JPH06302030A - Magneto-optical recording medium and magnetooptical recording method - Google Patents
Magneto-optical recording medium and magnetooptical recording methodInfo
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- JPH06302030A JPH06302030A JP11004693A JP11004693A JPH06302030A JP H06302030 A JPH06302030 A JP H06302030A JP 11004693 A JP11004693 A JP 11004693A JP 11004693 A JP11004693 A JP 11004693A JP H06302030 A JPH06302030 A JP H06302030A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は初期化磁界を用いないで
オーバーライトを可能とする光磁気記録媒体及び光磁気
記録方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium and a magneto-optical recording method capable of overwriting without using an initializing magnetic field.
【0002】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、オーバーライト(重ね書き)が可能という点で
文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュ
ータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気記録
媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能を持
った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課題が
あり、その中の主要なものの1つに、オーバーライト技
術がある。現在提案されているオーバーライト技術は、
記録の方法により磁界変調方式と光変調方式(マルチビ
ーム方式、2層膜方式等)に大別される。2. Description of the Related Art In recent years,
As a rewritable optical recording medium, a magneto-optical recording medium utilizing the magneto-optical effect has been vigorously researched and developed, and has already been put to practical use. This magneto-optical recording medium has the advantages of large-capacity and high-density recording, non-contact recording / reproduction, and easy access, and in addition, it is possible to overwrite (overwrite) document information files, video / still image files, computer use. It is expected to be used for memory etc. In order to make a magneto-optical recording medium a recording medium having a performance equal to or higher than that of a magnetic disk, there are some technical problems, and one of the main ones is an overwrite technique. The currently proposed overwrite technology is
The recording method is roughly classified into a magnetic field modulation method and an optical modulation method (multi-beam method, two-layer film method, etc.).
【0003】磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。The magnetic field modulation method is a method of recording by reversing the polarity of an applied magnetic field according to recording information. In this method, since the reversal of the magnetic field must be performed at high speed, it is necessary to use a flying type magnetic head, and it is difficult to exchange the medium.
【0004】一方、光変調方式は記録情報に応じて照射
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、2〜3個のレーザビームを用い、磁界の方向を1回
転毎に反転させてトラック毎に記録/消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、2層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を2層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭62−
175948号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばTbFeからなるメモリ層と
TbFeCoからなる補助層との2層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度TをT>Tc2(Tc2は補助層のキュリー温
度)なる温度迄昇温させ、記録用磁界(初期化用磁界と
反対方向)を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体が
冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させることに
より記録を行い、また、低出力レーザビームを照射して
媒体温度をTc1<T<Tc2(Tc1はメモリ層のキュリー
温度)なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向をメモリ
層に転写させることにより消去を行う。そのためこの方
式では、初期化用磁石が必要になるなどの問題があっ
た。On the other hand, the optical modulation method is a method of performing recording by turning on / off or irradiating the irradiation laser beam in accordance with recording information. Among these methods, the multi-beam method is a pseudo-overwrite method in which the direction of the magnetic field is reversed every rotation and recording / erasing is performed for each track by using two or three laser beams, but the device configuration is complicated. However, there are drawbacks such as increase in cost and increase in cost. Further, the two-layer film system is one in which the recording layer of the magneto-optical recording medium is a two-layer film to achieve overwriting.
It is disclosed in Japanese Patent No. 175948. The system described in the publication uses a magneto-optical recording medium having a two-layer recording layer including, for example, a memory layer made of TbFe and an auxiliary layer made of TbFeCo, and after initialization, an external magnetic field of It is intended to realize overwriting by irradiating laser beams having different powers and applied powers. That is,
In this method, the magnetization of the auxiliary layer is aligned in one direction by a magnetic field for initialization in advance of recording, and the medium temperature T is T> Tc 2 (Tc 2 is the Curie temperature of the auxiliary layer) by irradiation with a high-power laser beam. Recording is performed by raising the temperature to a temperature, applying a recording magnetic field (direction opposite to the initialization magnetic field) to reverse the magnetization of the auxiliary layer, and transferring the magnetization to the memory layer when the medium is cooled. In addition, the medium temperature is raised to a temperature of Tc 1 <T <Tc 2 (Tc 1 is the Curie temperature of the memory layer) by irradiating a low power laser beam, and the magnetization direction of the auxiliary layer is transferred to the memory layer. To erase. Therefore, this method has a problem that an initialization magnet is required.
【0005】本発明は上記従来技術の実状に鑑みてなさ
れたものであって、初期化磁界を印加しないで信頼性良
くオーバーライトでき、再生特性が良い光磁気記録媒体
及び光磁気記録方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances of the prior art, and provides a magneto-optical recording medium and a magneto-optical recording method which can be overwritten with high reliability without applying an initializing magnetic field and have good reproduction characteristics. The purpose is to do.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す第1
磁性層、第2磁性層及び第3磁性層を積層してなり、第
1磁性層の飽和磁化をMs1、保磁力をHc1、キュリー温
度をTc1、膜厚をt1、第2磁性層の飽和磁化をMs2、
保磁力をHc2、補償温度をTcomp2、キュリー温度をTc
2、膜厚をt2、第3磁性層の保磁力をHc3、補償温度を
Tcomp3、キュリー温度をT3、室温をTroom、第1磁性
層及び第2磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw1、第2
磁性層及び第3磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw2と
したときに下記の条件を満足することを特徴とする光磁
気記録媒体。 Troom<Tcomp3≒Tc3<Tc1<Tcomp2<Tc2 Hc1>Hc2>Hc3 Hc1>σw1/2Ms1t1 Hc2<σw2/2Ms2t2 が提供される。In order to achieve the above object, according to the present invention, a first magnetic film exhibiting perpendicular magnetic anisotropy is formed.
The magnetic layer, the second magnetic layer, and the third magnetic layer are laminated, and the saturation magnetization of the first magnetic layer is Ms 1 , the coercive force is Hc 1 , the Curie temperature is Tc 1 , the film thickness is t 1 , and the second magnetic layer is the second magnetic layer. The saturation magnetization of the layer is Ms 2 ,
Coercive force is Hc 2 , compensation temperature is Tcomp 2 , Curie temperature is Tc
2 , the film thickness t 2 , the coercive force of the third magnetic layer is Hc 3 , the compensation temperature is Tcomp 3 , the Curie temperature is T 3 , the room temperature is Troom, and the domain wall energy between the first magnetic layer and the second magnetic layer is σw. 1st and 2nd
A magneto-optical recording medium satisfying the following conditions when the interfacial domain wall energy between the magnetic layer and the third magnetic layer is σw 2 . Troom <Tcomp 3 ≒ Tc 3 < Tc 1 <Tcomp 2 <Tc 2 Hc 1> Hc 2> Hc 3 Hc 1> σw 1 / 2Ms 1 t 1 Hc 2 <σw 2 / 2Ms 2 t 2 is provided.
【0007】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第1磁性層と第2磁性層との間及び/又は第2磁性
層と第3磁性との間に、両層間の交換結合力を調整する
ための中間層を設けたことを特徴とする記載の光磁気記
録媒体が提供される。Further, according to the present invention, in the above structure, an exchange coupling force between the first magnetic layer and the second magnetic layer and / or between the second magnetic layer and the third magnetic layer is applied. There is provided the magneto-optical recording medium described above, which is provided with an intermediate layer for adjustment.
【0008】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第1磁性層及び第2磁性層がそれぞれ下記一般式化
1で表わされるアモルファス磁性膜から成ることを特徴
とする光磁気記録媒体が提供される。Further, according to the present invention, there is provided a magneto-optical recording medium having the above-mentioned structure, wherein the first magnetic layer and the second magnetic layer are each made of an amorphous magnetic film represented by the following general formula 1. To be done.
【化1】 (但し、RE1はTb,Gd,Dy,Ho及びErのう
ちの少なくとも1種類の重希土類金属元素、RE2はC
e,Pr,Nd,Pm,Sm及びEuのうちの少なくと
も1種類の軽希土類金属元素であり、0.15≦x≦
0.35、0≦y≦0.4、0≦z≦0.5である)[Chemical 1] (However, RE1 is at least one heavy rare earth metal element of Tb, Gd, Dy, Ho and Er, and RE2 is C
e, Pr, Nd, Pm, Sm, and at least one light rare earth metal element of Eu, and 0.15 ≦ x ≦
0.35, 0 ≦ y ≦ 0.4, 0 ≦ z ≦ 0.5)
【0009】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第1磁性層の光入射側に隣接して第1磁性層より保
磁力が小さくキュリー温度が大きい垂直磁気異方性を示
す下記一般式化2で表わされるアモルファス磁性膜から
成る再生層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。Further, according to the present invention, in the above structure, the following general formula showing the perpendicular magnetic anisotropy which is adjacent to the light incident side of the first magnetic layer and has a smaller coercive force and a higher Curie temperature than the first magnetic layer is given. There is provided a magneto-optical recording medium comprising a reproducing layer made of an amorphous magnetic film represented by Chemical Formula 2.
【化2】 (但し、RE3はTb,Gd,Dy,Ho及びErのう
ちの少なくとも1種類の重希土類金属元素、RE4はC
e,Pr,Nd,Pm,Sm及びEuのうちの少なくと
も1種類の軽希土類金属元素であり、0.15≦a≦
0.35、0≦b≦0.4、0≦c≦0.5である)[Chemical 2] (However, RE3 is a heavy rare earth metal element of at least one of Tb, Gd, Dy, Ho and Er, and RE4 is C
e, Pr, Nd, Pm, Sm, and at least one kind of light rare earth metal element of Eu, and 0.15 ≦ a ≦
0.35, 0 ≦ b ≦ 0.4, 0 ≦ c ≦ 0.5)
【0010】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第2磁性層の光入射側とは反対側の面に隣接して熱
伝導層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が提供
される。Further, according to the present invention, there is provided a magneto-optical recording medium having the above structure, wherein a heat conducting layer is provided adjacent to the surface of the second magnetic layer opposite to the light incident side. To be done.
