JPH06286373A - High density packaging semiconductor card and manufacture thereof - Google Patents

High density packaging semiconductor card and manufacture thereof

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JPH06286373A
JPH06286373A JP5074765A JP7476593A JPH06286373A JP H06286373 A JPH06286373 A JP H06286373A JP 5074765 A JP5074765 A JP 5074765A JP 7476593 A JP7476593 A JP 7476593A JP H06286373 A JPH06286373 A JP H06286373A
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JP
Japan
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semiconductor chip
card
substrate
semiconductor
unit
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JP5074765A
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Japanese (ja)
Inventor
Toyohiro Tsunakawa
豊廣 綱川
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PURPOSE:To make the high density packaging of semiconductor chips possible and, in addition, facilitate the change of the specified chips, necessitate no abandonment of the whole card main body even when a card get out of order and enhance the durability of the card. CONSTITUTION:A plurality of semiconductor chips 8 are arranged on a substrate. Further, the wiring layer of the semiconductor chip 8 is formed through insulating layer on the semiconductor chip 8. The substrate consists of a plurality of substrate construction units connected with one another. A semiconductor chip 8 is arranged on each substrate construction unit. On the side walls of the substrate construction unit, sliding projected part 4 and sliding grooved parts 6, to which the side wall of other substrate construction unit 2 fits detachablym are formed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、たとえば不揮発性メモ
リの高密度実装メモリカードなどとして用いられる高密
度実装半導体カードおよびその製造方法に係わり、さら
に詳しくは、半導体チップの高密度の実装が可能であ
り、しかも特定チップの交換が容易であり、故障しても
カード本体全体を廃棄することなく、耐久性に優れ、製
造が容易な高密度実装半導体カードおよびその製造方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-density mounting semiconductor card used as a high-density mounting memory card of a non-volatile memory and a method of manufacturing the same, and more specifically to high-density mounting of semiconductor chips. Further, the present invention relates to a high-density packaging semiconductor card which is easy to replace a specific chip, has excellent durability and is easy to manufacture without discarding the entire card body even if a failure occurs, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体カードとして、データ保存用など
の用途に用いられる不揮発性メモリカードは、多ピン方
式を採用することにより、カードを装置のスロット内に
収容するだけで、装置内のCPUとカードとを直接接続
することができるという利点を有している。従来のメモ
リカードは、プリント基板の同一平面上に、メモリチッ
プなどの複数の半導体チップを、それらの配線と共に、
マウントする構造である。
2. Description of the Related Art A non-volatile memory card, which is used as a semiconductor card for data storage, adopts a multi-pin system. It has the advantage that it can be directly connected to the card. A conventional memory card has a plurality of semiconductor chips, such as memory chips, on the same plane of a printed circuit board, together with their wiring,
It is a structure to mount.

【0003】メモリカードにおけるメモリの容量を大き
くするためには、基板上に配置される半導体チップの数
を増やせば良い。一方、メモリカードの大きさは、JE
IDA(Japan Electric Industry Developement As
sociation )などの規格により一定の大きさに制限され
ている。したがって、メモリカードに対する半導体チッ
プの高密度実装が要求されている。
In order to increase the memory capacity of the memory card, the number of semiconductor chips arranged on the substrate should be increased. On the other hand, the size of the memory card is JE
IDA (Japan Electric Industry Developement As
It is limited to a certain size by standards such as sociation). Therefore, high-density mounting of semiconductor chips on a memory card is required.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のメモ
リカードでは、前述したように、所定の大きさのメモリ
カード用基板の表面に、半導体チップと配線とが平面実
装されるので、配線の面積により、実装できる半導体チ
ップの個数が制限され、高密度実装のメモリカードを製
造することができなかった。
However, in the conventional memory card, as described above, since the semiconductor chip and the wiring are planarly mounted on the surface of the memory card substrate of a predetermined size, the area of the wiring is reduced. Therefore, the number of semiconductor chips that can be mounted is limited, and it is not possible to manufacture a high-density mounted memory card.

【0005】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、半導体チップの高密度の実装が可能であり、しかも
特定チップの交換が容易であり、故障してもカード本体
全体を廃棄することなく、耐久性に優れ、製造が容易な
高密度実装メモリカードおよびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of the above situation, enables high-density mounting of semiconductor chips, facilitates replacement of specific chips, and does not discard the entire card body even if a failure occurs. It is an object of the present invention to provide a high-density mounted memory card which has excellent durability and is easy to manufacture, and a manufacturing method thereof.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の高密度実装半導体カードは、複数の半導体
チップが基板上に配設され、半導体チップの配線層が、
絶縁層を介して半導体チップ上に形成してある高密度実
装半導体カードであって、上記基板が、複数の基板構成
ユニットで構成され、各基板構成ユニット上に、それぞ
れ半導体チップが設置され、各基板構成ユニットの側壁
に、他の基板構成ユニットの側壁が取り外し自在に嵌合
する嵌合手段が形成されていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a high density packaging semiconductor card of the present invention has a plurality of semiconductor chips arranged on a substrate, and a wiring layer of the semiconductor chip is
A high-density packaging semiconductor card formed on a semiconductor chip via an insulating layer, wherein the substrate is composed of a plurality of substrate constituent units, and a semiconductor chip is installed on each substrate constituent unit. It is characterized in that a fitting means for detachably fitting the side wall of another board constituting unit is formed on the side wall of the board constituting unit.

