JPH06300556A - 原子間力顕微鏡の制御方法 - Google Patents
原子間力顕微鏡の制御方法Info
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- JPH06300556A JPH06300556A JP9118993A JP9118993A JPH06300556A JP H06300556 A JPH06300556 A JP H06300556A JP 9118993 A JP9118993 A JP 9118993A JP 9118993 A JP9118993 A JP 9118993A JP H06300556 A JPH06300556 A JP H06300556A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細で急峻な凹凸を有するような試料でも、
安定に精度良く、しかも短時間で測定することのできる
原子間力顕微鏡の制御方法を提供する。 【構成】 まず、試料5の表面上の一つの点におけるカ
ンチレバー6の力が決められた値の斥力値(1×10-8
N)となるときのZ方向の圧電体3の制御量を測定す
る。次いで、試料5と探針12が引力を引き起こしてい
る状態、又は前記決められた値の斥力値(1×10
-8N)よりも弱い斥力値を受けた状態で探針12を別の
点に移動させ、圧電体3の制御量を測定する。以上の操
作を繰り返すことにより、試料5の表面形状を測定し画
像化する。
安定に精度良く、しかも短時間で測定することのできる
原子間力顕微鏡の制御方法を提供する。 【構成】 まず、試料5の表面上の一つの点におけるカ
ンチレバー6の力が決められた値の斥力値(1×10-8
N)となるときのZ方向の圧電体3の制御量を測定す
る。次いで、試料5と探針12が引力を引き起こしてい
る状態、又は前記決められた値の斥力値(1×10
-8N)よりも弱い斥力値を受けた状態で探針12を別の
点に移動させ、圧電体3の制御量を測定する。以上の操
作を繰り返すことにより、試料5の表面形状を測定し画
像化する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、極めて小さな凹凸を安
定に精度良く、しかも高速で測定可能な原子間力顕微鏡
の制御方法に関する。
定に精度良く、しかも高速で測定可能な原子間力顕微鏡
の制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、固体表面を原子オーダーの分解能
で観察できる装置として、原子間力顕微鏡(AFM)が
開発されている。以下、図1を参照しながらAFM及び
その制御方法について説明する。AFMでは、微小な力
を検出するために、探針を有する長さ100μm程度の
カンチレバーが用いられる。試料5を探針12に近づけ
ると、探針12と試料5との間に働く原子間力によって
カンチレバー6に撓みが生じる。この撓み量を一定に保
つように、制御信号発生回路10を通して圧電体駆動装
置11によりZ方向の圧電体3を制御しながら試料表面
に沿って走査する。走査は圧電体駆動装置11とX、Y
方向の圧電体1、2とによって行われる。前記フィード
バックにおける制御量が試料表面の凹凸に相当し、この
制御量をコンピュータ13等によって画像化すれば、A
FM像を得ることができる。カンチレバーの撓み量は変
位測定部によって測定される。変位測定部には、光テ
コ、レーザー干渉、トンネル電流などの方式が用いられ
る。AFMの分解能は探針12の先端曲率半径と先端角
とに依存し、これらが小さいほど分解能は向上する。現
在のところ、数百オングストロームの曲率半径で数度の
先端角を有する探針が作製されており、試料表面の微細
構造を観察するのに用いられている(特願平3−200
606号)。
で観察できる装置として、原子間力顕微鏡(AFM)が
開発されている。以下、図1を参照しながらAFM及び
その制御方法について説明する。AFMでは、微小な力
を検出するために、探針を有する長さ100μm程度の
カンチレバーが用いられる。試料5を探針12に近づけ
