JPH06291639A - Terminating set for signal line in integrated circuit - Google Patents

Terminating set for signal line in integrated circuit

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JPH06291639A
JPH06291639A JP6064530A JP6453094A JPH06291639A JP H06291639 A JPH06291639 A JP H06291639A JP 6064530 A JP6064530 A JP 6064530A JP 6453094 A JP6453094 A JP 6453094A JP H06291639 A JPH06291639 A JP H06291639A
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JP
Japan
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mosfet
resistance
resistor
signal line
integrated circuit
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Application number
JP6064530A
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Japanese (ja)
Inventor
D Scotten Jeffrey
ジェフリー・ディー・スコッテン
H Nicholus Gary
ゲイリー・エイチ・ニコルス
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HP Inc
Original Assignee
Hewlett Packard Co
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/28Impedance matching networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements

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Abstract

PURPOSE: To always obtain an appropriate resistance value that is needed for termination of a signal line of an integrated circuit and to compensate the fluctuation of an integrated circuit process. CONSTITUTION: A MOSFET resistance circuit network 201 is formed by MOSFET resistance 203 to 215 which are parallel and are connected between the signal line of an integrated circuit and a signal ground. NAND gates 227 to 237 are connected to the gates of the resistance 205 to 215, and the continuity or non continuity of the resistance 205 to 215 are controlled in response to a 'DRV' signal of the gates 227 and 237 and logic '1' or '0' of 'R0' to 'R5' signals. This varies a parallel synthetic conductive resistance value of the network 201 and makes the effective resistance value of the network 201 approach the impedance of a signal line.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、集積回路設計に関し、
かつとくに高速ライン受信機に使用するチップインピー
ダンス整合を行う集積回路網における信号線終端装置に
関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to integrated circuit design,
And, more particularly, it relates to a signal line terminating device in an integrated circuit network for performing chip impedance matching used in a high speed line receiver.

【0002】[0002]

【従来の技術】コンピュータの速度は、ここ10年の間
に劇的に増加した。コンピュータクロックの速度は10
0MHzに近付き、もはや何がデジタルで、何がアナロ
グかの間の明確な区別は存在しない。これら速度におい
て、デジタル信号及び線は、高速伝送信号及び線として
取り扱わなければならない。
BACKGROUND OF THE INVENTION Computer speed has increased dramatically over the last decade. Computer clock speed is 10
Approaching 0 MHz, there is no longer a clear distinction between what is digital and what is analog. At these speeds, digital signals and lines must be treated as high speed transmitted signals and lines.

【0003】それぞれのクロック及びデータ線は、アナ
ログ伝送回路網の設計に使用したものと同じような注意
力をもって設計しなければならない。すなわち信号源イ
ンピーダンス、ラインインピーダンス及び終端インピー
ダンスは、整合させ、ライン・リンギングのような不所
望な現象を防止しなければならない。ライン・リンギン
グは、波面が、インピーダンスの異常に当たり、かつ反
射して信号源の方へ戻る結果である。反射波と元の波と
の間の相互作用は、集積回路に損傷を与えることがある
電圧アンダーシュート又はオーバーシュートのような有
害な結果を生じることがある。波の間の相互作用は、関
連する回路に表面上ランダムな誤りを生じる遅れた又は
複数回の信号を線に接続された集積回路に加えることも
ある。
Each clock and data line must be designed with the same care as used in the design of analog transmission networks. That is, the source impedance, line impedance, and termination impedance must be matched to prevent undesired phenomena such as line ringing. Line ringing is the result of the wavefront hitting the impedance anomaly and reflecting back towards the signal source. Interactions between the reflected wave and the original wave can have deleterious consequences such as voltage undershoot or overshoot that can damage the integrated circuit. The interaction between the waves may also add delayed or multiple signals to the integrated circuit connected to the line, causing seemingly random errors in the associated circuit.

【0004】ライン・リンギング及びそれに関連する問
題を防ぐため、高速コンピュータ・ラインは、プリント
回路基板(以下、PCBという)上のトレースが、伝送
線らしくなるように十分に注意して設計される。すなわ
ちPCBトレースは、特定のインピーダンスを有するよ
うに設計されかつ構成されることを意味する。同様にP
CBトレース上の信号を駆動する装置は、典型的には集
積回路(IC)内のトランジスタは、PCBトレースと
同じインピーダンスを有するように設計されかつ形成さ
れる。信号受信装置も、ライン・インピーダンスに整合
するインピーダンスを有するように設計される。
To prevent line ringing and its associated problems, high speed computer lines are designed with great care so that the traces on a printed circuit board (PCB) look like transmission lines. That is, the PCB traces are designed and configured to have a particular impedance. Similarly P
Devices that drive signals on CB traces are typically designed and formed such that the transistors in an integrated circuit (IC) have the same impedance as the PCB trace. The signal receiving device is also designed to have an impedance that matches the line impedance.

【0005】所望のインピーダンスを有するように受信
装置を設計することは、問題がある。受信端における現
実のトランジスタが、PCBトレース・インピーダンス
に都合良く整合する固有のインピーダンスを有すること
はまれである。それ故にインピーダンス不整合を最小に
するため、ある種の救済処置が必要である。この問題を
解決するために、しばしば外部抵抗の使用が試され、こ
こでは外部抵抗は、受信集積回路の近くに配置され、か
つ抵抗は、トレース・インピーダンスに整合するため所
望の抵抗値を有するように選択される。
Designing a receiver to have the desired impedance is problematic. Real-world transistors at the receiving end rarely have an inherent impedance that conveniently matches the PCB trace impedance. Therefore, some kind of remedy is needed to minimize the impedance mismatch. To solve this problem, the use of an external resistor is often tried, where the external resistor is placed close to the receiving integrated circuit, and the resistor has the desired resistance value to match the trace impedance. To be selected.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】外部抵抗整合技術は、
抵抗がPCBの実際の所有地を占有するので望ましいも
のではない。抵抗から集積回路内における実際の受信ト
ランジスタまでの信号経路も、実効的に終端されていな
い。好適な終端法は、集積回路内の受信トランジスタの
入力接合部に適当な値の抵抗を配置することである。こ
のアプローチは、もっとも効果的な信号線終端を提供
し、一方最小のチップの現実の所有地しか必要としな
い。
The external resistance matching technique is
It is not desirable because the resistors occupy the real estate of the PCB. The signal path from the resistor to the actual receiving transistor in the integrated circuit is also not effectively terminated. The preferred termination method is to place a resistor of appropriate value at the input junction of the receiving transistor in the integrated circuit. This approach provides the most effective signal line termination, while requiring only a minimum chip real estate.

