JPH06308750A - Optical sensor and information recording system - Google Patents

Optical sensor and information recording system

Info

Publication number
JPH06308750A
JPH06308750A JP9983293A JP9983293A JPH06308750A JP H06308750 A JPH06308750 A JP H06308750A JP 9983293 A JP9983293 A JP 9983293A JP 9983293 A JP9983293 A JP 9983293A JP H06308750 A JPH06308750 A JP H06308750A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
information recording
group
optical sensor
layer
information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9983293A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3344765B2 (en
Inventor
Daigo Aoki
大吾 青木
Shinichi Sakano
真一 坂野
Osamu Shimizu
治 清水
Minoru Uchiumi
実 内海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP09983293A priority Critical patent/JP3344765B2/en
Publication of JPH06308750A publication Critical patent/JPH06308750A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3344765B2 publication Critical patent/JP3344765B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide an optical sensor having a large amplification function and the information recording system. CONSTITUTION:The optical sensor having the chemical constitutional formula of formula is used as the optical sensor for the information recording system which is arranged with the optical sensor constituted by providing a base material with an electrode layer thereon and laminating a photoconductive layer on this electrode layer and an information recording medium constituted by laminating an information recording layer capable of recording information by electric fields or electric charges on the electrode layer in opposition to each other and enables recording of information on the information recording medium by information exposing in the state of impressing a voltage between both electrodes. In the formula, A and B denote the same or different alkyl group, alalkyl group, cycloalkyl group, carbon cyclic or heterocyclic arom. group; R1, R2 denote a hydrogen atom or substituent which does not impart water solubility. As a result, the optical sensor having the large amplification factor and the information recording system are obtd.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体へ光情報
を可視情報または静電情報の形で記録することができる
光センサーと情報記録媒体とからなる情報記録システ
ム、更に情報記録方法に関し、特に情報記録媒体への情
報記録性能が著しく増幅される光センサーおよび情報記
録システムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information recording system comprising an optical sensor capable of recording optical information in the form of visible information or electrostatic information on an information recording medium and an information recording medium, and further to an information recording method. In particular, the present invention relates to an optical sensor and an information recording system in which information recording performance on an information recording medium is remarkably amplified.

【0002】[0002]

【従来の技術】前面に電極層が設けられた光導電層から
なる光センサーと、該光センサーに対向し、後面に電極
層が設けられた電荷保持層からなる情報記録媒体とを光
軸上に配置し、両導電層間に電圧を印加しつつ露光し、
入射光学像に応じて、電荷保持層に静電電荷を記録さ
せ、その静電電荷をトナー現像するかまたは電位読み取
りにより再生する方法は、例えば特開平1−29036
6号公報、特開平1−289975号公報に記載されて
いる。また、上記方法における電荷保持層を熱可塑性樹
脂層とし、静電電荷を熱可塑樹脂層表面に記録した後加
熱し、熱可塑性樹脂層表面にフロスト像を形成すること
により記録された静電電荷を可視化する方法は、例えば
特開平3−192288号公報に記載されている。
2. Description of the Related Art An optical sensor comprising a photoconductive layer having an electrode layer on the front surface and an information recording medium comprising a charge holding layer having an electrode layer provided on the rear surface facing the optical sensor are arranged on the optical axis. And expose while applying voltage between both conductive layers,
A method of recording an electrostatic charge on a charge holding layer according to an incident optical image and reproducing the electrostatic charge by toner development or potential reading is disclosed in, for example, JP-A-1-29036.
No. 6 and Japanese Patent Laid-Open No. 1-289975. Further, the charge retention layer in the above method is a thermoplastic resin layer, electrostatic charges are recorded on the surface of the thermoplastic resin layer and then heated to form a frost image on the surface of the thermoplastic resin layer, thereby recording the electrostatic charge. The method of visualizing the is described in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 3-192288.

【0003】更に、本出願人等は、上記情報記録媒体に
おける情報記録層を高分子分散型液晶層として、上記同
様に電圧印加時露光し、光センサーにより形成される電
界により液晶層を配向させて情報記録を行い、情報記録
の再生にあたっては透過光あまいは反射光により可視情
報として再生する情報記録再生方法を、先に出願(特願
平2−186023号、特願平3−10847号)し
た。この情報記録再生方法は偏向板を使用しなくとも記
録された情報を可視化できる。
Furthermore, the applicant of the present invention, the information recording layer in the above information recording medium is a polymer dispersion type liquid crystal layer, and is exposed under voltage application similarly to the above, and the liquid crystal layer is aligned by an electric field formed by a photosensor. Information recording / reproducing method in which information recording is performed by reproducing information as visible information by transmitting light or reflected light when reproducing information recording (Japanese Patent Application Nos. 2-186023 and 3-10847) did. This information recording / reproducing method makes it possible to visualize recorded information without using a deflector.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のごと
き情報記録媒体への情報形成に使用される光センサーで
あって、情報形成能に優れ、情報記録感度の向上した光
センサーおよび情報記録システムの提供を課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is an optical sensor used for forming information on an information recording medium as described above, which is excellent in information forming ability and has improved information recording sensitivity and information recording. The challenge is to provide a system.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の光センサーは、
基材上に電極層を設け、該電極層上に光導電層を積層し
てなる光センサーと、電極層上に電界または電荷により
情報記録が可能な情報記録層を積層してなる情報記録媒
体とが対向させて配置され、両電極層間に電圧を印加し
た状態での情報露光により情報記録媒体への情報記録を
可能とする情報記録システムに使用する光センサーの光
導電層が下記の式(1)で表されるピロロピロール化合
物を含有する光センサーである。
The optical sensor of the present invention comprises:
An optical sensor in which an electrode layer is provided on a base material and a photoconductive layer is laminated on the electrode layer, and an information recording medium in which an information recording layer capable of recording information by an electric field or electric charge is laminated on the electrode layer. And the photoconductive layer of the photosensor used in the information recording system which is arranged so as to face each other and enables the information recording on the information recording medium by the information exposure in the state where the voltage is applied between the two electrode layers. It is an optical sensor containing the pyrrolopyrrole compound represented by 1).

【0006】[0006]

【化3】 [Chemical 3]

【0007】上記の化学構造式中において、AおよびB
は同一または異なったアルキル基、アルアルキル基、シ
クロアルキル基、炭素環もしくは複素環式の芳香族基を
表し、R1 、R2 は、水素原子または水溶性を付与しな
い置換基を表す。また、光センサーが、基材上に電極
層、光導電層を積層し、情報記録媒体に付与される電界
強度または電荷量が光照射につれて増幅され、また光照
射を終了した後でも電圧を印加し続けるとその導電性を
持続し、引き続き電界強度または電荷量を情報記録媒体
に付与し続ける作用を有する光センサーである。また、
基材上に形成した電極層上に上記の化学構造式で示され
るピロロピロール化合物を含有する光導電層を有する光
センサーと、電極層上に電界または電荷により情報記録
が可能な情報記録層を積層してなる情報記録媒体とが対
向させて配置され、両電極間に電圧を印加した状態での
情報露光により情報記録媒体への情報記録を可能とする
情報記録システムである。
In the above chemical structural formulas, A and B
Represent the same or different alkyl groups, aralkyl groups, cycloalkyl groups, carbocyclic or heterocyclic aromatic groups, and R 1 and R 2 represent hydrogen atoms or substituents which do not impart water solubility. In addition, an optical sensor has an electrode layer and a photoconductive layer laminated on a base material, and the electric field strength or the amount of electric charge applied to the information recording medium is amplified as the light is irradiated, and a voltage is applied even after the light irradiation is completed. It is an optical sensor that has the effect of continuing its conductivity when continuously kept on, and then continuously applying the electric field strength or the amount of charge to the information recording medium. Also,
An optical sensor having a photoconductive layer containing a pyrrolopyrrole compound represented by the above chemical structural formula on an electrode layer formed on a substrate, and an information recording layer capable of recording information by an electric field or electric charge on the electrode layer. This is an information recording system which is arranged so as to face a laminated information recording medium and enables information recording on the information recording medium by information exposure in a state where a voltage is applied between both electrodes.

【0008】以下、本発明を詳細に説明する。まず、本
発明の光センサーは、電極層上に光導電層を積層してお
り、その光導電層には電荷発生層及び電荷輸送層を積層
している。光導電層は、一般には光が照射されると照射
部分で光キャリア(電子、正孔)が発生し、それらのキ
ャリアが層幅を移動することができる機能を有するもの
であり、特に電界が存在する場合にその効果が顕著であ
る層であるが、本発明の光センサーは、後述する光導電
層と電極層とを適宜組合せることにより、光センサーへ
の光照射時において情報記録媒体に付与される電界また
は電荷量が光照射につれて増幅され、また光照射を終了
した後でも電圧を印加し続けるとその導電性を持続し、
引続き電界強度または電荷量を情報記録媒体に付与し続
ける作用を有するに到るものである。
The present invention will be described in detail below. First, in the photosensor of the present invention, a photoconductive layer is laminated on an electrode layer, and a charge generation layer and a charge transport layer are laminated on the photoconductive layer. The photoconductive layer generally has a function of generating photocarriers (electrons and holes) in the irradiated portion when irradiated with light, and these carriers can move in the layer width. Although the effect is significant when present, the photosensor of the present invention is an information recording medium at the time of light irradiation to the photosensor by appropriately combining a photoconductive layer and an electrode layer described below. The applied electric field or the amount of electric charge is amplified as the light is irradiated, and even after the light irradiation is finished, the conductivity is maintained when the voltage is continuously applied,
The function of continuously applying the electric field strength or the charge amount to the information recording medium is obtained.

【0009】図1は本発明の光センサーを説明する断面
図であり、光導電層が電荷発生層と電荷輸送層の二層か
ら構成されている光センサー1を示している。光センサ
ーは基板15に形成した電極層13上に、電荷発生層1
4′および電荷輸送層14″からなる光導電層が形成さ
れている。本発明の光センサーの光導電層を形成する電
荷発生層14′は、下記の化学構造式で示されるピロロ
ピロール系化合物を含有している。
FIG. 1 is a sectional view for explaining an optical sensor of the present invention, showing an optical sensor 1 in which a photoconductive layer is composed of two layers, a charge generation layer and a charge transport layer. The optical sensor has the charge generation layer 1 on the electrode layer 13 formed on the substrate 15.
4'and a charge transport layer 14 '' are formed. The charge generation layer 14 'forming the photoconductive layer of the photosensor of the present invention is a pyrrolopyrrole compound represented by the following chemical structural formula. Contains.

【0010】[0010]

【化4】 [Chemical 4]

【0011】上記の化学構造式中において、AおよびB
は同一または異なったアルキル基、アルアルキル基、シ
クロアルキル基、炭素環もしくは複素環式の芳香族基を
表し、R1 、R2 は、水素原子または水溶性を付与しな
い置換基を表す。また、AおよびBは同一または異なっ
た下記の式(2)で表される基を有する化合物である。
In the above chemical formula, A and B
Represent the same or different alkyl groups, aralkyl groups, cycloalkyl groups, carbocyclic or heterocyclic aromatic groups, and R 1 and R 2 represent hydrogen atoms or substituents which do not impart water solubility. A and B are compounds having the same or different groups represented by the following formula (2).

【0012】[0012]

【化5】 [Chemical 5]

【0013】上記の式(2)において、置換基X、Yお
よびZは、水素原子、ハロゲン原子、トリフルオロメチ
ル基、シアノ基、炭素原子数1〜12のアルキル基、炭
素原子数1〜12のアルコキシ基、炭素原子数1〜12
のアルキルメルカプト基、炭素原子数2〜4のアルコキ
シカルボニル基、炭素原子数2〜6のジアルキルアミノ
基、または各々未置換もしくはハロゲン原子、炭素原子
数1〜6のアルキル基もしくは炭素原子数1〜6のアル
コキシ基により置換されたフェノキシ基、フェニルメル
カプト基もしくはフェノキシカルボニル基を表し、置換
基X、YおよびZは、異なっていても同一でも良く、X
およびZのうち少なくとも1個は水素原子を表す。
In the above formula (2), the substituents X, Y and Z are hydrogen atom, halogen atom, trifluoromethyl group, cyano group, alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and 1 to 12 carbon atoms. Alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms
, An alkylmercapto group, an alkoxycarbonyl group having 2 to 4 carbon atoms, a dialkylamino group having 2 to 6 carbon atoms, or an unsubstituted or halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or 1 to carbon atoms, respectively. A phenoxy group, a phenylmercapto group or a phenoxycarbonyl group substituted by an alkoxy group of 6, wherein the substituents X, Y and Z may be different or the same, X
And at least one of Z represents a hydrogen atom.

【0014】また、式(1)中において、アルキル基と
してAおよびBは直鎖もしくは分岐を有する飽和または
不飽和であることができ、好ましくは1〜18個、より
好ましくは1〜12個の炭素原子を含有し、例えばメチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n
−ブチル基、第二ブチル基、第三ブチル基、第三アミル
基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、1,1,3,3
−テトラメチルブチル基、n−ヘプチル基、n−オクチ
ル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基
またはステアリル基である。
In the formula (1), A and B as an alkyl group may be linear or branched, saturated or unsaturated, preferably 1-18, more preferably 1-12. Containing a carbon atom, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n
-Butyl group, secondary butyl group, tertiary butyl group, tertiary amyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, 1,1,3,3
-Tetramethylbutyl group, n-heptyl group, n-octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group or stearyl group.

