JPH06302664A - Inspection method - Google Patents
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- JPH06302664A JPH06302664A JP5085037A JP8503793A JPH06302664A JP H06302664 A JPH06302664 A JP H06302664A JP 5085037 A JP5085037 A JP 5085037A JP 8503793 A JP8503793 A JP 8503793A JP H06302664 A JPH06302664 A JP H06302664A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、検査技術に関し、特
に、半導体集積回路装置を構成する異なる配線層間を接
合するスルーホール部の検査方法に適用して有効な技術
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inspection technique, and more particularly to a technique effective when applied to an inspection method of a through hole portion which joins different wiring layers constituting a semiconductor integrated circuit device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来は、半導体ウエハ段階における配線
層間を接続するスルーホール部の検査用パターンとし
て、スルーホール連鎖パターンが使用されていた。2. Description of the Related Art Conventionally, a through-hole chain pattern has been used as an inspection pattern for a through-hole portion that connects wiring layers at a semiconductor wafer stage.
【０００３】スルーホール連鎖パターンは、互いに孤立
した状態で一列に配置されている複数個の第１導体パタ
ーンと、第１導体パターンの上層において、互いに隣接
する第１導体パターンの間に配置された第２導体パター
ンと、第１導体パターンおよび第２導体パターンを電気
的に接続するスルーホール部とから構成されている。The through-hole chain pattern is arranged between a plurality of first conductor patterns which are arranged in a line in a state of being isolated from each other and between the first conductor patterns adjacent to each other in the upper layer of the first conductor pattern. It is composed of a second conductor pattern and a through hole portion that electrically connects the first conductor pattern and the second conductor pattern.
【０００４】第１導体パターンおよび第２導体パターン
は、半導体集積回路装置を構成する配線と同一の材料に
よって構成されている。そして、従来は、第１導体パタ
ーンと第２導体パターンとの線幅が同一であった。検査
は、スルーホール連鎖パターンに対して所定量の大電流
を流すことによりエレクトロマイグレーション現象を生
じさせ、スルーホール部を断線させて評価を行うように
していた。The first conductor pattern and the second conductor pattern are made of the same material as the wiring that constitutes the semiconductor integrated circuit device. And conventionally, the line width of the 1st conductor pattern and the 2nd conductor pattern was the same. In the inspection, an electromigration phenomenon is caused by flowing a predetermined amount of large current to the through-hole chain pattern, and the through-hole portion is broken to perform the evaluation.
【０００５】なお、半導体集積回路装置の信頼性試験技
術については、例えば株式会社オーム社、昭和５９年１
１月３０日発行「ＬＳＩハンドブック」Ｐ６８１〜Ｐ６
８９に記載がある。Regarding the reliability test technique of the semiconductor integrated circuit device, for example, Ohmsha Co., Ltd., 1959.
Published on January 30, "LSI Handbook" P681-P6
89.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
技術においては、以下の問題があることを本発明者は見
い出した。However, the present inventor has found that the above-mentioned conventional technique has the following problems.
【０００７】すなわち、従来は、スルーホール連鎖パタ
ーンに対して大電流を流すことによりスルーホール部に
おけるエレクトロマイグレーション試験等を行う際に、
第１導体パターンよりも第２導体パターンで発生した熱
の方が放散され難いことに起因して第２導体パターンの
方が高温となる結果、第２導体パターンが断線してしま
い、断線させようとしているスルーホール部において断
線が生じない場合があるという問題があった。That is, in the past, when conducting an electromigration test or the like in a through hole portion by applying a large current to a through hole chain pattern,
Since the heat generated in the second conductor pattern is less likely to be dissipated than the first conductor pattern, the temperature of the second conductor pattern becomes higher, resulting in disconnection of the second conductor pattern. There is a problem that disconnection may not occur in the through hole portion.
【０００８】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、ウエハプロセス段階において行う
スルーホール部の検査に際して、スルーホール部を断線
させることのできる技術を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a technique capable of disconnecting a through hole portion when inspecting the through hole portion at a wafer process stage. .
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.