ると、探針12と試料5との間に働く原子間力によって
カンチレバー6に撓みが生じる。この撓み量を一定に保
つように、制御信号発生回路10を通して圧電体駆動装
置11によりZ方向の圧電体3を制御しながら試料表面
に沿って走査する。走査は圧電体駆動装置11とX、Y
方向の圧電体1、2とによって行われる。前記フィード
バックにおける制御量が試料表面の凹凸に相当し、この
制御量をコンピュータ13等によって画像化すれば、A
FM像を得ることができる。カンチレバーの撓み量は変
位測定部によって測定される。変位測定部には、光テ
コ、レーザー干渉、トンネル電流などの方式が用いられ
る。AFMの分解能は探針12の先端曲率半径と先端角
とに依存し、これらが小さいほど分解能は向上する。現
在のところ、数百オングストロームの曲率半径で数度の
先端角を有する探針が作製されており、試料表面の微細
構造を観察するのに用いられている(特願平3−200
606号)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、高精度観察を
行うために、先端角が小さく細い探針を用いて試料表面
を走査した場合、試料表面の凹凸によるカンチレバーの
変位(撓み)以外に、試料表面の摩擦係数の違いなどに
よるカンチレバーの変位やカンチレバーの捩じれによる
変位などが発生し、これらがノイズとなって極微細な表
面形状を精度良く測定できないことがあった。
行うために、先端角が小さく細い探針を用いて試料表面
を走査した場合、試料表面の凹凸によるカンチレバーの
変位(撓み)以外に、試料表面の摩擦係数の違いなどに
よるカンチレバーの変位やカンチレバーの捩じれによる
変位などが発生し、これらがノイズとなって極微細な表
面形状を精度良く測定できないことがあった。
【0004】本発明は、前記従来技術の課題を解決する
ため、微細で急峻な凹凸を有するような試料でも、安定
に精度良く、しかも短時間で測定することのできる原子
間力顕微鏡の制御方法を提供することを目的とする。
ため、微細で急峻な凹凸を有するような試料でも、安定
に精度良く、しかも短時間で測定することのできる原子
間力顕微鏡の制御方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る原子間力顕微鏡の第1の制御方法は、
カンチレバー、カンチレバーの変位検出装置、試料又は
カンチレバーの3次元微動装置、及び画像化装置を少な
くとも備えた原子間力顕微鏡の制御方法であって、試料
表面の一つの測定点で、カンチレバーが決められた値の
斥力を受けるまでカンチレバーと試料とを接近させて前
記測定点の測定を行った後、カンチレバーと試料との間
に引力が生じるまでカンチレバーと試料とを引き離した
状態で測定点の移動を行い、その後試料表面の別の点で
同様の操作を繰り返すことを特徴とする。
め、本発明に係る原子間力顕微鏡の第1の制御方法は、
カンチレバー、カンチレバーの変位検出装置、試料又は
カンチレバーの3次元微動装置、及び画像化装置を少な
くとも備えた原子間力顕微鏡の制御方法であって、試料
表面の一つの測定点で、カンチレバーが決められた値の
斥力を受けるまでカンチレバーと試料とを接近させて前
記測定点の測定を行った後、カンチレバーと試料との間
に引力が生じるまでカンチレバーと試料とを引き離した
状態で測定点の移動を行い、その後試料表面の別の点で
同様の操作を繰り返すことを特徴とする。
【0006】また、本発明に係る原子間力顕微鏡の第2
の制御方法は、カンチレバー、カンチレバーの変位検出
装置、試料又はカンチレバーの3次元微動装置、及び画
像化装置を少なくとも備えた原子間力顕微鏡の制御方法
であって、試料表面の一つの測定点で、カンチレバーが
決められた値の斥力を受けるまでカンチレバーと試料と
を接近させて前記測定点の測定を行った後、カンチレバ
ーと試料との間に前記決められた値の斥力よりも小さな
値の斥力が生じるまでカンチレバーと試料とを引き離し
た状態で測定点の移動を行い、その後試料表面の別の点
で同様の操作を繰り返すことを特徴とする。
