JPH06276365A - Picture reader - Google Patents

Picture reader

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JPH06276365A
JPH06276365A JP5086727A JP8672793A JPH06276365A JP H06276365 A JPH06276365 A JP H06276365A JP 5086727 A JP5086727 A JP 5086727A JP 8672793 A JP8672793 A JP 8672793A JP H06276365 A JPH06276365 A JP H06276365A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light receiving
receiving element
block
reading
signal line
Prior art date
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Pending
Application number
JP5086727A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Sakasai
一宏 逆井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP5086727A priority Critical patent/JPH06276365A/en
Publication of JPH06276365A publication Critical patent/JPH06276365A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain the picture reader which reads a picture in a required minimum time by changing the resolution of an image sensor. CONSTITUTION:In the case of reading at a low resolution, a control means 10 sends a gate pulse from odd number and even number gate pulse generating circuits 8, 9 to odd number and even number gate signal lines 4, 5. A charge generated in an odd number light receiving element and an even number light receiving element 1 is transferred simultaneously to a wire capacitance of a common signal line 6 from odd number and even number charge transfer sections 2, 3 in each block and stored. Then each common signal line 6 is scanned by a read IC7 and a voltage of the common signal line 6 is outputted at an output terminal Com in time series.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、イメージスキャナやフ
ァクシミリ等の画像の読み取りを行う画像読み取り装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image reading device for reading an image, such as an image scanner or a facsimile.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より用いられているイメージセンサ
として、原稿等の画像情報をイメージセンサに1対1に
投影し、電気信号に変換する密着型イメージセンサがあ
る。この密着型イメージセンサの一つとして、例えば特
開昭62−67864号公報に記載されているような、
TFT駆動型イメージセンサが開発されている。このT
FT駆動型イメージセンサでは、投影した画像を多数の
画像に分割して各受光素子で受光し、各受光素子で発生
した電荷を薄膜トランジスタスイッチ素子(TFT)を
使って特定のブロック単位で配線間の容量に一次蓄積し
て、電気信号として数百KHzから数百MHzまでの速
度で時系列的に順次読み出すものである。このTFT駆
動型イメージセンサは、TFTの動作により、単一のゲ
ート駆動用ICと単一の読み取りICで読み取りが可能
となるので、イメージセンサを駆動する駆動用ICと読
み取り用ICの個数を少なくすることができるものであ
る。
2. Description of the Related Art As an image sensor that has been used conventionally, there is a contact image sensor that projects image information of a document or the like on the image sensor in a one-to-one manner and converts it into an electric signal. As one of the contact type image sensors, for example, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-67864,
A TFT drive type image sensor has been developed. This T
In the FT drive type image sensor, the projected image is divided into a large number of images, each light receiving element receives the light, and the charges generated in each light receiving element are used in a specific block unit between wirings by a thin film transistor switch element (TFT). The data is temporarily stored in a capacitor and sequentially read out as an electric signal in time series at a speed of several hundred KHz to several hundred MHz. This TFT drive type image sensor can read by a single gate driving IC and a single reading IC by the operation of the TFT, so the number of driving ICs and reading ICs that drive the image sensor can be reduced. Is what you can do.

【0003】このTFT駆動型イメージセンサにおい
て、上述の文献や特開平1−94655号公報等に記載
されているように、高速に高解像度の読み取りを行なう
ために、受光素子を複数のブロックに分割し、各ブロッ
ク毎に当該ブロック内の受光素子に共通の配線を設け、
各ブロック内の1つの受光素子に接続されたTFTを駆
動し、ブロック毎に共通の配線に受光素子で発生した電
荷を転送する技術がある。
In this TFT drive type image sensor, the light receiving element is divided into a plurality of blocks in order to read at high resolution at high speed, as described in the above-mentioned document and Japanese Patent Laid-Open No. 1-94655. Then, for each block, a common wiring is provided for the light receiving elements in the block,
There is a technique of driving a TFT connected to one light receiving element in each block, and transferring charges generated in the light receiving element to a common wiring for each block.

