KR20190007387A - Photosensitive resin composition, dry film, cured product, semiconductor element, printed wiring board, and electronic component - Google Patents

Photosensitive resin composition, dry film, cured product, semiconductor element, printed wiring board, and electronic component Download PDF

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KR20190007387A
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Abstract

The present invention provides a photosensitive resin composition having excellent low-temperature curing properties, sensitivity, development contrast and electroless copper plating solution resistance; a dry film having a resin layer obtained from the composition; a cured product of a resin layer of the composition or the dry film; and a semiconductor element, a printed wiring board and an electronic component which have the cured product. The photosensitive resin composition, comprising a polyamic acid ester and a photo base generator comprises a polyamic acid ester which is a complete ester having a repeating structure represented by general formula (A) as the polyamic acid ester, and comprises at least any one of a compound represented by general formula (B), an oxime ester compound and the like as the photo base generator.

Description

감광성 수지 조성물, 드라이 필름, 경화물, 반도체 소자, 프린트 배선판 및 전자 부품 {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, DRY FILM, CURED PRODUCT, SEMICONDUCTOR ELEMENT, PRINTED WIRING BOARD, AND ELECTRONIC COMPONENT}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition, a dry film, a cured product, a semiconductor device, a printed circuit board, and an electronic component,

본 발명은 감광성 수지 조성물, 드라이 필름, 경화물, 반도체 소자, 프린트 배선판 및 전자 부품에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a dry film, a cured product, a semiconductor element, a printed wiring board and an electronic component.

폴리이미드는, 높은 절연성, 내열성, 고기계 강도 등의 우수한 특성에 기초하여 다양한 분야에 넓게 응용되고 있다. 예를 들어, 최초로 응용된 항공 우주 분야에 그치지 않고 반도체 소자의 코팅막이나, 플렉시블 프린트 배선판, 내열 절연성 층간재로의 적용이 진행되고 있다.Polyimide has been widely applied to various fields based on excellent properties such as high insulation, heat resistance and high mechanical strength. For example, application to a coating film of a semiconductor device, a flexible printed wiring board, and a heat-resisting insulating interlayer material is proceeding not only in the aerospace field first applied.

폴리이미드는, 열가소성 및 유기 용제에 대한 용해성이 부족하고, 가공이 곤란하다는 측면을 갖는다. 이로 인해, 폴리이미드는, 폴리아미드산이나 폴리아미드산에스테르 등의 폴리이미드 전구체와 광반응성의 화합물을 배합하여 얻어지는 감광성 수지 조성물에, 활성 광선을 조사한 후에 현상함으로써 원하는 패턴막을 형성한 후, 고온을 가하여 폐환시켜 이미드화한다는 방법에 의해 널리 사용되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1, 2).Polyimide has a problem in that it is insufficient in thermoplasticity and solubility in an organic solvent and is difficult to process. As a result, polyimide can be obtained by forming a desired pattern film by irradiating a photosensitive resin composition obtained by blending a polyimide precursor such as polyamide acid or polyamide acid ester with a photoreactive compound, after irradiating actinic light, And imidization is carried out by ring closure (for example, Patent Documents 1 and 2).

예를 들어, 특허문헌 1에는, 폴리아미드산에스테르와 감광성 염기 발생제를 포함하는 네거티브 계조 조성물이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 특정 구조의 염기 발생제, 및 특정 구조의 염기 발생제와 고분자 전구체를 포함하는 감광성 수지 조성물이 기재되어 있다.For example, Patent Document 1 discloses a negative tone composition comprising a polyamide acid ester and a photosensitive base generator. Further, Patent Document 2 describes a base resin composition having a specific structure, and a photosensitive resin composition comprising a base generator and a polymer precursor having a specific structure.

일본 특허 공개 평5-197148호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-197148 일본 특허 제5598031호 공보Japanese Patent No. 5598031

그러나, 특허문헌 1에 기재된 네거티브 계조 조성물은, 집적 회로를 제조하기 위해 사용되는 감광성 폴리이미드를 제공하는 것을 과제로서 이루어진 것이며, 폴리아미드산에스테르와 벤질카르바메이트 등의 다양한 감광성 염기 발생제의 조합이 기재되어 있지만, 폴리아미드산에스테르와 염기 발생제의 조합의 종류에 따라서는, 감도나 용해 콘트라스트가 저하된다. 예를 들어, 특허문헌 1의 실시예에 기재된 조성물에서는, 저온에서도 이미드화는 가능하지만, 양호한 패턴을 형성하기 위해 다량의 활성 광선의 조사가 필요하며, 감도가 불충분하다.However, the negative tone composition disclosed in Patent Document 1 is intended to provide a photosensitive polyimide to be used for producing an integrated circuit, and a combination of a polyamide acid ester and various photosensitive base generators such as benzyl carbamate However, depending on the kind of the combination of the polyamide acid ester and the base generator, the sensitivity and the dissolution contrast are lowered. For example, in the composition described in the example of Patent Document 1, it is possible to imidize even at a low temperature, but irradiation with a large amount of active rays is required to form a good pattern, and sensitivity is insufficient.

특허문헌 2에 기재된 감광성 수지 조성물은, 감도가 우수하고, 고분자 전구체의 종류를 막론하고 용해 콘트라스트가 우수한 것 등을 과제로 하여 이루어진 것이지만, 실제로는, 고분자 전구체와 염기 발생제의 조합의 종류에 따라서는 감도나 용해 콘트라스트가 저하된다. 예를 들어, 특허문헌 2의 실시예에 기재된 조성물에서는, 고분자 전구체로서 폴리아미드산을 사용하기 때문에 미노광부에서도 이미드화가 진행된다는 점과, 현상액에 대한 용해성이 지나치게 높다는 점 때문에, 현상 콘트라스트가 작아진다. 또한, 무전해 구리 도금액 내성도 충분하지 않았다.The photosensitive resin composition described in Patent Document 2 is one that has excellent sensitivity and excellent dissolution contrast regardless of the kind of polymer precursor. In practice, however, depending on the kind of the combination of the polymer precursor and the base generator The sensitivity and the dissolution contrast decrease. For example, in the composition described in the example of Patent Document 2, since the polyamide acid is used as the polymer precursor, imidization proceeds even at the unexposed portion and the solubility in the developer is too high, so that the development contrast is small Loses. Also, the electroless copper plating solution resistance was not sufficient.

최근 몇년간, 전자 부품이나 반도체 장치 등에 사용되는 재료가 다양화되어, 충분한 이미드화를 달성하기 위한 고온(예를 들어, 350℃)의 프로세스에 견딜 수 없는 전자 부품 등이 있다. 또한, 회로 배선 등이 보다 고정밀화되어, 고온 프로세스에 기인하는 회로 배선 등의 수율의 저하도 염려된다.BACKGROUND ART [0002] In recent years, there have been various electronic components, such as electronic components and semiconductor devices, which can not withstand a high-temperature process (for example, 350 DEG C) for achieving sufficient imidization. Further, circuit wirings and the like are made more precise, and the yield of circuit wiring or the like due to a high-temperature process is also lowered.

그리고, 제조의 효율화를 위해, 반도체 제조에 사용하는 실리콘 웨이퍼 등의 기재를 대직경화하는 경향이 현저하다. 반도체 소자에 있어서의 표면 보호막으로서 폴리이미드막을 사용하는 경우, 가열 경화시의 온도로부터 실온으로 되돌릴 때의 기재와 폴리이미드막의 열수축률차에 의해 계면에 응력이 발생한다. 그리고, 이 응력은 기재를 구부리려고 하는 방향으로 작용한다. 이 기재의 굴곡량은, 기재의 직경이 클수록 크다. 굴곡량이 지나치게 커지면 제조 프로세스상의 문제가 발생하거나, 폴리이미드막에 크랙이 발생하거나 할 우려가 있다. 따라서, 폴리이미드막을 얻기 위한 가열 온도를 가능한 한 낮게 설정하는 것이 바람직하다.In order to improve the production efficiency, there is a tendency to tackify a base material such as a silicon wafer used for semiconductor manufacturing. When a polyimide film is used as a surface protective film in a semiconductor device, stress is generated at the interface due to the difference in heat shrinkage ratio between the substrate and the polyimide film when the temperature is returned from room temperature to the room temperature. This stress acts in a direction to bend the base material. The larger the diameter of the substrate is, the larger the bending amount of the substrate is. If the amount of bending is excessively large, a problem in the manufacturing process may occur, or cracks may occur in the polyimide film. Therefore, it is preferable to set the heating temperature for obtaining the polyimide film as low as possible.

그래서 본 발명의 목적은, 저온 경화성, 감도, 현상 콘트라스트, 무전해 구리 도금액 내성이 우수한 감광성 수지 조성물, 해당 조성물로부터 얻어지는 수지층을 갖는 드라이 필름, 해당 조성물 또는 해당 드라이 필름의 수지층의 경화물, 및 해당 경화물을 갖는 반도체 소자, 프린트 배선판 및 전자 부품을 제공하는 데 있다.Therefore, an object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition which is excellent in low temperature curability, sensitivity, development contrast and electroless copper plating solution resistance, a dry film having a resin layer obtained from the composition, a cured product of the composition or the resin layer of the dry film, And a cured product thereof, a printed wiring board and an electronic component.

본 발명자는 상기에 감안하여 예의 검토한 결과, 완전 에스테르인 폴리아미드산에스테르와 특정한 구조를 갖는 광 염기 발생제를 조합함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The inventors of the present invention have conducted intensive studies in view of the above, and as a result, found that the above problems can be solved by combining a polyamide acid ester which is a complete ester with a photo-base generator having a specific structure.

즉, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 폴리아미드산에스테르와 광 염기 발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물이며,That is, the photosensitive resin composition of the present invention is a photosensitive resin composition containing a polyamide acid ester and a photo base generating agent,

상기 폴리아미드산에스테르로서, 하기 일반식 (A)로 표시되는 반복 구조를 갖는 완전 에스테르인 폴리아미드산에스테르를 포함하고,Wherein the polyamide acid ester comprises a polyamide acid ester which is a complete ester having a repeating structure represented by the following formula (A)

Figure pat00001
Figure pat00001

(일반식 (A) 중, XA는 4가의 유기기, YA는 2가의 유기기, RA1 및 RA2는 각각 독립적으로 1가의 유기기이며, 동일해도 상이해도 된다. n은 1 이상의 정수이다.) (Wherein A A is a tetravalent organic group, Y A is a divalent organic group, R A1 and R A2 are each independently a monovalent organic group and may be the same or different from each other, and n is an integer of 1 or more to be.)

상기 광 염기 발생제로서, 하기 일반식 (B) 또는 (C)로 표시되는 화합물, 하기 일반식 (D) 내지 (H) 중 어느 것으로 표시되는 4급 암모늄염, 활성 광선의 조사에 의해 분자 중에 질소 원자와 산소 원자를 각각 하나 이상 포함하는 3급 아민을 발생하는 4급 암모늄염, 옥심에스테르 화합물, 및 하기 일반식 (I)로 표시되는 카르바모일옥시이미노기를 함유하는 화합물 중 적어도 어느 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.As the photobase generator, a quaternary ammonium salt represented by the following general formula (B) or (C), a compound represented by any one of the following general formulas (D) to (H) At least any one of a quaternary ammonium salt, an oxime ester compound, and a compound containing a carbamoyloxyimino group represented by the following general formula (I), which generates a tertiary amine containing at least one atom and an oxygen atom, And the like.

Figure pat00002
Figure pat00002

(일반식 (B) 중, RB1 및 RB2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 유기기이며, 동일해도 상이해도 된다. RB1 및 RB2는 그들이 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 되며, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. 단, RB1 및 RB2 중 적어도 하나는 유기기이다. RB3 및 RB4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기 또는 유기기이며, 동일해도 상이해도 된다. RB5, RB6, RB7 및 RB8은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니오기 또는 유기기이며, 동일해도 상이해도 된다. RB5, RB6, RB7 및 RB8은, 그들 중 2개 이상이 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 되며, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. RB9는 수소 원자 또는 유기기이다.) (In the general formula (B), R B1 and R B2 are each independently a hydrogen atom or an organic group and may be the same or different.) R B1 and R B2 may combine with each other to form a cyclic structure, may include a combination. However, R B1 and R B2, at least one of which is an organic group. R B3 and R B4 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol A nitro group, a nitro group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonate group or an organic group and may be the same or different from each other, R B5 and R B6, R B7 and R B8 are playing each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol, a nitro group, alcohol pinot group, sulfo group, sulfonate group, phosphorus A phosphino group, a phosphonate group, an amino group , And ammonia coming or an organic group, may be the same or different. R B5, R B6, R B7 and R B8 are, and optionally, combining two or more of them to form a cyclic structure, comprising a bond of the heteroatom R B9 is a hydrogen atom or an organic group.)

Figure pat00003
Figure pat00003

(일반식 (C) 중, ZC는 수소 원자 또는 니트로기, RC1, RC2, RC3 및 RC4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기, RC5는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 알킬기이며, RC1 및 RC2와, RC3 및 RC4는 각각 서로 환 구조를 형성해도 된다.) (C), Z C is a hydrogen atom or a nitro group, R C1 , R C2 , R C3 and R C4 are each independently an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, R C5 is a hydrogen atom or a C1- R C1 and R C2 , and R C3 and R C4 may form a ring structure with each other.)

Figure pat00004
Figure pat00004

(일반식 (D) 중, RD1은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORD2로 표시되는 알콕시기, -NRD3RD4로 표시되는 아미노기, RD5CO-로 표시되는 아실기, RD6COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRD7로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기, 또는 할로겐 원자이고, RD2, RD5, RD6 및 RD7은 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, RD3 및 RD4는 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, n은 0 내지 7의 정수, YD +는 하기 식 (D1) 내지 (D4) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이고,( Wherein R D1 represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, An alkoxy group represented by -OR D2 , an amino group represented by -NR D3 R D4 , an acyl group represented by R D5 CO-, an acyloxy group represented by R D6 COO-, an alkylthio group represented by -SR D7 , R D2 , R D5 , R D6 and R D7 are an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, R D3 and R D4 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms An alkyl group or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, n is an integer of 0 to 7, and Y D + is a quaternary ammonia group represented by any of the following formulas (D1) to (D4)

Figure pat00005
Figure pat00005

QD는 질소 원자 또는 메틴기(-CH-), t 및 u는 2 또는 3, w는 0 내지 2의 정수, AD는 수소 원자, 수산기 또는 할로겐 원자, RD8 내지 RD10은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고, RD1과 CH2-YD +XD -는 동일한 벤젠환에 결합하고 있어도 되며, 상이한 벤젠환에 결합하고 있어도 된다. XD -는 보레이트 음이온, 페놀레이트 음이온 및 카르복실레이트 음이온으로부터 선택되는 카운터 음이온이다.) Q D is a nitrogen atom or a methine group (-CH-), t and u is 2 or 3, w is an integer from 0 to 2, A D is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a halogen atom, R D8 to D10 R is C 1 -C An alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, R D1 and CH 2 -Y D + X D - may be bonded to the same benzene ring, do. X D - is a counter anion selected from a borate anion, a phenolate anion and a carboxylate anion.)

Figure pat00006
Figure pat00006

(일반식 (E) 중, RE1은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORE2로 표시되는 알콕시기, -NRE3RE4로 표시되는 아미노기, RE5CO-로 표시되는 아실기, RE6COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRE7로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기, 또는 할로겐 원자이고, RE2, RE5, RE6 및 RE7은 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, RE3 및 RE4는 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, m은0 내지 9의 정수, YE +는 하기 식 (E1) 내지 (E4) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이고,( Wherein R E1 represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, An alkoxy group represented by -OR E2 , an amino group represented by -NR E3 R E4 , an acyl group represented by R E5 CO-, an acyloxy group represented by R E6 COO-, an alkylthio group represented by -SR E7 , or R E2 , R E5 , R E6 and R E7 are an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R E3 and R E4 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms An alkyl group or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, m is an integer of 0 to 9, Y E + is a quaternary ammonia group represented by any one of the following formulas (E1) to (E4)

Figure pat00007
Figure pat00007

QE는 질소 원자 또는 메틴기(-CH-), t 및 u는 2 또는 3, w는 0 내지 2의 정수, AE는 수소 원자, 수산기 또는 할로겐 원자, RE8 내지 RE10은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고, RE1과 CH2-YE +XE -는 동일한 벤젠환에 결합하고 있어도 되며, 상이한 벤젠환에 결합하고 있어도 된다. XE -는 보레이트 음이온, 페놀레이트 음이온 및 카르복실레이트 음이온으로부터 선택되는 카운터 음이온이다.) Q E is a nitrogen atom or a methine group (-CH-), t and u is 2 or 3, w is an integer from 0 to 2, A E is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a halogen atom, R E8 to E10 R is C 1 -C An alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, R E1 and CH 2 -Y E + X E - may be bonded to the same benzene ring, do. X E - is a counter anion selected from a borate anion, a phenolate anion and a carboxylate anion.)

Figure pat00008
Figure pat00008

(일반식 (F) 중, RF1, RF2, RF4 및 RF5가 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, RF3 및 ArF가 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 이들 중 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기는 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORF6으로 표시되는 알콕시기, -NRF7RF8로 표시되는 아미노기, RF9CO-로 표시되는 아실기, RF10COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRF11로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기, 또는 할로겐 원자이며, 이들 치환기는 아릴기와 환 구조를 취할 수 있다. RF6, RF9, RF10 및 RF11은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, RF7 및 RF8은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이다. YF +는 하기 식 (F1) 또는 (F2) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이다.(Wherein R F1 , R F2 , R F4 and R F5 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R F3 and Ar F are each independently an aryl group having 6 to 14 carbon atoms Of these, the aryl group may have a substituent. The substituent may be an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, a nitro group, , An alkoxy group represented by -OR F6 , an amino group represented by -NR F7 R F8 , an acyl group represented by R F9 CO-, an acyloxy group represented by R F10 COO-, a group represented by -SR F11 R F6 , R F9 , R F10 and R F11 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 8 carbon atoms, an aryl group, R and R F7 F8 of the circles 12 are each independently hydrogen, , An aryl group or an alkyl group having 6 to 12 carbon atoms having 1 to 8. F Y + is a quaternary ammonium come represented by any of the following formula (F1) or (F2).

Figure pat00009
Figure pat00009

Figure pat00010
Figure pat00010

(일반식 (G) 중, RG1 내지 RG5는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORG6으로 표시되는 알콕시기, -NRG7RG8로 표시되는 아미노기, RG9CO-로 표시되는 아실기, RG10COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRG11로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기이다. 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 및 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기는 상술한 RG1 내지 RG5와 동일하며, 이들 치환기는 환 구조를 취할 수 있다. RG6, RG9, RG10 및 RG11은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, RG7 및 RG8은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이다. ArG기는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 이들 중 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기는 상술한 RG1 내지 RG5와 동일하며, 이들 치환기는 아릴기와 환 구조를 취할 수 있다.(In the general formula (G), R G1 to R G5 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms A nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, an alkoxy group represented by -OR G6 , an amino group represented by -NR G7 R G8 , an acyl group represented by R G9 CO-, an acyloxy group represented by R G10 COO-, alkylthio group represented by SR G11 or an arylthio group. alkyl group, alkenyl group, alkynyl group and aryl group and may have a substituent, and the substituent is the same as above R G1 to R G5, these substituents are a cyclic structure, R G6 , R G9 , R G10 and R G11 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R G7 and R G8 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms the alkyl group or an aryl group of 6 to 12 carbon atoms. Ar group G Tan The number of 6 to 14, an aryl group, the aryl being optionally of these groups have a substituent, the substituent is the same as above R R G1 to G5, these substituents can take the aryl group and ring structure.

