JPH06308728A - Photosensitive resin composition - Google Patents

Photosensitive resin composition

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JPH06308728A
JPH06308728A JP9593493A JP9593493A JPH06308728A JP H06308728 A JPH06308728 A JP H06308728A JP 9593493 A JP9593493 A JP 9593493A JP 9593493 A JP9593493 A JP 9593493A JP H06308728 A JPH06308728 A JP H06308728A
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JP
Japan
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group
resin composition
photosensitive resin
bis
formula
Prior art date
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Application number
JP9593493A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Kato
康一 加藤
Suketoshi Maeda
▲祐▼利 前田
Koichi Kunimune
弘一 国宗
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JNC Corp
Original Assignee
Chisso Corp
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Publication date
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Publication of JPH06308728A publication Critical patent/JPH06308728A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a photosensitive resin composition having practicably sufficient sensitivity and capable of forming a good positive type relief pattern ands reduced in fluctuation of film thickness with the lapse of time for the purpose of enhancing storage stability. CONSTITUTION:The photosensitive resin composition is characterized by containing 100 pts.wt. of a polyimide precursor comprising 20-80mol pts. of structural units represented by formula I and 80-20mol pts. of those represented by formula II and having a logarithmic viscosity of 0.1-5.0dl/g at 30 deg.C in an N-methylpyrrolidone solvent, and 0.5-50 pts.wt. of an o-quinonediazido compound. In formulae I and II, R<2> is, independently, a divalent organic group.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、新規な感光性耐熱重合
体およびその製造方法などに関する。詳しくは保存安定
性に優れ、高感度である新規なポリイミド前駆体および
それを含む感光性樹脂組成物に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel photosensitive heat resistant polymer and a method for producing the same. More specifically, it relates to a novel polyimide precursor having excellent storage stability and high sensitivity, and a photosensitive resin composition containing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】耐熱感光材料として感光性ポリイミドは
半導体の絶縁膜やパッシベーション膜などに広く使用さ
れているが種々の問題点を有している。例えば特開昭5
4−145794号公報では二重結合とアミノ基または
その4級化塩を含む化合物をポリアミド酸に混合する方
法が開示されているが、不安定なポリアミド酸溶液に多
量のアミノ基またはその4級化塩を含む化合物を添加す
るため溶液の粘度の経時変化が大になる欠点がある。特
開昭55−45746号公報及び特開昭60−1001
43号公報では各種ポリアミド酸のカルボキシル基に不
飽和エポキシ化合物または二重結合を有するイソシアネ
ート化合物を反応させる方法が開示されているが、ポリ
アミド酸のカルボキシル基に感光性不飽和基含有化合物
を反応させる際にポリアミド酸の一部の分解などによっ
て溶液の粘度が変化する欠点がある。特公昭55−41
422号公報ではポリアミド酸のエステル側鎖に二重結
合などの活性官能基を導入したポリマーが開示されてい
るが、酸塩化物とジアミンを反応させる際に残る不純物
の塩化物の除去が問題となる。また、特開昭60−67
29号公報ではあらかじめ二重結合を有するジアミンを
合成しておき、これらを用いてポリイミドを合成する方
法が開示されているが、感光性官能基を導入するために
工程が複雑であり多くの費用を要する。一方、米国特許
第4093461号公報ではポリアミド酸にキノンジア
ジド化合物を添加したポジ型の耐熱性レジストが開示さ
れているが、ポリアミド酸のアルカリに対する溶解性が
高すぎて現像時に膜減りが大きく解像度が悪いという欠
点がある。また、特開平4−204738号公報ではポ
リアミド酸のカルボキシル基を一部エステル化したポリ
アミド酸誘導体にキノンジアジド化合物を添加したポジ
型の耐熱性レジストが報告されているが、感度が低いと
いう欠点がある。このように従来の技術に種々の問題点
があり、これらを解決した感光性材料の開発が要望され
ている。
2. Description of the Related Art Photosensitive polyimide is widely used as a heat-resistant photosensitive material for semiconductor insulating films and passivation films, but it has various problems. For example, JP-A-5
Japanese Patent Publication No. 4-145794 discloses a method of mixing a compound containing a double bond and an amino group or a quaternized salt thereof with a polyamic acid. However, a large amount of the amino group or its quaternary compound is added to an unstable polyamic acid solution. Since a compound containing a cation salt is added, there is a drawback that the viscosity of the solution changes greatly with time. JP-A-55-45746 and JP-A-60-1001.
Japanese Patent Laid-Open No. 43-43 discloses a method of reacting a carboxyl group of various polyamic acids with an unsaturated epoxy compound or an isocyanate compound having a double bond, but reacting a carboxyl group of a polyamic acid with a photosensitive unsaturated group-containing compound. At this time, there is a drawback that the viscosity of the solution changes due to decomposition of a part of the polyamic acid. Japanese Examined Japanese Patent Publication 55-41
Japanese Patent No. 422 discloses a polymer in which an active functional group such as a double bond is introduced into an ester side chain of a polyamic acid, but removal of an impurity chloride remaining when an acid chloride is reacted with a diamine is a problem. Become. In addition, JP-A-60-67
No. 29 discloses a method of synthesizing a diamine having a double bond in advance and synthesizing a polyimide using these, but the process is complicated because a photosensitive functional group is introduced and the cost is high. Requires. On the other hand, U.S. Pat. No. 4,093,461 discloses a positive type heat-resistant resist in which a quinonediazide compound is added to a polyamic acid, but the polyamic acid has too high solubility in an alkali, resulting in large film loss during development and poor resolution. There is a drawback that. Further, JP-A-4-204738 reports a positive type heat-resistant resist in which a quinonediazide compound is added to a polyamic acid derivative in which a carboxyl group of a polyamic acid is partially esterified, but has a drawback of low sensitivity. . As described above, the conventional techniques have various problems, and development of a photosensitive material that solves these problems has been desired.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
の従来技術の種々の問題点を解決することであり、特に
ポリアミド酸などにキノンジアジドを添加したポジ型耐
熱性レジストにおける問題点を解決することである。す
なわち、保存安定性に優れ、不純物含量が少なく、感度
良好な感光性樹脂組成物を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned various problems of the prior art, and particularly to solve the problems of a positive heat-resistant resist obtained by adding quinonediazide to polyamic acid or the like. It is to be. That is, it is to provide a photosensitive resin composition having excellent storage stability, low impurity content, and good sensitivity.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決するために鋭意検討を重ねた結果、オルトキノンジ
アジド化合物とポリイミド前駆体を使って高感度なポジ
型の耐熱性レジストを得ることを見出し、さらにポリア
ミド酸のアミド基の一部をイミド化したポリイミド前駆
体がより有効であることを見いだし、本発明を完成する
に至った。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies for solving the above problems, the present inventors have obtained a highly sensitive positive heat-resistant resist using an orthoquinonediazide compound and a polyimide precursor. Furthermore, the inventors have found that a polyimide precursor obtained by imidizing a part of the amide group of polyamic acid is more effective, and completed the present invention.

