveform generator 1806 including a clock 1802, a synchronizing circuit 1803, a shift register 1804, an analog switch 1805, and the frame memory 1, for example.
And an information signal generator 1808 for converting and outputting video information from 807 or the like into a drive signal. In terms of mounting, these may be distributed by being connected to one or both upper and lower sides of the matrix substrate, or one or both right and left sides of the matrix substrate. As a method of applying an information signal waveform as a halftone signal, there is a voltage modulation which is usually considered as a method of giving gradation information, but in the present embodiment, especially in the elastic propagation in the layer direction of the chiral smectic C phase. In order to control the propagation time of the combined domain, pulse width modulation,
Driving methods such as phase modulation are also effective.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
中間調表示の再現性を良好に保ち、所望の印加信号−透
過率特性(γ特性)を持つ中間調表示を行うことができ
る。また、素子の構成をさほど複雑にすることなく、良
好な中間調表示を、より高速、高階調数、高精細なもの
として行うことができる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to maintain good reproducibility of halftone display and perform halftone display having a desired applied signal-transmittance characteristic (γ characteristic). In addition, good halftone display can be performed at higher speed, with a higher number of gradations, and with higher definition, without complicating the structure of the element so much.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による液晶素子の構成を説明する為の模
式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a configuration of a liquid crystal element according to the present invention.

【図2】本発明の代表的な3つの実施態様による液晶素
子の模式的断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal element according to three exemplary embodiments of the present invention.

【図3】電極上の位置とその電位との関係を示す線図で
ある。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a position on an electrode and its potential.

【図4】本発明による液晶素子の諧調表示動作を説明す
る為のもので形成された反転ドメインを示す模式図であ
る。
FIG. 4 is a schematic view showing an inversion domain formed for explaining a gray scale display operation of a liquid crystal device according to the present invention.

【図5】従来の電位勾配法による電位変化を説明する為
の模式図である。
FIG. 5 is a schematic diagram for explaining a potential change by a conventional potential gradient method.

【図6】電位変化の原理を説明する為の電極の等価回路
図である。
FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of electrodes for explaining the principle of potential change.

【図7】液晶素子の印加電圧と透過率との関係を示す線
図である。
FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the applied voltage and the transmittance of a liquid crystal element.

【図8】本発明による液晶素子を用いた表示装置のブロ
ック図である。
FIG. 8 is a block diagram of a display device using a liquid crystal element according to the present invention.

フロントページの続き (72)発明者 柴田 雅章 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 岡田 伸二郎 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内Front page continued (72) Inventor Masaaki Shibata 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Shinjiro Okada 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の電極間に液晶を挟持した液晶素子
であって、該電極の少なくとも一方の電極上には、他方
の電極との交差部で形成される画素内において、異なる
スペースをなして形成された複数のストライプ状凸部を
有し、該凸部間のスペースの変化は画素内で勾配をなす
ように形成し、かつ上記スペースの変化の勾配に沿っ
て、上記液晶に作用する電界強度の分布勾配が形成され
る手段を構成したことを特徴とする液晶素子。
1. A liquid crystal element in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of electrodes, wherein different spaces are formed on at least one of the electrodes in a pixel formed at an intersection with the other electrode. A plurality of stripe-shaped convex portions formed so as to change the space between the convex portions so as to form a gradient within the pixel, and act on the liquid crystal along the gradient of the change in the space. A liquid crystal element comprising means for forming a distribution gradient of electric field strength.
【請求項2】 上記スペースの変化は、一画素にわたっ
て勾配をなすことを特徴とする請求項1に記載の液晶素
子。
2. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the change of the space has a gradient over one pixel.
【請求項3】 上記ストライプ状凸部は使用するセル厚
の5ないし15%の高さを有することを特徴とする請求
項1に記載の液晶素子。
3. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the stripe-shaped convex portion has a height of 5 to 15% of a cell thickness used.
【請求項4】 一対の電極間に液晶を挟持した液晶素子
であって、該電極の少なくとも一方は、給電される第1
の低抵抗のストライプ状電極と他方の電極との交差部で
形成される一画素内において、互いにその間隔が異なる
様に複数独立形成された第2のストライプ状の電極とを
有し、かつ上記第1および第2のストライプ状の電極間
は104 Ω/□以上108 Ω/□以下のシート抵抗を有
する膜とからなることを特徴とする液晶素子。
4. A liquid crystal element in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of electrodes, at least one of the electrodes being supplied with power.
In one pixel formed at the intersection of the low-resistance striped electrode and the other electrode, and a plurality of independently formed second striped electrodes with different intervals are provided, and A liquid crystal element comprising a film having a sheet resistance of 10 4 Ω / □ or more and 10 8 Ω / □ or less between the first and second striped electrodes.
【請求項5】 上記間隔の変化は一画素にわたって勾配
をなすことを特徴とする請求項4に記載の液晶素子。
5. The liquid crystal device according to claim 4, wherein the change in the interval has a gradient over one pixel.
【請求項6】 上記ストライプ状電極は使用するセル厚
の5ないし15%の高さの凸部を形成することを特徴と
する請求項4に記載の液晶素子。
6. The liquid crystal device according to claim 4, wherein the striped electrode forms a convex portion having a height of 5 to 15% of a cell thickness used.
【請求項7】 一対の電極間に液晶を挟持した液晶素子
であって、該電極の少なくとも一方の電極上には、他方
の電極との交差部で形成される画素内において異なるス
ペースをなして形成された複数のストライプ状凸部を有
し、該凸部間のスペースの変化は画素内で勾配をなすよ
うに形成し、かつ上記スペースの変化の勾配に沿って、
上記一対の電極基体の電極間距離に勾配を設けたことを
特徴とする液晶素子。
7. A liquid crystal element in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of electrodes, wherein different spaces are formed on at least one electrode of the electrodes in a pixel formed at an intersection with the other electrode. It has a plurality of stripe-shaped convex portions formed, the change in the space between the convex portions is formed to have a gradient in the pixel, and along the gradient of the change in the space,
A liquid crystal element, characterized in that a gradient is provided in the distance between the electrodes of the pair of electrode bases.
【請求項8】 上記スペースの変化は一画素にわたって
勾配をなす様に形成したことを特徴とする請求項7に記
載の液晶素子。
8. The liquid crystal device according to claim 7, wherein the change of the space is formed so as to form a gradient over one pixel.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011150787A (en) * 2011-05-12 2011-08-04 Asahi Glass Co Ltd Liquid crystal display device
JP2011181177A (en) * 1999-09-02 2011-09-15 Asahi Glass Co Ltd Optical head device
US8619202B2 (en) 2011-01-14 2013-12-31 Seiko Epson Corporation Projector

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