JPH06281600A - Total-reflection x-ray fluorescence analyzer - Google Patents

Total-reflection x-ray fluorescence analyzer

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Publication number
JPH06281600A
JPH06281600A JP6991193A JP6991193A JPH06281600A JP H06281600 A JPH06281600 A JP H06281600A JP 6991193 A JP6991193 A JP 6991193A JP 6991193 A JP6991193 A JP 6991193A JP H06281600 A JPH06281600 A JP H06281600A
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JP
Japan
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wafer
ray fluorescence
total reflection
box
fluorescence analyzer
Prior art date
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Pending
Application number
JP6991193A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Horiuchi
和志 堀内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP6991193A priority Critical patent/JPH06281600A/en
Publication of JPH06281600A publication Critical patent/JPH06281600A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide the total-reflection X-ray fluorescence analyzer having a highly accurate, inexpensive surface inspecting system with the simple constitution. CONSTITUTION:A cassette mounting stage 12 is provided at the neighboring position of a main body 11 of a total-reflection X-ray fluorescence analyzer. A wafer conveying robot 13 is provided between the analyzer main body 11 and the cassette mounting stage 12. A plurality of wafers 13 are mounted on a cassette 14. At the neighborhood of the analyzer main body 11 and the cassette mounting stage 12, an optical microscope device 16, which is the surface inspecting system of the present embodiment, is provided. The optical microscope device 16 is constituted of an optical microscope 17 and a wafer stage 18. A moving scale 18a as the positioning means in the X-Y directions is provided in the wafer stage 18.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は全反射蛍光X線分析法
(Total Reflection X-Ray Fluorescence )に用いられ
る全反射蛍光X線分析装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a total reflection X-ray fluorescence analyzer for use in total reflection X-ray fluorescence.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、全反射蛍光X線分析法は、半導
体ウェーハの製造工程におけるウェーハの表面の微量元
素を分析する方法として広く用いられている。従来、そ
の全反射蛍光X線分析法を用いた全反射蛍光X線分析装
置には、特開平3−202760号公報に開示されるも
のがある。
2. Description of the Related Art Generally, a total reflection X-ray fluorescence analysis method is widely used as a method for analyzing trace elements on the surface of a wafer in the process of manufacturing a semiconductor wafer. Conventionally, as a total reflection X-ray fluorescence analyzer using the total reflection X-ray fluorescence analysis method, there is one disclosed in JP-A-3-202760.

【0003】この装置では、ウェーハの表面に設定した
座標に対応させて、その座標の各点の検査情報を得るた
めの表面検査系が備えられている。ここで、検査情報と
は、ウェーハの表面に付着した元素(Cr,Fe,C
u,Zn等)の試料の付着状況や付着した試料粒子の分
布および粒径、ウェーハの表面の傷や欠陥等、であ
る。また、表面検査系は、ウェーハの表面に設定された
座標に対応させて、その表面上の各点の検査情報を得、
これを記憶できるようになっている。
This apparatus is equipped with a surface inspection system for obtaining inspection information of each point of the coordinates corresponding to the coordinates set on the surface of the wafer. Here, the inspection information means the elements (Cr, Fe, C) attached to the surface of the wafer.
u, Zn, etc.) adhesion state of the sample, distribution and particle size of the adhered sample particles, scratches and defects on the surface of the wafer, and the like. In addition, the surface inspection system obtains inspection information of each point on the surface in correspondence with the coordinates set on the surface of the wafer,
You can remember this.

【0004】従って、この装置では、表面検査系による
検査結果から、全反射蛍光X線分析(以下、X線分析と
略す)を行うのに最も適したウェーハの表面の座標領域
を容易に検索することができ、効率的なX線分析が可能
になるとしている。
Therefore, in this apparatus, the coordinate area on the surface of the wafer most suitable for performing total reflection X-ray fluorescence analysis (hereinafter abbreviated as X-ray analysis) is easily retrieved from the inspection result by the surface inspection system. It is said that it will be possible and efficient X-ray analysis will be possible.

