JPH06308341A - Optical waveguide type element - Google Patents

Optical waveguide type element

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Publication number
JPH06308341A
JPH06308341A JP10072693A JP10072693A JPH06308341A JP H06308341 A JPH06308341 A JP H06308341A JP 10072693 A JP10072693 A JP 10072693A JP 10072693 A JP10072693 A JP 10072693A JP H06308341 A JPH06308341 A JP H06308341A
Authority
JP
Japan
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optical waveguide
alkoxide solution
refractive index
oxide dielectric
metal alkoxide
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Application number
JP10072693A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshio Sugihara
美穂 杉原
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP10072693A priority Critical patent/JPH06308341A/en
Publication of JPH06308341A publication Critical patent/JPH06308341A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide the optical waveguide element having an excellent refractive index distribution of a step type. CONSTITUTION:A hollow groove 12 is formed by etching molding on a crystal substrate 11 by a sol-gel method and a crystal layer 13 consisting of lithium niobate, PLZT or barium titanate having the refractive index higher than the refractive index of the substrate 11 is formed by dip coating, spin coating or mist coating of a metal alkoxide soln. of the constituting elements of the crystal and is subjected to calciniation and orientation to form the crystal layer. This crystal layer is formed as the optical waveguide 13. As a result, the optical waveguide having several cm length has a uniform depth and specified refractive index and is formable to have the larger and deeper difference in the refractive index from the substrate. The coupling efficiency with a single-mode optical fiber is, therefore, improved and the insertion loss is lessened. The formation of the optical waveguide of low propagation loss by the simple process with good reproducibility is possible.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ通信などに
用いられる、光スイッチ、光変調器、光波長変換素子等
の光導波路型素子に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide type device such as an optical switch, an optical modulator, an optical wavelength conversion device or the like used for optical fiber communication and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、光導波路型素子は、LiNbO3
やLiTaO3等の電気光学結晶上に、チタンなどの金
属膜の光導波路のパターンをフォトリソグラフィにより
形成後、約1000℃で熱拡散して、あるいは、ピロリ
ン酸や安息香酸によるプロトン交換により、基板より僅
かに屈折率の高い、拡散型の光導波路を形成している。
2. Description of the Related Art Currently, an optical waveguide device is LiNbO 3
After forming an optical waveguide pattern of a metal film such as titanium by photolithography on an electro-optical crystal such as LiTaO 3 or LiTaO 3 and then thermally diffusing at about 1000 ° C., or by proton exchange with pyrophosphoric acid or benzoic acid, the substrate A diffusion type optical waveguide having a slightly higher refractive index is formed.

【0003】例えば、チタン熱拡散型の光導波路につい
て、その詳細を図3により説明する。図に於て、31は
LiNbO3の単結晶基板、32は、チタンイオンを示
す。結晶表面に金属膜の光導波路パターンを形成後、約
1000℃で、熱拡散しているため、深さ方向の拡散分
布は、表面が高濃度で、深くなるほど低くなっている。
この濃度に応じて、屈折率が高くなるプロファイルとな
り、この部分が、光を閉じ込める光導波路となってい
た。
For example, a titanium thermal diffusion type optical waveguide will be described in detail with reference to FIG. In the figure, 31 indicates a LiNbO 3 single crystal substrate, and 32 indicates titanium ions. After the optical waveguide pattern of the metal film is formed on the crystal surface, thermal diffusion is performed at about 1000 ° C. Therefore, the diffusion distribution in the depth direction becomes higher as the surface has a higher concentration and becomes deeper.
The profile was such that the refractive index increased according to this concentration, and this portion was the optical waveguide for confining light.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、拡散法
による光導波路は、光導波路の屈折率プロファイルが、
チタンイオンやプロトンの深さ方向の拡散に応じて、表
面が高屈折率で、深くなるほど低くなるガウス分布型と
なり、基板と光導波路との屈折率差が非常に小さく、ま
た、拡散定数が小さいため、拡散深さも浅い。単に得ら
れた光導波路内の屈折率プロファイルでは、光導波路型
素子をモジュール化する際などに、断面が同心円構造
で、外周部のクラッドに対し、一定の高屈折率部のコア
を持つ単一モード光ファイバとの結合効率が、悪く、挿
入損失が多くなる。
However, in the optical waveguide by the diffusion method, the refractive index profile of the optical waveguide is
Depending on the diffusion of titanium ions and protons in the depth direction, the surface has a high refractive index and becomes deeper and becomes Gaussian distribution type, the difference in refractive index between the substrate and the optical waveguide is very small, and the diffusion constant is small. Therefore, the diffusion depth is shallow. In the obtained refractive index profile in the optical waveguide, when the optical waveguide element is modularized, the cross-section has a concentric circular structure, and the cladding of the outer periphery has a single core with a constant high refractive index portion. The coupling efficiency with the mode optical fiber is poor and the insertion loss increases.

