JPH0628010B2 - High voltage control circuit - Google Patents

High voltage control circuit

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JPH0628010B2
JPH0628010B2 JP31751087A JP31751087A JPH0628010B2 JP H0628010 B2 JPH0628010 B2 JP H0628010B2 JP 31751087 A JP31751087 A JP 31751087A JP 31751087 A JP31751087 A JP 31751087A JP H0628010 B2 JPH0628010 B2 JP H0628010B2
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真一 品川
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薫 石元
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NIPPON DENKI ENJINIARINGU KK
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、高電圧制御回路に関し、特に、高電圧出力の
オン/オフ制御を含め、任意の値に連続制御することを
可能とした高電圧制御回路に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a high voltage control circuit, and particularly to a high voltage control circuit capable of continuously controlling to an arbitrary value, including ON / OFF control of a high voltage output. The present invention relates to a voltage control circuit.

[従来の技術] 第2図は、従来の高電圧制御回路の回路図である。[Prior Art] FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional high voltage control circuit.

同図において、1は直流高圧電源、17は高電圧出力端
子、18は微調用の可変抵抗器、19〜22は分圧用の
抵抗器、23は粗調用のロータリースイッチ、24はオ
ン/オフ制御用の高電圧リレーである。
In the figure, 1 is a high voltage DC power supply, 17 is a high voltage output terminal, 18 is a variable resistor for fine adjustment, 19 to 22 are resistors for voltage division, 23 is a rotary switch for coarse adjustment, and 24 is on / off control. High voltage relay for.

上記構成からなる従来の高電圧制御回路では、出力のオ
ン/オフ制御に高電圧スイッチ素子として高電圧リレー
24を使用し、これをオン/オフさせることによって高
電圧出力端子17に出力される電圧出力のオン/オフを
行なっている。また、このときの高電圧出力の電圧値
は、直流高圧電源1の高電圧出力を抵抗器18〜22で
分圧した値となっている。
In the conventional high voltage control circuit having the above configuration, the high voltage relay 24 is used as a high voltage switch element for output on / off control, and the voltage output to the high voltage output terminal 17 is turned on / off. The output is on / off. Further, the voltage value of the high voltage output at this time is a value obtained by dividing the high voltage output of the DC high voltage power supply 1 by the resistors 18 to 22.

一方、高圧出力電圧値の調整には、出力電圧の連続可変
制御素子として微調用の可変抵抗器18と、粗調用のロ
ータリースイッチ23を使用している。そして、これら
によって抵抗器の分圧比を変化させ、高電圧出力端子1
7に出力される高電圧出力を連続可変していた。
On the other hand, for the adjustment of the high-voltage output voltage value, a variable resistor 18 for fine adjustment and a rotary switch 23 for coarse adjustment are used as continuous variable control elements of the output voltage. Then, the voltage division ratio of the resistor is changed by these, and the high voltage output terminal 1
The high voltage output output to 7 was continuously variable.

[解決すべき問題点] 上述した従来の高電圧制御回路は、次のような問題点が
あった。
[Problems to be Solved] The conventional high voltage control circuit described above has the following problems.

高電圧出力のオン/オフ制御を、高電圧リレーの機械
接点をオン/オフさせて行なっていたため、接点部分で
アーク放電およびチャタリング発生していた。この結
果、オン/オフ時に高電圧波形が乱れ、安定化するまで
時間がかかるほか、多大なノイズが発生していた。
Since the high voltage output on / off control is performed by turning on / off the mechanical contact of the high voltage relay, arc discharge and chattering occur at the contact part. As a result, the high voltage waveform is disturbed at the time of turning on / off, it takes time to stabilize, and much noise is generated.

高圧出力電圧を連続可変とするために、高電圧の粗調
用としてロータリースイッチで高抵抗値の切替をし、ま
た、微調用として可変抵抗器を使用していたが、ロータ
リースイッチの切替時は抵抗値がステップ的に変化し、
出力電圧もステップ的に変化する結果、ノイズの発生が
避けられなかった。
In order to make the high-voltage output voltage continuously variable, a high resistance value was switched with a rotary switch for coarse adjustment of the high voltage, and a variable resistor was used for fine adjustment. The value changes in steps,
As a result of the output voltage also changing stepwise, the generation of noise was unavoidable.