【0007】集積回路を製造するために利用されるプロ
セスが完全なものであれば、オンチップの終端抵抗の解
決策は理想的である。しかしながら実際には、製造プロ
セスは完全ではなく、かつ終端抵抗は、ほぼ2対1の値
の変動を有する。例えば50オームの抵抗値を有するよ
うに設計された終端抵抗は、50オームから25オーム
までの現実の値を有することがある。集積回路プロセス
の変動の特性のため、抵抗値は、増加するよりむしろ減
少する傾向を有する。現実の抵抗値のこの広い変動は、
必然的に信号線が適当に終端されず、かつ前記の問題を
引き起こすことを表している。
On-chip termination resistor solutions are ideal if the process utilized to fabricate the integrated circuit is complete. However, in reality, the manufacturing process is not perfect, and the terminating resistance has a variation in value of approximately 2 to 1. For example, a termination resistor designed to have a resistance of 50 ohms may have a real value of 50 ohms to 25 ohms. Due to the variable nature of integrated circuit processes, resistance values tend to decrease rather than increase. This wide variation in actual resistance is
Inevitably, the signal line is not properly terminated and causes the above problem.

【0008】工業的に必要なことは、受信トランジスタ
における信号線を終端する装置及び方法を提供し、かつ
終端が常に適当な値になるように集積回路プロセスの変
動を補償することにある。
An industrial need is to provide an apparatus and method for terminating a signal line in a receiving transistor and compensating for variations in integrated circuit processes so that the termination is always at the proper value.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、集積回路にお
ける信号線終端装置を提供し、プロセスの変動又はその
他の効果による抵抗値の変動を補償する。このことは、
複数の異なった値の抵抗を使用し、これら抵抗をプログ
ラミングにより組み合わせ、常に信号線の終端に必要な
適正な抵抗値を提供することによって達成される。これ
ら抵抗は、ICの一部として設計され、かつ受信トラン
ジスタの近くに配置される。
The present invention provides a signal line termination in an integrated circuit to compensate for resistance variations due to process variations or other effects. This is
This is accomplished by using multiple resistors of different values and programming them in combination to always provide the proper resistance required for the termination of the signal line. These resistors are designed as part of the IC and are located near the receiving transistor.

【0010】それぞれの個別抵抗は、三極管(線形)領
域で動作するMOSFETから構成される。MOSFE
T抵抗は、それぞれが高速信号線からアースへ接続され
るように並列に接続されている。この抵抗を制御するた
め、デジタル制御線が、抵抗を導通させ又は遮断するた
めに使用される。どの抵抗を導通させるかを制御するこ
とによって、抵抗回路網の実効抵抗値は、必要に応じて
調節できる。それ故に抵抗の個々の値の変動は、所望の
抵抗値が達成するまで、さらに多少の抵抗を並列に加え
ることによって補償される。
Each individual resistor consists of a MOSFET operating in the triode (linear) region. MOSFE
The T resistors are connected in parallel so that each is connected from the high speed signal line to ground. To control this resistance, digital control lines are used to make or break the resistance. By controlling which resistor is conducting, the effective resistance of the resistor network can be adjusted as needed. Variations in the individual values of resistance are therefore compensated by adding more resistance in parallel until the desired resistance value is achieved.

【0011】[0011]

【作用】抵抗回路網は、外部抵抗の抵抗値をオンチップ
・デジタルアナログ変換器(以下、D/Aという)の出
力と比較することによって制御される。このD/A変換
器は、高速信号線を終端するために使用される回路網と
同一のMOSFET抵抗回路網を使用し、かつD/A抵
抗回路網と終端回路網の両方が、同じデジタル線によっ
て制御される。それ故にD/Aが外部基準抵抗に整合す
るように調節した場合、終端回路網は、同時に調節さ
れ、かつ外部基準抵抗の抵抗値に近付く。所望の終端抵
抗値を有するように外部基準抵抗を選択することによっ
て、オンチップMOSFET抵抗終端回路網の抵抗値
は、高速信号線を適当に終端するように制御される。
The resistor network is controlled by comparing the resistance value of the external resistor with the output of an on-chip digital-to-analog converter (hereinafter referred to as D / A). This D / A converter uses the same MOSFET resistor network as the network used to terminate the high speed signal line, and both the D / A resistor network and the termination network are the same digital line. Controlled by. Therefore, when the D / A is adjusted to match the external reference resistance, the termination network is adjusted at the same time and approaches the resistance of the external reference resistance. By selecting the external reference resistor to have the desired termination resistance value, the resistance value of the on-chip MOSFET resistance termination network is controlled to properly terminate the high speed signal line.

【0012】[0012]

【実施例】図1は、本発明の簡単化した実施例を示して
おり、ここでは個々の抵抗は、特定の入力インピーダン
スを達成するため選択的に並列に配置されている。受信
トランジスタ101を調べて50オームの入力インピー
ダンスZinを達成するため、抵抗回路網103は、並列
抵抗の実効抵抗値が50オームになるように調節されて
いる。図示した簡単な場合、すべてのスイッチ105−
117が閉じており、かつそれ故にすべての抵抗119
−131が並列に接続されている場合、合成抵抗値はほ
ぼ50オームである。このことは、抵抗119−13
1、それぞれ100オーム、200オーム、400オー
ム、800オーム、1600オーム、3200オーム及
び6400オームの実効並列抵抗値が技術上周知のよう
にほぼ50オームであるので成り立つ。抵抗回路網10
3が、受信トランジスタ101の入力端子133に接続
されている場合、入力インピーダンスZinは、受信トラ
ンジスタが電界効果トランジスタ(FET)のように本
来的に高い入力抵抗を有するものとして、ほぼ50オー
ムである。それ故にそれぞれの抵抗119−131が正
確に適正な抵抗値100オーム等を有する場合、すべて
のスイッチ105−117を閉じれば、50オームの所
望の入力インピーダンスZinが達成される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT FIG. 1 shows a simplified embodiment of the invention in which the individual resistors are selectively placed in parallel to achieve a particular input impedance. In order to probe the receiving transistor 101 and achieve an input impedance Z in of 50 ohms, the resistor network 103 is adjusted such that the effective resistance value of the parallel resistors is 50 ohms. In the simple case shown, all switches 105-
117 is closed and therefore all resistors 119
If -131 is connected in parallel, the combined resistance is approximately 50 ohms. This means that resistors 119-13
1 and 100 ohms, 200 ohms, 400 ohms, 800 ohms, 1600 ohms, 3200 ohms and 6400 ohms, respectively, because the effective parallel resistance is approximately 50 ohms, as is well known in the art. Resistor network 10
When 3 is connected to the input terminal 133 of the receiving transistor 101, the input impedance Z in is about 50 ohms, assuming that the receiving transistor has an inherently high input resistance like a field effect transistor (FET). is there. Therefore, if each resistor 119-131 has exactly the right resistance value, such as 100 ohms, then closing all switches 105-117 will achieve the desired input impedance Z in of 50 ohms.

【0013】プロセスの変動のため、抵抗119−13
1が設計された抵抗値ではない場合、所望の入力インピ
ーダンスを達成するために、種々の抵抗の組合せが必要
である。例えば抵抗がその設計値の半分であった場合、
その並列合成は、25オームの実効入力インピーダンス
を生じ、これは低すぎる。それ故に異なった組合せが必
要であり、かつ抵抗が設計値の半分であった場合、10
0オームのその設計値が、実際には所望の入力インピー
ダンスである50オームなので、抵抗119だけしか必
要ない。代用解決策は、抵抗119を除くすべての抵抗
を並列に組み合わせ、50オームの実効入力抵抗値を達
成することにある。
Resistors 119-13 due to process variations.
If 1 is not the designed resistance value, various resistor combinations are required to achieve the desired input impedance. For example, if the resistance is half of its design value,
Its parallel combination yields an effective input impedance of 25 ohms, which is too low. Therefore, if different combinations are required and the resistance is half the design value, 10
Since its design value of 0 ohms is 50 ohms, which is actually the desired input impedance, only resistor 119 is needed. An alternative solution consists in combining all the resistors except resistor 119 in parallel to achieve an effective input resistance value of 50 ohms.

【0014】プロセスの変動が、設計値と設計値の半分
との間の抵抗値を生じた場合、抵抗119−131は、
所望の入力インピーダンスを達成するため適当なように
組み合わせなければならない。もちろん所望の入力イン
ピーダンスを所定の抵抗値に正確に整合することが不可
能なことがあり、かつそれ故に所望の値にもっとも近い
抵抗組み合わせを使用しなければならない。抵抗回路網
内にそれ以上の抵抗を使用すれば、所望の入力インピー
ダンスにさらに近く回路網を整合させることができる。
しかし実際には抵抗及び制御論理部(図示せず)により
使われる物理的空間は、使用する抵抗の数を制限する。
If the process variation results in a resistance value between the design value and half the design value, the resistors 119-131 are
Appropriate combinations must be made to achieve the desired input impedance. Of course, it may not be possible to exactly match the desired input impedance to a given resistance value, and therefore the resistor combination closest to the desired value must be used. The use of more resistors in the resistor network allows the network to be matched closer to the desired input impedance.
However, in practice the physical space used by resistors and control logic (not shown) limits the number of resistors used.

【0015】図2は、本発明によるMOSFET抵抗回
路網の好適な実施例を示している。金属酸化物シリコン
電界効果トランジスタ(以下、MOSFETという)
が、抵抗として使用され、抵抗回路網201を形成して
いる。抵抗のように動作するMOSFETは、当業者に
は周知であり、かつMOSFETを三極管(線形)領域
で動作させることによって達成される。MOSFETの
導通抵抗値は、MOSFETのチャネル長さに比例して
いる。それ故にMOSFETは、製造プロセスの許容範
囲内で、特定のチャネル長さを有するMOSFETを構
成することにより、特定の導通抵抗値を有するように設
計できる。
FIG. 2 shows a preferred embodiment of the MOSFET resistor network according to the present invention. Metal oxide silicon field effect transistor (hereinafter referred to as MOSFET)
Are used as resistors to form a resistor network 201. MOSFETs that act like resistors are well known to those skilled in the art and are achieved by operating the MOSFETs in the triode (linear) region. The conduction resistance value of the MOSFET is proportional to the channel length of the MOSFET. Therefore, the MOSFET can be designed to have a specific conduction resistance value by configuring the MOSFET with a specific channel length within the manufacturing process tolerance.

【0016】それぞれのMOSFET抵抗203−21
5は、特定の導通抵抗値を有するように設計されてい
る。MOSFET抵抗が、図1に関連して説明したよう
な導通抵抗値を有するならば、MOSFET抵抗回路網
の抵抗値は、すべてのMOSFET抵抗203−215
を導通させたとき、50オームになるであろう。例えば
MOSFET抵抗215が100オームの抵抗値を有す
る場合、MOSFET抵抗213は200オームの抵抗
値を有し、かつ以下同様にしてMOSFET抵抗回路網
201の実効抵抗値は50オームになる。
Each MOSFET resistor 203-21
5 is designed to have a specific conduction resistance value. If the MOSFET resistors have a conduction resistance value as described in connection with FIG. 1, the resistance value of the MOSFET resistance network will be all MOSFET resistances 203-215.
When turned on, it will be 50 ohms. For example, if the MOSFET resistor 215 has a resistance value of 100 ohms, the MOSFET resistor 213 has a resistance value of 200 ohms, and so on, the effective resistance value of the MOSFET resistor network 201 will be 50 ohms.

【0017】MOSFETを構成するために使用したプ
ロセスの変動の結果、導通抵抗値が設計値の半分になっ
たとすると(MOSFETは50オームの抵抗値を有す
る等)、前記のように、MOSFET抵抗203−21
3は導通でき、一方MOSFET抵抗215は遮断し、
それによりMOSFET抵抗回路網201の実効抵抗値
が50オームになるようにする。すべてのMOSFET
抵抗がその設計値を有し、又はその設計値より小さな値
を有する場合、MOSFET抵抗203は導通するの
で、MOSFET抵抗203は、常に導通するように構
成してもよく、このことは、MOSFET抵抗回路網を
制御するために使用する制御論理部(図示せず)を簡単
化する。
If, as a result of variations in the process used to construct the MOSFET, the conduction resistance is half the design value (the MOSFET has a resistance of 50 ohms, etc.), then the MOSFET resistor 203, as described above. -21
3 can conduct while MOSFET resistor 215 cuts off,
This causes the effective resistance of the MOSFET resistor network 201 to be 50 ohms. All MOSFETs
The MOSFET resistor 203 may be configured to always conduct, since the MOSFET resistor 203 conducts if the resistor has or has a design value less than that design value. It simplifies the control logic (not shown) used to control the circuitry.

【0018】MOSFET抵抗215のゲート217に
は4つのトランジスタ219−225のナンドゲート2
27が接続されている。MOSFET抵抗205〜21
3のゲートもナンドゲート227と同様の構成のナンド
ゲート229〜237が接続されている。MOSFET
−ナンドゲートの構成と動作は、技術上周知であり、か
つニール・ウエスト(Neil Weste)及びカムラン・エシュ
ラグハーン(Kamran Eshraghian) 著の書物「CMOS
VLSI設計の原理(Principles of CMOS VLSIDesig
n)」アディソン−ウィーズリー(Addison-Wesley publis
hing House) 出版社発行、著作権1985の10、11
及び12ページに記載されている。ナンドゲートの目的
は、2つの信号「DRV」と「R0」に応答してゲート
217を制御することによってMOSFET抵抗215
を導通させ、又は遮断することにある。
The gate 217 of the MOSFET resistor 215 has a NAND gate 2 of four transistors 219-225.
27 is connected. MOSFET resistors 205-21
The third gate is also connected to NAND gates 229 to 237 having the same configuration as the NAND gate 227. MOSFET
-The construction and operation of the NAND gate is well known in the art, and the book "CMOS" by Neil Weste and Kamran Eshraghian.
VLSI Design Principles (Principles of CMOS VLSIDesig
n) '' Addison-Wesley publis
hing House) Published by publisher, Copyright 1985 10, 11
And page 12. The purpose of the NAND gate is to control the MOSFET 217 by controlling the gate 217 in response to two signals "DRV" and "R0".
To turn on or off.

【0019】「DRV」と「R0」両方が高レベル(論
理1)である場合、MOSFET抵抗215は導通す
る。「DRV」又は「R0」のいずれか一方が低レベル
(論理0)である場合、MOSFET抵抗215は遮断
される。MOSFET抵抗215を制御するために使用
した「R0」信号の代わりに独自の「Rx」信号をそれ
ぞれが有し、その場合「x」が「1−5」である点を除
いて、MOSFET抵抗213−205は、それぞれM
OSFET抵抗215に関して説明したようなこれらを
制御するナンドゲートを有する。MOSFET抵抗20
3は、2つのトランジスタ239及び241によって制
御され、これらトランジスタは、「DRV」信号が高レ
ベル(論理1)の場合に、MOSFET抵抗203を導
通させ、かつそうでない場合遮断する。
When both "DRV" and "R0" are high (logic 1), MOSFET resistor 215 conducts. When either "DRV" or "R0" is low level (logic 0), MOSFET resistor 215 is cut off. MOSFET resistor 213, except that each has its own "Rx" signal instead of the "R0" signal used to control MOSFET resistor 215, where "x" is "1-5". -205 is M
It has a NAND gate to control them as described for OSFET resistor 215. MOSFET resistor 20
3 is controlled by two transistors 239 and 241 which, when the "DRV" signal is high (logic 1), turn on the MOSFET resistor 203 and turn it off.

【0020】「DRV」信号は、すべてのMOSFET
抵抗203−215の導通をイネーブルする信号であ
る。これは、双方向信号線により受信機/ドライバを使
用する場合のように、ドライバ・トランジスタが受信ト
ランジスタと共にMOSFET抵抗回路網に接続されて
いるとき、有用である。ドライバ・トランジスタが信号
線を駆動しているとき、「DRV」信号はMOSFET
抵抗回路網を禁止し、不要な線の負荷を防止する。その
逆に受信トランジスタが動作しているとき、「DRV」
信号はMOSFET抵抗回路網をイネーブルし、適当な
線終端インピーダンスを提供する。
The "DRV" signal applies to all MOSFETs.
This is a signal that enables conduction of the resistors 203 to 215. This is useful when the driver transistor is connected with the receiving transistor to the MOSFET resistor network, such as when using the receiver / driver with bidirectional signal lines. The "DRV" signal is a MOSFET when the driver transistor is driving the signal line.
Disable the resistor network to prevent unnecessary wire loading. Conversely, when the receiving transistor is operating, "DRV"
The signal enables the MOSFET resistor network and provides the appropriate line termination impedance.

【0021】「Rx」信号は特定のMOSFET抵抗を
イネーブルする。例えば「R0」と「R5」が高レベル
(論理1)であると、MOSFET抵抗205と215
が、「DRV」信号も高レベル(論理1)であると仮定
して、「Rx」信号により切り換えられないMOSFE
T抵抗203と共にイネーブルされる。MOSFET制
御のこの方法は、6ビットのデータ(R0−R5)を使
用した所望の抵抗値のデジタル近似を提供する。
The "Rx" signal enables a particular MOSFET resistor. For example, if "R0" and "R5" are at a high level (logic 1), MOSFET resistors 205 and 215
However, assuming that the "DRV" signal is also at a high level (logic 1), it is not possible to switch by the "Rx" signal.
Enabled with T-resistor 203. This method of MOSFET control provides a digital approximation of the desired resistance value using 6 bits of data (R0-R5).

【0022】図3は、本発明の好適な実施例を示し、こ
こではすべてのMOSFET抵抗回路網が所望の抵抗値
を近似するようにスレーブ抵抗回路網を制御するため、
基準抵抗回路網が使用される。トランジスタ301、3
03及び305は、カレントミラーを形成しており、ト
ランジスタ301を通って流れる電流Iref が、トラン
ジスタ303及び305を通って流れる電流の鏡像をな
す(同じ)ようになっている。トランジスタ303から
の電流は、図3に示す回路の残りすべてを含む集積回路
の外部にある基準抵抗307を通って流れる。この電流
は、基準抵抗307に電圧降下を生じ、この電圧降下
は、比較器309の反転入力端子に電圧入力を供給す
る。
FIG. 3 illustrates a preferred embodiment of the present invention in which all MOSFET resistor networks control the slave resistor network to approximate the desired resistance value.
A reference resistor network is used. Transistors 301, 3
03 and 305 form a current mirror so that the current I ref flowing through the transistor 301 is a mirror image (same) of the current flowing through the transistors 303 and 305. Current from transistor 303 flows through reference resistor 307, which is external to the integrated circuit including all of the rest of the circuit shown in FIG. This current causes a voltage drop across the reference resistor 307, which provides a voltage input to the inverting input terminal of the comparator 309.

【0023】トランジスタ305からの電流は、7つの
MOSFET抵抗311−323からなるMOSFET
抵抗回路網を通って流れる。この電流は、MOSFET
抵抗回路網に電圧降下を生じ、この電圧降下は、比較器
309の非反転入力端子に電圧入力を供給する。加算/
減算6ビット・デジタルカウンタ325は、比較器30
9の出力によって制御される。6ビットデジタル・カウ
ンタの設計と構成は、当技術上周知である。
The current from the transistor 305 is a MOSFET consisting of seven MOSFET resistors 311-323.
It flows through a resistor network. This current is MOSFET
There is a voltage drop across the resistor network that provides a voltage input to the non-inverting input terminal of comparator 309. Addition /
The subtraction 6-bit digital counter 325 is used by the comparator 30.
It is controlled by the output of 9. The design and construction of 6-bit digital counters are well known in the art.

【0024】デジタル・カウンタ325の6つの出力端
子327−337は、それぞれ6つのMOSFET抵抗
311−321に接続されている。デジタル・カウンタ
325は、比較器309の出力が高レベル(論理1)の
とき、加算計数し、かつ比較器309の出力が低レベル
(論理0)のとき、減算計数する。デジタル・カウンタ
325が計数すると、6つの出力は状態を変え(論理0
から論理1等)、かつそれにより個々のMOSFET抵
抗311−321をイネーブルしかつ禁止する。MOS
FET抵抗323は、常に導通するように構成されてい
る。
The six output terminals 327-337 of the digital counter 325 are connected to six MOSFET resistors 311-321, respectively. The digital counter 325 counts up when the output of the comparator 309 is high level (logic 1), and counts down when the output of the comparator 309 is low level (logic 0). As the digital counter 325 counts, the six outputs change states (logic 0
To logic 1 etc.), and thereby enable and inhibit individual MOSFET resistors 311-321. MOS
The FET resistor 323 is configured to be always conductive.

【0025】動作の際比較器309は、基準抵抗307
及びMOSFET抵抗回路網311−323からの2つ
の電圧を比較する。基準抵抗307からの電圧が、MO
SFET抵抗回路網からの電圧より低い場合、デジタル
・カウンタは加算計数し、それにより並列にさらに多く
のMOSFET抵抗311−321を加え、かつそれに
よりMOSFET抵抗回路網の電圧降下を減少する。そ
の逆に基準抵抗からの電圧がMOSFET抵抗回路網か
らの電圧より高い場合、デジタル・カウンタは減算計数
し、かつ並列のMOSFET抵抗の数を減らし、それに
よりMOSFET抵抗回路網の電圧降下を増加する。
In operation, the comparator 309 has a reference resistor 307.
And the two voltages from the MOSFET resistor network 311-323. The voltage from the reference resistor 307 is MO
Below the voltage from the SFET resistor network, the digital counter counts, thereby adding more MOSFET resistors 311-321 in parallel and thereby reducing the voltage drop across the MOSFET resistor network. Conversely, if the voltage from the reference resistor is higher than the voltage from the MOSFET resistor network, the digital counter subtracts and reduces the number of MOSFET resistors in parallel, thereby increasing the voltage drop across the MOSFET resistor network. .

【0026】基準電圧とMOSFET抵抗回路網電圧の
この比較により、デジタル・カウンタが制御され、かつ
他方においてMOSFET抵抗回路網の抵抗値を制御す
る。このようにしてMOSFET抵抗回路網のMOSF
ET抵抗311−323の抵抗値は、集積回路の外部の
基準抵抗307の抵抗値に近くなる。
This comparison of the reference voltage and the MOSFET resistor network voltage controls the digital counter and, on the other hand, the resistance of the MOSFET resistor network. In this way, the MOSF of the MOSFET resistance network is
The resistance value of the ET resistors 311 to 323 is close to the resistance value of the reference resistor 307 outside the integrated circuit.

【0027】プロセスの変動は、オンチップMOSFE
T抵抗の値にチップごとに作用を及ぼし、一方チップ内
における変動は最小である。それ故に一つのチップ上の
2つの同じMOSFET抵抗は、実際にきわめて近接し
て整合した値を有する。多重MOSFET抵抗回路網を
1つのチップ上に構成して、1つのMOSFSET抵抗
回路網のMOSFET抵抗を別のすべてのMOSFET
抵抗回路網のMOSFET抵抗と同一に設計すれば、す
べてのMOSFET抵抗回路網は、密接に整合する。そ
れにより多重MOSFET抵抗回路網は、制御信号を並
列に接続することができ、すべてのMOSFET抵抗回
路網が制御回路網の抵抗値に整合するようにすることが
できる。
On-chip MOSFE process variation
It affects the value of the T-resistance chip by chip, while the variation within the chip is minimal. Therefore two identical MOSFET resistors on one chip actually have very closely matched values. Multiple MOSFET resistor network is constructed on one chip and MOSFET resistance of one MOSFSET resistor network is replaced by all other MOSFETs.
Designed to be the same as the MOSFET resistance of the resistor network, all MOSFET resistor networks are closely matched. This allows the multiple MOSFET resistor network to connect the control signals in parallel, ensuring that all MOSFET resistor networks match the resistance of the control network.

【0028】MOSFET抵抗311−323は、その
チップ上の別のすべての回路網のための制御回路網を形
成する。図示したようにデジタル・カウンタ325の6
つの出力端子は、MOSFET抵抗339−351から
なる第2のMOSFET抵抗回路網に接続されており、
かつ制御用のMOSFET抵抗339−349に接続さ
れている。MOSFET抵抗339−352の値は、M
OSFET抵抗311−323の値に整合するように設
計されており、2つのMOSFET抵抗回路網は同一に
なっている。外部の基準抵抗307に整合するようにM
OSFET抵抗311−323のM0SFET抵抗回路
網を調節するため、デジタル・カウンタ325が加算計
数及び減算計数する場合、第2のMOSFET抵抗回路
網のMOSFET抵抗339−351第2のMOSFE
T抵抗の抵抗値も調節され、かつ外部の基準抵抗307
に整合する。
MOSFET resistors 311-323 form the control network for all other circuitry on the chip. 6 of the digital counters 325 as shown
The two output terminals are connected to a second MOSFET resistor network consisting of MOSFET resistors 339-351,
It is also connected to the controlling MOSFET resistors 339-349. The value of the MOSFET resistors 339-352 is M
Designed to match the value of OSFET resistors 311-323, the two MOSFET resistor networks are identical. M to match the external reference resistor 307
The MOSFET resistors 339-351 second MOSFET of the second MOSFET resistor network when the digital counter 325 counts up and down to adjust the M0SFET resistor network of the OSFET resistors 311-323.
The resistance value of the T resistor is also adjusted, and the external reference resistor 307
To match.

【0029】第2のMOSFET抵抗回路網のMOSF
ET抵抗339−351は、関連する受信トランジスタ
353の近くに接近して配置されており、かつ受信トラ
ンジスタ353のゲートと信号アースの間に接続されて
いる。このようにして入力インピーダンスZinは、基準
抵抗を近似したMOSFET抵抗回路網の抵抗値に等し
い。
MOSF of the second MOSFET resistor network
ET resistors 339-351 are located in close proximity to the associated receive transistor 353 and are connected between the gate of receive transistor 353 and signal ground. In this way, the input impedance Z in is equal to the resistance value of the MOSFET resistance network which approximates the reference resistance.

【0030】追加的なMOSFET抵抗回路網は、別の
受信トランジスタの近くに配置してもよく、受信トラン
ジスタに通じるそれぞれの信号線は、適当に終端され
る。デジタル・カウンタからMOSFET抵抗回路網へ
のデジタル制御線は、チップ(図示せず)の周りを回っ
て通じており、かつデジタル特性を有するので、これら
制御線は、基本的にアナログ信号に関連する雑音の問題
には関係ない。
The additional MOSFET resistor network may be located near another receive transistor, with each signal line leading to the receive transistor properly terminated. Since the digital control lines from the digital counter to the MOSFET resistor network run around a chip (not shown) and have digital characteristics, these control lines are basically associated with analog signals. It has nothing to do with the noise problem.

【0031】その他の変更及び追加は、当業者には明ら
かであり、かつ本発明の技術範囲及び権利範囲から外れ
ることなく行なうことができる。例えば抵抗の数の変更
は、外部の基準抵抗に対するMOSFET抵抗回路網の
精度を高めるため又は下げるために行なうことができ
る。デジタル・カウンタの出力は電圧に変換してもよ
く、かつ個々のMOSFET終端抵抗を制御するように
使用してもよい。個々のMOSFET抵抗に通じる電圧
の変化は、抵抗の実効抵抗値を変化させる。しかしこれ
は、個々のMOSFET抵抗へのアナログ信号のルート
を必要とし、このことは、前記好適な実施例ほど有利で
はない。
Other modifications and additions will be apparent to those skilled in the art and can be made without departing from the scope and technical scope of the present invention. For example, changing the number of resistors can be done to increase or decrease the accuracy of the MOSFET resistor network with respect to an external reference resistor. The output of the digital counter may be converted to a voltage and used to control individual MOSFET termination resistors. Changes in the voltage across an individual MOSFET resistor change the effective resistance of the resistor. However, this requires the routing of analog signals to the individual MOSFET resistors, which is not as advantageous as the preferred embodiment.

【0032】説明及び例は、例示のためだけと考えるべ
きものであり、本発明の真の権利範囲及び技術範囲は、
特許請求の範囲に記載されたものとする。
The description and examples are to be considered as illustrative only, and the true scope and spirit of the present invention is:
It shall be as described in the claims.

【0033】以上本発明の各実施例について詳述した
が、以下、本発明の各実施例を要約する。 1. 信号線を有する集積回路と、導通されたとき、信
号線から信号アースへ接続された抵抗のように動作し、
遮断されたとき、信号線とアースとの間の開回路のよう
に動作するように信号線と信号アースとの間に接続され
たトランジスタと、信号線と信号アースとの間の実効イ
ンピーダンスが導通されたトランジスタにより集積回路
外部の抵抗の値に近いとき、信号線を終端するようにト
ランジスタを導通するように導通及び遮断するための集
積回路の外部の抵抗に動作的に関連された制御部と、と
を有する集積回路における信号線終端装置である。
Although the respective embodiments of the present invention have been described in detail above, the respective embodiments of the present invention will be summarized below. 1. When integrated with an integrated circuit having a signal line, it behaves like a resistor connected from the signal line to the signal ground,
When cut off, the transistor connected between the signal line and the signal ground acts as an open circuit between the signal line and the ground, and the effective impedance between the signal line and the signal ground conducts. And a control unit operatively associated with the resistance external to the integrated circuit for conducting and blocking the transistor so as to terminate the signal line when the resistance of the transistor is close to the resistance outside the integrated circuit. , And a signal line terminating device in an integrated circuit having.

【0034】2. 少なくとも2つの一連のトランジス
タが、前記信号線と前記信号アースとの間に接続され、
前記トランジスタが前記集積回路外部の抵抗値に近づけ
るために、前記制御部によって選択的に導通される前記
1に記載の集積回路における信号線終端装置である。
2. At least two series of transistors are connected between the signal line and the signal ground,
The signal line terminating device in the integrated circuit as described in 1 above, which is selectively turned on by the control unit to bring the transistor close to a resistance value outside the integrated circuit.

【0035】3. 前記トランジスタが電界効果トラン
ジスタ(FET)である前記1に記載の集積回路におけ
る信号線終端装置である。
3. 2. The signal line terminating device in the integrated circuit according to 1, wherein the transistor is a field effect transistor (FET).

【0036】4. 前記制御部が、前記集積回路外部の
抵抗値を前記トランジスタの実効抵抗値と比較する比較
器と、前記比較器の出力に応答して加算及び減算するよ
うに前記比較器と協働配置されたカウンタと、前記カウ
ンタの出力端子に接続されかつ前記カウンタの出力に応
答して導通する前記トランジスタと、を有する前記2に
記載の集積回路における信号線終端装置である。
4. The controller is arranged to cooperate with the comparator for comparing the resistance value outside the integrated circuit with the effective resistance value of the transistor, and for adding and subtracting in response to the output of the comparator. 3. The signal line terminating device in the integrated circuit according to 2, further comprising a counter, and the transistor connected to the output terminal of the counter and conducting in response to the output of the counter.

【0037】5. 信号線を有する集積回路と、基準信
号に接続されかつそれぞれが導通されたときに抵抗のよ
うに動作する少なくとも2つの第1の一連のトランジス
タと、前記信号線と信号アース間に接続されかつそれぞ
れが導通されたときに抵抗のように動作する少なくとも
2つの第2の一連のトランジスタと、前記集積回路の外
部基準抵抗と、前記第1の一連のトランジスタの抵抗値
を前記集積回路外部抵抗の抵抗値と比較する比較器と、
前記比較器からの出力に応答して加算及び減算するよう
に前記比較器と協働配置されたカウンタとを有し、前記
比較器が前記外部抵抗値と前記第1の一連のトランジス
タ実効抵抗値との間の差に応答して前記カウンタを加算
若しくは減算させ、前記第1の一連のトランジスタの実
効抵抗値が前記外部抵抗値よりも大きいときに、前記カ
ウンタが前記第1の一連のトランジスタのうちの個々の
トランジスタが導通するように前記第1の一連のトラン
ジスタを制御し、前記第2の一連のトランジスタの実効
抵抗値が前記第1の一連のトランジスタの実効抵抗値の
変化に応答して変化するように前記第2の一連のトラン
ジスタのうちのトランジスタが前記カウンタによって制
御されるために、前記第1の一連のトランジスタのうち
の少なくとも1つのトランジスタが、前記カウンタの出
力に応答して導通し、前記第2の一連のトランジスタの
うちのトランジスタが、前記第1の一連のトランジスタ
のうちのトランジスタの導通状態に整合する集積回路に
おける信号線終端装置である。
5. An integrated circuit having a signal line, at least two first series transistors connected to a reference signal and acting like resistors when each is conducted, and connected between said signal line and signal ground and respectively At least two second series of transistors that behave like resistors when turned on, an external reference resistance of the integrated circuit, and a resistance value of the first series of transistors to a resistance of the integrated circuit external resistance. A comparator that compares the value,
A counter co-located with the comparator for adding and subtracting in response to the output from the comparator, the comparator having the external resistance value and the first series of transistor effective resistance values. The counter is incremented or decremented in response to a difference between and the effective resistance value of the first series of transistors is greater than the external resistance value. Controlling the first series of transistors so that each of the individual transistors is conductive, and the effective resistance of the second series of transistors is responsive to changes in the effective resistance of the first series of transistors. At least one of the first series of transistors for varying a transistor of the second series of transistors to be controlled by the counter; A signal line termination in an integrated circuit in which a transistor conducts in response to the output of the counter and a transistor in the second series of transistors matches the conducting state of a transistor in the first series of transistors. It is a device.