YG +는 하기 식 (G1) 내지 (G4) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이고,Y G + is a quaternary ammonia group represented by any of the following formulas (G1) to (G4)

Figure pat00011
Figure pat00011

QG는 질소 원자 또는 메틴기(-CH-), t 및 u는 2 또는 3, w는 0 내지 2의 정수, AG는 수소 원자, 수산기 또는 할로겐 원자, RG12 내지 RG14는 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이다.) Q G is a nitrogen atom or a methine group (-CH-), t and u are 2 or 3, w is an integer of 0 to 2, A G is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a halogen atom, and R G12 to R G14 , An alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms.

Figure pat00012
Figure pat00012

(일반식 (H) 중, ArH1은 탄소수 6 내지 12의 아릴기이며, 방향환의 수소 원자 중 적어도 1개가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자를 포함하는 치환기로 치환한 기이고; ArH2는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 아릴기 중의 수소 원자의 일부가, 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORH11로 표시되는 알콕시기, -NRH12RH13으로 표시되는 아미노기, RH14CO-로 표시되는 아실기, RH15COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRH16으로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기, 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되고; RH1 및 RH2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고, ArH1, RH1, RH2는 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고; RH3은 탄소수 1 내지 18의 알킬기이고; n은 1 내지 4의 정수이되, 단 n이 4인 경우에는, ArH1은 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고; RH11, RH14, RH15 및 RH16은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기; RH12 및 RH13은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고; YH +는 하기 일반식 (H1) 또는 (H2) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이고;(Formula (H) of, Ar H1 is an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, the aromatic rings at least one is the oxygen atom, a sulfur atom of a hydrogen atom, a group is substituted with a substituent containing a nitrogen atom; Ar H2 carbon atoms An aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and a part of the hydrogen atoms in the aryl group is an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, , An alkoxy group represented by -OR H11 , an amino group represented by -NR H12 R H13 , an acyl group represented by R H14 CO-, an acyloxy group represented by R H15 COO-, a group represented by -SR H16 R H1 and R H2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, Ar H1 , R H1, R H2 are coupled to each other to form a ring structure May be; R H3 is an alkyl group having a carbon number of 1 to 18; n is in the case of an integer being, where n = 1 to 4 is four, Ar H1 is an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and; R H11, R H14, R H15 and R16 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms; R H12 and R H13 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms; Y H + is a quaternary ammonia group represented by any one of the following general formulas (H1) and (H2);

Figure pat00013
Figure pat00013

식 (H1) 중, RH4 내지 RH5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고; QH는 메틸렌기(-CH2-)m, 또는 상기 일반식 (H3)으로 표시되는 기이고; m은 2 또는 3의 정수이고; 식 (H2) 중, RH6 내지 RH8은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 서로 결합하여 환 구조를 갖고 있어도 되고; 식 (H3) 중, RH9 내지 RH10은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 된다.) In formula (H1), R H4 to R H5 each independently represent an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, which may be bonded to each other to form a ring structure; Q H is a methylene group (-CH 2 -) m or a group represented by the general formula (H3); m is an integer of 2 or 3; In the formula (H2), R H6 to R H8 each independently represent an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, In the formula (H3), R H9 to R H10 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and may be bonded to each other to form a ring structure.

Figure pat00014
Figure pat00014

(일반식 (I) 중, YI는 -(CH2)m-기, 지환식기, 아릴렌기, -(CH2)m-기와 지환식기가 결합한 것, -(CH2)m-기와 아릴렌기가 결합한 것으로부터 선택되고, m은 2 내지 7의 정수, RI1은 방향족기 또는 치환 알킬기이다.)(Compound (I) of the, I Y is - (CH 2) m- group, an alicyclic group, an arylene group, - (CH 2) m- group and combines the alicyclic group, - (CH 2) m- group and arylene M is an integer of 2 to 7, and R I1 is an aromatic group or a substituted alkyl group.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 상기 광 염기 발생제로서 일반식 (B)로 표시되는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains the compound represented by the general formula (B) as the photobase generator.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 상기 광 염기 발생제로서 하기 식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a compound represented by the following formula as the photobase generator.

Figure pat00015
Figure pat00015

본 발명의 드라이 필름은, 상기 감광성 수지 조성물을 필름에 도포, 건조하여 얻어지는 수지층을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.The dry film of the present invention is characterized by having a resin layer obtained by applying the photosensitive resin composition to a film and drying the film.

본 발명의 경화물은, 상기 감광성 수지 조성물 또는 상기 드라이 필름의 수지층을 경화하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 것이다.The cured product of the present invention is obtained by curing the resin composition of the photosensitive resin composition or the dry film.

본 발명의 반도체 소자는, 상기 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.The semiconductor device of the present invention is characterized by having the cured product.

본 발명의 프린트 배선판은, 상기 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.The printed wiring board of the present invention is characterized by having the cured product.

본 발명의 전자 부품은, 상기 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.The electronic component of the present invention is characterized by having the cured product.

본 발명에 따르면, 저온 경화성, 감도, 현상 콘트라스트, 무전해 구리 도금액 내성이 우수한 감광성 수지 조성물, 해당 조성물로부터 얻어지는 수지층을 갖는 드라이 필름, 해당 조성물 또는 해당 드라이 필름의 수지층의 경화물, 및 해당 경화물을 갖는 반도체 소자, 프린트 배선판 및 전자 부품을 제공할 수 있다.According to the present invention, there is provided a photosensitive resin composition excellent in low temperature curability, sensitivity, development contrast, and electroless copper plating solution resistance, a dry film having a resin layer obtained from the composition, a cured product of the resin layer of the composition or the dry film, A semiconductor device having a cured product, a printed wiring board and an electronic component can be provided.

도 1은 합성예 1에서 합성한 폴리아미드산에스테르 1의 1H-NMR(DMSO-d6 중)의 차트이다. 횡축은 화학 시프트(ppm), 종축은 상대 강도를 나타낸다.1 is a chart of 1 H-NMR (in DMSO-d 6 ) of polyamic acid ester 1 synthesized in Synthesis Example 1. The abscissa represents chemical shift (ppm), and the ordinate represents relative intensity.

이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물이 함유하는 성분에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the components contained in the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

[폴리아미드산에스테르] [Polyamide acid ester]

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 하기 일반식 (A)로 표시되는 반복 구조를 갖는 완전 에스테르인 폴리아미드산에스테르를 포함한다. 본 발명에 있어서 「완전 에스테르이라」란, 폴리아미드산에스테르가 실질적으로 아미드산 부분을 포함하지 않는다는 뜻이다. 즉, 완전 에스테르인 폴리아미드산에스테르는, 폴리아미드산에스테르의 반복 구조에서의 아미드산에스테르 부분이 95% 초과(바람직하게는 98% 이상이고, 가장 바람직하게는 100%) 에스테르이며, 예를 들어 일본 특허 제4687938호 공보에 기재되어 있는 바와 같은, 아미드산 부분 및 아미드산에스테르 부분의 양쪽을 포함하는 폴리아미드산 유도체(소위, 부분 에스테르화 폴리아미드산에스테르)와는 상이한 것이다. 아미드산에스테르 부분이 95% 이하이면, 폴리아미드산의 카르복실기가 광 염기 발생제로부터 발생하는 염기와 반응해버려, 저온 경화성과 우수한 현상 콘트라스트를 얻는 것이 곤란해진다.The photosensitive resin composition of the present invention includes a polyamide acid ester which is a complete ester having a repeating structure represented by the following general formula (A). In the present invention, " completely esterified " means that the polyamide acid ester does not substantially contain an amide acid moiety. That is, the polyamide acid ester which is a complete ester is an ester having an amide acid ester moiety in the repeating structure of the polyamide acid ester of more than 95% (preferably 98% or more, and most preferably 100%), (A so-called partial esterified polyamic acid ester) containing both an amide acid moiety and an amide acid ester moiety as described in Japanese Patent No. 4687938. When the proportion of the amide acid ester is 95% or less, the carboxyl group of the polyamic acid reacts with the base generated from the photobase generator, making it difficult to obtain low-temperature curability and excellent development contrast.

Figure pat00016
Figure pat00016

(일반식 (A) 중, XA는 4가의 유기기, YA는 2가의 유기기, RA1 및 RA2는 각각 독립적으로 1가의 유기기이며, 동일해도 상이해도 된다. n은 1 이상의 정수이다.)(Wherein A A is a tetravalent organic group, Y A is a divalent organic group, R A1 and R A2 are each independently a monovalent organic group and may be the same or different from each other, and n is an integer of 1 or more to be.)

여기서, 유기기란, 탄소 원자를 포함하는 기이다.Here, the organic group is a group containing a carbon atom.

상기 폴리아미드산에스테르의 바람직한 수 평균 분자량은 1000 내지 100만이고, 보다 바람직하게는 3000 내지 50만이고, 더욱 바람직하게는 5000 내지 10만이다.The number average molecular weight of the polyamide acid ester is preferably from 1,000 to 1,000,000, more preferably from 3,000 to 500,000, and still more preferably from 5,000 to 100,000.

당해 기술 분야에 있어서는, 일반식 (A)에서 말하는 RA1 및/또는 RA2에, 예를 들어 탄소 탄소 이중 결합을 포함하는 아크릴로일기를 갖는 폴리이미드 전구체를, 라디칼 중합 개시제를 사용하여 중합시키는 기술 사상이 있지만, 본 발명은 그러한 기술 사상과는 상이한 것이다. 이러한 상이한 기술 사상의 발명과 구별하는 관점에서, 일반식 (A) 중, RA1 및 RA2는 라디칼 중합성의 불포화 결합을 포함하지 않는 유기기, 특히 탄소 탄소 이중 결합을 포함하지 않는 유기기인 것이 바람직하다. 라디칼 중합성의 불포화 결합을 포함하는 유기기로서는, 알케닐기, 알키닐기, (메타)아크릴로일기 등의 비닐 구조를 갖는 기를 들 수 있다.In the technical field, a polyimide precursor having an acryloyl group containing, for example, a carbon-carbon double bond is polymerized in the R A1 and / or R A2 in the general formula (A) using a radical polymerization initiator Although there are technical ideas, the present invention is different from such technical ideas. From the viewpoint of distinguishing it from the invention of these different technical ideas, it is preferable that R A1 and R A2 in the general formula (A) are organic groups not containing a radical polymerizable unsaturated bond, particularly an organic group not containing a carbon carbon double bond Do. Examples of an organic group containing a radical polymerizable unsaturated bond include groups having a vinyl structure such as an alkenyl group, an alkynyl group and a (meth) acryloyl group.

일반식 (A) 중, RA1 및 RA2가 취할 수 있는 유기기로서는, 예를 들어 알킬기, 아릴기 등의 탄화수소기, 헤테로 원자를 갖는 기 등을 들 수 있다. 탄화수소기 및 헤테로 원자를 갖는 기로서는, 각각 시클로알킬기 등의 지환식 골격을 갖는 기여도 되고, 지환식 골격을 갖지 않아도 된다. 헤테로 원자를 갖는 기로서는, 에테르 구조나 에스테르 구조를 갖는 기여도 된다. 또한, 막 감소를 저감하는 관점에서, RA1 및 RA2가 취할 수 있는 유기기의 탄소 원자수는 10 이하인 것이 바람직하고, 1 내지 4인 것이 보다 바람직하다.Examples of organic groups that R A1 and R A2 may take in the general formula (A) include hydrocarbon groups such as alkyl groups and aryl groups, and groups having heteroatoms. Each of the hydrocarbon group and the group having a hetero atom may be a group having an alicyclic skeleton such as a cycloalkyl group or the like and may not have an alicyclic skeleton. As the group having a hetero atom, a group having an ether structure or an ester structure may be used. From the viewpoint of reducing film loss, the number of carbon atoms of organic groups that R A1 and R A2 can take is preferably 10 or less, more preferably 1 to 4.

일반식 (A) 중, RA1 및 RA2는 폴리아미드산에스테르의 합성시에 있어서의 용해성의 관점에서 알킬기인 것이 바람직하다. 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등을 들 수 있다.In the general formula (A), R A1 and R A2 are preferably alkyl groups from the viewpoint of solubility in the synthesis of the polyamide acid ester. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group.

일반식 (A) 중, XA 및 YA는 용도에 따라 방향족기, 바람직하게는 탄소 원자수 6 내지 32의 방향족기 또는 지방족기, 바람직하게는 탄소 원자수 4 내지 20의 지방족기로부터 선택된다. XA 및 YA는, 폴리아미드산에스테르의 제조에 있어서 사용되는 후술하는 산 이무수물 및 디아민 또는 디이소시아네이트에 포함되는 치환기 XA 및 YA이면 바람직하다. XA가 방향족환과 지방족의 축합환인 경우, 산 무수물기가 방향족환에 결합하고 있으면 방향족기가 되고, 산 무수물기가 지방족환에 결합하고 있으면 지방족기가 된다. YA에 대해서도 마찬가지이며, 아미노기가 방향족환에 결합하고 있으면 방향족기가 되고, 아미노기가 지방족환에 결합하고 있으면 지방족기가 된다.In the general formula (A), X A and Y A are selected from an aromatic group, preferably an aromatic group or an aliphatic group having 6 to 32 carbon atoms, preferably an aliphatic group having 4 to 20 carbon atoms, . X A and Y A, it is preferred if the substituents X A and Y A are included in the dianhydride and diamine or a diisocyanate, which will be described later used in the production of the polyamic acid ester. When X A is an aromatic ring and an aliphatic condensed ring, the aromatic anhydride group becomes an aromatic group when bonded to the aromatic ring and becomes an aliphatic group when the acid anhydride group is bonded to the aliphatic ring. The same applies to Y A , and when the amino group is bonded to the aromatic ring, it is an aromatic group, and when the amino group is bonded to the aliphatic ring, it is an aliphatic group.

일반식 (A) 중, XA가 취할 수 있는 4가의 방향족기의 탄소 원자수는 6 내지 30인 것이 바람직하고, 6 내지 24인 것이 보다 바람직하다. 4가의 방향족기는, 벤젠 골격, 비페닐 골격, 비스페닐 골격 등의 벤젠환을 포함하는 골격을 갖는 기인 것이 바람직하다. 상기 4가의 방향족기의 구체예로서는 하기의 기를 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니며, 폴리아미드산에스테르에 포함될 수 있는 공지된 방향족기를 용도에 따라 선택하면 된다.In the formula (A), the number of carbon atoms of the tetravalent aromatic group that X A can take is preferably from 6 to 30, more preferably from 6 to 24. The tetravalent aromatic group is preferably a group having a skeleton including benzene rings such as a benzene skeleton, a biphenyl skeleton, and a biphenyl skeleton. Specific examples of the above-mentioned tetravalent aromatic group include, but are not limited to, the following groups, and known aromatic groups that may be contained in the polyamic acid ester may be selected depending on the use.

Figure pat00017
Figure pat00017

상기 4가의 방향족기는, 상기 방향족기 중에서도 하기의 기인 것이 바람직하다.Among these aromatic groups, the tetravalent aromatic group is preferably the following group.

Figure pat00018
Figure pat00018

상기 일반식 (A) 중, YA가 취할 수 있는 2가의 방향족기는, 방향환 상에서 상기 일반식 (A) 중의 질소 원자와 결합하고 있는 것이 보다 바람직하다. 상기 2가의 방향족기의 탄소 원자수는 6 내지 30인 것이 바람직하고, 6 내지 24인 것이 보다 바람직하다. 상기 2가의 방향족기는, 벤젠 골격, 비페닐 골격, 비스페닐 골격 등의 벤젠환을 포함하는 골격을 갖는 기인 것이 바람직하다. 상기 2가의 방향족기의 구체예로서는 하기의 기를 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니며, 폴리아미드산에스테르에 포함되는 공지된 방향족기를 용도에 따라 선택하면 된다.In the general formula (A), the bivalent aromatic group that Y A can take is more preferably bonded to the nitrogen atom in the general formula (A) on the aromatic ring. The number of carbon atoms of the bivalent aromatic group is preferably 6 to 30, more preferably 6 to 24. The bivalent aromatic group is preferably a group having a skeleton including a benzene ring such as a benzene skeleton, a biphenyl skeleton, and a biphenyl skeleton. Specific examples of the bivalent aromatic group include, but are not limited to, the following groups, and known aromatic groups contained in the polyamic acid ester may be selected depending on the use.

Figure pat00019
Figure pat00019

(식 중, A는 단결합, -CH2-, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -NHCO-, -C(CF3)2-, -C(CH3)2-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 기를 나타낸다.) (Wherein, A represents a single bond, -CH 2 -, -O-, -CO- , -S-, -SO 2 -, -NHCO-, -C (CF 3) 2 -, -C (CH 3) 2 -. ≪ / RTI >

또한, 단파장 광에 의해 감광성 수지 조성물의 경화물 패턴을 형성하는 경우에는, 중합체의 흡수 특성의 관점에서, XA 및 YA로서 지방족기를 사용해도 된다. 또한, 예를 들어 XA 및 YA로서 불소를 함유하는 기를 사용하는 경우에는, 광 흡수의 저파장화 또는 유전 특성을 향상시킬 수 있다.When a cured product pattern of the photosensitive resin composition is formed by short-wavelength light, an aliphatic group may be used as X A and Y A from the viewpoint of the absorption characteristics of the polymer. Further, for example, when a fluorine-containing group is used as X A and Y A , the lowering of the light absorption or the dielectric property can be improved.

본 발명에서는, 용도에 따라 상기 폴리아미드산에스테르의 구조를 선택할 수 있는 것이 중요하다.In the present invention, it is important that the structure of the polyamide acid ester can be selected depending on the application.

또한, XA의 4가는 산과 결합하기 위한 가수만을 나타내고 있지만, XA는 치환기를 갖고 있어도 된다. 마찬가지로, YA의 2가는 아민과 결합하기 위한 가수만을 나타내고 있지만, 이외에 추가적인 치환기를 갖고 있어도 된다.In addition, although the 4-valent of X A represents only a valence to be bonded to an acid, X A may have a substituent. Likewise, although the valence of Y A represents only a valence bond with a bivalent amine, it may have an additional substituent.

상기 폴리아미드산에스테르는, 종래 공지된 방법을 사용하여 합성할 수 있다. 예를 들어, 3,3'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물 등의 산 무수물과 에탄올 등의 알코올을 반응시켜 하프 에스테르로 한다. 이 하프 에스테르를 염화티오닐을 사용하여 디에스테르디산클로라이드로 한다. 이 디에스테르디산클로라이드를 3,5-디아미노벤조산 등의 디아민과 반응시킴으로써, 폴리아미드산에스테르를 얻을 수 있다.The polyamide acid ester can be synthesized by a conventionally known method. For example, an acid anhydride such as 3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride is reacted with an alcohol such as ethanol to obtain a half ester. This half ester is converted into diester diacid chloride using thionyl chloride. The polyamide acid ester can be obtained by reacting the diester diacid chloride with a diamine such as 3,5-diaminobenzoic acid.