【0005】例えば、ウェーハの表面に付着した試料の
分布濃度が最も高い部分についてX線分析を行いたい場
合には、表面検査系による検査結果から試料の分布濃度
が最も高い領域を検索し、その領域についてのみX線分
析を行えばよいという。また、X線分析が行われたウェ
ーハの表面上の領域が、表面全体に付着している試料の
付着状態を代表しているものか、局所的に試料が多く付
着している領域に該当しているのものかを、X線分析を
行った後に容易に判定することができるという。さら
に、X線分析が行われた部分に付着している試料の全試
料に対する割合が表面検査系による検査結果から得られ
るので、これを用いて試料の定量を高い制度で容易に行
うことができるともいう。
For example, when it is desired to perform an X-ray analysis on a portion having the highest distribution concentration of the sample adhered to the surface of the wafer, a region having the highest distribution concentration of the sample is searched from the inspection result by the surface inspection system, It is said that X-ray analysis only needs to be performed on the region. In addition, the area on the surface of the wafer on which the X-ray analysis was performed corresponds to the adhesion state of the sample adhered to the entire surface, or corresponds to the area where a large amount of the sample adheres locally. It is said that it can be easily determined whether or not it is present after performing X-ray analysis. Further, since the ratio of the sample attached to the portion where the X-ray analysis is performed to the total sample is obtained from the inspection result by the surface inspection system, the quantitative determination of the sample can be easily performed by using this. Also called.

【0006】ところで、同公報では、表面検査系の構成
例として以下のものが提案されている。 1)ステージ(検査するウェーハを載置する)と、レー
ザ(ステージ上に載置されたウェーハの表面に照射され
るレーザビームを放射する)と、反射鏡(レーザからの
レーザビームを反射させてウェーハの表面に照射する)
と、フォトマルチプライヤ(ウェーハの表面から反射さ
れたレーザビームの反射光強度を検出する)と、A/D
変換器(フォトマルチプライヤの出力信号をA/D変換
する)と、中央処理制御部(A/D変換器の出力信号を
処理する)とから表面検査系が構成されている例。この
例では、レーザ光を2次元的にスキャンすることによ
り、上記した表面検査を行う。
By the way, in the publication, the following is proposed as a configuration example of the surface inspection system. 1) a stage (on which a wafer to be inspected is placed), a laser (which emits a laser beam irradiated on the surface of the wafer placed on the stage), and a reflecting mirror (which reflects the laser beam from the laser) Irradiate the surface of the wafer)
, Photomultiplier (detects the reflected light intensity of the laser beam reflected from the surface of the wafer), and A / D
An example in which a surface inspection system is configured by a converter (which performs A / D conversion of the output signal of the photomultiplier) and a central processing control unit (which processes the output signal of the A / D converter). In this example, the above-described surface inspection is performed by two-dimensionally scanning the laser light.

【0007】2)上記1)の例において、フォトマルチ
プライヤの代わりにCCDを用いる例。この例では、レ
ーザを一定方向に拡大してCCDに照射するライン走査
により、上記した表面検査を行う。
2) An example in which a CCD is used instead of the photomultiplier in the example of 1) above. In this example, the above-mentioned surface inspection is performed by line scanning in which a laser is expanded in a certain direction to irradiate a CCD.

【0008】3)上記1)の例において、レーザの代わ
りにランプを使用すると共に、フォトマルチプライヤの
代わりにCRTを使用する例。この例では、CRTから
得られた画像データに基づいて、上記した表面検査を行
う。
3) In the example of 1) above, a lamp is used instead of the laser and a CRT is used instead of the photomultiplier. In this example, the above-mentioned surface inspection is performed based on the image data obtained from the CRT.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の表面検査系においては、定量的な検査が可能で極めて
高い検査精度を有する反面、構成が複雑であるため高価
になってしまうという問題があった。
However, in the above-mentioned conventional surface inspection system, although a quantitative inspection is possible and the inspection accuracy is extremely high, there is a problem that the structure is complicated and the cost is high. there were.

【0010】また、上記1)または2)の表面検査系の
構成例では、ウェーハの表面に付着している試料粒子に
対しての検査精度が高いという利点がある。しかしなが
ら、試料粒子がウェーハの内部に入り込んでいる場合
や、試料粒子がウェーハを形成する半導体単結晶と反応
して化合物が生成されている場合等において、ウェーハ
の表面が平滑になっている場合には、逆に検査精度が低
くなるという問題があった。
Further, the configuration example of the surface inspection system of 1) or 2) has an advantage that the inspection accuracy for the sample particles attached to the surface of the wafer is high. However, when the sample particles enter the inside of the wafer, when the sample particles react with the semiconductor single crystal forming the wafer to form a compound, and when the surface of the wafer is smooth, On the contrary, there was a problem that the inspection accuracy was lowered.

【0011】さて、このような全反射蛍光X線分析法で
は、微量元素を分析することから、分析の過程における
不用意なウェーハの汚染に対して十分な配慮が必要にな
ってくる。
In such a total reflection X-ray fluorescence analysis method, since trace elements are analyzed, it is necessary to pay sufficient attention to careless contamination of the wafer during the analysis process.