【0011】また、本発明によれば、上記のいずれかの
光磁気記録媒体を用い、初期化磁界を印加せずに、Tc1
付近迄昇温させて消去を行い、Tc2付近迄昇温させて記
録を行うことを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。Further, according to the present invention, any one of the above magneto-optical recording media is used, and Tc 1 is applied without applying an initializing magnetic field.
There is provided a magneto-optical recording method characterized in that erasing is carried out by raising the temperature to the vicinity and recording is conducted by raising the temperature to the vicinity of Tc 2 .
【0012】さらに、本発明によれば、上記構成におい
て、第2磁性層の初期化をTc1付近まで昇温する過程
で、下記条件を満足する記録用バイアス磁界Hbを用い
て行うことを特徴とする光磁気記録方法が提供される。 Hc1±σw1/2Ms1t1>Hb>Hc3+σw2/2Ms3t3 (式中、Ms3は第3磁性層の飽和磁化、t3は第3磁性
層の膜厚である)Further, according to the present invention, in the above structure, the recording bias magnetic field Hb satisfying the following conditions is used in the process of increasing the temperature of the second magnetic layer to near Tc 1. A magneto-optical recording method is provided. Hc 1 ± σw 1 / 2Ms 1 t 1 >Hb> Hc 3 + σw 2 / 2Ms 3 t 3 (where Ms 3 is the saturation magnetization of the third magnetic layer and t 3 is the thickness of the third magnetic layer)
【0013】以下本発明を図面に基づき詳述する。図1
に本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す。この
構成例は、ガラス、プラスチック、セラミックなどから
成る透明基板1上にSiO2、SiO、Si3 N4、Al
Nなどから成る保護層(膜厚100〜5000Å)2を
設け、その上にそれぞれ垂直磁気異方性を示すアモルフ
ァス磁性膜から成る第1磁性層、第2磁性層4及び第3
磁性層5をその順に設け、さらにその上にSiO2、S
iO、Si3N4、AlNなどから成る保護層(膜厚10
0〜5000Å)6を設けた構成を有する。各膜はスパ
ッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形成
することができる。The present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Figure 1
An example of the structure of the magneto-optical recording medium according to the present invention is shown in FIG. In this configuration example, SiO 2 , SiO, Si 3 N 4 , Al is formed on the transparent substrate 1 made of glass, plastic, ceramic or the like.
A protective layer (film thickness 100 to 5000Å) 2 made of N or the like is provided, and a first magnetic layer, a second magnetic layer 4 and a third magnetic layer 4 each made of an amorphous magnetic film exhibiting perpendicular magnetic anisotropy are provided thereon.
A magnetic layer 5 is provided in that order, and SiO 2 and S are further formed thereon.
Protective layer made of iO, Si 3 N 4 , AlN, etc. (film thickness 10
0-5000Å) 6 is provided. Each film can be formed by a sputtering method, a vapor deposition method, an ion plating method, or the like.
【0014】第1磁性層3の構成材料としては下記式化
1で示される希土類−遷移金属系アモルファス合金が好
ましく使用される。As a constituent material of the first magnetic layer 3, a rare earth-transition metal type amorphous alloy represented by the following formula 1 is preferably used.
【化1】 (ただし、RE1はTb,Gd,Dy,Ho及びErの
うちの少なくとも1種類の重希土類金属元素、RE2は
Ce,Pr,Nd,Pm,Sm及びEuのうちの少なく
とも1種類の軽希土類金属元素であり、0.15≦x≦
0.35、0≦y≦0.4、0≦z≦0.5である)[Chemical 1] (However, RE1 is at least one heavy rare earth metal element of Tb, Gd, Dy, Ho, and Er, and RE2 is at least one light rare earth metal element of Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, and Eu. And 0.15 ≦ x ≦
0.35, 0 ≦ y ≦ 0.4, 0 ≦ z ≦ 0.5)
【0015】具体的には、Tb−Fe,Gd−Fe,G
d−Tb−Fe,Tb−Dy−Fe,Gd−Dy−F
e,Tb−Fe−Co,Gd−Fe−Co,Dy−Fe
−Co,Tb−Dy−Fe−Co,Gd−Tb−Fe−
Co,Gd−Dy−Fe−Co,Tb−Ho−Fe−C
o,Tb−Er−Fe−Coなどで上記条件を満足する
もの、及びこれらにCe,Pr,Nd,Pm,Sm及び
Euのうちの少なくとも1種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。特に、軽希土類金属元素を含
む組成の材料を用いた場合、短波長域の光源を用いて再
生したときの再生特性の低下が小さいという利点があ
る。第1磁性層3の膜厚t1は100〜2000Åが適
当である。Specifically, Tb-Fe, Gd-Fe, G
d-Tb-Fe, Tb-Dy-Fe, Gd-Dy-F
e, Tb-Fe-Co, Gd-Fe-Co, Dy-Fe
-Co, Tb-Dy-Fe-Co, Gd-Tb-Fe-
Co, Gd-Dy-Fe-Co, Tb-Ho-Fe-C
o, Tb-Er-Fe-Co, etc. which satisfy the above conditions, and those to which at least one light rare earth metal element of Ce, Pr, Nd, Pm, Sm and Eu is added are used. It In particular, when a material having a composition containing a light rare earth metal element is used, there is an advantage that the deterioration of reproduction characteristics is small when reproduction is performed using a light source of a short wavelength range. A suitable film thickness t 1 of the first magnetic layer 3 is 100 to 2000Å.
【0016】第2磁性層4の構成材料としては、第1磁
性層3と同様、下記一般式化1で表される希土類−遷移
金属系アモルファス合金が好ましく使用される。As the constituent material of the second magnetic layer 4, a rare earth-transition metal type amorphous alloy represented by the following general formula 1 is preferably used as in the first magnetic layer 3.
【化1】 (ただし、RE1はTb,Gd,Dy,Ho及びErの
うちの少なくとも1種類の重希土類金属元素、RE2は
Ce,Pr,Nd,Pm,Sm及びEuのうちの少なく
とも1種類の軽希土類金属元素であり、0.15≦x≦
0.35、0≦y≦0.4、0≦z≦0.5である)[Chemical 1] (However, RE1 is at least one heavy rare earth metal element of Tb, Gd, Dy, Ho, and Er, and RE2 is at least one light rare earth metal element of Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, and Eu. And 0.15 ≦ x ≦
0.35, 0 ≦ y ≦ 0.4, 0 ≦ z ≦ 0.5)
【0017】具体的には、Tb−Fe,Gd−Fe,G
d−Tb−Fe,Tb−Dy−Fe,Gd−Dy−F
e,Tb−Fe−Co,Gd−Fe−Co,Dy−Fe
−Co,Tb−Dy−Fe−Co,Gd−Tb−Fe−
Co,Gd−Dy−Fe−Co,Tb−Ho−Fe−C
o,Tb−Er−Fe−Co,Tb−Nd−Fe−C
o,Tb−Sm−Fe−Co,Tb−Eu−Fe−Co
など、及びこれらにCe、Pr、Nd、Pm、Sm及び
Euのうちの少なくとも一種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。この場合も、特に、軽希土類
金属元素を含む組成の材料を用いた場合、短波長域の光
源を用いて再生したときの再生特性の低下が小さいとい
う利点がある。第2磁性層4の膜厚t2は100〜30
00Åが適当である。Specifically, Tb-Fe, Gd-Fe, G
d-Tb-Fe, Tb-Dy-Fe, Gd-Dy-F
e, Tb-Fe-Co, Gd-Fe-Co, Dy-Fe
-Co, Tb-Dy-Fe-Co, Gd-Tb-Fe-
Co, Gd-Dy-Fe-Co, Tb-Ho-Fe-C
o, Tb-Er-Fe-Co, Tb-Nd-Fe-C
o, Tb-Sm-Fe-Co, Tb-Eu-Fe-Co
Etc., and those to which at least one kind of light rare earth metal element selected from Ce, Pr, Nd, Pm, Sm and Eu is added are used. Also in this case, in particular, when a material having a composition containing a light rare earth metal element is used, there is an advantage that the deterioration of the reproduction characteristic is small when the reproduction is performed using a light source of a short wavelength range. The film thickness t 2 of the second magnetic layer 4 is 100 to 30.
00Å is suitable.
【0018】第3磁性層5の構成材料としては、第1磁
性層3及び第2磁性層5と同様、下記一般式化1で表さ
れる希土類−遷移金属系アモルファス合金が好ましく使
用される。As the constituent material of the third magnetic layer 5, a rare earth-transition metal type amorphous alloy represented by the following general formula 1 is preferably used, like the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 5.