【0005】本発明の感光性樹脂組成物は、下記一般式
(I)
The photosensitive resin composition of the present invention has the following general formula (I):

【化5】 で示される構造単位が20〜80モル部、一般式(I
I)
[Chemical 5] The structural unit represented by
I)

【化6】 で示される構造単位が80〜20モル部からなる対数粘
度数0.1〜5.0dl/g(30℃、N‐メチル‐2
‐ピロリドン溶媒)のポリイミド前駆体の100重量部
およびオルトキノンジアジド化合物の0.5〜50重量
部を含むことを特徴とする、(ただし、式(I)および
(II)において、R2は独立に2価の有機基であ
る)。
[Chemical 6] The structural viscosity of the structural unit represented by the formula is 80 to 20 parts by mole and the logarithmic viscosity number is 0.1 to 5.0 dl / g (30 ° C., N-methyl-2
-Pyrrolidone solvent), and 100 to 50 parts by weight of a polyimide precursor and 0.5 to 50 parts by weight of an orthoquinonediazide compound (provided that in the formulas (I) and (II), R 2 is independently It is a divalent organic group).

【0006】好ましくは、一般式(I)および(II)にお
いて、R2が一般式(III)
Preferably, in the general formulas (I) and (II), R 2 is a general formula (III)

【化7】 および一般式(IV)[Chemical 7] And general formula (IV)

【化8】 からなる群から選ばれた少なくとも1種の基を有する。[Chemical 8] Having at least one group selected from the group consisting of

【0007】本発明の組成物に用いる一般式(I)およ
び(II)におけるR2は、二価の有機基である。さらに詳
しくは、
R 2 in the general formulas (I) and (II) used in the composition of the present invention is a divalent organic group. For more details,

【0008】R2が炭素環式芳香族基である場合、好ま
しいそれらの例としては、単環式芳香族基、縮合多環式
芳香族基、または非縮合二環式芳香族基が挙げられる。
この非縮合二環式基の場合は、芳香環が互いに橋かけ基
を通して結合している。この場合、可能な橋かけ基とし
ては、例えば次の基が適当である。
When R 2 is a carbocyclic aromatic group, preferred examples thereof include a monocyclic aromatic group, a fused polycyclic aromatic group, or a non-fused bicyclic aromatic group. .
In the case of this non-fused bicyclic group, the aromatic rings are linked to each other through a bridging group. In this case, the following groups are suitable as possible bridging groups:

【0009】[0009]

【化9】 [Chemical 9]

【化10】 [Chemical 10]

【化11】 [Chemical 11]

【0010】上記式中、Q1は、場合によってはハロゲ
ン原子(好ましくはフッソ原子)の一個もしくはそれ以
上で置換された炭素原子数1ないし6(好ましくは1な
いし4)のアルキル基もしくはアルキレン基を表わす
か、またはシクロヘキシル基、アリール基もしくはアリ
ーレン基を表わし、Q2は、水素原子、シクロアルキル
基又はアリール基を表わすか、また場合によってはハロ
ゲン原子数1個もしくはそれ以上で置換された炭素原子
数1ないし4のアルキル基を表わす。また、Q1および
2は、上記の基が互いに、二個の橋かけ基、例えば二
個の‐SO2‐基を通して結合してなる基でもよい。
In the above formula, Q 1 is an alkyl group or alkylene group having 1 to 6 carbon atoms (preferably 1 to 4) optionally substituted by one or more halogen atoms (preferably fluorine atoms). Represents, or represents a cyclohexyl group, an aryl group or an arylene group, Q 2 represents a hydrogen atom, a cycloalkyl group or an aryl group, and optionally a carbon atom substituted with one or more halogen atoms. It represents an alkyl group having 1 to 4 atoms. Further, Q 1 and Q 2 may be groups in which the above groups are bonded to each other through two bridging groups, for example, two —SO 2 — groups.

【0011】R2が複素環式を表わす場合、それらの例
として特に挙げられるのは、酸素、窒素及び/又は硫黄
を含む五員環もしくは6員環の複素環式芳香族基であ
る。また、R2が脂肪族基である場合には、特に、炭素
原子数2ないし12のアルキレン鎖中にヘテロ原子、例
えば酸素、硫黄または窒素原子が介在したアルキレン基
がそれらの例として挙げられる。R2が脂環式基である
場合の例として挙げられるものは、シクロヘキシル基又
はジシクロヘキシルメタン基などであり、一方、芳香脂
肪族基である場合の例として特に挙げられるものは、
1,3‐、1,4‐もしくは2,4‐ビス‐アルキレン
ベンゼンの基、4,4’‐ビス‐アルキレン‐ジフェニ
ルエーテル基などである。
When R 2 is heterocyclic, particular examples thereof are 5- or 6-membered heterocyclic aromatic radicals containing oxygen, nitrogen and / or sulfur. Further, when R 2 is an aliphatic group, an alkylene group having a hetero atom, for example, an oxygen, sulfur or nitrogen atom interposed in an alkylene chain having 2 to 12 carbon atoms is mentioned as an example thereof. Examples of the case where R 2 is an alicyclic group include a cyclohexyl group and a dicyclohexylmethane group, while examples of the case where the R 2 is an araliphatic group particularly include:
Examples include 1,3-, 1,4- or 2,4-bis-alkylenebenzene groups and 4,4′-bis-alkylene-diphenyl ether groups.

【0012】R2については、それぞれのR2が互いに独
立に、場合によってはハロゲン原子または炭素原子数1
ないし4のアルキル基もしくはアルコキシ基の一個以上
を置換基として有する、単環式芳香族基もしくは非縮合
二環式芳香族基であるか、あるいは非置換単環式芳香脂
肪族基または炭素原子数2ないし10の非置換脂肪族基
であるのが好ましい。
As for R 2 , each R 2 is independent of each other, and in some cases, a halogen atom or a carbon atom of 1 is present.
To 4 are monocyclic aromatic groups or non-fused bicyclic aromatic groups having one or more alkyl groups or alkoxy groups as substituents, or unsubstituted monocyclic araliphatic groups or the number of carbon atoms It is preferably from 2 to 10 unsubstituted aliphatic groups.

【0013】R2がポリシロキサン基である場合、つぎ
の一般式(VII)
When R 2 is a polysiloxane group, the following general formula (VII)

【化12】 で表わされる。ここでR3は独立につぎの式(VIII)、(I
X)、(X)または(XI)で示される。
[Chemical 12] It is represented by. Here, R 3 is independently the following formula (VIII), (I
X), (X) or (XI).