【0005】そこで、拡散型の光導波路の屈折率プロフ
ァイルを改善するためには、酸化マグネシウムを追拡散
して、基板表面の屈折率を僅かに下げたり、アニールし
て、拡散深さを深くする方法が採られている。しかし、
そのような方法は、プロセスが複雑な上に、結晶の作製
方法に起因する結晶内部の不安定性、すなわち組成の均
一性の問題があり、数回の熱拡散処理を施すと、数cm
の長さの光導波路において、一様な拡散深さの低伝搬損
失の光導波路が再現性よく形成されないという課題があ
る。
Therefore, in order to improve the refractive index profile of the diffusion type optical waveguide, magnesium oxide is additionally diffused to slightly lower the refractive index of the substrate surface or annealed to deepen the diffusion depth. The method is adopted. But,
Such a method is complicated in process and has a problem of instability inside the crystal due to the method of producing the crystal, that is, a problem of uniformity of composition.
There is a problem that an optical waveguide having a uniform diffusion depth and a low propagation loss cannot be formed with good reproducibility in the optical waveguide having the length.

【0006】本発明は、このような従来の光導波路型素
子の課題を考慮し、優れた屈折率プロファイルを有し、
一様な拡散深さの低伝搬損失の光導波路を再現性よく形
成できる光導波路型素子を提供することを目的とするも
のである。
The present invention has an excellent refractive index profile in consideration of the problems of the conventional optical waveguide type device,
An object of the present invention is to provide an optical waveguide type device capable of forming an optical waveguide having a uniform diffusion depth and low propagation loss with good reproducibility.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明では、LiTaO
3またはガラス等の基板上に、基板より屈折率の高い、
LiNbO3、(Pb1-X,LaX)(Zr1-y,Tiy
1-X/43(以下は、PLZT)、BaTiO3等の電気
光学効果を有する結晶層を、結晶構成元素であるリチウ
ム、ニオブ、または鉛、ランタン、ジルコン、チタン、
または、チタン、バリウム等の混合金属アルコキシド溶
液をディップコーティング、スピンコーティング、ある
いはミストコーティングし、焼成することで、ゾル−ゲ
ル成長させ、その結晶層を光導波路とする。
In the present invention, LiTaO
3 or on a substrate such as glass, with a higher refractive index than the substrate,
LiNbO 3, (Pb 1-X , La X) (Zr 1-y, Ti y)
A crystal layer having an electro-optical effect, such as 1-X / 4 O 3 (hereinafter, PLZT) or BaTiO 3 , is formed by using crystal elements such as lithium, niobium, or lead, lanthanum, zircon, titanium,
Alternatively, a mixed metal alkoxide solution of titanium, barium, or the like is dip-coated, spin-coated, or mist-coated, and baked to cause sol-gel growth, and the crystal layer is used as an optical waveguide.