【化1】 (ただし、RE1はTb,Gd,Dy,Ho及びErの
うちの少なくとも1種類の重希土類金属元素、RE2は
Ce,Pr,Nd,Pm,Sm及びEuのうちの少なく
とも1種類の軽希土類金属元素であり、0.15≦x≦
0.35、0≦y≦0.4、0≦z≦0.5である)[Chemical 1] (However, RE1 is at least one heavy rare earth metal element of Tb, Gd, Dy, Ho, and Er, and RE2 is at least one light rare earth metal element of Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, and Eu. And 0.15 ≦ x ≦
0.35, 0 ≦ y ≦ 0.4, 0 ≦ z ≦ 0.5)
【0019】具体的には、Tb−Fe,Gd−Fe,G
d−Tb−Fe,Tb−Dy−Fe,Gd−Dy−F
e,Tb−Fe−Co,Gd−Fe−Co,Dy−Fe
−Co,Tb−Dy−Fe−Co,Gd−Tb−Fe−
Co,Gd−Dy−Fe−Co,Tb−Ho−Fe−C
o,Tb−Er−Fe−Co,Tb−Nd−Fe−C
o,Tb−Sm−Fe−Co,Tb−Eu−Fe−Co
など、及びこれらにCe、Pr、Nd、Pm、Sm及び
Euのうちの少なくとも一種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。この場合も、特に、軽希土類
金属元素を含む組成の材料を用いた場合、短波長域の光
源を用いて再生したときの再生特性の低下が小さいとい
う利点がある。第3磁性層4の膜厚t3は100〜30
00Åが適当である。Specifically, Tb-Fe, Gd-Fe, G
d-Tb-Fe, Tb-Dy-Fe, Gd-Dy-F
e, Tb-Fe-Co, Gd-Fe-Co, Dy-Fe
-Co, Tb-Dy-Fe-Co, Gd-Tb-Fe-
Co, Gd-Dy-Fe-Co, Tb-Ho-Fe-C
o, Tb-Er-Fe-Co, Tb-Nd-Fe-C
o, Tb-Sm-Fe-Co, Tb-Eu-Fe-Co
Etc., and those to which at least one kind of light rare earth metal element selected from Ce, Pr, Nd, Pm, Sm and Eu is added are used. Also in this case, in particular, when a material having a composition containing a light rare earth metal element is used, there is an advantage that the deterioration of the reproduction characteristic is small when the reproduction is performed using a light source of a short wavelength range. The thickness t 3 of the third magnetic layer 4 is 100 to 30.
00Å is suitable.
【0020】ここで第1磁性層3、第2磁性層4及び第
3磁性層5は、第1磁性層3の飽和磁化をMs1、保磁力
をHc1、キュリー温度をTc1、膜厚をt1、第2磁性層
4の飽和磁化をMs2、保磁力をHc2、補償温度をTcomp
2、キュリー温度をTc2、膜厚をt2、第3磁性層5の保
磁力をHc3、補償温度をTcomp3、キュリー温度をT3、
室温をTroom、第1磁性層3及び第2磁性層4間の界面
磁壁エネルギーをσw1、第2磁性層4及び第3磁性層5
間の界面磁壁エネルギーをσw2としたときに下記の条件
を満たしていなければならない。 Troom<Tcomp3≒Tc3<Tc1<Tcomp2<Tc2 …(1) Hc1>Hc2>Hc3 …(2) Hc1>σw1/2Ms1t1 …(3) Hc2<σw2/2Ms2t2 …(4)Here, the first magnetic layer 3, the second magnetic layer 4, and the third magnetic layer 5 have a saturation magnetization Ms 1 , a coercive force Hc 1 , a Curie temperature Tc 1 , and a film thickness of the first magnetic layer 3. Is t 1 , the saturation magnetization of the second magnetic layer 4 is Ms 2 , the coercive force is Hc 2 , and the compensation temperature is Tcomp.
2 , Curie temperature is Tc 2 , film thickness is t 2 , coercive force of the third magnetic layer 5 is Hc 3 , compensation temperature is Tcomp 3 , Curie temperature is T 3 ,
Room temperature is Troom, interface domain wall energy between the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4 is σ w 1 , the second magnetic layer 4 and the third magnetic layer 5 are
When the interfacial domain wall energy between is σ w 2 , the following conditions must be satisfied. Troom <Tcomp 3 ≒ Tc 3 < Tc 1 <Tcomp 2 <Tc 2 ... (1) Hc 1> Hc 2> Hc 3 ... (2) Hc 1> σw 1 / 2Ms 1 t 1 ... (3) Hc 2 <σw 2 / 2Ms 2 t 2 (4)
【0021】先ず、上記(1)の条件について説明する
と、第2磁性層4の磁化を第1磁性層3へ磁化転写し
て、第1磁性層3に磁化をメモリさせるため、Tc2はT
c1より大きく、当然Tc1とTc2はTroomより大きくなけ
ればならない。また、記録バイアス磁界のみで記録と消
去を行うため、Tcomp2はTc1より大きく、Tc2より小
さくなければならない。さらに、記録バイアス磁界を用
いての初期化を確実に行うため、Tc3とTcomp3はほぼ
等しく(|Tc3−Tcomp3|<20℃)、当然Tc3とTc
omp3はTroomより大きくなければならない。Tc1は13
0〜200℃が適当であり、Tc2は200〜300℃が
適当であり、Tc3は70〜130℃が適当である。First, the condition (1) will be described. In order to transfer the magnetization of the second magnetic layer 4 to the first magnetic layer 3 and store the magnetization in the first magnetic layer 3, Tc 2 is T.
Greater than c 1 and of course Tc 1 and Tc 2 must be greater than Troom. Since recording and erasing are performed only by the recording bias magnetic field, Tcomp 2 must be larger than Tc 1 and smaller than Tc 2 . Furthermore, in order to ensure the initialization using the recording bias magnetic field, Tc 3 and Tcomp 3 are almost equal (| Tc 3 −Tcomp 3 | <20 ° C.), and naturally Tc 3 and Tc
omp 3 must be greater than Troom. Tc 1 is 13
0 to 200 ° C is suitable, Tc 2 is suitably 200 to 300 ° C, and Tc 3 is suitably 70 to 130 ° C.
【0022】次に、上記(2)の条件について説明する
と、Hc1≦Hc2になると第1磁性層3の磁化がバイアス
磁界や外部磁界により磁化反転させられることになるた
め、Hc1>Hc2でなければならない。また記録バイアス
磁界を用いての第2磁性層4の初期化を確実に行うため
に第3磁性層5の磁化を利用するため、Hc2>Hc3でな
ければならない。Next, the condition (2) will be described. When Hc 1 ≤Hc 2 , the magnetization of the first magnetic layer 3 is reversed by a bias magnetic field or an external magnetic field, so that Hc 1 > Hc. Must be 2 . Further, since the magnetization of the third magnetic layer 5 is used to surely initialize the second magnetic layer 4 using the recording bias magnetic field, Hc 2 > Hc 3 must be satisfied.
【0023】次に、上記(3)及び(4)の条件につい
て説明する。Hc1は室温Troomでの第1磁性層3の磁化
が交換結合力により第2磁性層4の磁化方向を向かない
ように(3)式を満たしていなければならない。またH
c2は第1磁性層3の磁化と第2磁性層4の磁化とが交換
結合力により常に安定になるようにするため(4)式を
満たしていなければならない。Hc1は5KOe以下が適
当であり、Hc2は0.5〜3KOeが適当であり、Hc3
は0.5KOe以下が適当である。Ms1は0〜150e
mu/ccが適当であり、Ms2は100〜300emu
/ccが適当である。上記の(1)〜(4)の条件を満
足するものは、記録バイアス磁界のみを用いて第2磁性
層4の磁化方向をレーザ照射温度により変えることがで
き、その磁化を第1磁性層3に交換結合力により磁化転
写できるため、初期化磁界なしにオーバーライトを行う
ことが可能となる。Next, the conditions (3) and (4) will be described. Hc 1 must satisfy equation (3) so that the magnetization of the first magnetic layer 3 at room temperature Troom does not face the magnetization direction of the second magnetic layer 4 due to the exchange coupling force. Also H
c 2 must satisfy equation (4) so that the magnetization of the first magnetic layer 3 and the magnetization of the second magnetic layer 4 are always stable due to the exchange coupling force. Hc 1 is suitably 5 KOe or less, Hc 2 is suitably 0.5 to 3 KOe, Hc 3
0.5 KOe or less is suitable. Ms 1 is 0 to 150e
mu / cc is suitable and Ms 2 is 100 to 300 emu.
/ Cc is suitable. Those satisfying the above conditions (1) to (4) can change the magnetization direction of the second magnetic layer 4 by the laser irradiation temperature only by using the recording bias magnetic field, and the magnetization is changed to the first magnetic layer 3. Since the magnetization can be transferred by the exchange coupling force, the overwriting can be performed without the initialization magnetic field.
【0024】上記構成例では記録層を二層構造とした
が、本発明によれば、図2に示すように、第1磁性層3
と第2磁性層4との間の交換結合力及び/又は第2磁性
層4と第3磁性層5との間の交換結合力をコントロール
する目的で、これらの層間に中間層7及び/又は中間層
8を設けてもよい。中間層7、8の材料としては、第1
磁性層3、第2磁性層4及び第3磁性層5を劣化させな
いもので、非磁性材料の垂直磁気異方性の小さい磁性材
料が好ましい。具体的には、希土類金属−遷移金属系ア
モルファス磁性膜はもちろんのこと、Si,Al,A
g,Au,Cu,Fe,Co,Ni,Cr,Si−N,
Al−N,Fe−N,SiO,SiO2,Fe−Co,
Gd,Tb,Dy,Nd等を挙げることができる。中間
層7、8の膜厚は薄すぎると交換結合力の調整効果は得
られず、厚すぎると両磁性層間の交換結合力が小さくな
りすぎ記録及び消去に支障をきたすので、数Å〜500
Å程度が適当である。中間層7、8は、スパッタ法、蒸
着法、イオンプレーティング法等により形成することが
できる。Although the recording layer has a two-layer structure in the above configuration example, according to the present invention, as shown in FIG. 2, the first magnetic layer 3 is formed.
