JPH06313821A - Optoelectronic integrated circuit - Google Patents

Optoelectronic integrated circuit

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Publication number
JPH06313821A
JPH06313821A JP11641993A JP11641993A JPH06313821A JP H06313821 A JPH06313821 A JP H06313821A JP 11641993 A JP11641993 A JP 11641993A JP 11641993 A JP11641993 A JP 11641993A JP H06313821 A JPH06313821 A JP H06313821A
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JP
Japan
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waveguide
integrated circuit
circuit according
light incident
emission surface
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP11641993A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Robert Schimpe
シンペ ローベルト
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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Publication of JPH06313821A publication Critical patent/JPH06313821A/en
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Abstract

PURPOSE: To provide an optoelectronics integrated circuit capable of simply attaining the connection and adjustment of at least two glass fibers in respect to an optoelectronics integrated circuit connected especially to glass fibers. CONSTITUTION: The integrated circuit has a light incident/outgoing face B prevented from being reflected, an waveguide W connecting at least two end parts to the face B and one or more areas A, M having pn junction or pin junction in the waveguide W.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はオプトエレクトロニク集
積回路、特に光学的制御要素における簡単なチップ‐フ
ァイバ結合のための集積回路に関する。
FIELD OF THE INVENTION This invention relates to optoelectronic integrated circuits, and more particularly to integrated circuits for simple chip-fiber coupling in optical control elements.

【0002】[0002]

【従来の技術】オプトエレクトロニク通信技術の伝送区
間では、光学的半導体デバイスをたとえば光学的変調
器、スイッチおよび増幅器のような2つのチップ‐ファ
イバ結合によりガラスファイバ導波路に接続するという
課題がある。特に光学的増幅器は極めてわずかな後方反
射と組み合わされた再現可能な高い結合効率を有するチ
ップ‐ファイバ結合を必要とする。
BACKGROUND OF THE INVENTION In the transmission section of optoelectronic communication technology, there is the problem of connecting optical semiconductor devices to glass fiber waveguides by means of two chip-fiber couplings, for example optical modulators, switches and amplifiers. . Optical amplifiers in particular require chip-fiber couplings with high reproducible coupling efficiency combined with very little back reflection.

【0003】「エレクトロニクス・レターズ(Electron
ics Letters )27」第1845〜1846頁(199
1年)のボードロー(R.Boudreau)ほかの論文には光学
的増幅器へのガラスファイバの両側接続が記載されてい
る。ファイバは1μm以下の領域内の許容差をもって増
幅器導波路に関してアラインメントされなければならな
い。特に最初に調整されるファイバの位置は第2のファ
イバのアラインメントの際にも維持されなければならな
い。
[Electronic Letters (Electron
ics Letters) 27 "pp. 1845-1846 (199)
1 year) R. Boudreau et al. Describes a double-sided connection of glass fiber to an optical amplifier. The fiber must be aligned with respect to the amplifier waveguide with a tolerance in the region of 1 μm or less. In particular, the position of the first adjusted fiber must be maintained during the alignment of the second fiber.

【0004】タムラ(Y.Tamura )ほかの「第16回
ヨーロッパ光通信会議1990(ECOC´90)」の
論文には、光学的サーキュレータを含んでいる増幅器モ
ジュールが記載されている。
The paper by Y. Tamura et al., "The 16th European Optical Communications Conference 1990 (ECOC'90)", describes an amplifier module containing an optical circulator.

【0005】「エレクトロニクス・レターズ(Electron
ics Letters )25」第242〜243頁(1989
年)のチャ( I.Cha)ほかの論文には、反射防止のため
に埋め込まれた導波路端面を有する光学的増幅器が記載
されている。
[Electronic Letters (Electron
ics Letters) 25 "pp. 242-243 (1989)
(1) Cha. Et al., Describe an optical amplifier with a waveguide end face embedded for antireflection.

【0006】「エレクトロニクス・レターズ(Electron
ics Letters )27」第1747〜1748頁(199
1年)のデュスィー(P.Jduthie)ほかの論文には、15
ないし20mmの円弧を介して接続されている方向性結
合器を有する4×4スイッチングマトリックスが記載さ
れている。
[Electronic Letters (Electron
ics Letters) 27 "pp. 1747-1748 (199)
1 year) P.Jduthie et al.
A 4 × 4 switching matrix with directional couplers connected via an arc of ˜20 mm is described.