【0012】ところが、現在市販されている全反射蛍光
X線分析装置には、複数のウェーハを連続して分析する
ために、複数のウェーハを1つのカセットに搭載し、そ
のカセットを装置本体に隣接して設けられたカセット置
台にセットするようにしたものがある。そのような装置
では、装置本体とは別個に設けられたウェーハ搬送ロボ
ットが、カセット置台にセットされたカセットからウェ
ーハを1枚ずつ抜き出し、装置本体に搬送するようにな
っている。ここで、装置本体内の分析測定室は周囲雰囲
気とは隔離された状態となっており、そのクリーン度は
極めて高いものになっている。また、装置本体だけでな
く、カセット置台とウェーハ搬送ロボットとを含めた装
置一式をクリーンルーム内に設置して、十分なクリーン
度を得るようにしている。
However, in a commercially available total reflection X-ray fluorescence analyzer, a plurality of wafers are mounted in one cassette in order to analyze a plurality of wafers continuously, and the cassette is adjacent to the apparatus main body. Some of them are designed to be set on a cassette stand provided by the above. In such an apparatus, a wafer transfer robot provided separately from the apparatus main body extracts wafers one by one from a cassette set on a cassette table and transfers them to the apparatus main body. Here, the analysis and measurement chamber in the apparatus main body is in a state of being isolated from the surrounding atmosphere, and the cleanliness thereof is extremely high. Further, not only the apparatus main body but also a set of apparatuses including a cassette stand and a wafer transfer robot are installed in a clean room to obtain a sufficient cleanliness.

【0013】しかしながら、近年、半導体集積回路の高
集積化により、全反射蛍光X線分析においても従来以上
の高いクリーン度が要求されている。ところが、クリー
ンルーム内には作業者がいるため、そのクリーン度の向
上には自ずから限界がある。つまり、従来の全反射蛍光
X線分析装置では、装置本体内の分析測定室はクリーン
ルーム内の雰囲気とは隔離されているため万全であって
も、カセット置台とウェーハ搬送ロボットとはクリーン
ルーム内の雰囲気にさらされている。そのため、各ウェ
ーハの分析中、各ウェーハを搭載したカセットがカセッ
ト置台に置かれている間に、クリーンルーム内の雰囲気
によってウェーハが汚染されるという問題があった。
However, in recent years, due to the high integration of semiconductor integrated circuits, a higher degree of cleanliness than ever before is required in total reflection X-ray fluorescence analysis. However, since there are workers in the clean room, there is a limit to improving the cleanliness. In other words, in the conventional total reflection X-ray fluorescence analyzer, the analysis and measurement chamber in the main body of the apparatus is isolated from the atmosphere in the clean room, so even if the cassette mounting table and the wafer transfer robot are in the clean room atmosphere. Have been exposed to. Therefore, during the analysis of each wafer, there is a problem that the wafer is contaminated by the atmosphere in the clean room while the cassette on which the wafer is mounted is placed on the cassette stand.

【0014】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、請求項1記載の発明の目的は、高精
度であると共に簡単な構成で安価な表面検査系を備えた
全反射蛍光X線分析装置を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide total reflection with a highly accurate and simple structure and an inexpensive surface inspection system. It is to provide a fluorescent X-ray analyzer.

【0015】また、請求項2記載の発明の目的は、分析
の過程における不用意なウェーハの汚染を防ぐことが可
能な全反射蛍光X線分析装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a total reflection X-ray fluorescence analyzer capable of preventing inadvertent contamination of the wafer during the analysis process.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
全反射蛍光X線分析装置において、低照射角で照射され
たX線を全反射する光学的に平滑な面を有した部材と、
その部材の光学的に平滑な面上に座標を設定して当該部
材の位置決めを行う位置決め手段と、光学顕微鏡とを備
えたことをその要旨とする。
The invention according to claim 1 is
In a total reflection X-ray fluorescence analyzer, a member having an optically smooth surface that totally reflects X-rays irradiated at a low irradiation angle,
The gist of the present invention is to include a positioning means for positioning the member by setting coordinates on an optically smooth surface of the member and an optical microscope.

【0017】請求項2記載の発明は、全反射蛍光X線分
析装置において、全反射蛍光X線分析装置を覆うボック
スと、そのボックス内を加圧する加圧手段と、そのボッ
クス内のクリーン度を高める空気清浄手段とを備えたこ
とをその要旨とする。
According to a second aspect of the present invention, in a total reflection X-ray fluorescence analyzer, a box covering the total reflection X-ray fluorescence analyzer, pressurizing means for pressurizing the inside of the box, and cleanliness inside the box are provided. The gist is that it is provided with an air purifying means for enhancing it.