또한, 상기한 산 무수물과 알코올을 반응시켜 얻은 하프 에스테르에, 디이소시안산이소포론 등의 디이소시아네이트와 반응시킴으로써, 상기 폴리아미드산에스테르를 얻어도 된다. 또한, 상기한 디아민을 사용한 합성 방법보다도, 디이소시아네이트를 사용한 합성 방법 쪽이 간편하게 폴리아미드산에스테르를 합성할 수 있다.The polyamic acid ester may be obtained by reacting the diisocyanate with a diisocyanate such as sophorone to a half ester obtained by reacting the acid anhydride with an alcohol. Further, the polyamide acid ester can be synthesized more easily by the synthesis method using diisocyanate than the above-mentioned synthesis method using diamine.

상기 폴리아미드산에스테르의 합성에 사용할 수 있는 상기 산 무수물은, 카르복실산 이무수물인 것이 바람직하고, 테트라카르복실산 이무수물인 것이 보다 바람직하다. 예로서는, 하기 일반식으로 표시되는 것을 들 수 있다.The acid anhydride which can be used for the synthesis of the polyamide acid ester is preferably a carboxylic acid dianhydride, more preferably a tetracarboxylic acid dianhydride. Examples thereof include those represented by the following general formula.

Figure pat00020
Figure pat00020

(식 중의 XA는, 일반식 (A)에서 설명한 바와 같다.) (Wherein X A is as defined in general formula (A)).

상기 폴리아미드산에스테르의 합성 원료로서 상기 일반식의 산 무수물을 사용함으로써, 상기 일반식의 폴리아미드산에스테르에 있어서의 반복 단위 중의 XA기를 용이하게 도입할 수 있다.By using an acid anhydride of the above formula as the starting material for synthesizing the polyamide acid ester, the X A group in the repeating unit in the polyamic acid ester of the above formula can be easily introduced.

상기 상기 폴리아미드산에스테르의 합성에 적용 가능한 산 이무수물의 구체적인 예로서는, 에틸렌테트라카르복실산 이무수물, 부탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 메틸시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물 등의 지방족 테트라카르복실산 이무수물; 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 2,3',3,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,3',3,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',6,6'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 이무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 1,3-비스〔(3,4-디카르복시)벤조일〕벤젠 이무수물, 1,4-비스〔(3,4-디카르복시)벤조일〕벤젠 이무수물, 2,2-비스{4-〔4-(1,2-디카르복시)페녹시〕페닐}프로판 이무수물, 2,2-비스{4-〔3-(1,2-디카르복시)페녹시〕페닐}프로판 이무수물, 비스{4-〔4-(1,2-디카르복시)페녹시〕페닐}케톤 이무수물, 비스{4-〔3-(1,2-디카르복시)페녹시〕페닐}케톤 이무수물, 4,4'-비스〔4-(1,2-디카르복시)페녹시〕비페닐 이무수물, 4,4'-비스〔3-(1,2-디카르복시)페녹시〕비페닐 이무수물, 비스{4-〔4-(1,2-디카르복시)페녹시〕페닐}케톤 이무수물, 비스{4-〔3-(1,2-디카르복시)페녹시〕페닐}케톤 이무수물, 비스{4-〔4-(1,2-디카르복시)페녹시〕페닐}술폰 이무수물, 비스{4-〔3-(1,2-디카르복시)페녹시〕페닐}술폰 이무수물, 비스{4-〔4-(1,2-디카르복시)페녹시〕페닐}술피드 이무수물, 비스{4-〔3-(1,2-디카르복시)페녹시〕페닐}술피드 이무수물, 2,2-비스{4-〔4-(1,2-디카르복시)페녹시〕페닐}-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 2,2-비스{4-〔3-(1,2-디카르복시)페녹시〕페닐}-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-벤젠테트라카르복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 이무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복실산 이무수물, 피리딘테트라카르복실산 이무수물, 술포닐디프탈산 무수물, m-터페닐-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물, p-터페닐-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물 등의 방향족 테트라카르복실산 이무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사히드로-5(테트라히드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)나프토[1,2-c]푸란-1,3-디온 등을 들 수 있다.Specific examples of the acid dianhydride applicable to the synthesis of the polyamide acid ester include ethylene tetracarboxylic dianhydride, butanetetracarboxylic dianhydride, cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, methylcyclobutanetetracarboxylic acid dianhydride Aliphatic tetracarboxylic acid dianhydrides such as water and cyclopentanetetracarboxylic acid dianhydride; Pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-benzophenonetetracarboxylic acid dianhydride, 2,3 ', 3 , 4'-benzophenonetetracarboxylic acid dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride , 2,3 ', 3,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 6,6'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-di Bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis Bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis , 2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (2,3- 1,1,3,3,3-hexapple Benzoyl benzene dianhydride, 1,4-bis [(3,4-dicarboxy) benzoyl] benzene dianhydride, 2,2-bis Phenyl} propane dianhydride, 2,2-bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} propane dianhydride , Bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy} phenyl} ketone dianhydride, 4 {4- [4- (1,2-dicarboxy) , Bis [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] biphenyl dianhydride, 4,4'-bis [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] biphenyl dianhydride, bis (4 - [(3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} ketone dianhydride, bis {4 Phenyl} sulfone dianhydride, bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} sulfone dianhydride, bis {4- [ 4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} sulfide dianhydride , Bis [4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} sulfide dianhydride, -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} , 3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2- Bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride , 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,6,7-anthracene tetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrene tetracarboxylic acid dianhydride, pyridine tetracarboxylic acid dianhydride, sulfonyldiphthalic anhydride, m-terphenyl -3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic acid An aromatic tetracarboxylic acid dianhydride such as an anhydride, p-terphenyl-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 1,3,3a, 4,5,9b-hexahydro- Dioxo-3-furanyl) naphtho [l, 2-c] furan-l, 3-dione.

상기한 산 이무수물 중에서도, 테트라카르복실산 이무수물로서 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 4,4'-옥시디프탈산 이무수물, 2,2',6,6'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 1,2,4,5-벤젠테트라카르복실산 이무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사히드로-5(테트라히드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)나프토[1,2-c]푸란-1,3-디온이 바람직하다.Of the above-mentioned acid dianhydrides, tetracarboxylic dianhydrides include pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 2,2 ', 6,6'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride Water, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid dianhydride Water, 1,3,3a, 4,5,9b-hexahydro-5 (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl) .

상기 폴리아미드산에스테르의 합성에 있어서, 산 무수물은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.In the synthesis of the polyamide acid ester, the acid anhydrides may be used singly or in combination of two or more.

병용하는 산 이무수물로서 불소가 도입된 산 이무수물이나, 지환 골격을 갖는 산 이무수물을 사용하면, 투명성을 그다지 손상시키지 않고 용해성이나 열팽창률 등의 물성을 조정하는 것이 가능하다. 또한, 피로멜리트산 무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물 등의 강직한 산 이무수물을 사용하면, 최종적으로 얻어지는 폴리이미드의 선열팽창 계수가 작아지지만, 투명성의 향상을 저해하는 경향이 있기 때문에, 공중합 비율에 주의하면서 병용해도 된다.Use of an acid dianhydride to which fluorine is introduced as an acid dianhydride or an acid dianhydride having a backbone skeleton to be used in combination enables adjustment of physical properties such as solubility and thermal expansion ratio without significantly impairing transparency. Further, it is also possible to use an imitative acid dianhydride such as pyromellitic anhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride , The coefficient of linear thermal expansion of the finally obtained polyimide tends to be small. However, since the improvement of transparency tends to be inhibited, the polyimide may be used in combination with attention to the copolymerization ratio.

상기 폴리아미드산에스테르를 얻기 위해 사용할 수 있는 상기 디아민으로서는, 하기 일반식으로 표시되는 디아민을 들 수 있다. 단, 하기의 것은 일례이며, 본 발명의 취지에 어긋나지 않는 한, 공지된 것을 사용할 수 있다.Examples of the diamine that can be used for obtaining the polyamide acid ester include diamines represented by the following general formula. However, the following is only an example, and any known one may be used as long as it is not contrary to the object of the present invention.

Figure pat00021
Figure pat00021

(식 중, YA는 일반식 (A)에서 설명한 바와 같다.) (Wherein Y A is as defined in formula (A)).

상기 디아민으로서는, 디아미노이소포론(3-아미노메틸-3,5,5-트리메틸시클로헥실아민), 톨루엔디아민, 4,4'-메틸렌디페닐디아민, 헥사메틸렌디아민, 4,4'-옥시디아닐린 등을 들 수 있다.Examples of the diamine include diamino isophorone (3-aminomethyl-3,5,5-trimethylcyclohexylamine), toluenediamine, 4,4'-methylenediphenyldiamine, hexamethylenediamine, 4,4'- Aniline, and the like.

상기 폴리아미드산에스테르를 얻기 위해 사용할 수 있는 상기 디이소시아네이트로서는, 하기 일반식으로 표시되는 디이소시아네이트를 들 수 있다. 단, 하기의 것은 일례이며, 본 발명의 취지에 어긋나지 않는 한, 공지된 것을 사용할 수 있다.Examples of the diisocyanate that can be used to obtain the polyamide acid ester include diisocyanates represented by the following general formula. However, the following is only an example, and any known one may be used as long as it is not contrary to the object of the present invention.

Figure pat00022
Figure pat00022

(식 중, YA는 일반식 (A)에서 설명한 바와 같다.) (Wherein Y A is as defined in formula (A)).

상기 디이소시아네이트로서는, 디이소시안산이소포론(ITI), 톨루엔디이소시아네이트(TDI), 4,4'-디이소시안산메틸렌디페닐(MDI), 2,2-비스(4-이소시아나토페닐)헥사플루오로프로판, 헥사메틸렌디이소시아네이트(HMDI) 등을 들 수 있다.Examples of the diisocyanate include diisocyanates such as sphloron (ITI), toluene diisocyanate (TDI), 4,4'-methylene diphenyl (MDI) diisocyanate, 2,2-bis (4-isocyanatophenyl) Hexafluoropropane, hexamethylene diisocyanate (HMDI), and the like.

상기 폴리아미드산에스테르는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 상기 폴리아미드산에스테르의 배합량은, 용제를 제외한 조성물의 고형분 전량 기준으로 50 내지 95질량%인 것이 바람직하고, 60 내지 95질량%인 것이 보다 바람직하다.The polyamide acid esters may be used singly or in combination of two or more. The blending amount of the polyamide acid ester is preferably 50 to 95 mass%, more preferably 60 to 95 mass%, based on the entire solid content of the composition excluding the solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 상기 폴리아미드산에스테르 이외의 폴리이미드 전구체를 함유해도 된다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a polyimide precursor other than the polyamide acid ester within a range not to impair the effect of the present invention.

[광 염기 발생제] [Photobase generator]

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 광 염기 발생제로서 일반식 (B) 또는 (C)로 표시되는 화합물, 일반식 (D) 내지 (H) 중 어느 것으로 표시되는 4급 암모늄염, 활성 광선의 조사에 의해 분자 중에 질소 원자와 산소 원자를 각각 하나 이상 포함하는 3급 아민을 발생하는 4급 암모늄염, 옥심에스테르 화합물, 및 일반식 (I)로 표시되는 카르바모일옥시이미노기를 함유하는 화합물 중 적어도 어느 1종을 포함한다. 상기 광 염기 발생제 중에서도, 일반식 (B)로 표시되는 쿠마르산형의 화합물, 일반식 (D)로 표시되는 4급 암모늄염 및 옥심에스테르 화합물 중 적어도 어느 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 감도 및 현상 콘트라스트의 관점에서, 일반식 (B)로 표시되는 쿠마르산형의 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하고, 특히 이하의 화합물 (B-1)을 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is a photosensitive resin composition comprising a quaternary ammonium salt represented by the general formula (B) or (C), a quaternary ammonium salt represented by the general formulas (D) to (H) A quaternary ammonium salt, an oxime ester compound and a compound containing a carbamoyloxyimino group represented by the general formula (I) which generate a tertiary amine containing at least one nitrogen atom and at least one oxygen atom in the molecule, And one species. Among the above-mentioned photo-base generators, it is preferable to include at least one of a coumaric acid type compound represented by the general formula (B), a quaternary ammonium salt represented by the general formula (D) and an oxime ester compound, From the viewpoint of contrast, it is more preferable to contain a compound of the coumaric acid type represented by the general formula (B), and it is particularly preferable to include the following compound (B-1).

Figure pat00023
Figure pat00023

상기 광 염기 발생제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 상기 광 염기 발생제의 배합량은, 용제를 제외한 조성물의 고형분 전량 기준으로 1 내지 20질량%인 것이 바람직하고, 5 내지 15질량%인 것이 보다 바람직하다.These photobase generators may be used alone or in combination of two or more. The blending amount of the photobase generator is preferably 1 to 20 mass%, more preferably 5 to 15 mass%, based on the whole solid content of the composition excluding the solvent.

[일반식 (B)로 표시되는 쿠마르산형의 화합물][Compounds of the coumaric acid type represented by the general formula (B)

Figure pat00024
Figure pat00024

(일반식 (B) 중, RB1 및 RB2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 유기기이며, 동일해도 상이해도 된다. RB1 및 RB2는 그들이 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 되며, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. 단, RB1 및 RB2 중 적어도 하나는 유기기이다. RB3 및 RB4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기 또는 유기기이며, 동일해도 상이해도 된다. RB5, RB6, RB7 및 RB8은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니오기 또는 유기기이며, 동일해도 상이해도 된다. RB5, RB6, RB7 및 RB8은, 그들 중 2개 이상이 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 되며, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. RB9는 수소 원자 또는 유기기이다.) (In the general formula (B), R B1 and R B2 are each independently a hydrogen atom or an organic group and may be the same or different.) R B1 and R B2 may combine with each other to form a cyclic structure, may include a combination. However, R B1 and R B2, at least one of which is an organic group. R B3 and R B4 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol A nitro group, a nitro group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonate group or an organic group and may be the same or different from each other, R B5 and R B6, R B7 and R B8 are playing each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol, a nitro group, alcohol pinot group, sulfo group, sulfonate group, phosphorus A phosphino group, a phosphonate group, an amino group , And ammonia coming or an organic group, may be the same or different. R B5, R B6, R B7 and R B8 are, and optionally, combining two or more of them to form a cyclic structure, comprising a bond of the heteroatom R B9 is a hydrogen atom or an organic group.)

일반식 (B) 중, RB1 및 RB2는 발생하는 염기의 염기성의 관점에서 모두 알킬기이거나, 또는 서로 결합한 환상 구조의 알킬렌쇄를 형성하는 것인 것이 바람직하고, 서로 결합한 환상 구조의 알킬렌쇄를 형성하는 것인 것이 가장 바람직하다. 상기 알킬기 또는 알킬렌쇄를 구성하는 탄소 원자수는 1 내지 20인 것이 바람직하고, 1 내지 8인 것이 보다 바람직하다.In the general formula (B), R B1 and R B2 are preferably alkyl groups from the viewpoint of the basicity of the generated bases, or form an alkylene chain having a cyclic structure bonded to each other, and the cyclic alkylene chains bonded to each other It is most preferable to form it. The number of carbon atoms constituting the alkyl group or alkylene chain is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 8.

일반식 (B) 중, RB3 및 RB4는 수소 원자 또는 알킬기인 것이 바람직하고, 모두 수소 원자인 것이 가장 바람직하다. 상기 알킬기는, 탄소 원자수가 1 내지 20인 것이 바람직하고, 1 내지 8인 것이 보다 바람직하다.In the general formula (B), R B3 and R B4 are preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and most preferably all hydrogen atoms. The alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms.

일반식 (B) 중, RB5, RB6, RB7 및 RB8은 수소 원자, 알킬기 또는 알콕시기인 것이 바람직하고, 모두 수소 원자인 것이 가장 바람직하다. 상기 알킬기는, 탄소 원자수가 1 내지 20인 것이 바람직하고, 1 내지 8인 것이 보다 바람직하다. 상기 알콕시기는 탄소 원자수가 1 내지 20인 것이 바람직하고, 1 내지 8인 것이 보다 바람직하다.In the general formula (B), R B5 , R B6 , R B7 and R B8 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group, and most preferably all hydrogen atoms. The alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms. The alkoxy group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms.

일반식 (B) 중, RB9는 수소 원자, 또는 전자파의 조사 및/또는 가열에 의해 탈보호 가능한 보호기인 유기기가 바람직하고, 수소 원자인 것이 가장 바람직하다.In the general formula (B), R B9 is preferably a hydrogen atom or an organic group which is a protecting group which can be deprotected by irradiation with electromagnetic waves and / or heating, and most preferably a hydrogen atom.

일반식 (B)로 표시되는 쿠마르산형의 화합물로서는, 이하의 화합물 B-1인 것이 바람직하다.As the coumaric acid type compound represented by the general formula (B), it is preferable to be the following compound B-1.

Figure pat00025
Figure pat00025

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 폴리아미드산에스테르와 상기 화합물 (B-1)을 조합함으로써, 노광 감도가 향상되어 노광량을 보다 억제할 수 있음과 함께, 현상 콘트라스트가 보다 향상되어 현상성이 우수하다.By combining the polyamide acid ester and the compound (B-1) in the photosensitive resin composition of the present invention, the exposure sensitivity can be improved and the exposure amount can be further suppressed, and the development contrast is further improved, .

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 특히, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 에스테르화된 폴리아미드산에스테르와 상기 화합물 (B-1)의 조합에 의해, 고감도이며, 저온에서 이미드화가 가능하고, 현상 콘트라스트도 우수하기 때문에, 내열성이 낮은 기재 상에 경화물 패턴을 형성하는 용도에 있어서 적합하다. 또한, 무전해 구리 도금액 내성도 우수하다는 점에서, 당해 경화물 상에 구리 배선을 제작하는 용도, 예를 들어 재배선층용 절연재 용도에 있어서 적합하다.The photosensitive resin composition of the present invention has high sensitivity and can be imidized at a low temperature by the combination of the polyamide acid ester esterified with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and the compound (B-1) , It is suitable for use in forming a cured product pattern on a substrate having low heat resistance. In addition, since it is excellent in resistance to electroless copper plating solution, it is suitable for use in producing a copper wiring on the cured product, for example, in the use of an insulating material for a rewiring layer.

[일반식 (C)로 표시되는 화합물] [Compound represented by the general formula (C)

Figure pat00026
Figure pat00026

(일반식 (C) 중, ZC는 수소 원자 또는 니트로기, RC1, RC2, RC3 및 RC4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기, RC5는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 알킬기이며, RC1 및 RC2와, RC3 및 RC4는 각각 서로 환 구조를 형성해도 된다.) (C), Z C is a hydrogen atom or a nitro group, R C1 , R C2 , R C3 and R C4 are each independently an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, R C5 is a hydrogen atom or a C1- R C1 and R C2 , and R C3 and R C4 may form a ring structure with each other.)

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 일반식 (C)로 표시되는 화합물로서 이하의 화합물 (C-1)을 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains the following compound (C-1) as a compound represented by the general formula (C).