【化13】 [Chemical 13]

【化14】 [Chemical 14]

【化15】 [Chemical 15]

【化16】 (ただし、R4は独立に炭素数1〜6のアルキル基、フ
ェニル基または、炭素数7〜12個のアルキル置換フェ
ニル基を表わし、1≦p≦100、sは1〜4の整数で
ある。)
[Chemical 16] (However, R 4 independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or an alkyl-substituted phenyl group having 7 to 12 carbon atoms, 1 ≦ p ≦ 100, and s is an integer of 1 to 4. .)

【0014】本発明の感光性樹脂組成物は、前記一般式
(I)および(II)で表される構造単位を持つポリイミド
前駆体、少なくとも1種のオルトキノンジアジド化合物
及び溶媒より構成される。本発明の組成物で用いるポリ
イミド前駆体は、前記一般式(I)で表わされる構造単
位の20〜80モル部と前記一般式(II)で表わされる構
造単位80〜20モル部からなる。すなわち、構造単位
(I)をmモル、構造単位(II)をnモルとした場合、次
The photosensitive resin composition of the present invention comprises a polyimide precursor having the structural units represented by the general formulas (I) and (II), at least one orthoquinonediazide compound and a solvent. The polyimide precursor used in the composition of the present invention comprises 20 to 80 parts by mol of the structural unit represented by the general formula (I) and 80 to 20 parts by mol of the structural unit represented by the general formula (II). That is, when the structural unit (I) is defined as mmol and the structural unit (II) is defined as nmol, the following formula

【数1】 で表される。このm/(m+n)が0.2未満であると
現像時の溶解性が高くなりすぎるため未露光部の膜減り
が大きくなり好ましくない。また、0.8を越えると現
像時の溶解性が低くなりすぎるため感度が低下したり、
露光部が溶解しないため好ましくない。
[Equation 1] It is represented by. When this m / (m + n) is less than 0.2, the solubility at the time of development becomes too high, and the film loss in the unexposed area becomes large, which is not preferable. On the other hand, if it exceeds 0.8, the solubility at the time of development becomes too low and the sensitivity is lowered.
It is not preferable because the exposed area does not dissolve.

【0015】前記ポリイミド前駆体、感光剤としてのオ
ルトキノンジアジド化合物を溶媒に上述した混合比で溶
解させることにより本発明の感光性樹脂組成物が得られ
る。さらに本発明のポリイミド前駆体の対数粘度数は、
0.1〜5dl/gの範囲が成膜性の点から好ましい。
ここで対数粘度数とは次式で表わされるηinhである。
The photosensitive resin composition of the present invention can be obtained by dissolving the polyimide precursor and the orthoquinonediazide compound as a photosensitizer in a solvent at the above mixing ratio. Furthermore, the logarithmic viscosity number of the polyimide precursor of the present invention is
The range of 0.1 to 5 dl / g is preferable from the viewpoint of film formability.
Here, the logarithmic viscosity number is η inh expressed by the following equation.

【数2】 (ここで、測定は温度30±0.01℃、ウベローデ粘
度計を使用し、Cは溶液濃度0.5g/dl、ηは溶液
濃度0.5g/dlでの測定値、ηoは溶媒の測定値で
ある。)
[Equation 2] (Here, the measurement is carried out using a Ubbelohde viscometer at a temperature of 30 ± 0.01 ° C., C is a solution concentration of 0.5 g / dl, η is a measurement value at a solution concentration of 0.5 g / dl, and ηo is a solvent measurement. It is a value.)

【0016】本発明の組成物に用いるオルトキノンジア
ジド化合物は感光剤として用いられ特に制限はなく、例
えばオルトベンゾキノンジアジド化合物、オルトナフト
キノンジアジド化合物、または、これらと遊離水酸基を
有する化合物とのエステルなどを用いることができる
が、好ましいのはオルトナフトキノンジアジド化合物及
びオルトナフトキノンジアジド化合物と遊離水酸基を有
する化合物とのエステルである。好ましいものの具体例
としては、ヒドロキシベンゾフェノンまたはその誘導
体、没食子酸またはその誘導体、4,4’‐イソプロピ
リデンジフェノール、4,4’‐ビス(4‐ヒドロキシ
フェニル)スルホン及び2,2‐ビス‐(4‐ヒドロキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパンなどのビスフェノ
ール誘導体とオルトナフトキノンジアジドスルホニルク
ロライドとのエステルなど、また次式(Z)の化合物な
どがあげられる。
The orthoquinonediazide compound used in the composition of the present invention is used as a photosensitizer and is not particularly limited. For example, an orthobenzoquinonediazide compound, an orthonaphthoquinonediazide compound, or an ester thereof with a compound having a free hydroxyl group is used. However, an orthonaphthoquinonediazide compound and an ester of an orthonaphthoquinonediazide compound and a compound having a free hydroxyl group are preferable. Specific examples of preferable ones include hydroxybenzophenone or its derivative, gallic acid or its derivative, 4,4′-isopropylidenediphenol, 4,4′-bis (4-hydroxyphenyl) sulfone and 2,2-bis- ( Examples thereof include esters of bisphenol derivatives such as 4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and orthonaphthoquinonediazidesulfonyl chloride, and compounds of the following formula (Z).

【0017】[0017]

【化17】 [Chemical 17]

【0018】本発明の感光性樹脂組成物に於ける前記ポ
リイミド前駆体と前記オルトキノンジアジド化合物との
含有割合は、前記ポリイミド前駆体100重量部に対し
て、前記オルトキノンジアジド化合物0.5〜50重量
部であり、好ましくは10〜30重量部である。前記ポ
リイミド前駆体100重量部に対する前記オルトキノン
ジアジド化合物の含有割合が0.5重量部よりも少ない
と、露光部と未露光部とにおける現像液への溶解性の差
が十分でなくなりコントラストの優れたパターンを得る
ことができない。一方、50重量部を越えると、製膜性
の低下を招いて膜が脆くなり、基板から膜が剥離し易く
なったりするなどの不都合を生じる。
The content ratio of the polyimide precursor and the orthoquinonediazide compound in the photosensitive resin composition of the present invention is 0.5 to 50 parts by weight of the orthoquinonediazide compound based on 100 parts by weight of the polyimide precursor. Parts, and preferably 10 to 30 parts by weight. When the content ratio of the orthoquinonediazide compound to 100 parts by weight of the polyimide precursor is less than 0.5 parts by weight, the difference in solubility in the developing solution between the exposed part and the unexposed part is insufficient and the contrast is excellent. I can't get the pattern. On the other hand, when it exceeds 50 parts by weight, the film-forming property is deteriorated to make the film brittle, and the film may be easily peeled off from the substrate.