本発明は、上記問題点にかんがみてなされたもので、低
ノイズ化および高速度化した高電圧オン/オフ、および
高電圧の連続制御を行なうことができる高電圧制御回路
の提供を目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a high voltage control circuit capable of performing high voltage on / off with low noise and high speed, and continuous control of high voltage. .

[問題点の解決手段] 上記目的を達成するため、本発明の高電圧制御回路は、
ゲートへのバイアス電圧を変化させることで能動領域又
は飽和領域で能動させることができ、かつ、能動領域で
動作させると分圧用可変抵抗器として機能し、飽和領域
で動作させるとスイッチング素子として機能する第1の
電界効果トランジスタと、この第1の電界効果トランジ
スタと抵抗器を挟んで直列に接続され、上記第1の電界
効果トランジスタのゲートバイアスがオフとなって上記
第1の電界効果トランジスタのドレイン,ソース間がハ
イインピーダンス状態となったときにオンとなる第2の
電界効果トランジスタとを含み、上記抵抗器と上記第2
の電界効果トランジスタとの接続点から高電圧出力を取
り出す高電圧出力回路と、この高電圧出力回路に直流高
電圧を印加する直流高圧電源と、低電圧スイッチとゲー
トバイアス用可変電源とからなり、第1の電界効果トラ
ンジスタのゲートへのバイアス電圧の印加及びバイアス
電圧値を制御して上記第1の電界効果トランジスタを能
動領域から飽和領域で動作させるようにし、第1の電界
効果トランジスタのインピーダンスを変化させることに
よって、高電圧出力の制御を行なう出力制御回路とを具
備した構成としてある。
[Means for Solving Problems] In order to achieve the above object, the high voltage control circuit of the present invention is
It can be activated in the active region or the saturation region by changing the bias voltage to the gate, and when it operates in the active region it functions as a variable resistor for voltage division, and when it operates in the saturation region it functions as a switching element. The first field-effect transistor and the first field-effect transistor are connected in series with the resistor interposed therebetween, and the gate bias of the first field-effect transistor is turned off so that the drain of the first field-effect transistor. , A second field effect transistor that is turned on when a high impedance state is generated between the sources, and the resistor and the second field effect transistor.
A high-voltage output circuit that extracts a high-voltage output from the connection point with the field-effect transistor, a high-voltage DC power supply that applies a high DC voltage to the high-voltage output circuit, a low-voltage switch and a variable power supply for gate bias, The bias voltage is applied to the gate of the first field effect transistor and the bias voltage value is controlled to operate the first field effect transistor from the active region to the saturation region, and the impedance of the first field effect transistor is adjusted. The output control circuit controls the high voltage output by changing the output voltage.

[実施例] 以下、図面にもとづいて本発明の実施例を説明する。[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例に係る高電圧制御回路の回
路図である。なお、従来例と共通または対応する部分に
ついては同一の符号で表す。
FIG. 1 is a circuit diagram of a high voltage control circuit according to an embodiment of the present invention. The parts common to or corresponding to the conventional example are denoted by the same reference numerals.

同図において、1は直流高圧電源、2はPゲート電界効
果トランジスタであり、耐電圧特性を得るためにn個の
Pゲート電界効果トランジスタ21〜2nを直列接続して
ある。また、このうち、Pゲート電界効果トランジスタ
2〜2nは、そのゲートを電圧バランス用抵抗71
n,52〜5nによって自己バイアスする接続となって
いる。
In the figure, 1 is a DC high voltage power supply, 2 is a P-gate field effect transistor, and n P-gate field effect transistors 2 1 to 2 n are connected in series to obtain a withstand voltage characteristic. Of these, the P-gate field effect transistors 2 2 to 2 n have their gates connected to the voltage balancing resistors 7 1 to.
And it has a connection to the self-bias by 7 n, 5 2 ~5 n.