【0018】[0018]

【作用】従って、請求項1記載の発明によれば、光学顕
微鏡によって部材の表面の検査を行うことができ、その
光学顕微鏡によって検査した部材の表面の座標を位置決
め手段によって判定することができる。そのため、全反
射蛍光X線分析において、光学顕微鏡によって検査した
部材の表面の特定の座標位置の元素分析が可能となる。
Therefore, according to the first aspect of the invention, the surface of the member can be inspected by the optical microscope, and the coordinates of the surface of the member inspected by the optical microscope can be determined by the positioning means. Therefore, in the total reflection X-ray fluorescence analysis, it becomes possible to perform elemental analysis at a specific coordinate position on the surface of the member inspected by the optical microscope.

【0019】また、請求項2記載の発明によれば、全反
射蛍光X線分析装置はボックスによって覆われ、そのボ
ックス内は加圧手段によって加圧されると共に、空気清
浄手段によってクリーン度が高められている。そのた
め、全反射蛍光X線分析装置の設置場所のクリーン度に
関係なく、正確な全反射蛍光X線分析が可能となる。
According to the second aspect of the present invention, the total reflection X-ray fluorescence analyzer is covered with a box, the inside of the box is pressurized by the pressurizing means, and the cleanliness is enhanced by the air cleaning means. Has been. Therefore, accurate total reflection X-ray fluorescence analysis can be performed regardless of the cleanliness of the installation location of the total reflection X-ray fluorescence analyzer.

【0020】[0020]

【実施例】 (請求項1記載の発明の実施例)以下、請求項1記載の
発明を具体化した一実施例を図1に従って説明する。
Embodiment (Embodiment of the invention described in claim 1) An embodiment of the invention described in claim 1 will be described below with reference to FIG.

【0021】図1は、本実施例の全反射蛍光X線分析装
置一式の外観を模式的に表したものである。全反射蛍光
X線分析装置本体(以下、装置本体と略す)11に隣接
してカセット置き台12が設けられている。装置本体1
1とカセット置き台12との間にはウェーハ搬送ロボッ
ト13が設けられている。カセット14には、光学的に
平滑な面を有した部材としてのウェーハ15が複数枚搭
載されている。装置本体11とカセット置き台12とに
隣接して、本実施例の表面検査系である光学顕微鏡装置
16が設けられている。光学顕微鏡装置16は光学顕微
鏡17とウェーハ・ステージ18とから構成されてい
る。また、ウェーハ・ステージ18には、X−Y方向に
位置決め手段としての移動スケール18aが設けられて
いる。
FIG. 1 is a schematic view showing the appearance of a total reflection X-ray fluorescence analyzer of this embodiment. A cassette stand 12 is provided adjacent to a total reflection X-ray fluorescence analyzer main body (hereinafter abbreviated as the main body) 11. Device body 1
A wafer transfer robot 13 is provided between 1 and the cassette holder 12. A plurality of wafers 15 as members having an optically smooth surface are mounted on the cassette 14. An optical microscope device 16 which is a surface inspection system of the present embodiment is provided adjacent to the device body 11 and the cassette stand 12. The optical microscope device 16 comprises an optical microscope 17 and a wafer stage 18. Further, the wafer stage 18 is provided with a moving scale 18a as a positioning means in the XY directions.

【0022】次に、本実施例の全反射蛍光X線分析装置
による分析手順を説明する。 1)複数のウェーハ15を搭載したカセット14をカセ
ット置き台12にセットする。
Next, the analysis procedure by the total reflection X-ray fluorescence analyzer of this embodiment will be described. 1) Set the cassette 14 on which a plurality of wafers 15 are mounted on the cassette stand 12.

【0023】2)カセット14に搭載されている任意の
1枚のウェーハ15を、ウェーハ搬送ロボット13によ
って光学顕微鏡装置16のウェーハ・ステージ18まで
搬送する。そして、当該ウェーハ15をウェーハ・ステ
ージ18にセットする。
2) Any one wafer 15 mounted in the cassette 14 is transferred to the wafer stage 18 of the optical microscope device 16 by the wafer transfer robot 13. Then, the wafer 15 is set on the wafer stage 18.

【0024】3)ウェーハ・ステージ18にセットされ
たウェーハ15の表面を、オペレータが光学顕微鏡17
によって検査し、前記した検査情報を得る。このとき、
ウェーハ・ステージ18に設けられた移動スケール18
aにより、ウェーハ15の中心を座標(0,0)として
任意に設定した座標に対応させて、光学顕微鏡17によ
って検査している点の座標を知ることができる。すなわ
ち、ウェーハ15の表面に設定した座標に対応させて、
その座標の各点の検査情報を得ることができる。
3) The operator observes the surface of the wafer 15 set on the wafer stage 18 with the optical microscope 17
To obtain the inspection information described above. At this time,
Moving scale 18 provided on wafer stage 18
With a, it is possible to know the coordinates of the point being inspected by the optical microscope 17 in association with the coordinates arbitrarily set with the center of the wafer 15 as coordinates (0, 0). That is, in correspondence with the coordinates set on the surface of the wafer 15,
The inspection information of each point at the coordinates can be obtained.