【0007】上記嵌合手段は、直方体形状の基板構成ユ
ニットの隣接する二辺位置に形成されたスライド溝部
と、他の基板構成ユニットに形成されたスライド溝部に
対してスライド嵌合するように、他の二辺位置に形成さ
れたスライド凸部とで構成されることが好ましい。
The fitting means is slidably fitted into the slide groove portions formed on two adjacent side positions of the rectangular parallelepiped board forming unit and the slide groove portions formed on another board forming unit. It is preferably configured with slide protrusions formed at other two side positions.

【0008】上記半導体チップは、たとえば不揮発性メ
モリチップで構成される。本発明の高密度実装半導体カ
ードの製造方法は、平面方向に組み合わせてカード状の
基板を構成するように、他の基板構成ユニットの側壁が
取り外し自在に嵌合する嵌合手段が側壁に形成されてい
る基板構成ユニットを準備する工程と、各基板構成ユニ
ットの上に、それぞれ半導体チップを設置する工程と、
半導体チップ表面に形成してあるパッド部に、略垂直方
向に突出する導線を接続する工程と、導線が接続された
半導体チップの表面に絶縁層を形成する工程と、絶縁層
の表面から突出する上記導線の先端部を切断し、半導体
チップの表面にコンタクト部を形成する工程と、コンタ
クト部が形成された半導体チップが設置された基板構成
ユニットを平面方向に組み合わせて、所定の規格寸法内
のカード本体を形成する工程と、カード本体上に配列さ
れたコンタクト部を配線する工程とを有する。
The semiconductor chip is composed of, for example, a non-volatile memory chip. In the method for manufacturing a high-density mounted semiconductor card of the present invention, a fitting means for detachably fitting the side wall of another board forming unit is formed on the side wall so as to form a card-shaped board by combining them in the planar direction. A step of preparing a substrate constituting unit, and a step of installing a semiconductor chip on each substrate constituting unit,
A step of connecting a conductive wire protruding in a substantially vertical direction to a pad portion formed on the surface of the semiconductor chip, a step of forming an insulating layer on the surface of the semiconductor chip to which the conductive wire is connected, and a step of protruding from the surface of the insulating layer By combining the step of cutting the tip end of the above-mentioned conductive wire and forming the contact portion on the surface of the semiconductor chip with the substrate constituent unit on which the semiconductor chip having the contact portion is installed in the plane direction, The method has a step of forming a card body and a step of wiring the contact portions arranged on the card body.

【0009】[0009]

【作用】本発明の高密度実装半導体カードでは、半導体
チップの配線層が、絶縁層を介して半導体チップ上に形
成してあるので、所定の規格範囲(たとえばJEIDA
規格)内の大きさの基板上のほぼ全面を、半導体チップ
の装着領域として確保できる。また、基板の表裏両面に
対し、そのほぼ全域を半導体チップの装着領域として確
保できる。そのため、高密度実装が可能になり、半導体
チップをメモリチップとした場合には、大容量のメモリ
カードを実現できる。
In the high-density packaging semiconductor card of the present invention, the wiring layer of the semiconductor chip is formed on the semiconductor chip via the insulating layer, so that the semiconductor chip has a predetermined standard range (for example, JEIDA).
It is possible to secure almost the entire surface of the substrate having the size within the standard) as a mounting area for the semiconductor chip. Further, it is possible to secure almost the entire area of the front and back surfaces of the substrate as a mounting area for the semiconductor chip. Therefore, high-density mounting becomes possible, and when the semiconductor chip is a memory chip, a large capacity memory card can be realized.

【0010】また、配線層は、絶縁層を介して半導体チ
ップ上に形成されるので、振動や衝撃などにより、絶縁
性が低下することもなく、カードの耐湿性および機械的
強度が向上し、結果的に耐久性も向上する。さらに本発
明では、各半導体チップが、それぞれ基板構成ユニット
上に設置され、各基板構成ユニットが取り外し自在に平
面状に連結させて基板を構成するので、特定の半導体チ
ップの交換が著しく容易である。また、特定の半導体チ
ップが故障した場合でも、カード全体を廃棄することな
く、特定の半導体チップが搭載された基板構成ユニット
をカードから取り外し、交換すれば良いので、廃棄物が
少なくなり、地球環境上好ましい。
Further, since the wiring layer is formed on the semiconductor chip through the insulating layer, the insulating property does not deteriorate due to vibration or shock, and the moisture resistance and mechanical strength of the card are improved, As a result, durability is also improved. Further, according to the present invention, since each semiconductor chip is installed on the substrate constituting unit and the substrate constituting units are detachably connected to each other in a plane to form the substrate, the replacement of a specific semiconductor chip is extremely easy. . In addition, even if a specific semiconductor chip fails, the board component unit with the specific semiconductor chip mounted can be removed from the card and replaced without discarding the entire card. Above all preferred.