【0007】バーチェイム(N.Bar-Chaim )の論文に
は、半リングジオメトリを有する量子‐ウェル構造を有
するアルミニウム‐ガリウム‐ヒ素‐レーザーダイオー
ドが記載されている。
The N. Bar-Chaim article describes an aluminum-gallium-arsenic-laser diode having a quantum-well structure with a half-ring geometry.

【0008】「フォトン・テクノロジー・レターズ(Ph
oton.Technol.Letters)」第88〜90頁(1990
年)のコッホ(T.L.Koch)ほかの論文には、テーパーを
付けられた導波路を有するインジウム‐ガリウム‐ヒ素
/インジウム‐ガリウム‐リン化物系の多重量子‐ウェ
ル構造を有するレーザーダイオードが記載されている。
[Photon Technology Letters (Ph
oton.Technol.Letters) 2 "88-90 (1990)
(TLKoch) et al. Describe a laser diode with a multiquantum-well structure in the indium-gallium-arsenic / indium-gallium-phosphide system with tapered waveguides. .

【0009】「エレクトロニクス・レターズ(Electron
ics Letters )27」第132〜134頁(1991
年)のソール(J.B.D.Soole )ほかの論文「1.5μm
での波長分割多重化システム用のモノリシックInP基
礎格子スペクトロメータ」には、InPチップ上の波長
デマルチプレクサが記載されている。このデマルチプレ
クサでは多くのリッジ導波路が互いに平行に配置されて
おり、それらのうちそれぞれ一方の端部が同一の光入射
/出射面に開口している。それぞれ他方の端部は、入射
光線をそれぞれ導波路に後方反射させる回折格子に向け
られている。
[Electronic Letters (Electron
ics Letters) 27 "132-134 (1991)
Year) Saul (JBDSoole) and other papers "1.5 μm
"A Monolithic InP-Based Grating Spectrometer for Wavelength Division Multiplexing Systems", describes a wavelength demultiplexer on an InP chip. In this demultiplexer, many ridge waveguides are arranged in parallel with each other, and one end of each of them is opened to the same light incident / emission surface. The other end of each is directed to a diffraction grating that respectively reflects the incident light rays back into the waveguide.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、特に
ガラスファイバとの結合のためのオプトエレクトロニク
集積回路であって、少なくとも2つのガラスファイバの
接続および調整を簡単に実現し得るものを提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide an optoelectronic integrated circuit, in particular for coupling with glass fibers, which allows easy connection and adjustment of at least two glass fibers. To provide.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】この課題は、請求項1の
特徴を有するオプトエレクトロニク集積回路により解決
される。実施態様は請求項2以下にあげられている。
This problem is solved by an optoelectronic integrated circuit having the features of claim 1. Embodiments are listed in claims 2 and below.

【0012】[0012]

【作用効果】本発明による集積回路では、端部で同一の
光入射/出射面に通ずる導波路が設けられている。
In the integrated circuit according to the present invention, the waveguides which are connected to the same light incident / emission surface at the end portions are provided.

【0013】従って、集積回路の光入射のために設けら
れている側面は出射面のためにも使用され、また反射防
止手段、たはえば反射防止層を設けられている。従っ
て、集積回路に接続されるべきガラスファイバは集積回
路の同一の側面に接続され得る。集積回路がサブキャリ
アの上に組立てられるならば、このサブキャリアはガラ
スファイバを収容しかつ固定するための溝状の切り込み
を設けられていてよい。従って、接続すべきガラスファ
イバの簡単かつ容易に大量に再現可能な調整が可能であ
る。
Therefore, the side surface of the integrated circuit, which is provided for light incidence, is also used as an emission surface, and antireflection means, for example, an antireflection layer is provided. Therefore, the glass fibers to be connected to the integrated circuit can be connected to the same side of the integrated circuit. If the integrated circuit is assembled on a sub-carrier, this sub-carrier may be provided with groove-like cuts for receiving and fixing the glass fibers. Thus, a simple and easy mass-reproducible adjustment of the glass fibers to be spliced is possible.