【0015】アルアルキル基としてのAおよびBは、直
鎖もしくは分岐を有する炭素原子数1〜12が好まし
く、より好ましくは炭素原子数1〜6、さらに好ましく
は炭素原子数1〜4のアルキル基もしくアルケニル基を
有する単環ないし三環式、最も好ましくは単環式もしく
は二環式のアリール基を含むものである。そのようなア
ルアルキル基の例としてはベンジル基およびフェニルエ
チル基が挙げられる。また、芳香族基としてのAおよび
Bは、好ましくは単環式ないし四環式の基、より好まし
くは単環式もしくは二環式の基であり、例えばフェニル
基、ジフェニル基またはナフチル基である。また、複素
環式芳香族基としてのAおよびBは、好ましくは単環式
ないしは三環式の基である。これらの基は純粋な複素環
式基または複素環式基と1個もしくはそれ以上の縮合し
たベンゼン環を含有するものであることができ、例えば
ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニ
ル基、フラニル基、ピロリル基、チオフェニル基、キノ
リル基、クマリニル基、ベンゾフラニル基、ベンズイミ
ダゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ジベンゾフラニル
基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、カルバゾリ
ル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾル基、
イソオキサゾル基、チアゾリル基、インダゾリル基、ベ
ンゾチアゾリル基、ピリダゾジニル基、シンノリル基、
キナゾリル基、キノキサリル基、フタラジニル基、フタ
ラジンジオニル基、フタルイミジル基、クロモニル基、
ナフトラクタミル基、ベンゾピリドニル基、マレイミジ
ル基、ナフタリジニル基、ベンズイミダゾロニル基、ベ
ンゾオキサゾロニル基、ベンゾチアゾロニル基、キナゾ
ロニル基、ピリミジル基、キノキサロニル基、フタロゾ
ニル基、ジオキサピリミジニル基、ピリドニル基、イソ
キロノニル基、イソキノリニル基、ベンズイソキサゾリ
ル基、ベンズイソチアゾリル基、インダゾロニル基、ア
クリジニル基、アクリドニル基、キナゾリンジオニル
基、キノキサリンジオニル基、ベンゾキサチンジオニル
基およびナフタルイミジル基である。また、芳香族環お
よび複素環式芳香族環のいずれも置換基を有していても
良い。
A and B as the aralkyl group preferably have 1 to 12 carbon atoms having a straight or branched chain, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and further preferably 1 to 4 carbon atoms. It includes a monocyclic to tricyclic aryl group having an alkenyl group, and most preferably a monocyclic or bicyclic aryl group. Examples of such aralkyl groups include benzyl and phenylethyl groups. A and B as aromatic groups are preferably monocyclic or tetracyclic groups, more preferably monocyclic or bicyclic groups such as phenyl group, diphenyl group or naphthyl group. . A and B as the heterocyclic aromatic group are preferably monocyclic or tricyclic groups. These groups can be pure heterocyclic groups or those containing one or more fused benzene rings with a heterocyclic group, for example pyridyl, pyrimidyl, pyrazinyl, triazinyl, furanyl. Group, pyrrolyl group, thiophenyl group, quinolyl group, coumarinyl group, benzofuranyl group, benzimidazolyl group, benzoxazolyl group, dibenzofuranyl group, benzothiophenyl group, indolyl group, carbazolyl group, pyrazolyl group, imidazolyl group, oxazole Base,
Isoxazol group, thiazolyl group, indazolyl group, benzothiazolyl group, pyridazodinyl group, cinnolyl group,
Quinazolyl group, quinoxalyl group, phthalazinyl group, phthalazine dionyl group, phthalimidyl group, chromonyl group,
Naphtholactamyl group, benzopyridonyl group, maleimidyl group, naphthalidinyl group, benzimidazolonyl group, benzoxazolonyl group, benzothiazolonyl group, quinazolonyl group, pyrimidyl group, quinoxalonyl group, phthalozonyl group, dioxapyrimidinyl group, pyridonyl A group, an iskylononyl group, an isoquinolinyl group, a benzisoxazolyl group, a benzisothiazolyl group, an indazolonyl group, an acridinyl group, an acridonyl group, a quinazoline dionyl group, a quinoxaline dionyl group, a benzoxanthionionyl group and a naphthalimidyl group. is there. Further, both the aromatic ring and the heterocyclic aromatic ring may have a substituent.

【0016】また、式(1)中において、水溶性を有し
ない置換基としてのR1 、R2 は、例えば直鎖もしくは
分岐した飽和もしくは不飽和の炭素原子数1ないし18
が好ましく、より好ましくは炭素原子数1ないし12の
アルキル基である。これらの基は未置換でも、ヒドロキ
シル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシルオキシ
基、アルキルメルカプト基、アルコキシカルボニル基も
しくはシアノ基で置換されていても良い。そのような基
としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ
プロピル基、n−ブチル基、第2ブチル基、第3ブチル
基、メチルブチル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
ステアリル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチ
ル基、トリフルオロエチル基、シアノエチル基、メトキ
シカルボニルメチル基またはアセトキシメチル基が挙げ
られる。さらに、R1 、R2 は、アリール基であっても
良く、好ましくは未置換もしくはハロゲン原子、炭素原
子数1ないし12のアルキル基、炭素原子数1ないし1
2のアルコキシ基、炭素原子数1ないし12のアルキル
メルカプト基、トリフルオロメチル基もしくはニトロ基
により置換されたフェニル基であり、R1 、R2 が水素
原子である化合物がとくに好ましい。
In the formula (1), R 1 and R 2 as water-insoluble substituents are, for example, linear or branched saturated or unsaturated carbon atoms having 1 to 18 carbon atoms.
Is more preferable, and an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms is more preferable. These groups may be unsubstituted or substituted with a hydroxyl group, a halogen atom, an alkoxy group, an acyloxy group, an alkylmercapto group, an alkoxycarbonyl group or a cyano group. Examples of such a group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a secondary butyl group, a tertiary butyl group, a methylbutyl group, an n-heptyl group, an n-octyl group and a nonyl group. Group, decyl group, undecyl group, dodecyl group,
Examples thereof include stearyl group, hydroxymethyl group, trifluoromethyl group, trifluoroethyl group, cyanoethyl group, methoxycarbonylmethyl group and acetoxymethyl group. Further, R 1 and R 2 may be an aryl group, preferably unsubstituted or halogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or 1 to 1 carbon atom.
A compound which is a phenyl group substituted by an alkoxy group having 2 carbon atoms, an alkylmercapto group having 1 to 12 carbon atoms, a trifluoromethyl group or a nitro group, and in which R 1 and R 2 are hydrogen atoms is particularly preferable.

【0017】さらに、好ましい化合物は、AおよびBが
同一もしくは異なって式(2)で示される基を有する化
合物である。とくに好ましい化合物は、A、Bが式
(3)において、X1 、Y1 のうち一方は水素原子、塩
素原子、臭素原子、メチル基、シアノ基、N,H−ジメ
チルアミノ基、N,H−ジエチルアミノ基、炭素原子数
1ないし12のアルコキシ基、炭素原子数1ないし12
のアルキルメルカプト基または炭素原子数2ないし4の
アルコキシカルボニル基を表し、もう一方の置換基は水
素原子を表す(1)の化合物である。X1 、Y1 は、ジ
チオケトピロロピロール基に対してオルト、メタ、パラ
位に位置しており、メタまたはパラ位に位置することが
好ましい。
Further, a preferred compound is a compound in which A and B are the same or different and each has a group represented by the formula (2). Particularly preferred compounds are those in which in formula (3), one of X 1 and Y 1 is hydrogen atom, chlorine atom, bromine atom, methyl group, cyano group, N, H-dimethylamino group, N, H. -Diethylamino group, alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms
Is an alkylmercapto group or an alkoxycarbonyl group having 2 to 4 carbon atoms, and the other substituent is a hydrogen atom (1). X 1 and Y 1 are located at the ortho, meta or para position with respect to the dithioketopyrrolopyrrole group, and preferably located at the meta or para position.

【0018】[0018]

【化6】 [Chemical 6]

【0019】光導電層を形成する上記の電荷発生剤はバ
インダー樹脂と混合して光導電層を形成している。バイ
ンダー樹脂の混合比は、電荷発生剤1重量部に対してバ
インダー樹脂を0〜10重量部、好ましくは0.1〜1
重量部の割合で使用するとことが望ましい。電荷発生層
は乾燥後膜厚として0.01〜1μmであり、好ましく
は0.1〜0.3μmとするとよい。また、これらの電
荷発生物質は、蒸着、スパッタリング等の薄膜形成手段
で用いることもでき、これらの方法の場合には、バイン
ダー樹脂を用いる必要はなく、膜の均一性も優れてい
る。たとえば、上記ピロロピロール系顔料やフタロシア
ニン系顔料等では膜形成後、トルエン、キシレン等の溶
媒雰囲気下に曝すことができることや、さらにそのよう
な処理を行わず、電荷輸送層を積層する際のコーティン
グ溶媒で同様の変化をもたらすこともできる。膜厚は
0.1〜1μm、好ましくは0.1〜0.5μmであ
る。
The above charge generating agent forming the photoconductive layer is mixed with a binder resin to form the photoconductive layer. The mixing ratio of the binder resin is 0 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 1 part by weight of the binder resin to 1 part by weight of the charge generating agent.
It is desirable to use it in a ratio of parts by weight. The thickness of the charge generation layer after drying is 0.01 to 1 μm, preferably 0.1 to 0.3 μm. Further, these charge generating substances can also be used in thin film forming means such as vapor deposition and sputtering. In these methods, it is not necessary to use a binder resin and the film uniformity is excellent. For example, the above-mentioned pyrrolopyrrole-based pigments and phthalocyanine-based pigments can be exposed to a solvent atmosphere of toluene, xylene or the like after forming a film, and coating when stacking a charge transport layer without further performing such treatment. Similar changes can be made with solvents. The film thickness is 0.1 to 1 μm, preferably 0.1 to 0.5 μm.

【0020】また、電荷輸送層14″は電荷輸送物質と
バインダー樹脂とからなる構成されている。電荷輸送物
質は、電荷発生物質で発生した電荷の輸送特性が良い物
質であり、例えば下記に化学構造を示すオキサジアゾー
ル系、オキサゾール系、トリアゾール系、チアゾール
系、トリフェニルメタン系、スチリル系、ピラゾリン
系、ヒドラゾン系、芳香族アミン系、カルバゾール系、
ポリビニルカルバゾール系、スチルベン系、エナミン
系、アジン系、アミン系、トリフェニルアミン系、ブタ
ジエン系、多環芳香族化合物系等があり、ホール輸送性
の良い物質とすることが必要である。
The charge transport layer 14 "is composed of a charge transport material and a binder resin. The charge transport material is a material having a good property of transporting the charge generated by the charge generating material, and is, for example, a chemical compound described below. Oxadiazole type, oxazole type, triazole type, thiazole type, triphenylmethane type, styryl type, pyrazoline type, hydrazone type, aromatic amine type, carbazole type, which show the structure,
There are polyvinylcarbazole-based, stilbene-based, enamine-based, azine-based, amine-based, triphenylamine-based, butadiene-based, polycyclic aromatic compound-based, etc., and it is necessary to use a substance having a good hole transport property.

【0021】好ましくは、トリフェニル系、エナミン
系、ヒドラゾン系、ブタジエン系、スチルベン系電荷輸
送剤が挙げられ、具体的には特開昭62−287257
号公報、特開昭58−182640号公報、特開昭48
−43942号公報、特公昭34−5466号公報、特
開昭58−198043号公報、特開昭57−1018
44号公報、特開昭59−195660号公報、特開昭
60−69657号公報、特開昭64−65555号公
報、特開平1−164952号公報、特開昭64−57
263号公報、特開昭64−68761号公報、特開平
1−230055号公報、特開平1−142654号公
報、特開平1−142655号公報、特開平1−155
358号公報、特開平1−155357号公報、特開平
1−161245号公報、特開平1−142643号公
報等に記載した電荷輸送材料が挙げられる。また、以上
のように電荷として正孔を輸送することに代えて電子を
輸送する場合には、電子輸送物質としては、特願平5−
4721号に記載の電子輸送物質を用いることができ
る。
Preferred examples include triphenyl-based, enamine-based, hydrazone-based, butadiene-based, and stilbene-based charge transfer agents, and specifically, JP-A-62-287257.
JP-A-58-182640, JP-A-48
-43942, JP-B-34-5466, JP-A-58-198043, JP-A-57-1018.
44, JP-A-59-195660, JP-A-60-69657, JP-A-64-65555, JP-A-1-164952, and JP-A-64-57.
No. 263, Japanese Unexamined Patent Publication No. 64-68761, Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-230055, Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-1142654, Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-142655, Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-155.
The charge transport materials described in JP-A No. 358, JP-A No. 1-155357, JP-A No. 1-161245, and JP-A No. 1-142643 are mentioned. Further, in the case of transporting electrons instead of transporting holes as charges as described above, as an electron transporting substance, Japanese Patent Application No.
The electron transport material described in No. 4721 can be used.

【0022】バインダー樹脂としては、上記した電荷発
生層におけるバインダー樹脂と同様のものが使用できる
が、好ましくはポリカーボネート樹脂、スチレン樹脂、
スチレン−ブタジエン共重合体樹脂である。バインダー
樹脂は、電荷輸送剤1重量部に対して0〜10重量部、
好ましくは0.1〜1重量部の割合で使用することが望
ましい。電荷輸送層は乾燥後膜厚として1〜50μmで
あり、好ましくは10〜30μmとするとよい。
As the binder resin, the same binder resins as those mentioned above in the charge generation layer can be used, but preferably a polycarbonate resin, a styrene resin,
It is a styrene-butadiene copolymer resin. The binder resin is 0 to 10 parts by weight with respect to 1 part by weight of the charge transport material,
It is desirable to use it in a ratio of preferably 0.1 to 1 part by weight. The thickness of the charge transport layer after drying is 1 to 50 μm, preferably 10 to 30 μm.

【0023】また、電荷発生層もしくは電荷輸送層に
は、必要に応じて光持続導電性付与剤が添加される。上
述の電荷発生層および電荷輸送層は、それ自体光持続導
電性を有するが、この持続導電性付与剤は、電荷発生層
および電荷輸送層における光持続導電性を強化させるこ
とを目的として添加されるものである。このような光持
続導電性付与剤としては、特願平5−4721号に記載
されているようなアリールメタン系色素、ジアゾニウム
塩類、酸無水物、o−ベンゾスルホイミド、ニンヒドリ
ン類、シアノ化合物、ニトロ化合物、塩化スルホニル
類、ジフェニルまたはトリフェニルメタン類、o−ベン
ゾイル安息香酸、ロイコ色素群が挙げられる。これらの
光持続導電性付与剤は、電荷発生物質1重量部に対して
0.001〜1重量部、好ましくは0.001〜0.1
重量部の割合で添加される。光持続導電性付与剤の添加
量が1重量部を越えると、光センサーとしての光導電性
機能が著しく低下するので好ましくない。
If necessary, a photo-sustaining conductivity imparting agent is added to the charge generation layer or the charge transport layer. The above-mentioned charge generation layer and charge transport layer have photosustainability by themselves, but this persistence-conducting agent is added for the purpose of enhancing photosustainability in the charge generation layer and charge transport layer. It is something. Examples of such a photo-sustaining conductivity imparting agent include aryl methane dyes, diazonium salts, acid anhydrides, o-benzosulfoimides, ninhydrins, cyano compounds as described in Japanese Patent Application No. 5-4721. Examples include nitro compounds, sulfonyl chlorides, diphenyl or triphenylmethanes, o-benzoylbenzoic acid, and leuco dyes. These photo-sustaining conductivity imparting agents are added in an amount of 0.001 to 1 part by weight, preferably 0.001 to 0.1 part by weight, relative to 1 part by weight of the charge generating substance.
It is added in a proportion of parts by weight. If the amount of the photo-sustaining conductivity-imparting agent added exceeds 1 part by weight, the photo-conductivity function of the photosensor is significantly deteriorated, which is not preferable.