【0008】また、ゾル−ゲル焼成の際の温度の最適化
あるいは、焼成後の結晶層に分極を行うことに依って、
結晶層を配向させる。その配向した結晶層の電気光学効
果を利用して、光導波路型素子を構成している。
Further, by optimizing the temperature at the time of firing the sol-gel or by performing polarization on the crystal layer after firing,
Orient the crystal layer. An optical waveguide element is constructed by utilizing the electro-optical effect of the oriented crystal layer.

【0009】[0009]

【作用】本発明によって、光導波路の屈折率プロファイ
ルは、数cmの長さの光導波路において、一様な深さの
一定の屈折率で、しかも、基板と光導波路との屈折率差
が大きく、深くとることが可能となる。
According to the present invention, the refractive index profile of the optical waveguide has a constant refractive index of a uniform depth and a large refractive index difference between the substrate and the optical waveguide in the optical waveguide having a length of several cm. , It is possible to take deep.

【0010】また、光損傷を防ぐマグネシウムや、光の
増幅効果を持つエルビウム等の元素は、熱拡散では、拡
散係数の問題や、数度にわたる約1000℃の熱処理工
程が必要と成るため、プロセスが複雑な上に、再現性も
悪く、ドーピングが困難であったが、ゾル−ゲル法で
は、原料のアルコキシド溶液に添加することで、複数の
元素でも、容易にドーピング可能になった。
Further, elements such as magnesium for preventing light damage and erbium having a light amplifying effect have a problem of diffusion coefficient in thermal diffusion and require a heat treatment step of about 1000 ° C. over several degrees. In addition to being complicated, the reproducibility was poor, and doping was difficult. However, in the sol-gel method, it was possible to easily dope even a plurality of elements by adding it to the alkoxide solution of the raw material.

【0011】よって、光ファイバ通信等に用いられる光
導波路型素子において、単一モード光ファイバとの結合
効率が、良く、挿入損失が少ない、低伝搬損失の光導波
路を非常に簡単なプロセスで再現性よく、形成すること
が可能となった。
Therefore, in an optical waveguide type device used for optical fiber communication or the like, an optical waveguide having good coupling efficiency with a single mode optical fiber, low insertion loss, and low propagation loss can be reproduced by a very simple process. It became possible to form with good performance.

【0012】[0012]

【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】図1は本発明の光導波路型素子の一実施例
の構成を示す斜視図である。11は、ガラス基板を示
す。その基板11表面上には、深さ1μm、幅3μmの
凹溝12が設けられ、さらに、その上にLiNbO3
晶層13が形成されている。その溝12は、ガラス、樹
脂、シリコンあるいは、ゲルマニウムをプレス成形する
ことにより形成されるが、その他ドライエッチングまた
は、ウエットエッチングで形成してもよい。
FIG. 1 is a perspective view showing the construction of an embodiment of the optical waveguide type element of the present invention. 11 shows a glass substrate. A concave groove 12 having a depth of 1 μm and a width of 3 μm is provided on the surface of the substrate 11, and a LiNbO 3 crystal layer 13 is further formed thereon. The groove 12 is formed by press molding glass, resin, silicon, or germanium, but it may be formed by dry etching or wet etching.

【0014】本実施例の光導波路は、ゾル−ゲル法によ
って、成長させたLiNbO3 層13を作製したことを
特徴としている。 LiNbO3層13は、構成する金属
アルコキシド溶液として、LiOC25と Nb(OC2
55 を用い、混合して、LiNb(OC256混合
金属アルコキシド溶液を作製する。混合金属アルコキシ
ド溶液を基板11に、スピンコーティングにより塗布
し、仮焼して脱媒し、再塗布を繰り返すことで、多層
に、均一に積層し、加温真空びきして脱媒することで、
LiNb(OC25X3-X/2層を形成する。さらに、
これを、450℃で焼成することで、3μmの単結晶状
のLiNbO3層が作製されている。
The optical waveguide of this embodiment is characterized in that the grown LiNbO 3 layer 13 is produced by the sol-gel method. The LiNbO 3 layer 13 is composed of LiOC 2 H 5 and Nb (OC 2
Using H 5) 5, and mixed to prepare a LiNb (OC 2 H 5) 6 mixed metal alkoxide solution. By applying the mixed metal alkoxide solution to the substrate 11 by spin coating, calcining to remove the solvent, and repeating the re-application, the layers are uniformly laminated, and heated by vacuuming to remove the solvent.
A LiNb (OC 2 H 5 ) X O 3-X / 2 layer is formed. further,
By baking this at 450 ° C., a 3 μm single-crystal LiNbO 3 layer is formed.