Figure pat00027
Figure pat00027

[일반식 (D)로 표시되는 4급 암모늄염] [Quaternary ammonium salt represented by the general formula (D)] [

Figure pat00028
Figure pat00028

(일반식 (D) 중, RD1은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORD2로 표시되는 알콕시기, -NRD3RD4로 표시되는 아미노기, RD5CO-로 표시되는 아실기, RD6COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRD7로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기, 또는 할로겐 원자이고, RD2, RD5, RD6 및 RD7은 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, RD3 및 RD4는 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, n은 0 내지 7의 정수, YD +는 하기 식 (D1) 내지 (D4) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이고,( Wherein R D1 represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, An alkoxy group represented by -OR D2 , an amino group represented by -NR D3 R D4 , an acyl group represented by R D5 CO-, an acyloxy group represented by R D6 COO-, an alkylthio group represented by -SR D7 , R D2 , R D5 , R D6 and R D7 are an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, R D3 and R D4 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms An alkyl group or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, n is an integer of 0 to 7, and Y D + is a quaternary ammonia group represented by any of the following formulas (D1) to (D4)

Figure pat00029
Figure pat00029

QD는 질소 원자 또는 메틴기(-CH-), t 및 u는 2 또는 3, w는 0 내지 2의 정수, AD는 수소 원자, 수산기 또는 할로겐 원자, RD8 내지 RD10은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고, RD1과 CH2-YD +XD -는 동일한 벤젠환에 결합하고 있어도 되며, 상이한 벤젠환에 결합하고 있어도 된다. XD -는 보레이트 음이온, 페놀레이트 음이온 및 카르복실레이트 음이온으로부터 선택되는 카운터 음이온이다.) Q D is a nitrogen atom or a methine group (-CH-), t and u is 2 or 3, w is an integer from 0 to 2, A D is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a halogen atom, R D8 to D10 R is C 1 -C An alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, R D1 and CH 2 -Y D + X D - may be bonded to the same benzene ring, do. X D - is a counter anion selected from a borate anion, a phenolate anion and a carboxylate anion.)

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 일반식 (D)로 표시되는 화합물로서 이하의 화합물 (D-1) 내지 (D-9) 중 적어도 어느 1종을 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains at least one of the following compounds (D-1) to (D-9) as the compound represented by the general formula (D)

Figure pat00030
Figure pat00030

[일반식 (E)로 표시되는 4급 암모늄염] [Quaternary ammonium salt represented by the general formula (E)] [

Figure pat00031
Figure pat00031

(일반식 (E) 중, RE1은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORE2로 표시되는 알콕시기, -NRE3RE4로 표시되는 아미노기, RE5CO-로 표시되는 아실기, RE6COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRE7로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기, 또는 할로겐 원자이고, RE2, RE5, RE6 및 RE7은 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, RE3 및 RE4는 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, m은 0 내지 9의 정수, YE +는 하기 식 (E1) 내지 (E4) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이고,( Wherein R E1 represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, An alkoxy group represented by -OR E2 , an amino group represented by -NR E3 R E4 , an acyl group represented by R E5 CO-, an acyloxy group represented by R E6 COO-, an alkylthio group represented by -SR E7 , or R E2 , R E5 , R E6 and R E7 are an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R E3 and R E4 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms An alkyl group or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, m is an integer of 0 to 9, Y E + is a quaternary ammonia group represented by any one of the following formulas (E1) to (E4)

Figure pat00032
Figure pat00032

QE는 질소 원자 또는 메틴기(-CH-), t 및 u는 2 또는 3, w는 0 내지 2의 정수, AE는 수소 원자, 수산기 또는 할로겐 원자, RE8 내지 RE10은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고, RE1과 CH2-YE +XE -는 동일한 벤젠환에 결합하고 있어도 되며, 상이한 벤젠환에 결합하고 있어도 된다. XE -는 보레이트 음이온, 페놀레이트 음이온 및 카르복실레이트 음이온으로부터 선택되는 카운터 음이온이다.) Q E is a nitrogen atom or a methine group (-CH-), t and u is 2 or 3, w is an integer from 0 to 2, A E is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a halogen atom, R E8 to E10 R is C 1 -C An alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, R E1 and CH 2 -Y E + X E - may be bonded to the same benzene ring, do. X E - is a counter anion selected from a borate anion, a phenolate anion and a carboxylate anion.)

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 일반식 (E)로 표시되는 화합물로서 이하의 화합물 (E-1) 내지 (E-11) 중 적어도 어느 1종을 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains at least one of the following compounds (E-1) to (E-11) as a compound represented by the general formula (E)

Figure pat00033
Figure pat00033

[일반식 (F)로 표시되는 카르복실산형의 4급 암모늄염] [Quaternary ammonium salt of carboxylic acid type represented by general formula (F)] [

Figure pat00034
Figure pat00034

(일반식 (F) 중, RF1, RF2, RF4 및 RF5가 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, RF3 및 ArF가 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 이들 중 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기는 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORF6으로 표시되는 알콕시기, -NRF7RF8로 표시되는 아미노기, RF9CO-로 표시되는 아실기, RF10COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRF11로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기, 또는 할로겐 원자이며, 이들 치환기는 아릴기와 환 구조를 취할 수 있다. RF6, RF9, RF10 및 RF11은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, RF7 및 RF8은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이다. YF +는 하기 식 (F1) 또는 (F2) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이다.(Wherein R F1 , R F2 , R F4 and R F5 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R F3 and Ar F are each independently an aryl group having 6 to 14 carbon atoms Of these, the aryl group may have a substituent. The substituent may be an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, a nitro group, , An alkoxy group represented by -OR F6 , an amino group represented by -NR F7 R F8 , an acyl group represented by R F9 CO-, an acyloxy group represented by R F10 COO-, a group represented by -SR F11 R F6 , R F9 , R F10 and R F11 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 8 carbon atoms, an aryl group, R and R F7 F8 of the circles 12 are each independently hydrogen, , An aryl group or an alkyl group having 6 to 12 carbon atoms having 1 to 8. F Y + is a quaternary ammonium come represented by any of the following formula (F1) or (F2).

Figure pat00035
Figure pat00035

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 일반식 (F)로 표시되는 화합물로서 이하의 화합물 (F-1)을 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains the following compound (F-1) as a compound represented by the general formula (F).

Figure pat00036
Figure pat00036

[일반식 (G)로 표시되는 술폰산형의 4급 암모늄염] [The quaternary ammonium salt of the sulfonic acid type represented by the general formula (G)] [

Figure pat00037
Figure pat00037

(일반식 (G) 중, RG1 내지 RG5는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORG6으로 표시되는 알콕시기, -NRG7RG8로 표시되는 아미노기, RG9CO-로 표시되는 아실기, RG10COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRG11로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기이다. 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 및 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기는 상술한 RG1 내지 RG5와 동일하며, 이들 치환기는 환 구조를 취할 수 있다. RG6, RG9, RG10 및 RG11은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, RG7 및 RG8은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이다.(In the general formula (G), R G1 to R G5 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms A nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, an alkoxy group represented by -OR G6 , an amino group represented by -NR G7 R G8 , an acyl group represented by R G9 CO-, an acyloxy group represented by R G10 COO-, alkylthio group represented by SR G11 or an arylthio group. alkyl group, alkenyl group, alkynyl group and aryl group and may have a substituent, and the substituent is the same as above R G1 to R G5, these substituents are a cyclic structure, R G6 , R G9 , R G10 and R G11 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R G7 and R G8 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms Or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms.

ArG기는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 이들 중 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기는 상술한 RG1 내지 RG5와 동일하며, 이들 치환기는 아릴기와 환 구조를 취할 수 있다. YG +는 하기 식 (G1) 내지 (G4) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이고,Ar G groups are an aryl group having 6 to 14, and optionally of which the aryl group has a substituent, the substituent is the same as above R R G1 to G5, these substituents can take the aryl group and ring structure. Y G + is a quaternary ammonia group represented by any of the following formulas (G1) to (G4)

Figure pat00038
Figure pat00038

QG는 질소 원자 또는 메틴기(-CH-), t 및 u는 2 또는 3, w는 0 내지 2의 정수, AG는 수소 원자, 수산기 또는 할로겐 원자, RG12 내지 RG14는 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이다.) Q G is a nitrogen atom or a methine group (-CH-), t and u are 2 or 3, w is an integer of 0 to 2, A G is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a halogen atom, and R G12 to R G14 , An alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 일반식 (G)로 표시되는 화합물로서 이하의 화합물 (G-1) 및 (G-2) 중 적어도 어느 1종을 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains at least one of the following compounds (G-1) and (G-2) as the compound represented by the general formula (G)

Figure pat00039
Figure pat00039

[일반식 (H)로 표시되는 붕소형의 4급 암모늄염] [Boron-containing quaternary ammonium salt represented by the general formula (H)] [

Figure pat00040
Figure pat00040

(일반식 (H) 중, ArH1은 탄소수 6 내지 12의 아릴기이며, 방향환의 수소 원자 중 적어도 1개가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자를 포함하는 치환기로 치환한 기이고; ArH2는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 아릴기 중의 수소 원자의 일부가 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORH11로 표시되는 알콕시기, -NRH12RH13으로 표시되는 아미노기, RH14CO-로 표시되는 아실기, RH15COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRH16으로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기, 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되고; RH1 및 RH2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고, ArH1, RH1, RH2는 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고; RH3은 탄소수 1 내지 18의 알킬기이고; n은 1 내지 4의 정수이되, 단 n이 4인 경우에는, ArH1은 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고; RH11, RH14, RH15 및 RH16은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기; RH12 및 RH13은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고; YH +는 하기 일반식 (H1) 또는 (H2) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이고;(Formula (H) of, Ar H1 is an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, the aromatic rings at least one is the oxygen atom, a sulfur atom of a hydrogen atom, a group is substituted with a substituent containing a nitrogen atom; Ar H2 carbon atoms An aryl group having 6 to 14 carbon atoms and a part of the hydrogen atoms in the aryl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, A hydroxyl group, a cyano group, an alkoxy group represented by -OR H11 , an amino group represented by -NR H12 R H13 , an acyl group represented by R H14 CO-, an acyloxy group represented by R H15 COO-, or -SR H16 R H1 and R H2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, Ar H1 , R H1 , R H2 are coupled to each other to form a ring structure May be; R H3 is an alkyl group having a carbon number of 1 to 18; n is in the case of an integer being, where n = 1 to 4 is four, Ar H1 is an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and; R H11, R H14, R H15 and R16 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms; R H12 and R H13 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms; Y H + is a quaternary ammonia group represented by any one of the following general formulas (H1) and (H2);

Figure pat00041
Figure pat00041

식 (H1) 중, RH4 내지 RH5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고; QH는 메틸렌기(-CH2-)m, 또는 상기 일반식 (H3)으로 표시되는 기이고; m은 2 또는 3의 정수이고; 식 (H2) 중, RH6 내지 RH8은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 서로 결합하여 환 구조를 갖고 있어도 되고; 식 (H3) 중, RH9 내지 RH10은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 된다.) In formula (H1), R H4 to R H5 each independently represent an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, which may be bonded to each other to form a ring structure; Q H is a methylene group (-CH 2 -) m or a group represented by the general formula (H3); m is an integer of 2 or 3; In the formula (H2), R H6 to R H8 each independently represent an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, In the formula (H3), R H9 to R H10 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and may be bonded to each other to form a ring structure.

일반식 (H)로 표시되는 광 염기 발생제의 양이온 구조로서는, 예를 들어 이하의 화학식 (HCA-1) 내지 (HCA-12)로 표시되는 것을 바람직하게 예시할 수 있다.The cation structure of the photo-base generator represented by the general formula (H) is preferably a cation structure represented by the following formulas (H CA -1) to (H CA -12), for example.

Figure pat00042
Figure pat00042

일반식 (H)로 표시되는 광 염기 발생제의 음이온 구조로서는, 예를 들어 이하의 화학식 (HA-1) 내지 (HA-11)로 표시되는 것을 바람직하게 예시할 수 있다.Examples of the anion structure of the photo-base generator represented by the general formula (H) include those represented by the following formulas (H A -1) to (H A -11).

Figure pat00043
Figure pat00043

일반식 (H)로 표시되는 광 염기 발생제는, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. 이하의 화학 반응식으로 일례를 나타낸다. 목적으로 하는 광 염기 발생제에 대응한 치환기(ArH1, RH1 및 RH2)를 갖는 탈리기(ZH)가 치환된 화합물(EH)과, 제4급 암모니오기(YH +)에 대응하는 아민(YH)을 직접 또는 용매 중에서 반응시킴으로써, ZH -를 상대 음이온으로 하는 양이온 중간체를 얻는다. 이 양이온 중간체와, 별도 공지된 방법으로 제조한 목적으로 하는 광 염기 발생제에 대응한 치환기(ArH2, RH3)를 갖는 보레이트 금속염을 유기 용매 혹은 수중에서 음이온 교환하여 목적으로 하는 광 염기 발생제를 얻을 수 있다.The photo-base generator represented by the general formula (H) can be produced by a known method. An example is shown by the following chemical reaction formula. A substituents (Ar H1, R H1 and R H2) leaving group (Z H) is substituted with a compound (E H) and, quaternary come ammonia (Y H +) having a corresponding to the photobase generator for the purpose of The corresponding amine (Y H ) is reacted directly or in a solvent to obtain a cation intermediate in which Z H - is a counter anion. This cationic intermediate and a borate metal salt having a substituent (Ar H2 , R H3 ) corresponding to a photobase generator which is produced by a separately known method are subjected to anion exchange in an organic solvent or water to obtain a target photoinitiator Can be obtained.

Figure pat00044
Figure pat00044

(식 중, ArH1, ArH2, RH1, RH2, RH3, YH +는 일반식 (H)와 마찬가지이고, Z는 탈리기이고, ZH -는 탈리에 의해 생성되는 상대 음이온이고, YH는 제4급 암모늄에 상당하는 아민이고, MH +는 금속 양이온이다.) (Wherein, Ar H1, Ar H2, R H1, R H2, R H3, Y H + is the same as in the general formula (H), Z is a leaving group and, Z H - is a counter anion that is generated by the Tally , Y H is an amine equivalent to quaternary ammonium, and M H + is a metal cation.)

아민(YH)으로서는, 화학식 (HY-1)로 표시되는 아민{1,8-디아자비시클로[5,4,0]-운데센-7(DBU; 「DBU」는 산아프로 가부시키가이샤의 등록 상표이다.)}, 화학식 (HY-2)로 표시되는 아민{1,5-디아자비시클로[4,3,0]-노넨-5(DBN)}, 화학식 (HY-3)으로 표시되는 아민{각 기호는 화학식 (H2)와 동일하다. 예를 들어, 1-아자비시클로〔2.2.2〕옥탄, 3-히드록시-1-아자비시클로〔2.2.2〕옥탄 및 1,4-디아자비시클로〔2.2.2〕옥탄 등 환상 아민 및 트리알킬아민(트리부틸아민, 트리옥틸아민, 옥틸디메틸아민 및 디이소프로필에틸아민 등), 트리알케닐아민(트리알릴아민 등) 및 트리아릴아민(트리페닐아민, 트리p-톨릴아민 및 디페닐p-톨릴아민 등 쇄상 아민 등} 및 화학식 (HY-4)로 표시되는 아민{화학식 (HY-4) 중, RH17은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, RH18은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 된다. 예를 들어 1-메틸이미다졸-3-일, 1,2-디메틸이미다졸-3-일, 1-메틸-2-에틸이미다졸-3-일) 등}이 포함된다.Amine (Y H) Examples of the amine represented by the formula (H Y -1) {1,8- diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene (DBU; "DBU" is manufactured by whether or birth Pro . of a registered trademark)}, the formula (Y H -2) amine {1,5-diazabicyclo [4,3,0] represented by - -5-nonene (DBN)}, the formula (Y H -3) (Each symbol is the same as that of the formula (H2). For example, cyclic amines such as 1-azabicyclo [2.2.2] octane, 3-hydroxy-1-azabicyclo [2.2.2] octane and 1,4- diazabicyclo [2.2.2] (Triphenylamine, tri-p-tolylamine and diphenyl p-toluenesulfonate) such as amine (tributylamine, trioctylamine, octyldimethylamine and diisopropylethylamine), trialkenylamine -tolyl-chain amines such as amine, etc.} and the formula (Y H -4) amine {formula (Y H -4) of, H17 R is an alkyl group having 1 to 18 alkyl group, R is a H18 having 1 to 18 carbon atoms represented by a, An alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms and may be bonded to each other to form a cyclic structure. For example, 1-methylimidazol-3-yl, 1,2-dimethylimidazole Yl, 1-methyl-2-ethylimidazol-3-yl) yl}.

Figure pat00045
Figure pat00045

탈리기(ZH)로서는, 할로겐 원자(염소 원자 및 브롬 원자 등), 술포닐옥시기(트리플루오로메틸술포닐옥시, 4-메틸페닐술포닐옥시 및 메틸술포닐옥시 등) 및 아실옥시(아세톡시 및 트리플루오로메틸카르보닐옥시 등)가 포함된다. 이들 중, 제조 용이함 등의 관점에서 할로겐 원자 및 술포닐옥시기가 바람직하다.Examples of the leaving group (Z H ) include a halogen atom (such as a chlorine atom and a bromine atom), a sulfonyloxy group (trifluoromethylsulfonyloxy, 4-methylphenylsulfonyloxy and methylsulfonyloxy), and acyloxy And trifluoromethylcarbonyloxy), and the like. Of these, halogen atoms and sulfonyloxy groups are preferable from the standpoint of ease of production and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에서는, 일반식 (H)로 표시되는 붕소형의 4급 암모늄염으로서 티오크산톤 골격을 갖는 붕소형의 4급 암모늄염을 포함하는 것이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, it is preferable that the quaternary ammonium salt of a boron represented by the general formula (H) contains a quaternary ammonium quaternary ammonium salt having a thioxanthone skeleton.

[활성 광선의 조사에 의해 분자 중에 질소 원자와 산소 원자를 각각 하나 이상 포함하는 3급 아민을 발생하는 4급 암모늄염] [Quaternary ammonium salts which generate tertiary amines containing at least one nitrogen atom and at least one oxygen atom in the molecule upon irradiation with actinic rays]

상기 4급 암모늄염은 하기 구조식으로 표시되고, 활성 광선의 조사에 의해 3급 아민을 발생하는 광 염기 발생제이다. 식 중, Z는 벤젠, 벤조푸란, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌 등의 골격을 갖는 방향족기이다.The quaternary ammonium salt is represented by the following structural formula and is a photobase generator that generates a tertiary amine by irradiation with an actinic ray. Wherein Z is an aromatic group having a skeleton such as benzene, benzofuran, naphthalene, anthracene, phenanthrene, and pyrene.

Figure pat00046
Figure pat00046

(AJ +는 4급 암모늄기, BJ -는 카운터 이온, ZJ는 방향족기를 나타낸다.) (A J + represents a quaternary ammonium group, B J - represents a counter ion, and Z J represents an aromatic group.)

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 상기 4급 암모늄염으로서 이하의 화합물 (J-1)을 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains the following compound (J-1) as the quaternary ammonium salt.

