JPH06288418A - 摩擦制御方法 - Google Patents
摩擦制御方法Info
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- JPH06288418A JPH06288418A JP7440793A JP7440793A JPH06288418A JP H06288418 A JPH06288418 A JP H06288418A JP 7440793 A JP7440793 A JP 7440793A JP 7440793 A JP7440793 A JP 7440793A JP H06288418 A JPH06288418 A JP H06288418A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明の摩擦制御方法は、相互に摩擦状態で
相対運動を行ない、かつ互いに電気的に絶縁された機械
要素間に誘電異方性液晶を存在させて潤滑状態とし、該
機械要素間に交流電圧を印加し、その周波数を変化させ
ることにより摩擦特性を制御することを特徴とする。 【効果】 本発明の摩擦制御方法は、機械要素間に交流
電圧を印加しその周波数を変化させると、その摩擦係数
が変化することを見出したものであり、高周波数側では
摩擦係数が高くすることができ、また低周波数側では摩
擦係数を低減させることができるので、電圧印加が可能
な機械要素間の摩擦係数を制御できるものであり、例え
ば軸受等の摩擦係数の制御に有用である。
相対運動を行ない、かつ互いに電気的に絶縁された機械
要素間に誘電異方性液晶を存在させて潤滑状態とし、該
機械要素間に交流電圧を印加し、その周波数を変化させ
ることにより摩擦特性を制御することを特徴とする。 【効果】 本発明の摩擦制御方法は、機械要素間に交流
電圧を印加しその周波数を変化させると、その摩擦係数
が変化することを見出したものであり、高周波数側では
摩擦係数が高くすることができ、また低周波数側では摩
擦係数を低減させることができるので、電圧印加が可能
な機械要素間の摩擦係数を制御できるものであり、例え
ば軸受等の摩擦係数の制御に有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、機械要素間における摩
擦力を制御し、クラッチ効果、ブレーキ効果を達成する
摩擦制御方法に関する。
擦力を制御し、クラッチ効果、ブレーキ効果を達成する
摩擦制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶が潤滑剤として特異な性質を示すこ
とは、例えば時計油として使用することが特公平２−２
１４３６号に開示され、また、可変摩擦力の存在下で相
互に相対運動を行なう機械要素間にサーモトロピック液
晶を存在させ、温度変化または圧力変化により、液晶を
サーモトロピック液晶相とアイソトロピック液晶相との
相転移を起こさせ摩擦力を変化させることが特許出願公
表平２−５０３３２６号に開示されている。
とは、例えば時計油として使用することが特公平２−２
１４３６号に開示され、また、可変摩擦力の存在下で相
互に相対運動を行なう機械要素間にサーモトロピック液
晶を存在させ、温度変化または圧力変化により、液晶を
サーモトロピック液晶相とアイソトロピック液晶相との
相転移を起こさせ摩擦力を変化させることが特許出願公
表平２−５０３３２６号に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
サーモトロピック液晶を使用し、温度変化又は圧力変化
で摩擦力を制御する場合、機械部材の大型化、複雑化、
更に制御速度の遅れ、微調整の困難といった問題があ
る。
サーモトロピック液晶を使用し、温度変化又は圧力変化
で摩擦力を制御する場合、機械部材の大型化、複雑化、
更に制御速度の遅れ、微調整の困難といった問題があ
る。
【０００４】このため、本発明は、上述の問題点を解決
すべく、機械要素間における摩擦力を制御する新たな方
法の提供を課題とする。
すべく、機械要素間における摩擦力を制御する新たな方
法の提供を課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の摩擦制御方法
は、相互に摩擦状態で相対運動を行ない、かつ互いに電
気的に絶縁された機械要素間に誘電異方性液晶を存在さ