【0004】このような構成のTFT駆動型イメージセ
ンサにおいて、低密度の画像を低解像度の情報で読み取
る場合でも、高解像度で読み取った後、画像データを間
引きあるいは平均を取るなどの画像処理により画素密度
変換を行なわなければならず、読み取り時間が長くな
り、かつ、画像メモリを大量に必要としてしまうという
問題があった。
In the TFT drive type image sensor having such a structure, even when a low-density image is read with low-resolution information, after reading with high resolution, image data is thinned or averaged to perform pixel processing. There is a problem that the density conversion must be performed, the reading time becomes long, and a large amount of image memory is required.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の実情
に鑑みてなされたもので、イメージセンサの解像度を変
化させ、必要最小限の時間で画像を読み取る画像読み取
り装置を提供することを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an image reading apparatus which changes the resolution of an image sensor and reads an image in a necessary minimum time. It is what

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、画像の読み取
りを行う画像読み取り装置において、複数の受光素子を
1ブロックとして複数ブロック配列した受光素子アレイ
と、各受光素子の出力側に設けられたスイッチング素子
と、各ブロックの受光素子に対応したスイッチング素子
の出力側を共通に接続するブロック固有の共通データ線
と、各ブロック固有の共通データ線にそれぞれ接続され
た読み出し回路と、各ブロックのそれぞれ等しい順序数
を有する受光素子に対応したスイッチング素子に接続し
た複数の制御線と、該複数の制御線の駆動制御を行なう
駆動回路と、読み取りの密度に応じて駆動回路の動作を
制御する密度制御手段を有し、読み取りの密度に応じて
1本以上の制御線が駆動され、各ブロックの読み出し回
路に1つ以上の受光素子からの信号が読み出されること
を特徴とするものである。
According to the present invention, an image reading apparatus for reading an image is provided with a light receiving element array in which a plurality of light receiving elements are arranged as one block and an output side of each light receiving element. A switching element, a block-specific common data line that commonly connects the output sides of the switching elements corresponding to the light-receiving elements of each block, a read circuit connected to each block-specific common data line, and each block A plurality of control lines connected to switching elements corresponding to light receiving elements having the same ordinal number, a drive circuit for controlling the drive of the plurality of control lines, and a density control for controlling the operation of the drive circuit according to the read density. Means, one or more control lines are driven according to the read density, and one or more receiving lines are provided to the read circuit of each block. It is characterized in that the signal from the device is read.

【0007】[0007]

【作用】本発明によれば、密度制御手段を有しているか
ら、読み取る画像により解像度を落として読み取る場合
には、駆動回路に対して2本以上の制御線が駆動される
ように制御することにより、各ブロック内の2個以上の
受光素子に対応したスイッチング素子が導通し、共通デ
ータ線に2個以上の受光素子の信号が共通データ線に同
時に出力されるので、従来行なわれていたような平均を
取るなどの画像処理を行なわずに低解像度の画像を得る
ことができる。このとき、各ブロック内の2個以上の受
光素子の電荷が1回の駆動により転送されるので、受光
素子アレイ全体を走査するまでの駆動回数を減少させる
ことができ、必要最小限の時間で画像情報を読み出すこ
とができる。
According to the present invention, since the density control means is provided, when the resolution is reduced by the image to be read, the drive circuit is controlled so that two or more control lines are driven. As a result, the switching elements corresponding to the two or more light receiving elements in each block become conductive, and the signals of the two or more light receiving elements are simultaneously output to the common data line. A low-resolution image can be obtained without performing image processing such as taking an average. At this time, since the charges of two or more light receiving elements in each block are transferred by one driving, it is possible to reduce the number of driving times until the entire light receiving element array is scanned, and it is possible to reduce the number of times required. Image information can be read.

【0008】[0008]

【実施例】図1は、本発明の画像読み取り装置の一実施
例における全体構成図、図2は、本発明の画像読み取り
装置の一実施例における1ブロックのゲート配線の説明
図である。図中、1は受光素子アレイ、2は奇数番目用
電荷転送部、3は偶数番目用電荷転送部、4は奇数番目
用ゲート信号線、5は偶数番目用ゲート信号線、6は共
通信号線、7は読み取り用IC、8は奇数番目用ゲート
パルス発生回路、9は偶数番目用ゲートパルス発生回
路、10は制御手段、11は受光素子、12は薄膜トラ
ンジスタである。ここでは簡単のため、2個の走査回路
で駆動する場合について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an overall block diagram of an embodiment of an image reading apparatus of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory view of one block of gate wiring in an embodiment of the image reading apparatus of the present invention. In the figure, 1 is a light receiving element array, 2 is an odd-numbered charge transfer section, 3 is an even-numbered charge transfer section, 4 is an odd-numbered gate signal line, 5 is an even-numbered gate signal line, and 6 is a common signal line. , 7 is a reading IC, 8 is an odd-numbered gate pulse generation circuit, 9 is an even-numbered gate pulse generation circuit, 10 is control means, 11 is a light receiving element, and 12 is a thin film transistor. Here, for simplification, a case of driving with two scanning circuits will be described.