【0024】また、上記光持続導電性付与物質は、分光
感度が可視光領域にないものもあり、可視光領域の光情
報を利用する場合には、可視光領域での感度を付与する
ために電子受容性物質、増感色素等を更に添加すること
ができる。電子受容性物質としては、例えばニトロ置換
ベンゼン、ジアノ置換ベンゼン、ハロゲン置換ベンゼ
ン、キノン類、トリニトロフルオレノン等がある。また
増感色素としてはトリフェニルメタン色素、ピリリウム
塩色素、キサンテン色素などが挙げられる。電子受容性
物質、増感色素等は、電荷発生物質1重量部に対して
0.001〜1重量部、好ましくは0.01〜1重量部
の割合で添加される。同時に光情報が赤外領域にある場
合には、フタロシアニン等の顔料、ピロール系、シアニ
ン系等の色素を同量程度添加するとよく、逆に紫外領域
にあるいはそれ以下の波長域に情報光がある場合には、
それぞれの波長吸収物質を同量添加することで目的が達
成される。
Some of the photo-sustaining conductivity-imparting substances do not have a spectral sensitivity in the visible light region, and when optical information in the visible light region is used, in order to impart sensitivity in the visible light region. An electron accepting substance, a sensitizing dye and the like can be further added. Examples of the electron accepting substance include nitro-substituted benzene, diano-substituted benzene, halogen-substituted benzene, quinones and trinitrofluorenone. Examples of the sensitizing dye include triphenylmethane dye, pyrylium salt dye and xanthene dye. The electron accepting substance, the sensitizing dye and the like are added in a proportion of 0.001 to 1 part by weight, preferably 0.01 to 1 part by weight, relative to 1 part by weight of the charge generating substance. At the same time, when the optical information is in the infrared region, it is advisable to add a pigment such as phthalocyanine or the like, a pyrrole-based dye, a cyanine-based dye or the like in the same amount, and vice versa. in case of,
The purpose is achieved by adding the same amount of each wavelength absorbing substance.

【0025】また、有機化合物からなる電荷発生層の形
成には、溶剤としてジクロロエタン、1,1,2−トリ
クロロエタン、クロロベンゼン、テトラヒドロフラン、
シクロヘキサノン、ジオキサン、1,2,3−トリクロ
ロプロパン、エチルセルソルブ、1,1,1−トリクロ
ロエタン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、クロ
ロホルム、トルエン等を使用して塗布溶液とするとよ
く、塗布方法としては、ブレードコーティング法、ディ
ッピング法、スピンナーコーティング法等が挙げられ
る。
Further, in forming the charge generating layer made of an organic compound, dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, tetrahydrofuran, and
Cyclohexanone, dioxane, 1,2,3-trichloropropane, ethyl cellosolve, 1,1,1-trichloroethane, dichloromethane, methyl ethyl ketone, chloroform, toluene, etc. may be used as a coating solution. The coating method may be blade coating. Method, dipping method, spinner coating method and the like.

【0026】また、本発明のセンサーには、電荷注入制
御層を電極と電荷発生層の間に形成しても良い。電荷注
入制御層は、光センサーにおける電極層13から電荷発
生層14′への電荷注入性を制御して情報記録媒体に実
質的に印加される電圧を調節するために設けられるもの
である。このような電荷注入制御層は、情報記録媒体に
おける情報記録層が、特に、後述するような高分子分散
型液晶層である場合に、液晶の動作電圧領域に光センサ
ーの感度を設定することが必要である。つまり、露光部
において情報記録媒体に印加される電位(明電位)と未
露光部において情報記録媒体に印加される電位(暗電
位)との差(コントラスト電位)を情報記録媒体におけ
る液晶の動作領域において大きく取ることが必要である
からである。
In the sensor of the present invention, the charge injection control layer may be formed between the electrode and the charge generation layer. The charge injection control layer is provided to control the charge injection property from the electrode layer 13 to the charge generation layer 14 'in the photosensor to adjust the voltage substantially applied to the information recording medium. Such a charge injection control layer can set the sensitivity of the optical sensor in the operating voltage region of the liquid crystal, particularly when the information recording layer in the information recording medium is a polymer dispersed liquid crystal layer as described later. is necessary. That is, the difference (contrast potential) between the potential (bright potential) applied to the information recording medium in the exposed portion and the potential (dark potential) applied to the information recording medium in the unexposed portion is calculated as the operating area of the liquid crystal in the information recording medium. This is because it is necessary to take a large amount in.

【0027】そのため、例えば光センサーの未露光部に
対応する液晶層に印加される暗電位は液晶の動作開始電
位程度に設定する必要がある。そのために光センサーバ
ルクに105 V/cm〜106 V/cmの電界が与えら
れた状態で10-4〜10-8A/cm2 の暗電流が生じる
程度の導電性が要求され、好ましくは10-5〜10-6
/cm2 の範囲が好ましい。暗電流が10-8A/cm2
以下の光センサーでは液晶層が露光状態でも配向せず、
また10-4A/cm2 以上の暗電流の光センサーでは未
露光状態でも電圧印加と同時に電流が多く流れ、液晶が
配向し露光したとしても露光による透過率の差が得られ
ない。電荷注入制御層は、このような情報記録媒体の特
性との関係で適宜設けられる。
Therefore, for example, the dark potential applied to the liquid crystal layer corresponding to the unexposed portion of the photosensor needs to be set to about the operation start potential of the liquid crystal. Therefore, the photosensor bulk is required to have such conductivity that a dark current of 10 −4 to 10 −8 A / cm 2 is generated in a state where an electric field of 10 5 V / cm to 10 6 V / cm is applied. Is 10 -5 to 10 -6 A
The range of / cm 2 is preferable. Dark current of 10 -8 A / cm 2
In the following optical sensors, the liquid crystal layer does not align even when exposed,
Further, in a photosensor having a dark current of 10 −4 A / cm 2 or more, a large amount of current flows simultaneously with voltage application even in an unexposed state, and even if the liquid crystal is aligned and exposed, a difference in transmittance due to exposure cannot be obtained. The charge injection control layer is appropriately provided in relation to the characteristics of such an information recording medium.

【0028】電極層13は、後述する情報記録媒体が不
透明であれば透明性を有することが必要であるが、情報
記録媒体が透明性を有する場合には透明、不透明いずれ
でもよく、50〜104 Ω/cm2 の表面抵抗率を安定し
て与える材料、例えば亜鉛、チタン、銅、鉄、錫等の金
属薄膜導電膜、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸
化チタン、酸化タングステン、酸化バナジウム等の無機
金属酸化物導電膜、四級アンモニウム塩等の有機導電膜
等であり、単独か或いは二種以上の複合材料として用い
られる。なかでも酸化物半導体が好ましく、特に酸化イ
ンジウム酸化錫複合酸化物(ITO)が好ましい。電極
層13は蒸着、スパッタリング、CVD、コーティン
グ、メッキ、ディッピング、電解重合等の方法により形
成される。またその膜厚は電極を構成する材料の電気特
性、および情報記録の際の印加電圧により変化させる必
要があるが、例えばITO膜では10〜300nm程度
であり、情報記録層との間の全面、或いは光導電層の形
成パターンに合わせて形成される。
The electrode layer 13 is required to have transparency if the information recording medium described later is opaque, but if the information recording medium is transparent, it may be transparent or opaque. Materials that stably provide a surface resistivity of 4 Ω / cm 2 , for example, metal thin film conductive films of zinc, titanium, copper, iron, tin, etc., tin oxide, indium oxide, zinc oxide, titanium oxide, tungsten oxide, vanadium oxide And the like, and organic conductive films such as a quaternary ammonium salt, which are used alone or as a composite material of two or more kinds. Of these, oxide semiconductors are preferable, and indium oxide-tin oxide composite oxide (ITO) is particularly preferable. The electrode layer 13 is formed by a method such as vapor deposition, sputtering, CVD, coating, plating, dipping, and electrolytic polymerization. The film thickness needs to be changed depending on the electrical characteristics of the material forming the electrodes and the applied voltage at the time of information recording. For example, the thickness of the ITO film is about 10 to 300 nm, and the entire surface between the information recording layer and Alternatively, it is formed according to the formation pattern of the photoconductive layer.

【0029】基板15は、後述する情報記録媒体が不透
明であれば透明性を有することが必要であるが、情報記
録媒体が透明性を有する場合には透明、不透明いずれで
もよく、カード、フィルム、テープ、ディスク等の形状
を有し、光センサーを強度的に支持するものである。光
センサー自体が支持性を有する場合には設ける必要がな
いが、光センサーを支持することができるある程度の強
度を有していれば、その材質、厚みは特に制限がない。
例えば可撓性のあるプラスチックフィルム、或いはガラ
ス、ポリエステル、ポリカーボネート等のプラスチック
シート、カード等の剛体が使用される。なお、基板の電
極層13が設けられる面の他方の面には、電極層13が
透明であれば必要に応じて反射防止効果を有する層を積
層するか、また反射防止効果を発現しうる膜厚に透明基
板を調整するか、更に両者を組み合わせることにより反
射防止性を付与するとよい。
The substrate 15 is required to have transparency if the information recording medium described later is opaque. However, if the information recording medium is transparent, it may be transparent or opaque. It has the shape of a tape, disk, etc., and strongly supports the optical sensor. If the optical sensor itself has supportability, it is not necessary to provide it, but the material and thickness thereof are not particularly limited as long as it has a certain strength capable of supporting the optical sensor.
For example, a flexible plastic film, a plastic sheet such as glass, polyester, or polycarbonate, or a rigid body such as a card is used. If the electrode layer 13 is transparent, a layer having an antireflection effect may be laminated on the other surface of the substrate on which the electrode layer 13 is provided, or a film capable of exhibiting the antireflection effect. The antireflection property may be imparted by adjusting the thickness of the transparent substrate or by combining the two.

【0030】次に、本発明の情報記録システムについて
説明する。図2は、第1の情報記録システムの態様をそ
の断面により模式的に説明するための図で、情報記録層
11、電極層13′を順次積層した情報記録媒体2と上
述した光センサー1とをスペーサー19を配置して、光
センサーと情報記録媒体との間に空隙を設けて対向配置
し、積層して構成される。
Next, the information recording system of the present invention will be described. FIG. 2 is a diagram for schematically explaining the aspect of the first information recording system by its cross section. The information recording medium 2 in which the information recording layer 11 and the electrode layer 13 ′ are sequentially laminated and the optical sensor 1 described above are shown. A spacer 19 is arranged, and a space is provided between the optical sensor and the information recording medium so as to face each other and are laminated.

【0031】情報記録媒体2について説明する。まず、
本発明における情報記録媒体としては、その情報記録層
を高分子分散型液晶とする場合が挙げられる。本発明に
おける高分子分散型液晶は液晶相中に合成樹脂粒子が分
散した構造を有しているが、液晶材料は、スメクチック
液晶、ネマチック液晶、コレステリック液晶あるいはこ
れらの混合物を使用することができる。液晶としては、
その配向性を保持し、情報を永続的に保持させるメモリ
ー性の観点から、スメクチック液晶を使用するのが好ま
しい。スメクチック液晶としては、液晶性を呈する物質
の末端基の炭素鎖が長いシアノビフェニル系、シアノタ
ーフェニル系、フェニルエステル系、更に弗素系等のス
メクチックA相を呈する液晶物質、強誘電性液晶として
用いられるスメクチックC相を呈する液晶物質、或いは
スメクチックH、G、E、F等を呈する液晶物質等が挙
げられる。
The information recording medium 2 will be described. First,
Examples of the information recording medium in the present invention include a case where the information recording layer is polymer dispersed liquid crystal. The polymer-dispersed liquid crystal in the present invention has a structure in which synthetic resin particles are dispersed in the liquid crystal phase, and as the liquid crystal material, smectic liquid crystal, nematic liquid crystal, cholesteric liquid crystal, or a mixture thereof can be used. As a liquid crystal,
It is preferable to use a smectic liquid crystal from the viewpoint of a memory property that retains its orientation and permanently retains information. As the smectic liquid crystal, a liquid crystal substance exhibiting a smectic A phase such as a cyanobiphenyl type, a cyanoterphenyl type, a phenyl ester type, or a fluorine type having a long carbon chain at a terminal group of a substance exhibiting liquid crystallinity, and a ferroelectric liquid crystal Examples thereof include a liquid crystal substance exhibiting a smectic C phase, a liquid crystal substance exhibiting smectic H, G, E, F and the like.

【0032】又、ネマチック液晶を使用してもよく、ス
メクチック或いはコレステリック液晶と混合することに
よりメモリー性を向上させることができ、例えば、シッ
フ塩基系、アゾキシ系、アゾ系、安息香酸フェニルエス
テル系、シクロヘキシル酸フェニルエステル系、ビフェ
ニル系、ターフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、
フェニルピリジン系、フェニルオキサジン系、多環エタ
ン系、フェニルシクロヘキセン系、シクロヘキシルピリ
ミジン系、フェニル系、トラン系等の公知のネマチック
液晶を使用できる。又、ポリビニルアルコール等と液晶
材料を混合してマイクロカプセル化したものも使用でき
る。なお、液晶材料を選ぶ際には、屈折率の異方向性の
大きい材料の方がコントラストがとれるので好ましい。
A nematic liquid crystal may be used, and the memory property can be improved by mixing it with a smectic or cholesteric liquid crystal. For example, a Schiff base type, an azoxy type, an azo type, a benzoic acid phenyl ester type, Cyclohexyl acid phenyl ester type, biphenyl type, terphenyl type, phenyl cyclohexane type,
Known nematic liquid crystals such as phenyl pyridine type, phenyl oxazine type, polycyclic ethane type, phenyl cyclohexene type, cyclohexyl pyrimidine type, phenyl type and tolan type can be used. Also, a microcapsule obtained by mixing polyvinyl alcohol or the like with a liquid crystal material can be used. When selecting a liquid crystal material, it is preferable to use a material having a large anisotropy in the refractive index because the contrast can be obtained.