せて潤滑状態とし、該機械要素間に交流電圧を印加し、
その周波数を変化させることにより摩擦特性を制御する
ことを特徴とする。
は、相互に摩擦状態で相対運動を行ない、かつ互いに電
気的に絶縁された機械要素間に誘電異方性液晶を存在さ
せて潤滑状態とし、該機械要素間に交流電圧を印加し、
その周波数を変化させることにより摩擦特性を制御する
ことを特徴とする。
【０００６】本発明における機械要素としては、軸受、
動弁、ピストンシリンダー等が例示される、相互に摩擦
状態で相対運動を行なうと共に、潤滑状態、すなわち混
合潤滑または境界潤滑状態の生じる全ての機械要素に適
用が可能であるが、相互に相対運動する機械要素におけ
る接触部は電気的に絶縁されていることが必要である。
そのため、機械要素が導電体からなる場合には機械要素
における片方または両方の部材における接触部を絶縁性
物質で被膜して絶縁状態とする。このような絶縁性物質
による被膜としては、例えばポリアミック酸等の前駆体
を塗布した後、焼成し、ポリイミド被膜とするか、ま
た、有機絶縁性ポリマーを塗布して形成される有機絶縁
性被膜、金属アルコキシド、ポリシラザン等の前駆体を
塗布した後、焼成して形成される無機絶縁性被膜が挙げ
られ、また、絶縁性被膜を分子線蒸着法、表面拡散エピ
タキシー法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、レーザーアプレーション法等の物理的蒸着法や気相
成長法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等の化学的形成
法によって作成してもよい。絶縁性被膜の膜厚は余り薄
すぎると絶縁破壊を生じ易くなるので、好ましくは０．
５μｍ以上とするとよい。
動弁、ピストンシリンダー等が例示される、相互に摩擦
状態で相対運動を行なうと共に、潤滑状態、すなわち混
合潤滑または境界潤滑状態の生じる全ての機械要素に適
用が可能であるが、相互に相対運動する機械要素におけ
る接触部は電気的に絶縁されていることが必要である。
そのため、機械要素が導電体からなる場合には機械要素
における片方または両方の部材における接触部を絶縁性
物質で被膜して絶縁状態とする。このような絶縁性物質
による被膜としては、例えばポリアミック酸等の前駆体
を塗布した後、焼成し、ポリイミド被膜とするか、ま
た、有機絶縁性ポリマーを塗布して形成される有機絶縁
性被膜、金属アルコキシド、ポリシラザン等の前駆体を
塗布した後、焼成して形成される無機絶縁性被膜が挙げ
られ、また、絶縁性被膜を分子線蒸着法、表面拡散エピ
タキシー法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、レーザーアプレーション法等の物理的蒸着法や気相
成長法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等の化学的形成
法によって作成してもよい。絶縁性被膜の膜厚は余り薄
すぎると絶縁破壊を生じ易くなるので、好ましくは０．
５μｍ以上とするとよい。
【０００７】また、機械要素における片方または両方の
部材を絶縁性物質、例えばガラス、有機樹脂等により形
成してもよいが、その場合には酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）膜等の電気電導性のある被膜を形成して接触部にお
いて電圧印加可能としてもよい。
部材を絶縁性物質、例えばガラス、有機樹脂等により形
成してもよいが、その場合には酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）膜等の電気電導性のある被膜を形成して接触部にお
いて電圧印加可能としてもよい。
【０００８】好ましくは、機械要素における接触部に、
上述した有機又は無機絶縁性物質の前駆体をディップコ
ーティングまたはスピンコーティングにより塗布した
後、焼成して絶縁性被膜を形成するのが、耐久性の観点
からは好ましい。また、絶縁被膜は１層である必要はな
く、また、１種以上の絶縁方法を組合せ使用してもよ
い。
上述した有機又は無機絶縁性物質の前駆体をディップコ
ーティングまたはスピンコーティングにより塗布した
後、焼成して絶縁性被膜を形成するのが、耐久性の観点
からは好ましい。また、絶縁被膜は１層である必要はな