Figure pat00047
Figure pat00047

[옥심에스테르 화합물] [Oxime ester compound]

옥심에스테르 화합물은, 하기의 부분 구조 (K)를 갖는 화합물이다.The oxime ester compound is a compound having the following partial structure (K).

Figure pat00048
Figure pat00048

옥심에스테르 화합물로서는, 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 하기 식 (K1)로 표시되는 화합물, 2-(아세틸옥시이미노에틸)티옥산텐-9-온, 및 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심) 및 하기 일반식 (K2)로 표시되는 화합물 등의 카르바졸 골격을 갖는 옥심에스테르계 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the oxime ester compound include 1,2-octanedione-1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)], a compound represented by the following formula (K1), 2- (acetyloxyiminoethyl) 1- (9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -, 1- (O-acetyloxime) And an oxime ester compound having a carbazole skeleton such as a compound represented by the formula (K2).

Figure pat00049
Figure pat00049

일반식 (K2) 중, RK21은 수소 원자, 페닐기, 알킬기, 시클로알킬기, 알카노일 기 또는 벤조일기를 나타낸다. RK22 및 RK24는, 각각 독립적으로 페닐기, 알킬기, 시클로알킬기, 알카노일기 또는 벤조일기를 나타낸다. RK23은, 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 벤질기, 벤조일기, 탄소수 2 내지 12의 알카노일기, 탄소수 2 내지 12의 알콕시카르보닐기(알콕실기를 구성하는 알킬기의 탄소수가 2 이상인 경우, 알킬기는 1개 이상의 수산기로 치환되어 있어도 되고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가져도 된다) 또는 페녹시카르본기를 나타낸다. 또한, 상기 페닐기 및 벤조일기는, 각각 벤젠환 상에 알킬기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다.In the general formula (K2), R K21 represents a hydrogen atom, a phenyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkanoyl group or a benzoyl group. R K22 and R K24 each independently represent a phenyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkanoyl group or a benzoyl group. R K23 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a phenyl group, a benzyl group, a benzoyl group, an alkanoyl group having 2 to 12 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group When the number of carbon atoms of the alkyl group constituting the alkoxyl group is 2 or more, the alkyl group may be substituted with at least one hydroxyl group, or may have at least one oxygen atom in the middle of the alkyl chain) or a phenoxycarb group. The phenyl group and the benzoyl group may each have a substituent such as an alkyl group on a benzene ring.

이러한 옥심에스테르 화합물은, 예를 들어 다이렉트 이미징용의 노광에 대하여 본 발명의 감광성 수지 조성물의 감도를 높게 할 수 있고, 해상성이 우수하기 때문에 바람직하다. 또한, 옥심에스테르 화합물은 이량체여도 된다.Such oxime ester compounds are preferable because they can increase the sensitivity of the photosensitive resin composition of the present invention for exposure for direct imaging, for example, and are excellent in resolution. Further, the oxime ester compound may be a dimer.

이량체의 옥심에스테르 화합물로서는, 하기 일반식 (K3)으로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The oxime ester compound of the dimer is more preferably a compound represented by the following general formula (K3).

Figure pat00050
Figure pat00050

일반식 (K3) 중, RK33은 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 페닐기, 나프틸기를 나타낸다. RK31, RK32는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 피리딜기, 벤조푸릴기, 벤조티에닐기를 나타낸다.In the general formula (K3), R K33 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a phenyl group, or a naphthyl group. R K31 and R K32 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen group, a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a pyridyl group, a benzofuryl group or a benzothienyl group.

ArK3은, 단결합 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 비닐렌기, 페닐렌기, 비페닐렌기, 피리딜렌기, 나프틸렌기, 안트릴렌기, 티에닐렌기, 푸릴렌기, 2,5-피롤-디일기, 4,4'-스틸벤-디일기, 4,2'-스티렌-디일기를 나타낸다.Ar K3 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a vinylene group, a phenylene group, a biphenylene group, a pyridylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, a thienylene group, a furylene group, A di-yl group, a 4,4'-stilbene-diyl group, and a 4,2'-styrene-diyl group.

n은 0 내지 1의 정수를 나타낸다.and n represents an integer of 0 to 1.

RK33에 의해 표시되는 알킬기로서는, 탄소수 1 내지 17의 알킬기가 바람직하다. RK33에 의해 표시되는 알콕시기로서는, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기가 바람직하다. RK33에 의해 표시되는 페닐기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 해당 치환기로서는, 예를 들어 알킬기(바람직하게는 탄소수 1 내지 17), 알콕시기(바람직하게는 탄소수 1 내지 8), 아미노기, 알킬아미노기(바람직하게는 알킬기의 탄소수 1 내지 8) 또는 디알킬아미노기(바람직하게는 알킬기의 탄소수 1 내지 8) 등을 들 수 있다. RK33에 의해 표시되는 나프틸기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 해당 치환기로서는, RK33에 의해 표시되는 페닐기가 가질 수 있는 상기 치환기와 마찬가지인 기를 들 수 있다.As the alkyl group represented by R K33 , an alkyl group having 1 to 17 carbon atoms is preferable. As the alkoxy group represented by R K33 , an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms is preferable. The phenyl group represented by R K33 may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (preferably having 1 to 17 carbon atoms), an alkoxy group (preferably having 1 to 8 carbon atoms), an amino group, an alkylamino group (Preferably having 1 to 8 carbon atoms in the alkyl group) or a dialkylamino group (preferably having 1 to 8 carbon atoms in the alkyl group). Examples of R may have a substituent and naphthyl groups represented by K33, the substituent, a phenyl group represented by R include groups wherein the substituents and K33 machangajiin which may have.

RK31 및 RK32에 의해 표시되는 알킬기로서는, 탄소수 1 내지 17의 알킬기가 바람직하다. RK31 및 RK32에 의해 표시되는 알콕시기로서는, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기가 바람직하다. RK31 및 RK32에 의해 표시되는 페닐기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 해당 치환기로서는, 예를 들어 알킬기(바람직하게는 탄소수 1 내지 17), 알콕시기(바람직하게는 탄소수 1 내지 8), 아미노기, 알킬아미노기(바람직하게는 알킬기의 탄소수 1 내지 8) 또는 디알킬아미노기(바람직하게는 알킬기의 탄소수 1 내지 8) 등을 들 수 있다. RK31 및 RK32에 의해 표시되는 나프틸기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 해당 치환기로서는, RK31 및 RK32에 의해 표시되는 페닐기가 가질 수 있는 상기 치환기와 마찬가지인 기를 들 수 있다.The alkyl group represented by R K31 and R K32 is preferably an alkyl group having 1 to 17 carbon atoms. The alkoxy group represented by R K31 and R K32 is preferably an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms. The phenyl group represented by R K31 and R K32 may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group (preferably having 1 to 17 carbon atoms), an alkoxy group (preferably having 1 to 8 carbon atoms), an amino group, an alkyl An amino group (preferably having 1 to 8 carbon atoms in the alkyl group) or a dialkylamino group (preferably having 1 to 8 carbon atoms in the alkyl group). K31 and R is naphthyl which may have a substituent group represented by R K32, can be given as the substituent, R K31, and K32 R groups and the substituents in a phenyl group may have machangajiin represented by.

또한, 일반식 (K3) 중, RK31, RK32가 각각 독립적으로 메틸기 또는 에틸기이고, RK32는 메틸 또는 페닐이고, ArK3은 단결합이거나, 페닐렌기, 나프틸렌기 또는 티에닐렌기, n은 0인 것이 바람직하다.In the general formula (K3), R K31 and R K32 are each independently a methyl group or an ethyl group, R K32 is methyl or phenyl, Ar K3 is a single bond, a phenylene group, a naphthylene group or a thienylene group, n Is preferably 0.

일반식 (K3)으로 표시되는 화합물로서는, 하기 화합물 (K3-1)이 보다 바람직하다.As the compound represented by the general formula (K3), the following compound (K3-1) is more preferable.

Figure pat00051
Figure pat00051

옥심에스테르 화합물로서는, 시판품으로서 바스프(BASF) 재팬사제의 CGI-325, 이르가큐어 OXE01(1.2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(O-벤조일옥심)]), 이르가큐어 OXE02(에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(0-아세틸옥심)), 아데카(ADEKA)사제 N-1919, NCI-831, 창저우 쿄료쿠 덴시 신자이료 유겡코시사제의 TR-PBG-304, 닛본 가가꾸 고교쇼사제의 TOE-04-A3 등을 들 수 있다.Examples of the oxime ester compound include CGI-325, Irgacure OXE01 (1.2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) -, 2- (O-benzoyloxime)]) commercially available from BASF Japan, (ADEKA), 1- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] N-1919, NCI-831, TR-PBG-304, manufactured by Nippon Kagaku Kogyo Kogyo Co., Ltd., and TOE-04-A3 manufactured by Cangzhou Kyo Ryoku Denshi Shinji Co.,

본 발명의 감광성 수지 조성물에서는, 옥심에스테르 화합물로서 카르바졸 골격을 갖는 옥심에스테르 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, it is preferable to include an oxime ester compound having a carbazole skeleton as an oxime ester compound.

또한, 옥심에스테르 화합물로서, 하기 일반식 (K4) 내지 (K8)로 표시되는 화합물도 사용할 수 있다.As oxime ester compounds, compounds represented by the following general formulas (K4) to (K8) may also be used.

Figure pat00052
Figure pat00052

(일반식 (K4) 중, XK4는 -(CH2)n-기, 지환식기, 아릴렌기, -(CH2)n-기와 지환식기가 결합한 것, -(CH2)n-기와 아릴렌기가 결합한 것으로부터 선택되며, n은 2 내지 7의 정수, RK41은 방향족기 또는 치환 알킬기이다.) (Formula (K4) of, K4 X is - (CH 2) n- group, an alicyclic group, an arylene group, - (CH 2) n- group and combines the alicyclic group, - (CH 2) n- group and arylene N is an integer of 2 to 7, and R K41 is an aromatic group or a substituted alkyl group.

일반식 (K4)로 표시되는 옥심에스테르 화합물로서, 하기 화합물 (K4-1) 내지 (K4-7) 중 적어도 어느 1종을 포함하는 것이 바람직하다.As the oxime ester compound represented by the general formula (K4), it is preferable to include at least any one of the following compounds (K4-1) to (K4-7).

Figure pat00053
Figure pat00053

Figure pat00054
Figure pat00054

(일반식 (K5) 중, 유기기 DK5는 1 내지 4가의 유기기이고, RK51은 2가의 유기기, RK52, RK53은 각각 1가의 유기기를 나타내고, RK52, RK53 중 적어도 1개는 방향족기를 나타낸다. m은 0 또는 1이며, m이 0일 때, 상기 DK5의 유기기는 방향족기가 아니다. n은 1 내지 4의 정수이며, 복수개의 RK51, RK52, RK53은 각각 동일해도 상이해도 된다.) (And the general formula (K5) wherein the organic group D K5 from 1 to 4-valent organic group, R K51 is a divalent organic group, R K52, R K53 each represent a monovalent organic group, R K52, R at least one of K53 M is 0 or 1, and when m is 0, the organic group of D K5 is not an aromatic group, n is an integer of 1 to 4, and a plurality of R K51 , R K52 and R K53 are each an aromatic group They may be the same or different.)

일반식 (K5)로 표시되는 옥심에스테르 화합물로서, 하기 화합물 (K5-1)을 포함하는 것이 바람직하다.As the oxime ester compound represented by the general formula (K5), it is preferable to include the following compound (K5-1).

Figure pat00055
Figure pat00055

Figure pat00056
Figure pat00056

(일반식 (K6) 중, XK6은 4가의 유기기이고, n은 0 내지 3의 정수를 나타낸다. RK61은 방향족기 또는 탄소수가 1 이상인 알킬기이다.) (In the general formula (K6), X K6 is a tetravalent organic group and n is an integer of 0 to 3. R K61 is an aromatic group or an alkyl group having 1 or more carbon atoms.)

일반식 (K6)으로 표시되는 옥심에스테르 화합물로서, 하기 화합물 (K6-1) 및 (K6-2) 중 적어도 어느 1종을 포함하는 것이 바람직하다.As the oxime ester compound represented by the general formula (K6), it is preferable to include at least any one of the following compounds (K6-1) and (K6-2).

Figure pat00057
Figure pat00057

Figure pat00058
Figure pat00058

(일반식 (K7) 중, XK7은 연결기 YK7을 갖는 아릴렌기이며, n은 0 내지 3의 정수를 나타낸다. RK71은 연결기 YK7을 갖는 방향족기 또는 알킬기이며, YK7은 2가의 유기기이다.) (Formula (K7) of the, X K7 is an aryl group having a connecting group Y K7, n represents an integer of 0 to 3. R K71 is an aromatic group or an alkyl group having a connecting group Y K7, Y K7 is a divalent organic It is a device.)

일반식 (K7)로 표시되는 옥심에스테르 화합물로서, 하기 화합물 (K7-1) 내지 (K7-4) 중 적어도 어느 1종을 포함하는 것이 바람직하다.As the oxime ester compound represented by the general formula (K7), it is preferable to include at least any one of the following compounds (K7-1) to (K7-4).

Figure pat00059
Figure pat00059

Figure pat00060
Figure pat00060

(일반식 (K8) 중, XK8은 2가의 유기기이며, n은 1 내지 5의 정수를 나타낸다. RK81은 방향족기 또는 탄소수가 1 이상인 알킬기를 나타낸다.) (In the general formula (K8), X K8 is a divalent organic group and n is an integer of 1 to 5. R K81 represents an aromatic group or an alkyl group having 1 or more carbon atoms.)

일반식 (K8)로 표시되는 옥심에스테르 화합물로서, 하기 화합물 (K8-1) 및 (K8-2) 중 적어도 어느 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 하기 화합물 (K8-1) 및 (K8-2) 중, n은 1 내지 5의 정수를 나타낸다.As the oxime ester compound represented by the general formula (K8), it is preferable to include at least any one of the following compounds (K8-1) and (K8-2). In the following compounds (K8-1) and (K8-2), n represents an integer of 1 to 5.

Figure pat00061
Figure pat00061

[일반식 (I)로 표시되는 카르바모일옥시이미노기를 함유하는 화합물] [Compound containing a carbamoyloxyimino group represented by the general formula (I)

Figure pat00062
Figure pat00062

(일반식 (I) 중, YI는 -(CH2)m-기, 지환식기, 아릴렌기, -(CH2)m-기와 지환식기가 결합한 것, -(CH2)m-기와 아릴렌기가 결합한 것으로부터 선택되고, m은 2 내지 7의 정수, RI1은 방향족기 또는 치환 알킬기이다.) (Compound (I) of the, I Y is - (CH 2) m- group, an alicyclic group, an arylene group, - (CH 2) m- group and combines the alicyclic group, - (CH 2) m- group and arylene M is an integer of 2 to 7, and R I1 is an aromatic group or a substituted alkyl group.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 상기 광 염기 발생제 이외의 광 염기 발생제를 함유해도 된다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a photobase generator other than the photobase generator within a range not to impair the effect of the present invention.

이하에, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 배합 가능한 다른 성분을 설명한다.Hereinafter, other components that can be incorporated into the photosensitive resin composition of the present invention will be described.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 용매는, 폴리아미드산에스테르, 광 염기 발생제 및 다른 첨가제를 용해시키는 것이면 특별히 제한은 없다. 일례로서는 N,N'-디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈(NMP), N-에틸-2-피롤리돈, N,N'-디메틸아세트아미드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 시클로펜타논, γ-부티로락톤, α-아세틸-γ-부티로락톤, 테트라메틸요소, 1,3-디메틸-2-이미다졸리논, N-시클로헥실-2-피롤리돈, 디메틸술폭시드, 헥사메틸포스포르아미드, 피리딘, γ-부티로락톤, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르를 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 상관없다. 사용하는 용매의 양은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 도포 막 두께나 점도에 따라, 상기 폴리아미드산에스테르100질량부에 대하여 50 내지 9000질량부의 범위에서 사용하면 된다.The solvent usable in the photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited so long as it dissolves polyamide acid ester, photo base generating agent and other additives. Examples include N, N'-dimethylformamide, N-methylpyrrolidone (NMP), N-ethyl-2-pyrrolidone, N, N'-dimethylacetamide, diethylene glycol dimethyl ether, cyclopentanone, ? -butyrolactone,? -butyrolactone,? -acetyl-? -butyrolactone, tetramethyl urea, 1,3-dimethyl-2-imidazolidone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, Phosphoramid, pyridine,? -Butyrolactone, and diethylene glycol monomethyl ether. These may be used alone or in combination of two or more. The amount of the solvent to be used is not particularly limited. For example, it may be used in a range of 50 to 9000 parts by mass based on 100 parts by mass of the polyamic acid ester, depending on the coating film thickness and viscosity.