【0033】樹脂粒子を形成する材料としては、例え
ば、紫外線硬化型樹脂であって、モノマー、オリゴマー
の状態で液晶材料と相溶性を有するもの、或いはモノマ
ー、オリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶性
を有するものを好ましく使用できる。このような紫外線
硬化型樹脂としては、例えばアクリル酸エステル、メタ
クリル酸エステル等が挙げられ、モノマー、オリゴマー
の状態で、例えばジペンタエリスリトールヘキサアクリ
レート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ポ
リエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレン
グリコールジアクリレート、イソシアヌール酸(エチレ
ンオキサイド変性)トリアクリレート、ジペンタエリス
リトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトール
テトラアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリ
レート、ヘキサンジオールジアクリレート等の多官能性
モノマー或いは多官能性ウレタン系、エステル系オリゴ
マー、更にノニルフェノール変性アクリレート、N−ビ
ニル−2−ピロリドン、2−ヒドロキシ−3−フェノキ
シプロピルアクリレート等の単官能性モノマー或いはオ
リゴマー等が挙げられる。溶媒としては、共通の溶媒で
あれば特に問題はなく、例えばキシレン等に代表される
炭化水素系溶媒、クロロホルム等に代表されるハロゲン
化炭化水素系溶媒、メチルセロソルブ等に代表されるア
ルコール誘導体系溶媒、ジオキサン等に代表されるエー
テル系溶媒等が挙げられる。
The material for forming the resin particles is, for example, an ultraviolet curable resin that is compatible with the liquid crystal material in the monomer or oligomer state, or a solvent common to the liquid crystal material in the monomer or oligomer state. Those having compatibility with can be preferably used. Examples of such an ultraviolet curable resin include acrylic acid ester, methacrylic acid ester and the like, and in a monomer or oligomer state, for example, dipentaerythritol hexaacrylate, trimethylolpropane triacrylate, polyethylene glycol diacrylate, polypropylene glycol. Diacrylate, isocyanuric acid (ethylene oxide modified) triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol tetraacrylate, neopentyl glycol diacrylate, hexanediol diacrylate, etc. -Based oligomer, further nonylphenol-modified acrylate, N-vinyl-2-pyrrolidone, 2-hydroxy-3-phenoxy Monofunctional monomers or oligomers such as acrylate and the like. The solvent is not particularly limited as long as it is a common solvent, for example, a hydrocarbon-based solvent represented by xylene or the like, a halogenated hydrocarbon-based solvent represented by chloroform or the like, or an alcohol derivative-based represented by methyl cellosolve or the like. Examples thereof include solvents and ether solvents such as dioxane.

【0034】紫外線硬化型樹脂を硬化させる光硬化剤と
しては、例えば2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェ
ニルプロパン−1−オン(メルク社製 ダロキュア11
73)、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
(チバ・ガイギー社製 イルガキュア184)、1−
(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−
メチルプロパン−1−オン(メルク社製 ダロキュア1
116)、ベンジルジメチルケタール(チバ・ガイギー
社製 イルガキュア651)、2−メチル−1−〔4−
(メチルチオ)フェニル〕−2−モルホリノプロパノン
−1(チバ・ガイギー社製 イルガキュア907)、
2,4−ジエチルチオキサントン(日本化薬社製 カヤ
キュアDETX)とp−ジメチルアミノ安息香酸エチル
(日本化薬社製カヤキュアEPA)との混合物、イソプ
ロピルチオキサントン(ワードブレキンソップ社製 ク
ンタキュア・ITX)とp−ジメチルアミノ安息香酸エ
チルとの混合物等が挙げられるが、液状である2−ヒド
ロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン
が液晶材料、重合体形成性モノマー若しくはオリゴマー
との相溶性の面で特に好ましい。
Examples of the photo-curing agent for curing the UV-curable resin include 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one (Darocur 11 manufactured by Merck & Co., Inc.).
73), 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184 manufactured by Ciba-Geigy), 1-
(4-Isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-
Methylpropan-1-one (Merck Darocur 1
116), benzyl dimethyl ketal (Irgacure 651 manufactured by Ciba-Geigy), 2-methyl-1- [4-
(Methylthio) phenyl] -2-morpholinopropanone-1 (Ciba-Geigy Irgacure 907),
A mixture of 2,4-diethylthioxanthone (Kayacure DETX manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and ethyl p-dimethylaminobenzoate (Kayacure EPA manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), isopropylthioxanthone (KuntaCure ITX manufactured by Ward Brekinsop), and Examples thereof include a mixture with ethyl p-dimethylaminobenzoate, but liquid 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one is compatible with a liquid crystal material, a polymer-forming monomer or an oligomer. Is particularly preferable in terms of.

【0035】液晶材料と樹脂の使用割合は、液晶の含有
量が10重量%〜90重量%、好ましくは40重量%〜
80重量%となるように使用するとよく、10重量%未
満であると情報記録により液晶相が配向しても光透過性
が低く、また、90重量%を越えると液晶の滲み出し等
の現象が生じ、画像ムラが生じ好ましくない。液晶は情
報記録相中に多く存在させることにより、コントラスト
比を向上させ、動作電圧を低くすることができる。
The ratio of the liquid crystal material to the resin used is such that the liquid crystal content is 10% by weight to 90% by weight, preferably 40% by weight.
It is preferable to use it in an amount of 80% by weight, and if it is less than 10% by weight, the light transmittance is low even if the liquid crystal phase is oriented by information recording, and if it exceeds 90% by weight, a phenomenon such as liquid crystal seepage occurs. Occurs, and image unevenness occurs, which is not preferable. A large amount of liquid crystal is present in the information recording phase to improve the contrast ratio and reduce the operating voltage.

【0036】情報記録層の形成方法は、樹脂形成用材料
と液晶、光硬化剤等を溶媒に溶解または分散させた混合
溶液を、電極層上にブレードコーター、ロールコータ
ー、或いはスピンコーター等の塗布方法により塗布し、
光または熱により樹脂形成用材料を硬化させることによ
り形成される。なお、必要に応じて、溶液の塗布適性を
向上させ、表面性を良くするためにレベリング剤を添加
してもよい。
The information recording layer is formed by coating the electrode layer with a mixed solution prepared by dissolving or dispersing a resin-forming material, liquid crystal, and a photo-curing agent in a solvent, such as a blade coater, roll coater, or spin coater. Apply by the method,
It is formed by curing the resin forming material with light or heat. If necessary, a leveling agent may be added to improve the coating suitability of the solution and improve the surface property.

【0037】情報記録層形成にあたっては、樹脂形成用
材料と液晶との混合液が等方相を保持する温度以上に混
合溶液を加熱し、液晶と紫外線硬化型樹脂形成材料とを
完全に相溶させることが必要であり、これにより、樹脂
相と液晶相とが均一に分散した情報記録層とすることが
できる。液晶が等方相を示す温度以下で紫外線硬化させ
ると、液晶と紫外線硬化型樹脂材料との相分離が大きく
なるという問題が生じる。すなわち、液晶ドメインが成
長しすぎ、情報記録層表面にスキン層が完全に形成され
ず、液晶の滲み出し現象が生じたり、また紫外線硬化型
樹脂がマット化し、正確に情報を取り込むことが困難と
なり、好ましくなく、紫外線硬化型樹脂が液晶を保持で
きず、情報記録層を形成されないことすらある。他方、
溶媒を蒸発させる際に、等方相を保持するために加熱が
必要な場合には、特に電極層に対する濡れ性が低下し、
均一な情報記録層が得られないという問題がある。
In forming the information recording layer, the mixed solution is heated to a temperature at which the mixed liquid of the resin-forming material and the liquid crystal maintains an isotropic phase so that the liquid crystal and the ultraviolet-curable resin-forming material are completely compatible with each other. Therefore, it is possible to obtain an information recording layer in which a resin phase and a liquid crystal phase are uniformly dispersed. If the liquid crystal is UV-cured at a temperature below the isotropic phase, there arises a problem that the phase separation between the liquid crystal and the UV-curable resin material becomes large. That is, the liquid crystal domain grows too much, the skin layer is not completely formed on the surface of the information recording layer, the phenomenon of liquid crystal bleeding occurs, and the ultraviolet curable resin becomes matte, making it difficult to accurately capture information. However, it is not preferable, and the ultraviolet curable resin may not be able to hold the liquid crystal, and may not even form the information recording layer. On the other hand,
When heating the solvent to evaporate the solvent to maintain the isotropic phase, the wettability with respect to the electrode layer is reduced,
There is a problem that a uniform information recording layer cannot be obtained.

【0038】電極層に対する濡れ性を維持するとともに
樹脂の表面に被膜を形成することを目的として、情報記
録層に弗素系界面活性剤を添加するとよい。このような
弗素系界面活性剤としては、例えば住友スリーエム
(株)製、フロラードFC−430、同フロラードFC
−431、N−(n−プロピル)−N−(β−アクリロ
キシエチル)−パーフルオロオクチルスルホン酸アミド
(三菱マテリアル(株)製EF−125M)、N−(n
−プロピル)−N−(β−メタクリロキシエチル)−パ
ーフルオロオクチルスルホン酸アミド(三菱マテリアル
(株)製EF−135M)、パーフルオロオクタンスル
ホン酸(三菱マテリアル(株)製EF−101)、パー
フルオロカプリル酸(三菱マテリアル(株)製EF−2
01)、N−(n−プロピル)−N−パーフルオロオク
タンスルホン酸アミドエタノール(三菱マテリアル
(株)製EF−121)、更に三菱マテリアル(株)製
EF−102、同EF−103、同EF−104、同E
F−105、同EF−112、同EF−121、同EF
−122A、同EF−122B、同EF−122C、同
EF−122A3、同EF−123A、同EF−123
B、同EF−132、同EF−301、同EF−30
3、同EF−305、同EF−306A、同EF−50
1、同EF−700、同EF−201、同EF−20
4、同EF−351、同EF−352、同EF−80
1、同EF−802、同EF−125DS、同EF−1
200、同EF−L102、同EF−L155、同EF
−L174、同EF−L215等が挙げられる。また、
3−(2−パーフルオロヘキシル)エトキシ−1,2−
ジヒドロキシプロパン(三菱マテリアル(株)製MF−
100)、N−n−プロピル−N−2,3−ジヒドロキ
シプロピルパーフルオロオクチルスルホンアミド(三菱
マテリアル(株)製MF−110)、3−(2−パーフ
ルオロヘキシル)エトキシ−1,2−エポキシプロパン
(三菱マテリアル(株)製MF−120)、N−n−プ
ロピル−N−2,3−エポキシプロピルパーフルオロオ
クチルスルホンアミド(三菱マテリアル(株)製MF−
130)、パーフルオロヘキシルエチレン(三菱マテリ
アル(株)製MF−140)、N−(3−トリメトキシ
シリル)プロピル)パーフルオロヘプチルカルボン酸ア
ミド(三菱マテリアル(株)製MF−150)、N−
(3−トリメトキシシリル)プロピル)パーフルオロヘ
プチルスルホンアミド(三菱マテリアル(株)製MF−
160)等が挙げられる。弗素系界面活性剤は、液晶と
樹脂形成材料との合計量に対して0.1〜20重量%の
割合で添加される。
A fluorine-based surfactant may be added to the information recording layer for the purpose of maintaining the wettability with respect to the electrode layer and forming a film on the surface of the resin. Examples of such a fluorine-based surfactant include Fluorard FC-430 and Fluorard FC, manufactured by Sumitomo 3M Limited.
-431, N- (n-propyl) -N- (β-acryloxyethyl) -perfluorooctylsulfonic acid amide (EF-125M manufactured by Mitsubishi Materials Corporation), N- (n
-Propyl) -N- (β-methacryloxyethyl) -perfluorooctylsulfonic acid amide (EF-135M manufactured by Mitsubishi Materials Corporation), perfluorooctanesulfonic acid (EF-101 manufactured by Mitsubishi Materials Corporation), per Fluorocaprylic acid (MF-2 manufactured by Mitsubishi Materials Corporation)
01), N- (n-propyl) -N-perfluorooctane sulfonic acid amide ethanol (EF-121 manufactured by Mitsubishi Materials Corp.), EF-102, EF-103, and EF manufactured by Mitsubishi Materials Corp. -104, same E
F-105, EF-112, EF-121, EF
-122A, EF-122B, EF-122C, EF-122A3, EF-123A, EF-123
B, the same EF-132, the same EF-301, the same EF-30
3, the same EF-305, the same EF-306A, the same EF-50
1, the same EF-700, the same EF-201, the same EF-20
4, the same EF-351, the same EF-352, the same EF-80
1, the same EF-802, the same EF-125DS, the same EF-1
200, EF-L102, EF-L155, EF
-L174, EF-L215 and the like. Also,
3- (2-perfluorohexyl) ethoxy-1,2-
Dihydroxypropane (MF-made by Mitsubishi Materials Corporation)
100), N-n-propyl-N-2,3-dihydroxypropyl perfluorooctyl sulfonamide (MF-110 manufactured by Mitsubishi Materials Corporation), 3- (2-perfluorohexyl) ethoxy-1,2-epoxy. Propane (MF-120 manufactured by Mitsubishi Materials Corporation), Nn-propyl-N-2,3-epoxypropyl perfluorooctylsulfonamide (MF- manufactured by Mitsubishi Materials Corporation)
130), perfluorohexylethylene (MF-140 manufactured by Mitsubishi Materials Corporation), N- (3-trimethoxysilyl) propyl) perfluoroheptylcarboxylic acid amide (MF-150 manufactured by Mitsubishi Materials Corporation), N-
(3-trimethoxysilyl) propyl) perfluoroheptylsulfonamide (MF-manufactured by Mitsubishi Materials Corp.)
160) and the like. The fluorine-based surfactant is added in a proportion of 0.1 to 20% by weight based on the total amount of the liquid crystal and the resin forming material.

【0039】また、情報記録層形成における塗布溶液に
おける固形分濃度は10〜60重量%とするとよく、硬
化に際して、樹脂の種類、濃度、塗布層温度、また紫外
線照射条件等の硬化条件を適宜に設定することにより、
外表皮層として液晶相を有しない樹脂層のみからなるス
キン層を良好に形成させることができ、これにより情報
記録層における液晶の使用割合を増大することができ、
また液晶の滲み出しを無くすることができる。以上、樹
脂材料として紫外線硬化型樹脂について説明したが、そ
の他、液晶材料と共通の溶媒に相溶性を有する溶媒可溶
型の熱硬化性樹脂、例えばアクリル樹脂、メタクリル樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、及びこれら
を主体とした共重合体、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂
等を使用してもよい。情報記録層の膜厚は解像性に影響
を与えるので、乾燥後膜厚0.1μm〜10μm、好ま
しくは3μm〜8μmとするとよく、高解像性を維持し
つつ、動作電圧も低くすることができる。膜厚が薄すぎ
ると情報記録部のコントラストが低く、また、厚すぎる
と動作電圧が高くなるので好ましくない。
Further, the solid content concentration in the coating solution in forming the information recording layer is preferably 10 to 60% by weight, and at the time of curing, the curing conditions such as the kind and concentration of the resin, the coating layer temperature, and the ultraviolet irradiation conditions are appropriately selected. By setting
It is possible to favorably form a skin layer consisting only of a resin layer having no liquid crystal phase as the outer skin layer, which can increase the proportion of liquid crystal used in the information recording layer,
Further, it is possible to prevent the liquid crystal from seeping out. The UV-curable resin has been described above as the resin material, but other solvent-soluble thermosetting resins having compatibility with the same solvent as the liquid crystal material, such as acrylic resin, methacrylic resin, polyester resin, polystyrene resin, Also, a copolymer mainly composed of these, an epoxy resin, a silicone resin or the like may be used. Since the film thickness of the information recording layer affects the resolution, the film thickness after drying may be 0.1 μm to 10 μm, preferably 3 μm to 8 μm, and the operating voltage should be lowered while maintaining high resolution. You can If the film thickness is too thin, the contrast of the information recording portion will be low, and if it is too thick, the operating voltage will be high, which is not preferable.