く、また、１種以上の絶縁方法を組合せ使用してもよ
い。
【０００９】次に、機械要素間に存在させる誘電異方性
液晶としては、下記（１）式及び（２）式で表される液
晶があげられる。
液晶としては、下記（１）式及び（２）式で表される液
晶があげられる。
【００１０】
【化１】
【００１１】
【化２】
【００１２】−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝Ｎ−（トランス型）、
−ＣＯＯ−、−（ＣＨ2 ）n −、−ＣＨ2 Ｏ−、−Ｒ′
−、−ＣＯＳ−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）−、−ＣＨ＝Ｃ
（Ｃｌ）−、−ＣＯＣＨ2 −、−Ｏ−（ＣＨ2 ）2 −Ｏ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−Ｃ6 Ｈ5 −Ｃ
ＯＯ−、Ｘ、Ｙは、−Ｃ6 Ｈ5 、−ＮＨＣＯＣＨ3 、−
ＣＮ、−ＯＲ、−ＮＯ2 、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｎ
Ｒ2 、−Ｒ、Ｈ、−ＯＣＯＲ、−ＣＯＯＨ、−ＣＨＯ、
−ＮＣＳ、−Ｎ3 、−ＮＨ2 、−ＣＨ2 ＣＨ（Ｃｌ）Ｃ
Ｎ、−Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＮＯＨ、−ＣＯＲ、−Ｃ≡ＣＨ、
−ＣＨ2 ＣＯＯＨ、−ＮＣＯ、−Ｒ′ＣＮ、−Ｒ′Ｃ
ｌ、−Ｒ* 、−ＲＯＲ* 、−ＯＣＯＯＲ、Ｒは、Ｃn Ｈ
2n+1、Ｃ2 Ｈ5 −ＣＨ（ＣＨ3 ）−ＣＨ2 −、Ｃ2 Ｈ5
−ＣＨ（ＣＨ3 ）−ＣＨ2 Ｏ−、Ｃ2 Ｈ5 −ＣＨ（ＣＨ
3 ）−Ｃ3 Ｈ6 −、Ｒ′はＣn Ｈ2n、Ｒ* は光学活性ア
ルキル基であり、Ｚ、Ｚ′はシアノ基、弗素原子、塩素
原子、沃素原子、臭素原子、ニトロ基、メチル基を表わ
し、Ｒ、Ｒ′におけるｎは１〜２０の整数、Ｒ* におけ
る炭素数はＲ、Ｒ′と同じである。
−ＣＯＯ−、−（ＣＨ2 ）n −、−ＣＨ2 Ｏ−、−Ｒ′
−、−ＣＯＳ−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）−、−ＣＨ＝Ｃ
（Ｃｌ）−、−ＣＯＣＨ2 −、−Ｏ−（ＣＨ2 ）2 −Ｏ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−Ｃ6 Ｈ5 −Ｃ
ＯＯ−、Ｘ、Ｙは、−Ｃ6 Ｈ5 、−ＮＨＣＯＣＨ3 、−
ＣＮ、−ＯＲ、−ＮＯ2 、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｎ
Ｒ2 、−Ｒ、Ｈ、−ＯＣＯＲ、−ＣＯＯＨ、−ＣＨＯ、
−ＮＣＳ、−Ｎ3 、−ＮＨ2 、−ＣＨ2 ＣＨ（Ｃｌ）Ｃ
Ｎ、−Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＮＯＨ、−ＣＯＲ、−Ｃ≡ＣＨ、
−ＣＨ2 ＣＯＯＨ、−ＮＣＯ、−Ｒ′ＣＮ、−Ｒ′Ｃ
ｌ、−Ｒ* 、−ＲＯＲ* 、−ＯＣＯＯＲ、Ｒは、Ｃn Ｈ
2n+1、Ｃ2 Ｈ5 −ＣＨ（ＣＨ3 ）−ＣＨ2 −、Ｃ2 Ｈ5
−ＣＨ（ＣＨ3 ）−ＣＨ2 Ｏ−、Ｃ2 Ｈ5 −ＣＨ（ＣＨ
3 ）−Ｃ3 Ｈ6 −、Ｒ′はＣn Ｈ2n、Ｒ* は光学活性ア
ルキル基であり、Ｚ、Ｚ′はシアノ基、弗素原子、塩素
原子、沃素原子、臭素原子、ニトロ基、メチル基を表わ
し、Ｒ、Ｒ′におけるｎは１〜２０の整数、Ｒ* におけ
る炭素数はＲ、Ｒ′と同じである。
【００１３】式（１）、（２）で表される液晶としては
（３）アゾ系、（４）アゾキシ系、（５）安息香酸フェ
ニルエステル系、（６）シアノビフェニル系、（７）シ
アノターフェニル系、（８）シクロヘキシルカルボン酸
フェニルエステル系、（９）フェニルシクロヘキサン
系、（１０）ビフェニルシクロヘキサン系、（１１）フ
ェニルピリミジン系、（１２）フェニルジオキサン系、
（１３）シクロヘキシルシクロヘキサンエステル系、
（１４）シクロヘキシルエタン系、（１５）シクロヘキ
セン系、（１６）アルキルアルコキシトラン系、（１
７）アルキルシクロヘキシルアルコキシトラン系、（１
８）アルケニル系、（１９）２，３−ジフルオロフェニ
レン系、（２０）シクロヘキシルシクロヘキサン系、
（２１）ビシクロオクタン系、（２２）キューバン系、
