JPH06283909A - Circuit element for microstrip line - Google Patents

Circuit element for microstrip line

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JPH06283909A
JPH06283909A JP5089353A JP8935393A JPH06283909A JP H06283909 A JPH06283909 A JP H06283909A JP 5089353 A JP5089353 A JP 5089353A JP 8935393 A JP8935393 A JP 8935393A JP H06283909 A JPH06283909 A JP H06283909A
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JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
line
circuit element
microstrip line
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP5089353A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideki Shibuya
秀樹 渋谷
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Nippon Chemi Con Corp
Original Assignee
Nippon Chemi Con Corp
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Publication date
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Publication of JPH06283909A publication Critical patent/JPH06283909A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for

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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

PURPOSE:To mount a microwave circuit with high density by constructing a circuit element without changing the width of a microstrip line. CONSTITUTION:A dielectric substrate 1 contains a ground layer 2 on one of both sides and a strip line 3 formed on the other side respectively. In such a constitution of a microstrip line, a high dielectric constant layer 4 is laminated in an area including a circuit element area between the substrate 1 and the line 3. So that the dielectric constant is partly increased for the dielectric constant placed between the layer 2 and the line 3. Then the impedance of the dielectric member is varied, and a capacity element is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロストリップラ
インの回路素子に関し、例えばマイクロ波集積回路に使
用され、誘電体基板を挟んだグランド層とストリップ状
の線路から構成されるマイクロストリップラインにおい
て、導電体層と導電体線路との間に介在する誘電体部材
の誘電率を部分的に変化させることにより特性インピー
ダンスを変化させて回路素子を形成する技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit element of a microstrip line, for example, in a microstrip line used for a microwave integrated circuit and composed of a ground layer sandwiching a dielectric substrate and a strip-shaped line, The present invention relates to a technique for forming a circuit element by changing a characteristic impedance by partially changing a dielectric constant of a dielectric member interposed between a conductor layer and a conductor line.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、マイクロ波集積回路に用いられ
るマイクロ波伝送線路として、マイクロストリップライ
ンが使用されている。マイクロストリップラインはアル
ミナセラミック等の誘電体基板の一方の面に平面的な導
電体層のグランド層を形成し、他方の面にストリップ状
の線路を形成して伝送線路を構成している。このストリ
ップ線路の特性は同軸ケーブルを平面的に展開したもの
と等価であり、特性インピーダンスはストリップ線路の
幅、厚さ、誘電体基板の誘電率、厚さによって決定され
る。
2. Description of the Related Art For example, a microstrip line is used as a microwave transmission line used in a microwave integrated circuit. The microstrip line forms a transmission line by forming a planar ground layer of a conductor layer on one surface of a dielectric substrate such as alumina ceramic and forming a strip-shaped line on the other surface. The characteristics of this strip line are equivalent to those of a coaxial cable developed in a plane, and the characteristic impedance is determined by the width and thickness of the strip line, the dielectric constant of the dielectric substrate, and the thickness.

【0003】このようなマイクロ波集積回路において
は、マイクロストリップラインの特性インピーダンスを
部分的に変化させることにより、抵抗、容量素子、イン
ダクタンス素子、共振器、バンドパスフィルタ等の回路
素子を形成して電子回路を構成することができる。
In such a microwave integrated circuit, circuit elements such as resistors, capacitors, inductors, resonators and bandpass filters are formed by partially changing the characteristic impedance of the microstrip line. An electronic circuit can be constructed.