【0014】[0014]

【実施例】以下、図1ないし9により本発明による集積
回路を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An integrated circuit according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0015】図1には、光入射/出射面Bの側から見た
表面の斜視図で二重に曲げられた導波路Wを有する本発
明による集積回路が示されている。導波路Wには、エネ
ルギーの供給のために設けられている領域A、Mが配設
されている。この目的でこれらの領域内にpn接合また
はpin接合が導波路に配設されている。エネルギーは
光学的エネルギーの形で供給され、これはたとえば上か
らのこの領域の照明によりまたは導波路内に導かれる光
により行われ得る。またエネルギーは電気的エネルギー
の形でこれらの領域の上に設けられた接触部を介して供
給され得る。図面中にはこれらの領域は、例として増幅
器Aおよび変調器Mとして示されている。図1の導波路
では中央に増幅器Aが、また両弧のなかに各1つの変調
器Mが位置している。しかしまた増幅器(スイッチ)の
代わりにそれぞれ変調器または方向性結合器を配設する
こともできる。導波路の中央の端部は光入射用として、
また側面に位置している両端部は光出射用として設けら
れている(矢印により暗示されている)。導波路弧の半
径Rが同じく記入されている。
FIG. 1 shows an integrated circuit according to the invention with a doubly bent waveguide W in a perspective view of the surface viewed from the side of the light incident / emission surface B. Regions A and M provided for supplying energy are arranged in the waveguide W. For this purpose pn or pin junctions are arranged in the waveguide in these regions. The energy is provided in the form of optical energy, which can be done, for example, by illumination of this region from above or by light guided into the waveguide. Energy can also be supplied in the form of electrical energy via contacts provided on these areas. In the drawing, these areas are shown as amplifier A and modulator M as an example. In the waveguide of FIG. 1, an amplifier A is located in the center and a modulator M is located in each of the two arcs. However, it is also possible to provide a modulator or a directional coupler instead of the amplifier (switch), respectively. The center end of the waveguide is for light incidence,
Both ends located on the sides are provided for light emission (implied by the arrow). The radius R of the waveguide arc is also entered.

【0016】図2には、3つの弧、従ってまた4つの導
波路を有し、それらのうち2つが光入射用として、また
2つが光出射用として設けられている集積回路が示され
ている。図2による導波路には4つの増幅器Aが設けら
れている。図1による集積回路はyフォークの形態の光
学的転轍器を有する1×2マトリックスを形成する。図
2による集積回路は、マトリックスの交叉なしの構成が
可能である2×2マトリックスを形成する。集積回路に
接続されるべきガラスファイバと集積回路との間の結合
を改善するため、コッホ( T.L.Knoch)ほかの前掲刊行
物に記載されているように、それぞれ導波路Wの開口に
おいて導波路テーパーが光入射/出射面Bのなかに配置
され得る。導波路は、それぞれチャ( I.Cha)ほかの前
掲刊行物に記載されているように、集積回路の光入射/
出射面Bの少し前で終端してもよく、また端面は誘電性
の層により反射防止されていてもよい。
FIG. 2 shows an integrated circuit having three arcs and thus also four waveguides, two of which are provided for light incidence and two for light emission. . The waveguide according to FIG. 2 is provided with four amplifiers A. The integrated circuit according to FIG. 1 forms a 1 × 2 matrix with optical switches in the form of y-forks. The integrated circuit according to FIG. 2 forms a 2 × 2 matrix, which allows a matrix-free construction. In order to improve the coupling between the glass fiber to be connected to the integrated circuit and the integrated circuit, a waveguide taper is provided at each opening of the waveguide W, as described in the above-mentioned publication by TLKnoch et al. It can be arranged in the light entrance / exit surface B. Waveguides are used for the light incidence / integration of integrated circuits, as described in the above-mentioned publications by Cha.
It may be terminated just before the emission surface B, or the end surface may be antireflection by a dielectric layer.