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 광 감도를 향상시키기 위해 증감제를 더 첨가할 수도 있다. 증감제로서는, 예를 들어 미힐러 케톤, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2,5-비스(4'-디에틸아미노벤잘)시클로펜탄, 2,6-비스(4'-디에틸아미노벤잘)시클로헥사논, 2,6-비스(4'-디메틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥사논, 2,6-비스(4'-디에틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥사논, 4,4'-비스(디메틸아미노)칼콘, 4,4'-비스(디에틸아미노)칼콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인다논, p-디메틸아미노벤질리덴인다논, 2-(p-디메틸아미노페닐비페닐렌)-벤조티아졸, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)벤조티아졸, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4'-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-비스(4'-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3'-카르보닐-비스(7-디에틸아미노쿠마린), 3-아세틸-7-디메틸아미노쿠마린, 3-에톡시카르보닐-7-디메틸아미노쿠마린, 3-벤질옥시카르보닐-7-디메틸아미노쿠마린, 3-메톡시카르보닐-7-디에틸아미노쿠마린, 3-에톡시카르보닐-7-디에틸아미노쿠마린, N-페닐-N'-에틸에탄올아민, N-페닐디에탄올아민, N-p-톨릴디에탄올아민, N-페닐에탄올아민, 4-모르폴리노벤조페논, 디메틸아미노벤조산이소아밀, 디에틸아미노벤조산이소아밀, 2-머캅토벤즈이미다졸, 1-페닐-5-머캅토테트라졸, 2-머캅토벤조티아졸, 2-(p-디메틸아미노스티릴)벤즈옥사졸, 2-(p-디메틸아미노스티릴)벤즈티아졸, 2-(p-디메틸아미노스티릴)나프토(1,2-d)티아졸, 2-(p-디메틸아미노벤조일)스티렌 등을 들 수 있으며, 감도의 면에서 4-(1-메틸에틸)-9H-티옥산텐-9-온 등의 티오크산톤류를 사용하는 것이 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 2 내지 5종류의 조합으로 사용할 수 있다. 증감제는, 상기 폴리아미드산에스테르 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부를 사용하는 것이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, a sensitizer may be further added to improve the light sensitivity. (4'-diethylaminobenzal) cyclopentane, 2,6-bis (4 ', 4'-diethylaminobenzal) cyclopentane, Diethylaminobenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4'-dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, 2,6-bis (Diethylamino) chalcone, p-dimethylamino cinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2- ( (p-dimethylaminophenylvinylene) isonaphthotriazole, 1,3-bis (p-dimethylaminophenylvinylene) benzothiazole, 2- (4'-dimethylaminobenzal) acetone, 1,3-bis (4'-diethylaminobenzal) acetone, 3,3'-carbonyl- Dimethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-benzyloxycarbonyl-7-dimethylamino N-phenylethanolamine, N-phenyldiethanolamine, Np-diethylaminocoumarin, N-phenylethanolamine, N- N-phenylethanolamine, 4-morpholinobenzophenone, dimethylaminobenzoic acid isoamyl, diethylaminobenzoic acid isoamyl, 2-mercaptobenzimidazole, 1-phenyl-5-mercapto (P-dimethylaminostyryl) benzoxazole, 2- (p-dimethylaminostyryl) benzothiazole, 2- (1,2-d) thiazole, 2- (p-dimethylaminobenzoyl) styrene and the like can be given. From the viewpoint of sensitivity, 4- (1-methylethyl) -9H-thioxanthen-9- Of thioacids are preferably used. These may be used alone or in combination of 2 to 5 kinds. The sensitizer is preferably used in an amount of 0.1 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the polyamide acid ester.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 기재와의 접착성 향상을 위해 접착 보조제를 배합할 수도 있다. 접착 보조제로서는, 본 발명의 취지에 어긋나지 않는 한 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, γ-아미노프로필디메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-머캅토프로필메틸디메톡시실란, N-[3-(트리에톡시실릴)프로필]프탈아미드산, 벤조페논테트라카르복실산 이무수물과 (트리에톡시실릴)프로필아민의 반응 생성물 등을 들 수 있다. 접착 보조제의 배합량은, 상기 폴리아미드산에스테르 100질량부에 대하여 0.5 내지 10질량부의 범위가 바람직하다.Further, in the photosensitive resin composition of the present invention, an adhesion assisting agent may be added in order to improve the adhesiveness with a substrate. As the adhesion assisting agent, known adhesives can be used so long as they do not contradict the object of the present invention. For example, there may be mentioned γ-aminopropyldimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane , N- [3- (triethoxysilyl) propyl] phthalamidic acid, reaction product of benzophenonetetracarboxylic dianhydride and (triethoxysilyl) propylamine. The blending amount of the adhesion assisting agent is preferably in the range of 0.5 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the polyamide acid ester.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 염기 증식제를 첨가해도 된다. 후막의 패턴을 형성할 때, 표면부터 아래까지 동일한 정도의 광 염기 발생제의 분해율이 요구된다. 이 경우, 감도를 향상시키기 위해 염기 증식제의 첨가가 바람직하다. 예를 들어, 일본 특허 공개 제2012-237776호 공보, 일본 특허 공개 제2006-282657호 공보 등에 개시된 염기 증식제의 사용이 가능하다.A base proliferator may be added to the photosensitive resin composition of the present invention. When forming a thick film pattern, the decomposition ratio of the photo-nucleating agent to the same extent from the surface to the bottom is required. In this case, addition of a base proliferating agent is preferable in order to improve the sensitivity. For example, it is possible to use a base proliferator disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2000-237776 and 2006-282657.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 경화 후의 막 특성을 크게 손상시키지 않는 범위에서, 광에 의해 산을 발생시키는 다른 감광성 성분을 가해도 된다. 본 발명의 감광성 수지 조성물에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 또는 2개 이상 갖는 화합물을 가하는 경우, 광 라디칼 발생제를 첨가해도 된다.In the photosensitive resin composition of the present invention, another photosensitive component that generates an acid by light may be added within a range that does not significantly impair the cured film properties. When a compound having one or more ethylenic unsaturated bonds in the photosensitive resin composition of the present invention is added, a photo-radical generator may be added.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 가공 특성이나 각종 기능성을 부여하기 위해, 그 밖에 다양한 유기 또는 무기의 저분자 또는 고분자 화합물을 배합해도 된다. 예를 들어, 염료, 계면활성제, 레벨링제, 가소제, 미립자 등을 사용할 수 있다. 미립자에는, 폴리스티렌, 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 유기 미립자, 콜로이달 실리카, 카본, 층상 규산염 등의 무기 미립자 등이 포함되고, 그들은 다공질이나 중공 구조여도 된다. 다공질 형상이나 중공 구조를 얻기 위한 구체적 재료로서는 각종 안료, 필러 및 섬유 등이 있다.In order to impart processing characteristics and various functions to the photosensitive resin composition of the present invention, various organic or inorganic low molecular weight or high molecular weight compounds may be added. For example, dyes, surfactants, leveling agents, plasticizers, fine particles and the like can be used. The fine particles include organic fine particles such as polystyrene and polytetrafluoroethylene, and inorganic fine particles such as colloidal silica, carbon and layered silicate, and they may be porous or hollow. Specific materials for obtaining a porous shape or a hollow structure include various pigments, fillers and fibers.

본 발명의 드라이 필름은, 캐리어 필름(지지체) 상에 본 발명의 감광성 수지 조성물을 도포, 건조시킴으로써 얻어지는 수지층을 갖는다. 드라이 필름의 형성은, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 상기 유기 용제로 희석하여 적절한 점도로 조정한 후, 콤마 코터, 블레이드 코터, 립 코터, 로드 코터, 스퀴즈 코터, 리버스 코터, 트랜스퍼 롤 코터, 그라비아 코터, 스프레이 코터 등으로 캐리어 필름 상에 균일한 두께로 도포한다. 그 후, 도포된 감광성 수지 조성물을 통상 50 내지 130℃의 온도에서 1 내지 30분간 건조함으로써, 수지층을 형성할 수 있다. 도포 막 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 건조 후의 막 두께로 10 내지 150㎛, 바람직하게는 20 내지 60㎛의 범위에서 적절히 선택된다.The dry film of the present invention has a resin layer obtained by applying and drying the photosensitive resin composition of the present invention on a carrier film (support). The dry film can be formed by diluting the photosensitive resin composition of the present invention with the organic solvent and adjusting the viscosity to an appropriate viscosity, and then applying the resulting solution to a substrate such as a comma coater, blade coater, lip coater, rod coater, squeeze coater, reverse coater, transfer roll coater, , A spray coater or the like to a uniform thickness on the carrier film. Thereafter, the applied photosensitive resin composition is dried at a temperature of usually 50 to 130 DEG C for 1 to 30 minutes to form a resin layer. The thickness of the coating film is not particularly limited, but is generally appropriately selected in the range of 10 to 150 占 퐉, preferably 20 to 60 占 퐉 in the film thickness after drying.

캐리어 필름으로서는 플라스틱 필름이 사용되며, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름, 폴리아미드이미드 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리스티렌 필름 등의 플라스틱 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 캐리어 필름의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 10 내지 150㎛의 범위에서 적절히 선택된다.As the carrier film, a plastic film is used, and it is preferable to use a plastic film such as a polyester film such as polyethylene terephthalate, a polyimide film, a polyamideimide film, a polypropylene film, and a polystyrene film. The thickness of the carrier film is not particularly limited, but is generally appropriately selected in the range of 10 to 150 mu m.

캐리어 필름 상에 본 발명의 감광성 수지 조성물을 포함하는 수지층을 형성한 후, 막의 표면에 먼지가 부착되는 것을 방지하는 등의 목적으로, 막의 표면에 박리 가능한 커버 필름을 더 적층하는 것이 바람직하다. 박리 가능한 커버 필름으로서는, 예를 들어 폴리에틸렌 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 표면 처리한 종이 등을 사용할 수 있다. 커버 필름으로서는, 커버 필름을 박리할 때에 수지층과 캐리어 필름의 접착력보다도 작은 것이면 된다.It is preferable to further laminate a peelable cover film on the surface of the film for the purpose of preventing dust from adhering to the surface of the film after the resin layer containing the photosensitive resin composition of the present invention is formed on the carrier film. As the peelable cover film, for example, a polyethylene film, a polytetrafluoroethylene film, a polypropylene film, a surface-treated paper and the like can be used. The cover film may be one having a smaller adhesion force between the resin layer and the carrier film when peeling off the cover film.

이어서, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화물로서의 패턴막의 제조 방법에 대하여 설명한다. 하기 제조 방법에 기재된 바와 같이, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 네거티브형의 감광성 수지 조성물로서 적합하게 사용할 수 있다.Next, a method for producing a patterned film as a cured product using the photosensitive resin composition of the present invention will be described. As described in the following production method, the photosensitive resin composition of the present invention can be suitably used as a negative-type photosensitive resin composition.

우선, 스텝 1로서 감광성 수지 조성물을 기재 상에 도포하고, 건조함으로써 도막을 얻는다. 감광성 수지 조성물을 기재 상에 도포하는 방법으로서는, 종래부터 감광성 수지 조성물의 도포에 사용되고 있었던 방법, 예를 들어 스핀 코터, 바 코터, 블레이드 코터, 커튼 코터, 스크린 인쇄기 등으로 도포하는 방법, 스프레이 코터로 분무 도포하는 방법, 나아가 잉크젯법 등을 사용할 수 있다. 도막의 건조 방법으로서는, 풍건, 오븐 또는 핫 플레이트에 의한 가열 건조, 진공 건조 등의 방법이 사용된다. 또한, 도막의 건조는, 감광성 수지 조성물 중의 폴리아미드산에스테르의 이미드화가 일어나지 않는 조건으로 행하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 자연 건조, 송풍 건조, 혹은 가열 건조를 20 내지 140℃에서 1분 내지 1시간의 조건으로 행할 수 있다. 바람직하게는, 핫 플레이트 상에서 1 내지 20분 건조를 행한다. 또한, 진공 건조도 가능하며, 이 경우에는 실온에서 1분 내지 1시간의 조건으로 행할 수 있다.First, as a step 1, a photosensitive resin composition is coated on a substrate and dried to obtain a coated film. Examples of the method of applying the photosensitive resin composition on a substrate include a method which has been conventionally used for coating a photosensitive resin composition, such as a method of applying by a spin coater, a bar coater, a blade coater, a curtain coater or a screen printing machine, A spray coating method, an ink jet method, or the like can be used. As the drying method of the coating film, a method of drying by heating with a air dryer, an oven or a hot plate, or vacuum drying may be used. The drying of the coating film is preferably performed under the condition that the imidization of the polyamic acid ester in the photosensitive resin composition does not occur. Concretely, natural drying, air drying, or heat drying can be carried out at 20 to 140 ° C for 1 minute to 1 hour. Preferably, drying is performed on a hot plate for 1 to 20 minutes. Vacuum drying is also possible. In this case, the reaction can be carried out at room temperature for 1 minute to 1 hour.

기재에 특별히 제한은 없으며, 실리콘 웨이퍼, 배선 기판, 각종 수지, 금속, 반도체 장치의 패시베이션 보호막 등에 널리 적용할 수 있다.The substrate is not particularly limited and can be widely applied to a silicon wafer, a wiring substrate, various resin, metal, and a passivation protective film of a semiconductor device.

또한, 저온에서의 이미드화가 가능하기 때문에, 프린트 배선판의 기판 등의 고온 처리에 적합하지 않은 부재, 재료에 널리 적용 가능한 것이 특징이다.In addition, since imidization can be performed at a low temperature, it is widely applicable to members and materials which are not suitable for high-temperature processing such as substrates for printed wiring boards.

이어서, 스텝 2로서 상기 도막을, 패턴을 갖는 포토마스크를 통해, 혹은 직접 노광한다. 노광 광선은, 광 염기 발생제를 활성화시켜 염기를 발생시킬 수 있는 파장의 것을 사용한다. 상술한 바와 같이, 적절히 증감제를 사용하면 광 감도를 조정할 수 있다. 노광 장치로서는, 콘택트 얼라이너, 미러 프로젝션, 스테퍼, 레이저 다이렉트 노광 장치 등을 사용할 수 있다.Subsequently, as the step 2, the coating film is directly exposed through a photomask having a pattern or directly. The exposure light beam has a wavelength capable of generating a base by activating the photo-base generator. As described above, the photosensitivity can be adjusted by appropriately using a sensitizer. As the exposure apparatus, a contact aligner, a mirror projection, a stepper, a laser direct exposure apparatus, or the like can be used.

이어서, 스텝 3으로서 도막 중에 발생한 염기에 의해 도막의 이미드화를 촉진시키도록 가열한다. 이에 의해, 상기 스텝 2에서 노광부에 발생한 염기가 촉매가 되어, 폴리아미드산에스테르가 부분적으로 이미드화된다. 가열 시간 및 가열 온도는, 사용하는 폴리아미드산에스테르, 도포 막 두께, 광 염기 발생제의 종류에 따라 적절히 변경한다. 전형적으로는, 10㎛ 정도의 도포 막 두께의 경우, 110 내지 200℃에서 2 내지 10분 정도이다. 가열 온도가 지나치게 낮으면, 부분적 이미드화를 효율적으로 달성할 수 없다. 한편, 가열 온도가 지나치게 높으면, 미노광부의 이미드화가 진행되어, 노광부와 미노광부의 용해성의 차를 작게 해버려, 패턴 형성에 지장이 발생할 우려가 있다.Subsequently, as step 3, heating is carried out to promote imidization of the coating film by the base generated in the coating film. As a result, the base generated in the exposed portion in Step 2 becomes a catalyst, and the polyamide acid ester is partially imidized. The heating time and heating temperature are appropriately changed depending on the polyamic acid ester to be used, the thickness of the coating film, and the type of the photoacid generator. Typically, in the case of a coating film thickness of about 10 mu m, it is about 2 to 10 minutes at 110 to 200 DEG C. [ If the heating temperature is too low, partial imidization can not be efficiently achieved. On the other hand, if the heating temperature is excessively high, the imidization of the unexposed portion progresses and the difference in solubility between the exposed portion and the unexposed portion becomes small, which may cause trouble in pattern formation.

이어서, 스텝 4로서 도막을 현상액으로 처리한다. 이에 의해, 기재 상에 폴리아미드산에스테르 및 부분적으로 이미드화된 폴리이미드를 포함하는 패턴막을 형성할 수 있다.Subsequently, in Step 4, the coating film is treated with a developer. Thereby, a pattern film containing a polyamic acid ester and a partially imidized polyimide can be formed on a substrate.

현상에 사용하는 방법으로서는, 종래 알려져 있는 포토레지스트의 현상 방법, 예를 들어 회전 스프레이법, 패들법, 초음파 처리를 수반하는 침지법 등 중으로부터 임의의 방법을 선택할 수 있다. 현상액으로서는, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 암모니아수 등의 무기 알칼리류, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 트리에탄올아민 등의 유기 아민류, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라부틸암모늄히드록시드 등의 4급 암모늄염류 등의 수용액을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라, 이들에 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 수용성 유기 용매나 계면활성제를 적당량 첨가 수용액으로서 사용할 수 있다. 그 후, 필요에 따라 도막을 린스액에 의해 세정하여 패턴막을 얻는다. 린스액으로서는, 증류수, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등을 단독 또는 조합하여 사용할 수 있다.As the method for development, any known method can be selected from a known photoresist development method, for example, a rotary spray method, a paddle method, a dipping method accompanied by an ultrasonic treatment, and the like. Examples of the developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate and aqueous ammonia, organic amines such as ethylamine, diethylamine, triethylamine and triethanolamine, and organic amines such as tetramethylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide Of quaternary ammonium salts and the like. If necessary, a water-soluble organic solvent such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol or the like or a surfactant can be used as an aqueous solution to which an appropriate amount is added. Thereafter, if necessary, the coating film is rinsed with a rinsing liquid to obtain a pattern film. As the rinsing liquid, distilled water, methanol, ethanol, isopropanol, etc. may be used alone or in combination.

또한, 현상액으로서는, 예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈, N-아세틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 헥사메틸포스포르트리아미드, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 메틸카르비톨, 에틸카르비톨, 톨루엔, 크실렌, 락트산에틸, 피루브산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 2-헵타논, 아세트산에틸, 디아세톤알코올 등 유기 용제를 사용해도 된다.As the developing solution, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, Propyleneglycol monomethyl ether acetate, methyl-3-methoxyacetyl acetate, propyleneglycol monomethyl ether acetate, methyl-3-methoxyacetyl chloride, Propionic acid, propionate, ethyl-3-ethoxypropionate, 2-heptanone, ethyl acetate, diacetone alcohol and the like may be used.

그 후, 스텝 5로서 패턴막을 가열한다. 가열 온도는, 폴리이미드의 패턴막을 경화 가능하도록 적절히 설정한다. 예를 들어, 불활성 가스 중에서 150 내지300℃에서 5 내지 120분 정도의 가열을 행한다. 가열 온도의 보다 바람직한 범위는 150 내지 250℃이고, 더욱 바람직한 범위는 160 내지 220℃이다. 가열은, 예를 들어 핫 플레이트, 오븐, 온도 프로그램을 설정할 수 있는 승온식 오븐을 사용함으로써 행한다. 이때의 분위기(기체)로서는 공기를 사용해도 되고, 질소, 아르곤 등의 불활성 가스를 사용해도 된다.Thereafter, the pattern film is heated in step 5. The heating temperature is appropriately set so that the polyimide pattern film can be cured. For example, heating is performed at 150 to 300 DEG C for about 5 to 120 minutes in an inert gas. A more preferred range of the heating temperature is 150 to 250 ° C, and a more preferable range is 160 to 220 ° C. The heating is performed by using, for example, a hot plate, an oven, and a heating oven capable of setting a temperature program. As the atmosphere (gas) at this time, air may be used, or an inert gas such as nitrogen or argon may be used.

본 발명의 감광성 수지 조성물의 용도는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 인쇄 잉크, 접착제, 충전제, 전자 재료, 광 회로 부품, 성형 재료, 레지스트 재료, 건축 재료, 3차원 조형, 광학 부재 등, 수지 재료가 사용되는 공지된 다양한 분야·제품 등을 들 수 있다. 특히 폴리이미드막의 내열성, 치수 안정성, 절연성 등의 특성이 유효하게 되는 광범위한 분야·제품, 예를 들어 도료 또는 인쇄 잉크, 혹은 컬러 필터, 플렉시블 디스플레이용 필름, 반도체 소자의 피복막, 전자 부품, 층간 절연막, 솔더 레지스트 등의 프린트 배선판의 피복막, 광 회로, 광 회로 부품, 반사 방지막, 홀로그램, 광학 부재 또는 건축 재료의 형성 재료로서 적합하게 사용된다.The use of the photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited and the resin composition of the present invention can be suitably used for various applications such as printing ink, adhesive, filler, electronic material, optical circuit component, molding material, resist material, building material, A variety of known fields and products, etc., which are used. In particular, a wide range of products and products, for example, paints or printing inks, or color filters, films for flexible displays, coating films for semiconductor devices, electronic parts, interlayer insulating films , A coating film of a printed wiring board such as a solder resist, a light circuit, an optical circuit component, an antireflection film, a hologram, an optical member, or a building material.