【0004】従来、マイクロストリップラインを利用し
て回路素子を形成する方法は、ストリップ線路の線幅を
回路素子形成箇所で部分的に変化させて特性インピーダ
ンスを変化させるものであった。例えば、図2の(a)
はストリップ線路幅を部分的に広く形成することにより
特性インピーダンスを変化させて分布定数的に容量素子
を構成したものである。またリアクタンス素子を形成す
る場合には、逆にストリップ線幅を部分的に狭くするこ
とにより形成することができる。
Conventionally, a method of forming a circuit element using a microstrip line has been to change the characteristic impedance by partially changing the line width of the strip line at the circuit element forming portion. For example, in FIG.
Is a capacitive element configured in a distributed constant manner by changing the characteristic impedance by partially forming the strip line width. When forming the reactance element, conversely, it can be formed by partially narrowing the strip line width.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の回路素子形成方法では、線路幅を変化させて
いるため隣接する線路との間隔が部分的に変化し、隣接
線路の影響を受けやすくなっていた。特に容量素子を形
成する場合には線路幅を部分的に広くするために影響を
受けやすく、隣接線路の間隔を十分に確保するためには
線路間隔を広くとる必要があった。従って、マイクロ波
集積回路の配線密度が低くなり、高集積化の妨げとなっ
ていた。
However, in such a conventional circuit element forming method, since the line width is changed, the interval between the adjacent lines is partially changed, and the line is easily affected by the adjacent line. Was becoming. In particular, when a capacitive element is formed, it is easily affected by partially widening the line width, and it is necessary to widen the line spacing in order to secure a sufficient space between adjacent lines. Therefore, the wiring density of the microwave integrated circuit becomes low, which hinders high integration.

【0006】従って、本発明の目的は、マイクロストリ
ップラインの回路素子において、ストリップ線路幅を変
化させることなく特性インピーダンスを変化させて回路
素子を形成する構造を提供し、もってマイクロ波集積回
路の高密度配線を可能とし、装置の小型化、高集積化を
図ることにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a structure for forming a circuit element by changing the characteristic impedance of the circuit element of the microstrip line without changing the width of the strip line, thereby improving the microwave integrated circuit. The purpose is to enable high-density wiring, and to downsize and highly integrate the device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記問題点の解決のた
め、本発明によれば、一方の面にグランド層として導電
体層を備えた誘電体基板の他方の面にストリップ状の導
電体線路を形成してマイクロストリップラインを構成
し、このマイクロストリップラインのインピーダンスを
部分的に変化させて回路素子を形成するマイクロストリ
ップラインの回路素子構造において、グランド層とスト
リップ線路との間に介在する誘電体部材の、回路素子形
成箇所を含む領域の誘電率を部分的に変化させることに
よりその部分のインピーダンスを変化させて回路素子を
構成したものである。
In order to solve the above problems, according to the present invention, a strip-shaped conductor line is provided on the other surface of a dielectric substrate having a conductor layer as a ground layer on one surface. In the circuit element structure of the microstrip line in which the microstrip line is formed to form a circuit element by partially changing the impedance of the microstrip line, the dielectric that is interposed between the ground layer and the strip line. The circuit element is configured by partially changing the dielectric constant of a region of the body member including the circuit element forming portion to change the impedance of the portion.

【0008】また、この誘電体部材の誘電率を部分的に
変化させる構造は、ストリップ線路と誘電体基板との間
に誘電体基板の誘電率とは異なる誘電率の誘電体層を積
層したものとすることができる。
Further, the structure in which the dielectric constant of the dielectric member is partially changed is such that a dielectric layer having a dielectric constant different from that of the dielectric substrate is laminated between the strip line and the dielectric substrate. Can be

【0009】[0009]

【作用】このようなマイクロストリップラインの回路素
子においては、回路素子形成箇所のグランド層とストリ
ップ線路との間の誘電体部材の誘電率を部分的に変化さ
せたので、その部分の特性インピーダンスは他の部分と
は異なるものになる。このため、例えば、回路素子形成
箇所の誘電率を他の部分の誘電体基板の誘電率より高く
することにより容量素子を形成することができ、誘電率
を低くすることによりリアクタンス素子を形成すること
ができる。
In such a microstrip line circuit element, since the dielectric constant of the dielectric member between the ground layer and the strip line at the circuit element forming portion is partially changed, the characteristic impedance of that portion is It will be different from other parts. Therefore, for example, a capacitive element can be formed by increasing the permittivity of the circuit element forming portion higher than the permittivity of the dielectric substrate of the other portion, and the reactance element can be formed by lowering the permittivity. You can

【0010】従って、ストリップ線路の線幅を変化させ
ることなく、マイクロストリップラインに回路素子を形
成することができ、マイクロ波回路の高密度実装が可能
となり集積度を高めることができる。
Therefore, the circuit element can be formed on the microstrip line without changing the line width of the strip line, and the microwave circuit can be mounted at a high density and the degree of integration can be increased.