（２３）ジシアノハイドロキノン系、（２４）シアノチ
オフェニルエステル系液晶、（２５）コレステリック系
が挙げられ、下記にその構造式を例示する。なお、下記
式中、Ｘ、Ｙ、Ｒ、Ｒ′は上記式（１）（２）における
Ｘ、Ｙ、Ｒ、Ｒ′と同義である。
（３）アゾ系、（４）アゾキシ系、（５）安息香酸フェ
ニルエステル系、（６）シアノビフェニル系、（７）シ
アノターフェニル系、（８）シクロヘキシルカルボン酸
フェニルエステル系、（９）フェニルシクロヘキサン
系、（１０）ビフェニルシクロヘキサン系、（１１）フ
ェニルピリミジン系、（１２）フェニルジオキサン系、
（１３）シクロヘキシルシクロヘキサンエステル系、
（１４）シクロヘキシルエタン系、（１５）シクロヘキ
セン系、（１６）アルキルアルコキシトラン系、（１
７）アルキルシクロヘキシルアルコキシトラン系、（１
８）アルケニル系、（１９）２，３−ジフルオロフェニ
レン系、（２０）シクロヘキシルシクロヘキサン系、
（２１）ビシクロオクタン系、（２２）キューバン系、
（２３）ジシアノハイドロキノン系、（２４）シアノチ
オフェニルエステル系液晶、（２５）コレステリック系
が挙げられ、下記にその構造式を例示する。なお、下記
式中、Ｘ、Ｙ、Ｒ、Ｒ′は上記式（１）（２）における
Ｘ、Ｙ、Ｒ、Ｒ′と同義である。
【００１４】
【化３】
【００１５】
【化４】
【００１６】
【化５】
【００１７】上記液晶物質は、常温で流動性を示し、単
独でも又混合して使用してもよい。好ましくは、制御特
性を向上させるために混合して使用される。
独でも又混合して使用してもよい。好ましくは、制御特
性を向上させるために混合して使用される。
【００１８】機械要素間に印加される電場強度は、特に
制限はないが、使用する液晶の作動電圧以上であること
が必要であり、また、機械要素間の接触部に形成される
絶縁性層が絶縁破壊を引き起こさない範囲内であること
が必要である。絶縁破壊を生じる電場強度としては、例
えば絶縁性層がポリイミド膜の場合には１５０ＫＶ／ｍ
ｍ程度である。
制限はないが、使用する液晶の作動電圧以上であること
が必要であり、また、機械要素間の接触部に形成される
絶縁性層が絶縁破壊を引き起こさない範囲内であること
が必要である。絶縁破壊を生じる電場強度としては、例
えば絶縁性層がポリイミド膜の場合には１５０ＫＶ／ｍ
ｍ程度である。
【００１９】また、変化させる交流電場の周波数の範囲
は、低周波数側では直流であってもよく、好ましくは
０．０１Ｈｚ〜１ＫＨｚである。１ＫＨｚ以上であると
摩擦係数の周波数に対する変化の割合が低下するといっ
た問題が生じる。
は、低周波数側では直流であってもよく、好ましくは
０．０１Ｈｚ〜１ＫＨｚである。１ＫＨｚ以上であると
摩擦係数の周波数に対する変化の割合が低下するといっ
た問題が生じる。
【００２０】また、サーモトロピック液晶は温度、圧力
によってもその摩擦係数を変化するので、本発明におけ
る周波数による制御方法と併用してもよい。
によってもその摩擦係数を変化するので、本発明におけ
る周波数による制御方法と併用してもよい。
【００２１】
【作用及び発明の効果】液晶は誘電異方性があり、液体
でありながら結晶性を有する。また、電場の存在下でそ
の双極子モーメントのために一定方向に配向し、その粒
子の並びのためにレオロジー的変化を生じることが知ら
れている。
でありながら結晶性を有する。また、電場の存在下でそ
の双極子モーメントのために一定方向に配向し、その粒
子の並びのためにレオロジー的変化を生じることが知ら
れている。
【００２２】本発明者らは、相互に摩擦状態で相対運動
を行ない、かつ互いに電気的に絶縁された機械要素間に
誘電異方性液晶を存在させて潤滑状態とし、該機械要素
間に交流電圧を印加しその周波数を変化させることによ
り、その摩擦係数が変化することを見出した。このこと
は、電場強度を変化させても、また高周波数の直流電場
を印加した時にも生じない。
を行ない、かつ互いに電気的に絶縁された機械要素間に
誘電異方性液晶を存在させて潤滑状態とし、該機械要素
間に交流電圧を印加しその周波数を変化させることによ
り、その摩擦係数が変化することを見出した。このこと
は、電場強度を変化させても、また高周波数の直流電場
を印加した時にも生じない。
【００２３】その詳細な機構は不明であるが、高周波数
側では液晶が電場極性の急激な変化に追随して配向を変