【0011】本発明の高密度実装半導体カードの製造方
法によれば、このように優れた高密度実装半導体カード
を容易に製造することが可能である。
According to the method of manufacturing a high-density mounting semiconductor card of the present invention, it is possible to easily manufacture such an excellent high-density mounting semiconductor card.

【0012】[0012]

【実施例】以下、本発明を、図面に示す実施例に基づき
説明する。図1は本発明の一実施例に係る基板構成ユニ
ットの斜視図、図2は図1のII−II線に沿う断面図、図
3は基板構成ユニット上に半導体チップを搭載して垂直
ワイヤボンディングを行った状態を示す斜視図、図4は
半導体チップに絶縁層を形成した状態を示す斜視図、図
5は半導体チップ上の垂直ワイヤボンディングを切断し
た状態を示す斜視図、図6は基板構成ユニットを平面方
向に組み立ててカード本体を組み立てた状態を示す斜視
図、図7はカード本体に出力ピンボードを取り付けた状
態を示す斜視図、図8(A)は両面実装の高密度実装メ
モリカードの概略平面図、図8(B)はその概略側面
図、図9(A),(B)は半導体チップの大きさを示す
概略図、図10はカード本体に配線ボードを取り付ける
状態を示す分解斜視図、図11は配線ボードと半導体チ
ップとの接続構造を示す要部分解斜視図、図12は図1
1に示すXII−XII線に沿う要部断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on the embodiments shown in the drawings. 1 is a perspective view of a substrate constituting unit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG. 1, and FIG. 3 is a vertical wire bonding in which a semiconductor chip is mounted on the substrate constituting unit. 4 is a perspective view showing a state in which an insulating layer is formed on the semiconductor chip, FIG. 5 is a perspective view showing a state in which vertical wire bonding on the semiconductor chip is cut, and FIG. 6 is a substrate configuration. FIG. 7 is a perspective view showing a state where the unit is assembled in the plane direction to assemble the card body, FIG. 7 is a perspective view showing a state where an output pin board is attached to the card body, and FIG. 8B is a schematic side view thereof, FIGS. 9A and 9B are schematic diagrams showing the size of a semiconductor chip, and FIG. 10 is an exploded view showing a state in which a wiring board is attached to a card body. Fig. 11 is a perspective view FIG. 1 is an exploded perspective view of an essential part showing a connection structure between a wiring board and a semiconductor chip.
It is a principal part sectional view which follows the XII-XII line shown in FIG.

【0013】図1〜12に示す本発明の実施例では、本
発明に係る高密度実装半導体カードとして、高密度実装
メモリカードを製造する場合を例として説明する。以
下、本実施例に係る高密度実装メモリカードを、その製
造方法に基づき説明する。
In the embodiments of the present invention shown in FIGS. 1 to 12, a case of manufacturing a high-density mounting memory card as the high-density mounting semiconductor card according to the present invention will be described as an example. Hereinafter, the high-density packaging memory card according to the present embodiment will be described based on its manufacturing method.

【0014】本実施例に係る高密度実装メモリカードの
製造方法では、まず図1,2に示す基板構成ユニット2
を準備する。基板構成ユニット2は、たとえば絶縁性樹
脂で構成される。この基板構成ユニット2の板厚は、特
に限定されないが、たとえば約2mm程度である。また、
この基板構成ユニット2の大きさは、特に限定されない
が、このユニット2上に、後述する半導体チップが搭載
されるために十分な大きさを有し、たとえば約180〜
200mm2 の面積を有する。
In the method of manufacturing a high-density packaging memory card according to this embodiment, first, the board constituent unit 2 shown in FIGS.
To prepare. The board forming unit 2 is made of, for example, an insulating resin. The plate thickness of the substrate constituting unit 2 is not particularly limited, but is, for example, about 2 mm. Also,
The size of the substrate constituting unit 2 is not particularly limited, but is large enough to mount a semiconductor chip described later on the unit 2, and for example, about 180-.
It has an area of 200 mm 2 .

【0015】本実施例では、基板構成ユニット2は、平
面側から見て四角形状あるいは長方形状を有し、その隣
接する二辺位置に相当するユニットの側部に、スライド
溝部6が形成してある。また、他の二辺位置に相当する
ユニットの側部には、他の基板構成ユニットに形成され
たスライド溝部6に対してスライド嵌合するように、ス
ライド凸部4が形成してある。
In this embodiment, the substrate constituting unit 2 has a quadrangular shape or a rectangular shape when viewed from the plane side, and the slide groove portion 6 is formed on the side portion of the unit corresponding to the adjacent two side positions. is there. In addition, slide protrusions 4 are formed on the side portions of the unit corresponding to the other two side positions so as to be slidably fitted in the slide groove portions 6 formed in the other substrate constituting unit.