の制御方法は、カンチレバー、カンチレバーの変位検出
装置、試料又はカンチレバーの3次元微動装置、及び画
像化装置を少なくとも備えた原子間力顕微鏡の制御方法
であって、試料表面の一つの測定点で、カンチレバーが
決められた値の斥力を受けるまでカンチレバーと試料と
を接近させて前記測定点の測定を行った後、カンチレバ
ーと試料との間に前記決められた値の斥力よりも小さな
値の斥力が生じるまでカンチレバーと試料とを引き離し
た状態で測定点の移動を行い、その後試料表面の別の点
で同様の操作を繰り返すことを特徴とする。
【0007】また、本発明に係る原子間力顕微鏡の第3
の制御方法は、カンチレバー、カンチレバーの変位検出
装置、試料微動装置、カンチレバー微動装置、及び画像
化装置を少なくとも備えた原子間力顕微鏡により、試料
表面の凹凸状態の測定をカンチレバーが斥力を受けてい
る状態で行い、測定点の移動をカンチレバーが引力を受
けている状態又は前記決められた値の斥力よりも小さな
値の斥力を受けている状態になるまでカンチレバーと試
料とを引き離して行う原子間力顕微鏡の制御方法であっ
て、試料及びカンチレバーの両方を互いに異なる方向に
動かすことにより、試料とカンチレバーの引き離し又は
接近を行うことを特徴とする。
の制御方法は、カンチレバー、カンチレバーの変位検出
装置、試料微動装置、カンチレバー微動装置、及び画像
化装置を少なくとも備えた原子間力顕微鏡により、試料
表面の凹凸状態の測定をカンチレバーが斥力を受けてい
る状態で行い、測定点の移動をカンチレバーが引力を受
けている状態又は前記決められた値の斥力よりも小さな
値の斥力を受けている状態になるまでカンチレバーと試
料とを引き離して行う原子間力顕微鏡の制御方法であっ
て、試料及びカンチレバーの両方を互いに異なる方向に
動かすことにより、試料とカンチレバーの引き離し又は
接近を行うことを特徴とする。
【0008】また、前記第1又は第3の制御方法におい
ては、カンチレバーと試料との間に生じる引力が表面に
吸着した物質によって生じるメニスカスフォースである
ことが好ましい。
ては、カンチレバーと試料との間に生じる引力が表面に
吸着した物質によって生じるメニスカスフォースである
ことが好ましい。
【0009】
【作用】前記本発明の第1又は第2の制御方法によれ
ば、探針を試料から引き離した状態で測定点を移動さ
せ、かつ引き離す距離を引力圏内又は凹凸情報を測定す
る際の斥力値よりも小さな斥力値を有する斥力圏内とす
ることにより、探針や試料の不要な振動が抑制され、試
料表面の摩擦係数の違いなどによるカンチレバーの変位
やカンチレバーの捩じれによる変位などのノイズ成分を
除去することができ、試料表面を高速で走査することが
できるので、微細で急俊な凹凸を有するような試料で
も、安定に精度良く、しかも短時間で測定することがで
きる。
ば、探針を試料から引き離した状態で測定点を移動さ
せ、かつ引き離す距離を引力圏内又は凹凸情報を測定す
る際の斥力値よりも小さな斥力値を有する斥力圏内とす
ることにより、探針や試料の不要な振動が抑制され、試
料表面の摩擦係数の違いなどによるカンチレバーの変位
やカンチレバーの捩じれによる変位などのノイズ成分を
除去することができ、試料表面を高速で走査することが
できるので、微細で急俊な凹凸を有するような試料で
も、安定に精度良く、しかも短時間で測定することがで
きる。
【0010】また、前記本発明の第3の制御方法によれ
ば、試料と探針の引き離しや接近を、探針と試料の両方
を互いに異なる方向に動かし、必要とする引き離し距離
又は接近距離の半分の距離を探針と試料とにそれぞれ分
担させて行うことにより、引き離しや接近操作で生じる
不要な振動を抑制することができ、その結果、さらに低
ノイズの画像を短時間で得ることができる。
ば、試料と探針の引き離しや接近を、探針と試料の両方
を互いに異なる方向に動かし、必要とする引き離し距離
又は接近距離の半分の距離を探針と試料とにそれぞれ分
担させて行うことにより、引き離しや接近操作で生じる
不要な振動を抑制することができ、その結果、さらに低