【0009】受光素子アレイ1は、ガラス等の絶縁性の
基板上に、フォトダイオードなどの受光素子11を、2
×m個を1ブロックとし、このブロックをn個配して構
成されている。奇数番目用電荷転送部2は、各受光素子
11の奇数番目にそれぞれ接続された薄膜トランジスタ
12により構成され、偶数番目用電荷転送部3は、各受
光素子11の偶数番目にそれぞれ接続された薄膜トラン
ジスタ12により構成される。薄膜トランジスタ12
は、ゲート線の信号によりオンオフの動作を行ない、受
光素子11に蓄積されている電荷を共通信号線に転送す
る。図1において、受光素子アレイ1、奇数番目用およ
び偶数番目用電荷転送部2、3のそれぞれの矩形はブロ
ックを示している。また、図2において、i番目のブロ
ックの受光素子11をそれぞれ受光素子PD1-1,i ,P
2-1,i ,PD1-2,i ,PD2-2,i,・・・,PD
1-m ,i ,PD2-m ,i 、対応する薄膜トランジスタ12
をそれぞれ薄膜トランジスタT1-1,i ,T2-1,i ,T
2-1,i ,T2-2,i ,・・・,T1-m,T2-m とする。
The light-receiving element array 1 includes a light-receiving element 11 such as a photodiode on an insulating substrate such as glass.
One block is composed of × m blocks, and n blocks are arranged. The odd-numbered charge transfer section 2 is composed of the thin film transistors 12 connected to the odd-numbered light-receiving elements 11 respectively, and the even-numbered charge transfer section 3 is connected to the even-numbered thin-film transistors 12 of each light-receiving element 11. It is composed of Thin film transistor 12
Performs an on / off operation in response to a signal from the gate line, and transfers the charge accumulated in the light receiving element 11 to the common signal line. In FIG. 1, each rectangle of the light receiving element array 1 and the odd-numbered and even-numbered charge transfer units 2 and 3 indicates a block. Further, in FIG. 2, the light receiving element 11 of the i-th block is replaced by the light receiving elements PD 1-1, i , P
D 2-1, i , PD 1-2, i , PD 2-2, i , ..., PD
1-m, i , PD 2-m, i , corresponding thin film transistor 12
Are thin film transistors T 1-1, i , T 2-1, i , T
2-1, i , T 2-2, i , ..., T 1-m , T 2-m .

【0010】共通信号線6は、各ブロック毎に1本ずつ
n本設けられ、ブロック内の各薄膜トランジスタ12に
より転送された電荷を配線容量CLi(i=1〜n)に保
持し、読み取り用IC7へと導く。読み取り用IC7に
は、n本の共通信号線6が接続され、共通信号線6から
転送されてくる読み取り信号を順次選択走査して出力す
る。
The common signal line 6 is provided for each block, n in number, and holds the charges transferred by each thin film transistor 12 in the block in the wiring capacitance C Li (i = 1 to n) for reading. Lead to IC7. To the reading IC 7, n common signal lines 6 are connected, and the read signals transferred from the common signal line 6 are sequentially selectively scanned and output.