【0016】本実施例では、スライド凸部4は、その横
断面が、T字形状を有しており、スライド溝部6は、そ
のスライド凸部4がスライド嵌合自在なように、横断面
がT字形状の溝となっている。スライド溝部6は、隣接
する二辺位置で、その辺の長手方向に沿って、全長にわ
たり形成してあるが、スライド凸部4は、隣接するスラ
イド溝部6を避けるように、辺の長さL1 に対して溝の
深さ分だけ小さい長さL2 で形成してある。基板構成ユ
ニット2を面方向に沿って自由な大きさにスライド嵌合
して連結するためである。
In the present embodiment, the slide projection 4 has a T-shaped cross section, and the slide groove 6 has a cross section so that the slide projection 4 can be slidably fitted. It is a T-shaped groove. The slide groove portions 6 are formed along the lengthwise direction of the two adjacent side positions along the longitudinal direction of the sides, but the slide protrusions 4 have the side length L so as to avoid the adjacent slide groove portions 6. The length L 2 is smaller than 1 by the depth of the groove. This is because the board constituting unit 2 is slid-fitted and coupled in a free size along the surface direction.

【0017】次に、本実施例では、図3に示すように、
基板構成ユニット2の上面に、半導体チップ8を設置す
る。半導体チップ8としては、特に限定されないが、た
とえば64MbitのEEPROMメモリチップを用い
ることができる。この半導体チップ8の大きさは、特に
限定されないが、たとえばチップ当りの面積が179.
2mm2 である。半導体チップ8は、基板構成ユニット
2に対して接着剤などで接着される。用いることができ
る接着剤としては、エポキシ系接着剤などを例示するこ
とができる。
Next, in this embodiment, as shown in FIG.
The semiconductor chip 8 is installed on the upper surface of the substrate constituting unit 2. The semiconductor chip 8 is not particularly limited, but a 64 Mbit EEPROM memory chip can be used, for example. The size of the semiconductor chip 8 is not particularly limited, but for example, the area per chip is 179.
It is 2 mm 2 . The semiconductor chip 8 is bonded to the board constituting unit 2 with an adhesive or the like. Examples of the adhesive that can be used include epoxy-based adhesives.

【0018】次に、半導体チップ8の表面に形成された
パッド部10に対し、垂直ワイヤボンディングを行い、
パッド部10に対して略垂直方向に突出する導線12を
接続する。なお、本発明では、垂直ワイヤボンディング
が成された後の半導体チップ8を基板構成ユニット2の
上面に設置しても良い。
Next, vertical wire bonding is performed on the pad portion 10 formed on the surface of the semiconductor chip 8.
A conductive wire 12 protruding in a substantially vertical direction is connected to the pad portion 10. In the present invention, the semiconductor chip 8 after vertical wire bonding may be placed on the upper surface of the substrate constituting unit 2.

【0019】次に本実施例では、図4に示すように、導
線12が接続された半導体チップ8の表面に絶縁層14
を形成する。絶縁層14は、たとえば紫外線硬化樹脂あ
るいは熱硬化性樹脂を半導体チップ8の表面にコーティ
ングした後、硬化させることにより形成することができ
る。絶縁層14の形成に際しては、その表面が平坦にな
るように留意する。
Next, in this embodiment, as shown in FIG. 4, an insulating layer 14 is formed on the surface of the semiconductor chip 8 to which the conductor wire 12 is connected.
To form. The insulating layer 14 can be formed, for example, by coating the surface of the semiconductor chip 8 with an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin and then curing the resin. When forming the insulating layer 14, care should be taken to make the surface flat.

【0020】その後、図5に示すように、導線12を切
断し、その切断面が絶縁層14から露出するように、コ
ンタクト部12aを形成し、カード構成ユニット16を
形成する。次に、本実施例では、カード構成ユニット1
6の基板構成ユニット2に形成されたスライド凸部4と
スライド溝部6とをスライド嵌合させて、図6に示すよ
うに、たとえば縦方向に5列および横方向に6列組合
せ、カード状に構成する。
Thereafter, as shown in FIG. 5, the conductor wire 12 is cut, and the contact portion 12a is formed so that the cut surface is exposed from the insulating layer 14, and the card constituting unit 16 is formed. Next, in this embodiment, the card constituent unit 1
6, the slide convex portions 4 and the slide groove portions 6 formed on the substrate constituting unit 2 of 6 are slidably fitted together, and as shown in FIG. 6, for example, a combination of 5 rows in the vertical direction and 6 rows in the horizontal direction is formed into a card shape. Constitute.