For the purpose of controlling the exchange coupling force between the second magnetic layer 4 and the second magnetic layer 4 and / or the exchange coupling force between the second magnetic layer 4 and the third magnetic layer 5, an intermediate layer 7 and / or an intermediate layer 7 between these layers. The intermediate layer 8 may be provided. The material of the intermediate layers 7 and 8 is the first
A magnetic material that does not deteriorate the magnetic layer 3, the second magnetic layer 4, and the third magnetic layer 5 and has a small perpendicular magnetic anisotropy is preferable. Specifically, not only the rare earth metal-transition metal amorphous magnetic film, but also Si, Al, A
g, Au, Cu, Fe, Co, Ni, Cr, Si-N,
Al-N, Fe-N, SiO, SiO 2, Fe-Co,
Gd, Tb, Dy, Nd, etc. can be mentioned. If the film thickness of the intermediate layers 7 and 8 is too thin, the effect of adjusting the exchange coupling force cannot be obtained, and if it is too thick, the exchange coupling force between both magnetic layers becomes too small, which hinders recording and erasing.
Å About is appropriate. The intermediate layers 7 and 8 can be formed by a sputtering method, a vapor deposition method, an ion plating method, or the like.
【0025】また、本発明の光磁気記録媒体では、図3
に示すように、第1磁性層3の光入射側に隣接して、第
1磁性層3より保磁力Hcが小さく、キュリー温度Tcが
大きい垂直磁気異方性を示すアモルファス磁性膜から成
る再生層9を設けることができる。In the magneto-optical recording medium of the present invention, as shown in FIG.
As shown in FIG. 3, a reproducing layer formed of an amorphous magnetic film adjacent to the light incident side of the first magnetic layer 3 and having a perpendicular magnetic anisotropy with a smaller coercive force Hc and a higher Curie temperature Tc than the first magnetic layer 3. 9 can be provided.
【0026】再生層9の材料としては、下記一般式化2
で表わされる磁気光学効果の大きい希土類−遷移金属系
アモルファス合金が好ましく使用される。As the material of the reproduction layer 9, the following general formula 2
A rare earth-transition metal-based amorphous alloy having a large magneto-optical effect is preferably used.
【0027】[0027]
【化2】 (但し、RE3はTb,Gd,Dy,Ho及びErのう
ちの少なくとも1種類の重希土類金属元素、RE4はC
e,Pr,Nd,Pm,Sm及びEuのうちの少なくと
も1種類の軽希土類金属元素であり、0.15≦a≦
0.35、0≦b≦0.4、0≦c≦0.5である)[Chemical 2] (However, RE3 is a heavy rare earth metal element of at least one of Tb, Gd, Dy, Ho and Er, and RE4 is C
e, Pr, Nd, Pm, Sm, and at least one kind of light rare earth metal element of Eu, and 0.15 ≦ a ≦
0.35, 0 ≦ b ≦ 0.4, 0 ≦ c ≦ 0.5)
【0028】具体的には、Tb−Fe、Gd−Fe、G
d−Tb−Fe、Tb−Dy−Fe、Gd−Dy−F
e、Tb−Fe−Co、Gd−Fe−Co、Dy−Fe
−Co、Tb−Dy−Fe−Co、Gd−Tb−Fe−
Co、Gd−Dy−Fe−Co、Tb−Ho−Fe−C
o、Tb−Er−Fe−Coなど、及びこれらにCe、
Pr、Nd、Pm、Sm及びEuのうちの少なくとも1
種類の軽希土類元素を添加したものが使用される。再生
層の膜厚は、光を透過することができる位に薄くする必
要があり、600Å以下が最適である。再生層9は、ス
パッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形
成することができる。再生層9は、再生特性を向上させ
る役目をもつ。この場合、再生層9の磁化は、第1磁性
層3の磁化情報を転写した状態になっていないといけな
いため、再生層9の保磁力Hcrは小さく、Hcr<Hc1と
いう条件を満足してないといけない。Hcrは0.1〜2
KOeであるのが好ましい。また、第1磁性層3の磁化
情報がなくなる前に再生層9の磁化情報がなくなると読
取りエラーになるため、再生層9のキュリー温度Tcr
は、Tcr>Tc1という条件を満足してないといけない。
Tcrは120〜300℃であるのが好ましい。再生層9
に転写された磁化情報は、再生レーザ光を用いて磁気光
学効果を利用して読出す。このとき、再生層9は磁気光
学効果の大きい材料から成っているうえ、再生層9の膜
厚は光が透過できる位に薄く(600Å以下)なってい
るため、カー効果だけでなく、ファラデー効果を利用す
ることができ、磁気光学効果がエンハンスされ、再生特
性を向上させることができる。Specifically, Tb-Fe, Gd-Fe, G
d-Tb-Fe, Tb-Dy-Fe, Gd-Dy-F
e, Tb-Fe-Co, Gd-Fe-Co, Dy-Fe
-Co, Tb-Dy-Fe-Co, Gd-Tb-Fe-
Co, Gd-Dy-Fe-Co, Tb-Ho-Fe-C
o, Tb-Er-Fe-Co, etc., and Ce,
At least one of Pr, Nd, Pm, Sm, and Eu
The one to which the light rare earth element of the kind is added is used. The thickness of the reproducing layer needs to be thin enough to allow light to pass therethrough, and 600 Å or less is optimal. The reproduction layer 9 can be formed by a sputtering method, a vapor deposition method, an ion plating method, or the like. The reproduction layer 9 has a role of improving reproduction characteristics. In this case, the magnetization of the reproducing layer 9 must be in a state in which the magnetization information of the first magnetic layer 3 is transferred, so that the coercive force Hcr of the reproducing layer 9 is small and the condition of Hcr <Hc 1 is satisfied. I have to. Hcr is 0.1-2
It is preferably KOe. Further, if the magnetization information of the reproducing layer 9 is lost before the magnetization information of the first magnetic layer 3 is lost, a read error occurs, so the Curie temperature Tcr of the reproducing layer 9 is increased.
Must satisfy the condition of Tcr> Tc 1 .
Tcr is preferably 120 to 300 ° C. Reproduction layer 9
The magnetization information transferred to is read out by utilizing the magneto-optical effect using the reproduction laser light. At this time, since the reproducing layer 9 is made of a material having a large magneto-optical effect, and the film thickness of the reproducing layer 9 is thin enough to transmit light (600 Å or less), not only the Kerr effect but also the Faraday effect is obtained. Can be utilized, the magneto-optical effect is enhanced, and the reproducing characteristic can be improved.
【0029】また、本発明の光磁気記録媒体では、図4
に示すように、第2磁性層4の光入射側とは反対の面に
隣接して、熱伝導層10を設けることができる。この熱
伝導層10は熱の横方向への拡がりを少なくし、記録磁
区形状を均一なものにして再生特性を向上させる役目を
もつ。熱伝導層10の材料としてはAl,Cu,Au,
Ag,Pt,SiC,AlN等があげられる。熱伝導層
10の膜厚は100〜3000Åが好ましく、スパッタ
法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形成する
ことができる。このような構成にすると、記録の際、熱
伝導層10がヒートシンク層としての役割を果たし、各
磁性層の膜温度の横方向への拡がりが少なくなり、記録
磁区の前縁の形状と後縁の形状が異なるとか、記録磁区
の長さが実際の記録パターンより長く伸びてしまう等の
不具合点がなくなり、均一な磁区形状になり、再生特性
が改良される。また、熱の横への拡がりがないため微小
な磁区の記録も可能になり、高密度記録にも適するもの
となる。In the magneto-optical recording medium of the present invention, as shown in FIG.
As shown in, the heat conduction layer 10 can be provided adjacent to the surface of the second magnetic layer 4 opposite to the light incident side. The heat conductive layer 10 has a role of reducing the spread of heat in the lateral direction and making the shape of the recording magnetic domain uniform to improve the reproducing characteristic. As the material of the heat conduction layer 10, Al, Cu, Au,
Examples thereof include Ag, Pt, SiC, AlN and the like. The thickness of the heat conduction layer 10 is preferably 100 to 3000 liters, and can be formed by a sputtering method, a vapor deposition method, an ion plating method, or the like. With such a configuration, the heat conduction layer 10 plays a role as a heat sink layer during recording, the lateral spread of the film temperature of each magnetic layer is reduced, and the leading edge shape and trailing edge of the recording magnetic domain are reduced. There is no problem that the shape of the magnetic recording medium is different or the length of the recording magnetic domain extends longer than the actual recording pattern, so that a uniform magnetic domain shape is obtained and the reproducing characteristic is improved. In addition, since there is no lateral spread of heat, it is possible to record minute magnetic domains, which is suitable for high density recording.
【0030】なお、本発明で用いる光磁気記録媒体の層
構成は図1〜図4に示すものに限定されるものでなく種
々の変形、変更が可能である。The layer structure of the magneto-optical recording medium used in the present invention is not limited to those shown in FIGS. 1 to 4, and various modifications and changes can be made.