【0011】奇数番目用ゲートパルス発生回路8は、各
受光素子11の奇数番目の電荷を転送する奇数番目用電
荷転送部2の薄膜トランジスタ12を駆動するためのゲ
ート信号を発生し、奇数番目用ゲート信号線4に送出す
る。また、偶数番目用ゲートパルス発生回路9は、各受
光素子11の偶数番目の電荷を転送する偶数番目用電荷
転送部3の薄膜トランジスタ12を駆動するためのゲー
ト信号を発生し、偶数番目用ゲート信号線5に送出す
る。奇数番目用ゲート信号線4及び偶数番目用ゲート信
号線5は、ともにn/2本ずつで構成され、各信号線は
各ブロックの等しい順序数を有する受光素子11に対応
した薄膜トランジスタ12のゲートに接続されている。
例えば、図2に示した奇数番目用ゲート信号線4の1本
のゲート線G1-1 ,G1-2 ,・・・,G1-m は、各ブロ
ックの1番目,3番目,・・・,2m−1番目の受光素
子11に対応した薄膜トランジスタ12のゲートにそれ
ぞれ接続されている。偶数番目用ゲート信号線5につい
ても同様である。
The odd-numbered gate pulse generation circuit 8 generates a gate signal for driving the thin film transistor 12 of the odd-numbered charge transfer section 2 that transfers the odd-numbered charges of each light receiving element 11, and outputs the odd-numbered gate. It is sent to the signal line 4. Further, the even-numbered gate pulse generation circuit 9 generates a gate signal for driving the thin film transistor 12 of the even-numbered charge transfer unit 3 that transfers the even-numbered charges of each light receiving element 11, and outputs the even-numbered gate signal. Send to line 5. Each of the odd-numbered gate signal line 4 and the even-numbered gate signal line 5 is composed of n / 2 lines, and each signal line is connected to the gate of the thin film transistor 12 corresponding to the light receiving element 11 having the same ordinal number of each block. It is connected.
For example, one gate line G 1-1 , G 1-2 , ..., G 1-m of the odd-numbered gate signal line 4 shown in FIG. 2 is the first, third, ... .., respectively connected to the gates of the thin film transistors 12 corresponding to the (2m-1) th light receiving element 11. The same applies to the even-numbered gate signal line 5.

【0012】制御手段10は、奇数番目用ゲートパルス
発生回路8及び偶数番目用ゲートパルス発生回路9を制
御する。このとき、制御手段10では、選択信号に基づ
き、読み取り密度に応じた制御を行なう。すなわち、高
密度の読み取り時には、奇数番目用または偶数番目用ゲ
ートパルス発生回路8,9を交互に動作させ、各ブロッ
ク内の受光素子11を順次走査する。また、低密度の読
み取り時には、奇数番目用及び偶数番目用ゲートパルス
発生回路8,9を同時に動作させ、奇数番目の受光素子
11と偶数番目の受光素子11の電荷を同時に共通信号
線6に出力させるように制御する。
The control means 10 controls the odd-numbered gate pulse generation circuit 8 and the even-numbered gate pulse generation circuit 9. At this time, the control means 10 performs control according to the reading density based on the selection signal. That is, at the time of high-density reading, the odd-numbered or even-numbered gate pulse generation circuits 8 and 9 are alternately operated to sequentially scan the light receiving elements 11 in each block. When reading at low density, the odd-numbered and even-numbered gate pulse generation circuits 8 and 9 are simultaneously operated to simultaneously output the charges of the odd-numbered light-receiving element 11 and the even-numbered light-receiving element 11 to the common signal line 6. Control to let.

【0013】次に、本発明の画像読み取り装置の一実施
例における駆動方法について説明する。まず、高密度に
読み取る場合について、図3を参照して説明する。図3
は、高密度読み取り時のゲート信号のタイミングチャー
トである。この場合、たとえば受光素子の配列密度が6
00dpiの場合、600dpiの密度で読み出すこと
に相当する。
Next, a driving method in one embodiment of the image reading apparatus of the present invention will be described. First, a case of reading at high density will be described with reference to FIG. Figure 3
FIG. 7 is a timing chart of gate signals at the time of high-density reading. In this case, for example, the arrangement density of the light receiving elements is 6
The case of 00 dpi corresponds to reading at a density of 600 dpi.

【0014】スタートパルスSTが制御手段10および
読み取り用IC7に入力されると、クロックCKに同期
して動作が始まる。制御手段10により、まず奇数番目
用ゲートパルス発生回路8から奇数番目用ゲート信号線
4中のゲート線G1-1 にゲートパルスφG1-1 が伝達さ
れる。各ブロックにおいて薄膜トランジスタT
1-1,i(i=1〜n)がオンとなり、受光素子PD
1-1,i (i=1〜n)で発生した電荷が各配線容量CLi
(i=1〜n)に転送され、蓄積される。そして、各配
線容量CLi(i=1〜n)に蓄積された電荷により、各
共通信号線6の電位が変化する。読み取り用IC7内の
図示しないアナログスイッチSWi (i=1〜n)を順
次オンにすることにより、各共通信号線6の電圧値が出
力端子Comに時系列的に出力される。そして、信号電
位の検出後、読み取り用IC7内の図示しないリセット
スイッチRSi (i=1〜n)をオンにすることによ
り、各配線容量CLi(i=1〜n)に蓄積された電荷を
排出し、次の読み取りに備える。
When the start pulse ST is input to the control means 10 and the reading IC 7, the operation starts in synchronization with the clock CK. The control means 10 first transmits the gate pulse φG 1-1 from the odd-numbered gate pulse generation circuit 8 to the gate line G 1-1 in the odd-numbered gate signal line 4. In each block, the thin film transistor T
1-1, i (i = 1 to n) is turned on, and the light receiving element PD
The electric charge generated in 1-1, i (i = 1 to n) is the wiring capacitance C Li.
(I = 1 to n), and accumulated. Then, the electric charge accumulated in each wiring capacitance C Li (i = 1 to n) changes the potential of each common signal line 6. By sequentially turning on analog switches SW i (i = 1 to n) (not shown) in the reading IC 7, the voltage value of each common signal line 6 is output to the output terminal Com in time series. Then, after the signal potential is detected, the reset switch RS i (i = 1 to n) (not shown) in the reading IC 7 is turned on to charge accumulated in each wiring capacitance C Li (i = 1 to n). To prepare for the next reading.