【0017】導波路Wの曲げられた領域(弧)は好まし
くは埋設型ヘテロ構造(BH)として構成されている。
曲げられた導波路領域に光を案内するのに特に適してい
るのは光学的変調器(図面中に示されているような)ま
たはBH構造を有する電気的にポンプされる光学的増幅
器である。なぜならば、それらの導波路コアは周囲の半
導体材料に比較して特に高い屈折率を有するからであ
る。その結果としての比較的強い波案内は、さもなけれ
ば湾曲のゆえに生じ得るであろう放射損失を特にわずか
にする。図3はこの導波路の厚みDに関係して半円状の
導波路弧の半径Rの計算結果がダイアグラムで示されて
おり、その際に曲線群に対してパラメータとして幅dお
よび材料組成(バンドエッジの波長)が選ばれている。
その際に、インジウム‐リン化物のなかに埋設されてい
るインジウム‐ガリウム‐ヒ化物‐リン化物から成る導
波路コアが基礎とされた。このダイアグラムから明らか
なように、0.1cm-1の最大見込まれる放射損失に対
して1mm以下の半径Rが可能である。インジウム‐ガ
リウム‐ヒ化物/インジウム‐‐リン化物‐BH構造の
代わりに、本発明による装置は、量子‐ウェル層を含み
リッジ導波路を有し、またはアルミニウム‐ガリウム‐
ヒ化物、インジウム‐ガリウム‐ヒ化物またはガリウム
‐ヒ化物から成る材料組成を含んでいてもよい。
The bent region (arc) of the waveguide W is preferably constructed as a buried heterostructure (BH).
Particularly suitable for guiding light into the bent waveguide region are optical modulators (as shown in the drawings) or electrically pumped optical amplifiers with BH structures. . This is because those waveguide cores have a particularly high refractive index compared to the surrounding semiconductor material. The resulting relatively strong wave guidance makes especially small the radiation losses that might otherwise occur due to the curvature. FIG. 3 is a diagram showing the calculation result of the radius R of the semicircular waveguide arc in relation to the thickness D of this waveguide, in which case the width d and the material composition ( Band edge wavelength) is selected.
In doing so, a waveguide core consisting of indium-gallium-arsenide-phosphide embedded in indium-phosphide was the basis. As is clear from this diagram, a radius R of 1 mm or less is possible for a maximum possible radiation loss of 0.1 cm -1 . Instead of an indium-gallium-arsenide / indium-phosphide-BH structure, the device according to the invention comprises a ridge waveguide including a quantum-well layer, or an aluminum-gallium-
The material composition may include arsenide, indium-gallium-arsenide or gallium-arsenide.

【0018】図4は、サブキャリアSを有し、その上に
少なくとも2つのファイバ状の光導波路(ガラスファイ
バ)が取付けられている本発明によるオプトエレクトロ
ニク集積回路の斜視図である。集積回路ICの電気的駆
動は接触部K、K1、K2、K3およびK4を介して行
われる。これらの接触部はたとえば導波路のpn接合ま
たはpin接合を設けられている領域(たとえば増幅器
Aまたは変調器M)と導電的に結合されている。サブキ
ャリアSはたとえばシリコンから成っており、またガラ
スファイバGの相互のアラインメントのための好ましく
はV字状の断面を有する2つの溝状の切り込みVを含ん
でいる。
FIG. 4 is a perspective view of an optoelectronic integrated circuit according to the present invention having a subcarrier S on which at least two fibrous optical waveguides (glass fibers) are mounted. The electrical drive of the integrated circuit IC takes place via the contacts K, K1, K2, K3 and K4. These contacts are conductively coupled, for example, to the region of the waveguide where the pn or pin junction is provided (eg amplifier A or modulator M). The subcarrier S is made of silicon, for example, and contains two groove-shaped notches V for the mutual alignment of the glass fibers G, which preferably have a V-shaped cross section.