특히, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 주로 패턴 형성 재료(레지스트)로서 사용되며, 그에 의해 형성된 패턴막은, 폴리이미드로 이루어지는 영구막으로서 내열성이나 절연성을 부여하는 성분으로서 기능하며, 예를 들어 컬러 필터, 플렉시블 디스플레이용 필름, 수동 부품용 절연 재료, 반도체 소자의 피복막, 층간 절연막, 솔더 레지스트나 커버 레이막 등의 프린트 배선판의 피복막 등의 전자 부품용 피복막, 솔더 댐, 광 회로, 광 회로 부품, 반사 방지막, 그 밖의 광학 부재 또는 전자 부재를 형성하는 데 적합하다.Particularly, the photosensitive resin composition of the present invention is mainly used as a pattern forming material (resist), and the pattern film formed thereby serves as a permanent film made of polyimide as a component for imparting heat resistance and insulating property. For example, , A film for a flexible display, an insulating material for a passive component, a coating film for a semiconductor device, an interlayer insulating film, a coating film for a printed wiring board such as a solder resist or a coverlay film, a solder dam, Antireflection film, and other optical members or electronic members.

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예를 사용하여 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.

<폴리이미드 전구체의 합성> &Lt; Synthesis of polyimide precursor >

[합성예 1: 폴리아미드산에스테르 1의 합성] [Synthesis Example 1: Synthesis of polyamic acid ester 1]

300mL 가지 플라스크에 산 이무수물로서 4,4'-옥시디프탈산 이무수물 7.76g(25.0mmol), 메탄올 50mL, 톨루엔 50mL를 가하여 밤새 환류하였다. 환류 후, 용매 증류 제거, 감압 건조함으로써 하프 에스테르를 얻었다. 이어서 아세트산에틸 40mL를 가하여 하프 에스테르를 용해시켰다. 여기에 옥살릴클로라이드(7.93g, 62.5mmol, 2.5eq.)를 4회에 나누어서 천천히 가하고, 그 때마다 N,N-디메틸포름아미드를 1방울 가하였다. 이 용액을 4시간 환류하고, 용매 증류 제거, 감압 건조함으로써 디에스테르디클로라이드를 얻었다.7.76 g (25.0 mmol) of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride as an acid dianhydride, 50 mL of methanol and 50 mL of toluene were added to a 300-mL branched flask, and the mixture was refluxed overnight. After refluxing, the solvent was distilled off and vacuum dried to obtain a half ester. Subsequently, 40 mL of ethyl acetate was added to dissolve the half ester. Oxalyl chloride (7.93 g, 62.5 mmol, 2.5 eq.) Was added to the mixture in four portions, and one drop of N, N-dimethylformamide was added thereto. This solution was refluxed for 4 hours, distilled off the solvent, and dried under reduced pressure to obtain diester dichloride.

질소 기류하에 200mL 4구 플라스크에 디아민으로서 4,4'-옥시디아닐린(5.01g, 25.0mmol), N-메틸피롤리돈(이하, NMP라 칭함) 60mL, 피리딘(3.96g, 50.0mmol)을 가하여 용해시켰다. 여기에 디에스테르디클로라이드를 테트라히드로푸란 15mL로 용해한 용액을 빙냉하면서 적하하고, 실온에서 밤새 교반하였다. 얻어진 용액을 이온 교환수에 주입하여 재침전시키고, 메탄올로 세정, 감압 건조함으로써 폴리아미드산에스테르 1을 얻었다. 얻어진 폴리아미드산에스테르의 중량 평균 분자량 Mw를 GPC로 측정한 바, 폴리스티렌 환산으로 100000이었다. 또한, 에스테르화율을 1H-NMR로 측정한 바, 도 1과 같이 100%였다.Oxindianiline (5.01 g, 25.0 mmol), N-methylpyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) 60 mL and pyridine (3.96 g, 50.0 mmol) as diamine were added to a 200 mL four- And dissolved. A solution of diester dichloride dissolved in 15 mL of tetrahydrofuran was added dropwise with ice cooling, and the mixture was stirred at room temperature overnight. The obtained solution was injected into ion-exchange water to reprecipitate, washed with methanol, and dried under reduced pressure to obtain polyamic acid ester 1. The weight average molecular weight Mw of the resulting polyamic acid ester was measured by GPC and found to be 100000 in terms of polystyrene. The esterification rate was measured by &lt; 1 &gt; H-NMR and found to be 100% as in Fig.

[합성예 2: 폴리아미드산에스테르 2의 합성] [Synthesis Example 2: Synthesis of polyamide acid ester 2]

산 이무수물로서 4,4'-옥시디프탈산 이무수물을 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물로 변경한 것 이외는 합성예 1과 마찬가지로 하여 폴리아미드산에스테르 2를 합성하였다. 얻어진 폴리아미드산에스테르의 중량 평균 분자량 Mw를 GPC로 측정한 바, 폴리스티렌 환산으로 30000이었다. 또한, 에스테르화율을 1H-NMR로 측정한 바, 100%였다.The procedure of Synthesis Example 1 was repeated except that 4,4'-oxydiphthalic dianhydride was changed to 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride as an acid dianhydride to obtain a polyamic acid ester 2 Were synthesized. The weight average molecular weight Mw of the resulting polyamic acid ester was measured by GPC and found to be 30000 in terms of polystyrene. The esterification rate was determined by &lt; 1 &gt; H-NMR to be 100%.

[합성예 3: 폴리아미드산에스테르 3의 합성] [Synthesis Example 3: Synthesis of polyamide acid ester 3]

산 이무수물로서 4,4'-옥시디프탈산 이무수물을 피로멜리트산 이무수물로 변경한 것 이외는 합성예 1과 마찬가지로 하여 폴리아미드산에스테르 3을 합성하였다. 얻어진 폴리아미드산에스테르의 중량 평균 분자량 Mw를 GPC로 측정한 바, 폴리스티렌 환산으로 20000이었다. 또한, 에스테르화율을 1H-NMR로 측정한 바, 100%였다.Polyamide acid ester 3 was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 4,4'-oxydiphthalic acid dianhydride was changed to pyromellitic acid dianhydride as an acid dianhydride. The weight average molecular weight Mw of the resulting polyamic acid ester was measured by GPC and found to be 20,000 in terms of polystyrene. The esterification rate was determined by &lt; 1 &gt; H-NMR to be 100%.

[합성예 4: 폴리아미드산에스테르 4의 합성] [Synthesis Example 4: Synthesis of polyamide acid ester 4]

옥살릴클로라이드의 첨가량을 1.9eq.로 변경한 것 이외는 합성예 1과 마찬가지로 하여 폴리아미드산에스테르 4를 합성하였다. 얻어진 폴리아미드산에스테르의 중량 평균 분자량 Mw를 GPC로 측정한 바, 폴리스티렌 환산으로 100000이었다. 또한, 에스테르화율을 1H-NMR로 측정한 바, 96%였다.Polyamide acid ester 4 was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the addition amount of oxalyl chloride was changed to 1.9 eq. The weight average molecular weight Mw of the resulting polyamic acid ester was measured by GPC and found to be 100000 in terms of polystyrene. The esterification rate was 96% as determined by &lt; 1 &gt; H-NMR.

[비교 합성예 1: 부분 에스테르화 폴리아미드산에스테르 R-1의 합성] [Comparative Synthesis Example 1: Synthesis of partially esterified polyamic acid ester R-1]

질소 플로하에 300mL 2구 가지 플라스크에 4,4'-옥시디아닐린(4.87g, 24.3mmol), NMP 100mL를 가하고, 4,4'-옥시디아닐린이 완전히 용해될 때까지 교반하였다. 4,4'-옥시디프탈산 이무수물(7.76g, 25.0mmol)을 더 가하여 실온에서 밤새 교반하였다. 교반 후, N,N-디메틸포름아미드디메틸아세탈(5.96g, 50.0mmol)을 NMP 10mL로 희석하여 가하여 40℃에서 3시간 반응시켰다. 얻어진 용액을 이온 교환수에 주입하고, 흡인 여과, 메탄올로 세정하고, 감압 건조하여 부분 에스테르화 폴리아미드산에스테르 R-1을 얻었다. 얻어진 부분에스테르화 폴리아미드산에스테르의 중량 평균 분자량 Mw를 GPC로 측정한 바, 폴리스티렌 환산으로 75000이었다. 또한, 에스테르화율을 1H-NMR로 측정한 바, 70%였다.4,4'-oxydianiline (4.87 g, 24.3 mmol) and 100 mL of NMP were added to a 300 mL two-necked flask under a nitrogen flow, and the mixture was stirred until the 4,4'-oxydianiline completely dissolved. 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (7.76 g, 25.0 mmol) was further added thereto, followed by stirring at room temperature overnight. After stirring, N, N-dimethylformamide dimethylacetal (5.96 g, 50.0 mmol) was diluted with 10 mL of NMP, and the mixture was reacted at 40 DEG C for 3 hours. The resulting solution was poured into ion-exchange water, subjected to suction filtration, washed with methanol, and dried under reduced pressure to obtain a partially esterified polyamide acid ester R-1. The weight average molecular weight Mw of the obtained partially esterified polyamide acid ester was measured by GPC and found to be 75000 in terms of polystyrene. The esterification ratio was 70% as determined by &lt; 1 &gt; H-NMR.

[비교 합성예 2: 폴리아미드산 R-2의 합성] [Comparative Synthesis Example 2: Synthesis of polyamic acid R-2]

질소 플로하에 300mL 2구 가지 플라스크에 4,4'-옥시디아닐린(4.87g, 24.3mmol), NMP 100mL를 가하고, 4,4'-옥시디아닐린이 완전히 용해될 때까지 교반하였다. 4,4'-옥시디프탈산 이무수물(7.76g, 25.0mmol)을 더 가하여 실온에서 밤새 교반하였다. 얻어진 용액을 이온 교환수에 주입하고, 흡인 여과, 메탄올로 세정하고, 감압 건조하여 폴리아미드산 R-2를 얻었다. 얻어진 폴리아미드산의 중량 평균 분자량 Mw를 GPC로 측정한 바, 폴리스티렌 환산으로 16000이었다.4,4'-oxydianiline (4.87 g, 24.3 mmol) and 100 mL of NMP were added to a 300 mL two-necked flask under a nitrogen flow, and the mixture was stirred until the 4,4'-oxydianiline completely dissolved. 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (7.76 g, 25.0 mmol) was further added thereto, followed by stirring at room temperature overnight. The resulting solution was poured into ion-exchange water, subjected to suction filtration, washed with methanol, and dried under reduced pressure to obtain polyamic acid R-2. The weight average molecular weight Mw of the obtained polyamic acid was measured by GPC and found to be 16000 in terms of polystyrene.

(에스테르화율의 산출 방법) (Method for calculating esterification rate)

폴리아미드산에스테르 1의 에스테르화율의 산출은 1H-NMR(in DMSO-d6)로 행하였다. 차트 상에 있어서, 폴리아미드산에스테르의 반복 구조에서의 방향족 프로톤의 적분값 14를 기준으로 했을 때의 3.8ppm 부근의 메틸에스테르 피크의 적분값 A와 적분값의 이론값 6으로부터 계산하였다.The esterification rate of the polyamic acid ester 1 was calculated by 1 H-NMR (in DMSO-d 6 ). On the chart, the integral value A of the methyl ester peak near 3.8 ppm based on the integral value 14 of the aromatic proton in the repeating structure of the polyamic acid ester and the theoretical value 6 of the integral value were calculated.

에스테르화율=100×A/6 Esterification rate = 100 x A / 6

또한, 폴리아미드산에스테르 2 내지 4 및 부분 에스테르화 폴리아미드산에스테르 R-1의 에스테르화율에 대해서도 상기와 마찬가지로, 폴리아미드산에스테르의 반복 구조에서의 방향족 프로톤의 적분값과, 에스테르 부분의 프로톤의 적분값으로부터 산출하였다.As for the esterification ratios of the polyamide acid esters 2 to 4 and the partially esterified polyamic acid ester R-1, the integral value of the aromatic proton in the repeating structure of the polyamide acid ester and the integral value of the proton And calculated from the integral value.

[실시예 1 내지 10, 비교예 1 내지 3] [Examples 1 to 10, Comparative Examples 1 to 3]

하기 표에 기재된 배합비(질량비)로 상기에서 얻어진 폴리이미드 전구체, 광 염기 발생제, 용제를 배합하여, 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을 얻었다. 그리고 각 조성물의 성능을 평가하였다. 평가의 방법은 이하와 같다.The photosensitive resin compositions of the examples and comparative examples were obtained by blending the polyimide precursor, photo base generator, and solvent obtained above at the compounding ratios (mass ratio) shown in the following table. The performance of each composition was evaluated. The evaluation method is as follows.

(이미드화 완료 온도) (Imidation completion temperature)

상기 각 조성물을 실리콘 웨이퍼 상에 건조 후의 막 두께 5㎛가 되도록 스핀 코트하고, 100℃의 핫 플레이트 상에서 5분간 건조시켰다. 얻어진 건조막에 산에이 뎅끼 세이사꾸쇼제 탁상형 노광 장치를 사용하여 고압 수은등에 의해 10J/cm2의 브로드 노광을 행하였다. 이 실리콘 웨이퍼를 소정 온도로 설정한 핫 플레이트 상에서 5분간 가열한 후, 적외 분광 스펙트럼을 측정하고, 하기 식에 의해 이미드화율을 산출하였다.Each of the above compositions was spin-coated on a silicon wafer to a thickness of 5 mu m after drying, and dried on a hot plate at 100 DEG C for 5 minutes. The obtained dried film was subjected to broad exposure at 10 J / cm 2 by means of a high-pressure mercury lamp using a desk-top type exposure apparatus of San-Ai Den-Ze Co., The silicon wafer was heated on a hot plate set at a predetermined temperature for 5 minutes, and then the infrared spectroscopy was measured. The imidization rate was calculated by the following formula.

Figure pat00063
Figure pat00063

상기 식 중 I1380은 이미드화의 진행에 따라 증대되는 C-N 신축 진동 유래의 피크 면적이며, I1500은 반응 전후에 변화되지 않는 방향환의 C=C 신축 진동 유래의 피크 면적이다. samp.은 실시예 및 비교예의 경화 샘플이며, imide는 표준 경화 샘플이다. 표준 경화 샘플은 건조막을 핫 플레이트 상 300℃에서 1시간 가열하여 제작하였다. 상기 식에 따라 이미드화율을 산출하고, 100%가 된 온도를 이미드화 완료 온도로 정의하였다.In the above formula, I 1380 is a peak area derived from CN stretching vibration which increases with progress of imidization, and I 1500 is a peak area derived from C = C stretching vibration of an aromatic ring which is not changed before and after the reaction. samp. is a cured sample of the Examples and Comparative Examples, and imide is a standard cured sample. Standard cured samples were prepared by heating the dried film on a hot plate at 300 ° C for 1 hour. The imidization rate was calculated in accordance with the above formula, and the temperature at which it became 100% was defined as the imidization completion temperature.

(감도) (Sensitivity)

상기 각 조성물을 실리콘 웨이퍼 상에 건조 후의 막 두께 5㎛가 되도록 스핀 코트하고, 100℃의 핫 플레이트 상에서 5분간 건조시켰다. 얻어진 건조막에 레지스트 평가용 패턴 마스크를 밀착시켜 산에이 뎅끼 세이사꾸쇼제 탁상형 노광 장치를 사용하여 고압 수은등에 의해 소정량의 브로드 노광을 행하였다. 그 후, 야마토 가가꾸제 오븐으로 실시예 1 내지 10은 120℃, 비교예 1 내지 3은 160℃에서 10분간의 노광 후 가열을 실시하고, NMP:에탄올=1:1의 혼합 현상액으로 침지 현상, 이온 교환수로 린스하여 얻어진 폴리이미드 패턴을 JEOL제 주사형 전자 현미경으로 관찰하여, L/S=20/20㎛의 패턴을 형성할 수 있는 최소 노광량을 감도로 정의하였다.Each of the above compositions was spin-coated on a silicon wafer to a thickness of 5 mu m after drying, and dried on a hot plate at 100 DEG C for 5 minutes. A pattern mask for resist evaluation was closely adhered to the obtained dried film, and a predetermined amount of broad exposure was performed by a high-pressure mercury lamp using a desk-top type exposure apparatus made by Sanyo Denki Seisakusho Co., Ltd. Subsequently, heating was carried out at 120 ° C for Examples 1 to 10 in Comparative Examples 1 to 3 and post-exposure for 10 minutes at 160 ° C in a Yamato Kagaku Oven, and immersion phenomenon was observed with a mixed developer of NMP: ethanol = 1: , And the polyimide pattern obtained by rinsing with ion-exchanged water was observed with a JEOL-made scanning electron microscope to define the minimum exposure amount capable of forming a pattern of L / S = 20/20 占 퐉 as the sensitivity.

(현상 콘트라스트) (Development contrast)

상기 각 조성물을 실리콘 웨이퍼 상에 건조 후의 막 두께 5㎛가 되도록 스핀 코트하고, 100℃의 핫 플레이트 상에서 5분간 건조시켰다. 얻어진 건조막의 절반에 마스크를 씌워 산에이 뎅끼 세이사꾸쇼제 탁상형 노광 장치를 사용하여 고압 수은등에 의해 10J/cm2의 브로드 노광을 행하였다. 그 후, 야마토 가가꾸제 오븐으로 실시예 1 내지 10은 120℃, 비교예 1 내지 3은 160℃에서 10분간의 노광 후 가열을 실시하고, NMP:에탄올=1:1의 혼합 현상액으로 침지 현상, 이온 교환수로 린스하였다. 얻어진 막의 노광부와 미노광부의 현상 전후의 막 두께로부터 하기 식에 의해 현상 콘트라스트를 산출하였다.Each of the above compositions was spin-coated on a silicon wafer to a thickness of 5 mu m after drying, and dried on a hot plate at 100 DEG C for 5 minutes. A mask was placed on a half of the obtained dried film, and broad exposure of 10 J / cm 2 was carried out by a high-pressure mercury lamp using a desk-top type exposure apparatus of San Ai Denki Seisakusho Co., Subsequently, heating was carried out at 120 ° C for Examples 1 to 10 in Comparative Examples 1 to 3 and post-exposure for 10 minutes at 160 ° C in a Yamato Kagaku Oven, and immersion phenomenon was observed with a mixed developer of NMP: ethanol = 1: , And rinsed with ion-exchanged water. The development contrast was calculated from the film thickness before and after development of the exposed and unexposed portions of the obtained film by the following formula.

Figure pat00064
Figure pat00064

현상 콘트라스트가 10 이상을 ◎, 5 이상 10 미만을 ○, 5 미만을 ×로 정의하였다.A development contrast of 10 or more was defined as &amp; cir &amp;

(무전해 구리 도금액 내성) (Electroless copper plating solution resistance)

상기 각 조성물을 실리콘 웨이퍼 상에 건조 후의 막 두께 5㎛가 되도록 스핀 코트하고, 100℃의 핫 플레이트 상에서 5분간 건조시켰다. 얻어진 건조막에 산에이 뎅끼 세이사꾸쇼제 탁상형 노광 장치를 사용하여 고압 수은등에 의해 10J/cm2의 브로드 노광을 행하였다. 이 실리콘 웨이퍼를 핫 플레이트 상 160℃에서 5분간 가열한 후, 36℃로 조온한 무전해 구리 도금액(우에무라 고교제 쓰루컵 PEA)에 20분간 침지하고, 막 두께가 변화되지 않은 것을 ○, 용해되어 실리콘 웨이퍼 상에서 없어진 것을 ×로 정의하였다.Each of the above compositions was spin-coated on a silicon wafer to a thickness of 5 mu m after drying, and dried on a hot plate at 100 DEG C for 5 minutes. The obtained dried film was subjected to broad exposure at 10 J / cm 2 by means of a high-pressure mercury lamp using a desk-top type exposure apparatus of San-Ai Den-Ze Co., This silicon wafer was heated on a hot plate at 160 캜 for 5 minutes and then immersed in an electroless copper plating solution (Thru Cup PEA made by Uemura Kogyo Co., Ltd.) heated at 36 캜 for 20 minutes. And those on the silicon wafer were defined as x.