【0040】なお、情報記録層がそれ自体支持性を有
し、支持体を省略する場合には、情報記録層の表面には
スキン層が形成されているので、例えばITO膜を蒸着
法、スパッタ法等により積層してもひび割れが生じな
く、導電性の低下のないものとできる。この場合、仮支
持体上に設けた情報記録層上に電極層を設けた後、仮支
持体を剥離して情報記録媒体とするとよい。
When the information recording layer itself has a supporting property and the support is omitted, a skin layer is formed on the surface of the information recording layer. Even if laminated by a method or the like, cracking does not occur and the conductivity is not lowered. In this case, it is advisable to form the information recording medium by peeling off the temporary support after providing the electrode layer on the information recording layer provided on the temporary support.

【0041】情報記録媒体における電極層13′は、上
述の光センサーにおける電極層13と同様の材料、及び
同様の積層方法で基板15上に設けられる。この情報記
録媒体は、図2に示すように上述した光センサーとスペ
ーサー19を介して、対向配置し、両電極層13、1
3′を電圧源Vを介して結線して第1の情報記録システ
ムとされる。このシステムにおける電極層13、13′
は、いずれか一方、または両方が透明性であればよい。
The electrode layer 13 'in the information recording medium is provided on the substrate 15 by using the same material as that of the electrode layer 13 in the above-described photosensor and the same laminating method. As shown in FIG. 2, this information recording medium is arranged so as to face the above-mentioned optical sensor via a spacer 19, and both electrode layers 13 and 1 are provided.
3'is connected via a voltage source V to form a first information recording system. Electrode layers 13, 13 'in this system
It suffices that either one or both of them be transparent.

【0042】スペーサーとしては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリ
ロニトリル、ポリアミド、ポリプロピレン、酢酸セルロ
ース、エチルセルロース、ポリカーボネート、ポリスチ
レン、ポリテトラフルオロエチレン等の樹脂フィルムを
使用して形成するとよく、また、上記各樹脂溶液を塗
布、乾燥させて形成してもよい。また、アルミニウム、
セレン、テルル、金、白金等の金属材料又は無機或いは
有機化合物を蒸着して形成してもよい。スペーサーの膜
厚は、光センサーと情報記録媒体との空隙距離となり、
情報記録層に印加される電圧配分に影響を与えるので、
少なくとも100μm以下とするとよく、好ましくは3
μm〜30μmとするとよい。
As the spacer, a resin film of polyester such as polyethylene terephthalate, polyimide, polyethylene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyacrylonitrile, polyamide, polypropylene, cellulose acetate, ethyl cellulose, polycarbonate, polystyrene, polytetrafluoroethylene, etc. It may be formed by using, or may be formed by applying and drying each of the above resin solutions. Also aluminum,
It may be formed by vapor deposition of a metal material such as selenium, tellurium, gold or platinum, or an inorganic or organic compound. The film thickness of the spacer is the gap distance between the optical sensor and the information recording medium,
Since it affects the voltage distribution applied to the information recording layer,
At least 100 μm or less is preferable, and 3 is preferable.
It is good to set it to 30-30 micrometers.

【0043】次に、第2の情報記録システムについて説
明する。図3は、本発明の第2の情報記録システムを断
面図により示す図であり、図中20は誘電体層であり、
また、図2と同一符号は同一内容を示す。第2の情報記
録システムは、第1の情報記録システムにおける光セン
サーと情報記録媒体とを誘電体層20を介して対向配置
し、直接積層したものである。第2の情報記録システム
は、光センサーにおける光導電層が溶媒を使用して塗布
形成される場合に特に適しており、光導電層上に情報記
録層を直接塗布形成すると、それらの相互作用により情
報記録層における液晶が溶出したり、又、情報記録層形
成用の溶媒により光導電材料が溶出することによる画像
ムラを防止することができ、また光センサーと情報記録
媒体との一体化を可能とするものである。
Next, the second information recording system will be described. FIG. 3 is a sectional view showing a second information recording system of the present invention, in which 20 is a dielectric layer,
The same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same contents. In the second information recording system, the optical sensor and the information recording medium in the first information recording system are arranged so as to face each other with the dielectric layer 20 in between, and are directly laminated. The second information recording system is particularly suitable when the photoconductive layer in the photosensor is formed by coating using a solvent, and when the information recording layer is directly formed by coating on the photoconductive layer, the interaction between them causes It is possible to prevent image unevenness due to liquid crystal elution in the information recording layer, or elution of the photoconductive material by the solvent for forming the information recording layer, and it is possible to integrate the optical sensor and the information recording medium. It is what

【0044】誘電体層20は、その形成にあたって、光
導電層形成材料、情報記録層形成材料のいずれに対して
も溶解性を有しないことが必要であり、また導電性を有
しないことが必要である。導電性を有する場合には、空
間電荷の拡散が生じ、解像度の劣化が生じることから絶
縁性が要求される。また、誘電体層は液晶層にかかる分
配電圧を低下させたり、或いは解像性を悪化させるの
で、膜厚は薄い方が好ましく、2μm以下とするとよい
が、逆に薄くすることにより、経時的な相互作用による
画像ノイズの発生ばかりでなく、積層塗布する際にピン
ホール等の欠陥による浸透の問題が生じる。ピンホール
等の欠陥による浸透性は積層塗布する材料の固形分比
率、溶媒の種類、粘度により異なるので、積層塗布され
るものの膜厚は適宜設定されるが、少なくとも10μm
以下の膜厚とするとよく、好ましくは0.1〜3μmと
するとよい。さらに、各層に掛かる電圧分配を考慮した
場合、薄膜化と共に誘電率の高い材料が好ましい。
When forming the dielectric layer 20, it is necessary that the dielectric layer 20 is not soluble in both the photoconductive layer forming material and the information recording layer forming material, and it is also necessary that it is not conductive. Is. In the case of having conductivity, the space charge is diffused and the resolution is deteriorated, so that the insulating property is required. Further, the dielectric layer lowers the distribution voltage applied to the liquid crystal layer or deteriorates the resolution. Therefore, it is preferable that the film thickness is thin, and it is preferable that the film thickness be 2 μm or less. In addition to the generation of image noise due to various interactions, there is a problem of penetration due to defects such as pinholes in the multilayer coating. The penetrability due to defects such as pinholes depends on the solid content ratio of the material to be laminated and coated, the type of solvent, and the viscosity.
The following film thickness is preferable, and 0.1 to 3 μm is preferable. Further, in consideration of the voltage distribution applied to each layer, it is preferable to use a material having a high dielectric constant as well as a thin film.

【0045】誘電体層を形成する材料としては、無機材
料では SiO2 、TiO2、CeO2、Al2O3、GeO2、Si3N4 、AlN
、TiN 等を使用し、蒸着法、スパッタ法、化学蒸着
(CVD)法等により積層して形成するとよい。また、
有機溶剤に対して相溶性の少ない水溶性樹脂、例えばポ
リビニルアルコール、水系ポリウレタン、水ガラス等の
水溶液を使用し、スピンコート法、ブレードコート法、
ロールコート法等により積層してもよい。更に、塗布可
能な弗素樹脂を使用してもよく、この場合には弗素系溶
剤に溶解し、スピンコート法により塗布するか、またブ
レードコート法、ロールコート法等により積層してもよ
い。塗布可能な弗素樹脂としては、例えば特開平1−1
31215号公報等に開示された弗素樹脂、更に真空系
で膜形成されるポリパラキシリレン等の有機材料を好ま
しく使用することができる。
As a material for forming the dielectric layer, inorganic materials such as SiO 2 , TiO 2 , CeO 2 , Al 2 O 3 , GeO 2 , Si 3 N 4 and AlN are used.
, TiN, etc., and may be formed by stacking by a vapor deposition method, a sputtering method, a chemical vapor deposition (CVD) method, or the like. Also,
Water-soluble resin having low compatibility with organic solvents, for example, polyvinyl alcohol, water-based polyurethane, using an aqueous solution such as water glass, spin coating method, blade coating method,
You may laminate | stack by a roll coat method etc. Further, a coatable fluororesin may be used, and in this case, it may be dissolved in a fluorine-based solvent and coated by a spin coating method, or laminated by a blade coating method, a roll coating method or the like. The applicable fluororesin is, for example, JP-A-1-1.
Fluorine resins disclosed in Japanese Patent No. 31215 and the like, and organic materials such as polyparaxylylene film-formed in a vacuum system can be preferably used.

【0046】以上、本発明における情報記録システムに
ついての概略を説明したが、ここで、光センサーにおけ
る光電流の増幅作用について説明する。測定用光センサ
ーとしては、透明ガラス基材上にITO電極層が設けら
れ、該電極層上に光導電層が積層されて形成される光セ
ンサーにおいて、その光導電層上に0.16cm2 、厚
み10nm、表面抵抗1kΩ/□の金電極層を積層して
形成する。そして、この両電極間に直流の一定電圧を印
加すると共に、電圧印加開始後0.5秒後に基板側から
0.033秒間光照射し、測定時間中の光センサーにお
ける電流値挙動を、光照射開始時(t=0)から測定す
る。なお、照射光は、キセノンランプ(浜松ホトニクス
社製L2274)を光源に、グリーンフィルター(日本
真空光学社製)により、グリーン光を選択して照射し、
照射光強度を照度計(ミノルタ社製)で測定し、20ル
ックスのものとする。図4にそのフイルター特性を示
す。
The outline of the information recording system according to the present invention has been described above. Now, the amplifying action of the photocurrent in the photosensor will be described. As an optical sensor for measurement, an ITO electrode layer is provided on a transparent glass substrate, and a photoconductive layer is laminated on the electrode layer. In the optical sensor, 0.16 cm 2 is formed on the photoconductive layer. It is formed by stacking gold electrode layers having a thickness of 10 nm and a surface resistance of 1 kΩ / □. Then, a constant DC voltage is applied between both electrodes, and 0.5 seconds after the start of voltage application, light is irradiated from the substrate side for 0.033 seconds, and the behavior of the current value in the photosensor during the measurement time is measured by light irradiation. Measure from the start (t = 0). It should be noted that the irradiation light is selected by irradiating green light with a xenon lamp (L2274 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) as a light source using a green filter (manufactured by Nippon Vacuum Optical Co., Ltd.).
Irradiation light intensity is measured with an illuminometer (manufactured by Minolta Co., Ltd.) to obtain 20 lux. FIG. 4 shows the filter characteristics.

【0047】この光強度で光照射した時、透明基材、I
TO膜の光透過率、フィルターの分光特性を考慮する
と、光導電層には4.2×1011個/cm2 秒のフォト
ンが入射する。そして、入射したフォトンが全て光キャ
リアに変換されると、理論的には光電流としては単位面
積当たり1.35×10-6A/cm2 の電流が発生す
る。
When irradiated with light at this light intensity, the transparent substrate, I
Considering the light transmittance of the TO film and the spectral characteristics of the filter, 4.2 × 10 11 photons / cm 2 seconds are incident on the photoconductive layer. When all the incident photons are converted into photocarriers, theoretically, a photocurrent of 1.35 × 10 −6 A / cm 2 is generated per unit area.

【0048】ここで、上記測定系により測定する場合
に、理論的光電流に対して、光センサーで実際に発生し
た光誘起電流の割合(光センサーで実際に発生した光誘
起電流値/理論的光電流値)をその光センサーにおける
量子効率と定義する。また光誘起電流とは、光照射部の
電流値から暗電流値を差し引いたものであり、光照射中
あるいは光照射後も電圧印加状態で光照射に起因する暗
電流以上の電流が流れるものをいい、所謂光電流とは相
違する。本発明の光センサーにおける光電流の増幅作用
とは、このような光誘起電流の挙動のことであると定義
する。
Here, the ratio of the photo-induced current actually generated by the photosensor to the theoretical photocurrent when measured by the above measurement system (the photo-induced current value actually generated by the photosensor / theoretical The photocurrent value) is defined as the quantum efficiency of the photosensor. In addition, the photo-induced current is a value obtained by subtracting the dark current value from the current value of the light irradiation part, and a current that exceeds the dark current due to light irradiation flows during voltage irradiation or during light irradiation with a voltage applied. Yes, it is different from so-called photocurrent. The photocurrent amplification action in the photosensor of the present invention is defined as such behavior of photoinduced current.

【0049】本発明における光電流増幅作用を有する光
センサーと、光電流増幅作用を有しない光センサー(以
下、比較センサーという)とを、上記測定系での測定結
果を使用して説明する。まず、比較用センサーについて
の測定結果を図5に示す。図5において(m)線は、上
記理論値(1.35×10-6A/cm2 )を示す参考線
で、光照射を0.033秒間行い、光照射後も電圧印加
を継続した状態を示す。(n)線は光電流増幅作用を有
しない光センサーの実測線で光照射中でも光電流の増加
はなく、一定値をとることがわかり、その一定値も理論
値(1.35×10-6A/cm2 )を越えない。この比
較用センサーにおける量子効率はほぼ0.4と一定であ
る。光照射中の量子効率の変化を図6に示す。これに対
して、本発明の光センサーは、図7に示すように光照射
時は光電流が増加し、量子効率との関係を示す図8から
明らかなように、約0.01秒で量子効率は1を越え、
その後も量子効率は増加を続けることがわかる。
An optical sensor having a photocurrent amplifying action and an optical sensor having no photocurrent amplifying action (hereinafter referred to as a comparative sensor) according to the present invention will be described using the measurement results of the above measurement system. First, the measurement results of the comparative sensor are shown in FIG. In FIG. 5, line (m) is a reference line indicating the above theoretical value (1.35 × 10 −6 A / cm 2 ), and light irradiation is performed for 0.033 seconds, and voltage application is continued after light irradiation. Indicates. Line (n) is a measured line of a photosensor that does not have a photocurrent amplification effect, and it is found that the photocurrent does not increase even during light irradiation and takes a constant value. The constant value is also a theoretical value (1.35 × 10 −6). A / cm 2 ) is not exceeded. The quantum efficiency of this comparative sensor is constant at approximately 0.4. The change in quantum efficiency during light irradiation is shown in FIG. On the other hand, in the optical sensor of the present invention, as shown in FIG. 7, the photocurrent increases during light irradiation, and as is clear from FIG. 8 showing the relationship with the quantum efficiency, as shown in FIG. Efficiency exceeds 1,
It can be seen that the quantum efficiency continues to increase thereafter.

【0050】また、比較用センサーでは光照射終了と同
時に光電流が零となるため、光照射後継続して電圧印加
しても電流は流れない。これに対して、本発明の光セン
サーにおいては、光照射終了後も電圧印加を継続するこ
とにより光誘起電流が継続して流れ、引き続いて光誘起
電流を取り出すことができる。
Further, in the comparison sensor, the photocurrent becomes zero at the same time when the light irradiation is completed, so that the current does not flow even if the voltage is continuously applied after the light irradiation. On the other hand, in the photosensor of the present invention, the photoinduced current continues to flow by continuing the voltage application even after the end of the light irradiation, and the photoinduced current can be subsequently taken out.