【0025】4)ウェーハ・ステージ18にセットされ
ているウェーハ15を、ウェーハ搬送ロボット13によ
って装置本体11まで搬送する。そして、装置本体11
にてX線分析を行う。
4) The wafer 15 set on the wafer stage 18 is transferred to the apparatus main body 11 by the wafer transfer robot 13. Then, the device body 11
X-ray analysis is performed.

【0026】このとき、オペレータは、表面検査によっ
て得られたウェーハ15の表面の検査情報を基にX線分
析を行う。すなわち、装置本体11におけるX線分析の
座標を、光学顕微鏡17による表面検査時の座標と共通
のものにしておくことにより、表面検査系による検査結
果からX線分析を行うのに最も適した座標領域を容易に
検索することができる。
At this time, the operator performs an X-ray analysis based on the inspection information of the surface of the wafer 15 obtained by the surface inspection. That is, by making the coordinates of the X-ray analysis in the apparatus body 11 common to the coordinates at the time of the surface inspection by the optical microscope 17, the coordinates most suitable for performing the X-ray analysis from the inspection result by the surface inspection system. The area can be easily searched.

【0027】このように本実施例においては、表面検査
系として光学顕微鏡装置16を設けることにより、従来
例と同様に効率的なX線分析が可能になる。ここで、オ
ペレータの光学顕微鏡17による表面検査では、定量的
な検査という点において従来例より劣ることは否めな
い。但し、人間の視覚による感性には極めて高いものが
あり、ウェーハの表面の微妙な状態の変化、特に色の変
化についての認識力では、従来例に勝とも劣らないもの
がある。例えば、試料粒子がウェーハの内部に入り込ん
でいる場合や、試料粒子がウェーハを形成する半導体単
結晶と反応して化合物が生成されている場合等におい
て、ウェーハの表面が平滑になっている場合において
も、ウェーハの表面の色の変化から、的確な検査情報を
得ることができる。
As described above, in this embodiment, by providing the optical microscope device 16 as the surface inspection system, efficient X-ray analysis can be performed as in the conventional example. Here, it cannot be denied that the surface inspection by the operator's optical microscope 17 is inferior to the conventional example in terms of quantitative inspection. However, there is an extremely high sensitivity to the human visual sense, and there are some that are inferior to those of the conventional example in the recognition power for the subtle changes in the state of the wafer surface, especially the changes in the color. For example, when the sample particles have entered the inside of the wafer, when the sample particles react with the semiconductor single crystal forming the wafer to form a compound, and when the surface of the wafer is smooth, Also, accurate inspection information can be obtained from the change in the color of the wafer surface.

【0028】また、光学顕微鏡装置16は従来例の表面
検査系に比べて簡単な構成であるため、保守整備が容易
であるのに加えて極めて安価でもある。尚、本発明は、
半導体ウェーハだけでなく、他の測定試料のX線分析に
利用してもよいことは言うまでもない。
Further, since the optical microscope device 16 has a simple structure as compared with the surface inspection system of the conventional example, it is easy to maintain and is very inexpensive. The present invention is
It goes without saying that it may be used not only for semiconductor wafers but also for X-ray analysis of other measurement samples.

【0029】(請求項2記載の発明の実施例)次に、請
求項2記載の発明を具体化した一実施例を図2に従って
説明する。尚、本実施例において、図1と同じ構成につ
いては符号を等しくしてその詳細な説明を省略する。
(Embodiment of the invention described in claim 2) Next, an embodiment in which the invention described in claim 2 is embodied will be described with reference to FIG. In this embodiment, the same components as those shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

【0030】図2は、本実施例の全反射蛍光X線分析装
置一式を模式的に表したものである。この全反射蛍光X
線分析装置一式はクリーンルーム内に設置されている。
装置本体11内の分析測定室11aはクリーンルーム内
の雰囲気とは隔離されている。カセット置き台12とウ
ェーハ搬送ロボット13とはボックス21内に納められ
ており、クリーンルーム内の雰囲気とは隔離されてい
る。このボックス21内に作業者が立ち入ることはな
い。
FIG. 2 schematically shows a set of total reflection X-ray fluorescence analyzers of this embodiment. This total reflection fluorescence X
The complete line analyzer is installed in a clean room.
The analysis and measurement room 11a in the apparatus main body 11 is isolated from the atmosphere in the clean room. The cassette stand 12 and the wafer transfer robot 13 are housed in a box 21, which is isolated from the atmosphere in the clean room. An operator does not enter the box 21.