【0031】次に本発明の光磁気記録方法について説明
する。本発明の方法では、Tc1付近迄温度上昇する過程
で下記条件を満足するバイアス磁界Hbを付与し、初期
化磁界を印加しないで、消去を行い、Tc1付近間迄昇温
させて記録を行う。 Hc1±σw1/2Ms1t1>Hb>Hc3+σw2/2Ms3t3 (5)Next, the magneto-optical recording method of the present invention will be described. In the method of the present invention, a bias magnetic field Hb satisfying the following conditions is applied in the process of increasing the temperature to around Tc 1 , erasing is performed without applying an initializing magnetic field, and the temperature is raised to around Tc 1 for recording. To do. Hc 1 ± σw 1 / 2Ms 1 t 1 >Hb> Hc 3 + σw 2 / 2Ms 3 t 3 (5)
【0032】図5は本発明の方法による記録及び消去を
説明するための図である。本発明において消去を行うと
きには、低いレーザパワー(PL)を照射し、膜温度T
をTc1付近(Tc1−20≦T≦Tc1+20[℃])迄上
げて行う。レーザ照射を行う前は第1磁性層3では前に
記録された方向に磁化は向いており、第2磁性層4では
第1磁性層3の磁化による交換結合力によりエネルギー
的に安定な方向に磁化が向いており、第3磁性層5では
第2磁性層4の磁化による交換結合力により第2磁性層
4の磁化と同じ方向に磁化が向いている。そこへレーザ
照射を行うと、第3磁性層5の磁化は昇温過程でバイア
ス磁界Hb方向に向き、それに伴ない、交換結合力によ
り第2磁性層4の磁化は第3磁性層5の磁化と同方向
(バイアス磁界Hb方向)を向く。Tc1付近ではHc2は
非常に大きくなるので、そのまま凍結される。そのとき
第1磁性層3の磁化は徐々に小さくなり、Tc1でゼロに
なる。また、第3磁性層5はTc3より温度が高くなって
いるため、その磁化もゼロになってしまう。そのあとレ
ーザ照射が終り、膜温度が降下する際に、第2磁性層4
の磁化が交換結合力により第1磁性層3へ磁化転写さ
れ、室温TroomにもどったときにはHc1は非常に大きい
ため、そのまま凍結される。逆に第2磁性層4はHc2が
小さいので、室温Troom付近では第1磁性層3の磁化と
の交換結合力によりエネルギー的に安定な方向に磁化が
向き、第3磁性層5も降温過程で第2磁性層4との交換
結合力により、第2磁性層4の磁化と同じ方向に磁化が
向く。以上のようにして消去がなされる。FIG. 5 is a diagram for explaining recording and erasing by the method of the present invention. In the present invention, when erasing is performed, a low laser power (PL) is applied and the film temperature T
Up to near Tc 1 (Tc 1 −20 ≦ T ≦ Tc 1 +20 [° C.]). Before laser irradiation, the magnetization is oriented in the previously recorded direction in the first magnetic layer 3, and in the second magnetic layer 4 in the energy stable direction by the exchange coupling force due to the magnetization of the first magnetic layer 3. The magnetization is oriented, and the magnetization of the third magnetic layer 5 is oriented in the same direction as the magnetization of the second magnetic layer 4 due to the exchange coupling force of the magnetization of the second magnetic layer 4. When the laser irradiation is performed there, the magnetization of the third magnetic layer 5 is oriented in the bias magnetic field Hb direction during the temperature rising process, and the magnetization of the second magnetic layer 4 is accordingly magnetized by the exchange coupling force. And the same direction (bias magnetic field Hb direction). Since Hc 2 becomes very large near Tc 1 , it is frozen as it is. At that time, the magnetization of the first magnetic layer 3 gradually decreases and becomes zero at Tc 1 . Further, since the temperature of the third magnetic layer 5 is higher than Tc 3 , its magnetization becomes zero. After that, when the laser irradiation ends and the film temperature drops, the second magnetic layer 4
Is transferred to the first magnetic layer 3 by the exchange coupling force, and when returning to the room temperature Troom, Hc 1 is very large and is frozen as it is. On the contrary, since Hc 2 of the second magnetic layer 4 is small, the magnetization is oriented in an energetically stable direction by the exchange coupling force with the magnetization of the first magnetic layer 3 near the room temperature Troom, and the temperature of the third magnetic layer 5 is lowered. Then, due to the exchange coupling force with the second magnetic layer 4, the magnetization is oriented in the same direction as the magnetization of the second magnetic layer 4. Erasing is performed as described above.
【0033】本発明において記録を行うときには、高い
レーザパワー(PH)を照射し、膜温度TをTc2付近
(Tc2−20≦T≦Tc2+30[℃])迄上げて行う。
膜温度TをTc2付近まで上げると第1磁性層3及び第3
磁性層5の磁化はゼロになり、第2磁性層4の磁化もゼ
ロに近づく。このため第2磁性層4は、バイアス磁界H
b方向に磁化反転(記録)され、冷却過程で凍結され
る。温度降下してTcomp2を通る際に、副格子磁化がT
MドミナントからREドミナントに変化するため、全体
の磁化は再び反転する。そして、さらに温度降下してT
c1付近を通るときに、交換結合力により第2磁性層4か
ら第1磁性層3へ磁化転写され、室温Troomで第1磁性
層3の磁化は凍結される。第2磁性層4の磁化は、室温
Troom付近で、第1磁性層3の磁化との交換結合力によ
りエネルギー的に安定な方向に向く。第3磁性層5は降
温過程で第2磁性層4との交換結合力により第2磁性層
3の磁化と同じ方向に磁化が向く。以上のようにして記
録がなされる。[0033] when recording in the present invention, by irradiating a high laser power (PH), carried out by raising the film temperature T up to the vicinity of Tc 2 (Tc 2 -20 ≦ T ≦ Tc 2 +30 [℃]).
When the film temperature T is increased to around Tc 2 , the first magnetic layer 3 and the third magnetic layer 3
The magnetization of the magnetic layer 5 becomes zero, and the magnetization of the second magnetic layer 4 also approaches zero. Therefore, the second magnetic layer 4 has a bias magnetic field H
The magnetization is reversed (recorded) in the b direction and frozen during the cooling process. When the temperature drops and passes through Tcomp 2 , the sublattice magnetization is T
Since the M dominant changes to the RE dominant, the entire magnetization is reversed again. Then, the temperature drops further and T
When passing near c 1 , the magnetization is transferred from the second magnetic layer 4 to the first magnetic layer 3 by the exchange coupling force, and the magnetization of the first magnetic layer 3 is frozen at room temperature Troom. The magnetization of the second magnetic layer 4 is oriented in the energetically stable direction due to the exchange coupling force with the magnetization of the first magnetic layer 3 near room temperature Troom. The magnetization of the third magnetic layer 5 is oriented in the same direction as the magnetization of the second magnetic layer 3 due to the exchange coupling force with the second magnetic layer 4 during the temperature decrease process. The recording is performed as described above.
【0034】このように本発明の光磁気記録方法では、
初期化磁界を印加しないで記録及び消去が行え、かつ室
温Troomでは磁性層間に界面磁壁が存在する状態にはな
らないので、記録磁区の安定性に優れている。As described above, in the magneto-optical recording method of the present invention,
Recording and erasing can be performed without applying an initializing magnetic field, and the interface domain wall does not exist between the magnetic layers at room temperature Troom. Therefore, the stability of the recording magnetic domain is excellent.
【0035】[0035]
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はここに例示の実施例に限定されるものではな
い。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
The invention is not limited to the embodiments illustrated here.
【0036】実施例1及び比較例 グルーブ付きポリカーボネート(PC)基板(直径13
0mm)上にrfマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し、光磁気記録媒体を作製した。 −比較例の層構成− 保護層 :Si3N4 (800Å) 第1磁性層:Tb0.21(Fe0.9Co0.1)0.79 (500
Å) 第2磁性層:(Gd0.5Tb0.5)0.19(Fe0.85Co0.15)
0.81 (1500Å) 保護層 :Si3N4 (500Å) −実施例1の層構成− 保護層 :Si3N4 (800Å) 第1磁性層:Tb0.21(Fe0.9Co0.1)0.79 (500
Å) 第2磁性層:(Gd0.8Tb0.2)0.28(Fe0.85Co0.15)
0.72 (500Å) 第3磁性層:Dy0.27(Fe0.9Co0.1)0.73 (100
0Å) 保護層 :Si3N4 (500Å)Example 1 and Comparative Example Polycarbonate (PC) substrate with groove (diameter 13
0 mm) and the following films were successively laminated in vacuum by an rf magnetron sputtering method to prepare a magneto-optical recording medium. - layer structure of Comparative Example - protective layer:.. Si 3 N 4 ( 800Å) the first magnetic layer: Tb 0 21 (.. Fe 0 9 Co 0 1) 0 79 (500
Å) second magnetic layer:..... (Gd 0 5 Tb 0 5) 0 19 (Fe 0 85 Co 0 15)
. 0 81 (1500Å) protective layer: Si 3 N 4 (500Å) - layer structure of Example 1 - protective layer:.. Si 3 N 4 ( 800Å) the first magnetic layer: Tb 0 21 (Fe 0 9 Co 0 . 1) 0.79 (500
Å) second magnetic layer:..... (Gd 0 8 Tb 0 2) 0 28 (Fe 0 85 Co 0 15)
. 0 72 (500Å) the third magnetic layer:.. Dy 0 27 (. . Fe 0 9 Co 0 1) 0 73 (100
0 Å) Protective layer: Si 3 N 4 (500 Å)
【0037】比較例の媒体の磁気特性を表1に、実施例
1の磁気特性を表2にそれぞれ示す。The magnetic characteristics of the medium of the comparative example are shown in Table 1, and the magnetic characteristics of Example 1 are shown in Table 2.
【表1】 [Table 1]
【0038】[0038]
【表2】 [Table 2]
【0039】また、σwについては比較例の媒体では
1.5erg/cm2、実施例1の媒体ではσw1=1.
4erg/cm2、σw2=1.5erg/cm2であり、
σw/2Ms1t1については比較例の媒体では4.4KO
eであり、実施例1の媒体ではσw1/2Ms1t1=4.1
KOe、σw2/2Ms2t2=1.2KOeであった。With respect to σw, the medium of the comparative example has 1.5 erg / cm 2 , and the medium of Example 1 has σw 1 = 1.
4 erg / cm 2 , σw 2 = 1.5 erg / cm 2 ,
σw / 2Ms 1 t 1 is 4.4 KO in the medium of the comparative example.
is e, the medium of Example 1 σw 1 / 2Ms 1 t 1 = 4.1
KOe, σw 2 / 2Ms 2 t 2 = 1.2KOe.