ノイズの画像を短時間で得ることができる。
【0011】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。 (実施例1)図1は本発明に係る原子間力顕微鏡の制御
方法の一実施例を示す概略図である。
に説明する。 (実施例1)図1は本発明に係る原子間力顕微鏡の制御
方法の一実施例を示す概略図である。
【0012】試料5は、X、Y、Zの3方向の圧電体
1、2、3で形成されたトライポッド型の微動機構上に
設置される。試料5の水平面内の走査は、圧電体駆動装
置11によって発生した電圧をX、Y方向の圧電体1、
2に印加することにより行う。出力5mWの半導体レー
ザー7及び2分割フォトダイオード9は、カンチレバー
6にレーザー光を照射し、その反射光を検出するための
ものであり、光テコを構成している。そして、この光テ
コによってカンチレバー6の変位(撓み)を測定し、カ
ンチレバー6のバネ定数から換算される力を検出するこ
とにより、試料5と探針12との間に働く力を検出する
ことができる。尚、図1中、8は半導体レーザー7から
出射されるレーザー光をカンチレバー6の上に集光する
ためのレンズである。試料5とカンチレバー6との距離
の制御は、制御信号発生回路10と圧電体駆動装置11
とを用い、制御電圧をZ方向の圧電体3に印加すること
によって行う。
1、2、3で形成されたトライポッド型の微動機構上に
設置される。試料5の水平面内の走査は、圧電体駆動装
置11によって発生した電圧をX、Y方向の圧電体1、
2に印加することにより行う。出力5mWの半導体レー
ザー7及び2分割フォトダイオード9は、カンチレバー
6にレーザー光を照射し、その反射光を検出するための
ものであり、光テコを構成している。そして、この光テ
コによってカンチレバー6の変位(撓み)を測定し、カ
ンチレバー6のバネ定数から換算される力を検出するこ
とにより、試料5と探針12との間に働く力を検出する
ことができる。尚、図1中、8は半導体レーザー7から
出射されるレーザー光をカンチレバー6の上に集光する
ためのレンズである。試料5とカンチレバー6との距離
の制御は、制御信号発生回路10と圧電体駆動装置11
とを用い、制御電圧をZ方向の圧電体3に印加すること
によって行う。
【0013】以下、TiNのCVD膜を観察したときの
具体的な制御方法について説明する。試料台4の上に、
Si基板上にTiNのCVD膜が形成された試料5を、
該試料5の中央部分が探針12の真下に位置するように
設置した。圧電体駆動装置11によってZ方向の圧電体
3に徐々に電圧を印加し、試料5を探針12に近づけな
がら、2分割フォトダイオード9によってカンチレバー
6が試料5から受ける力を測定した。そして、カンチレ
バー6が決められた大きさの斥力を受けた時点で試料5
の探針12への接近を停止し、その時のZ方向の圧電体
3に印加されている電圧をコンピュータ13に記憶させ
た。この電圧値が試料5の表面の各点における凹凸情報
となる。尚、試料5を測定する際の斥力の大きさは1×
10-8Nとした。次に、カンチレバー6と試料5との間
に1×10-9Nの引力が生じるまで試料5を探針12か
ら引き離した。そして、圧電体駆動装置11によってX
方向の圧電体1に電圧を印加し、試料5を2nmだけX
方向へ移動させた。その後、Z方向の圧電体3に徐々に
電圧を印加し、カンチレバー6が1×10-8Nの斥力を
受けるまで試料5を探針12に近づけ、その時のZ方向
の圧電体3に印加されている電圧をコンピュータ13に
記憶させた。次に、カンチレバー6と試料5との間に1
×10-9Nの引力が生じるまで試料5を探針12から引
き離し、X方向の圧電体1によって試料5をさらに2n
mだけX方向へ移動させた。以上のような操作を256
回X方向へ繰り返し、1ライン分の走査を終了した。
具体的な制御方法について説明する。試料台4の上に、
Si基板上にTiNのCVD膜が形成された試料5を、
該試料5の中央部分が探針12の真下に位置するように
設置した。圧電体駆動装置11によってZ方向の圧電体
3に徐々に電圧を印加し、試料5を探針12に近づけな