【0031】ボックス21内には、加圧された窒素ガス
が配管22とエアフィルタ23とを通じて吸入口23a
から送り込まれてくる。また、カセット置き台12の下
には排気管24が設けられており、ボックス21内の窒
素ガスを排出するようになっている。
In the box 21, pressurized nitrogen gas is introduced through the pipe 22 and the air filter 23 into the suction port 23a.
Sent in from. Further, an exhaust pipe 24 is provided below the cassette holder 12 so that the nitrogen gas in the box 21 is discharged.

【0032】そのため、ボックス21内に送り込まれる
窒素ガスのクリーン度はエアフィルタ23によって極め
て高いものになり、その清浄な窒素ガスによってボック
ス21内が満たされることになる。ここで、エアフィル
タ23は、HEPA(High Efficiency Particulate Ai
r-filter)フィルタやULPA(Ultra Low Penetratio
n Air-filter)フィルタ等の高性能エアフィルタによっ
て構成されている。
Therefore, the cleanliness of the nitrogen gas fed into the box 21 becomes extremely high by the air filter 23, and the inside of the box 21 is filled with the clean nitrogen gas. Here, the air filter 23 is a HEPA (High Efficiency Particulate Ai).
r-filter) filter and ULPA (Ultra Low Penetratio)
n Air-filter) A high-performance air filter such as a filter.

【0033】また、ボックス21内に送り込まれる窒素
ガスは加圧されているため、装置一式が設置されている
クリーンルーム内の気圧に対してボックス21内は陽圧
になる。
Further, since the nitrogen gas fed into the box 21 is pressurized, the inside of the box 21 is at a positive pressure with respect to the atmospheric pressure inside the clean room in which the apparatus is installed.

【0034】さらに、窒素ガスの吸込口23aはボック
ス21の上方に設けられており、排気管24の排気口は
ボックス21の底部に設けられている。そのため、ボッ
クス21内には窒素ガスによる上から下への気流が生
じ、ボックス21内の窒素ガス中のパーティクルは清浄
な窒素ガスによって希釈されてボックス21外に排出さ
れる。
Further, the nitrogen gas suction port 23a is provided above the box 21, and the exhaust port of the exhaust pipe 24 is provided at the bottom of the box 21. Therefore, an air flow from the top to the bottom is generated in the box 21 by the nitrogen gas, and the particles in the nitrogen gas in the box 21 are diluted with clean nitrogen gas and discharged to the outside of the box 21.

【0035】その結果、ボックス21内のクリーン度は
極めて高くなる。次に、本実施例の全反射蛍光X線分析
装置による分析手順を説明する。まず、複数のウェーハ
15を搭載したカセット14をカセット置き台12にセ
ットする。次に、カセット14に搭載されている任意の
1枚のウェーハ15を、ウェーハ搬送ロボット13によ
って装置本体11内の分析測定室11aまで搬送する。
そして、装置本体11にてX線分析を行う。
As a result, the cleanliness inside the box 21 becomes extremely high. Next, the analysis procedure by the total reflection X-ray fluorescence analyzer of the present embodiment will be described. First, the cassette 14 on which a plurality of wafers 15 are mounted is set on the cassette stand 12. Next, the arbitrary wafer 15 mounted in the cassette 14 is transferred by the wafer transfer robot 13 to the analysis measurement chamber 11a in the apparatus main body 11.
Then, X-ray analysis is performed in the apparatus main body 11.

【0036】このように本実施例においては、カセット
置き台12とウェーハ搬送ロボット13とを、クリーン
度が高いボックス21内に納めている。そのため、カセ
ット置台12とウェーハ搬送ロボット13とがクリーン
ルーム内の雰囲気にさらされることはない。従って、各
ウェーハ15の分析中、各ウェーハ15を搭載したカセ
ット14がカセット置台12に置かれている間に、クリ
ーンルーム内の雰囲気によってウェーハ15が汚染され
ることはない。さらに、ボックス21内の雰囲気を10
0%窒素ガスにしたことにより、空気中の酸素によって
ウェーハ15の表面に酸化膜が形成されるのを防ぐこと
もできる。
As described above, in this embodiment, the cassette holder 12 and the wafer transfer robot 13 are housed in the box 21 having high cleanliness. Therefore, the cassette table 12 and the wafer transfer robot 13 are not exposed to the atmosphere in the clean room. Therefore, during the analysis of each wafer 15, the wafer 15 is not contaminated by the atmosphere in the clean room while the cassette 14 mounting each wafer 15 is placed on the cassette stand 12. Furthermore, the atmosphere inside the box 21 is set to 10
By using 0% nitrogen gas, it is possible to prevent an oxide film from being formed on the surface of the wafer 15 by oxygen in the air.