【0038】6. 前記第1及び第2の一連のトランジ
スタのうちのトランジスタが、電界効果トランジスタで
ある前記5に記載の集積回路における信号線終端装置で
ある。
6. The transistor of the first and second series of transistors is a signal line terminating device in the integrated circuit according to 5, which is a field effect transistor.

【0039】7. 基準電流が発生され、同一電流が外
部抵抗及び前記第1の一連のトランジスタの両方を介し
て流され、前記第1の一連のトランジスタを介して流れ
る電流が前記基準信号を生成する前記5に記載の集積回
路における信号線終端装置である。
7. The reference current is generated, the same current is passed through both an external resistor and the first series of transistors, and the current flowing through the first series of transistors produces the reference signal. Is a signal line terminating device in the integrated circuit of.

【0040】8. 受信トランジスタは、前記信号線に
接続される前記5に記載の集積回路における信号線終端
装置である。
8. The receiving transistor is the signal line terminating device in the integrated circuit according to 5, which is connected to the signal line.

【0041】9. 前記信号線が前記受信トランジスタ
の入力端子に近接して終端されるように、前記第2の一
連のトランジスタが前記受信トランジスタと協働して配
置される前記8に記載の集積回路における信号線終端装
置である。
9. 9. A signal line termination in an integrated circuit as described in 8 above, wherein the second series of transistors are arranged in cooperation with the receiving transistor such that the signal line is terminated close to the input terminal of the receiving transistor. It is a device.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、集積回路上の信号線と信号アース線との間にトラ
ンジスタを接続し、このトランジスタの導通、遮断制御
を制御部で行い、信号線と信号アースとの間の実効イン
ピーダンスが集積回路の外部抵抗の抵抗値に近い場合に
は、制御部よりトランジスタを導通させて信号線を終端
するようにしたので、常に集積回路の信号線の終端に必
要な抵抗値が得られ、集積回路プロセスの変動を補償す
ることができる効果を奏する。
As described in detail above, according to the present invention, a transistor is connected between the signal line and the signal ground line on the integrated circuit, and the conduction and interruption control of this transistor is performed by the control unit. , When the effective impedance between the signal line and the signal ground is close to the resistance value of the external resistance of the integrated circuit, the control unit turns on the transistor to terminate the signal line. The resistance value necessary for the termination of the line can be obtained, and the effect of being able to compensate for fluctuations in the integrated circuit process is exerted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の簡単化した総括的な回路図である。FIG. 1 is a simplified schematic circuit diagram of the present invention.

【図2】本発明による抵抗回路網の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a resistor network according to the present invention.

【図3】すべての抵抗回路網が所望の抵抗値を近似する
ようにスレーブ抵抗回路網を制御するために制御用の抵
抗回路網を利用した、本発明による好適な実施例を示す
回路図である。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a preferred embodiment according to the present invention utilizing a control resistor network to control a slave resistor network so that all resistor networks approximate a desired resistance value. is there.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101、353 受信トランジスタ 103 抵抗回路網 201 MOSFET抵抗回路網 203−215、311−323、339−351 M
OSFET抵抗 219−225、239、241、301−305 ト
ランジスタ 227−237 ナンドゲート 307 基準抵抗 309 比較器 325 デジタル・カウンタ 353 受信トランジスタ Zin 入力インピーダンス
101, 353 receiving transistor 103 resistance network 201 MOSFET resistance network 203-215, 311-323, 339-351 M
OSFET resistance 219-225, 239, 241, 301-305 transistor 227-237 NAND gate 307 reference resistance 309 comparator 325 digital counter 353 receiving transistor Z in input impedance

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 信号線を有する集積回路と、 導通されたとき、信号線から信号アースへ接続された抵
抗のように動作し、遮断されたとき、信号線とアースと
の間の開回路のように動作するように信号線と信号アー
スとの間に接続されたトランジスタと、 信号線と信号アースとの間の実効インピーダンスが導通
されたトランジスタにより集積回路外部の抵抗の値に近
いとき、信号線を終端するようにトランジスタを導通す
るように導通及び遮断するための集積回路の外部の抵抗
に動作的に関連された制御部と、 を具備したことを特徴とする集積回路における信号線終
端装置。
Claim: What is claimed is: 1. An integrated circuit having a signal line and an open circuit between the signal line and ground which, when turned on, acts like a resistor connected from the signal line to signal ground. When the effective impedance between the signal line and signal ground is close to the value of the resistance outside the integrated circuit due to the transistor connected between the signal line and signal ground so that it operates like A signal line terminating device in an integrated circuit, comprising: a control unit operatively associated with a resistance external to the integrated circuit for electrically connecting and disconnecting a transistor so as to terminate a line. .
JP6064530A 1993-03-19 1994-03-08 Terminating set for signal line in integrated circuit Pending JPH06291639A (en)

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US034,932 1993-03-19

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002330182A (en) * 2001-02-05 2002-11-15 Samsung Electronics Co Ltd Impedance update device and method for termination circuit
KR100468728B1 (en) * 2002-04-19 2005-01-29 삼성전자주식회사 On-chip terminator, Control circuit there-of and Control method there-of in semiconductor integrated circuit
KR100716802B1 (en) * 2005-12-30 2007-05-14 (주)아모레퍼시픽 Preparation of ph-responsive polymer-liposome complexes and the composition of skin external application containing the same
KR101219949B1 (en) * 2006-06-28 2013-01-18 인텔 코오퍼레이션 Dynamic transmission line termination

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