【0019】溶媒としては、N‐メチル‐2‐ピロリド
ン、N,N‐ジメチルアセトアミド、N,N‐ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿
素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホ
ルアミド、メチルホルムアミド、N‐アセチル‐2‐ピ
ロリドン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、クレゾー
ル、γ‐ブチロラクトン、N,N‐ジエチルアセトアミ
ド、N,N‐ジエチルホルムアミド、N,N‐ジメチル
メトキシアセトアミド、テトラヒドロフラン、N‐アセ
チル‐2‐ピロリドン、N‐メチル‐ε‐カプロラクタ
ム、テトラヒドロチオフェンジオキシド[スルホラン
(sulpholane)]など、もしくはこれらの二
種以上の混合溶媒をあげることができる。
As the solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, pyridine, dimethylsulfone, hexamethylphosphoramide, methylformamide, N-acetyl-2-pyrrolidone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, cyclopentanone, cyclohexanone, cresol, γ-butyrolactone, N, N-diethylacetamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylmethoxyacetamide, tetrahydrofuran, N-acetyl-2-pyrrolidone N- methyl -ε- caprolactam, tetrahydrothiophene dioxide [sulfolane (sulpholane)], etc., or can be given these two or more mixed solvents.

【0020】本発明の組成物で用いられるポリイミド前
駆体の製造方法としては、(a)ポリアミド酸を加熱す
る方法、(b)脱水剤と3級アミンを添加することによ
り合成する方法、または(c)ポリアミド酸を溶媒中で
一部イソイミド化させた後、イソイミドの部分をイミド
に転換させる方法があるが以下に詳述する。
The method for producing the polyimide precursor used in the composition of the present invention includes (a) a method of heating a polyamic acid, (b) a method of synthesizing by adding a dehydrating agent and a tertiary amine, or ( c) There is a method in which the polyamic acid is partly imidized in a solvent and then the part of the isoimide is converted to an imide, which will be described in detail below.

【0021】(a)ポリアミド酸を加熱する方法は、ポ
リアミド酸を80〜300℃の温度で加熱するか、ある
いはポリアミド酸の有機溶媒溶液50〜150℃の温度
に加熱することにより本発明の組成物に用いるポリイミ
ド前駆体が得られる。 (b)脱水剤と3級アミンを添加することにより得る方
法は、たとえば無水酢酸などの脱水剤とピリジンあるい
はイソキノリンなどの3級アミンをポリアミド酸溶液に
添加し、10〜50℃の常温近くの温度で反応を行なう
公知の方法により本発明で用いられるポリイミド前駆体
が得られる。 (c)上記のイソイミド部分をイミドに転換させる方法
は、後記(V)と(VI)の化合物を反応させて得られるポ
リアミド酸をProceedings ofSecon
d International Conferenc
e onPolyimides(1985)p631に
記載されている方法により、例えば、N,N’‐ジシク
ロヘキシルカルボジイミド、N‐エトキシカルボニル‐
2‐エトキシ‐1,2‐ジヒドロキノリン、トリフルオ
ロ無水酢酸などの脱水剤の存在下イソイミドに変換し、
次いで0〜100℃で反応させることによりイミド基を
形成させる。たとえば脱水剤としてN,N′‐ジシクロ
ヘキシルカルボジイミドを用いた場合式(V)の化合物
の0.2〜1.9倍モルを使用し、ポリアミド酸を一部
ポリイソシミド化することができる。反応温度は0〜6
0℃、好ましくは10〜30℃くらいである。反応時間
は0.2〜24時間が好ましく、より好ましくは1〜1
2時間くらいである。次いで、さらに加熱を続けること
によりイソイミドの部分をイミド化を行いポリイミド前
駆体を得る。反応温度は30〜100℃、好ましくは4
0〜60℃くらいである。反応時間は1〜48時間が好
ましく、より好ましくは2〜24時間である。
(A) The method of heating the polyamic acid is carried out by heating the polyamic acid at a temperature of 80 to 300 ° C. or a solution of the polyamic acid in an organic solvent at a temperature of 50 to 150 ° C. A polyimide precursor used for the product is obtained. (B) The method of obtaining by adding a dehydrating agent and a tertiary amine is, for example, adding a dehydrating agent such as acetic anhydride and a tertiary amine such as pyridine or isoquinoline to a polyamic acid solution, and adding the dehydrating agent to a polyamic acid solution at room temperature near 10 to 50 ° C. The polyimide precursor used in the present invention can be obtained by a known method in which the reaction is carried out at a temperature. (C) The method of converting the above-mentioned isoimide moiety into an imide is carried out by reacting the polyamic acid obtained by reacting the compounds (V) and (VI) described below with Proceedings of Secon.
d International Conference
e onPolyimides (1985) p631, for example, N, N'-dicyclohexylcarbodiimide, N-ethoxycarbonyl-
Converted to isoimide in the presence of dehydrating agents such as 2-ethoxy-1,2-dihydroquinoline and trifluoroacetic anhydride
Then, an imide group is formed by reacting at 0 to 100 ° C. For example, when N, N'-dicyclohexylcarbodiimide is used as the dehydrating agent, the polyamic acid can be partially polyisosimidated by using 0.2 to 1.9 times the molar amount of the compound of the formula (V). Reaction temperature is 0-6
The temperature is 0 ° C, preferably about 10 to 30 ° C. The reaction time is preferably 0.2 to 24 hours, more preferably 1 to 1
It's about two hours. Then, by further heating, the portion of the isoimide is imidized to obtain a polyimide precursor. The reaction temperature is 30 to 100 ° C, preferably 4
It is about 0 to 60 ° C. The reaction time is preferably 1 to 48 hours, more preferably 2 to 24 hours.

【0022】前記ポリアミド酸は、一般式(V)The polyamic acid has the general formula (V)

【化18】 で示されるテトラカルボン酸二無水物と、一般式(VI)[Chemical 18] And a tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (VI)

【化19】 (ただし、R2は前記と同じ意味である。)で示される
ジアミンとの反応によって得られる。
[Chemical 19] (Wherein R 2 has the same meaning as described above) and is obtained by a reaction with a diamine.

【0023】この反応は、前記の有機溶媒中で行うこと
ができる。また、前記の有機溶媒を他の非プロトン性
(中性)有機溶媒、例えば芳香族、脂環式もしくは脂肪
族炭化水素またはそれらの塩素化誘導体(例えば、ベン
ゼン、トルエン、キシレン類、シクロヘキサン、ペンタ
ン、ヘキサン、石油エーテル、塩化メチレンなど)、ま
たはジオキサンで希釈したものを用いることもできる。
ポリアミド酸の分子量をコントロールすることを目的
に、無水フタル酸、無水マイン酸などの一官能性の酸無
水物またはアニリン、モノアリルアニリンなどのアミン
を添加して反応を行うこともできる。
This reaction can be carried out in the above-mentioned organic solvent. In addition, the above organic solvent may be replaced with another aprotic (neutral) organic solvent such as aromatic, alicyclic or aliphatic hydrocarbon or a chlorinated derivative thereof (eg, benzene, toluene, xylenes, cyclohexane, pentane). , Hexane, petroleum ether, methylene chloride, etc.) or those diluted with dioxane can also be used.
For the purpose of controlling the molecular weight of the polyamic acid, the reaction can be carried out by adding a monofunctional acid anhydride such as phthalic anhydride or myric anhydride or an amine such as aniline or monoallylaniline.