【0051】図9に比較用センサー(理論値)の電流量
の積分値(電荷量)の時間変化を示す。図においては、
量子効率1の理論的な光センサーにおける単位面積当た
りの電流量の積分値の時間変化を(O)線で示し、比較
用センサーにおける単位面積当たり電流の積分値の時間
変化を(P)線で示す。図9の電流の積分値Qは Q=∫(IPHOTO −Idark)dt(C) である。図から、比較用センサーは光照射終了後、I
PHOTO −Idarkが零になることから、積分値の増加は見
られない。また、図10に本発明の光センサーにおける
単位面積当たり電流の積分値の時間変化を同様に示す。
なお、同様に量子効率1の理論的な光センサーにおける
単位面積当たり電流の積分値の時間変化を(O)線で示
し、本発明の光センサーにおける電流の積分値の時間変
化を(P)線で示す。図に示すように、本発明の光セン
サーは、光照射終了後も増加を続けるため、比較用セン
サーに比して大きな効果が得られることがわかる。
FIG. 9 shows the change over time of the integrated value (charge amount) of the current amount of the comparative sensor (theoretical value). In the figure,
The time change of the integrated value of the current amount per unit area in the theoretical optical sensor with the quantum efficiency of 1 is shown by the (O) line, and the time change of the integrated value of the current amount per unit area in the comparative sensor is shown by the (P) line. Show. The integrated value Q of the current in FIG. 9 is Q = ∫ (I PHOTO −I dark ) dt (C). From the figure, the comparison sensor shows that after the light irradiation, I
Since PHOTO- I dark is zero, no increase in the integrated value is seen. Further, FIG. 10 similarly shows the time change of the integrated value of the current per unit area in the optical sensor of the present invention.
Similarly, the time change of the integrated value of the current per unit area in the theoretical photosensor with quantum efficiency of 1 is indicated by the (O) line, and the time change of the integrated value of the current in the photosensor of the present invention is indicated by the (P) line. Indicate. As shown in the figure, it can be seen that the optical sensor of the present invention continues to increase even after the end of light irradiation, so that a large effect can be obtained as compared with the comparative sensor.

【0052】次に、本発明の第1及び第2の情報記録シ
ステムにおける情報記録方法について説明する。図11
は、本発明の第1の情報記録システムにおける情報記録
方法を説明するための図である。第2の情報記録システ
ムにおいても同様である。図中11は情報記録層、13
は光センサーの電極層、13′は情報記録媒体の電極
層、14は光導電層、21は光源、22は駆動機構を有
するシャッター、23はパルスジェネレーター(電
源)、24は暗箱を示す。電極層13、13′間に、パ
ルスジェネレーター23により電圧を印加しつつ、光源
21から情報光を入射させると、光が入射した部分の光
導電層14で発生した光キャリアは、両電極により形成
される電界により情報記録層11側の界面まで移動し、
電圧の再配分が行われ、情報記録層11における液晶相
が配向し、情報光のパターンに応じた記録が行なわれ
る。また、液晶によって動作電圧及び範囲が異なるもの
もあるので、印加電圧及び印加電圧時間を設定するにあ
たっては、情報記録媒体における電圧配分を適宜設定
し、情報記録層にかかる電圧配分を液晶の動作電圧領域
に設定するとよい。
Next, the information recording method in the first and second information recording systems of the present invention will be described. Figure 11
FIG. 6 is a diagram for explaining an information recording method in the first information recording system of the present invention. The same applies to the second information recording system. In the figure, 11 is an information recording layer, 13
Is an electrode layer of an optical sensor, 13 'is an electrode layer of an information recording medium, 14 is a photoconductive layer, 21 is a light source, 22 is a shutter having a driving mechanism, 23 is a pulse generator (power source), and 24 is a dark box. When information light is incident from the light source 21 while applying a voltage by the pulse generator 23 between the electrode layers 13 and 13 ', photocarriers generated in the photoconductive layer 14 at the portion where the light is incident are formed by both electrodes. Is moved to the interface on the information recording layer 11 side by the generated electric field,
The voltage is redistributed, the liquid crystal phase in the information recording layer 11 is aligned, and recording is performed according to the pattern of the information light. Further, since the operating voltage and range vary depending on the liquid crystal, when setting the applied voltage and the applied voltage time, the voltage distribution in the information recording medium is appropriately set, and the voltage distribution applied to the information recording layer is set to the operating voltage of the liquid crystal. It is recommended to set it in the area.

【0053】本発明の情報記録方法は、面状アナログ記
録が可能であり、液晶レベルでの記録が得られるので、
高解像度の記録となり、また露光パターンは液晶相の配
向により可視像化されて保持される。
The information recording method of the present invention is capable of planar analog recording and can obtain recording at the liquid crystal level.
High-resolution recording is performed, and the exposure pattern is retained as a visible image due to the orientation of the liquid crystal phase.

【0054】情報記録システムの形態としては、カメラ
による方法、またレーザーによる記録方法がある。カメ
ラによる方法としては、通常のカメラに使用されている
写真フィルムの代わりに情報記録媒体が使用され、記録
部材とするもので、光学的なシャッタも使用しうるし、
また電気的なシャッタも使用しうるものである。また、
プリズム及びカラーフィルターにより光情報を、R、
G、B光成分に分離し、平行光として取り出しR、G、
Bの各色用の3個の情報記録媒体で1コマを形成する
か、または1個の情報記録媒体の異なる部分にR、G、
Bの各画像を記録して1コマとすることにより、カラー
撮影することもできる。
As a form of the information recording system, there are a method using a camera and a recording method using a laser. As a method using a camera, an information recording medium is used instead of a photographic film used in a normal camera, which is used as a recording member, and an optical shutter can also be used.
An electric shutter can also be used. Also,
R, R
G and B light components are separated and extracted as parallel light R, G,
One frame is formed by three information recording media for each color of B, or R, G,
Color images can also be taken by recording each image of B and forming one frame.

【0055】また、レーザーによる記録方法としては、
光源としてはアルゴンレーザー(514.488n
m)、ヘリウム−ネオンレーザー(633nm)、半導
体レーザー(780nm、810nm等)が使用でき、
画像信号、文字信号、コード信号、線画信号に対応した
レーザー露光をスキャニングにより行うものである。画
像のようなアナログ的な記録は、レーザーの光強度を変
調して行い、文字、コード、線画のようなデジタル的な
記録は、レーザー光のON−OFF制御により行う。ま
た画像において網点形成されるものには、レーザー光に
ドットジェネレーターON−OFF制御をかけて形成す
るものである。なお、光センサーにおける光導電層の分
光特性は、パンクロマティックである必要はなく、レー
ザー光源の波長に感度を有していればよい。
The laser recording method is as follows.
Argon laser (514.488n)
m), a helium-neon laser (633 nm), a semiconductor laser (780 nm, 810 nm, etc.) can be used,
Laser exposure corresponding to an image signal, a character signal, a code signal, and a line drawing signal is performed by scanning. An analog recording such as an image is performed by modulating the light intensity of the laser, and a digital recording such as a character, a code or a line drawing is performed by ON / OFF control of the laser light. In the case of halftone dot formation in an image, laser light is subjected to dot generator ON-OFF control. The spectral characteristic of the photoconductive layer in the optical sensor does not need to be panchromatic, and may be sensitive to the wavelength of the laser light source.

【0056】情報記録媒体に記録された露光情報は、図
12に示すように第1の情報記録システムの場合には情
報記録媒体を分離して、また第2の情報記録システムの
場合にはそのまま透過光により情報を再生すると、情報
記録部では液晶が電界方向に配向するために光Aは透過
するのに対して、情報を記録していない部位においては
光Bは散乱し、情報記録部とのコントラストがとれる。
また、光反射層を介して反射光により読み取ってもよ
い。具体的には、第1の情報記録システムの場合は、情
報記録媒体の電極をアルミニウム等の光反射型とした
り、誘電体ミラー層を電極と液晶層間に設けると良く、
第2の情報記録媒体の場合は、誘電体層を誘電体ミラー
層にすることで、反射読み取りが可能となる。液晶の配
向により記録された情報は、目視による読み取りが可能
な可視情報であるが、投影機により拡大して読み取るこ
ともでき、レーザースキャニング、或いはCCDを用い
て高精度で情報を読み取ることができる。なお必要に応
じてシュリーレン光学系を用いることにより散乱光を防
ぐことができる。以上、情報記録媒体として、情報露光
による記録を液晶の配向により可視化した状態とするも
のであるが、液晶と樹脂との組合せを選ぶことにより、
一旦配向し、可視化した情報は消去せず、メモリ性を付
与することができる。また、等方相転移付近の高温に加
熱すると、メモリーを消去することができるので、再度
の情報記録に使用することができる。
The exposure information recorded on the information recording medium is separated from the information recording medium in the case of the first information recording system as shown in FIG. 12, and is kept as it is in the case of the second information recording system. When the information is reproduced by the transmitted light, the light A is transmitted because the liquid crystal is oriented in the direction of the electric field in the information recording portion, while the light B is scattered in the portion where the information is not recorded and the information recording portion The contrast can be taken.
Further, it may be read by reflected light through the light reflecting layer. Specifically, in the case of the first information recording system, the electrode of the information recording medium may be of a light reflecting type such as aluminum, or the dielectric mirror layer may be provided between the electrode and the liquid crystal layer,
In the case of the second information recording medium, by using a dielectric mirror layer as the dielectric layer, reflection reading becomes possible. The information recorded by the orientation of the liquid crystal is visible information that can be visually read, but it can also be read by enlarging it with a projector, and can read the information with high accuracy using laser scanning or a CCD. . If necessary, scattered light can be prevented by using a Schlieren optical system. As described above, as the information recording medium, the recording by the information exposure is visualized by the orientation of the liquid crystal. By selecting the combination of the liquid crystal and the resin,
It is possible to impart memory property without erasing the information that is once oriented and visualized. Further, by heating to a high temperature near the isotropic phase transition, the memory can be erased, so that it can be used for recording information again.

【0057】情報記録システムにおける情報記録媒体と
しては、例えば特開平3−7942号公報等に記載され
る電荷保持層を情報記録層とする静電情報記録媒体を使
用してもよく、この場合には情報は情報記録媒体におい
て静電荷の形で蓄積されるので、その静電電荷をトナー
現像するか、またはその静電電荷を例えば特開平1−2
90366号公報等に記載されるように電位読み取りに
より再生することができる。また、特開平4−4634
7号公報等に記載される、熱可塑性樹脂層を情報記録層
とする情報記録媒体を使用してもよく、この場合には、
上記同様に情報を静電荷の形で表面に蓄積した後、熱可
塑性樹脂層が加熱されることにより、情報をフロスト像
として蓄積し、可視情報として情報再生することが可能
である。
As the information recording medium in the information recording system, for example, an electrostatic information recording medium having a charge holding layer as an information recording layer described in JP-A-3-7942 may be used. Since information is stored in the information recording medium in the form of electrostatic charges, the electrostatic charges are developed by toner, or the electrostatic charges are stored in, for example, JP-A 1-2.
It can be reproduced by potential reading as described in Japanese Patent No. 90366. In addition, JP-A-4-4634
An information recording medium having a thermoplastic resin layer as an information recording layer may be used, which is described in Japanese Patent No. 7 or the like, and in this case,
After the information is accumulated on the surface in the form of electrostatic charge in the same manner as described above, the thermoplastic resin layer is heated, whereby the information is accumulated as a frosted image and can be reproduced as visible information.

【0058】[0058]

【作用】本発明は、基材上に電極層を設け、電極層上に
光導電層を積層した光センサーと、電極層上に電界また
は電荷により情報記録が可能な情報記録層を積層した情
報記録媒体とが対向して配置され、両電極間に電圧を印
加した状態での情報記録により情報記録媒体への情報記
録システムにおける光センサーにおいて、特定の化学構
造を有する化合物を含有した光導電層を使用したので、
光センサーの増幅率が増大し、高感度の情報記録が可能
となり、またまた光照射を終了しても、電圧を印加し続
けるとその導電性を持続し、光照射量に相当する電界ま
たは電荷量以上の電界または電荷量を情報記録媒体に付
与しうる機能を有するので、より高感度の情報記録が可
能となる。
According to the present invention, an optical sensor in which an electrode layer is provided on a substrate and a photoconductive layer is laminated on the electrode layer, and an information recording layer capable of recording information by an electric field or electric charge is laminated on the electrode layer A photoconductive layer containing a compound having a specific chemical structure in an optical sensor in an information recording system for recording information on a recording medium by recording information in a state where a voltage is applied between both electrodes and a recording medium facing each other. I used
The amplification factor of the optical sensor increases, enabling highly sensitive information recording, and even after the light irradiation ends, if the voltage is continuously applied, its conductivity is maintained, and the electric field or the charge amount corresponding to the light irradiation amount. Since it has a function of imparting the above electric field or charge amount to the information recording medium, it is possible to record information with higher sensitivity.

【0059】[0059]

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。 実施例1 充分洗浄した厚さ1.1mmのガラス基板上に、膜厚1
00nmのITO膜をスパッタリングにより成膜し、電
極層を得た。その電極上に、電荷発生剤として下記構造
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. Example 1 A film having a thickness of 1 was formed on a 1.1 mm-thick glass substrate that had been thoroughly washed.
An ITO film of 00 nm was formed by sputtering to obtain an electrode layer. On the electrode, the following structure as a charge generating agent

【0060】[0060]

【化7】 [Chemical 7]

【0061】を有するピロロピロール系顔料4重量部
を、ポリビニルブチラール樹脂(BMS:積水化学工業
(株))1重量部、1,2−ジクロロエタン120重量
部を混合し、ペイントシェーカーで3時間分散して塗布
液とし、スピンナーにて3000rpm、0.4秒で塗
布した後、100℃、1時間乾燥して、膜厚300nm
の電荷発生層を積層した。この電荷発生層上に、電荷輸
送剤として下記構造
4 parts by weight of a pyrrolopyrrole pigment having 1 part by weight of polyvinyl butyral resin (BMS: Sekisui Chemical Co., Ltd.) and 120 parts by weight of 1,2-dichloroethane are mixed and dispersed for 3 hours with a paint shaker. To obtain a coating solution, which is applied with a spinner at 3000 rpm for 0.4 seconds and then dried at 100 ° C. for 1 hour to give a film thickness of 300 nm.
Of the charge generation layer. On this charge generation layer, the following structure is used as a charge transfer agent.