化させることができず、摩擦係数が高いと考えることが
でき、また低周波数側では液晶が配向するのに十分な時
間があるため、摩擦係数を低減させることができるもの
と考えられる。
側では液晶が電場極性の急激な変化に追随して配向を変
化させることができず、摩擦係数が高いと考えることが
でき、また低周波数側では液晶が配向するのに十分な時
間があるため、摩擦係数を低減させることができるもの
と考えられる。
【００２４】以下、本発明の実施例を示す。
【００２５】
【実施例１】曽田振子式摩擦試験機の振子軸に、ポリシ
ラザンコーティングを施した後、空気中で焼成し、約１
μｍの膜厚を有する酸化硅素絶縁膜を形成した。次に、
試験機における振子軸と軸受部を結線し、電圧印加可能
とした。
ラザンコーティングを施した後、空気中で焼成し、約１
μｍの膜厚を有する酸化硅素絶縁膜を形成した。次に、
試験機における振子軸と軸受部を結線し、電圧印加可能
とした。
【００２６】この試験装置における軸受部にネマチック
混合液晶（ロディック社製ＲＤＸ４０６９、Ｓ→Ｎ転移
温度−３０℃、Ｎ→Ｉ転移温度５９．３℃、５６．０ｃ
ｐｓａｔ２０℃、誘電異方性２６．０）を充填すると共
に、振子軸と軸受部に、ファンクションゼネレータ及び
交流高圧電源を使用し、オシロスコープにより印加状態
を確認しつつ、交流（正弦波）電場を、供給電圧を５Ｖ
又は１０Ｖ印加し、液晶温度を３０℃とし、また周波数
を０．０１Ｈｚ〜１ＫＨｚまで変動させ、その交流周波
数特性として下記に定義する摩擦係数変化率を求めた。
なお、境界潤滑下では摩擦係数はばらつきが大きいた
め、その直前と直後にとり、電場を印加しない状態での
摩擦係数を基準値として、その値から摩擦係数の変化率
を以下のように定義して評価した。
混合液晶（ロディック社製ＲＤＸ４０６９、Ｓ→Ｎ転移
温度−３０℃、Ｎ→Ｉ転移温度５９．３℃、５６．０ｃ
ｐｓａｔ２０℃、誘電異方性２６．０）を充填すると共
に、振子軸と軸受部に、ファンクションゼネレータ及び
交流高圧電源を使用し、オシロスコープにより印加状態
を確認しつつ、交流（正弦波）電場を、供給電圧を５Ｖ
又は１０Ｖ印加し、液晶温度を３０℃とし、また周波数
を０．０１Ｈｚ〜１ＫＨｚまで変動させ、その交流周波
数特性として下記に定義する摩擦係数変化率を求めた。
なお、境界潤滑下では摩擦係数はばらつきが大きいた
め、その直前と直後にとり、電場を印加しない状態での
摩擦係数を基準値として、その値から摩擦係数の変化率
を以下のように定義して評価した。
【００２７】摩擦係数変化率（％）＝〔（摩擦係数）−
（基準値）〕÷（基準値）×１００ 周波数と摩擦係数変化率との関係を図１に示す。図から
わかるように、ネマチック相では低周波数帯で摩擦係数
の減少が観察され、周波数に応じて摩擦係数を制御しう
ることがわかる。また、供給電圧は５Ｖよりも１０Ｖの
方が摩擦係数の減少が大きいことがわかる。
（基準値）〕÷（基準値）×１００ 周波数と摩擦係数変化率との関係を図１に示す。図から
わかるように、ネマチック相では低周波数帯で摩擦係数
の減少が観察され、周波数に応じて摩擦係数を制御しう
ることがわかる。また、供給電圧は５Ｖよりも１０Ｖの
方が摩擦係数の減少が大きいことがわかる。
【００２８】
【実施例２】実施例１において、液晶温度を、液晶が等
方性相に変化する９０℃とし、また供給電圧を１０Ｖと
した以外は、実施例１同様にして周波数と摩擦係数変化
率との関係を求めた。結果を図２に示す。図からわかる
ように、等方性相では電場印加による摩擦係数の変化は
小さくなるが、低周波数帯で摩擦係数の減少が観察され
た。
方性相に変化する９０℃とし、また供給電圧を１０Ｖと
した以外は、実施例１同様にして周波数と摩擦係数変化
率との関係を求めた。結果を図２に示す。図からわかる
ように、等方性相では電場印加による摩擦係数の変化は
小さくなるが、低周波数帯で摩擦係数の減少が観察され
た。
【００２９】
【実施例３】実施例１において、液晶をネマチック混合
液晶（ロディック社製ＲＤＰ０１００８、Ｓ→Ｎ転移温
度−５１℃、Ｎ→Ｉ転移温度１０１．３℃、２８．５ｃ
ｐｓａｔ２０℃、誘電異方性１６．３）にかえた以外
は、実施例１同様にして周波数と摩擦係数変化率との関
係を求めた。結果を図３に示す。図からわかるように、
実施例１同様の結果が得られた。