【0015】以上のように構成された光導波路型素子の
動作を説明すると、LiNbO3層12で充填された凹溝
12部において、実効屈折率が最も高くなり、ステップ
型光導波路をなす。波長0.84mμmの光を光導波路
に入射すると、2次の非線形光学効果により、光第2高
調波を発生する。この出力光をフィルタリングして、
0.42μm光として用いる。
The operation of the optical waveguide type device constructed as described above will be explained. In the groove 12 filled with the LiNbO 3 layer 12, the effective refractive index becomes the highest and a step type optical waveguide is formed. When light having a wavelength of 0.84 mμm is incident on the optical waveguide, an optical second harmonic is generated due to the second-order nonlinear optical effect. Filter this output light,
Used as 0.42 μm light.

【0016】図2は、本発明の光導波路型素子の他の実
施例の構成を示す斜視図である。図に於て、21は、サ
ファイア基板を示す。基板21表面上には、エッチング
により深さ5μm、幅8μmの凹溝22が設けられ、そ
の上にPLZT層23が形成されている。さらに、PL
ZT層23の上面には、電気光学効果を利用して、光の
変調を行うための電界印加用のアルミ製の電極24と、
電極による光の吸収を防ぐためのバッファ層25を設
け、光導波路型素子を構成している。
FIG. 2 is a perspective view showing the construction of another embodiment of the optical waveguide device of the present invention. In the figure, 21 indicates a sapphire substrate. A groove 22 having a depth of 5 μm and a width of 8 μm is formed on the surface of the substrate 21 by etching, and a PLZT layer 23 is formed thereon. Furthermore, PL
On the upper surface of the ZT layer 23, an aluminum electrode 24 for applying an electric field for performing light modulation by utilizing the electro-optic effect,
A buffer layer 25 for preventing light absorption by the electrodes is provided to form an optical waveguide type element.

【0017】本実施例のPLZT層23の光導波路は、
構成する金属アルコキシド溶液として、Pb−、La
−、Zr−とTi−(OCH3OCH2CH24を用い、
乾燥窒素中で配合比9/65/35で混合して、Pb−
La−Zr−Tiアルコキシド溶液を作製する。この混
合アルコキシド溶液を基板21に、霧状に吹きかけるこ
とにより、比較的断差の大きい凹溝12に均一に堆積
し、さらに600℃で加温して脱媒、700℃で焼成す
ることで、配向した単結晶状PLZT(9/65/3
5)層3μmが作製されている。
The optical waveguide of the PLZT layer 23 of this embodiment is
As a metal alkoxide solution that constitutes Pb-, La
-, Zr- and Ti- was used (OCH 3 OCH 2 CH 2) 4,
Mix in dry nitrogen at a compounding ratio of 9/65/35 to obtain Pb-
A La-Zr-Ti alkoxide solution is prepared. By spraying this mixed alkoxide solution on the substrate 21 in a mist state, the mixed alkoxide solution is uniformly deposited in the groove 12 having a relatively large gap, and further heated at 600 ° C. to remove the solvent and fired at 700 ° C. Oriented single crystal PLZT (9/65/3
5) The layer 3 μm has been produced.