【0062】[0062]

【化8】 [Chemical 8]

【0063】のエナミン誘導体3重量部、ポリスチレン
樹脂(電気化学工業(株)製、HRM−3)2重量部、
1,1,2−トリクロロエタン22重量部、ジクロロメ
タン14重量部を混合した塗布液を、スピンナーにて4
00rpm、0.4秒で塗布した後、80℃、2時間乾
燥して電荷輸送層を積層し、電荷発生層と電荷輸送層と
からなる膜厚20μmの光導電層を有する本発明におけ
る光センサーを得た。
3 parts by weight of the enamine derivative of, polystyrene resin (HRM-3 manufactured by Denki Kagaku Kogyo KK), 2 parts by weight,
Using a spinner, apply a coating solution prepared by mixing 22 parts by weight of 1,1,2-trichloroethane and 14 parts by weight of dichloromethane with a spinner.
The photosensor in the present invention having a photoconductive layer having a film thickness of 20 μm, which is composed of a charge generation layer and a charge transport layer, after being coated at 00 rpm for 0.4 seconds and dried at 80 ° C. for 2 hours. Got

【0064】(光センサーの電気特性)上記で得た光セ
ンサーの電気特性を測定するために、光センサーにおけ
る電荷輸送層上に、厚さ300nm、面積0.16cm
2 の金層を蒸着して対向電極とし、測定用媒体とし、図
13に示すような電流測定系を構成した。図中、15は
光センサーの基板、13は光センサーの電極層、14は
電荷発生層、電荷輸送層からなる光導電層、30は金電
極、31は光源、32はシャッター(コパル社製No.
0 電磁シャッター)、33はシャッター駆動機構、3
4はパルスジェネレーター(横河ヒューレットパッカー
ド社製)、35はオシロスコープ(横河ヒューレットパ
ッカード社製 VC−6)である。
(Electrical Characteristics of Optical Sensor) In order to measure the electrical characteristics of the optical sensor obtained above, a thickness of 300 nm and an area of 0.16 cm were formed on the charge transport layer of the optical sensor.
A second gold layer was vapor-deposited to form a counter electrode and a measurement medium, and a current measurement system as shown in FIG. 13 was constructed. In the figure, 15 is a substrate of an optical sensor, 13 is an electrode layer of the optical sensor, 14 is a photoconductive layer including a charge generation layer and a charge transport layer, 30 is a gold electrode, 31 is a light source, 32 is a shutter (No. .
0 electromagnetic shutter), 33 is a shutter drive mechanism, 3
4 is a pulse generator (made by Yokogawa Hewlett Packard), 35 is an oscilloscope (VC-6 made by Yokogawa Hewlett Packard).

【0065】この電流測定系において、光センサーにお
ける電極層13を正、金電極を負として、両電極間に3
00Vの直流電圧を印加すると同時に、ガラス基板側か
らR、G、Bのフィルターをそれぞれ介して、1/30
秒間露光した。露光照度はR、G、Bそれぞれ1.1ル
ックス、20ルックス、1.3ルックスの光を照射し
た。電圧印加は0.15秒間継続し、その間の電流の時
間変化をオシロコープにより測定した。また露光をしな
いで電圧印加のみを行い、同様にして電流測定した。得
られた結果を図15に示す。横軸は電圧印加時間
(秒)、縦軸は電流密度(μA/cm2 )である。本発
明の光センサーにより電流量は、2つの変曲点(a)
(b)が観測される。変曲点(a)から下の電流量は、
後述する比較例1で記載する光センサーとの比較から、
露光量に応じた電流(以下、光電流という)の量である
と考えられ、変曲点(a)から上の電流は、光センサー
により増幅による電流量と考えられる。また、変曲点
(b)は露光終了に伴う電流量の変化点であり、露光を
終了しても未露光時でも電圧印加に応じた電流(以下、
光誘起電流という)が持続して流れ、徐々に減衰してい
くことがわかる。即ち、この図から、本発明における光
センサーは、露光の間では光電流が増加し続け、また、
露光後も有効電流が持続し、十分な時間を経て減衰して
いくことがわかる。
In this current measuring system, the electrode layer 13 in the photosensor is positive, the gold electrode is negative, and the distance between the electrodes is 3
At the same time as applying a DC voltage of 00V, 1/30 from the glass substrate side through R, G, and B filters, respectively.
Exposed for 2 seconds. The exposure illuminance was such that R, G, and B were 1.1 lux, 20 lux, and 1.3 lux, respectively. The voltage application was continued for 0.15 seconds, and the time change of the current during that time was measured by an oscilloscope. In addition, current was measured in the same manner by applying voltage only without exposure. The obtained results are shown in FIG. The horizontal axis represents voltage application time (seconds), and the vertical axis represents current density (μA / cm 2 ). With the optical sensor of the present invention, the amount of current is two inflection points (a).
(B) is observed. The amount of current below the inflection point (a) is
From the comparison with the optical sensor described in Comparative Example 1 described later,
It is considered to be the amount of current (hereinafter referred to as photocurrent) according to the exposure amount, and the current above the inflection point (a) is considered to be the amount of current due to amplification by the optical sensor. Further, the inflection point (b) is a change point of the current amount with the end of the exposure, and the current (hereinafter,
It can be seen that the photo-induced current) continuously flows and is gradually attenuated. That is, from this figure, in the photosensor of the present invention, the photocurrent continues to increase during exposure, and
It can be seen that the effective current continues after the exposure, and decays after a sufficient time.

【0066】(光センサーの情報記録性能)図14に示
すように、上記の測定用光センサー、コンデンサーC1
(160pF)及び抵抗R1 (1000MΩ)、電源
(E)、電圧計(V)からなる電圧測定回路を作製し
た。コンデンサーと抵抗は情報記録媒体に対応する。こ
の測定回路に外部電圧を印加すると同時に、20ルック
スの光(波長550nm)を光センサー側から1/30
秒間露光した。電圧印加は0.15秒継続した。露光部
と未露光部との電位差(△V)が最大となるときに、未
露光部の電位が200Vになるように印加電圧を設定し
た。結果を図16に示す。最大電位差はR、G、Bそれ
ぞれ105V、123V、100Vであった。また印加
電圧はいずれも550V、80m秒であった。
(Information Recording Performance of Optical Sensor) As shown in FIG. 14, the above-mentioned measuring optical sensor and the condenser C 1
(160 pF), resistance R 1 (1000 MΩ), power supply (E), and voltmeter (V) were used to prepare a voltage measurement circuit. The capacitor and the resistor correspond to the information recording medium. At the same time when an external voltage is applied to this measurement circuit, 20 lux of light (wavelength 550 nm) is emitted from the optical sensor side for 1/30
Exposed for 2 seconds. The voltage application continued for 0.15 seconds. The applied voltage was set so that the potential of the unexposed portion was 200 V when the potential difference (ΔV) between the exposed portion and the unexposed portion was maximum. The results are shown in Fig. 16. The maximum potential differences were 105V, 123V, and 100V for R, G, and B, respectively. The applied voltage was 550 V and 80 msec in all cases.

【0067】実施例2 電荷輸送剤を下記の化学構造を有するExample 2 A charge transport agent having the following chemical structure

【0068】[0068]

【化9】 [Chemical 9]

【0069】化合物を用いた点を除いて実施例1と同様
に光センサーを製造するとともに、R、G、Bのうち緑
色光を使用して実施例1と同様にして光センサーの電気
的特性を測定し、その結果を図17に示すとともに、情
報記録特性を図18に示す。最大電位差は104Vであ
り、印加電圧は610V、140m秒であった。 実施例3 電荷輸送剤を下記の化学構造を有する
An optical sensor was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a compound was used, and the green light of R, G, B was used in the same manner as in Example 1 to obtain the electrical characteristics of the optical sensor. Was measured, and the results are shown in FIG. 17 and the information recording characteristics are shown in FIG. The maximum potential difference was 104 V, the applied voltage was 610 V, and 140 msec. Example 3 A charge transport agent having the following chemical structure

【0070】[0070]

【化10】 [Chemical 10]

【0071】化合物を用いた点を除いて実施例1と同様
に光センサーを製造するとともに、R、G、Bのうち緑
色光を使用して実施例1と同様にして光センサーの電気
的特性を測定し、その結果を図17に示すとともに、情
報記録特性を図19に示す。最大電位差は84.9Vで
あり、印加電圧は630V、100m秒であった。
An optical sensor was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a compound was used, and the green light of R, G, B was used in the same manner as in Example 1 to obtain the electrical characteristics of the optical sensor. Was measured, and the results are shown in FIG. 17 and the information recording characteristics are shown in FIG. The maximum potential difference was 84.9 V, the applied voltage was 630 V, and 100 msec.

【0072】実施例4 電荷輸送剤を下記の化学構造を有するExample 4 A charge transport agent having the following chemical structure

【0073】[0073]

【化11】 [Chemical 11]

【0074】化合物を用いた点を除いて実施例1と同様
に光センサーを製造するとともに、R、G、Bのうち緑
色光を使用して実施例1と同様にして光センサーの電気
的特性を測定し、その結果を図20に示すとともに、情
報記録特性を図21に示す。最大電位差は112Vであ
り、印加電圧は450V、65m秒であった。 実施例5 電荷輸送剤を下記の化学構造を有する
An optical sensor was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a compound was used, and the green light of R, G, B was used in the same manner as in Example 1 to obtain the electrical characteristics of the optical sensor. Was measured, and the results are shown in FIG. 20 and the information recording characteristics are shown in FIG. The maximum potential difference was 112 V, the applied voltage was 450 V, and 65 msec. Example 5 A charge transport agent having the following chemical structure

【0075】[0075]

【化12】 [Chemical 12]

【0076】化合物を用いた点を除いて実施例1と同様
に光センサーを製造するとともに、R、G、Bのうち緑
色光を使用して実施例1と同様にして光センサーの電気
的特性を測定し、その結果を図20に示すとともに、情
報記録特性を図22に示す。最大電位差は101Vであ
り、印加電圧は450V、65m秒であった。
An optical sensor was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a compound was used, and the green light of R, G, B was used in the same manner as in Example 1 to obtain the electrical characteristics of the optical sensor. Was measured, and the results are shown in FIG. 20 and the information recording characteristics are shown in FIG. The maximum potential difference was 101 V, the applied voltage was 450 V, and 65 msec.

【0077】実施例6 電荷輸送剤を下記の化学構造を有するExample 6 A charge transport agent having the following chemical structure

【0078】[0078]

【化13】 [Chemical 13]

【0079】化合物を用いた点を除いて実施例1と同様
に光センサーを製造するとともに、緑色光を使用して実
施例1と同様にして光センサーの電気的特性を測定し、
その結果を図20に示すとともに、情報記録特性を図2
3に示す。最大電位差は95Vであり、印加電圧は44
0V、70m秒であった。
An optical sensor was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the compound was used, and the electrical characteristics of the optical sensor were measured in the same manner as in Example 1 using green light.
The results are shown in FIG. 20, and the information recording characteristics are shown in FIG.
3 shows. Maximum potential difference is 95V, applied voltage is 44
It was 0 V and 70 msec.

【0080】実施例7 充分洗浄した厚さ1.1mmのガラス基板上に膜厚10
0nmのITO膜をスパッタリングにより成膜し、電極
を得た。電極上に電荷発生剤として、実施例1と同様の
構造を有するピロロピロール系顔料を10-6torrの真空
下で3nm/秒の速度で蒸着し、200nmの電荷発生
層を作製した。これをアセトン蒸気中に1時間放置した
後、実施例1と同様に電荷輸送層を積層した。電気特性
を実施例1と同様に測定し、その結果を図24に示す。
また、撮像評価では、良好な印刷物が得られた。
Example 7 A film having a thickness of 10 was formed on a thoroughly washed glass substrate having a thickness of 1.1 mm.
An ITO film of 0 nm was formed by sputtering to obtain an electrode. A pyrrolopyrrole pigment having the same structure as in Example 1 was vapor-deposited on the electrode at a rate of 3 nm / sec under a vacuum of 10 −6 torr to form a 200 nm charge generation layer. After leaving this in acetone vapor for 1 hour, a charge transport layer was laminated in the same manner as in Example 1. The electrical characteristics were measured in the same manner as in Example 1, and the results are shown in FIG.
In addition, in the imaging evaluation, good printed matter was obtained.

【0081】比較例1 下記構造のポリビニルカルバゾールと下記の化学構造を
有する
Comparative Example 1 Polyvinylcarbazole having the following structure and the following chemical structure

【0082】[0082]

【化14】 [Chemical 14]

【0083】2,4,7−トリニトロフルオレノン(T
NF)を1:1(モル比)で、テトラヒドロフランに固
形分が19重量%となるような溶液を調整し、この溶液
をITOからなる厚さ50nm、表面抵抗80Ω/□を
有する透明電極上に50μmの間隔のブレードコーター
で塗布し、80℃、2時間乾燥して膜厚5μmの光セン
サーを得た。100ルックスの緑色光を使用して実施例
1と同様にして光センサーの電気的特性を測定し、その
結果を図25に示すが、感度が極めて低いものであっ
た。
2,4,7-trinitrofluorenone (T
NF) was adjusted to 1: 1 (molar ratio) in tetrahydrofuran to prepare a solution having a solid content of 19% by weight, and this solution was applied onto a transparent electrode made of ITO having a thickness of 50 nm and a surface resistance of 80 Ω / □. It was applied with a blade coater at intervals of 50 μm and dried at 80 ° C. for 2 hours to obtain an optical sensor having a film thickness of 5 μm. The electrical characteristics of the photosensor were measured in the same manner as in Example 1 using 100 lux of green light. The results are shown in FIG. 25, but the sensitivity was extremely low.

【0084】比較例2 充分洗浄した厚さ1.1mmのガラス基板上に、膜厚1
00nmのITO膜をスパッタリングにより成膜し、電
極層を得た。その電極上に、電荷発生剤として下記構造
Comparative Example 2 A film having a thickness of 1 was formed on a 1.1 mm-thick glass substrate that had been thoroughly washed.
An ITO film of 00 nm was formed by sputtering to obtain an electrode layer. On the electrode, the following structure as a charge generating agent

【0085】[0085]

【化15】 [Chemical 15]

【0086】を有するビスアゾ顔料3重量部、ポリビニ
ルブチラール1重量部、1,4−ジオキサン98重量
部、シクロヘキサノン98重量部を混合し、ペイントシ
ェーカーで6時間分散して塗布液とし、スピンナーにて
1400rpm、0.4秒で塗布した後、100℃、1
時間乾燥して、膜厚300nmの電荷発生層を積層し
た。この電荷発生層上に、電荷輸送剤として下記構造
Bisazo pigment having 3 parts by weight, polyvinyl butyral 1 part by weight, 1,4-dioxane 98 parts by weight, and cyclohexanone 98 parts by weight are mixed and dispersed with a paint shaker for 6 hours to prepare a coating solution, which is spun at 1400 rpm. , After applying for 0.4 seconds, 100 ℃, 1
After drying for an hour, a charge generation layer having a film thickness of 300 nm was laminated. On this charge generation layer, the following structure is used as a charge transfer agent.