【0024】前記一般式(V)で示されるテトラカルボ
ン酸二無水物の化合物名は、2,2‐ビス(3,4‐ジ
カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンである。
The compound name of the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (V) is 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane.

【0025】前記一般式(VI)で表わされるジアミン類
としては、公知の化合物が用いられる。炭素環式芳香族
ジアミンの例としては、特に次の化合物が挙げられる。
o‐、m‐、及びp‐フェニレンジアミン、ジアミノト
ルエン類(例えば、2,4‐ジアミノトルエン)、1,
4‐ジアミノ‐2‐メトキシベンゼン、2,5‐ジアミ
ノキシレン類、1,3‐ジアミノ‐4‐クロルベンゼ
ン、1,4‐ジアミノ‐2,5‐ジクロルベンゼン、
1,4‐ジアミノ‐2‐ブロムベンゼン、1,3‐ジア
ミノ‐4‐イソプロピルベンゼン、N,N’‐ジフェニ
ル‐1,4‐フェニレンジアミン、4,4’‐ジアミノ
ジフェニル‐2,2‐プロパン‐4,4’ジアミノフェ
ニルメタン、2,2’‐ジアミノスチルベン、4,4’
‐ジアミノジフェニルエーテル、4,4’‐ジアミノジ
フエニル‐チオエーテル、4,4’‐ジアミノジフェニ
ルスルホン、3,3’‐ジアミノジフェニルスルホン、
4,4’‐ジアミノ安息香酸フェニルエステル、2,
2’‐ジアミノベンゾフェノン、4,4’‐ジアミノベ
ンゾフェノン、4,4’‐ジアミノベンジル、4‐
(4’‐アミノフェニルカルバモイル)‐アニリン、ビ
ス(4‐アミノフェニル)‐ホスフィンオキシド、ビス
(4‐アミノフェニル)‐メチル‐ホスフィンオキシ
ド、ビス(3‐アミノフェニル)‐メチルスルフィンオ
キシド、ビス(4‐アミノフェニル)‐シクロヘキシル
ホスフィンオキシド、N,N‐ビス(4‐アミノフェニ
ル)‐N‐フェニルアミン、N,N‐ビス(4‐アミノ
フェニル)‐N‐メチルアミン、4,4’‐ジアミノジ
フェニル尿素、1,8‐ジアミノナフタリン、1,5‐
ジアミノアントラキノン、ジアミノフルオランテン、ビ
ス(4‐アミノフェニル)‐ジエチルシラン、ビス(4
‐アミノフェニル)‐ジメチルシラン、ビス(4‐アミ
ノフェニル)‐テトラメチルジシロキサン、3,4’‐
ジアミノジフェニルエーテル、ベンジジン、2,2’‐
ジメチルベンジジン、2,2‐ビス[4‐(4‐アミノ
フェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4‐(4‐ア
ミノフェノキシ)フェニル]スルホン、4,4’‐ビス
(4‐アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2‐ビス
[4‐(4‐アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフル
オロプロパン、1,4‐ビス(4‐アミノフェノキシ)
ベンゼン、1,3‐ビス(4‐アミノフェノキシ)ベン
ゼンなど。特に好ましいジアミンは、4,4’‐ビス
(4‐アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2‐ビス
[4‐(4‐アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフル
オロプロパンである。
Known compounds are used as the diamines represented by the general formula (VI). Examples of the carbocyclic aromatic diamine include the following compounds.
o-, m-, and p-phenylenediamine, diaminotoluenes (eg 2,4-diaminotoluene), 1,
4-diamino-2-methoxybenzene, 2,5-diaminoxylenes, 1,3-diamino-4-chlorobenzene, 1,4-diamino-2,5-dichlorobenzene,
1,4-diamino-2-bromobenzene, 1,3-diamino-4-isopropylbenzene, N, N'-diphenyl-1,4-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl-2,2-propane- 4,4 'diaminophenylmethane, 2,2'-diaminostilbene, 4,4'
-Diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl-thioether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone,
4,4'-diaminobenzoic acid phenyl ester, 2,
2'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzyl, 4-
(4'-aminophenylcarbamoyl) -aniline, bis (4-aminophenyl) -phosphine oxide, bis (4-aminophenyl) -methyl-phosphine oxide, bis (3-aminophenyl) -methylsulfine oxide, bis (4 -Aminophenyl) -cyclohexylphosphine oxide, N, N-bis (4-aminophenyl) -N-phenylamine, N, N-bis (4-aminophenyl) -N-methylamine, 4,4'-diaminodiphenyl Urea, 1,8-diaminonaphthalene, 1,5-
Diaminoanthraquinone, diaminofluoranthene, bis (4-aminophenyl) -diethylsilane, bis (4
-Aminophenyl) -dimethylsilane, bis (4-aminophenyl) -tetramethyldisiloxane, 3,4'-
Diaminodiphenyl ether, benzidine, 2,2'-
Dimethylbenzidine, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 2 , 2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 1,4-bis (4-aminophenoxy)
Benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, etc. Particularly preferred diamines are 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane.

【0026】複素環式ジアミン類は、例えば次の化合物
である。2,6‐ジアミノピリジン、2,4‐ジアミノ
ピリミジン、2,4‐ジアミノ‐s‐トリアジン、2,
7‐ジアミノ‐ジベンゾフラン、2,7‐ジアミノカル
バゾール、3,7‐ジアミノフェノチアジン、2,5‐
ジアミノ‐1,3,4‐チアジアゾール、2,4‐ジア
ミノ‐6‐フェニル‐s‐トリアジンなど。
The heterocyclic diamines are, for example, the following compounds. 2,6-diaminopyridine, 2,4-diaminopyrimidine, 2,4-diamino-s-triazine, 2,
7-diamino-dibenzofuran, 2,7-diaminocarbazole, 3,7-diaminophenothiazine, 2,5-
Diamino-1,3,4-thiadiazole, 2,4-diamino-6-phenyl-s-triazine and the like.