【0018】以上のように構成された光導波路型素子の
動作を説明すると、PLZT層22で充填された凹溝2
2部において、実効屈折率が最も高くなり、ステップ型
光導波路をなす。波長1.3μmあるいは1.55μm
の光信号を、光ファイバから、光導波路に導く。電極2
4を介して、光導波路に電界印加すると、電気光学効果
によって、導波路内で、屈折率が変化し、入射された光
信号の偏光成分を印加電圧に応じて変化させることがで
きる。この出力光を制御光として用いる。
The operation of the optical waveguide type device constructed as described above will be described. The concave groove 2 filled with the PLZT layer 22 is described.
In the second part, the effective refractive index becomes the highest and forms a step type optical waveguide. Wavelength 1.3 μm or 1.55 μm
From the optical fiber to the optical waveguide. Electrode 2
When an electric field is applied to the optical waveguide via 4, the refractive index changes in the waveguide due to the electro-optic effect, and the polarization component of the incident optical signal can be changed according to the applied voltage. This output light is used as control light.

【0019】以上のように、本発明は、結晶またはガラ
ス等の基板上に、基板より屈折率の高いLiNbO3
PLZT、BaTiO3等の結晶層を、結晶構成元素で
あるリチウム、ニオブ、または鉛、ランタン、ジルコ
ン、チタン、または、チタン、バリウム等の金属アルコ
キシド溶液を混合し、ディップコーティング、スピンコ
ーティング、あるいはミストコーティングにより積層、
その後脱媒、焼成することで、配向した単結晶状あるい
はアモルファス状の酸化物誘電体層をゾル−ゲル形成
し、その結晶層を光導波路として用いる。また、ゾル−
ゲル焼成の際の温度の最適化あるいは、焼成後のアモル
ファス結晶層に分極を行うことに依って、結晶層を配向
させる。配向した結晶層の電気光学効果等を利用して、
光導波路型素子を構成している。
As described above, according to the present invention, on a substrate such as crystal or glass, LiNbO 3 having a higher refractive index than the substrate,
A crystal layer of PLZT, BaTiO 3 or the like is mixed with a crystal constituent element such as lithium, niobium, or lead, lanthanum, zircon, titanium, or a metal alkoxide solution of titanium, barium, or the like, and dip coating, spin coating, or mist. Laminated by coating,
After that, desolvation and baking are performed to form an oriented single crystal or amorphous oxide dielectric layer in a sol-gel state, and the crystal layer is used as an optical waveguide. Also, the sol
The crystal layer is oriented by optimizing the temperature during gel firing or by polarizing the amorphous crystal layer after firing. Utilizing the electro-optical effect of the oriented crystal layer,
It constitutes an optical waveguide device.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、その光導波路の屈折率プロファイルについ
て、数cmの長さの光導波路において、一様な深さで一
定の屈折率のステップ型が実現する。しかも、基板と光
導波路との屈折率差が大きく、光導波路を深くとること
が可能となる。
As is apparent from the above description,
The present invention realizes a step type with a constant refractive index at a uniform depth in a refractive index profile of the optical waveguide in an optical waveguide having a length of several cm. Moreover, the refractive index difference between the substrate and the optical waveguide is large, and the optical waveguide can be deepened.