【００１１】すなわち、請求項１記載の発明は、半導体
ウエハ上に形成された第１導体パターンとその上層の第
２導体パターンとを接続するスルーホール部の検査方法
であって、前記第１導体パターンの幅が、前記第２導体
パターンの幅よりも細く形成されてなる検査用導体パタ
ーンに対して所定量の電流を流すことにより前記スルー
ホール部を断線させてスルーホール部の検査を行う検査
方法とするものである。That is, the invention according to claim 1 is a method of inspecting a through hole for connecting a first conductor pattern formed on a semiconductor wafer and a second conductor pattern above the first conductor pattern. An inspection for inspecting the through hole portion by disconnecting the through hole portion by applying a predetermined amount of current to the inspection conductor pattern formed so that the width of the pattern is narrower than the width of the second conductor pattern. It is a method.
【００１２】請求項２記載の発明は、前記第１導体パタ
ーンを高融点金属とするとともに、前記第２導体パター
ンをアルミニウムまたはアルミニウム合金とした検査方
法とするものである。The invention according to claim 2 provides an inspection method in which the first conductor pattern is made of refractory metal and the second conductor pattern is made of aluminum or aluminum alloy.
【００１３】請求項３記載の発明は、前記第２導体パタ
ーンにおいて、前記スルーホール部と接触する領域の幅
を他の部分よりも細くした検査方法とするものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided an inspection method in which, in the second conductor pattern, a width of a region in contact with the through hole portion is made narrower than other portions.
【００１４】[0014]
【作用】上記した請求項１記載の発明によれば、検査に
際して第１導体パターンの温度の方が第２導体パターン
の温度よりも高くなることにより、スルーホール部の熱
が第１導体パターンを通じて逃げてしまうのを抑制する
ことができる。このため、スルーホール部の温度を高く
設定することができるので、スルーホール部を断線させ
ることが可能となる。According to the first aspect of the present invention, the temperature of the first conductor pattern becomes higher than the temperature of the second conductor pattern at the time of inspection, so that the heat of the through hole portion passes through the first conductor pattern. It is possible to suppress the escape. Therefore, the temperature of the through hole portion can be set high, and the through hole portion can be disconnected.
【００１５】上記した請求項２記載の発明によれば、第
１導体パターンをその抵抗値が第２導体パターンよりも
高くなる材料によって構成したことにより、スルーホー
ル部の検査に際して、第１導体パターンの温度の方が第
２導体パターンの温度よりも高くなるので、スルーホー
ル部の熱が第１導体パターンを通じて逃げてしまうのを
抑制することができる。このため、スルーホール部の温
度を高く設定することができるので、スルーホール部を
断線させることが可能となる。According to the second aspect of the present invention, the first conductor pattern is made of a material having a resistance value higher than that of the second conductor pattern. Is higher than the temperature of the second conductor pattern, it is possible to suppress the heat of the through hole from escaping through the first conductor pattern. Therefore, the temperature of the through hole portion can be set high, and the through hole portion can be disconnected.
【００１６】上記した請求項３記載の発明によれば、第
２導体パターンにおいてスルーホール部と接する部分が
スルーホール部よりも幅広であることに起因してスルー
ホール部の熱が逃げてしまうのを抑制することができ
る。このため、スルーホール部の温度を高く設定するこ
とができるので、スルーホール部を断線させることが可
能となる。According to the third aspect of the present invention, the heat of the through hole portion escapes because the portion of the second conductor pattern in contact with the through hole portion is wider than the through hole portion. Can be suppressed. Therefore, the temperature of the through hole portion can be set high, and the through hole portion can be disconnected.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described in detail below.
【００１８】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
る検査方法に用いる検査用導体パターンの要部平面図、
図２は図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図、図３は半導体ウエ
ハの平面図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view of a main portion of an inspection conductor pattern used in an inspection method according to an embodiment of the present invention.
2 is a sectional view taken along line II-II of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of a semiconductor wafer.
【００１９】本実施例１の検査方法は、例えば図３に示
す半導体ウエハ１に形成された異なる配線層間を接続す
るスルーホール部（図３には図示せず）の信頼性を検査
するための検査方法である。The inspection method of the first embodiment is used for inspecting the reliability of through-hole portions (not shown in FIG. 3) for connecting different wiring layers formed on the semiconductor wafer 1 shown in FIG. 3, for example. It is an inspection method.