この電界効果トランジスタ2は、ゲートへのバイアス電
圧の印加及びバイアス電圧値を変化させることで能動領
域又は飽和領域で動作させることができ、能動領域で動
作させると一種の分圧可変抵抗器として機能し、飽和領
域で動作させるとスイッチング素子として機能する。
This field effect transistor 2 can be operated in the active region or the saturation region by applying a bias voltage to the gate and changing the bias voltage value, and when operated in the active region, it functions as a kind of voltage dividing variable resistor. When it operates in the saturation region, it functions as a switching element.

次に、3は抵抗であり、Pゲート電界効果トランジスタ
1〜2nとNゲート電界効果トランジスタ41〜4nが同
時にオンとなったときに出力電圧が短絡するのを防止す
る。ここで、4(41−4n)はNゲート電界効果トラン
ジスタであり、Pゲート電界トランジスタ2と同様に耐
電圧特性を得るためにm個を直列接続している。そし
て、このうちのNゲート電界効果トランジスタ41〜4
n-1は、そのゲートを電圧バランス用抵抗81〜8m,61
〜6mによって自己バイアスする接続となっている。
Next, 3 is a resistance, which prevents the output voltage from being short-circuited when the P-gate field effect transistors 2 1 to 2 n and the N-gate field effect transistors 4 1 to 4 n are simultaneously turned on. Here, 4 (4 1 -4 n ) is an N-gate field effect transistor, and like the P-gate field transistor 2, m pieces are connected in series to obtain withstand voltage characteristics. Of these, N gate field effect transistors 4 1 to 4
n-1 has its gate connected to the voltage balancing resistors 8 1 to 8 m , 6 1
The connection is self-biased by ~ 6 m .

また、9,10は電界効果トランジスタ11を駆動する
ためのゲートバイアス抵抗、12,13は電界効果トラ
ンジスタ4nを駆動するためのゲートバイアス抵抗であ
る。そして、141,142はゲートの過電圧保護用ツェ
ナーダイオード、15は電界効果トランジスタ21のバ
イアス電圧をオン/オフするスイッチ、16は同じく電
界効果トランジスタ21のバイアス電源、17は高電圧
出力端子である。低電圧スイッチ15とゲートバイアス
用可変電源16は、後述するように出力制御回路を構成
する。
Further, 9 and 10 are gate bias resistors for driving the field effect transistor 11, and 12 and 13 are gate bias resistors for driving the field effect transistor 4 n . Then, 14 1, 14 2 gate overvoltage protection Zener diode, 15 a switch for turning on / off the bias voltage of the field effect transistor 2 1, 16 also field-effect transistor 2 1 of the bias power supply, 17 a high voltage output It is a terminal. The low voltage switch 15 and the gate bias variable power source 16 configure an output control circuit as described later.

上記構成において、スイッチ15がオフのときは、直流
高圧電源1の電圧がツェナーダイオード141にかか
り、電界効果トランジスタ4nのゲートが過電圧となる
のを防ぐ。そして、このとき、抵抗12を介して得られ
るツェナー電圧で電界効果トランジスタ4nを駆動し、
これをオンとする。
In the above configuration, when the switch 15 is off, the voltage of the DC high-voltage power supply 1 is applied to the Zener diode 14 1 to prevent the gate of the field effect transistor 4 n from becoming an overvoltage. Then, at this time, the Zener voltage obtained through the resistor 12 drives the field effect transistor 4 n ,
Turn this on.

すなわち、スイッチ15がオフでゲートバイアスがPゲ
ート電界効果トランジスタ2にかからないときは、電界
効果トランジスタ2のドレイン,ソース間がハイインピ
ーダンス状態になる。
That is, when the switch 15 is off and the gate bias is not applied to the P-gate field effect transistor 2, the drain and source of the field effect transistor 2 are in a high impedance state.

これにより、電界効果トランジスタ41〜4n-1が同様に
オンとなり、高電圧出力端子17の出力電圧は電界効果
トランジスタ41〜4n-1のゲート電圧の和の程度とな
る。これは、入力の高電圧に比べ無視できる値であり、
出力はオフの状態といえる。
As a result, the field effect transistors 4 1 to 4 n-1 are similarly turned on, and the output voltage of the high voltage output terminal 17 becomes about the sum of the gate voltages of the field effect transistors 4 1 to 4 n-1 . This is a value that can be ignored compared to the high voltage of the input,
It can be said that the output is off.