がら、2分割フォトダイオード9によってカンチレバー
6が試料5から受ける力を測定した。そして、カンチレ
バー6が決められた大きさの斥力を受けた時点で試料5
の探針12への接近を停止し、その時のZ方向の圧電体
3に印加されている電圧をコンピュータ13に記憶させ
た。この電圧値が試料5の表面の各点における凹凸情報
となる。尚、試料5を測定する際の斥力の大きさは1×
10-8Nとした。次に、カンチレバー6と試料5との間
に1×10-9Nの引力が生じるまで試料5を探針12か
ら引き離した。そして、圧電体駆動装置11によってX
方向の圧電体1に電圧を印加し、試料5を2nmだけX
方向へ移動させた。その後、Z方向の圧電体3に徐々に
電圧を印加し、カンチレバー6が1×10-8Nの斥力を
受けるまで試料5を探針12に近づけ、その時のZ方向
の圧電体3に印加されている電圧をコンピュータ13に
記憶させた。次に、カンチレバー6と試料5との間に1
×10-9Nの引力が生じるまで試料5を探針12から引
き離し、X方向の圧電体1によって試料5をさらに2n
mだけX方向へ移動させた。以上のような操作を256
回X方向へ繰り返し、1ライン分の走査を終了した。
【0014】次に、Y方向の圧電体2によって試料5を
2nmだけY方向へ移動させ、上記と同様の操作によっ
てさらに1ライン分の走査を行った。そして、256ラ
イン分の走査を行うことにより、試料5の表面における
256×256個の凹凸情報が得られた。
2nmだけY方向へ移動させ、上記と同様の操作によっ
てさらに1ライン分の走査を行った。そして、256ラ
イン分の走査を行うことにより、試料5の表面における
256×256個の凹凸情報が得られた。
【0015】以上のような方法によってAFMを制御す
ることにより、従来のようにカンチレバーが一定の斥力
を受けたまま試料表面を連続的に走査した場合や、探針
と試料の引き離し距離が大きく、引力を生じないような
距離の場合に比べてノイズレベルが低く、高分解能な画
像を得ることができた。
ることにより、従来のようにカンチレバーが一定の斥力
を受けたまま試料表面を連続的に走査した場合や、探針
と試料の引き離し距離が大きく、引力を生じないような
距離の場合に比べてノイズレベルが低く、高分解能な画
像を得ることができた。
【0016】このように良好な画像を得ることができた
のは、試料5の表面をX方向に走査したときに生じるカ
ンチレバー6の捩じれ成分によるノイズが皆無となり、
また、試料5の移動を、引力が生じている状態で行うこ
とにより、引き離し距離が短くなり、かつ制動力が作用
するために、探針12や試料5の不要な振動が抑制され
たからであると考えられる。その結果、試料5の表面を
短時間で測定することができる。
のは、試料5の表面をX方向に走査したときに生じるカ
ンチレバー6の捩じれ成分によるノイズが皆無となり、
また、試料5の移動を、引力が生じている状態で行うこ
とにより、引き離し距離が短くなり、かつ制動力が作用
するために、探針12や試料5の不要な振動が抑制され
たからであると考えられる。その結果、試料5の表面を
短時間で測定することができる。
【0017】尚、本実施例1においては、凹凸情報の測
定を各点につき1回ずつ行っているが、各点における測
定を複数回繰り返し、その平均値を用いて画像化すれ
ば、さらにノイズレベルの低い画像を得ることができ
る。
定を各点につき1回ずつ行っているが、各点における測
定を複数回繰り返し、その平均値を用いて画像化すれ
ば、さらにノイズレベルの低い画像を得ることができ
る。
【0018】また、本実施例1においては、カンチレバ
ー6の変位(撓み)測定手段として光テコ法を用いてい
るが、必ずしもこれに限定されるものではなく、レーザ
ー干渉法やトンネル電流法を用いても同様の結果を得る
ことができる。
ー6の変位(撓み)測定手段として光テコ法を用いてい
るが、必ずしもこれに限定されるものではなく、レーザ
ー干渉法やトンネル電流法を用いても同様の結果を得る
ことができる。
【0019】また、本実施例1においては、カンチレバ