【0040】上記で作製した比較例及び実施例1の媒体
につき、比較例の媒体については4KOeの初期化磁界
を印加し、実施例1の媒体については初期化磁界を印加
しないで、下記の条件でオーバーライト特性を測定し、
比較した。バイアス磁界Hbについては前述の(5)式
を満足するよう0.5KOeの磁界を図5に示す方向に
印加した。また、12mWのレーザ照射で媒体温度は約
280℃まで昇温し、6mWのレーザ照射で媒体温度は
約180℃まで昇温した。 記録時のレーザパワー:12mW 消去時のレーザパワー: 6mW 再生時のレーザパワー: 1mW 線速 : 7m/sRegarding the mediums of the comparative example and the example 1 produced as described above, the initializing magnetic field of 4 KOe was applied to the medium of the comparative example, and the initializing magnetic field was not applied to the medium of the example 1 under the following conditions. Measure the overwrite characteristics with
Compared. Regarding the bias magnetic field Hb, a magnetic field of 0.5 KOe was applied in the direction shown in FIG. 5 so as to satisfy the above-mentioned expression (5). Further, the medium temperature was raised to about 280 ° C. by the laser irradiation of 12 mW, and the medium temperature was raised to about 180 ° C. by the laser irradiation of 6 mW. Laser power during recording: 12 mW Laser power during erasing: 6 mW Laser power during reproducing: 1 mW Linear velocity: 7 m / s
【0041】比較例及び実施例1の媒体について上記条
件で1MHzの信号を記録、再生したときのC/N及び
この上に2MHzのオーバーライトを実施したときのC
/Nを表3に示す。With respect to the media of Comparative Example and Example 1, C / N when a 1 MHz signal was recorded and reproduced under the above conditions and C when a 2 MHz overwrite was performed on this
/ N is shown in Table 3.
【表3】 [Table 3]
【0042】上記本結果より、本発明による実施例1の
媒体は初期化磁界を用いなくとも、初期化磁界を用いた
比較例の媒体と同等のオーバーライト特性が得られるこ
とが分かった。なお、比較例の媒体では初期化磁界を用
いない場合にはオーバーライトはできなかった。From the above results, it was found that the medium of Example 1 according to the present invention can obtain the overwrite characteristic equivalent to that of the medium of the comparative example using the initializing magnetic field without using the initializing magnetic field. It should be noted that the medium of the comparative example could not be overwritten when the initialization magnetic field was not used.
【0043】実施例2 グルーブ付きポリカーボネート(PC)基板(直径13
0mm)上にrfマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層して光磁気記録媒体を作製した。 保護層 :Si3N4 (800Å) 第1磁性層:Tb0.21(Fe0.9Co0.1)0.79 (500
Å) 中間層 :Gd0.35(Fe0.85Co0.15)0.65 (10
0Å) 第2磁性層:(Gd0.8Tb0.2)0.28(Fe0.85Co0.15)
0.72 (500Å) 中間層 :Gd0.35(Fe0.85Co0.15)0.65 (50
Å) 第3磁性層:Dy0.27(Fe0.9Co0.1)0.73 (1000
Å) 保護層 :Si3N4 (500Å)Example 2 Polycarbonate (PC) substrate with groove (diameter 13)
0 mm) and the following films were successively laminated in vacuum by an rf magnetron sputtering method to prepare a magneto-optical recording medium. Protective layer: Si 3 N 4 (800Å) the first magnetic layer:.. Tb 0 21 (. . Fe 0 9 Co 0 1) 0 79 (500
Å) Intermediate layer:.... Gd 0 35 (Fe 0 85 Co 0 15) 0 65 (10
0 Å) second magnetic layer:..... (Gd 0 8 Tb 0 2) 0 28 (Fe 0 85 Co 0 15)
. 0 72 (500Å) Intermediate layer:.. Gd 0 35 (. . Fe 0 85 Co 0 15) 0 65 (50
Å) third magnetic layer:.... Dy 0 27 (Fe 0 9 Co 0 1) 0 73 (1000
Å) Protective layer: Si 3 N 4 (500 Å)
【0044】第1磁性層、第2磁性層及び第3磁性層の
磁気特性は、それぞれ実施例1の場合と同じであった。The magnetic characteristics of the first magnetic layer, the second magnetic layer and the third magnetic layer were the same as in the case of Example 1, respectively.
【0045】この媒体のオーバーライト特性を初期化磁
界を印加しないで下記の条件で評価した。 記録時のレーザパワー: 12mW 消去時のレーザパワー: 6mW 再生時のレーザパワー: 1mW 線速 : 7m/s バイアス磁界Hb :0.5KOeThe overwrite characteristics of this medium were evaluated under the following conditions without applying an initializing magnetic field. Laser power during recording: 12 mW Laser power during erasing: 6 mW Laser power during reproducing: 1 mW Linear velocity: 7 m / s Bias magnetic field Hb: 0.5 KOe
【0046】上記の条件で実施例2の媒体について1M
Hzの信号を記録再生したときのC/N及びこの上に2
MHzのオーバーライトを実施したときのC/Nを表4
に示す。Under the above conditions, 1M for the medium of Example 2
C / N when recording and reproducing the Hz signal and 2 on this
Table 4 shows the C / N ratio when overwriting at MHz.
Shown in.
【表4】 [Table 4]
【0047】本結果より、第1磁性層と第2磁性層との
間及び第2磁性層と第3磁性層との間にそれぞれに中間
層を設けた場合には、設けない場合(実施例1参照)よ
りさらにオーバーライト特性が良くなることが分かっ
た。From the above results, it is shown that when the intermediate layer is provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer and between the second magnetic layer and the third magnetic layer, the intermediate layer is not provided (Examples). It was found that the overwrite characteristic was further improved as compared with (1).
【0048】実施例3 グルーブ付きポリカーボネート(PC)基板(直径13
0mm)上にrfマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 :Si3N4 (800Å) 第1磁性層:(Nd0.2Tb0.8)0.22(Fe0.9Co0.1)0.
78 (500Å) 第2磁性層:(Gd0.8Tb0.2)0.28(Fe0.85Co0.15)
0.72 (500Å) 第3磁性層:Dy0.27(Fe0.9Co0.1)0.73 (1000
Å) 保護層 :Si3N4 (500Å)Example 3 Polycarbonate (PC) substrate with groove (diameter 13)
0 mm) and the following films were successively laminated in vacuum by an rf magnetron sputtering method to produce a magneto-optical recording medium. Protective layer: Si 3 N 4 (800Å) the first magnetic layer:. (.. Nd 0 2 Tb 0 8) 0 22 (.. Fe 0 9 Co 0 1) 0.
78 (500 Å) the second magnetic layer:. (.. Gd 0 8 Tb 0 2) 0 28 (.. Fe 0 85 Co 0 15)
. 0 72 (500Å) the third magnetic layer:.. Dy 0 27 (. . Fe 0 9 Co 0 1) 0 73 (1000
Å) Protective layer: Si 3 N 4 (500 Å)
【0049】第1磁性層、第2磁性層及び第3磁性層の
磁気特性は以下のようになった。The magnetic characteristics of the first magnetic layer, the second magnetic layer and the third magnetic layer are as follows.
【表5】 [Table 5]
【0050】実施例3の媒体について初期化磁界を印加
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Hbについては前述の(5)式を満足する
よう0.5KOeの磁界を図5に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー:12mW 消去時のレーザパワー: 6mW 再生時のレーザパワー: 1mW 線速 : 7m/sThe overwrite characteristics of the medium of Example 3 were evaluated under the following conditions without applying an initializing magnetic field.
Regarding the bias magnetic field Hb, a magnetic field of 0.5 KOe was applied in the direction shown in FIG. 5 so as to satisfy the above-mentioned expression (5). Laser power during recording: 12 mW Laser power during erasing: 6 mW Laser power during reproducing: 1 mW Linear velocity: 7 m / s
【0051】上記の条件で実施例3の媒体について1M
Hzの信号を記録、再生したときのC/N及びこの上に
2MHzのオーバーライトを実施したときのC/Nを表
6に示す。Under the above conditions, 1M of the medium of Example 3 was used.
Table 6 shows the C / N when recording and reproducing the Hz signal and the C / N when the 2 MHz overwrite is performed on the C / N.
【表6】 [Table 6]
【0052】上記結果より、第1磁性層に軽希土類元素
を添加した場合でも、実施例1の媒体と同等のオーバー
ライト特性が得られることが分かった。本実施例のよう
に軽希土類元素を添加した場合には、レーザ光の波長が
短くなった場合でも磁気光効果の落込みが小さいので有
利である。From the above results, it was found that even when the light rare earth element was added to the first magnetic layer, the overwrite characteristic equivalent to that of the medium of Example 1 was obtained. It is advantageous to add a light rare earth element as in the present embodiment because the drop of the magneto-optical effect is small even when the wavelength of the laser light is shortened.
【0054】実施例4 グルーブ付きポリカーボネート(PC)基板(直径13
0mm)上にrfマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒を作製した。 保護層 :Si3N4 (800Å) 再生層 :(Gd0.5Tb0.5)0.22(Fe0.9Co0.1)0.
78 (300Å) 第1磁性層:Tb0.21(Fe0.9Co0.1)0.79 (500
Å) 第2磁性層:(Gd0.8Tb0.2)0.28(Fe0.85Co0.15)
0.72 (500Å) 第3磁性層:Dy0.27(Fe0.9Co0.1)0.73 (1000
Å) 保護層 :Si3N4 (500Å)Example 4 Polycarbonate (PC) substrate with groove (diameter 13)
0 mm) and the following films were successively laminated in vacuum by an rf magnetron sputtering method to prepare a magneto-optical recording medium. Protective layer: Si 3 N 4 (800Å) reproducing layer:. (.. Gd 0 5 Tb 0 5) 0 22 (.. Fe 0 9 Co 0 1) 0.