【0037】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、例えば、ボックス21内に送り込むガスを窒
素ガスではなくアルゴンガス等の他の不活性ガスに置き
換えてもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment, and for example, the gas fed into the box 21 may be replaced with another inert gas such as argon gas instead of nitrogen gas.

【0038】また、ボックス21内に送り込むガスを通
常の空気としてもよい。但し、この場合は、空気中の酸
素によってウェーハ15の表面に酸化膜が形成されるの
を防ぐことはできない。
The gas fed into the box 21 may be ordinary air. However, in this case, it is not possible to prevent the formation of an oxide film on the surface of the wafer 15 by oxygen in the air.

【0039】さらに、本実施例を図1に示す実施例に利
用してもよい。ところで、半導体ウェーハの製造工程に
おいては、ウェーハの水洗工程が不可欠である。従来、
そのウェーハの水洗工程に用いられる水洗装置には、特
開平3−296218号公報に開示されるものがある。
Furthermore, this embodiment may be applied to the embodiment shown in FIG. By the way, in the manufacturing process of semiconductor wafers, a wafer washing process is indispensable. Conventionally,
A water washing apparatus used in the water washing process of the wafer is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-296218.

【0040】ところで、ウェーハの水洗工程の前には、
所定の薬液による洗浄工程が行われるのが一般的であ
る。そして、製造に要する時間を短縮して製造工程を合
理的にすすめるために、水洗工程のための水洗槽は薬液
による洗浄装置に隣接して設置されているのが普通であ
る。
By the way, before the wafer washing process,
Generally, a cleaning process with a predetermined chemical solution is performed. And, in order to shorten the time required for the production and to carry out the production process rationally, the washing tank for the washing process is usually installed adjacent to the cleaning device using the chemical solution.

【0041】しかしながら、水洗槽が薬液による洗浄装
置に隣接している場合、水洗工程を終えて水洗槽から引
き上げられたウェーハが、薬液による洗浄装置から漏れ
る薬液の雰囲気によって不用意に汚染されるという問題
があった。
However, when the water washing tank is adjacent to the cleaning device using the chemical liquid, the wafers that have been taken out of the water washing tank after the water washing process are carelessly contaminated by the atmosphere of the chemical liquid leaking from the cleaning device using the chemical liquid. There was a problem.

【0042】そこで、本出願人は、この問題を解決する
ための新しい水洗装置を提案している。図3は、その水
洗装置の縦断面を模式的に示した断面図である。
Therefore, the applicant of the present invention has proposed a new water washing apparatus for solving this problem. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a vertical cross section of the water washing device.

【0043】テフロン等のフッ素樹脂板を加工して形成
された水洗槽41の底部には、水洗槽41内に超純水を
導入するための管42が取り付けられている。ウェーハ
キャリア43には複数のウェーハ44が収納されてい
る。水洗槽41の上部開口部41aを囲むように、複数
のガス吹き出し装置45が設けられている。ガス吹き出
し装置45はガス導入管46とエアフィルタ47とから
構成されている。ガス導入管46には加圧された窒素ガ
スが送り込まれてくる。そして、ガス導入管46からの
窒素ガスはエアフィルタ47を通じて、水洗槽41の上
部開口部41a上に吹き出される。尚、ガス吹き出し装
置45は複数設けられているため、水洗槽41の上部開
口部41a上には乱流が発生し、上部開口部41a上は
周囲の雰囲気に対して陽圧になる。
A pipe 42 for introducing ultrapure water into the water washing tank 41 is attached to the bottom of the water washing tank 41 formed by processing a fluororesin plate such as Teflon. A plurality of wafers 44 are stored in the wafer carrier 43. A plurality of gas blowing devices 45 are provided so as to surround the upper opening 41a of the washing tank 41. The gas blowing device 45 includes a gas introduction pipe 46 and an air filter 47. The pressurized nitrogen gas is fed into the gas introduction pipe 46. Then, the nitrogen gas from the gas introduction pipe 46 is blown out through the air filter 47 onto the upper opening 41a of the washing tank 41. Since a plurality of gas blowing devices 45 are provided, a turbulent flow occurs on the upper opening 41a of the washing tank 41, and the upper opening 41a has a positive pressure with respect to the surrounding atmosphere.

【0044】次に、このように構成された水洗装置の使
用法について説明する。まず、所定の薬液による洗浄工
程を終えたウェーハ44を、ウェーハキャリア43ごと
水洗槽41内につけ込む。そして、管42から超純水を
導入すると、超純水は水洗槽41内を下から上に流れて
ウェーハ44を洗浄した後、水洗槽41の上部開口部4
1aからオーバーフローして排出される。
Next, a method of using the water washing device thus constructed will be described. First, the wafer 44, which has undergone the cleaning process using a predetermined chemical solution, is placed in the water washing tank 41 together with the wafer carrier 43. Then, when ultrapure water is introduced from the pipe 42, the ultrapure water flows from the bottom to the top in the washing tank 41 to wash the wafer 44, and then the upper opening 4 of the washing tank 41.
1a overflows and is discharged.