【0021】その後、図7に示すように、カード状に組
み合わされたカード構成ユニット16の一方の端部に、
たとえばJEIDA規格で定められる出力ピン22が配
置された出力ピンボード18を装着してカード本体20
を得る。カード本体20をメモリカードとして機能させ
るためには、カード本体20に配置される半導体チップ
は、たとえば図8に示すように、全てを64Mbitメ
モリチップ8とするのではなく、一部をコントロール用
半導体チップ8aとする必要がある。JEIDA規格に
合致するメモリカードとする場合には、たとえばカード
本体の縦寸法を54mmとし、横寸法を85.6mmとす
る。また、カードの厚みは、配線後で、3.3mmとす
る。
Then, as shown in FIG. 7, at one end of the card constituting unit 16 assembled in a card shape,
For example, by mounting the output pin board 18 on which the output pins 22 defined by the JEIDA standard are arranged, the card body 20
To get In order to make the card body 20 function as a memory card, the semiconductor chips arranged in the card body 20 are not all 64 Mbit memory chips 8 as shown in FIG. It is necessary to use the chip 8a. When the memory card conforms to the JEIDA standard, for example, the vertical dimension of the card body is 54 mm and the horizontal dimension is 85.6 mm. The thickness of the card shall be 3.3 mm after wiring.

【0022】半導体チップ8,8aのサイズは、たとえ
ば縦12.567mm以上13.5mm未満および縦13.
275mm以上14.260mm未満であり、具体的には、
図9に示すように、縦と横が13.387mmのメモリチ
ップ8あるいは縦12.92mm横13.87mmのメモリ
チップ8を用いることができる。
The size of the semiconductor chips 8 and 8a is, for example, 12.567 mm or more and less than 13.5 mm in the vertical direction and 13.
275 mm or more and less than 14.260 mm, specifically,
As shown in FIG. 9, a memory chip 8 having a length and width of 13.387 mm or a memory chip 8 having a length of 12.92 mm and a width of 13.87 mm can be used.

【0023】図8に示すように、JEIDA規格に合致
したカードを構成するために、基板構成ユニット2の表
裏両面に半導体チップ8を配置した(両面実装)場合に
は、片面でメモリチップ8を20個、両面で40個配置
することが可能になり、カード一枚で、8MBytes
(メモリチップ一個)〜320MBytes(メモリチ
ップ40個)のメモリ容量をカバーすることができる。
As shown in FIG. 8, when the semiconductor chips 8 are arranged on both the front and back sides of the board constituent unit 2 (both sides mounted) in order to construct a card conforming to the JEIDA standard, the memory chip 8 is mounted on one side. 20 cards, 40 cards on both sides can be placed, and 8MBytes with one card
It is possible to cover a memory capacity of (one memory chip) to 320 MBytes (40 memory chips).

【0024】図7に示すカード本体20は、それ単独で
高密度実装半導体カードとして機能することはできず、
各半導体チップ8のコンタクト部12aに対し、所定の
配線を行なう必要がある。そこで本実施例では、たとえ
ば図10〜12に示すように、カード本体20の表面に
対し、バックコンタクト型配線プリントボード26を装
着する。プリントボード26は、カード本体20に対応
した大きさを有し、そのカード本体側表面に、図11,
12に示すように、各半導体チップ8のコンタクト部1
2aに接続されるバックコンタクト接合部32が、コン
タクト部12aに対応した所定パターンで形成される。
The card body 20 shown in FIG. 7 cannot function as a high-density mounting semiconductor card by itself,
Predetermined wiring must be provided for the contact portion 12a of each semiconductor chip 8. Therefore, in this embodiment, as shown in FIGS. 10 to 12, for example, the back contact type wiring printed board 26 is mounted on the surface of the card body 20. The printed board 26 has a size corresponding to that of the card body 20.
As shown in FIG. 12, the contact portion 1 of each semiconductor chip 8
The back contact joint portion 32 connected to 2a is formed in a predetermined pattern corresponding to the contact portion 12a.

【0025】バックコンタクト接合部32は、図11,
12に示すように、導線12の切断部であるコンタクト
部12aが嵌合する第1凹部30の底部に突出して形成
される。第1凹部30は、半導体チップ8のパッド部1
0が嵌合する第2凹部28の底部に形成される。バック
コンタクト接合部32は、プリントボード26のカード
本体側表面(裏面)に形成された配線層34に接続して
ある。配線層34は、半導体チップ8の表面に形成され
た絶縁層により、不要部分とのコンタクトが絶縁され
る。配線層34は、ボード26の反カード本体側表面
(表面)に形成することもできる。また、配線層34
は、ボード26の表裏面双方に形成することもできる。
配線層34により、各半導体チップ8のコンタクト部1
2aが、図10に示す出力ピン22に対して所定のパタ
ーンで接続される。
The back contact joint 32 is shown in FIG.
As shown in FIG. 12, the contact portion 12 a, which is the cut portion of the conductive wire 12, is formed so as to project from the bottom portion of the first recess 30 into which the contact portion 12 a is fitted. The first recess 30 is the pad portion 1 of the semiconductor chip 8.
It is formed at the bottom of the second recess 28 into which 0 is fitted. The back contact joint portion 32 is connected to a wiring layer 34 formed on the front surface (back surface) of the printed board 26 on the card body side. The wiring layer 34 is insulated from a contact with an unnecessary portion by the insulating layer formed on the surface of the semiconductor chip 8. The wiring layer 34 can also be formed on the surface (front surface) of the board 26 opposite to the card body. In addition, the wiring layer 34
Can be formed on both the front and back surfaces of the board 26.
By the wiring layer 34, the contact portion 1 of each semiconductor chip 8
2a is connected to the output pin 22 shown in FIG. 10 in a predetermined pattern.