78 (300 Å) first magnetic layer:.. Tb 0 21 (. . Fe 0 9 Co 0 1) 0 79 (500
Å) second magnetic layer:..... (Gd 0 8 Tb 0 2) 0 28 (Fe 0 85 Co 0 15)
. 0 72 (500Å) the third magnetic layer:.. Dy 0 27 (. . Fe 0 9 Co 0 1) 0 73 (1000
Å) Protective layer: Si 3 N 4 (500 Å)
【0055】再生層、第1磁性層、第2磁性層及び第3
磁性層の磁気特性は以下のようになった。Reproduction layer, first magnetic layer, second magnetic layer and third layer
The magnetic characteristics of the magnetic layer are as follows.
【表7】 [Table 7]
【0056】実施例4の媒体について初期化磁界を印加
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Hbについては前述の(5)式を満足する
よう0.5KOeの磁界を図5に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー:12mW 消去時のレーザパワー: 6mW 再生時のレーザパワー: 1mW 線速 : 7m/sThe overwrite characteristics of the medium of Example 4 were evaluated under the following conditions without applying an initializing magnetic field.
Regarding the bias magnetic field Hb, a magnetic field of 0.5 KOe was applied in the direction shown in FIG. 5 so as to satisfy the above-mentioned expression (5). Laser power during recording: 12 mW Laser power during erasing: 6 mW Laser power during reproducing: 1 mW Linear velocity: 7 m / s
【0057】上記の条件で実施例4の媒体について1M
Hzの信号を記録、再生したときのC/N及びこの上に
2MHzのオーバーライトを実施したときのC/Nを表
8に示す。Under the above conditions, 1M of the medium of Example 4 was used.
Table 8 shows the C / N when recording and reproducing the Hz signal and the C / N when the 2 MHz overwrite is performed on the C / N.
【表8】 [Table 8]
【0058】上記結果より、再生層を設けた方が実施例
1〜3の媒体に比べ再生C/Nがさらに一層高くなり、
オーバーライト特性も良いことが分かった。From the above results, the reproduction C / N is further increased when the reproduction layer is provided as compared with the media of Examples 1 to 3.
It was found that the overwrite characteristics were also good.
【0059】実施例5 グルーブ付きポリカーボネート(PC)基板(直径13
0mm)上にrfマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 :Si3N4 (800Å) 再生層 :(Nd0.2Gd0.4Tb0.4)0.23(Fe0.9C
o0.1)0.77(300Å) 第1磁性層:Tb0.21(Fe0.9Co0.1)0.79 (500
Å) 第2磁性層:(Gd0.8Tb0.2)0.28(Fe0.85Co0.15)
0.72 (500Å) 第3磁性層:Dy0.27(Fe0.9Co0.1)0.73 (1000
Å) 保護層 :Si3N4 (500Å)Example 5 Polycarbonate (PC) substrate with groove (diameter 13)
0 mm) and the following films were successively laminated in vacuum by an rf magnetron sputtering method to produce a magneto-optical recording medium. Protective layer: Si 3 N 4 (800Å) reproducing layer:.. (... Nd 0 2 Gd 0 4 Tb 0 4) 0 23 (Fe 0 9 C
.. o 0 1) 0 77 (300Å) the first magnetic layer:.... Tb 0 21 (Fe 0 9 Co 0 1) 0 79 (500
Å) second magnetic layer:..... (Gd 0 8 Tb 0 2) 0 28 (Fe 0 85 Co 0 15)
. 0 72 (500Å) the third magnetic layer:.. Dy 0 27 (. . Fe 0 9 Co 0 1) 0 73 (1000
Å) Protective layer: Si 3 N 4 (500 Å)
【0060】再生層、第1磁性層、第2磁性層及び第3
磁性層の磁気特性は以下のようになった。Reproducing layer, first magnetic layer, second magnetic layer and third layer
The magnetic characteristics of the magnetic layer are as follows.
【表9】 [Table 9]
【0061】実施例5の媒体について初期化磁界を印加
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Hbについては前述の(5)式を満足する
よう0.5KOeの磁界を図5に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー:12mW 消去時のレーザパワー: 6mW 再生時のレーザパワー: 1mW 線速 : 7m/sThe overwrite characteristics of the medium of Example 5 were evaluated under the following conditions without applying an initializing magnetic field.
Regarding the bias magnetic field Hb, a magnetic field of 0.5 KOe was applied in the direction shown in FIG. 5 so as to satisfy the above-mentioned expression (5). Laser power during recording: 12 mW Laser power during erasing: 6 mW Laser power during reproducing: 1 mW Linear velocity: 7 m / s
【0062】上記の条件で実施例5の媒体について1M
Hzの信号を記録、再生したときのC/N及びこの上に
2MHzのオーバーライトを実施したときのC/Nを表
10に示す。Under the above conditions, 1M of the medium of Example 5 was used.
Table 10 shows the C / N when recording and reproducing the Hz signal and the C / N when the 2 MHz overwrite is performed on the C / N.
【表10】 [Table 10]
【0063】上記結果より、再生層に軽希土類元素を添
加した場合でも再生層を設けない実施例1よりC/Nが
さらに高くなり、オーバーライト特性も良いことが分か
った。再生層に軽希土類金属を添加すると、レーザ光の
波長が短くなった場合でも磁気光学効果の落込みが小さ
いので有利である。From the above results, it was found that even when a light rare earth element was added to the reproducing layer, the C / N was higher than that of Example 1 in which the reproducing layer was not provided, and the overwrite characteristics were good. It is advantageous to add a light rare earth metal to the reproducing layer because the magneto-optical effect is less likely to drop even when the wavelength of laser light is shortened.
【0064】実施例6 グルーブ付きポリカーボネート(PC)基板(直径13
0mmφ)上にrfマグネトロンスパッタ法で下記の膜
を真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 :Si3N4 (800Å) 第1磁性層:Tb0.21(Fe0.9Co0.1)0.79 (500
Å) 第2磁性層:(Gd0.8Tb0.2)0.28(Fe0.85Co0.15)
0.72 (500Å) 第3磁性層:Dy0.27(Fe0.9Co0.1)0.73 (1000
Å) 熱伝導層 :Al (1000Å) 保護層 :Si3N4 (500Å)Example 6 Polycarbonate (PC) substrate with a groove (diameter 13)
The following films were continuously laminated in vacuum on the (0 mmφ) by the rf magnetron sputtering method to produce a magneto-optical recording medium. Protective layer: Si 3 N 4 (800Å) the first magnetic layer:.. Tb 0 21 (. . Fe 0 9 Co 0 1) 0 79 (500
Å) second magnetic layer:..... (Gd 0 8 Tb 0 2) 0 28 (Fe 0 85 Co 0 15)
. 0 72 (500Å) the third magnetic layer:.. Dy 0 27 (. . Fe 0 9 Co 0 1) 0 73 (1000
Å) Thermal conduction layer: Al (1000 Å) Protective layer: Si 3 N 4 (500 Å)
【0065】第1磁性層、第2磁性層及び第3磁性層の
磁気特性は実施例1と同じであった。The magnetic characteristics of the first magnetic layer, the second magnetic layer and the third magnetic layer were the same as in Example 1.
【0066】実施例6の媒体について初期化磁界を印加
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Hbについては前述の(5)式を満足する
よう0.5KOeの磁界を図5に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー:13mW 消去時のレーザパワー: 6mW 再生時のレーザパワー: 1mW 線速 : 7m/sThe overwrite characteristics of the medium of Example 6 were evaluated under the following conditions without applying an initializing magnetic field.
Regarding the bias magnetic field Hb, a magnetic field of 0.5 KOe was applied in the direction shown in FIG. 5 so as to satisfy the above-mentioned expression (5). Laser power during recording: 13 mW Laser power during erasing: 6 mW Laser power during reproducing: 1 mW Linear velocity: 7 m / s
【0067】上記の条件で実施例6の媒体について1M
Hzの信号を記録、再生したときのC/N及びこの上に
2MHzのオーバーライトを実施したときのC/Nを表
11に示す。1M for the medium of Example 6 under the above conditions
Table 11 shows the C / N when recording and reproducing the Hz signal and the C / N when the 2 MHz overwrite is performed on the C / N.
【表11】 [Table 11]
【0068】上記結果より、熱伝導層を設けた方が熱伝
導層を設けない実施例1の場合よりC/Nがさらに高く
なり、オーバーライト特性も良いことが分かった。From the above results, it was found that the C / N in the case where the heat conducting layer was provided was higher than that in the case of Example 1 in which the heat conducting layer was not provided, and the overwrite characteristic was good.