次に、スイッチ15をオンとすると、電界効果トランジ
スタ21がバイアス電源16によってバイアスされ、電
界効果トランジスタ21を始め他の電界効果トランジス
タ22〜2nも全てオンとなり、抵抗9,10の両端に入
力電圧が印加される。従って、電界効果トランジスタ1
1がオンとなり電界効果トランジスタ4nのゲートバイ
アス電圧を引き込み、これをオフとする。
Next, when the switch 15 is turned on, the field effect transistor 2 1 is biased by the bias power supply 16, and the field effect transistor 2 1 and other field effect transistors 2 2 to 2 n are also turned on, and the resistors 9 and 10 are turned on. The input voltage is applied to both ends. Therefore, the field effect transistor 1
1 turns on, pulls in the gate bias voltage of the field effect transistor 4 n , and turns it off.

この結果、電界効果トランジスタ41〜4nは全てオフと
なる。従って、高電圧出力端子17の両端には直流高圧
電源1の電圧を分圧した高電圧が発生する。なお、この
際の分圧には、抵抗81〜8m,9,10、および電界効
果トランジスタ21〜2n間のインピーダンスが関与する
ことになる。
As a result, all the field effect transistor 4 1 to 4 n is off. Therefore, a high voltage obtained by dividing the voltage of the DC high voltage power supply 1 is generated at both ends of the high voltage output terminal 17. The voltage division at this time involves the impedance between the resistors 8 1 to 8 m , 9 and 10 and the field effect transistors 2 1 to 2 n .

また、このときバイアス電源16の電圧値を変化するこ
とによって電界効果トランジスタ21〜2nを能動領域で
動作させることができる。このようにして能動領域で動
作させれば、電界効果トランジスタのインピーダンスが
変化して分圧比を変化させるため、高電圧出力端子17
の出力電圧を任意に変化させることが可能となる。この
場合、スイッチ素子として電界効果トランジスタを使用
しているので、高速度な高電圧スイッチングが可能であ
り、さらに、電子スイッチ回路であるためオン/オフ時
の低ノイズ化および高速化が図れる。
Further, at this time, the field effect transistors 2 1 to 2 n can be operated in the active region by changing the voltage value of the bias power supply 16. When the active region is operated in this manner, the impedance of the field effect transistor changes and the voltage division ratio changes, so that the high voltage output terminal 17
It is possible to arbitrarily change the output voltage of. In this case, since the field effect transistor is used as the switch element, high-speed high-voltage switching is possible, and since it is an electronic switch circuit, low noise and high speed at the time of on / off can be achieved.

このように本実施例では、高電圧の電圧制御素子として
PゲートおよびNゲート電界効果トランジスタをそれぞ
れ直列接続とし、最下段の素子にはゲート電圧調整回路
を備えるとともに、最下段の素子以外は自己バイアスの
動作として使用することにより、高電圧オン/オフ時に
おける出力電圧の波形の乱れ、およびノイズ発生を除去
し、さらに動作速度の改善を図ることを可能とし、また
出力電圧の連続制御時には調整回路の低電圧制御電圧値
を連続に変化させることによって出力電圧を任意に制御
することができる。
As described above, in this embodiment, the P-gate and N-gate field effect transistors are respectively connected in series as the high voltage voltage control element, the lowermost element is provided with the gate voltage adjusting circuit, and the elements other than the lowermost element are self-contained. By using it as a bias operation, it is possible to eliminate the disturbance of the output voltage waveform and the generation of noise when the high voltage is turned on and off, and further improve the operating speed. Also, adjust it during continuous control of the output voltage. The output voltage can be arbitrarily controlled by continuously changing the low voltage control voltage value of the circuit.