【0021】また、光損傷を防ぐマグネシウムや、光の
増幅効果を持つエルビウム等の元素は、従来の熱拡散方
法では、拡散係数の問題や、数度にわたる約1000℃
の熱処理工程が必要と成るため、プロセスが複雑な上
に、再現性も悪く、ドーピングが困難であったが、本発
明のゾル−ゲル法では、原料のアルコキシド溶液を配合
比に応じて混合することで、多元素のドーピングが、高
濃度で、均質に、容易に可能になり、光ファイバ通信等
に用いられる光導波路型素子においては、単一モード光
ファイバとの結合効率が、良く、挿入損失が少なく、十
分な深さが得られるため、低伝搬損失の光導波路を非常
に簡単なプロセスで再現性よく、形成することが可能と
なった。従って、PLZT等、電気光学定数が大きく、
デバイス化の面で、低電圧での光制御が期待されなが
ら、薄膜しか作製されないため、実用不可能であった材
料が、実用可能になる。それによって、本発明は、入力
光帯域の広い、より応用範囲の広い光導波路並びに光I
Cの実現を可能にするものである。
Elements such as magnesium that prevent optical damage and elements such as erbium that have the effect of amplifying light have the problem of diffusion coefficient and a temperature of about 1000 ° C. over several degrees in the conventional thermal diffusion method.
Since the heat treatment step is required, the process is complicated, the reproducibility is poor, and doping is difficult. However, in the sol-gel method of the present invention, the alkoxide solution of the raw material is mixed according to the compounding ratio. As a result, multi-element doping can be performed easily even at high concentration, and in optical waveguide type devices used for optical fiber communication etc., the coupling efficiency with single mode optical fiber is good and Since there is little loss and a sufficient depth can be obtained, an optical waveguide with low propagation loss can be formed with excellent reproducibility by a very simple process. Therefore, the electro-optic constant of PLZT etc. is large,
From the standpoint of deviceization, optical control at low voltage is expected, but only thin films can be produced, so materials that were not practical will become practical. As a result, the present invention provides an optical waveguide having a wide input light band and a wider application range as well as an optical I.
This makes it possible to realize C.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光導波路型素子の一実施例を示す斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of an optical waveguide device of the present invention.

【図2】本発明の光導波路型素子の他の実施例を示す斜
視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing another embodiment of the optical waveguide device of the present invention.

【図3】従来の拡散法で作製した光導波路の斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view of an optical waveguide manufactured by a conventional diffusion method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 基板 12 凹溝 13 LiNbO3層 21 基板 22 凹溝 23 PLZT層 24 電極 25 バッファ層 31 結晶基板 32 チタンイオン11 substrate 12 concave groove 13 LiNbO 3 layer 21 substrate 22 concave groove 23 PLZT layer 24 electrode 25 buffer layer 31 crystal substrate 32 titanium ion