【0019】一方のガラスファイバGから導波路へ入結
合された光は弧のなかで集積回路ICを通じて他方のガ
ラスファイバGに導かれ、その際に転向角度は180°
である。本発明による利点は、集積回路の光入射/出射
面Bにおける導波路Wの両端部の間隔も両ガラスファイ
バの間隔も高い精度で維持し得ることにある。これによ
り製造の際の集積回路とガラスファイバとの間の結合の
ための調整誤差が明白に減ぜられる。従って、入力およ
び出力ガラスファイバと集積回路との間の結合のための
費用は本発明による集積回路では著しく減ぜられる。な
ぜならば、入射導波路および出射導波路が同一のチップ
端面上に配設されているからである。このことは特に、
3つ以上のガラスファイバが接続されるべきであるとき
に有効である。本発明による別の利点は、埋設されたヘ
テロ構造内での強い波案内により可能にされる導波路に
対する特に小さい湾曲半径により集積回路の占有面積が
減ぜられることにある。
The light coupled into the waveguide from one glass fiber G is guided in the arc through the integrated circuit IC to the other glass fiber G, at which time the turning angle is 180 °.
Is. An advantage of the present invention is that the distance between both ends of the waveguide W and the distance between both glass fibers on the light incident / emission surface B of the integrated circuit can be maintained with high accuracy. This significantly reduces the alignment error due to the coupling between the integrated circuit and the glass fiber during manufacture. Therefore, the cost for coupling between the input and output glass fibers and the integrated circuit is significantly reduced in the integrated circuit according to the invention. This is because the entrance waveguide and the exit waveguide are arranged on the same chip end face. This is especially true
It is useful when more than two glass fibers should be spliced. Another advantage of the present invention is that the footprint of the integrated circuit is reduced due to the particularly small radius of curvature for the waveguide, which is made possible by strong wave guidance in the buried heterostructure.

【0020】図5には、図2の集積回路に相応するが、
導波路が1つの交叉点を有する本発明による集積回路が
示されている。2×2スイッチングマトリックスのこの
集積回路は、図2の回路にくらべて、光入射/出射面に
開口する導波路端部が互いにより近くに位置しており、
またそれによって集積回路の幅がより小さく保たれ得る
という利点を有する。導波路Wの端部は図5の実施例で
は二次元のテーパーTにより形成される。それによっ
て、集積回路内を延びている導波路に比較してより大き
い連結すべきガラスファイバの断面が、導波路のこのよ
り小さい断面に適合され得る。
FIG. 5 corresponds to the integrated circuit of FIG. 2, but
An integrated circuit according to the invention is shown in which the waveguide has one crossing point. Compared to the circuit of FIG. 2, this integrated circuit of the 2 × 2 switching matrix has the waveguide ends that are open to the light incident / emission planes located closer to each other,
It also has the advantage that the width of the integrated circuit can be kept smaller. The end of the waveguide W is formed by a two-dimensional taper T in the embodiment shown in FIG. Thereby, a larger cross section of the glass fiber to be coupled compared to the waveguide extending in the integrated circuit can be adapted to this smaller cross section of the waveguide.

【0021】図6には、4×4スイッチングマトリック
スとしての本発明による集積回路が示されており、その
際に図面中には、それぞれ変調器または方向性結合器に
より置換することのできる増幅器スイッチAが記入され
ている。一点鎖線の長方形により区画されている部分は
それぞれ2×2スイッチングマトリックスを形成する。
FIG. 6 shows an integrated circuit according to the invention as a 4 × 4 switching matrix, in which the amplifier switch can be replaced by a modulator or a directional coupler, respectively. A is entered. The portions defined by the dashed-dotted rectangle form a 2 × 2 switching matrix.

【0022】図7に示されている集積回路では導波路の
弧はそのなかに含まれている1つの増幅器Aおよび2つ
の転向鏡Uを有する直線部分により置換されている。こ
れらの転向鏡Uは近似的に90°のそれぞれ方向変化を
生じさせる。光入射/出射面Bに開口する導波路端部と
して二次元のテーパーTが使用されている。しかしなが
ら転向鏡Uの転向角度は90°から偏差していてもよ
く、それによって光入射/出射面Bへの垂線から角度C
だけ偏差する一方または両方の導波路端部の方向性が得
られる。この代わりに、3つ以上の転向鏡を使用するこ
とも可能である。実質的に光線の後方反射を生じさせる
転向鏡において導波路の2つの直線状の区間を終端させ
ることによってV字状の配置が得られる。90°だけの
導波路の方向変化を生じさせる2つの弧の間に導波路の
直線状区間を配置することも可能である。たとえば一方
の側に90°弧、また他方の側に90°だけの方向変化
のための転向鏡という組み合わせも同じく考えられる。
同じく光入射/出射面Bの反射防止の実施態様として多
数の可能性が与えられており、それらのうち反射防止層
が特に有利であると考えられる。
In the integrated circuit shown in FIG. 7, the waveguide arc is replaced by a straight section having one amplifier A and two turning mirrors U contained therein. Each of these turning mirrors U causes a change in direction of approximately 90 °. A two-dimensional taper T is used as an end portion of the waveguide opening to the light incident / emission surface B. However, the turning angle of the turning mirror U may deviate from 90 °, whereby the angle C from the normal to the light incident / exiting surface B is changed.
One or both waveguide end orientations that deviate by only one are obtained. Alternatively, it is possible to use more than two turning mirrors. A V-shaped arrangement is obtained by terminating the two straight sections of the waveguide in a turning mirror which causes substantially back reflection of the light rays. It is also possible to place a straight section of the waveguide between two arcs that cause a change in waveguide direction of only 90 °. A combination of turning mirrors, for example on one side for a 90 ° arc and on the other side for a change of direction of only 90 ° is also conceivable.
A number of possibilities are likewise provided for the antireflection of the light-incident / emission surface B, of which the antireflection layer is considered to be particularly advantageous.