ー6と試料5との間に引力が生じた状態で試料5を移動
させているが、必ずしもこれに限定されるものではな
く、凹凸情報を測定する際の斥力値より弱い斥力値で移
動させても同様の結果を得ることができる。
ー6と試料5との間に引力が生じた状態で試料5を移動
させているが、必ずしもこれに限定されるものではな
く、凹凸情報を測定する際の斥力値より弱い斥力値で移
動させても同様の結果を得ることができる。
【0020】また、本実施例1においては、試料5をZ
方向に微動させることにより、試料5と探針12の引き
離しや接近を行っているが、カンチレバー6に別個の微
動機構を設け、試料5と探針12の引き離しや接近を、
探針12と試料5の両方を互いに反対方向に動かし、必
要とする引き離し距離又は接近距離の半分の距離を探針
12と試料5とにそれぞれ分担させて行えば、引き離し
や接近操作で生じる不要な振動を抑制することができ、
その結果、さらに低ノイズの画像を短時間で得ることが
できる。この制御方法は、探針と試料の引き離し距離が
大きく、引力を生じないような距離の場合にも有効であ
る。
方向に微動させることにより、試料5と探針12の引き
離しや接近を行っているが、カンチレバー6に別個の微
動機構を設け、試料5と探針12の引き離しや接近を、
探針12と試料5の両方を互いに反対方向に動かし、必
要とする引き離し距離又は接近距離の半分の距離を探針
12と試料5とにそれぞれ分担させて行えば、引き離し
や接近操作で生じる不要な振動を抑制することができ、
その結果、さらに低ノイズの画像を短時間で得ることが
できる。この制御方法は、探針と試料の引き離し距離が
大きく、引力を生じないような距離の場合にも有効であ
る。
【0021】(実施例2)図2は、本実施例2で用いた
原子間力顕微鏡のカンチレバー部分を示す概略図であ
る。
原子間力顕微鏡のカンチレバー部分を示す概略図であ
る。
【0022】フォトリソグラフィーによって作製した長
さ100μm、厚さ1.5μmのV型のSiO2 薄膜カ
ンチレバー14の先端部分に、1つの針状部分の長さが
2〜5μmの酸化亜鉛ウィスカ15を取り付けた。この
ウィスカ15はCVD法によって作製したものであり、
四面体の体心から4頂点に向かって延びたテトラポッド
型の3次元構造の結晶であることから、図2に示すよう
に、接着剤を用いて極めて容易にカンチレバー14に取
り付けることができる。
さ100μm、厚さ1.5μmのV型のSiO2 薄膜カ
ンチレバー14の先端部分に、1つの針状部分の長さが
2〜5μmの酸化亜鉛ウィスカ15を取り付けた。この
ウィスカ15はCVD法によって作製したものであり、
四面体の体心から4頂点に向かって延びたテトラポッド
型の3次元構造の結晶であることから、図2に示すよう
に、接着剤を用いて極めて容易にカンチレバー14に取
り付けることができる。
【0023】このカンチレバー14を用い、カンチレバ
ー14が一定の斥力を受けたまま試料表面を連続的に走
査する従来の制御方法を採用してTiNの表面18(図
3)を測定したところ、安定に測定することはできず、
ウィスカ15が破損することもあった。
ー14が一定の斥力を受けたまま試料表面を連続的に走
査する従来の制御方法を採用してTiNの表面18(図
3)を測定したところ、安定に測定することはできず、
ウィスカ15が破損することもあった。
【0024】また、Siのエッチピットを鋳型としSi
3 N4 薄膜で作製したカンチレバーを用い、従来の制御
方法によって測定した画像と、上記ウィスカ15を具備
したカンチレバー14を用い、本発明の制御方法によっ
て測定した画像とを比較したところ、先端曲率半径が小
さくかつ先端角の小さなウィスカ15を用いた装置の方
が溝形状を正確に観察することができた。この原因とし
ては、従来の探針16は頂角が70度のピラミッド形状
となるために、探針16が粒子と粒子の間まで届かず、
実際の試料形状とは異なる破線で示したような像が得ら
れるのに対し(図3(a))、ウィスカ15からなる探
針17は粒子間の奥まで到達することができ、破線で示
したような表面形状に忠実な像を得ることができる(図