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 溝を設けた基板上に、ゾルーゲル焼成に
より作製した、基板より屈折率の高い酸化物誘電体層を
形成してなる光導波路を備えたことを特徴とする光導波
路型素子。
1. An optical waveguide device comprising an optical waveguide, which is formed by sol-gel firing and has an oxide dielectric layer having a higher refractive index than that of the substrate, formed on a substrate provided with grooves.
【請求項2】 ドライエッチングまたは、ウエットエッ
チングで、前記溝を設けた基板を用いたことを特徴とす
る請求項1記載の光導波路型素子。
2. The optical waveguide device according to claim 1, wherein a substrate provided with the groove by dry etching or wet etching is used.
【請求項3】 ガラス、樹脂、シリコンあるいは、ゲル
マニウムをプレス成形することにより、前記溝を設けた
基板を用いたことを特徴とする請求項1記載の光導波路
型素子。
3. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the substrate provided with the groove is formed by press-molding glass, resin, silicon or germanium.
【請求項4】 溝を設けた基板上に、酸化物誘電体を構
成する元素の金属アルコキシド溶液を混合し、混合金属
アルコキシド溶液をディップコーティング、あるいはス
ピンコーティングにより塗布し、仮焼あるいは真空びき
して脱媒し、再塗布を繰り返すことで、多層に混合金属
アルコキシド層を積層し、さらに、高温で焼成すること
で、配向した単結晶状あるいはアモルファス状の酸化物
誘電体層を形成してなる光導波路を備えたことを特徴と
する請求項1、2、又は3記載の光導波路型素子。
4. A metal alkoxide solution of an element constituting an oxide dielectric is mixed on a grooved substrate, and the mixed metal alkoxide solution is applied by dip coating or spin coating, followed by calcination or vacuum sputtering. The mixed metal alkoxide layers are laminated in multiple layers by repeatedly removing the solvent and re-coating, and then firing at a high temperature to form an oriented single crystal or amorphous oxide dielectric layer. The optical waveguide type device according to claim 1, 2 or 3, further comprising an optical waveguide.
【請求項5】 溝を設けた基板上に、酸化物誘電体を構
成する元素の混合金属アルコキシド溶液を霧状に吹きか
けることにより堆積し、加熱あるいは真空びきして脱媒
し、さらに、高温で焼成することで、単結晶状あるいは
アモルファス状の酸化物誘電体層を形成してなる光導波
路を備えたことを特徴とする請求項1、2、又は3記載
の光導波路型素子。
5. A mixed metal alkoxide solution of elements constituting an oxide dielectric is deposited by spraying on a substrate provided with a groove, and is deposited by heating or vacuuming to remove the solvent. 4. The optical waveguide device according to claim 1, further comprising an optical waveguide formed by forming a single crystal or amorphous oxide dielectric layer by firing.
【請求項6】 酸化物誘電体を構成する金属アルコキシ
ド溶液として、Liアルコキシド溶液とNbアルコキシ
ド溶液を用い、さらに、所定の場合、屈折率調整、光増
幅効果、電気光学定数調整、誘電率調整のための金属ア
ルコキシド溶液を添加し、混合して、混合金属アルコキ
シド溶液を作製し、脱媒し、さらに焼成することで形成
された、LiNbO3酸化物誘電体層を光導波路として
用いることを特徴とする請求項1乃至請求項5記載のい
ずれかの光導波路型素子。
6. A Li alkoxide solution and an Nb alkoxide solution are used as a metal alkoxide solution constituting an oxide dielectric, and further, in a predetermined case, a refractive index adjustment, a light amplification effect, an electro-optical constant adjustment, and a dielectric constant adjustment are performed. A metal alkoxide solution for adding and mixing to prepare a mixed metal alkoxide solution, degassing and further firing, and using the LiNbO 3 oxide dielectric layer as an optical waveguide. The optical waveguide device according to any one of claims 1 to 5.
【請求項7】 酸化物誘電体を構成する金属アルコキシ
ド溶液として、Baアルコキシド溶液とTiアルコキシ
ド溶液を用い、さらに、添加物として、Srアルコキシ
ド溶液を添加し、混合して、焼成することで形成され
た、BaTiO3、またはBa1-XSrXTiO3酸化物誘
電体層を光導波路として用いることを特徴とする請求項
1乃至請求項5記載のいずれかの光導波路型素子。
7. A Ba alkoxide solution and a Ti alkoxide solution are used as a metal alkoxide solution constituting an oxide dielectric, and a Sr alkoxide solution is further added as an additive, and the mixture is formed by firing. and, BaTiO 3 or Ba 1-X Sr X TiO 3 oxide either optical waveguide device of claims 1 to 5, wherein the use of a dielectric layer as an optical waveguide.
【請求項8】 酸化物誘電体を構成する金属アルコキシ
ド溶液として、Pbアルコキシド溶液とTiアルコキシ
ド溶液とランタンアルコキシド溶液とZrアルコキシド
溶液を用い、混合して焼成することで形成された、(P
1-X,LaX)(Zr1-y,Tiy1-X/43 酸化物誘電
体層を光導波路として用いることを特徴とする請求項1
乃至請求項5記載のいずれかの光導波路型素子。
8. A Pb alkoxide solution, a Ti alkoxide solution, a lanthanum alkoxide solution, and a Zr alkoxide solution are used as the metal alkoxide solution constituting the oxide dielectric, and the mixture is formed by firing.
b 1-X , La X ) (Zr 1-y , Ti y ) 1-X / 4 O 3 oxide dielectric layer is used as an optical waveguide.
6. The optical waveguide device according to claim 5.
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