【0011】また、誘電体基板の誘電率とは異なる誘電
体ペーストを誘電体基板に印刷する等の方法により異な
る誘電率の層を積層することができ、誘電体部材の誘電
率を容易に種々の値に変化させることができ、インピー
ダンスを変化させたさまざまな回路素子を容易に形成す
ることができる。
Further, layers having different permittivity can be laminated by a method such as printing a dielectric paste different from the permittivity of the dielectric substrate on the dielectric substrate, so that the permittivity of the dielectric member can be easily varied. , And various circuit elements having different impedances can be easily formed.

【0012】[0012]

【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例につき説
明する。図1は本発明の一実施例に係わるマイクロスト
リップラインの回路素子の構造を示し、図2(b)は図
1の回路素子を上からみた概略図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a structure of a circuit element of a microstrip line according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a schematic view of the circuit element of FIG. 1 seen from above.

【0013】アルミナセラミック(誘電率:ε=9.
4)等の誘電体基板1の一方の面にはCu等からなる導
電体のグランド層2が積層されており、他方の面にはマ
イクロ波回路を構成する細長い平板状のストリップ線路
3が形成されている。このマイクロ波回路の容量素子形
成箇所のストリップ線路3と誘電体基板1の間には、誘
電体基板1の誘電率よりも高い誘電率を有する高誘電体
層4が形成されている。この高誘電体層4は高誘電体ペ
ーストを印刷することにより形成され、その上にAgの
ストリップ線路を形成し、さらにそのストリップ線路に
無電解Cuメッキ層を施すことによりストリップ線路3
を形成する。
Alumina ceramic (dielectric constant: ε = 9.
4) and the like, a conductor ground layer 2 made of Cu or the like is laminated on one surface of the dielectric substrate 1, and an elongated flat plate-like strip line 3 forming a microwave circuit is formed on the other surface. Has been done. A high dielectric layer 4 having a dielectric constant higher than that of the dielectric substrate 1 is formed between the strip line 3 at the capacitive element forming portion of the microwave circuit and the dielectric substrate 1. The high-dielectric layer 4 is formed by printing a high-dielectric paste, an Ag strip line is formed on the high-dielectric paste, and the strip line 3 is formed by applying an electroless Cu plating layer to the strip line.
To form.

【0014】以上のような構造において、誘電体基板1
の高誘電体層4を積層した領域は、誘電体基板1の誘電
率に高誘電体層4の誘電率が合成されるため、ストリッ
プ線路3とグランド層2との間に介在する誘電体部材全
体としての誘電率は部分的に大きくなる。従って、イン
ピーダンスが変化するとともに、電極間の誘電率が大き
くなることによって分布定数的に容量が大きくなるの
で、その部分には容量素子が形成される。
In the above structure, the dielectric substrate 1
In the region where the high dielectric layer 4 is laminated, the dielectric constant of the high dielectric layer 4 is combined with the dielectric constant of the dielectric substrate 1, so that the dielectric member interposed between the strip line 3 and the ground layer 2 is formed. The permittivity as a whole is partially increased. Therefore, as the impedance changes and the dielectric constant between the electrodes increases, the capacitance increases in a distributed constant manner, so that a capacitive element is formed in that portion.

【0015】なお、本実施例では、誘電体基板の誘電率
より高い誘電体層を形成することにより容量素子を形成
しているが、誘電体基板より誘電率の低い誘電体層を形
成して誘電体部材の誘電率を部分的に小さくし、リアク
タンス素子を形成する事もできる。
In this embodiment, the capacitive element is formed by forming a dielectric layer having a higher dielectric constant than that of the dielectric substrate. However, a dielectric layer having a lower dielectric constant than that of the dielectric substrate is formed. It is also possible to partially reduce the dielectric constant of the dielectric member to form a reactance element.

【0016】また、本実施例では、高誘電体層を積層す
ることにより誘電率を変化させているが、誘電率の異な
る誘電体部材を積層する手段に限定されず、誘電体基板
を形成する段階で回路素子形成予定箇所を異なる誘電率
の材料で形成する等の方法でもよい。
Further, in this embodiment, the dielectric constant is changed by laminating the high dielectric layers, but the present invention is not limited to the means for laminating dielectric members having different dielectric constants, and a dielectric substrate is formed. It is also possible to use a method of forming the circuit element formation planned portions at different stages with materials having different dielectric constants.