【００２０】半導体ウエハ１は、例えばシリコン（Ｓ
ｉ）単結晶からなり、その主面には、平面四角形状の半
導体チップ領域２が複数配置されている。各半導体チッ
プ領域２には、所定の半導体集積回路装置が形成されて
おり、各半導体チップ領域２の間には、各半導体チップ
領域２を分離する際の切断領域となるスクライビング領
域３が配置されている。The semiconductor wafer 1 is made of, for example, silicon (S
i) It is made of a single crystal, and a plurality of semiconductor chip regions 2 having a quadrangular planar shape are arranged on the main surface thereof. A predetermined semiconductor integrated circuit device is formed in each semiconductor chip region 2, and a scribing region 3 serving as a cutting region when separating each semiconductor chip region 2 is arranged between each semiconductor chip region 2. ing.
【００２１】スクライビング領域３には、上記スルーホ
ール部を検査するための検査用導体パターンが形成され
ている。検査用導体パターンを図１および図２に示す。In the scribing region 3, an inspection conductor pattern for inspecting the through hole portion is formed. The conductor pattern for inspection is shown in FIGS. 1 and 2.
【００２２】検査用導体パターン４は、互いに孤立した
状態で一列に配置された複数個の第１導体パターン４ａ
と、第１導体パターン４ａの上層において、互いに隣接
する第１導体パターン４ａ，４ａの間に配置された第２
導体パターン４ｂと、第１導体パターン４ａおよび第２
導体パターン４ｂを電気的に接続するスルーホール部４
ｃとから構成されている。The inspection conductor pattern 4 is composed of a plurality of first conductor patterns 4a arranged in a line in a state of being isolated from each other.
And a second conductor arranged between the first conductor patterns 4a, 4a adjacent to each other in the upper layer of the first conductor pattern 4a.
Conductor pattern 4b, first conductor pattern 4a and second conductor pattern 4a
Through hole portion 4 for electrically connecting the conductor pattern 4b
and c.
【００２３】第１導体パターン４ａは、例えばアルミニ
ウム（Ａｌ）−Ｓｉ−銅（Ｃｕ）合金からなり、例えば
二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）からなる絶縁膜５上に形成さ
れている。第１導体パターン４ａの幅Ｗ1 は、例えば１
〜３μｍ程度、その長さＬ1は、例えば３〜５μｍ程度
である。なお、本実施例１においては、第１導体パター
ン４ａとして、例えば厚さが0.４μｍのパターンと0.５
μｍのパターンとが形成されている。The first conductor pattern 4a is made of, for example, an aluminum (Al) -Si-copper (Cu) alloy, and is formed on the insulating film 5 made of, for example, silicon dioxide (SiO 2 ). The width W 1 of the first conductor pattern 4a is, for example, 1
The length L 1 is, for example, about 3 to 5 μm. In the first embodiment, as the first conductor pattern 4a, for example, a pattern having a thickness of 0.4 μm and a pattern having a thickness of 0.5 μm are used.
.mu.m pattern is formed.
【００２４】第２導体パターン４ｂは、例えばＡｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ合金からなり、例えば熱酸化法等によって形成
されたＳｉＯ2 からなる絶縁膜６上に形成されている。
絶縁膜６の厚さは、例えば0.５〜2.０μｍ程度である。The second conductor pattern 4b is made of, for example, Al-S.
It is made of an i-Cu alloy and is formed on the insulating film 6 made of, for example, SiO 2 formed by a thermal oxidation method or the like.
The insulating film 6 has a thickness of, for example, about 0.5 to 2.0 μm.
【００２５】本実施例１においては、第２導体パターン
４ｂの幅Ｗ2 が第１導体パターン４ａの幅Ｗ1 よりも５
〜１０倍程度太く形成されている。その幅Ｗ2 は、例え
ば５〜２２μｍ程度、その長さＬ2 は、例えば６〜１５
μｍ程度である。なお、第２導体パターン４ｂの厚さ
は、例えば0.８μｍ程度である。In the first embodiment, the width W 2 of the second conductor pattern 4b is 5 more than the width W 1 of the first conductor pattern 4a.
It is about 10 times thicker. The width W 2 is, for example, about 5 to 22 μm, and the length L 2 is, for example, 6 to 15 μm.
It is about μm. The thickness of the second conductor pattern 4b is, for example, about 0.8 μm.
【００２６】スルーホール部４ｃの径は、例えば0.４〜
1.２μｍの中で何種類かの寸法が選択されている。ユニ
ットセルＵＣは、１つの第１導体パターン４ａと１つの
第２導体パターン４ｂとスルーホール部４ｃとによって
構成されており、本実施例１においては、ユニットセル
ＵＣが、例えば１４〜６０個繰り返されて配置され検査
用導体パターン４が構成されている。なお、半導体ウエ
ハ１の最上層には、検査用導体パターン４を被覆するよ
うに表面保護膜７が形成されている。The diameter of the through hole portion 4c is, for example, 0.4 to
Several dimensions are selected within 1.2 μm. The unit cell UC is composed of one first conductor pattern 4a, one second conductor pattern 4b, and a through hole portion 4c. In the first embodiment, for example, 14 to 60 unit cell UCs are repeated. And arranged to form a conductor pattern 4 for inspection. A surface protection film 7 is formed on the uppermost layer of the semiconductor wafer 1 so as to cover the inspection conductor pattern 4.
【００２７】本実施例１においては、スルーホール部４
ｃの検査に際して、次のようにする。すなわち、半導体
ウエハ１の温度を、例えば５０〜２５０℃程度に設定し
た後、検査用導体パターン４に所定量の電流を流すこと
により、例えば５−／ｃｍ2以上のストレスを印加す
る。In the first embodiment, the through hole portion 4
When inspecting c, do the following. That is, after the temperature of the semiconductor wafer 1 is set to, for example, about 50 to 250 ° C., a predetermined amount of current is applied to the inspection conductor pattern 4 to apply a stress of, for example, 5 / cm 2 or more.
【００２８】この際、本実施例１においては、次のよう
な作用効果を得ることが可能となっている。At this time, in the first embodiment, the following operational effects can be obtained.
【００２９】第１に、第２導体パターン４ｂを幅広とし
たことにより、その断線を防止することが可能となって
いる。First, by making the second conductor pattern 4b wide, it is possible to prevent disconnection thereof.
【００３０】第２に、第１導体パターン４ａの幅を第２
導体パターン４ｂよりも細くしたことにより、スルーホ
ール部４ｃを断線させることが可能となっている。これ
は、検査に際して、パターン幅の細い第１導体パターン
４ａの方が第２導体パターン４ｂよりも高温になること
により、スルーホール部４ｃの熱が第１導体パターン４
ａを通じて逃げてしまうのを抑制できるので、スルーホ
ール部４ｃの温度を高く設定することができるからであ
る。Second, the width of the first conductor pattern 4a is set to the second width.
By making the conductor pattern 4b thinner than the conductor pattern 4b, the through hole portion 4c can be disconnected. This is because the temperature of the first conductor pattern 4a having a narrow pattern width becomes higher than that of the second conductor pattern 4b during the inspection, so that the heat of the through hole portion 4c is heated.
This is because it is possible to suppress the escape through a, so that the temperature of the through hole portion 4c can be set high.
【００３１】このように本実施例１によれば、以下の効
果を得ることが可能となる。As described above, according to the first embodiment, the following effects can be obtained.
【００３２】(1).第２導体パターン４ｂを幅広としたこ
とにより、その断線を防止することが可能となる。(1). By making the second conductor pattern 4b wide, it is possible to prevent disconnection thereof.
【００３３】(2).スルーホール部４ｃの検査に際して、
第１導体パターン４ａの温度の方が第２導体パターン４
ｂの温度よりも高くなることにより、スルーホール部４
ｃを断線させることができるので、スルーホール部４ｃ
の評価技術の信頼性を向上させることが可能となる。(2). When inspecting the through hole portion 4c,
The temperature of the first conductor pattern 4a is higher than that of the second conductor pattern 4
Since the temperature becomes higher than the temperature of b, the through hole portion 4
Since it is possible to disconnect c, the through hole portion 4c
It is possible to improve the reliability of the evaluation technology.
【００３４】(3).上記(2) により、半導体集積回路装置
の信頼性を向上させることが可能となる。(3). By the above (2), the reliability of the semiconductor integrated circuit device can be improved.
【００３５】（実施例２）図４は本発明の他の実施例で
ある検査方法に用いる検査用導体パターンの要部平面図
である。(Embodiment 2) FIG. 4 is a plan view of a main portion of an inspection conductor pattern used in an inspection method according to another embodiment of the present invention.
【００３６】本実施例２においては、図４に示すよう
に、第２導体パターン４ｂにおいて、その両端の幅が先
端に向かうにつれて次第に細くなり、スルーホール部４
ｃに接する部分においては、その幅が、第１導体パター
ン４ａの幅Ｗ1 と同程度になるようにパターン形成され
ている。In the second embodiment, as shown in FIG. 4, in the second conductor pattern 4b, the widths of both ends of the second conductor pattern 4b become gradually smaller toward the tip, and the through hole portion 4 is formed.
At the portion in contact with c, the pattern is formed so that its width is approximately the same as the width W 1 of the first conductor pattern 4a.
【００３７】これは、仮に第２導体パターン４ｂにおい
てスルーホール部４ｃに接する部分が幅広であったとす
ると、そのために、スルーホール部４ｃの熱が、その幅
広部分を通じて逃げてしまうのを抑制するためである。This is because if the portion of the second conductor pattern 4b in contact with the through hole portion 4c is wide, the heat of the through hole portion 4c is prevented from escaping through the wide portion. Is.
【００３８】このように、本実施例２においては、前記
実施例１で得られた効果の他に、以下の効果を得ること
が可能となる。As described above, in the second embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects obtained in the first embodiment.
【００３９】すなわち、第２導体パターン４ｂにおい
て、スルーホール部４ｃに接する部分の幅を狭くしたこ
とにより、スルーホール部４ｃの検査に際し、スルーホ
ール部４ｃの熱が、第２導体パターン４ｂを通じて逃げ
てしまうのを抑制することが可能となる。That is, in the second conductor pattern 4b, by narrowing the width of the portion in contact with the through hole portion 4c, the heat of the through hole portion 4c escapes through the second conductor pattern 4b when the through hole portion 4c is inspected. It is possible to suppress that.
【００４０】（実施例３）図５は本発明の他の実施例で
ある検査方法に用いる検査用導体パターンの要部平面図
である。(Embodiment 3) FIG. 5 is a plan view of a main portion of an inspection conductor pattern used in an inspection method according to another embodiment of the present invention.
【００４１】本実施例３においては、第１導体パターン
４ａの幅が、スルーホール部４ｃの径とほぼ同程度に形
成されている。ただし、第１導体パターン４ａにおい
て、スルーホール部４ｃに接する部分にはフランジが形
成され幅広になっている。第２導体パターン４ｂは、前
記実施例２と同様、その両端が細くなっている。すなわ
ち、本実施例３の検査用導体パターン４は、例えば第１
層配線の両端にフランジが形成されている場合の例であ
る。In the third embodiment, the width of the first conductor pattern 4a is formed to be approximately the same as the diameter of the through hole portion 4c. However, in the first conductor pattern 4a, a flange is formed in a portion in contact with the through hole portion 4c to be wide. Similar to the second embodiment, the second conductor pattern 4b is thin at both ends. That is, the inspection conductor pattern 4 of the third embodiment is, for example, the first conductor pattern.
This is an example of a case where flanges are formed at both ends of the layer wiring.
【００４２】第１導体パターン４ａの細い部分の幅Ｗ3
は、例えば0.４〜１μｍ程度であり、その細い部分の長
さＬ3 は、例えば1.４〜3.２μｍ程度である。また、第
１導体パターン４の両端のフランジ部分の幅は、第２導
体パターンの両端の細い部分の幅Ｗ1(前記実施例１，２
においては第１導体パターンの幅）と同程度である。Width W 3 of the thin portion of the first conductor pattern 4a
Is, for example, about 0.4 to 1 μm, and the length L 3 of the thin portion thereof is, for example, about 1.4 to 3.2 μm. Further, the width of the flange portions at both ends of the first conductor pattern 4 is the width W 1 of the narrow portion at both ends of the second conductor pattern (the above-mentioned Examples 1 and 2).
Is about the same as the width of the first conductor pattern).
【００４３】本実施例３においても前記実施例１，２と
同様の効果を得ることが可能となる。Also in the third embodiment, it is possible to obtain the same effects as those of the first and second embodiments.
【００４４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１〜３に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the above embodiments, the present invention is not limited to the above first to third embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.
【００４５】例えば前記実施例１〜３においては、第１
導体パターンをＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金とした場合につい
て説明したが、これに限定されるものではなく種々変更
可能であり、例えばタングステンやモリブデン等の高融
点金属によって構成しても良い。For example, in the first to third embodiments, the first
The case where the conductor pattern is an Al-Si-Cu alloy has been described, but the conductor pattern is not limited to this and can be variously modified, and may be made of a refractory metal such as tungsten or molybdenum.
【００４６】この場合、第１導体パターンを第２導体パ
ターンよりも高抵抗の材料によって構成したことによ
り、スルーホール部の検査に際して、第１導体パターン
の方が高温となるため、スルーホール部の熱が第１導体
パターンを通じて逃げてしまうのを抑制することができ
る。In this case, since the first conductor pattern is made of a material having a resistance higher than that of the second conductor pattern, the temperature of the first conductor pattern becomes higher during inspection of the through hole portion. It is possible to prevent heat from escaping through the first conductor pattern.
【００４７】また、前記実施例１〜３においては、第１
導体パターンおよび第２導体パターンを単層とした場合
について説明したが、これに限定されるものではなく、
例えば第１導体パターンおよび第２導体パターンを、バ
リヤメタル層とＡｌまたはＡｌ合金とを積層することに
より形成しても良い。なお、この場合のバリヤメタル層
としては、例えば窒化チタン、ケイ化モリブデンまたは
タングステン等、種々の材料がある。In the first to third embodiments, the first
The case where the conductor pattern and the second conductor pattern have a single layer has been described, but the present invention is not limited to this.
For example, the first conductor pattern and the second conductor pattern may be formed by laminating a barrier metal layer and Al or Al alloy. The barrier metal layer in this case includes various materials such as titanium nitride, molybdenum silicide, or tungsten.
【００４８】[0048]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【００４９】(1).請求項１記載の発明によれば、検査に
際して第１導体パターンの温度の方が第２導体パターン
の温度よりも高くなることにより、スルーホール部の熱
が第１導体パターンを通じて逃げてしまうのを抑制する
ことができる。このため、スルーホール部の温度を高く
設定することができるので、スルーホール部を断線させ
ることが可能となる。したがって、スルーホール部の評
価技術の信頼性を向上させることが可能となる。(1) According to the first aspect of the invention, the temperature of the first conductor pattern becomes higher than the temperature of the second conductor pattern at the time of inspection, so that the heat of the through hole portion is heated by the first conductor pattern. It is possible to suppress the escape through the pattern. Therefore, the temperature of the through hole portion can be set high, and the through hole portion can be disconnected. Therefore, it is possible to improve the reliability of the evaluation technique of the through hole portion.
【００５０】(2).請求項２記載の発明によれば、第１導
体パターンをその抵抗値が第２導体パターンよりも高く
なる材料によって構成したことにより、スルーホール部
の検査に際して、第１導体パターンの温度の方が第２導
体パターンの温度よりも高くなるため、スルーホール部
の熱が第１導体パターンを通じて逃げてしまうのを抑制
することができる。このため、スルーホール部の温度を
高く設定することができるので、スルーホール部を断線
させることが可能となる。したがって、スルーホール部
の評価技術の信頼性を向上させることが可能となる。(2) According to the second aspect of the invention, the first conductor pattern is made of a material having a resistance value higher than that of the second conductor pattern. Since the temperature of the conductor pattern becomes higher than the temperature of the second conductor pattern, it is possible to suppress the heat in the through hole portion from escaping through the first conductor pattern. Therefore, the temperature of the through hole portion can be set high, and the through hole portion can be disconnected. Therefore, it is possible to improve the reliability of the evaluation technique of the through hole portion.