3(b))からであると考えられる。
3 N4 薄膜で作製したカンチレバーを用い、従来の制御
方法によって測定した画像と、上記ウィスカ15を具備
したカンチレバー14を用い、本発明の制御方法によっ
て測定した画像とを比較したところ、先端曲率半径が小
さくかつ先端角の小さなウィスカ15を用いた装置の方
が溝形状を正確に観察することができた。この原因とし
ては、従来の探針16は頂角が70度のピラミッド形状
となるために、探針16が粒子と粒子の間まで届かず、
実際の試料形状とは異なる破線で示したような像が得ら
れるのに対し(図3(a))、ウィスカ15からなる探
針17は粒子間の奥まで到達することができ、破線で示
したような表面形状に忠実な像を得ることができる(図
3(b))からであると考えられる。
【0025】尚、本実施例2においては、探針17とし
て酸化亜鉛ウィスカ15を用いた場合について説明した
が、必ずしもこれに限定されるものではなく、例えばセ
レン化亜鉛、硫化亜鉛、酸化錫、炭化珪素、アルミナ、
金属又は有機物の針状結晶を用いても、本発明の制御方
法を採用することにより、試料表面の鮮明なAFM像を
安定にしかも短時間で得ることができた。
て酸化亜鉛ウィスカ15を用いた場合について説明した
が、必ずしもこれに限定されるものではなく、例えばセ
レン化亜鉛、硫化亜鉛、酸化錫、炭化珪素、アルミナ、
金属又は有機物の針状結晶を用いても、本発明の制御方
法を採用することにより、試料表面の鮮明なAFM像を
安定にしかも短時間で得ることができた。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る原子
間力顕微鏡の第1又は第2の制御方法によれば、探針を
試料から引き離した状態で測定点を移動させ、かつ引き
離す距離を引力圏内又は凹凸情報を測定する際の斥力値
よりも小さな斥力値を有する斥力圏内とすることによ
り、探針や試料の不要な振動が抑制され、試料表面の摩
擦係数の違いなどによるカンチレバーの変位やカンチレ
バーの捩じれによる変位などのノイズ成分を除去するこ
とができ、試料表面を高速で走査することができるの
で、微細で急俊な凹凸を有するような試料でも、安定に
精度良く、しかも短時間で測定することができる。
間力顕微鏡の第1又は第2の制御方法によれば、探針を
試料から引き離した状態で測定点を移動させ、かつ引き
離す距離を引力圏内又は凹凸情報を測定する際の斥力値
よりも小さな斥力値を有する斥力圏内とすることによ
り、探針や試料の不要な振動が抑制され、試料表面の摩
擦係数の違いなどによるカンチレバーの変位やカンチレ
バーの捩じれによる変位などのノイズ成分を除去するこ
とができ、試料表面を高速で走査することができるの
で、微細で急俊な凹凸を有するような試料でも、安定に
精度良く、しかも短時間で測定することができる。
【0027】また、本発明に係る原子間力顕微鏡の第3
の制御方法によれば、試料と探針の引き離しや接近を、
探針と試料の両方を互いに異なる方向に動かし、必要と
する引き離し距離又は接近距離の半分の距離を探針と試
料とにそれぞれ分担させて行うことにより、引き離しや
接近操作で生じる不要な振動を抑制することができ、そ
の結果、さらに低ノイズの画像を短時間で得ることがで
きる。
の制御方法によれば、試料と探針の引き離しや接近を、
探針と試料の両方を互いに異なる方向に動かし、必要と
する引き離し距離又は接近距離の半分の距離を探針と試
料とにそれぞれ分担させて行うことにより、引き離しや
接近操作で生じる不要な振動を抑制することができ、そ
の結果、さらに低ノイズの画像を短時間で得ることがで
きる。
【図1】本発明に係る原子間力顕微鏡の制御方法の一実
施例を示す概略図である。
施例を示す概略図である。
【図2】原子間力顕微鏡のカンチレバー部分を示す概略
図である。
図である。
【図3】従来のカンチレバー及び酸化亜鉛ウィスカを具
備したカンチレバーによって得られた溝形状のAFM像
を示す説明図である。
備したカンチレバーによって得られた溝形状のAFM像
を示す説明図である。