【0069】[0069]
(1)請求項1の発明によれば前記条件を満たす第1磁
性層、第2磁性層及び第3磁性層とを積層することによ
り、初期化磁界を用いないでオーバーライトが可能にな
る光磁気記録媒体が提供される。 (2)請求項2の発明によれば、第1磁性層と第2磁性
層との間及び/又は第2磁性層と第3磁性層との間に中
間層を設けることにより、オーバーライト特性がより一
層向上する。 (3)請求項3の発明によれば、第1磁性層、第2磁性
層及び第3磁性層にそれぞれ特定組成のアモルファス磁
性膜を用いることにより、より良好なオーバーライト特
性を得ることができる。また、第1磁性層、第2磁性層
又は第3磁性層に軽希土類元素を添加することにより、
照射光の短波長化時のオーバーライト特性を向上させる
ことができる。 (4)請求項4の発明によれば、再生層を積層すること
により、再生C/N及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。また、再生層に軽希土類元素
を添加することにより、照射光の短波長化時のオーバー
ライト特性を向上させることができる。 (5)請求項5の発明によれば、熱伝導層を設けること
により、再生C/N及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。 (6)請求項6の発明によれば、上記のような媒体を用
い、Tc1付近迄温度を上げて消去を行い、Tc2付近迄温
度を上げて記録を行うことにより、初期化磁界を印加し
ないでオーバーライトが可能となる。 (7)請求項7の発明によれば、バイアス磁界Hbを所
定の範囲の値に限定することにより、初期化磁界を用い
ないで、より信頼性良くオーバーライトを行うことがで
きる。(1) According to the first aspect of the invention, by stacking the first magnetic layer, the second magnetic layer and the third magnetic layer satisfying the above conditions, it becomes possible to overwrite without using an initializing magnetic field. A magnetic recording medium is provided. (2) According to the invention of claim 2, by providing an intermediate layer between the first magnetic layer and the second magnetic layer and / or between the second magnetic layer and the third magnetic layer, the overwrite characteristic Is further improved. (3) According to the invention of claim 3, a better overwrite characteristic can be obtained by using an amorphous magnetic film having a specific composition for each of the first magnetic layer, the second magnetic layer and the third magnetic layer. . Further, by adding a light rare earth element to the first magnetic layer, the second magnetic layer or the third magnetic layer,
It is possible to improve the overwrite characteristic when the wavelength of the irradiation light is shortened. (4) According to the invention of claim 4, the reproduction C / N and overwrite characteristics can be further improved by stacking the reproduction layers. Further, by adding a light rare earth element to the reproducing layer, it is possible to improve the overwrite characteristic when the irradiation light has a short wavelength. (5) According to the invention of claim 5, by providing the heat conducting layer, the reproduction C / N and overwrite characteristics can be further improved. (6) According to the sixth aspect of the invention, by using the above medium, the temperature is raised to around Tc 1 to perform erasing, and the temperature is raised to around Tc 2 to perform recording, thereby setting the initialization magnetic field. Overwriting is possible without applying voltage. (7) According to the invention of claim 7, by limiting the bias magnetic field Hb to a value within a predetermined range, overwriting can be performed more reliably without using the initialization magnetic field.
【図1】本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す
断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a magneto-optical recording medium according to the present invention.
【図2】図1の媒体において第1磁性層と第2磁性層の
間に中間層を設けた構成例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration example in which an intermediate layer is provided between a first magnetic layer and a second magnetic layer in the medium of FIG.
【図3】図1の媒体において第1磁性層の光入射側面に
隣接して再生層を設けた構成例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration example in which a reproducing layer is provided adjacent to a light incident side surface of a first magnetic layer in the medium of FIG.
【図4】図1の媒体において第2磁性層の光入射側とは
反対の側の面に隣接して熱伝導層を設けた構成例を示す
断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration example in which a heat conduction layer is provided adjacent to the surface of the medium of FIG. 1 opposite to the light incident side of the second magnetic layer.
【図5】(a)は本発明による記録の方法、(b)は消
去の方法の説明図である。5A is an explanatory diagram of a recording method according to the present invention, and FIG. 5B is an explanatory diagram of an erasing method.
1 基板 2、6 保護層 3 第1磁性層 4 第2磁性層 5 第3磁性層 7、8 中間層 9 再生層 10 熱伝導層 1 Substrate 2, 6 Protective Layer 3 First Magnetic Layer 4 Second Magnetic Layer 5 Third Magnetic Layer 7, 8 Intermediate Layer 9 Reproducing Layer 10 Thermal Conduction Layer
Claims (7)
磁性層及び第3磁性層を積層してなり、第1磁性層の飽
和磁化をMs1、保磁力をHc1、キュリー温度をTc1、膜
厚をt1、第2磁性層の飽和磁化をMs2、保磁力をH
c2、補償温度をTcomp2、キュリー温度をTc2、膜厚を
T2、第3磁性層の保磁力をHc3、補償温度をTcomp3、
キュリー温度をT3、室温をTroom、第1磁性層及び第
2磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw1、第2磁性層及
び第3磁性層間の界面磁壁エネルギーをσw2としたとき
に下記の条件を満足することを特徴とする光磁気記録媒
体。 Troom<Tcomp3≒Tc3<Tc1<Tcomp2<Tc2 Hc1>Hc2>Hc3 Hc1>σw1/2Ms1t1 Hc2<σw2/2Ms2t2 1. A first magnetic layer and a second magnetic layer exhibiting perpendicular magnetic anisotropy.
The magnetic layer and the third magnetic layer are laminated, the saturation magnetization of the first magnetic layer is Ms 1 , the coercive force is Hc 1 , the Curie temperature is Tc 1 , the film thickness is t 1 , and the saturation magnetization of the second magnetic layer is Ms 2 , H coercive force
c 2 , compensation temperature is Tcomp 2 , Curie temperature is Tc 2 , film thickness is T 2 , coercive force of the third magnetic layer is Hc 3 , compensation temperature is Tcomp 3 ,
The Curie temperature T 3, Troom to room temperature, .sigma.w 1 the interface wall energy of the first magnetic layer and the second magnetic layer, the following conditions when the interface wall energy of the second magnetic layer and the third magnetic layer and .sigma.w 2 A magneto-optical recording medium satisfying the following. Troom <Tcomp 3 ≒ Tc 3 < Tc 1 <Tcomp 2 <Tc 2 Hc 1> Hc 2> Hc 3 Hc 1> σw 1 / 2Ms 1 t 1 Hc 2 <σw 2 / 2Ms 2 t 2
は第2磁性層と第3磁性との間に、両層間の交換結合力
を調整するための中間層を設けたことを特徴とする請求
項1に記載の光磁気記録媒体。2. An intermediate layer for adjusting the exchange coupling force between both layers is provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer and / or between the second magnetic layer and the third magnetic layer. The magneto-optical recording medium according to claim 1.
がそれぞれ下記一般式化1で表わされるアモルファス磁
性膜から成ることを特徴とする請求項1又は2に記載の
光磁気記録媒体。 【化1】 (但し、RE1はTb,Gd,Dy,Ho及びErのう
ちの少なくとも1種類の重希土類金属元素、RE2はC
e,Pr,Nd,Pm,Sm及びEuのうちの少なくと
も1種類の軽希土類金属元素であり、0.15≦x≦
0.35、0≦y≦0.4、0≦z≦0.5である)3. The magneto-optical recording according to claim 1, wherein each of the first magnetic layer, the second magnetic layer and the third magnetic layer comprises an amorphous magnetic film represented by the following general formula 1. Medium. [Chemical 1] (However, RE1 is at least one heavy rare earth metal element of Tb, Gd, Dy, Ho and Er, and RE2 is C
e, Pr, Nd, Pm, Sm, and at least one light rare earth metal element of Eu, and 0.15 ≦ x ≦
0.35, 0 ≦ y ≦ 0.4, 0 ≦ z ≦ 0.5)
性層より保磁力が小さくキュリー温度が大きい垂直磁気
異方性を示す下記一般式化2で表わされるアモルファア
ス磁性膜から成る再生層を設けたことを特徴とする請求
項1〜3のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。 【化2】 (但し、RE3はTb,Gd,Dy,Ho及びErのう
ちの少なくとも1種類の重希土類金属元素、RE4はC
e,Pr,Nd,Pm,Sm及びEuのうちの少なくと
も1種類の軽希土類金属元素であり、0.15≦a≦
0.35、0≦b≦0.4、0≦c≦0.5である)4. An amorphous magnetic film represented by the following general formula 2 which exhibits perpendicular magnetic anisotropy adjacent to the light-incident side of the first magnetic layer and having a smaller coercive force and a higher Curie temperature than the first magnetic layer. 4. The magneto-optical recording medium according to claim 1, further comprising a reproducing layer made of: [Chemical 2] (However, RE3 is a heavy rare earth metal element of at least one of Tb, Gd, Dy, Ho and Er, and RE4 is C
e, Pr, Nd, Pm, Sm, and at least one kind of light rare earth metal element of Eu, and 0.15 ≦ a ≦
0.35, 0 ≦ b ≦ 0.4, 0 ≦ c ≦ 0.5)
隣接して熱伝導層を設けたことを特徴とする請求項1〜
4のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。5. A heat conducting layer is provided adjacent to the surface of the second magnetic layer opposite to the light incident side.
4. The magneto-optical recording medium according to any one of 4 above.
磁気記録媒体を用い、初期化磁界を印加せずに、Tc1付
近迄昇温させて消去を行い、Tc2付近迄昇温させて記録
を行うことを特徴とする光磁気記録方法。6. The magneto-optical recording medium according to claim 1 , wherein the temperature is raised to near Tc 1 for erasing without applying an initializing magnetic field, and the data is erased up to around Tc 2. A magneto-optical recording method, wherein recording is performed at an elevated temperature.
する過程で、下記条件を満足する記録用バイアス磁界H
bを用いて行うことを特徴とする請求項6に記載の光磁
気記録方法。 Hc1±σw1/2Ms1t1>Hb>Hc3+σw2/2Ms3t3 (式中、Ms3は第3磁性層の飽和磁化、t3は第3磁性
層の膜厚である)7. A recording bias magnetic field H satisfying the following condition in the process of heating the initialization of the second magnetic layer to near Tc 1.
7. The magneto-optical recording method according to claim 6, wherein b is used. Hc 1 ± σw 1 / 2Ms 1 t 1 >Hb> Hc 3 + σw 2 / 2Ms 3 t 3 (where Ms 3 is the saturation magnetization of the third magnetic layer and t 3 is the thickness of the third magnetic layer)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11004693A JPH06302030A (en) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | Magneto-optical recording medium and magnetooptical recording method |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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ID=14525741
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- 1993-04-13 JP JP11004693A patent/JPH06302030A/en active Pending
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