【0087】[0087]

【化16】 [Chemical 16]

【0088】の化合物を3重量部、ポリカーボネート樹
脂2重量部、1,1,2−トリクロロエタン22重量
部、ジクロロメタン14重量部を混合した塗布液を、ス
ピンナーにて400rpm、0.4秒で塗布した後、8
0℃、2時間乾燥して電荷輸送層を積層し、電荷発生層
と電荷輸送層とからなる膜厚20μmの光導電層を有す
る本発明における光センサーを得た。得られた光センサ
ーを実施例1と同様に電気的特性を測定し、その結果を
図26に示す。R、G、Bの各色の光について、増幅し
ていることがみられるものの、実施例のものに比べてコ
ントラスト電流が小さく、R、G、Bの各電流も相互に
異なるものであった。また、情報記録特性についても、
R、G、Bの光それぞれについて実施例1と同様にして
測定し、その結果を図27に示す。電圧印加は570
V、60m秒行った。電位差(△V)は、R:13.6
V、G:33.1V、B:22.6Vであった。
A coating liquid prepared by mixing 3 parts by weight of the compound of 2 parts by weight, 2 parts by weight of a polycarbonate resin, 22 parts by weight of 1,1,2-trichloroethane and 14 parts by weight of dichloromethane was applied by a spinner at 400 rpm for 0.4 seconds. After 8
A charge transport layer was laminated by drying at 0 ° C. for 2 hours to obtain a photosensor according to the present invention having a photoconductive layer having a film thickness of 20 μm and comprising a charge generation layer and a charge transport layer. The electrical characteristics of the obtained optical sensor were measured in the same manner as in Example 1, and the results are shown in FIG. Although it can be seen that the light of each color of R, G, and B was amplified, the contrast current was smaller than that of the example, and the currents of R, G, and B were also different from each other. Also, regarding information recording characteristics,
Each of the R, G, and B lights was measured in the same manner as in Example 1, and the results are shown in FIG. Voltage application is 570
V, 60 msec. The potential difference (ΔV) is R: 13.6
It was V, G: 33.1V, B: 22.6V.

【0089】[0089]

【発明の効果】本発明は、基材上に電極層を設け、電極
層上に光導電層を積層した光センサーと、電極層上に電
界または電荷により情報記録が可能な情報記録層を積層
した情報記録媒体とが対向して配置され、両電極間に電
圧を印加した状態での情報記録により情報記録媒体への
情報記録システムにおける光センサーにおいて、ピロロ
ピロール化合物を含有した光導電層を使用したので、光
センサーの増幅率が増大し、高感度の情報記録が可能と
なり、また光照射を終了しても、電圧を印加し続けると
その導電性を持続し、光照射量に相当する電界または電
荷量以上の電界または電荷量を情報記録媒体に付与しう
る機能を有する光センサーによって高感度の情報記録が
可能となる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention provides an optical sensor in which an electrode layer is provided on a base material and a photoconductive layer is laminated on the electrode layer, and an information recording layer capable of recording information by an electric field or electric charge is laminated on the electrode layer. A photoconductive layer containing a pyrrolopyrrole compound is used in an optical sensor in an information recording system for recording information on an information recording medium by recording information in a state where a voltage is applied between both electrodes. As a result, the amplification factor of the optical sensor increases, enabling highly sensitive information recording, and even when the light irradiation is terminated, the conductivity is maintained if voltage is continuously applied, and the electric field equivalent to the light irradiation amount is maintained. Alternatively, it is possible to record information with high sensitivity by using an optical sensor having a function of giving an electric field or an electric charge larger than the electric charge to the information recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光センサーを説明する断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an optical sensor of the present invention.

【図2】本発明の第1の情報記録システム説明する断面
図である。
FIG. 2 is a sectional view for explaining the first information recording system of the present invention.

【図3】本発明の第2の情報記録システム説明する断面
図である。
FIG. 3 is a sectional view illustrating a second information recording system of the present invention.

【図4】本発明の光センサーの光電流の増幅作用を説明
するために使用した測定系で使用したグリーンフィルタ
ーの分光特性を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a spectral characteristic of a green filter used in a measurement system used for explaining a photocurrent amplification effect of the photosensor of the present invention.

【図5】比較用センサーの光電流増幅作用の測定結果を
説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a measurement result of a photocurrent amplification effect of a comparative sensor.

【図6】比較用センサーの光照射中における量子効率の
変化を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a change in quantum efficiency of a comparative sensor during light irradiation.

【図7】本発明の光センサーにおける光電流増幅作用を
説明する図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a photocurrent amplification action in the photosensor of the present invention.

【図8】本発明の光センサーの光照射中における量子効
率の変化を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing changes in quantum efficiency of the photosensor of the present invention during light irradiation.

【図9】比較用センサーにおける電流量の積分値(電荷
量)の時間変化を説明する図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating a change over time of an integrated value (charge amount) of a current amount in a comparative sensor.

【図10】本発明の光センサーにおける電流量の積分値
(電荷量)の時間変化を説明する図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating a change with time of an integrated value (charge amount) of a current amount in the photosensor of the present invention.

【図11】本発明の情報記録方法を説明する図である。FIG. 11 is a diagram illustrating an information recording method of the present invention.

【図12】本発明の情報記録システムにおける記録情報
の再生方法を説明するための図である。
FIG. 12 is a diagram for explaining a method of reproducing recorded information in the information recording system of the present invention.

【図13】本発明における光センサーの電気特性を評価
するために使用した測定回路を説明するための図であ
る。
FIG. 13 is a diagram illustrating a measurement circuit used to evaluate the electrical characteristics of the photosensor according to the present invention.

【図14】本発明の光センサーの一実施例の電気特性を
示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing electrical characteristics of an example of the optical sensor of the present invention.

【図15】本発明の光センサーの電気特性を評価するた
めに使用した測定回路を説明するための図である。
FIG. 15 is a diagram for explaining a measurement circuit used to evaluate the electrical characteristics of the optical sensor of the present invention.

【図16】本発明の光センサーの一実施例の情報記録特
性を示す図である。
FIG. 16 is a diagram showing information recording characteristics of an example of the optical sensor of the present invention.

【図17】本発明の光センサーの他の実施例の電気特性
を示す図である。
FIG. 17 is a diagram showing electrical characteristics of another embodiment of the optical sensor of the present invention.

【図18】本発明の光センサーの他の実施例の情報記録
特性を示す図である。
FIG. 18 is a diagram showing information recording characteristics of another embodiment of the optical sensor of the present invention.

【図19】本発明の光センサーの他の実施例の情報記録
特性を示す図である。
FIG. 19 is a diagram showing information recording characteristics of another embodiment of the optical sensor of the present invention.

【図20】本発明における他の光センサーの電気特性を
示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing electrical characteristics of another optical sensor according to the present invention.

【図21】本発明の光センサーの他の実施例の情報記録
特性を示す図である。
FIG. 21 is a diagram showing information recording characteristics of another embodiment of the optical sensor of the invention.

【図22】本発明の光センサーの他の実施例の情報記録
特性を示す図である。
FIG. 22 is a diagram showing information recording characteristics of another embodiment of the optical sensor of the present invention.

【図23】本発明の光センサーの他の実施例の情報記録
特性を示す図である。
FIG. 23 is a diagram showing the information recording characteristics of another embodiment of the optical sensor of the present invention.

【図24】本発明の光センサーの他の実施例の電気特性
を示す図である。
FIG. 24 is a diagram showing electrical characteristics of another embodiment of the optical sensor of the invention.

【図25】比較例の光センサーの電気特性を示す図であ
る。
FIG. 25 is a diagram showing electrical characteristics of a photosensor of a comparative example.

【図26】比較例の光センサーの電気特性を示す図であ
る。
FIG. 26 is a diagram showing electrical characteristics of a photosensor of a comparative example.

【図27】比較例の光センサーの情報記録特性を示す図
である。
FIG. 27 is a diagram showing an information recording characteristic of an optical sensor of a comparative example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…光センサー、2…情報記録媒体、11…情報記録
層、13、13′…電極層、14′…電荷発生層、1
4″…電荷輸送層、15…基板、19…スペーサー、2
0…誘電体層、21…光源、22…駆動機構を有するシ
ャッター、23…パルスジェネレーター(電源)、24
…暗箱、30…金電極、31…光源、32…シャッタ
ー、33…シャッター駆動機構、34…パルスジェネレ
ーター(電源)、35…オシロスコープ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical sensor, 2 ... Information recording medium, 11 ... Information recording layer, 13, 13 '... Electrode layer, 14' ... Charge generation layer, 1
4 ″ ... charge transport layer, 15 ... substrate, 19 ... spacer, 2
0 ... Dielectric layer, 21 ... Light source, 22 ... Shutter having drive mechanism, 23 ... Pulse generator (power supply), 24
... dark box, 30 ... gold electrode, 31 ... light source, 32 ... shutter, 33 ... shutter drive mechanism, 34 ... pulse generator (power supply), 35 ... oscilloscope

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内海 実 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Minoru Utsumi 1-1-1, Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Dai Nippon Printing Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基材上に電極層を設け、該電極層上に光
導電層を積層してなる光センサーと、電極層上に電界ま
たは電荷により情報記録が可能な情報記録層を積層して
なる情報記録媒体とが対向して配置され、両電極層間に
電圧を印加した状態での情報露光により情報記録媒体へ
の情報記録を可能とする情報記録システムに使用する光
センサーの光導電層が下記の化学構造式で表されるピロ
ロピロール化合物を含有することを特徴とする光センサ
ー。 【化1】 上記の化学構造式中において、AおよびBは同一または
異なったアルキル基、アルアルキル基、シクロアルキル
基、炭素環もしくは複素環式の芳香族基を表し、R1
2 は、水素原子または水溶性を付与しない置換基を表
す。
1. An optical sensor comprising an electrode layer provided on a base material and a photoconductive layer laminated on the electrode layer, and an information recording layer capable of recording information by an electric field or electric charge on the electrode layer. A photoconductive layer of an optical sensor used in an information recording system which is arranged so as to face the information recording medium and is capable of recording information on the information recording medium by exposing the information in a state where a voltage is applied between both electrode layers. Which contains a pyrrolopyrrole compound represented by the following chemical structural formula. [Chemical 1] In the above chemical structural formulas, A and B represent the same or different alkyl groups, aralkyl groups, cycloalkyl groups, carbocyclic or heterocyclic aromatic groups, and R 1 ,
R 2 represents a hydrogen atom or a substituent that does not impart water solubility.
【請求項2】 光センサーが、基材上に電極層、光導電
層を積層し、情報記録媒体に付与される電界強度または
電荷量が光照射につれて増幅され、また光照射を終了し
た後でも電圧を印加し続けるとその導電性を持続し、引
き続き電界強度または電荷量を情報記録媒体に付与し続
ける作用を有することを特徴とする請求項1記載の光セ
ンサー。
2. An optical sensor in which an electrode layer and a photoconductive layer are laminated on a base material, and the electric field strength or the amount of electric charge applied to the information recording medium is amplified with the irradiation of light, and even after the irradiation of light is completed. 2. The photosensor according to claim 1, wherein the photosensor has a function of continuing its conductivity when a voltage is continuously applied and continuously applying an electric field strength or a charge amount to the information recording medium.
【請求項3】 基材上に形成した電極層上に下記の化学
構造式で示されるピロロピロール化合物を含有する光導
電層を有する光センサーと、電極層上に電界または電荷
により情報記録が可能な情報記録層を積層してなる情報
記録媒体とが対向して配置され、両電極層間に電圧を印
加した状態での情報露光により情報記録媒体への情報記
録を可能とすることを特徴とする情報記録システム。 【化2】 上記の化学構造式中において、AおよびBは同一または
異なったアルキル基、アルアルキル基、シクロアルキル
基、炭素環もしくは複素環式の芳香族基を表し、R1
2 は、水素原子または水溶性を付与しない置換基を表
す。
3. An optical sensor having a photoconductive layer containing a pyrrolopyrrole compound represented by the following chemical structural formula on an electrode layer formed on a base material, and information can be recorded by an electric field or electric charge on the electrode layer. And an information recording medium formed by stacking various information recording layers are arranged to face each other, and information recording can be performed on the information recording medium by information exposure in a state where a voltage is applied between both electrode layers. Information recording system. [Chemical 2] In the above chemical structural formulas, A and B represent the same or different alkyl groups, aralkyl groups, cycloalkyl groups, carbocyclic or heterocyclic aromatic groups, and R 1 ,
R 2 represents a hydrogen atom or a substituent that does not impart water solubility.
JP09983293A 1993-04-26 1993-04-26 Optical sensor and information recording system Expired - Fee Related JP3344765B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09983293A JP3344765B2 (en) 1993-04-26 1993-04-26 Optical sensor and information recording system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09983293A JP3344765B2 (en) 1993-04-26 1993-04-26 Optical sensor and information recording system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06308750A true JPH06308750A (en) 1994-11-04
JP3344765B2 JP3344765B2 (en) 2002-11-18

Family

ID=14257794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09983293A Expired - Fee Related JP3344765B2 (en) 1993-04-26 1993-04-26 Optical sensor and information recording system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3344765B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100350366B1 (en) * 1999-10-18 2002-08-28 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤 Toner concentration sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100350366B1 (en) * 1999-10-18 2002-08-28 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤 Toner concentration sensor

Also Published As

Publication number Publication date
JP3344765B2 (en) 2002-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0595255B1 (en) Photoelectric sensor, information recording system, and information recording method
JPH0713132A (en) Information recording medium
JP2940661B2 (en) Optical sensor and information recording method
JP3344765B2 (en) Optical sensor and information recording system
JP4117806B2 (en) Light sensor
JP3372288B2 (en) Optical sensor and information recording system
JPH06260664A (en) Manufacture of optical sensor
JP2866798B2 (en) Optical sensor, information recording device and information recording method
JP3351629B2 (en) Optical sensor, information recording device, and information recording / reproducing method
JPH06309693A (en) Optical sensor, information recording device and recording and reproducing method of information
JP3623026B2 (en) Optical sensor, information recording apparatus, and information recording / reproducing method
JPH1065136A (en) Optical sensor, apparatus for recording information and method for recording and reproducing information
JPH06265931A (en) System and method for information recording
JP2908189B2 (en) Information recording apparatus and information recording / reproducing method
JP3138251B2 (en) Information recording method and device
JP3528938B2 (en) Information recording medium
JPH07128873A (en) Optical sensor and information recording method
JP2866801B2 (en) Optical sensor, information recording device and information recording method
JPH06308758A (en) Optical sensor, information recorder and information recording system
JP3352531B2 (en) Optical sensor, information recording device, and information recording / reproducing method
JPH0854643A (en) Optical sensor, information recorder and information recording and reproducing method
JPH10228670A (en) Information recording medium
JPH0713124A (en) Information recording medium and information recording and reproducing method
JPH06325416A (en) Information recording device and information reproducing method
JPH09217063A (en) Smectic liquid crystal composition for information recording medium

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 6

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080830

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090830

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees