JPH06289596A - パタン欠陥検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】半導体集積回路等の製造に適用されるＸ線マス
クやその他の微細パタンのパタン欠陥を電子線の走査手
段を用いて高速かつ精度良く検査するパタン欠陥検査装
置において、近接して併置させた被検査マスクと基準マ
スクを電子ビームにより同時に走査させ、各々のマスク
パタン形状に反映した情報をリアルタイムに検出するこ
とにより、処理の高速化とメモリの節減を図る。 【構成】電子線を発生させる電子銃と、被検査マスク
と、基準マスクと、被検査マスクと基準マスク上を走査
する電子ビーム走査部と、被検査マスクと基準マスクを
上下に併置するマスクホルダー部と、被検査マスクある
いは基準マスクの電子信号を検出する第１の信号検出部
と、被検査マスクと基準マスクを透過した電子信号を検
出する第２の検出部と、第１、第２の検出部で得られた
信号から被検査マスク及び基準マスクの相互のパタンエ
ッジ情報を比較し、異なる部位を抽出する欠陥検出部よ
り構成したことを特徴とするパタン欠陥検査装置として
の構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の製
造に適用されるＸ線マスクやその他の微細パタンのパタ
ン欠陥を電子線の走査手段を用いて高速かつ精度良く検
査するパタン欠陥検査装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】集積回路等の製作に用いられているマス
クのパタンの欠陥検査は、製品の歩留りを向上させてコ
ストを下げるため欠かすことができない。従来、上記の
ごときマスクの欠陥検査は光学顕微鏡を用いて目視によ
り行われていた。しかし、人が介在するため検査の効率
が悪く、また、欠陥の見落としもあり、欠陥の検出が不
完全であった。従って、完全な欠陥検査は、これらのマ
スクを用いて製品を試作し、試作した製品の性質を調べ
ることによって間接的に行われることが多く、著しく効
率の悪いものであった。

【０００３】近年、集積回路の高密度化が進むにつれて
目視による欠陥検査はますます効率の悪いものとなり、
このような背景から自動的に欠陥検査が行える装置に対
する要求が高まり、光を検査プローブとした自動欠陥検
査装置がいくつか提案され、実用装置として市販される
に至っている。

【０００４】一方、集積回路の高集積化の傾向は著し
く、パタン寸法もサブミクロン領域に入っている。とこ
ろで、サブミクロンパタンの欠陥検査を、前述した光を
検査プローブとした装置で行うことは、光の分解能の制
約のために難しい。しかし、光以上の分解能を有する電
子ビームを検査プローブとする電子顕微鏡は、光では見
えない物の観測手段として広く用いられており、この電
子顕微鏡によって得られる像を用いてパタンの欠陥検査
を行えばサブミクロンパタンの欠陥検査が可能である。

【０００５】一般に、検査法としては設計データとの比
較、２チップ間比較がある。設計データとの比較法で
は、処理データに対応するパタンデータ部を設計データ
から切り出し、処理データと同じ形式のビットマップに
展開し、パタンマッチング等により比較し、差異部を欠
陥として検出する。電子ビームで走査をする場合は、そ
の電子鏡筒固有の走査歪があるため、設計データと処理
データ間の走査歪み補正をする必要がある。また、ビッ
トマップデータを格納するメモリ量としては、検出画素
サイズを０．１μｍとすると１００μｍ角領域のデータ
で１ＭＢのメモリが必要になる。チップサイズは近年ま
すます大きくなってきており、チップデータ全てをメモ
リ上に格納することは不可能になってきている。このた
め、チップを数１０〜数百μｍ単位に分割して、検査を
行う。この場合は処理データとパタンマッチングする設
計データをデスク上から順次とりだす必要があり、デス
クのＩ／Ｏ処理回数が増えるため検査時間が増大する。

【０００６】一方、２チップ比較法では光をプローブと
した検査では２光路光学系による２チップ同時検査があ
るが、電子ビームをプローブとした検査では電子鏡筒部
の性能、安定性等から２鏡筒を用いた検査は実用に至っ
ていない。このため、単一鏡筒により２チップ間の検査
を行っており、チップの一方の処理データを１度メモリ
に格納する必要があるため膨大なメモリ容量が必要にな
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｘ線
等によって微細なパタンを転写する装置に必要とされる
マスクのパタン欠陥を検査する際に、近接して併置させ
た被検査マスクと基準マスクを電子ビームにより同時に
走査させ、各々のマスクパタン形状に反映した情報をリ
アルタイムに検出することにより、処理の高速化とメモ
リの節減を図ったパタン欠陥検査装置を提供することで
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は電子ビームによ
り近接して併置された被検査マスクと、被検査マスクの
パタンをポジ／ネガ反転し、かつ、被検査マスクよりパ
タン幅を細くした基準マスクを同時走査して得た、２次
電子信号と透過電子信号の２値化情報の差異をリアルタ
イムに検出することにより、処理の高速化とメモリの節
減を図ったことを最も主要な特徴とする。従来の電子ビ
ームプローブを用いたパタン検査装置では設計データ比
較法、２チップ比較法とも一方の比較データをメモリ上
に確保する必要があるため、膨大なメモリ容量が必要に
なる。さらに、設計データ比較法では走査ビームに偏向
歪が存在するため、検出データか原データのいずれかに
歪補正を施さなければならない。

【０００９】本発明は上記の欠点を解決するため以下の
構成を有するものである。即ち、本発明は、電子線を発
生させる電子銃と、被検査マスクと、基準マスクと、被
検査マスクと基準マスク上を走査する電子ビーム走査部
と、被検査マスクと基準マスクを上下に併置するマスク
ホルダー部と、被検査マスクあるいは基準マスクの電子
信号を検出する第１の信号検出部と、被検査マスクと基
準マスクを透過した電子信号を検出する第２の検出部
と、第１、第２の検出部で得られた信号から被検査マス
ク及び基準マスクの相互のパタンエッジ情報を比較し、
異なる部位を抽出する欠陥検出部より構成したことを特
徴とするパタン欠陥検査装置としての構成を有するもの
であり、あるいはまた、

【００１０】上記の基準マスクとしては被検査マスクの
パタンをポジ／ネガ反転し、かつ、基準マスクと被検査
マスクのエッジ境界部を電子ビームが透過できるだけの
パタン寸法だけ、基準マスクパタン幅を被検査マスクパ
タン幅より細くしたことを特徴とするパタン欠陥検査装
置としての構成を有するものである。更にまた、

【００１１】上記の欠陥検出部はパタンエッジの個数及
びパタン幅を比較データとして、異なる部位を抽出する
ことを特徴とするパタン欠陥検査装置としての構成を有
するものである。

【００１２】

【実施例】図１は本発明のパタン欠陥検査装置全体の構
成を示す図である。図１において、１は電子ビーム鏡
筒、２は試料ステージ、３はマスクホルダ、４はマスク
ホルダ内にセットされた被検査マスク、５はマスクホル
ダ内にセットされた基準マスク、６は２次電子検出器、
７は透過電子検出器、８は増幅・波形整形回路、９は演
算処理部、１０は２値化回路、１１は比較データ作成
部、１２は比較判定部、１３は欠陥情報を格納する欠陥
テーブル、１４は走査線位置信号、１５は水平クロック
信号、１６は欠陥検出部、１７は電子ビーム走査部であ
る。

【００１３】上記構成において、被検査マスク４と基準
マスク５とを位置決めした状態でセッテングされたマス
クホルダ３を試料ステージ２上に設置する。

【００１４】電子銃１から放出された電子ビームｅでマ
スクホルダ３内にセットされた被検査マスク４及び基準
マスク５を走査すると、２次電子検出器６、及び透過電
子検出器７から各々のマスク表面のパタンに応じた２次
電子信号（２本の２次電子検出器６の出力は演算処理部
９により加算処理される）、透過電子信号とが得られ
る。これらの信号はそれぞれ増幅・波形整形回路８にお
いて増幅及び波形整形された後、２値化回路１０で２値
化される。欠陥検出部１６では比較データの作成及び、
その比較判定を行う。比較データ作成部１１では２次電
子信号と透過電子信号との２値化信号よりパタンエッジ
のＵＰ／ＤＯＷＮ位置を検出して、２次電子信号のＤＯ
ＷＮ−ＵＰエッジ間において、透過電子信号のＵＰ−Ｄ
ＯＷＮ間のパルス数及びパルス幅を計数する。比較判定
部１２ではパタンエッジ数の比較、及び透過電子信号パ
ルス幅の長さを判定して欠陥を判別する。欠陥と判定さ
れたときは、そのときの欠陥位置情報を欠陥テーブル１
３に格納する。この走査をマスク全域について行う。

【００１５】図２は被検査マスク及び基準マスクのパタ
ン断面形状を示したものである。上段は被検査マスクの
パタン、下段は基準マスクパタンを示す。基準マスクは
被検査マスクと併置したときに電子ビーム信号が両マス
ク間のエッジ部を透過し、透過電子検出器にとりこまれ
るようにするため、被検査マスクをポジ／ネガ反転し、
かつ、両マスク間のエッジ情報を検出できる幅だけ各パ
タン幅を最小パタン幅より細く形成する。基準マスクの
作成方法としては電子ビーム描画時にパタンデータをポ
ジ／ネガ反転し、かつ、パタンを細く描画することによ
り、容易に作成ができる。

【００１６】この両マスク上を電子ビームにより走査す
ると被検査マスク及び基準マスクのパタン情報による２
次電子信号及び透過電子信号が得られる。被検査マスク
にパタンが形成されているときは、そのパタン表面に反
映した２次電子信号が２次電子信号検出器６により検出
される。被検査マスク上にパタンが存在しないところ
は、被検査マスク部を電子ビームが透過し基準マスク面
に照射される。このとき、基準マスク部にもパタンが存
在しない場合、透過電子信号は基準マスクも透過し、透
過電子検出器にとりこまれる。なお、電子線がマスクを
透過するとき、電子線強度は透過部の膜厚、材質により
減衰する。たとえば、加速電圧４０ｋＶでＳｉＮの膜厚
２μｍのときでは、透過電子線強度は１桁くらい減衰す
るが、透過電子検出器では基準マスクの下方近くに設置
することにより、２枚のマスクを透過した透過電子信号
を十分検出することができる。一方、下段の基準マスク
で反射した２次電子信号は上段の被検査マスクの透過部
で減衰するため、２次電子検出器にはほとんど電子は取
り込まれない。図２で示すパタン部を電子線走査すると
図３に示すような２次電子信号及び透過電子信号の２値
波形が得られる。

【００１７】図４は比較データ作成部１１の機能を示し
たブロック図である。比較データ作成部１１では２次電
子信号のＤＯＷＮ信号２０１が検出されたとき、透過電
子信号のパルス計数カウンタ２０５、透過電子信号幅計
数カウンタ２０７、及び透過電子信号幅許容値フラグ２
１０をゼロクリアする。２次電子信号のＵＰ信号２００
が検出されたときに、透過電子信号パルス計数カウンタ
２０５をラッチし透過電子信号パルス計数レジスタ２０
６に格納し、かつ、このときの電子ビームの水平クロッ
クカウンタ２１２を水平クロックラッチレジスタ２１３
に格納する。一方、透過電子信号パルス計数カウンタ２
０５では透過電子信号のＵＰ−ＤＯＷＮパルスを検出す
るごとに計数カウンタを１増加させる。この操作によ
り、２次電子信号のＤＯＷＮ−ＵＰ信号間における透過
電子信号のパルス数が計数される。

【００１８】それと同時に、透過電子信号のＵＰ信号が
検出されたとき透過電子信号幅計数カウンタ２０７をク
リアし、その後透過電子信号幅計数用クロックにより透
過電子信号幅計数カウンタ２０７を透過電子信号のＤＯ
ＷＮ信号がくるまで計数する。ＤＯＷＮ信号が検出され
た後、透過電子信号幅計数カウンタ２０７と透過電子信
号幅基本値２０８とを透過電子信号幅計数カウンタと基
本値の比較部２０９で比較する。透過電子信号幅計数カ
ウンタ２０７が透過電子信号幅基本値２０８より大きい
ときは透過電子信号幅許容値フラグ２１０を“１”にセ
ットする。図２に示す正常パタンのときは透過電子信号
パルス計数レジスタ２０６は“２”、透過電子信号幅許
容値フラグ２１０は“０”になる。

【００１９】つぎに、抜け、残り欠陥等が存在したとき
の比較データ作成部１１での具体的な処理手順について
説明する。

【００２０】図５乃至図７は被検査マスク上にパタンの
ヌケ（間）が存在するときの例である。図５はヌケ
欠陥が存在する被検査マスクであり、図６は被検査マス
クと基準マスクの断面図である。図７は上記パタンでの
２次電子信号及び透過電子信号の２値化波形を示す。図
７の（２次電子信号のＤＯＷＮ−ＵＰ）間におい
て、透過電子信号パルスは１個計数され、透過電子信号
パルス計数レジスタ２０６の値は“１”となる。このと
きの透過電子信号幅は透過電子信号幅基本値２０８と等
しいので、透過電子信号幅許容値フラグ２１０は“０”
になる。このように正常パタンのときと違い透過電子信
号パルス計数レジスタ２０６の値が“１”となり、欠陥
検出が可能となる。

【００２１】図８乃至図１０は被検査マスク上に残り欠
陥が存在する場合の例であり、ヌケ欠陥のときと同様に
２値化波形の（２次電子信号のＤＯＷＮ−ＵＰ）間
において、透過電子信号パルスは１個計数され、透過電
子信号パルス計数レジスタ２０６の値は“１”となり、
透過電子信号幅許容値フラグ２１０は“０”になり、欠
陥が検出可能となる。

【００２２】図１１及び図１２はパタンエッジ部に欠け
（またはパタンの細り）が存在する場合である。図１１
はパタンの断面図を示したものである。図１２は上記パ
タンでの２次電子信号及び透過電子信号の２値化波形を
示す。図１２の（２次電子信号のＤＯＷＮ−ＵＰ）
間において、透過電子信号パルスは２個計数され、透過
電子信号パルス計数レジスタ２０６の値は“２”とな
り、パタンエッジ欠け（またはパタンの細り）が検出さ
れない。しかし、このときの透過電子信号波形のパルス
幅はパタンエッジ欠け分ｔ_d だけ長くなるので、透過電
子信号幅許容値フラグ２１０は“１”となり、このフラ
グを判定することより欠陥を検出できる。

【００２３】図１３乃至図１７は接続欠陥の例である。
図１３は接続欠陥のパタンが存在する被検査マスクであ
り、図１４は被検査マスクと基準マスクの断面図であ
る。図１５は上記パタンでの２次電子信号及び透過電子
信号の２値化波形を示す。接続欠陥の存在するところは
電子線が透過しないので欠陥が検出されない。

【００２４】このような欠陥に対処するため、被検査マ
スクと基準マスクの上下関係を入れ換えて検査する。す
なわち、基準マスクを上面にし、被検査マスクを下面に
配置する。図１６はこの状態を示す断面図である。この
状態で上記と同様な電子ビーム走査をおこなうと、図１
７に示すような２次電子信号と透過電子信号波形が得ら
れる。この図からも明白なように２次電子信号のＤＯＷ
Ｎ−ＵＰ間において、透過電子信号パルスは２個計数さ
れ、透過電子信号計数レジスタ２０６の値は“１”値と
なり、接続欠陥が検出される。

【００２５】このように、２次電子信号、透過電子信号
のパルス数、パルス幅を計数することにより、欠陥の検
出が可能である。

【００２６】図１８は比較判定部１２の処理フロー図で
ある。

【００２７】比較判定部１２は比較データ作成部１１で
作成された、透過電子信号パルス計数レジスタ２０６、
透過電子信号幅許容値フラグ２１０より欠陥の有無を決
定し、欠陥位置情報を欠陥テーブル１３へ格納する。

【００２８】まず、透過電子信号パルス計数レジスタ２
０６が“２”であるか調べる。“２”以外のときは欠陥
があるとする。同フラグが“２”であるときは、透過電
子信号幅許容値フラグ２１０を調べ、透過電子信号幅許
容値フラグ２１０が“１”のときは欠陥があるとする。
透過電子信号幅許容値フラグ２１０が“０”のときは正
常パタンと認識して次の処理を行う。

【００２９】欠陥があると判定したときは欠陥位置情報
（欠陥を検出した走査線位置及び水平クロックカウンタ
値）を欠陥テーブル１３に記録する。なお、欠陥位置情
報としては欠陥を検出した最初の走査線位置と欠陥の最
終走査線位置を格納する。このため、欠陥を検出したと
きは、欠陥情報を格納した欠陥テーブル１３と比較し
て、新しく検出した欠陥か、今までに検出した欠陥と連
続しているかを決定する。

【００３０】

【表１】

【００３１】表１は欠陥テーブルを示す。欠陥テーブル
１３内には欠陥フラグＦ、欠陥の先頭走査線位置Ｌｂ、
欠陥の最終走査線位置Ｌｅ及び水平クロック位置Ｈｐ情
報が格納されている。欠陥フラグＦは欠陥を１個のかた
まりとして登録するため、欠陥のかたまりが決定したか
を判定するフラグである。欠陥の先頭走査線位置Ｌｂは
初めて欠陥を検出した走査線位置番号である。欠陥の最
終走査線位置Ｌｅは欠陥の最終走査線位置番号である。
水平クロック位置Ｈｐは欠陥が検出されたときの水平ク
ロックカウンタ値である。

【００３２】まず、欠陥テーブル１３のカウンタｉを１
にする。欠陥が検出されたならば、欠陥フラグＦｉを調
べ、Ｆｉが“１”のときは、水平クロック位置Ｈｐｉを
とりだし、Ｈｐｉと現在の水平クロックラッチレジスタ
２１３とを比較する。両方のクロック位置が一致（ただ
し、パタンエッジの乱れ、斜めパタン等を考慮するた
め、許容誤差δ以内で判定する）すれば、今検出した欠
陥はＨｐｉで検出した欠陥と同一のものとして、欠陥の
最終走査線位置Ｌｅｉの内容を現在の走査線位置信号１
４に更新する。

【００３３】もし、Ｈｐｉと水平クロックラッチレジス
タ２１３が不一致のときは、欠陥の最終走査線位置Ｌｅ
ｉをとりだし、Ｌｅｉと現在の走査線位置信号１４とを
比較し現在の走査線位置信号１４のほうが大きいとき
は、ｉ番目の欠陥データを１個のまとまった欠陥と判定
し、欠陥フラグＦｉに“１”を書き込む。そしてカウン
タに“１”を加えて、次のＦｉデータを同様に調べてい
く。

【００３４】欠陥テーブル１３の全てをサーチしても、
現在検出した欠陥と連続したものがなければ、その欠陥
を新たに検出した欠陥としてカウンタｉに“１”を加え
て、欠陥テーブル１３のＬｂｉ、Ｌｅｉにそのときの走
査線位置信号１４、Ｈｐｉに水平クロックラッチレジス
タ２１３を書き込む。

【００３５】図１９の欠陥例により具体的な動作につい
て説明する。今、図１９に示す欠陥Ａと欠陥Ｂが存在し
たときにおいて、走査線位置１００、水平クロック位置
６０で欠陥Ａを検出すると欠陥テーブルの欠陥の先頭走
査線位置Ｌｂ、欠陥の最終走査線位置Ｌｅに、そのとき
の走査線位置番号１００が書き込まれ、水平クロック位
置に６０が書き込まれる（図２０）。その後、走査線位
置が１０８まで進むと、図２１のように欠陥Ａの最終走
査線位置が判明し、そのときの走査線位置番号を欠陥の
最終走査線位置に書き込み、かつ、欠陥フラグＦを
“１”にする。

【００３６】次に図２２に示すように走査線位置１２０
において新たに欠陥Ｂを検出すると、欠陥テーブルの２
段目に、そのときの走査線位置番号１２０と水平クロッ
ク位置２０を書き込む。このようにして、欠陥の先頭と
最終位置のみを記録することにより、メモリの節減を図
ることができ、かつ、欠陥のおおよそのサイズを判定で
きる。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、電子ビームにより
近接して併置された被検査マスクと、被検査マスクと同
等のパタンをポジ／ネガ反転し、かつ、被検査マスクよ
りパタン幅を細くした基準マスクを同時走査して得た、
２次電子信号と透過信号の２値化情報の差異をリアルタ
イムに検出することにより、処理の高速化と欠陥のおお
よその位置・サイズが検出可能となり、かつ、メモリ容
量の大幅な節減が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるパタン欠陥検査装置の全体構成図
である。

【図２】被検査マスク及び基準マスクのパタン断面形状
を示す図である。

【図３】図２で示すパタン部を電子線走査して得られた
２次電子信号及び透過電子信号の２値波形図である。

【図４】比較データ作成部の機能を示したブロック図で
ある。

【図５】ヌケ欠陥が存在する被検査マスク図である。

【図６】図５に対応した被検査マスクと基準マスクの断
面図である。

【図７】図５及び図６に対応した２次電子信号及び透過
電子信号の２値化波形図である。

【図８】マスク上に残り欠陥が存在する場合の被検査マ
スク図である。

【図９】図８に対応した被検査マスクと基準マスクの断
面図である。

【図１０】図８及び図９に対応した２次電子信号及び透
過電子信号の２値化波形図である。

【図１１】パタンエッジ部にパタン細りが存在する場合
の被検査マスクの断面図及び基準マスクの断面図であ
る。

【図１２】図１１に対応した２次電子信号及び透過電子
信号の２値化波形図である。

【図１３】接続欠陥のパタンが存在する被検査マスク図
である。

【図１４】図１３に対応した被検査マスクと基準マスク
の断面図である。

【図１５】図１３及び図１４に対応した２次電子信号及
び透過電子信号の２値化波形図である。

【図１６】図１４においてマスクの上下関係を入れ換え
た断面図である。

【図１７】図１３及び図１６に対応した２次電子信号及
び透過電子信号の２値化波形図である。

【図１８】比較判定部の処理フロー図である。

【図１９】欠陥Ａ、Ｂを含む場合の被検査マスク図であ
る。

【図２０】図１９において走査線位置１００、水平クロ
ック位置６０における欠陥Ａの検出を示す。

【図２１】図１９において走査線位置１０８、水平クロ
ック位置６０における欠陥Ａの最終走査線位置の検出を
示す。

【図２２】図１９において走査線位置１２０、水平クロ
ック位置２０における新たな欠陥Ｂの検出を示す。

【符号の説明】

１ 電子銃 １′ 電子ビーム鏡筒 ２ 試料ステージ ３ マスクホルダ ４ 被検査マスク ５ 基準マスク ６ ２次電子検出器 ７ 透過電子検出器 ８ 増幅・波形整形部 ９ 演算処理部 １０ ２値化回路 １１ 比較データ作成部 １２ 比較判定部 １３ 欠陥テーブル １４ 走査線位置信号 １５ 水平クロック信号 １６ 欠陥検出部 １７ 電子ビーム走査部 ２００ ２次電子信号のＵＰ信号検出部 ２０１ ２次電子信号のＤＯＷＮ信号検出部 ２０２ 透過電子信号のＵＰ信号検出部 ２０３ 透過電子信号のＤＯＷＮ信号検出部 ２０４ 透過電子信号幅計数用クロック ２０５ 透過電子信号パルス計数カウンタ ２０６ 透過電子信号パルス計数レジスタ ２０７ 透過電子信号幅計数カウンタ ２０８ 透過電子信号幅基本値 ２０９ 透過電子信号幅計数カウンタと基本値の比較部 ２１０ 透過電子信号許容幅フラグ ２１１ 走査線スタート信号 ２１２ 水平クロックカウンタ ２１３ 水平クロックラッチレジスタ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子線を発生させる電子銃と、 被検査マスクと、 基準マスクと、 被検査マスクと基準マスク上を走査する電子ビーム走査
   部と、 被検査マスクと基準マスクを上下に併置するマスクホル
   ダ部と、 被検査マスクあるいは基準マスクの電子信号を検出する
   第１の信号検出部と、 被検査マスクと基準マスクを透過した電子信号を検出す
   る第２の検出部と、 第１、第２の検出部で得られた信号から被検査マスク及
   び基準マスクの相互のパタンエッジ情報を比較し、異な
   る部位を抽出する欠陥検出部より構成したことを特徴と
   するパタン欠陥検査装置。
2. 【請求項２】 上記１項の基準マスクとしては被検査マ
   スクのパタンをポジ／ネガ反転し、かつ、基準マスクと
   被検査マスクのエッジ境界部を電子ビームが透過できる
   だけのパタン寸法だけ、基準マスクパタン幅を被検査マ
   スクパタン幅より細くしたことを特徴とするパタン欠陥
   検査装置