[発明の効果] 以上説明したように本発明は、電界効果トランジスタに
よって高電圧出力の制御を行なうことにより、高電圧出
力のオン/オフと連続制御を低ノイズ化および高速度化
した高電圧制御回路を提供できるという効果がある。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, by controlling the high voltage output by the field effect transistor, the ON / OFF of the high voltage output and the continuous control are reduced in noise and speeded up. The effect is that a circuit can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係る高電圧制御回路の回路
図、第2図は従来の高電圧制御回路の回路図である。 1:直流高圧電源 21〜2n:Pゲート電界効果トランジスタ 3:抵抗器 41〜4n:Nゲート電圧効果トランジスタ 51〜5n,61〜6m:抵抗 71〜7n,81〜8m:抵抗 11:Nゲート電界効果トランジスタ 12,13:抵抗 15:低電圧スイッチ 16:ゲートバイアス用可変電源 17:高電圧出力端子
FIG. 1 is a circuit diagram of a high voltage control circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional high voltage control circuit. 1: DC high-voltage power supply 2 1 to 2 n: P-gate field-effect transistor 3: resistor 4 1 to 4 n: N gate voltage effect transistor 5 1 ~5 n, 6 1 ~6 m: resistor 7 1 to 7-n, 8 1 to 8 m : Resistor 11: N-gate field effect transistor 12, 13: Resistor 15: Low voltage switch 16: Variable power supply for gate bias 17: High voltage output terminal

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ゲードへのバイアス電圧を変化させること
で能動領域又は飽和領域で能動させることができ、か
つ、能動領域で動作させると分圧用可変抵抗器として機
能し、飽和領域で動作させるとスイッチング素子として
機能する第1の電界効果トランジスタ(2)と、この第1
の電界効果トランジスタ(2)と抵抗器(3)を挟んで直列に
接続され、上記第1の電界効果トランジスタ(2)のゲー
トバイアスがオフとなって上記第1の電界効果トランジ
スタ(2)のドレイン,ソース間がハイインピーダンス状
態となったときにオンとなる第2の電界効果トランジス
タ(4)とを含み、上記抵抗器(3)と上記第2の電界効果ト
ランジスタ(4)との接続点から高電圧出力を取り出す高
電圧出力回路と、 この高電圧出力回路に直流高電圧を印加する直流高圧電
源(1)と、 低電圧スイッチ(15)とゲートバイアス用可変電源(16)と
からなり、上記第1の電界効果トランジスタ(2)のゲー
トへのバイアス電圧の印加及びバイアス電圧値を制御し
て上記第1の電界効果トランジスタ(2)を能動領域から
飽和領域で動作させるようにし、上記第1の電界効果ト
ランジスタ(2)のインピーダンスを変化させることによ
って、高電圧出力の制御を行なう出力制御回路とを具備
することを特徴とした高電圧制御回路。
1. When the bias voltage to the gate is changed, it can be activated in an active region or a saturation region, and when it is operated in the active region, it functions as a variable resistor for voltage division, and when it is operated in the saturation region. A first field effect transistor (2) which functions as a switching element, and the first field effect transistor (2)
Of the first field effect transistor (2) are connected in series with the field effect transistor (2) and the resistor (3) in between, and the gate bias of the first field effect transistor (2) is turned off. A connection point between the resistor (3) and the second field effect transistor (4), including a second field effect transistor (4) which is turned on when the drain and the source are in a high impedance state. It consists of a high voltage output circuit that takes out a high voltage output from the high voltage output circuit, a DC high voltage power supply (1) that applies a DC high voltage to this high voltage output circuit, a low voltage switch (15) and a gate bias variable power supply (16). And applying a bias voltage to the gate of the first field effect transistor (2) and controlling the bias voltage value to operate the first field effect transistor (2) from the active region to the saturation region. First field effect transistor A high-voltage control circuit, comprising: an output control circuit for controlling a high-voltage output by changing the impedance of the input circuit (2).
【請求項2】前記第1および第2の電界効果トランジス
タが、それぞれ、最低電圧位に接続されゲート電圧の制
御が可能な一つの電界効果トランジスタと、自己バイア
ス接続した複数の電界効果トランジスタとを多段に直列
接続したものである特許請求の範囲第1項記載の高電圧
制御回路。
2. The first and second field-effect transistors each include one field-effect transistor connected to the lowest voltage level and capable of controlling the gate voltage, and a plurality of self-bias-connected field-effect transistors. The high voltage control circuit according to claim 1, wherein the high voltage control circuits are connected in series in multiple stages.
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