【0027】また、脂肪族ジアミンの例として挙げられ
るのは、次の化合物である。ジメチルジアミン、トリメ
チレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチ
レンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレ
ンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジア
ミン、2,2‐ジメチルプロピレンジアミン、2,5‐
ジメチルヘキサメチレンジアミン、2,5‐ジメチルヘ
プタメチレンジアミン、4,4‐ジメチルヘプタメチレ
ンジアミン、3‐メチルヘプタメチレンジアミン、3‐
メトキシヘプタメチレンジアミン、5‐メチルノナメチ
レンジアミン、2,11‐ジアミノドデカン、1,12
‐ジアミノオキタデカン、1,2‐ビス(3‐アミノプ
ロポキシ)‐エタン、N,N’‐ジメチル‐エチレンジ
アミン、N,N’‐ジメチル‐1,6‐ジアミノヘキサ
ン、式: H2N(CH23O(CH22O(CH23NH で表わされるジアミンなど。
Further, examples of the aliphatic diamine are the following compounds. Dimethyldiamine, trimethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, heptamethylenediamine, octamethylenediamine, nonamethylenediamine, decamethylenediamine, 2,2-dimethylpropylenediamine, 2,5-
Dimethylhexamethylenediamine, 2,5-dimethylheptamethylenediamine, 4,4-dimethylheptamethylenediamine, 3-methylheptamethylenediamine, 3-
Methoxyheptamethylenediamine, 5-methylnonamethylenediamine, 2,11-diaminododecane, 1,12
-Diaminooctadecane, 1,2-bis (3-aminopropoxy) -ethane, N, N'-dimethyl-ethylenediamine, N, N'-dimethyl-1,6-diaminohexane, formula: H 2 N (CH 2 ) 3 O (CH 2 ) 2 O (CH 2 ) 3 NH 2 and the like diamines.

【0028】さらに、脂環式ジアミンとして適当な化合
物は、1,4‐ジアミノジシクロヘキサン及び4,4’
‐ジアミノ‐ジシクロヘキシルメタンなどであり、芳香
脂肪族ジアミンとしては、1,4‐ビス(2‐メチル‐
4‐アミノペンチル)ベンゼン、1,4‐ビス(1,1
‐ジメチル‐5‐アミノペンチル)‐ベンゼン、1,3
‐ビスアミノメチル)‐ベンゼン及び1,4‐ビス(ア
ミノメチル)‐ベンゼンなどが適当である。
Further suitable compounds as alicyclic diamines are 1,4-diaminodicyclohexane and 4,4 '.
-Diamino-dicyclohexylmethane, etc., and as the araliphatic diamine, 1,4-bis (2-methyl-
4-aminopentyl) benzene, 1,4-bis (1,1
-Dimethyl-5-aminopentyl) -benzene, 1,3
-Bisaminomethyl) -benzene and 1,4-bis (aminomethyl) -benzene are suitable.

【0029】さらに、ジアミノポリシロキサンとして次
の化合物を挙げることができる。
Further, the following compounds can be listed as the diaminopolysiloxane.

【化20】 [Chemical 20]

【化21】 [Chemical 21]

【化22】 [Chemical formula 22]

【化23】 [Chemical formula 23]

【化24】 (ここでxは1〜100である。)[Chemical formula 24] (Here, x is 1 to 100.)

【0030】本発明の感光性樹脂組成物を用いたパター
ン化されたポリイミド膜の形成法について説明する。本
発明の感光性樹脂組成物をスピンコート、浸漬、噴霧印
刷などの公知の方法により、シリコンウェハー、金属
板、プラスチック板、硝子板などの基板上に塗布する。
得られた塗膜は電気炉、ホットプレートなどの加熱手段
を用い30〜150℃の温度で数分〜数十分プリベーク
を行うことにより塗膜中の大部分の溶媒を除去する。こ
の溶媒を除去した塗膜にネガマスクをおき、化学線を照
射する。次いで露光部をアルカリ性水溶液からなる現像
液にて溶解除去することによりポジ型のレリーフ・パタ
ーンを得る。
A method for forming a patterned polyimide film using the photosensitive resin composition of the present invention will be described. The photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a substrate such as a silicon wafer, a metal plate, a plastic plate or a glass plate by a known method such as spin coating, dipping or spray printing.
The obtained coating film is prebaked at a temperature of 30 to 150 ° C. for several minutes to several tens of minutes using a heating means such as an electric furnace and a hot plate to remove most of the solvent in the coating film. A negative mask is placed on the coating film from which the solvent has been removed, and actinic radiation is applied. Then, the exposed portion is dissolved and removed with a developing solution containing an alkaline aqueous solution to obtain a positive relief pattern.

【0031】必要により水または一価もしくは多価アル
コール溶媒中でリンスし、さらに150℃以下の温度で
乾燥を行いレリーフ・パターンの安定化を行う。また、
プリベーク後のいずれかの時点で基板からフィルムを剥
がし、単独のフィルムとして使用することもできる。
If necessary, it is rinsed in water or a monohydric or polyhydric alcohol solvent and dried at a temperature of 150 ° C. or lower to stabilize the relief pattern. Also,
The film can be peeled off from the substrate at any time after the prebaking and used as a single film.

【0032】現像により形成されたレリーフ・パターン
のポリマーは前駆体の形であるため、これを前記加熱手
段により200〜500℃、好ましくは300〜400
℃の温度で数十分〜数時間加熱することによりパターン
化されたポリイミド膜が形成される。この場合の化学反
応は下記に示す通りであり、感光剤は熱分解により揮散
してポリイミド膜が形成される。
Since the polymer of the relief pattern formed by development is in the form of a precursor, it is heated at 200 to 500 ° C., preferably 300 to 400 by the above heating means.
A patterned polyimide film is formed by heating at a temperature of ℃ for several tens of minutes to several hours. The chemical reaction in this case is as shown below, and the photosensitizer is volatilized by thermal decomposition to form a polyimide film.

【0033】[0033]

【化25】 [Chemical 25]

【0034】上記の化学線としては、X線、電子線、紫
外線、遠紫外線あるいは可視光線などが例として挙げら
れるが、紫外線または遠紫外線が特に好適である。ま
た、現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナ
トリウム、アンモニア水などの無機アルカリ類、エチル
アミン、n‐プロピルアミンなどの第1級アミン類、ジ
エチルアミン、ジ‐n‐プロピルアミンなどの第2級ア
ミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミンなど
の第3級アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、トリメリツヒドロキシエチルアンモニウムヒドロ
キシドなどの第4級アミン類などの単独または混合した
水溶液、またはこれに一価もしくは多価のアルコール及
びまたは界面活性剤などを添加した溶液が使用される。
Examples of the above-mentioned actinic rays include X-rays, electron beams, ultraviolet rays, far ultraviolet rays and visible rays, and ultraviolet rays or far ultraviolet rays are particularly preferable. Further, as the developing solution, inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia water, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine, Secondary amines such as di-n-propylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, and quaternary amines such as tetramethylammonium hydroxide and trimellits hydroxyethylammonium hydroxide, either alone or A mixed aqueous solution or a solution obtained by adding a monohydric or polyhydric alcohol and / or a surfactant to the mixed aqueous solution is used.