Figure pat00065
Figure pat00065

·폴리아미드산에스테르 1의 반복 구조 · Repeated structure of polyamide acid ester 1

Figure pat00066
Figure pat00066

·폴리아미드산에스테르 2의 반복 구조 · Repeated structure of polyamide acid ester 2

Figure pat00067
Figure pat00067

·폴리아미드산에스테르 3의 반복 구조 · Repeated structure of polyamide acid ester 3

Figure pat00068
Figure pat00068

·광 염기 발생제 1(일반식 (B)로 표시되는 화합물에 해당) · Photobase generator 1 (corresponding to the compound represented by formula (B))

Figure pat00069
Figure pat00069

·광 염기 발생제 2(일반식 (D)로 표시되는 4급 암모늄염에 해당) Second photobase generator (corresponding to the quaternary ammonium salt represented by formula (D))

Figure pat00070
Figure pat00070

·광 염기 발생제 3(옥심에스테르 화합물에 해당) · Photobase generator (corresponding to oxime ester compound)

Figure pat00071
Figure pat00071

·광 염기 발생제 R-3 · Photochemical generator R-3

Figure pat00072
Figure pat00072

표 1에 나타낸 결과로 명백해진 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지 10의 조성물은 160℃ 또는 180℃와 같은 저온에서 이미드화가 완료되고, 감도, 현상 콘트라스트 및 무전해 구리 도금액 내성이 우수하였다. 특히, 실시예 1 내지 3과 실시예 10의 대비로부터, 아미드산에스테르 부분의 에스테르화율이 높아질수록 저온 경화성과 우수한 현상 콘트라스트가 얻어진다는 것을 알 수 있었다. 이에 비해, 폴리이미드 전구체를 부분 에스테르나 폴리아미드산으로 변경한 비교예 1, 2는 이미드화의 완료에 200℃를 요하고, 감도와 현상 콘트라스트도 나쁘고, 무전해 구리 도금액에 대하여 용해되어버렸다. 또한, 광 염기 발생제를 종래 알려진 카르바메이트 골격을 갖는 화합물로 변경한 비교예 3은, 이미드화 완료 온도와 무전해 구리 도금액 내성의 면에서는 실시예 1 내지 9과 동등한 성능을 나타냈지만, 현상 콘트라스트가 나쁘고, 또한 패턴 형성에 5000J/cm2의 에너지를 요하였다.As is clear from the results shown in Table 1, the compositions of Examples 1 to 10 of the present invention were excellent in sensitivity, development contrast, and electroless copper plating solution resistance, . In particular, from the comparison of Examples 1 to 3 and Example 10, it was found that the higher the esterification rate of the amide acid ester moiety was, the lower the temperature curability and the excellent development contrast were obtained. On the other hand, Comparative Examples 1 and 2 in which the polyimide precursor was changed to a partial ester or polyamic acid required 200 占 폚 to complete the imidization, and the sensitivity and development contrast were poor, which was dissolved in the electroless copper plating solution. Comparative Example 3 in which the photo-base generator was changed to a compound having a known carbamate skeleton showed the same performance as Examples 1 to 9 in terms of imidization completion temperature and electroless copper plating solution resistance. However, The contrast was poor and the energy required for pattern formation was 5000 J / cm 2 .

Claims (8)

폴리아미드산에스테르와 광 염기 발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물이며,
상기 폴리아미드산에스테르로서, 하기 일반식 (A)로 표시되는 반복 구조를 갖는 완전 에스테르인 폴리아미드산에스테르를 포함하고,
Figure pat00073

(일반식 (A) 중, XA는 4가의 유기기, YA는 2가의 유기기, RA1 및 RA2는 각각 독립적으로 1가의 유기기이며, 동일해도 상이해도 된다. n은 1 이상의 정수이다.)
상기 광 염기 발생제로서, 하기 일반식 (B) 또는 (C)로 표시되는 화합물, 하기 일반식 (D) 내지 (H) 중 어느 것으로 표시되는 4급 암모늄염, 활성 광선의 조사에 의해 분자 중에 질소 원자와 산소 원자를 각각 1 이상 포함하는 3급 아민을 발생하는 4급 암모늄염, 옥심에스테르 화합물, 및 하기 일반식 (I)로 표시되는 카르바모일옥시이미노기를 함유하는 화합물 중 적어도 어느 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
Figure pat00074

(일반식 (B) 중, RB1 및 RB2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 유기기이며, 동일해도 상이해도 된다. RB1 및 RB2는 그들이 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 되며, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. 단, RB1 및 RB2 중 적어도 하나는 유기기이다. RB3 및 RB4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기 또는 유기기이며, 동일해도 상이해도 된다. RB5, RB6, RB7 및 RB8은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니오기 또는 유기기이며, 동일해도 상이해도 된다. RB5, RB6, RB7 및 RB8은, 그들 중 2개 이상이 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 되며, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. RB9는 수소 원자 또는 유기기이다.)
Figure pat00075

(일반식 (C) 중, ZC는 수소 원자 또는 니트로기, RC1, RC2, RC3 및 RC4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기, RC5는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 알킬기이며, RC1 및 RC2와, RC3 및 RC4는 각각 서로 환 구조를 형성해도 된다.)
Figure pat00076

(일반식 (D) 중, RD1은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORD2로 표시되는 알콕시기, -NRD3RD4로 표시되는 아미노기, RD5CO-로 표시되는 아실기, RD6COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRD7로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기, 또는 할로겐 원자이고, RD2, RD5, RD6 및 RD7은 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, RD3 및 RD4는 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, n은 0 내지 7의 정수, YD +는 하기 식 (D1) 내지 (D4) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이고,
Figure pat00077

QD는 질소 원자 또는 메틴기(-CH-), t 및 u는 2 또는 3, w는 0 내지 2의 정수, AD는 수소 원자, 수산기 또는 할로겐 원자, RD8 내지 RD10은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고, RD1과 CH2-YD +XD -는 동일한 벤젠환에 결합하고 있어도 되며, 상이한 벤젠환에 결합하고 있어도 된다. XD -는 보레이트 음이온, 페놀레이트 음이온 및 카르복실레이트 음이온으로부터 선택되는 카운터 음이온이다.)
Figure pat00078

(일반식 (E) 중, RE1은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORE2로 표시되는 알콕시기, -NRE3RE4로 표시되는 아미노기, RE5CO-로 표시되는 아실기, RE6COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRE7로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기, 또는 할로겐 원자이고, RE2, RE5, RE6 및 RE7은 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, RE3 및 RE4는 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, m은 0 내지 9의 정수, YE +는 하기 식 (E1) 내지 (E4) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이고,
Figure pat00079

QE는 질소 원자 또는 메틴기(-CH-), t 및 u는 2 또는 3, w는 0 내지 2의 정수, AE는 수소 원자, 수산기 또는 할로겐 원자, RE8 내지 RE10은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고, RE1과 CH2-YE +XE -는 동일한 벤젠환에 결합하고 있어도 되며, 상이한 벤젠환에 결합하고 있어도 된다. XE -는 보레이트 음이온, 페놀레이트 음이온 및 카르복실레이트 음이온으로부터 선택되는 카운터 음이온이다.)
Figure pat00080

(일반식 (F) 중, RF1, RF2, RF4 및 RF5가 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, RF3 및 ArF가 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 이들 중 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기는 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORF6으로 표시되는 알콕시기, -NRF7RF8로 표시되는 아미노기, RF9CO-로 표시되는 아실기, RF10COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRF11로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기, 또는 할로겐 원자이며, 이들 치환기는 아릴기와 환 구조를 취할 수 있다. RF6, RF9, RF10 및 RF11은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, RF7 및 RF8은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이다. YF +는 하기 식 (F1) 또는 (F2) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이다.
Figure pat00081

Figure pat00082

(일반식 (G) 중, RG1 내지 RG5는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORG6으로 표시되는 알콕시기, -NRG7RG8로 표시되는 아미노기, RG9CO-로 표시되는 아실기, RG10COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRG11로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기이다. 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 및 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기는 상술한 RG1 내지 RG5와 동일하며, 이들 치환기는 환 구조를 취할 수 있다. RG6, RG9, RG10 및 RG11은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기, RG7 및 RG8은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이다. ArG기는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 이들 중 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기는 상술한 RG1 내지 RG5와 동일하며, 이들 치환기는 아릴기와 환 구조를 취할 수 있다. YG +는 하기 식 (G1) 내지 (G4) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이고,
Figure pat00083

QG는 질소 원자 또는 메틴기(-CH-), t 및 u는 2 또는 3, w는 0 내지 2의 정수, AG는 수소 원자, 수산기 또는 할로겐 원자, RG12 내지 RG14는 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이다.)
Figure pat00084

(일반식 (H) 중, ArH1은 탄소수 6 내지 12의 아릴기이며, 방향환의 수소 원자 중 적어도 1개가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자를 포함하는 치환기로 치환한 기이고; ArH2는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 아릴기 중의 수소 원자의 일부가 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, -ORH11로 표시되는 알콕시기, -NRH12RH13으로 표시되는 아미노기, RH14CO-로 표시되는 아실기, RH15COO-로 표시되는 아실옥시기, -SRH16으로 표시되는 알킬티오기 혹은 아릴티오기, 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되고; RH1 및 RH2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고, ArH1, RH1, RH2는 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고; RH3은 탄소수 1 내지 18의 알킬기이고; n은 1 내지 4의 정수이되, 단 n이 4인 경우에는, ArH1은 탄소수 6 내지 12의 아릴기이고; RH11, RH14, RH15 및 RH16은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기; RH12 및 RH13은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이고; YH +는 하기 일반식 (H1) 또는 (H2) 중 어느 것으로 표시되는 제4급 암모니오기이고;
Figure pat00085

식 (H1) 중, RH4 내지 RH5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고; QH는 메틸렌기(-CH2-)m, 또는 상기 일반식 (H3)으로 표시되는 기이고; m은 2 또는 3의 정수이고; 식 (H2) 중, RH6 내지 RH8은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 서로 결합하여 환 구조를 갖고 있어도 되고; 식 (H3) 중, RH9 내지 RH10은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 6 내지 14의 아릴기이며, 서로 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 된다.)
Figure pat00086

(일반식 (I) 중, YI는 -(CH2)m-기, 지환식기, 아릴렌기, -(CH2)m-기와 지환식 기가 결합한 것, -(CH2)m-기와 아릴렌기가 결합한 것으로부터 선택되고, m은 2 내지 7의 정수, RI1은 방향족기 또는 치환 알킬기이다.)
A photosensitive resin composition comprising a polyamide acid ester and a photo base generating agent,
Wherein the polyamide acid ester comprises a polyamide acid ester which is a complete ester having a repeating structure represented by the following formula (A)
Figure pat00073

(Wherein A A is a tetravalent organic group, Y A is a divalent organic group, R A1 and R A2 are each independently a monovalent organic group and may be the same or different from each other, and n is an integer of 1 or more to be.)
As the photobase generator, a quaternary ammonium salt represented by the following general formula (B) or (C), a compound represented by any one of the following general formulas (D) to (H) At least any one of quaternary ammonium salts, oxime ester compounds, and compounds containing a carbamoyloxyimino group represented by the following general formula (I), which generate tertiary amines each containing one or more atoms and oxygen atoms, Wherein the photosensitive resin composition is a photosensitive resin composition.
Figure pat00074

(In the general formula (B), R B1 and R B2 are each independently a hydrogen atom or an organic group and may be the same or different.) R B1 and R B2 may combine with each other to form a cyclic structure, may include a combination. However, R B1 and R B2, at least one of which is an organic group. R B3 and R B4 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol A nitro group, a nitro group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonate group or an organic group and may be the same or different from each other, R B5 and R B6, R B7 and R B8 are playing each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol, a nitro group, alcohol pinot group, sulfo group, sulfonate group, phosphorus A phosphino group, a phosphonate group, an amino group , And ammonia coming or an organic group, may be the same or different. R B5, R B6, R B7 and R B8 are, and optionally, combining two or more of them to form a cyclic structure, comprising a bond of the heteroatom R B9 is a hydrogen atom or an organic group.)
Figure pat00075

(C), Z C is a hydrogen atom or a nitro group, R C1 , R C2 , R C3 and R C4 are each independently an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, R C5 is a hydrogen atom or a C1- R C1 and R C2 , and R C3 and R C4 may form a ring structure with each other.)
Figure pat00076

( Wherein R D1 represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, An alkoxy group represented by -OR D2 , an amino group represented by -NR D3 R D4 , an acyl group represented by R D5 CO-, an acyloxy group represented by R D6 COO-, an alkylthio group represented by -SR D7 , R D2 , R D5 , R D6 and R D7 are an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, R D3 and R D4 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms An alkyl group or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, n is an integer of 0 to 7, and Y D + is a quaternary ammonia group represented by any of the following formulas (D1) to (D4)
Figure pat00077

Q D is a nitrogen atom or a methine group (-CH-), t and u is 2 or 3, w is an integer from 0 to 2, A D is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a halogen atom, R D8 to D10 R is C 1 -C An alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, R D1 and CH 2 -Y D + X D - may be bonded to the same benzene ring, do. X D - is a counter anion selected from a borate anion, a phenolate anion and a carboxylate anion.)
Figure pat00078

( Wherein R E1 represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, An alkoxy group represented by -OR E2 , an amino group represented by -NR E3 R E4 , an acyl group represented by R E5 CO-, an acyloxy group represented by R E6 COO-, an alkylthio group represented by -SR E7 , or R E2 , R E5 , R E6 and R E7 are an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R E3 and R E4 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms An alkyl group or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, m is an integer of 0 to 9, Y E + is a quaternary ammonia group represented by any one of the following formulas (E1) to (E4)
Figure pat00079

Q E is a nitrogen atom or a methine group (-CH-), t and u is 2 or 3, w is an integer from 0 to 2, A E is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a halogen atom, R E8 to E10 R is C 1 -C An alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, R E1 and CH 2 -Y E + X E - may be bonded to the same benzene ring, do. X E - is a counter anion selected from a borate anion, a phenolate anion and a carboxylate anion.)
Figure pat00080

(Wherein R F1 , R F2 , R F4 and R F5 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R F3 and Ar F are each independently an aryl group having 6 to 14 carbon atoms Of these, the aryl group may have a substituent. The substituent may be an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, a nitro group, , An alkoxy group represented by -OR F6 , an amino group represented by -NR F7 R F8 , an acyl group represented by R F9 CO-, an acyloxy group represented by R F10 COO-, a group represented by -SR F11 R F6 , R F9 , R F10 and R F11 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 8 carbon atoms, an aryl group, R and R F7 F8 of the circles 12 are each independently hydrogen, , An aryl group or an alkyl group having 6 to 12 carbon atoms having 1 to 8. F Y + is a quaternary ammonium come represented by any of the following formula (F1) or (F2).
Figure pat00081

Figure pat00082

(In the general formula (G), R G1 to R G5 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms A nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, an alkoxy group represented by -OR G6 , an amino group represented by -NR G7 R G8 , an acyl group represented by R G9 CO-, an acyloxy group represented by R G10 COO-, alkylthio group represented by SR G11 or an arylthio group. alkyl group, alkenyl group, alkynyl group and aryl group and may have a substituent, and the substituent is the same as above R G1 to R G5, these substituents are a cyclic structure, R G6 , R G9 , R G10 and R G11 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R G7 and R G8 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms the alkyl group or an aryl group of 6 to 12 carbon atoms. Ar group G Tan The number of 6 to 14, an aryl group, being optionally aryl of these groups have a substituent, the substituent is the same as above R G1 to R G5, these substituents can take the aryl group and ring structure. Y G + is to A quaternary ammonium nitrogen represented by any one of formulas (G1) to (G4)
Figure pat00083

Q G is a nitrogen atom or a methine group (-CH-), t and u are 2 or 3, w is an integer of 0 to 2, A G is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a halogen atom, and R G12 to R G14 , An alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms.
Figure pat00084

(Formula (H) of, Ar H1 is an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, the aromatic rings at least one is the oxygen atom, a sulfur atom of a hydrogen atom, a group is substituted with a substituent containing a nitrogen atom; Ar H2 carbon atoms An aryl group having 6 to 14 carbon atoms and a part of the hydrogen atoms in the aryl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, A hydroxyl group, a cyano group, an alkoxy group represented by -OR H11 , an amino group represented by -NR H12 R H13 , an acyl group represented by R H14 CO-, an acyloxy group represented by R H15 COO-, or -SR H16 R H1 and R H2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, Ar H1 , R H1 , R H2 are coupled to each other to form a ring structure May be; R H3 is an alkyl group having a carbon number of 1 to 18; n is in the case of an integer being, where n = 1 to 4 is four, Ar H1 is an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and; R H11, R H14, R H15 and R16 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms; R H12 and R H13 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms; Y H + is a quaternary ammonia group represented by any one of the following general formulas (H1) and (H2);
Figure pat00085

In formula (H1), R H4 to R H5 each independently represent an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, which may be bonded to each other to form a ring structure; Q H is a methylene group (-CH 2 -) m or a group represented by the general formula (H3); m is an integer of 2 or 3; In the formula (H2), R H6 to R H8 each independently represent an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, In the formula (H3), R H9 to R H10 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and may be bonded to each other to form a ring structure.
Figure pat00086

(Compound (I) of the, I Y is - (CH 2) m- group, an alicyclic group, an arylene group, - (CH 2) m- group and combines cycloaliphatic group, - (CH 2) m- group and arylene M is an integer of 2 to 7, and R I1 is an aromatic group or a substituted alkyl group.
제1항에 있어서, 상기 광 염기 발생제로서, 일반식 (B)로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the photo-base generator is a compound represented by formula (B). 제2항에 있어서, 상기 광 염기 발생제로서, 하기 식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
Figure pat00087
The photosensitive resin composition according to claim 2, wherein the photo-base generator is a compound represented by the following formula.
Figure pat00087
제1항에 기재된 감광성 수지 조성물을 필름에 도포, 건조하여 얻어지는 수지층을 갖는 것을 특징으로 하는 드라이 필름.A dry film having a resin layer obtained by applying the photosensitive resin composition according to claim 1 to a film and drying the film. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물 또는 제4항에 기재된 드라이 필름의 수지층을 경화하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 경화물.A cured product obtained by curing a resin layer of the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3 or the dry film according to claim 4. 제5항에 기재된 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.A semiconductor device having the cured product according to claim 5. 제5항에 기재된 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판.A printed wiring board characterized by having the cured product according to claim 5. 제5항에 기재된 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품.An electronic part having the cured product according to claim 5.
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