【0017】また、本実施例では、ストリップ線路を直
線状に形成しているが、従来のように部分的に線幅を変
化させて回路素子を形成する方法を併用してもよく、ま
たスパイラル状にするなど他のラインパターンと組み合
わせてもよい。
Further, although the strip line is formed in a straight line in the present embodiment, the method of forming a circuit element by partially changing the line width as in the conventional method may be used in combination, and the spiral line may be used. You may combine with other line patterns, such as shape.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ストリ
ップ線路幅を変化させなてもインピーダンスを変化させ
て回路素子を形成することができるので、マイクロ波回
路において隣接線路の影響を防止するために隣接線路と
の間隔を広くとる必要がなく、高密度実装が可能とな
る。したがって、マイクロ波集積回路の集積度を大幅に
高め装置を小型化することができる。
As described above, according to the present invention, the circuit element can be formed by changing the impedance without changing the strip line width, so that the influence of the adjacent line can be prevented in the microwave circuit. Therefore, it is not necessary to widen the space between the adjacent lines, and high-density mounting is possible. Therefore, the degree of integration of the microwave integrated circuit can be significantly increased and the device can be downsized.

【0019】また、誘電体基板とは異なる誘電体ペース
ト等を誘電体基板に印刷して部分的に誘電率を変化させ
ることにより、回路素子のインピーダンスの制御がきわ
めて容易になり、マイクロ波集積回路の性能を大幅に向
上させることができる。
Further, by printing a dielectric paste or the like different from the dielectric substrate on the dielectric substrate to partially change the dielectric constant, it becomes extremely easy to control the impedance of the circuit element, so that the microwave integrated circuit can be controlled. The performance of can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の1実施例に係るマイクロストリップラ
インの回路素子の構造を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a structure of a circuit element of a microstrip line according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来のマイクロストリップラインの容量素子の
ストリップ線路(a)および本発明の1実施例によるマ
イクロストリップラインの容量素子(b)の構造を示す
平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a structure of a conventional microstripline capacitive element stripline (a) and a microstripline capacitive element (b) according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 誘電体基板 2 グランド層 3 ストリップ線路 4 高誘電体層 1 Dielectric Substrate 2 Ground Layer 3 Stripline 4 High Dielectric Layer

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一方の面にグランド層として導電体層を
備えた誘電体基板の他方の面にストリップ状の導電体線
路を形成したマイクロストリップラインのインピーダン
スを部分的に変化させて回路素子を形成するマイクロス
トリップラインの回路素子において、 前記導電体層と前記導電体線路との間に介在する誘電体
部材の、前記回路素子の形成箇所を含む領域の誘電率を
部分的に変化させることにより、インピーダンスを変化
させて、回路素子を形成したことを特徴とするマイクロ
ストリップラインの回路素子。
1. A circuit element is provided by partially changing the impedance of a microstrip line in which a strip-shaped conductor line is formed on the other surface of a dielectric substrate having a conductor layer as a ground layer on one surface. In the circuit element of the microstrip line to be formed, by partially changing the dielectric constant of the region of the dielectric member interposed between the conductor layer and the conductor line, the region including the formation position of the circuit element. , A circuit element of a microstrip line characterized in that the circuit element is formed by changing the impedance.
【請求項2】 前記導電体線路と前記誘電体基板の間
に、該誘電体基板の誘電率とは異なる誘電率の誘電体層
を積層することにより、前記導電体層と前記導電体線路
との間に介在する誘電体部材の誘電率を部分的に変化さ
せることを特徴とする請求項1に記載のマイクロストリ
ップラインの回路素子。
2. The conductor layer and the conductor line are formed by laminating a dielectric layer having a dielectric constant different from that of the dielectric substrate between the conductor line and the dielectric substrate. The circuit element of the microstrip line according to claim 1, wherein the dielectric constant of the dielectric member interposed between the two is partially changed.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001001453A2 (en) * 1999-06-29 2001-01-04 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for adjusting electrical characteristics of signal traces in layered circuit boards
CN112946327A (en) * 2021-03-24 2021-06-11 北京工业大学 Microstrip line clamp for measuring complex dielectric constant of microwave material at high temperature

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