【0045】このとき、ガス吹き出し装置45から水洗
槽41の上部開口部41a上に窒素ガスを吹き出して、
上部開口部41a上を周囲の雰囲気に対して陽圧にさせ
る。すると、水洗槽41に隣接して設けられている薬液
による洗浄装置(図示略)から漏れる薬液の雰囲気は、
水洗槽41の上部開口部41a上には進入しなくなり、
水洗槽41から引き上げられたウェーハ44が汚染され
ることはなくなる。
At this time, nitrogen gas is blown from the gas blowing device 45 onto the upper opening 41a of the washing tank 41,
The upper opening 41a is made to have a positive pressure with respect to the surrounding atmosphere. Then, the atmosphere of the chemical liquid leaking from the chemical liquid cleaning device (not shown) provided adjacent to the water washing tank 41 is
It will not enter the upper opening 41a of the washing tank 41,
The wafer 44 pulled up from the water washing tank 41 is no longer contaminated.

【0046】尚、ガス吹き出し装置45から吹き出すガ
スは、アルゴン等の不活性ガスや空気に置き換えてもよ
い。また、水洗槽41の上部開口部41aを枠で囲い、
その枠にガス吹き出し装置45を設けることにより、上
部開口部41a上を周囲の雰囲気に対して陽圧する作用
をより高めることができる。
The gas blown out from the gas blowing device 45 may be replaced with an inert gas such as argon or air. In addition, the upper opening 41a of the washing tank 41 is surrounded by a frame,
By providing the gas blowing device 45 in the frame, the action of positively pressing the upper opening 41a with respect to the surrounding atmosphere can be further enhanced.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、請
求項1記載の発明によって、高精度であると共に簡単な
構成で安価な表面検査系を備えた全反射蛍光X線分析装
置を提供することができるという優れた効果がある。
As described above in detail, according to the present invention, according to the invention of claim 1, there is provided a total reflection fluorescent X-ray analyzer having a highly accurate and simple structure and an inexpensive surface inspection system. It has an excellent effect that it can be provided.

【0048】また、請求項2記載の発明によって、分析
の過程における不用意なウェーハの汚染を防ぐことが可
能な全反射蛍光X線分析装置を提供することができると
いう優れた効果がある。
Further, the invention according to claim 2 has an excellent effect that it is possible to provide a total reflection fluorescent X-ray analyzer capable of preventing inadvertent contamination of a wafer in the process of analysis.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】請求項1記載の発明を具体化した一実施例を表
す外観図である。
FIG. 1 is an external view showing an embodiment in which the invention according to claim 1 is embodied.

【図2】請求項2記載の発明を具体化した一実施例を表
す概略図である。
FIG. 2 is a schematic view showing an embodiment embodying the invention described in claim 2.

【図3】本出願人の提案する新しい水洗装置の縦断面を
模式的に示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a vertical cross section of a new water washing device proposed by the present applicant.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

15 半導体ウェハー 17 光学顕微鏡 18a 移動スケール 21 ボックス 22 配管 23 エアフィルタ 24 排気管 15 Semiconductor Wafer 17 Optical Microscope 18a Moving Scale 21 Box 22 Piping 23 Air Filter 24 Exhaust Pipe

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 低照射角で照射されたX線を全反射する
光学的に平滑な面を有した部材と、 その部材の光学的に平滑な面上に座標を設定し、当該部
材の位置決めを行う位置決め手段と、 光学顕微鏡とを備えたことを特徴とする全反射蛍光X線
分析装置。
1. A member having an optically smooth surface that totally reflects X-rays irradiated at a low irradiation angle, and coordinates are set on the optically smooth surface of the member to position the member. A total reflection X-ray fluorescence analyzer, which is provided with a positioning means for performing the above and an optical microscope.
【請求項2】 全反射蛍光X線分析装置を覆うボックス
と、 そのボックス内を加圧する加圧手段と、 そのボックス内のクリーン度を高める空気清浄手段とを
備えたことを特徴とする全反射蛍光X線分析装置。
2. A total reflection apparatus comprising: a box for covering the total reflection X-ray fluorescence analyzer, a pressurizing means for pressurizing the inside of the box, and an air cleaning means for enhancing the cleanliness inside the box. X-ray fluorescence analyzer.
JP6991193A 1993-03-29 1993-03-29 Total-reflection x-ray fluorescence analyzer Pending JPH06281600A (en)

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