JPH06294964A - Method and device for surface processing of liquid crystal orientation film - Google Patents
Method and device for surface processing of liquid crystal orientation filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子の製造工
程に供され、液晶表示素子を構成する基板上に形成され
た液晶配向膜の表面に、液晶分子を配向させるための微
細な溝を形成する液晶配向膜の表面処理方法及び表面処
理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used in a manufacturing process of a liquid crystal display device, and has fine grooves for aligning liquid crystal molecules on the surface of a liquid crystal alignment film formed on a substrate constituting the liquid crystal display device. The present invention relates to a surface treatment method and a surface treatment apparatus for a liquid crystal alignment film for forming a film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、ツイストネマティック液晶を用
いた液晶表示素子の製造工程においては、一定方向に微
細な溝が形成された膜の表面に接触すると、溝に沿って
並ぶという液晶分子の性質を利用して、液晶分子の配列
規則性に基づく光の旋光性を高め、表示のコントラスト
比を向上させるため、ガラス基板上の透明電極膜上に形
成された各種の液晶配向膜の表面に、液晶を配向させる
ための一定方向に並ぶ配向溝を形成する配向処理工程が
設けられている。2. Description of the Related Art Generally, in a manufacturing process of a liquid crystal display device using a twisted nematic liquid crystal, when the surface of a film in which fine grooves are formed in a certain direction is contacted, the liquid crystal molecules are aligned along the grooves. In order to enhance the optical rotation of light based on the arrangement regularity of liquid crystal molecules and to improve the display contrast ratio, liquid crystal is formed on the surface of various liquid crystal alignment films formed on the transparent electrode film on the glass substrate. There is provided an alignment treatment step of forming alignment grooves aligned in a certain direction for aligning the.
【０００３】このような配向処理は、従来、所定の材
質，寸法，毛先形状を有するブラシや布等で、一定方向
にこする（ラビング）ことにより配向溝を形成する、い
わゆるラビング処理にて行われている。Conventionally, such an alignment treatment is a so-called rubbing treatment in which an alignment groove is formed by rubbing (rubbing) in a certain direction with a brush or cloth having a predetermined material, size and bristle shape. Has been done.
【０００４】量産規模の配向処理においては、例えば、
ラビング用の布が外周に捲着されたローラと、ガラス基
板が載置され固定されるステージとを備え、ローラ表面
をガラス基板上の液晶配向膜の表面に接触させた状態
で、ステージを一定方向に定速で移動させることで配向
溝を形成する表面処理装置が多用されている。In mass-scale orientation processing, for example,
It is equipped with a roller around which a rubbing cloth is wrapped, and a stage on which a glass substrate is placed and fixed, and the stage is kept constant with the roller surface in contact with the surface of the liquid crystal alignment film on the glass substrate. A surface treatment apparatus that forms an alignment groove by moving the surface at a constant speed is often used.
【０００５】このような表面処理装置を使用すること
で、大面積のガラス基板を連続して大量に、かつ、大面
積を均一に処理することが可能となっている。By using such a surface treatment apparatus, it is possible to continuously treat a large area of a glass substrate in a large amount and evenly treat the large area.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の表面
処理装置においては、ラビング用の布やブラシにて、液
晶配向膜の表面をこすることで、膜表面に配向溝を形成
する方法を採用しているため、布やブラシの毛先の摩耗
や毛の抜け落ちにて生じるダストや異物が、膜表面に付
着して液晶の配向を乱す微小な欠陥箇所を形成し、ひい
ては、液晶表示素子の製造歩留りを低下させるという問
題を有している。特に、ラビンク時、ガラス基板は発生
した静電気にて帯電されるため、ダストや異物を吸着し
易く、欠陥箇所が形成され易い。However, in the above-mentioned surface treatment apparatus, a method of forming an alignment groove on the film surface by rubbing the surface of the liquid crystal alignment film with a rubbing cloth or brush is adopted. Therefore, dust or foreign matter generated by abrasion of the tips of the cloth or brush or loss of the bristles adheres to the film surface to form a minute defect portion that disturbs the alignment of the liquid crystal, and thus the liquid crystal display element It has a problem of reducing the manufacturing yield. In particular, at the time of Rabinku, the glass substrate is charged by the generated static electricity, so that dusts and foreign substances are easily adsorbed and defective portions are easily formed.
【０００７】また、用いる液晶配向膜の種類等により、
一々、布やブラシの交換が必要で、交換に伴う条件出し
や、調整等でどうしても時間がかかり、作業性が低いと
いう問題点も有している。Further, depending on the type of liquid crystal alignment film used, etc.
There is also a problem that it is necessary to replace the cloth and the brush one by one, and it takes a long time to set conditions and adjust the replacement, and the workability is low.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
液晶配向膜の表面処理方法は、上記課題を解決するため
に、単体元素のイオンビームを液晶配向膜の表面に照射
することにより、液晶配向膜の表面に、表面に接触した
液晶分子を所定の方向へ配向させるための微細な溝を形
成することを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, the surface treatment method for a liquid crystal alignment film according to claim 1 of the present invention comprises irradiating the surface of the liquid crystal alignment film with an ion beam of a single element. It is characterized in that fine grooves are formed on the surface of the liquid crystal alignment film for aligning liquid crystal molecules in contact with the surface in a predetermined direction.
【０００９】また、請求項２記載の液晶配向膜の表面処
理装置は、上記課題を解決するために、液晶配向膜が形
成された基板を載置する基板載置台と、上記基板載置台
上に載置されている基板に対して、単体元素のイオンビ
ームを照射するイオンビーム照射手段と、上記基板載置
台上に載置されている基板に対して、イオンビーム照射
時における基板の帯電電荷を除電するための電子ビーム
を照射する電子ビーム照射手段とが設けられていること
を特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, the surface treatment apparatus for a liquid crystal alignment film according to a second aspect of the present invention has a substrate mounting table on which a substrate on which a liquid crystal alignment film is formed is mounted, and a substrate mounting table on the substrate mounting table. Ion beam irradiation means for irradiating the mounted substrate with an ion beam of a single element, and for the substrate mounted on the substrate mounting table, the charged electric charge of the substrate at the time of ion beam irradiation An electron beam irradiating means for irradiating an electron beam for discharging electricity is provided.
【００１０】[0010]
【作用】上記請求項１記載の方法によれば、ダストや異
物が介在しない減圧下で処理すると共に、かつ、布やブ
ラシ等のダストや異物を生じる原因となる部材を用いず
処理するようになっているので、ダストや異物が液晶配
向膜の表面に付着して液晶の配向を乱す微小な欠陥箇所
を形成するという恐れがなくなる。According to the method of the above-mentioned claim 1, the processing is performed under reduced pressure in which no dust or foreign matter is present, and the processing is performed without using a member such as a cloth or a brush that causes dust and foreign matter. Therefore, there is no fear that dust or foreign matter will adhere to the surface of the liquid crystal alignment film and form minute defects that disturb the alignment of the liquid crystal.
【００１１】また、従来の方法においては、液晶配向膜
の材料や処理条件の違いに応じて、布やブラシを交換
し、そのたびに時間のかかる条件出しや、調整作業等を
行う必要があったが、上記の方法によれば、イオンビー
ムを使用しているので、例えばイオンビームのスポット
径、電流密度、イオン照射面積、ビーム走査速度、ビー
ム走査角度等を変えるという簡単な作業で、液晶配向膜
の材料や処理条件の違いに対応できる。Further, in the conventional method, it is necessary to replace the cloth or the brush according to the difference in the material of the liquid crystal alignment film or the processing conditions, and to perform time-consuming condition adjustment or adjustment work each time. However, according to the above method, since the ion beam is used, for example, the liquid crystal can be easily changed by changing the spot diameter of the ion beam, the current density, the ion irradiation area, the beam scanning speed, the beam scanning angle, etc. It can cope with the difference in the material of the alignment film and the processing conditions.
【００１２】また、上記請求項２記載の液晶配向膜の表
面処理装置は、上記請求項１記載の方法を採用した装置
の一例であり、溝を形成する際は、基板載置台上に、液
晶配向膜面を上側にして基板を載置し、イオンビーム照
射手段にてイオンビームを基板載置台上の基板の液晶配
向膜に向かって照射する。そして、このとき、電子ビー
ム照射手段にて、電子ビームを基板に照射して、イオン
ビーム照射による基板の帯電電荷を除電する。これによ
り、基板の帯電にてイオンビームの照射効果が妨げられ
るということがなくなる。The surface treatment apparatus for a liquid crystal alignment film according to claim 2 is an example of an apparatus that employs the method according to claim 1, and when forming a groove, a liquid crystal is formed on a substrate mounting table. The substrate is placed with the orientation film surface facing upward, and the ion beam irradiation means irradiates the liquid crystal orientation film on the substrate on the substrate mounting table with the ion beam. Then, at this time, the electron beam irradiating means irradiates the substrate with the electron beam to eliminate the electric charges charged on the substrate due to the ion beam irradiation. This prevents the ion beam irradiation effect from being hindered by the charging of the substrate.
【００１３】[0013]
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図３に
基づいて説明すれば、以下の通りである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following will describe one embodiment of the present invention with reference to FIGS.
【００１４】本実施例の液晶配向膜の表面処理装置は、
例えばツイストネマティック液晶を用いた液晶表示素子
の製造工程に使用されるもので、イオンビームの照射対
象物が、所定の厚みを有する薄膜であれば、イオンビー
ムの照射部分がスパッタリング効果により膜厚が薄くな
ることに着目し、図２に示すガラス基板１上の液晶配向
膜３の表面に、イオンビームＢ1 を照射することで、一
定方向に複数の配向溝（溝）３ａ…を形成して、配向処
理を施すようになっている。The surface treatment apparatus for the liquid crystal alignment film of this embodiment is
For example, it is used in the manufacturing process of a liquid crystal display device using twisted nematic liquid crystal, and if the ion beam irradiation target is a thin film having a predetermined thickness, the ion beam irradiation portion has a film thickness due to the sputtering effect. Focusing on thinning, the surface of the liquid crystal alignment film 3 on the glass substrate 1 shown in FIG. 2 is irradiated with an ion beam B 1 to form a plurality of alignment grooves (grooves) 3a in a certain direction. Alignment treatment is performed.
【００１５】上記スパッタリング効果を奏するスパッタ
リング現象とは、イオンビーム、即ち、単体元素のイオ
ンを真空中、数１０ｅＶ以上に加速させて物質表面に照
射させた際に起こり、照射された入射イオンが、物質原
子と弾性及び非弾性の衝突を受けながら物質内に侵入す
ると、物質原子の運動エネルギーが入射イオンとの衝突
により高められ、原子の変位エネルギーを超え、変位エ
ネルギーを超えた物質原子が、格子点位置からたたき出
され、原子同士の多重衝突を引き起こし、このうち物質
表面に達した物質原子が真空中に放出されるものであ
る。The sputtering phenomenon which produces the above-mentioned sputtering effect occurs when an ion beam, that is, an ion of a single element is accelerated in a vacuum to several tens of eV or more to irradiate a substance surface, and the irradiated incident ion is When entering into a substance while undergoing elastic or inelastic collision with the substance atom, the kinetic energy of the substance atom is increased by the collision with the incident ion, and the displacement energy of the atom is exceeded. This is a thing that is knocked out from a point position and causes multiple collisions of atoms, and among these, the substance atoms that have reached the substance surface are released into a vacuum.
【００１６】上記表面処理装置は、図１に示すように、
図示しないワークチャンバー内に、液晶表示素子を構成
するガラス基板１が載置されるアースされたステージ
（基板載置台）６と、イオンビーム照射手段４と、電子
ビーム照射手段５とを備えている。The above surface treatment apparatus, as shown in FIG.
A work chamber (not shown) is provided with an earthed stage (substrate mounting table) 6 on which the glass substrate 1 constituting the liquid crystal display device is mounted, an ion beam irradiation means 4, and an electron beam irradiation means 5. .
【００１７】イオンビーム照射手段４は、上記ステージ
６の上方に配されており、イオン銃７と、ビーム形成部
８と、ビーム制御部９とからなる。イオン銃７は、アル
ゴン、キセノン等の単体元素のインレット部７ａ、元素
ガス励起用電子源としてのフィラメントカソード電極７
ｂ、アノード電極７ｃ、イオン加速用電極７ｄから構成
されており、元素ガスのイオンを発生させるようになっ
ている。ビーム形成部８は、イオンビーム形成用コンデ
ンサーレンズ８ａ、イオンビーム電流調整用絞り８ｂ、
イオンビーム収束用レンズ８ｃとを有し、上記イオン銃
７から発生されたイオンを、液晶配向膜３の表面処理に
必要な所定のスポット径及び電流密度を備えたイオンビ
ームＢ1 に形成するようになっている。また、ビーム制
御部９は、図２にも示すように、一対のＸ軸偏向電極９
ａと、一対のＹ軸偏向電極９ｂとからなり、各偏向電極
９ａ・９ｂの印加電圧を変化させることで、所定のイオ
ン照射面積、ビーム走査速度、及びビーム走査角度で、
ステージ６上に載置されたガラス基板１上の液晶配向膜
３を照射するようにイオンビームＢ1 を制御するように
なっている。The ion beam irradiation means 4 is arranged above the stage 6 and comprises an ion gun 7, a beam forming section 8 and a beam control section 9. The ion gun 7 includes an inlet portion 7a for a single element such as argon and xenon, a filament cathode electrode 7 as an electron source for exciting an element gas.
b, the anode electrode 7c, and the ion acceleration electrode 7d, and is adapted to generate ions of the element gas. The beam forming unit 8 includes an ion beam forming condenser lens 8a, an ion beam current adjusting diaphragm 8b,
An ion beam converging lens 8c for forming the ions generated from the ion gun 7 into an ion beam B 1 having a predetermined spot diameter and current density necessary for the surface treatment of the liquid crystal alignment film 3. It has become. Further, the beam control unit 9 also includes a pair of X-axis deflection electrodes 9 as shown in FIG.
a and a pair of Y-axis deflection electrodes 9b. By changing the applied voltage to each deflection electrode 9a, 9b, a predetermined ion irradiation area, beam scanning speed, and beam scanning angle can be obtained.
The ion beam B 1 is controlled so that the liquid crystal alignment film 3 on the glass substrate 1 placed on the stage 6 is irradiated.
【００１８】一方、電子ビーム照射手段５は、上記ステ
ージ６の近傍周辺に配されたタングステンフィラメント
カソード電極１０・１０と、メッシュ状の電子ビーム加
速用アノード電極１１・１１を備えており、上記タング
ステンフィラメントカソード電極１０・１０には、フィ
ラメント点灯用の交流電源１０ａ・１０ａが設けられ、
上記電子ビーム加速用アノード電極１１・１１には、電
子ビーム加速用の直流電源１１ａ・１１ａが設けられて
いる。これにより、電子ビーム照射手段５は、ステージ
６上に載置されたガラス基板１に向かって、電子ビーム
Ｂ2 を照射するようになっている。On the other hand, the electron beam irradiating means 5 is provided with tungsten filament cathode electrodes 10 and 10 arranged in the vicinity of the vicinity of the stage 6 and mesh-shaped anode electrodes 11 and 11 for electron beam acceleration. AC power supplies 10a, 10a for filament lighting are provided on the filament cathode electrode 10, 10.
DC power supplies 11a and 11a for electron beam acceleration are provided on the electron beam acceleration anode electrodes 11 and 11, respectively. As a result, the electron beam irradiation means 5 irradiates the glass substrate 1 mounted on the stage 6 with the electron beam B 2 .
【００１９】このような装置を用いて、ガラス基板１上
の液晶配向膜の３表面に配向溝３ａを形成する際、ガラ
ス基板１を、ステージ６上に、透明電極膜２及び液晶配
向膜３が形成されている側を上向きにして載置すると共
に、ワークチャンバー内を真空引きする。そして、イオ
ンビーム照射手段４から、所定の電流密度、スポット径
を有するイオンビームＢ1 を、ステージ６上のガラス基
板１の液晶配向膜３の表面に、線を引くように、所定の
ビーム走査速度、ビーム走査角度で照射していく（図３
参照）。イオンビームＢ1 が照射されると、液晶配向膜
３の表面には、スパッタリング現象が起こり、スパッタ
リング効果で、イオンビームＢ1 の軌跡に沿って配向溝
３ａが形成される。そして、液晶配向膜３の全面に、イ
オンビームＢ1 を上記のように照射することで、液晶配
向膜３の表面には、一定方向に並ぶ、無数の配向溝３ａ
…が形成される。When the alignment groove 3a is formed on the surface 3 of the liquid crystal alignment film on the glass substrate 1 by using such a device, the glass substrate 1 is placed on the stage 6 and the transparent electrode film 2 and the liquid crystal alignment film 3 are formed. The work chamber is evacuated while it is placed with the side on which is formed facing upward. Then, an ion beam B 1 having a predetermined current density and a spot diameter is drawn from the ion beam irradiation means 4 on the surface of the liquid crystal alignment film 3 of the glass substrate 1 on the stage 6 so that a predetermined beam scanning is performed. Irradiate at speed and beam scanning angle (Fig. 3
reference). When the ion beam B 1 is irradiated, a sputtering phenomenon occurs on the surface of the liquid crystal alignment film 3, and an alignment groove 3a is formed along the trajectory of the ion beam B 1 due to the sputtering effect. By irradiating the entire surface of the liquid crystal alignment film 3 with the ion beam B 1 as described above, the surface of the liquid crystal alignment film 3 has numerous alignment grooves 3a aligned in a certain direction.
... is formed.
【００２０】このとき、電子ビーム照射手段５から、電
子ビームＢ2 をステージ６上のガラス基板１に向かって
照射しておく。これにより、イオンビームＢ1 にて付与
された正電荷は、順次除電され、ガラス基板１に正電荷
が帯電する恐れはない。At this time, the electron beam irradiation means 5 irradiates the glass substrate 1 on the stage 6 with the electron beam B 2 . As a result, the positive charges applied by the ion beam B 1 are sequentially eliminated, and there is no possibility that the glass substrate 1 will be charged with the positive charges.
【００２１】表１に、上記構成の装置を使用して、例え
ばＳｉＯからなる液晶配向膜３の表面に配向処理を施す
際の、処理条件の一例を示す。Table 1 shows an example of processing conditions when the surface of the liquid crystal alignment film 3 made of, for example, SiO is subjected to the alignment processing by using the apparatus having the above-mentioned configuration.
【００２２】[0022]
【表１】 [Table 1]
【００２３】上記の処理条件で、液晶配向膜３の表面処
理を行った場合、１００〜２００Åの深さを有した配向
溝３ａが形成された。When the surface treatment of the liquid crystal alignment film 3 was performed under the above treatment conditions, the alignment groove 3a having a depth of 100 to 200Å was formed.
【００２４】以上のように、本実施例の液晶配向膜の表
面処理装置は、イオンビームＢ1 の照射にて、液晶配向
膜３の表面に、液晶分子を配向させるために無数の配向
溝３ａ…を形成するようになっている。これによれば、
処理空間がダストや異物が介在しない減圧下となると共
に、布やブラシ等のダストや異物を生じる原因となる部
材が使用されていないので、ダストや異物が液晶配向膜
３の表面に付着して液晶の配向を乱す微小な欠陥箇所を
形成するという恐れがなくなり、液晶表示素子の製造歩
留りを向上させることができる。As described above, the surface treatment apparatus for a liquid crystal alignment film according to the present embodiment has a myriad of alignment grooves 3a for aligning liquid crystal molecules on the surface of the liquid crystal alignment film 3 by irradiation of the ion beam B 1. ... are formed. According to this
The processing space is under a reduced pressure with no dust or foreign matter present, and since no member such as cloth or brush that causes dust or foreign matter is used, dust or foreign matter adheres to the surface of the liquid crystal alignment film 3. There is no fear of forming minute defects that disturb the alignment of liquid crystal, and the manufacturing yield of liquid crystal display elements can be improved.
【００２５】また、従来装置においては、液晶配向膜３
の材料や処理条件の違いに応じて、布やブラシを交換
し、そのたびに時間のかかる条件出しや、調整作業等を
行う必要があったが、上記装置によれば、処理条件を変
化させることで、対応できるので、従来の方法よりも、
作業性の向上が図れると同時に、細かい条件設定が可能
となるため、液晶配向膜３の材料選択幅及び処理条件設
定幅を広げ、かつ、条件制御の精度を向上させることが
できる。In the conventional device, the liquid crystal alignment film 3
It was necessary to change the cloth or brush according to the difference in the material and the processing condition, and to perform time-consuming condition adjustment and adjustment work each time, but with the above device, the processing condition is changed. By doing so, it is possible to deal with it,
Since workability can be improved and fine conditions can be set, the material selection width of the liquid crystal alignment film 3 and the processing condition setting width can be widened, and the accuracy of condition control can be improved.
【００２６】また、電子ビーム照射手段５が設けられて
いるので、ガラス基板１に帯電した正電荷は順次除電さ
れ、ガラス基板１の帯電によるイオンビームＢ1 の照射
効果が妨げられる恐れがなく、イオンビームＢ1 による
配向溝３ａ…の形成が効率良くなされる。しかも、従来
の表面処理装置のように、ステージの移動機構、ローラ
の回転機構等の可動機構が必要ないため、構造が簡単に
なると共に、運転作業や保守作業が容易になる等の利点
も備えている。Further, since the electron beam irradiation means 5 is provided, the positive charges charged on the glass substrate 1 are sequentially eliminated, and there is no fear that the irradiation effect of the ion beam B 1 due to the charging of the glass substrate 1 is disturbed. The alignment grooves 3a ... Are efficiently formed by the ion beam B 1 . Moreover, unlike the conventional surface treatment apparatus, since a moving mechanism such as a stage moving mechanism and a roller rotating mechanism is not required, the structure is simplified and the operation and maintenance work can be facilitated. ing.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明の請求項１記載の液晶表示素子の
表面処理方法は、以上のように、単体元素のイオンビー
ムを液晶配向膜の表面に照射することにより、液晶配向
膜の表面に、表面に接触した液晶分子を所定の方向へ配
向させるための微細な溝を形成するものである。As described above, the surface treatment method for a liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention irradiates the surface of the liquid crystal alignment film with the ion beam of a single element so that the surface of the liquid crystal alignment film is exposed. , To form fine grooves for aligning liquid crystal molecules in contact with the surface in a predetermined direction.
【００２８】これによれば、ダストや異物が介在しない
減圧下で処理すると共に、かつ、布やブラシ等のダスト
や異物を生じる原因となる部材を用いず処理するように
なっているので、ダストや異物が液晶配向膜の表面に付
着して液晶の配向を乱す微小な欠陥箇所を形成するとい
う恐れがなくなる。この結果、液晶表示素子の製造歩留
りを向上させることができるという効果を奏する。According to this method, the processing is performed under a reduced pressure in which dust and foreign matter are not present, and the processing is performed without using a member such as a cloth or a brush that causes dust and foreign matter. There is no fear that foreign matter or foreign matter will adhere to the surface of the liquid crystal alignment film to form minute defects that disturb the alignment of the liquid crystal. As a result, the manufacturing yield of the liquid crystal display element can be improved.
【００２９】また、従来の方法においては、液晶配向膜
の材料や処理条件の違いに応じて、布やブラシを交換
し、そのたびに時間のかかる条件出しや、調整作業等を
行う必要があったが、上記の方法によれば、イオンビー
ムを使用しているので、例えばイオンビームのスポット
径、電流密度、イオン照射面積、ビーム走査速度、ビー
ム走査角度等を変えるという簡単な作業で、液晶配向膜
の材料や処理条件の違いに対応できる。したがって、従
来の方法よりも、作業性の向上が図れ、同時に、細かい
条件設定が可能となるため、液晶配向膜の材料選択幅及
び処理条件設定幅を広げ、かつ、条件制御の精度を向上
させることができるという効果を奏する。Further, in the conventional method, it is necessary to replace the cloth or the brush according to the difference in the material of the liquid crystal alignment film and the processing conditions, and to perform time-consuming condition adjustment and adjustment work each time. However, according to the above method, since the ion beam is used, for example, the liquid crystal can be easily changed by changing the spot diameter of the ion beam, the current density, the ion irradiation area, the beam scanning speed, the beam scanning angle, etc. It can cope with the difference in the material of the alignment film and the processing conditions. Therefore, the workability can be improved as compared with the conventional method, and at the same time, fine condition setting can be performed, so that the material selection width of the liquid crystal alignment film and the processing condition setting width can be widened, and the accuracy of the condition control can be improved. There is an effect that can be.
【００３０】また、請求項２記載の液晶配向膜の表面処
理装置は、以上のように、液晶配向膜が形成された基板
を載置する基板載置台と、上記基板載置台上に載置され
ている基板に対して、単体元素のイオンビームを照射す
るイオンビーム照射手段と、上記基板載置台上に載置さ
れている基板に対して、イオンビーム照射時における基
板の帯電電荷を除電するための電子ビームを照射する電
子ビーム照射手段とが設けられている構成である。Further, in the surface treatment apparatus for a liquid crystal alignment film according to a second aspect of the present invention, as described above, the substrate mounting table on which the substrate having the liquid crystal alignment film is mounted, and the substrate mounting table are mounted. Ion beam irradiation means for irradiating an ion beam of a single element to a substrate on which the substrate is placed, and for removing charges on the substrate mounted on the substrate mounting table from the substrate when the ion beam is irradiated. And an electron beam irradiating means for irradiating the electron beam.
【００３１】これによれば、基板載置台上に載置されて
いる基板に対して、イオンビーム照射時における基板の
帯電電荷を除電するための電子ビームを照射する電子ビ
ーム照射手段が設けられているので、基板の帯電にてイ
オンビームの照射効果が妨げられるということがなくな
り、イオンビームによる溝形成を効率良く行うことがで
きるという効果を奏する。According to this, the electron beam irradiating means for irradiating the substrate mounted on the substrate mounting table with the electron beam for removing the charged electric charge of the substrate during the ion beam irradiation is provided. Therefore, the effect of ion beam irradiation is not obstructed by the charging of the substrate, and the effect of efficiently forming the groove by the ion beam is achieved.
【図１】本発明の一実施例を示すものであり、液晶配向
膜の表面処理装置の構成を示す模式図である。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, and is a schematic diagram showing a configuration of a surface treatment apparatus for a liquid crystal alignment film.
【図２】上記液晶配向膜の表面処理装置を用い、イオン
ビームを照射して配向溝を形成する様子を示す説明図で
ある。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a state of forming an alignment groove by irradiating an ion beam using the surface treatment apparatus for a liquid crystal alignment film.
【図３】上記液晶配向膜の表面処理装置にて、表面処理
が施された液晶配向膜の表面を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing a surface of a liquid crystal alignment film that has been subjected to a surface treatment by the liquid crystal alignment film surface treatment apparatus.
１ ガラス基板 ２ 透明導電膜 ３ 液晶配向膜 ４ イオンビーム照射手段 ５ 電子ビーム照射手段 ６ ステージ（基板載置台） ７ イオン銃 ８ ビーム形成部 ９ ビーム制御部 １０ タングステンフィラメントカソード １１ 電子ビーム加速用アノード電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Transparent conductive film 3 Liquid crystal alignment film 4 Ion beam irradiation means 5 Electron beam irradiation means 6 Stage (substrate mounting table) 7 Ion gun 8 Beam forming section 9 Beam control section 10 Tungsten filament cathode 11 Anode electrode for electron beam acceleration
Claims (2)
面に照射することにより、液晶配向膜の表面に、表面に
接触した液晶分子を所定の方向へ配向させるための微細
な溝を形成することを特徴とする液晶配向膜の表面処理
方法。1. The surface of a liquid crystal alignment film is irradiated with an ion beam of a single element to form fine grooves on the surface of the liquid crystal alignment film for aligning liquid crystal molecules in contact with the surface in a predetermined direction. A method for surface treatment of a liquid crystal alignment film, comprising:
板載置台と、 上記基板載置台上に載置されている基板に対して、単体
元素のイオンビームを照射するイオンビーム照射手段
と、 上記基板載置台上に載置されている基板に対して、イオ
ンビーム照射時における基板の帯電電荷を除電するため
の電子ビームを照射する電子ビーム照射手段とが設けら
れていることを特徴とする液晶配向膜の表面処理装置。2. A substrate mounting table on which a substrate having a liquid crystal alignment film is mounted, and an ion beam irradiation means for irradiating the substrate mounted on the substrate mounting table with an ion beam of a single element. And an electron beam irradiating means for irradiating the substrate mounted on the substrate mounting table with an electron beam for removing the charged electric charges of the substrate at the time of ion beam irradiation. A surface treatment device for a liquid crystal alignment film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8344493A JPH06294964A (en) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | Method and device for surface processing of liquid crystal orientation film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8344493A JPH06294964A (en) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | Method and device for surface processing of liquid crystal orientation film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06294964A true JPH06294964A (en) | 1994-10-21 |
Family
ID=13802612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8344493A Pending JPH06294964A (en) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | Method and device for surface processing of liquid crystal orientation film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06294964A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5770826A (en) * | 1996-05-10 | 1998-06-23 | International Business Machines Corporation | Atomic beam alignment of liquid crystals |
| US6124914A (en) * | 1996-05-10 | 2000-09-26 | International Business Machines Corporation | Method an apparatus for forming an alignment pattern on a surface using a particle beam useful for a liquid crystal |
| KR100977976B1 (en) * | 2003-08-21 | 2010-08-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Ion beam irradiation device and the method thereof |
-
1993
- 1993-04-09 JP JP8344493A patent/JPH06294964A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5770826A (en) * | 1996-05-10 | 1998-06-23 | International Business Machines Corporation | Atomic beam alignment of liquid crystals |
| US6124914A (en) * | 1996-05-10 | 2000-09-26 | International Business Machines Corporation | Method an apparatus for forming an alignment pattern on a surface using a particle beam useful for a liquid crystal |
| KR100977976B1 (en) * | 2003-08-21 | 2010-08-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Ion beam irradiation device and the method thereof |
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