【0026】本実施例では、半導体チップ8,8aの配
線層34が、絶縁層14を介して半導体チップ上に形成
してあるので、JEIDA規格準拠の大きさの基板上の
ほぼ全面を、半導体チップ8,8aの装着領域として確
保できる。また、基板構成ユニット2が組み合わされて
形成される基板の表裏両面に対し、そのほぼ全域を半導
体チップ8,8aの装着領域として確保できる。そのた
め、高密度実装が可能になり、半導体チップ8をメモリ
チップとした場合には、大容量のメモリカードを実現で
きる。たとえば図8に示すように、片面でメモリチップ
8を20個、両面で40個配置することが可能になり、
カード一枚で、8MBytes(メモリチップ一個)〜
320MBytes(メモリチップ40個)のメモリ容
量をカバーすることができる。
In this embodiment, since the wiring layer 34 of the semiconductor chips 8 and 8a is formed on the semiconductor chip with the insulating layer 14 interposed therebetween, almost the entire surface of the substrate having a size conforming to the JEIDA standard is covered with the semiconductor. It can be secured as a mounting area for the chips 8 and 8a. In addition, it is possible to secure almost the entire area as the mounting area of the semiconductor chips 8 and 8a on both the front and back surfaces of the substrate formed by combining the substrate constituent units 2. Therefore, high-density mounting becomes possible, and when the semiconductor chip 8 is a memory chip, a large capacity memory card can be realized. For example, as shown in FIG. 8, it becomes possible to arrange 20 memory chips 8 on one side and 40 memory chips 8 on both sides.
8 MBytes (one memory chip) with one card
The memory capacity of 320 MBytes (40 memory chips) can be covered.

【0027】また、配線層34は、絶縁層14を介して
半導体チップ8上に形成されるので、振動や衝撃などに
より、絶縁性が低下することもなく、カードの耐湿性お
よび機械的強度が向上し、結果的に耐久性も向上する。
さらに本実施例では、各半導体チップ8が、それぞれ基
板構成ユニット2上に設置され、各基板構成ユニット2
が取り外し自在に平面状に連結されて基板を構成するの
で、特定の半導体チップ8,8aの交換が著しく容易で
ある。また、特定の半導体チップ8,8aが故障した場
合でも、カード全体を廃棄することなく、特定の半導体
チップ8,8aが搭載されたカード構成ユニット16を
カードから取り外し、交換すれば良いので、廃棄物が少
なくなり、地球環境上好ましい。
Further, since the wiring layer 34 is formed on the semiconductor chip 8 via the insulating layer 14, the insulating property does not deteriorate due to vibration or shock, and the moisture resistance and mechanical strength of the card are improved. As a result, the durability is also improved as a result.
Further, in the present embodiment, each semiconductor chip 8 is installed on the board forming unit 2 and the board forming unit 2
Since they are detachably connected in a plane to form a substrate, it is extremely easy to replace the specific semiconductor chips 8 and 8a. Further, even if the specific semiconductor chip 8 or 8a fails, the card component unit 16 on which the specific semiconductor chip 8 or 8a is mounted can be removed from the card and replaced without discarding the entire card. There are few things, which is good for the global environment.

【0028】本実施例明の高密度実装半導体カードの製
造方法によれば、このように優れた高密度実装半導体カ
ードを容易に製造することが可能である。なお、本発明
は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々に改変することができる。
According to the method of manufacturing a high-density mounting semiconductor card of the present embodiment, it is possible to easily manufacture such an excellent high-density mounting semiconductor card. The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be modified in various ways within the scope of the present invention.

【0029】たとえば、上述した実施例では、基板構成
ユニット2の側部に形成した嵌合手段が、横断面略T字
形状のスライド凸部4とスライド溝部であったが、本発
明では、その形状および構造は特に限定されず、基板構
成ユニット2を面方向に沿って自由な大きさに、取り外
し自在に連結するための構造であれば、どのような構造
であっても良い。
For example, in the above-described embodiment, the fitting means formed on the side portion of the board constituting unit 2 are the slide convex portion 4 and the slide groove portion having a substantially T-shaped cross section. The shape and the structure are not particularly limited, and any structure may be used as long as it is a structure that allows the substrate constituent unit 2 to be detachably connected in a free size along the surface direction.