1 X方向の圧電体 2 Y方向の圧電体 3 Z方向の圧電体 4 試料台 5 試料 6、14 カンチレバー 7 半導体レーザー 8 レンズ 9 2分割フォトダイオード 10 制御信号発生回路 11 圧電体駆動装置 12、17 探針 13 コンピュータ 15 酸化亜鉛ウィスカ 18 TiNの表面
Claims (4)
- 【請求項1】 カンチレバー、カンチレバーの変位検出
装置、試料又はカンチレバーの3次元微動装置、及び画
像化装置を少なくとも備えた原子間力顕微鏡の制御方法
であって、試料表面の一つの測定点で、カンチレバーが
決められた値の斥力を受けるまでカンチレバーと試料と
を接近させて前記測定点の測定を行った後、カンチレバ
ーと試料との間に引力が生じるまでカンチレバーと試料
とを引き離した状態で測定点の移動を行い、その後試料
表面の別の点で同様の操作を繰り返すことを特徴とする
原子間力顕微鏡の制御方法。 - 【請求項2】 カンチレバー、カンチレバーの変位検出
装置、試料又はカンチレバーの3次元微動装置、及び画
像化装置を少なくとも備えた原子間力顕微鏡の制御方法
であって、試料表面の一つの測定点で、カンチレバーが
決められた値の斥力を受けるまでカンチレバーと試料と
を接近させて前記測定点の測定を行った後、カンチレバ
ーと試料との間に前記決められた値の斥力よりも小さな
値の斥力が生じるまでカンチレバーと試料とを引き離し
た状態で測定点の移動を行い、その後試料表面の別の点
で同様の操作を繰り返すことを特徴とする原子間力顕微
鏡の制御方法。 - 【請求項3】 カンチレバー、カンチレバーの変位検出
装置、試料微動装置、カンチレバー微動装置、及び画像
化装置を少なくとも備えた原子間力顕微鏡により、試料
表面の凹凸状態の測定をカンチレバーが決められた値の
斥力を受けている状態で行い、測定点の移動をカンチレ
バーが引力を受けている状態又は前記決められた値の斥
力よりも小さな値の斥力を受けている状態になるまでカ
ンチレバーと試料とを引き離して行う原子間力顕微鏡の
制御方法であって、試料及びカンチレバーの両方を互い
に異なる方向に動かすことにより、試料とカンチレバー
の引き離し又は接近を行うことを特徴とする原子間力顕
微鏡の制御方法。 - 【請求項4】 カンチレバーと試料との間に生じる引力
が表面に吸着した物質によって生じるメニスカスフォー
スである請求項1又は3に記載の原子間力顕微鏡の制御
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9118993A JPH06300556A (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 原子間力顕微鏡の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9118993A JPH06300556A (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 原子間力顕微鏡の制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06300556A true JPH06300556A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14019502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9118993A Pending JPH06300556A (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 原子間力顕微鏡の制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06300556A (ja) |
-
1993
- 1993-04-19 JP JP9118993A patent/JPH06300556A/ja active Pending
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