【００５１】(3).請求項３記載の発明によれば、第２導
体パターンにおいてスルーホール部と接する部分がスル
ーホール部よりも幅広であることに起因してスルーホー
ル部の熱が逃げてしまうのを抑制することができる。こ
のため、スルーホール部の温度を高く設定することがで
きるので、スルーホール部を断線させることが可能とな
る。したがって、スルーホール部の評価技術の信頼性を
向上させることが可能となる。(3) According to the third aspect of the invention, the heat of the through-hole portion escapes because the portion of the second conductor pattern in contact with the through-hole portion is wider than the through-hole portion. It can be suppressed. Therefore, the temperature of the through hole portion can be set high, and the through hole portion can be disconnected. Therefore, it is possible to improve the reliability of the evaluation technique of the through hole portion.
【図１】本発明の一実施例である検査方法に用いる検査
用導体パターンの要部平面図である。FIG. 1 is a plan view of an essential part of a conductor pattern for inspection used in an inspection method according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG.
【図３】半導体ウエハの平面図である。FIG. 3 is a plan view of a semiconductor wafer.
【図４】本発明の他の実施例である検査方法に用いる検
査用導体パターンの要部平面図である。FIG. 4 is a plan view of an essential part of an inspection conductor pattern used in an inspection method according to another embodiment of the present invention.
【図５】本発明の他の実施例である検査方法に用いる検
査用導体パターンの要部平面図である。FIG. 5 is a plan view of an essential part of a conductor pattern for inspection used in an inspection method according to another embodiment of the present invention.
１ 半導体ウエハ ２ 半導体チップ領域 ３ スクライビング領域 ４ 検査用導体パターン ４ａ 第１導体パターン ４ｂ 第２導体パターン ４ｃ スルーホール部 ５ 絶縁膜 ６ 絶縁膜 ７ 表面保護膜 Ｌ1 〜Ｌ3 長さ Ｗ1 〜Ｗ3 幅 ＵＣ ユニットセルDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 semiconductor wafer 2 semiconductor chip area 3 scribing area 4 inspection conductor pattern 4a first conductor pattern 4b second conductor pattern 4c through hole portion 5 insulating film 6 insulating film 7 surface protective film L 1 to L 3 length W 1 to W 3 width UC unit cell
Claims (3)
ターンとその上層の第２導体パターンとを接続するスル
ーホール部の検査方法であって、前記第１導体パターン
の幅が、前記第２導体パターンの幅よりも細く形成され
てなる検査用導体パターンに対して所定量の電流を流す
ことにより前記スルーホール部を断線させてスルーホー
ル部の検査を行うことを特徴とする検査方法。1. A method of inspecting a through hole for connecting a first conductor pattern formed on a semiconductor wafer and a second conductor pattern above the first conductor pattern, wherein the width of the first conductor pattern is the second conductor pattern. An inspection method comprising inspecting a through-hole portion by breaking a wire of the through-hole portion by applying a predetermined amount of current to an inspection conductor pattern formed to be thinner than a width of the conductor pattern.
るとともに、前記第２導体パターンをアルミニウムまた
はアルミニウム合金としたことを特徴とする請求項１記
載の検査方法。2. The inspection method according to claim 1, wherein the first conductor pattern is made of a refractory metal and the second conductor pattern is made of aluminum or an aluminum alloy.
ルーホール部と接触する領域の幅を他の部分よりも細く
したことを特徴とする請求項１または２記載の検査方
法。3. The inspection method according to claim 1, wherein, in the second conductor pattern, a width of a region in contact with the through hole portion is made narrower than other portions.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5085037A JPH06302664A (en) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | Inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5085037A JPH06302664A (en) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | Inspection method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302664A true JPH06302664A (en) | 1994-10-28 |
Family
ID=13847502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5085037A Pending JPH06302664A (en) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | Inspection method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302664A (en) |
-
1993
- 1993-04-13 JP JP5085037A patent/JPH06302664A/en active Pending
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