【0030】また、本発明では、各半導体チップ8のコ
ンタクト部12aに対して配線層34を接続するための
手段としては、図11,12に示す実施例に限定されな
い。たとえばプリントボード26を用いることなく、配
線パターニングを施したポケット型(包装型)配線プリ
ントフィルムを用い、フィルムの裏打ち半田部とコンタ
クト部12aとの位置合わせ後、フィルム裏打ち半田部
とコンタクト部とが半田付けされるように、プリントフ
ィルムを、カード本体の表面に装着することも考えられ
る。また、ポケット型配線プリントフィルム以外に、片
側配線フィルム、U字形状配線フィルム、その他の配線
フィルムまたは配線ボードを用いることができる。
Further, in the present invention, the means for connecting the wiring layer 34 to the contact portion 12a of each semiconductor chip 8 is not limited to the embodiment shown in FIGS. For example, without using the printed board 26, a pocket-type (packaging-type) printed wiring film with wiring patterning is used, and after the backing solder portion of the film and the contact portion 12a are aligned, the film backing solder portion and the contact portion are It is also conceivable to mount the print film on the surface of the card body so that it is soldered. Besides the pocket-type wiring print film, one-sided wiring film, U-shaped wiring film, other wiring film or wiring board can be used.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、半導体チップの配線層が、絶縁層を介して半導体チ
ップ上に形成してあるので、所定の規格範囲(たとえば
JEIDA規格)内の大きさの基板上のほぼ全面を、半
導体チップの装着領域として確保できる。また、基板の
表裏両面に対し、そのほぼ全域を半導体チップの装着領
域として確保できる。そのため、高密度実装が可能にな
り、半導体チップをメモリチップとした場合には、大容
量のメモリカードを実現できる。
As described above, according to the present invention, since the wiring layer of the semiconductor chip is formed on the semiconductor chip via the insulating layer, it is within a predetermined standard range (for example, JEIDA standard). It is possible to secure almost the entire surface of the substrate having the size of 1) as the mounting area of the semiconductor chip. Further, it is possible to secure almost the entire area of the front and back surfaces of the substrate as a mounting area for the semiconductor chip. Therefore, high-density mounting becomes possible, and when the semiconductor chip is a memory chip, a large capacity memory card can be realized.

【0032】また、配線層は、絶縁層を介して半導体チ
ップ上に形成されるので、振動や衝撃などにより、絶縁
性が低下することもなく、カードの耐湿性および機械的
強度が向上し、結果的に耐久性も向上する。さらに本発
明によれば、各半導体チップが、それぞれ基板構成ユニ
ット上に設置され、各基板構成ユニットが取り外し自在
に平面状に連結させて基板を構成するので、特定の半導
体チップの交換が著しく容易である。また、特定の半導
体チップが故障した場合でも、カード全体を廃棄するこ
となく、特定の半導体チップが搭載された基板構成ユニ
ットをカードから取り外し、交換すれば良いので、廃棄
物が少なくなり、地球環境上好ましい。
Further, since the wiring layer is formed on the semiconductor chip via the insulating layer, the insulating property does not deteriorate due to vibration or shock, and the moisture resistance and mechanical strength of the card are improved, As a result, durability is also improved. Further, according to the present invention, since each semiconductor chip is installed on the respective substrate constituting units and the respective substrate constituting units are detachably connected to each other to form a substrate, it is extremely easy to replace a specific semiconductor chip. Is. In addition, even if a specific semiconductor chip fails, the board component unit with the specific semiconductor chip mounted can be removed from the card and replaced without discarding the entire card. Above all preferred.

【0033】本発明の高密度実装半導体カードの製造方
法によれば、このように優れた高密度実装半導体カード
を容易に製造することが可能である。
According to the method of manufacturing a high-density mounting semiconductor card of the present invention, such an excellent high-density mounting semiconductor card can be easily manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は本発明の一実施例に係る基板構成ユニッ
トの斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a substrate constituting unit according to an embodiment of the present invention.

【図2】図2は図1のII−II線に沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II in FIG.

【図3】図3は基板構成ユニット上に半導体チップを搭
載して垂直ワイヤボンディングを行った状態を示す斜視
図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a state in which a semiconductor chip is mounted on a substrate constituent unit and vertical wire bonding is performed.

【図4】図4は半導体チップに絶縁層を形成した状態を
示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a state in which an insulating layer is formed on a semiconductor chip.

【図5】図5は半導体チップ上の垂直ワイヤボンディン
グを切断した状態を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a state in which vertical wire bonding on a semiconductor chip is cut.

【図6】図6は基板構成ユニットを平面方向に組み立て
てカード本体を組み立てた状態を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a state where the card main body is assembled by assembling the board constituting unit in the plane direction.

【図7】図7はカード本体に出力ピンボードを取り付け
た状態を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a state in which an output pin board is attached to the card body.

【図8】図8(A)は両面実装の高密度実装メモリカー
ドの概略平面図、図8(B)はその概略側面図である。
FIG. 8A is a schematic plan view of a double-sided high-density mounting memory card, and FIG. 8B is a schematic side view thereof.

【図9】図9(A),(B)は半導体チップの大きさを
示す概略図である。
9A and 9B are schematic diagrams showing the size of a semiconductor chip.

【図10】図10はカード本体に配線ボードを取り付け
る状態を示す分解斜視図である。
FIG. 10 is an exploded perspective view showing a state where the wiring board is attached to the card body.