【0035】本発明の感光性樹脂組成物は、上記のよう
にしてパターン化された耐熱性のポリイミド膜を形成す
るが電子材料用途、特に半導体の各種保護膜、平坦化
膜、パッシペーション膜、バッファーコート膜、LSI
メモリのα線遮蔽膜、層間絶縁膜、プリント配線盤の多
層板の層間膜、液晶配向膜、あるいは、サーマルヘッド
の蓄熱材などに適用可能である。
The photosensitive resin composition of the present invention forms a heat-resistant polyimide film patterned as described above, but is used for electronic materials, particularly various semiconductor protective films, flattening films, passivation films, Buffer coat film, LSI
It can be applied to an α-ray shielding film of a memory, an interlayer insulating film, an interlayer film of a multilayer board of a printed wiring board, a liquid crystal alignment film, or a heat storage material of a thermal head.

【0036】以下に実施例によって本発明を更に具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら
限定されるものではない。下記に示す合成例、実施例、
比較例に各種の測定はつぎのように行った。 対数粘度数:ウベロード粘度計を使用し、N‐メチル‐
2‐ピロリドン溶媒、30±0.01℃で測定した。 イミド化率:赤外線吸収スペクトルにおける1780cm
-1のイミド基に基づく吸収スペクトルの面積を測定し
て、次式より算出した。 回転粘度:E型粘度計(株式会社東京計器製VISCO
NIC EMD(商標))を使用して、温度25℃で測
定した粘度である。 組成物の経時安定性:調製後と室温で1ケ月放置後との
組成物の回転粘度数を比較した。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. The synthesis examples, examples, and
Various measurements were carried out in the comparative example as follows. Logarithmic Viscosity: Using an Ubbelohde viscometer, N-methyl-
Measured at 30 ± 0.01 ° C. in 2-pyrrolidone solvent. Imidization rate: 1780 cm in infrared absorption spectrum
The area of the absorption spectrum based on the imide group of -1 was measured and calculated from the following formula. Rotational viscosity: E-type viscometer (VISCO manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.
Viscosity measured at 25 ° C. using NIC EMD ™. Stability of compositions over time: The rotational viscosity numbers of the compositions after preparation and after standing for 1 month at room temperature were compared.

【0037】合成例1(ポリイミド前駆体の合成) 撹拌装置、滴下ロート、温度計、コンデンサー及び窒素
置換装置を付した1リットルのフラスコを恒温槽中に固
定した。このフラスコに脱水精製した385.0gのN
‐メチル‐2‐ピロリドン(以下「NMP」と略記す
る。)及び51.8g(0.10モル)の2,2‐ビス
[4‐(4‐アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフル
オロプロパン(以下「HFBAPP」と略記する。)を
投入し、撹拌を続けた。得られた溶液に44.4g
(0.10モル)の2,2‐ビス(3,4‐ジカルボキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパン(6FDA)を添
加し20〜30℃で8時間の反応によりポリアミド酸溶
液を得た。この溶液に28.9g(0.14モル)の
N,N’‐ジシクロヘキシルカルボジイミド(以下「D
CC」と略記する。)を添加し、この温度でさらに30
分間反応を行い、ポリイソイミド化させた。その後50
〜60℃で12時間反応を行った。生成する白色沈殿の
N,N′‐ジシクロヘキシルウレアを濾過で除去した
後、得られた溶液を多量のエタノール中に滴下して得ら
れる析出物を濾過し50℃で一昼夜減圧乾燥することに
よりポリイミド前駆体を得た。このポリイミド前駆体の
対数粘度数は0.80dl/g、イミド化率は0.65
であった。
Synthesis Example 1 (Synthesis of Polyimide Precursor) A 1 liter flask equipped with a stirrer, a dropping funnel, a thermometer, a condenser and a nitrogen substitution device was fixed in a constant temperature bath. Dehydrated and purified 385.0 g of N in this flask
-Methyl-2-pyrrolidone (hereinafter abbreviated as "NMP") and 51.8 g (0.10 mol) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane (hereinafter "HFBAPP"). It abbreviated as "." Was added and stirring was continued. 44.4 g in the obtained solution
(0.10 mol) of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane (6FDA) was added, and a polyamic acid solution was obtained by reaction at 20 to 30 ° C for 8 hours. 28.9 g (0.14 mol) of N, N'-dicyclohexylcarbodiimide (hereinafter referred to as "D
CC "is abbreviated. ) Is added and at this temperature another 30
The reaction was carried out for a minute to polyisimidize. Then 50
The reaction was carried out at -60 ° C for 12 hours. The white precipitate N, N'-dicyclohexylurea that formed was removed by filtration, the resulting solution was added dropwise to a large amount of ethanol, and the resulting precipitate was filtered and dried under reduced pressure at 50 ° C for one day to produce a polyimide precursor. Got the body This polyimide precursor has an inherent viscosity of 0.80 dl / g and an imidization ratio of 0.65.
Met.

【0038】合成例2〜7(ポリイミド前駆体合成) 表1に記載した合成条件によって合成例1と同様にポリ
イミド前駆体を合成した。結果を表1に示す。
Synthesis Examples 2 to 7 (Synthesis of Polyimide Precursor) Polyimide precursors were synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1 under the synthesis conditions shown in Table 1. The results are shown in Table 1.

【0039】合成比較例1(ポリアミド酸の合成) 合成例1と同様の装置及び方法で80gのNMP、1
2.34g(0.038モル)のベンゾフェノン3,
3’‐5,5’‐テトラカルボン酸二無水物(BTD
A)及び7.66g(0.0383モル)の4,4’‐
ジアミノジフェニルエーテル(DDE)より対数粘度数
1.1dl/gのポリアミド酸溶液を合成した。結果を
表1に示す。
Synthesis Comparative Example 1 (Synthesis of Polyamic Acid) Using the same apparatus and method as in Synthesis Example 1, 80 g of NMP, 1
2.34 g (0.038 mol) of benzophenone 3,
3'-5,5'-Tetracarboxylic acid dianhydride (BTD
A) and 7.66 g (0.0383 mol) of 4,4'-
A polyamic acid solution having an inherent viscosity of 1.1 dl / g was synthesized from diaminodiphenyl ether (DDE). The results are shown in Table 1.