液晶（ロディック社製ＲＤＰ０１００８、Ｓ→Ｎ転移温
度−５１℃、Ｎ→Ｉ転移温度１０１．３℃、２８．５ｃ
ｐｓａｔ２０℃、誘電異方性１６．３）にかえた以外
は、実施例１同様にして周波数と摩擦係数変化率との関
係を求めた。結果を図３に示す。図からわかるように、
実施例１同様の結果が得られた。
【００３０】
【比較例】実施例１において、交流電場にかえて直流電
場とし、−２．５Ｖ〜１０．０Ｖに変化させ、実施例１
同様にして電圧と摩擦係数変化率との関係を求めた。結
果を図４に示す。図からわかるように、摩擦係数は殆ど
変化しなかった。
場とし、−２．５Ｖ〜１０．０Ｖに変化させ、実施例１
同様にして電圧と摩擦係数変化率との関係を求めた。結
果を図４に示す。図からわかるように、摩擦係数は殆ど
変化しなかった。
【図１】図１は、液晶温度を３０℃とした時の周波数と
摩擦係数変化率との関係を示す図である。
摩擦係数変化率との関係を示す図である。
【図２】図２は、液晶温度を９０℃とした時の周波数と
摩擦係数変化率との関係を示す図である。
摩擦係数変化率との関係を示す図である。
【図３】図３は、他の液晶温度を３０℃とした時の周波
数と摩擦係数変化率との関係を示す図である。
数と摩擦係数変化率との関係を示す図である。
【図４】図４は、液晶温度を３０℃とした時の直流電圧
と摩擦係数変化率との関係を示す図である。
と摩擦係数変化率との関係を示す図である。
フロントページの続き (72)発明者 上田 大成 埼玉県入間郡大井町西鶴ケ岡一丁目３番１ 号 東燃株式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 相互に摩擦状態で相対運動を行ない、か
つ互いに電気的に絶縁された機械要素間に誘電異方性液
晶を存在させて潤滑状態とし、該機械要素間に交流電圧
を印加し、その周波数を変化させることにより摩擦特性
を制御することを特徴とする摩擦制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7440793A JPH06288418A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 摩擦制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7440793A JPH06288418A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 摩擦制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06288418A true JPH06288418A (ja) | 1994-10-11 |
Family
ID=13546310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7440793A Pending JPH06288418A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 摩擦制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06288418A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000034676A1 (fr) * | 1998-12-08 | 2000-06-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Dispositif a contact frottant et procede de commande d'un contact frottant |
| JP2009540237A (ja) * | 2006-06-15 | 2009-11-19 | 中國科學院物理研究所 | 表面を改質した電気粘性流体用電極板 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP7440793A patent/JPH06288418A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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