【図11】図11は配線ボードと半導体チップとの接続
構造を示す要部分解斜視図である。
FIG. 11 is an exploded perspective view of essential parts showing a connection structure between a wiring board and a semiconductor chip.

【図12】図12は図11に示すXII−XII線に沿う要部
断面図である。
12 is a cross-sectional view of a main part taken along line XII-XII shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2… 基板構成ユニット 4… スライド凸部 6… スライド溝部 8… 半導体チップ 10… パッド部 12… 導線 12a… コンタクト部 14… 絶縁層 16… カード構成ユニット 18… 出力ピンボード 20… カード本体 22… 出力ピン 26… バックコンタクト型配線プリントボード 28… 第2凹部 30… 第1凹部 32… バックコンタクト接合部 34… 配線層 2 ... Board constituting unit 4 ... Sliding convex portion 6 ... Sliding groove portion 8 ... Semiconductor chip 10 ... Pad portion 12 ... Conducting wire 12a ... Contact portion 14 ... Insulating layer 16 ... Card constituting unit 18 ... Output pin board 20 ... Card body 22 ... Output Pins 26 ... Back contact type wiring printed board 28 ... Second recess 30 ... First recess 32 ... Back contact joint 34 ... Wiring layer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の半導体チップが基板上に配設さ
れ、半導体チップの配線層が、絶縁層を介して半導体チ
ップ上に形成してある高密度実装半導体カードであっ
て、 上記基板が、複数の基板構成ユニットで構成され、各基
板構成ユニット上に、それぞれ半導体チップが設置さ
れ、各基板構成ユニットの側壁に、他の基板構成ユニッ
トの側壁が取り外し自在に嵌合する嵌合手段が形成され
ている高密度実装半導体カード。
1. A high-density packaging semiconductor card in which a plurality of semiconductor chips are disposed on a substrate, and a wiring layer of the semiconductor chip is formed on the semiconductor chip via an insulating layer, wherein the substrate comprises: A plurality of board constituent units are formed, a semiconductor chip is installed on each board constituent unit, and a side wall of each board constituent unit is formed with a fitting means for detachably fitting the side wall of another board constituent unit. High-density packaging semiconductor card.
【請求項2】 上記嵌合手段は、直方体形状の基板構成
ユニットの隣接する二辺位置に形成されたスライド溝部
と、他の基板構成ユニットに形成されたスライド溝部に
対してスライド嵌合するように、他の二辺位置に形成さ
れたスライド凸部とで構成される請求項1に記載の高密
度実装半導体カード。
2. The fitting means slide-fits into a slide groove portion formed on two adjacent side positions of a rectangular parallelepiped board forming unit and a slide groove portion formed on another board forming unit. The high-density mounting semiconductor card according to claim 1, wherein the high-density mounting semiconductor card comprises a slide protrusion formed on the other two sides.
【請求項3】 上記半導体チップがメモリチップである
請求項1または2に記載の高密度実装半導体カード。
3. The high-density packaging semiconductor card according to claim 1, wherein the semiconductor chip is a memory chip.
【請求項4】 複数の半導体チップが基板上に配設され
た高密度実装半導体カードを製造する方法であって、 平面方向に組み合わせてカード状の基板を構成するよう
に、他の基板構成ユニットの側壁が取り外し自在に嵌合
する嵌合手段が側壁に形成されている基板構成ユニット
を準備する工程と、 各基板構成ユニットの上に、それぞれ半導体チップを設
置する工程と、 半導体チップ表面に形成してあるパッド部に、略垂直方
向に突出する導線を接続する工程と、 導線が接続された半導体チップの表面に絶縁層を形成す
る工程と、 絶縁層の表面から突出する上記導線の先端部を切断し、
半導体チップの表面にコンタクト部を形成する工程と、 コンタクト部が形成された半導体チップが設置された基
板構成ユニットを平面方向に組み合わせて、所定の規格
寸法内のカード本体を形成する工程と、 カード本体上に配列されたコンタクト部を配線する工程
とを有する高密度実装半導体カードの製造方法。
4. A method for manufacturing a high-density packaging semiconductor card in which a plurality of semiconductor chips are arranged on a substrate, wherein another substrate forming unit is provided so as to form a card-like substrate by combining them in a planar direction. The step of preparing a substrate constituting unit in which a side wall of the substrate is detachably fitted with a fitting means, a step of placing a semiconductor chip on each substrate constituting unit, and a step of forming a semiconductor chip on the surface of the semiconductor chip The step of connecting a conductor wire that protrudes in a substantially vertical direction to the pad portion that is formed, the step of forming an insulating layer on the surface of the semiconductor chip to which the conductor wire is connected, and the tip of the conductor wire that protrudes from the surface of the insulating layer Disconnect the
A step of forming a contact portion on the surface of a semiconductor chip, a step of combining a substrate constituting unit on which a semiconductor chip having a contact portion is installed in a plane direction to form a card body within a predetermined standard dimension, and a card A method for manufacturing a high-density packaging semiconductor card, comprising: wiring contact parts arranged on a main body.
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