【0040】[0040]

【表1】 [Table 1]

【0041】表1に記載されている略号はつぎのとおり
である。 (a)テトラカルボン酸二無水物 6FDA:2,2‐ビス(3,4‐ジカルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン BTDA:ベンゾフェノン‐3,3’‐5,5’‐テト
ラカルボン酸二無水物(b)アミン HFBAPP:2,2‐ビス[4‐(4‐アミノフェノ
キシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン DDS:3,3’‐ジアミノジフェニルスルホン DDE:4,4’‐ジアミノジフェニルエーテル BAPB:4,4’‐ビス(4‐アミノフェノキシ)ビ
フェニル DDCM:4,4’‐ジアミノジシクロヘキシルメタン
The abbreviations listed in Table 1 are as follows. (A) Tetracarboxylic dianhydride 6FDA: 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane BTDA: Benzophenone-3,3'-5,5'-tetracarboxylic dianhydride (b ) Amine HFBAPP: 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane DDS: 3,3'-diaminodiphenyl sulfone DDE: 4,4'-diaminodiphenyl ether BAPB: 4,4'-bis (4-Aminophenoxy) biphenyl DDCM: 4,4'-diaminodicyclohexylmethane

【0042】(実施例1)合成例1で得られた20.0
gのポリイミド前駆体を60.0gのNMPに溶解さ
せ、この溶液に2,3,4‐トリヒドロキシベンゾフェ
ノンと1,2‐ナフトキノンジアジド‐5‐スルホン酸
とのトリエステル(以下「NT‐300」と略記す
る。)2.0gを添加し本発明の感光性樹脂組成物を調
製した。この組成物の回転粘度は、調製直後3000c
ps、室温で一ケ月放置後3010cpsであった。こ
の組成物をシリコンウェハー上にスピンコートし、11
0℃、30分間プリベークを行なうことにより8μmの
膜厚の均一な膜を形成せしめた。次にマスクを通して超
高圧水銀灯(10mW/cm2 )で15秒間露光した。
これを0.40重量部のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド及び10重量部のエタノールからなるアルカリ
現像液に2分間浸漬することにより現像を行ない、水で
リンスし、乾燥した。このようにして5μmのホール・
パターンを得た。これを150℃で60分間、さらに4
00℃で60分間電気炉中で焼成を行なった結果、パタ
ーンはくずれることなく5μm膜厚のポリイミドのレリ
ーフ・パターンを得た。
Example 1 20.0 obtained in Synthesis Example 1
g of polyimide precursor was dissolved in 60.0 g of NMP, and a triester of 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid was added to this solution (hereinafter referred to as “NT-300”). 2.0 g was added to prepare a photosensitive resin composition of the present invention. The rotational viscosity of this composition is 3000 c immediately after preparation.
ps was 3010 cps after standing at room temperature for one month. This composition was spin-coated on a silicon wafer,
Prebaking was performed at 0 ° C. for 30 minutes to form a uniform film having a thickness of 8 μm. Next, it was exposed through a mask with an ultra-high pressure mercury lamp (10 mW / cm 2 ) for 15 seconds.
This was developed by immersing it in an alkaline developer composed of 0.40 parts by weight of tetramethylammonium hydroxide and 10 parts by weight of ethanol for 2 minutes, rinsed with water and dried. In this way, the hole of 5 μm
Got the pattern. Do this at 150 ° C for 60 minutes, then 4
As a result of firing in an electric furnace at 00 ° C. for 60 minutes, a relief pattern of polyimide having a film thickness of 5 μm was obtained without breaking the pattern.

【0043】(実施例2〜5)実施例1と同様にして表
2に記載した条件によって感光性樹脂組成物を調製し、
評価を行なった。結果を表2に示す。
(Examples 2 to 5) A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 under the conditions shown in Table 2.
An evaluation was performed. The results are shown in Table 2.

【0044】(比較例1)合成比較例1で得られた10
0gのポリアミド酸溶液に2.0gのNT‐300を混
合し感光性樹脂組成物とした。実施例1と同様に感光性
試験及び感光性重合体組成物の経時安定性を行なった。
その結果を表2に示す。
Comparative Example 1 Synthesis 10 obtained in Comparative Example 1
2.0 g of NT-300 was mixed with 0 g of a polyamic acid solution to prepare a photosensitive resin composition. In the same manner as in Example 1, the photosensitivity test and the temporal stability of the photopolymer composition were performed.
The results are shown in Table 2.

【0045】(比較例2〜3)実施例1と同様にして、
表2に記載した条件によって感光性樹脂組成物を調製し
た。評価結果を表3に示す。
(Comparative Examples 2 to 3) In the same manner as in Example 1,
The photosensitive resin composition was prepared under the conditions shown in Table 2. The evaluation results are shown in Table 3.

【0046】[0046]

【表2】 [Table 2]

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は、実用性の
ある高感度の感光性を有し、ポジ型の良好なレリーフ・
パターンを形成することができる。また保存安定性に優
れるため膜厚の経時的な変動が少ない。
EFFECT OF THE INVENTION The photosensitive resin composition of the present invention has a highly sensitive and practical photosensitivity, and has a positive positive relief.
A pattern can be formed. Further, since the storage stability is excellent, there is little variation in film thickness over time.

フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/022 7/039 501 H01L 21/027 21/312 B 7352−4M Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI Technical display location G03F 7/022 7/039 501 H01L 21/027 21/312 B 7352-4M

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 で示される構造単位が20〜80モル部、一般式(II) 【化2】 で示される構造単位が80〜20モル部からなる対数粘
度数0.1〜5.0dl/g(30℃、N‐メチル‐2
‐ピロリドン溶媒)のポリイミド前駆体の100重量部
およびオルトキノンジアジド化合物の0.5〜50重量
部を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物、(ただ
し、式(I)および(II)において、R2は独立に2価の
有機基である)。
1. A compound represented by the general formula (I): The structural unit represented by the formula (20) is 20 to 80 parts by mole and is represented by the general formula (II): The structural viscosity of the structural unit represented by the formula is 80 to 20 parts by mole and the logarithmic viscosity number is 0.1 to 5.0 dl / g (30 ° C., N-methyl-2
-Pyrrolidone solvent) 100 parts by weight of a polyimide precursor and 0.5 to 50 parts by weight of an orthoquinonediazide compound, wherein a photosensitive resin composition (wherein formulas (I) and (II): R 2 is independently a divalent organic group).
【請求項2】 一般式(I)および(II)において、R2
が一般式(III) 【化3】 および一般式(IV) 【化4】 からなる群から選ばれた少なくとも1種の基を含むこと
からなる請求項1記載の感光性樹脂組成物。
2. In the general formulas (I) and (II), R 2
Is represented by the general formula (III): And the general formula (IV): The photosensitive resin composition according to claim 1, which comprises at least one group selected from the group consisting of:
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010100674A (en) * 2008-10-21 2010-05-06 Hitachi Chem Co Ltd Insulator film, resin composition, and display apparatus

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