【0023】図8には、中央の導波路端部が光入射/出
射面Bから間隔aをおいて配置されている図1に相応す
る集積回路が示されている。この場合に、エネルギーを
供給される領域(この場合には増幅器A)がこの導波路
区間の端部まで達していると有利である。光入射/出射
面Bは図9中に示されているように反射防止層Eで覆わ
れていてもよい。図9の例ではすべての導波路はこの反
射防止層Eの前で間隔aをおいて終端する。導波路端部
はこの例では導波路Wの受動的な区間である。これらの
実施例はガラスファイバの連結の点で有利である。同様
に、転向鏡Uを有する図7の実施例でも1つまたはそれ
以上の導波路端部が光入射/出射面Bから間隔をおいて
配置されていてもよい。
FIG. 8 shows an integrated circuit corresponding to FIG. 1 in which the central waveguide end is arranged at a distance a from the light incident / emission surface B. In this case, it is advantageous if the energy-supplied region (in this case amplifier A) extends to the end of this waveguide section. The light incident / exiting surface B may be covered with an antireflection layer E as shown in FIG. In the example of FIG. 9, all the waveguides are terminated in front of the antireflection layer E with a distance a. The waveguide end is a passive section of the waveguide W in this example. These embodiments are advantageous in terms of connecting glass fibers. Similarly, in the embodiment of FIG. 7 with the turning mirror U, one or more waveguide ends may be spaced from the light incident / emission surface B.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】2つの弧内を導かれる導波路を有する本発明に
よる集積回路の斜視図。
FIG. 1 is a perspective view of an integrated circuit according to the present invention having a waveguide guided in two arcs.

【図2】3つの弧内を導かれ、また分岐された導波路を
有する集積回路の斜視図。
FIG. 2 is a perspective view of an integrated circuit having a waveguide guided and branched in three arcs.

【図3】導波路の厚み、その幅および使用される材料に
関係して導波路弧に対する可能な湾曲半径を示すダイア
グラム。
FIG. 3 is a diagram showing possible curvature radii for a waveguide arc in relation to the thickness of the waveguide, its width and the material used.

【図4】連結されたガラスファイバを有するサブキャリ
ア上に取付けられた集積回路の斜視図。
FIG. 4 is a perspective view of an integrated circuit mounted on a subcarrier having glass fibers coupled together.

【図5】導波路の交叉を除いて図2の集積回路に相応す
る集積回路の斜視図。
5 is a perspective view of an integrated circuit corresponding to the integrated circuit of FIG. 2 except for waveguide crossovers.

【図6】4×4スイッチングマトリックスとしての本発
明による集積回路の概略図。
FIG. 6 is a schematic diagram of an integrated circuit according to the present invention as a 4 × 4 switching matrix.

【図7】2つの転向鏡を有する集積回路の斜視図。FIG. 7 is a perspective view of an integrated circuit having two turning mirrors.

【図8】光入射/出射面の前で間隔をおいて終端する導
波路区間を有する図1に相応する集積回路の斜視図。
FIG. 8 is a perspective view of the integrated circuit corresponding to FIG. 1 with the waveguide sections terminating at a distance in front of the light incident / emission surface.

【図9】すべての導波路端部が光入射/出射面に間隔を
おいて配置されている図2に相応する集積回路の斜視
図。
9 is a perspective view of the integrated circuit corresponding to FIG. 2 with all waveguide ends spaced at the light entrance / emission surface.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A 増幅器 B 光入射/出射面 E 反射防止層 M 変調器 U 転向鏡 W 導波路 IC 集積回路 A amplifier B light incidence / emission surface E antireflection layer M modulator U turning mirror W waveguide IC integrated circuit

Claims (10)

【特許請求の範囲[The claims] 【請求項1】 反射防止を施されている光入射/出射面
(B)と、この光入射/出射面(B)に少なくとも2つ
の端部が導かれている導波路(W)と、この導波路内に
pn接合またはpin接合を有する少なくとも1つの領
域(A、M)とを有することを特徴とするオプトエレク
トロニク集積回路。
1. A light incidence / emission surface (B) having antireflection, a waveguide (W) having at least two ends guided to the light incidence / emission surface (B), and An optoelectronic integrated circuit having at least one region (A, M) having a pn junction or a pin junction in a waveguide.
【請求項2】 導波路(W)の端部を光入射/出射面
(B)に導くために必要な導波路(W)の方向変化が1
mmよりも小さい半径(R)を有する導波路(W)内の
少なくとも1つの弧により生ぜしめられていることを特
徴とする請求項1記載の集積回路。
2. The direction change of the waveguide (W) required to guide the end of the waveguide (W) to the light incident / exiting surface (B) is 1.
Integrated circuit according to claim 1, characterized in that it is produced by at least one arc in a waveguide (W) having a radius (R) of less than mm.
【請求項3】 導波路(W)の端部を光入射/出射面
(B)に導くために必要な導波路(W)の方向変化が少
なくとも1つの転向鏡(U)により生ぜしめられている
ことを特徴とする請求項1記載の集積回路。
3. The direction change of the waveguide (W) necessary for guiding the end of the waveguide (W) to the light incident / exiting surface (B) is produced by at least one turning mirror (U). The integrated circuit according to claim 1, wherein the integrated circuit comprises:
【請求項4】 サブキャリア(S)が設けられ、このサ
ブキャリア(S)が導波路(W)の光入射/出射面に通
ずる端部の間隔でガラスファイバ(G)を固定するため
の溝状の切り込み(V)を有することを特徴とする請求
項1ないし3の1つに記載の集積回路。
4. A subcarrier (S) is provided, and a groove for fixing the glass fiber (G) at an interval between ends of the subcarrier (S) communicating with the light incident / emission surface of the waveguide (W). Integrated circuit according to one of the preceding claims, characterized in that it has a notch (V).
【請求項5】 導波路(W)が埋設型ヘテロ構造に構成
されていることを特徴とする請求項1ないし4の1つに
記載の集積回路。
5. The integrated circuit according to claim 1, wherein the waveguide (W) is constructed in a buried heterostructure.
【請求項6】 導波路(W)がリッジ導波路であること
を特徴とする請求項1ないし4の1つに記載の集積回
路。
6. The integrated circuit according to claim 1, wherein the waveguide (W) is a ridge waveguide.
【請求項7】 導波路が量子‐ウェル構造を有すること
を特徴とする請求項1ないし6の1つに記載の集積回
路。
7. The integrated circuit according to claim 1, wherein the waveguide has a quantum well structure.
【請求項8】 導波路(W)が光入射/出射面に通ずる
端部にガラスファイバへの結合を改善するためそれぞれ
テーパー(T)を設けられていることを特徴とする請求
項1ないし7の1つに記載の集積回路。
8. The waveguide (W) is provided with a taper (T) at each end communicating with the light incident / exiting surface to improve coupling to a glass fiber. An integrated circuit according to any one of 1.
【請求項9】 導波路(W)の光入射/出射面(B)に
導かれている少なくとも1つの部分が光入射/出射面
(B)から、またはこの光入射/出射面(B)に施され
た反射防止層(E)から間隔(a)をおいて終端してい
ることを特徴とする請求項1ないし8の1つに記載の集
積回路。
9. At least one part of the waveguide (W) guided to the light incident / emission surface (B) is from or to the light incident / emission surface (B). Integrated circuit according to one of the preceding claims, characterized in that it terminates at a distance (a) from the applied antireflection layer (E).
【請求項10】 pn接合またはpin接合を有する領
域が増幅器(A)または変調器(M)であることを特徴
とする請求項1ないし9の1つに記載の集積回路。
10. Integrated circuit according to claim 1, characterized in that the region having a pn or pin junction is an amplifier (A) or a modulator (M).
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