【0015】次に、制御手段10により、偶数番目用ゲ
ートパルス発生回路9から偶数番目用ゲート信号線5中
のゲート線G2-1 にゲートパルスφG2-1 が伝達され
る。各ブロックにおいて薄膜トランジスタT2-1,i (i
=1〜n)がオンとなり、受光素子PD2-1,i (i=1
〜n)で発生した電荷が各配線容量CLi(i=1〜n)
に転送蓄積される。そして、各配線容量CLi(i=1〜
n)に蓄積された電荷により、各共通信号線6の電位が
変化する。読み取り用IC7内の図示しないアナログス
イッチSWi (i=1〜n)を順次オンにすることによ
り、各共通信号線6の電圧値が出力端子Comに時系列
的に出力される。そして、信号電位の検出後、読み取り
用IC7内の図示しないリセットスイッチRSi (i=
1〜n)をオンにすることにより、各配線容量CLi(i
=1〜n)に蓄積された電荷を排出し次の読み取りに備
える。
Next, the control means 10 transmits the gate pulse φG 2-1 from the even-numbered gate pulse generation circuit 9 to the gate line G 2-1 in the even-numbered gate signal line 5. In each block, the thin film transistor T 2-1, i (i
= 1 to n) are turned on, and the light receiving elements PD 2-1, i (i = 1)
To n), the charge generated in each of the wiring capacitances C Li (i = 1 to n)
Transferred to and accumulated. Then, each wiring capacitance C Li (i = 1 to 1
The electric charge accumulated in n) changes the potential of each common signal line 6. By sequentially turning on analog switches SW i (i = 1 to n) (not shown) in the reading IC 7, the voltage value of each common signal line 6 is output to the output terminal Com in time series. Then, after detecting the signal potential, a reset switch RS i (i =
1 to n) are turned on, each wiring capacitance C Li (i
= 1 to n) to discharge the accumulated charge and prepare for the next reading.

【0016】同様にして、制御手段10により、奇数番
目用ゲートパルス発生回路8と偶数番目用ゲートパルス
発生回路9から交互にゲートパルスが伝達され、順次、
薄膜トランジスタT1-2,i (i=1〜n)〜T
2-m,i (i=1〜n)までをオンにすることにより、受
光素子で発生した電荷を順次転送し、1ラインの画像情
報を得ることができる。さらに、ローラ等の原稿送り手
段あるいはイメージセンサを登載したユニットの移動手
段により、イメージセンサと原稿を相対的に移動させる
ことにより副走査を行ない、原稿全体の画像信号を得
る。
Similarly, the control means 10 alternately transmits gate pulses from the odd-numbered gate pulse generation circuit 8 and the even-numbered gate pulse generation circuit 9, and sequentially,
Thin film transistor T 1-2, i (i = 1 to n) to T
By turning on 2-m, i (i = 1 to n), the charges generated in the light receiving element can be sequentially transferred to obtain one line of image information. Further, a document feeding means such as a roller or a moving means of a unit having an image sensor mounted thereon relatively moves the image sensor and the document to perform sub-scanning to obtain an image signal of the entire document.

【0017】次に、低密度に読み取る場合について、図
4を参照して説明する。図4は、低密度読み取り時のゲ
ート信号のタイミングチャートである。ここでは、1/
2の密度で読み取る場合を例にして説明する。この場
合、たとえば受光素子の配列密度が600dpiの場
合、300dpiの密度で読み出すことに相当する。
Next, the case of reading at low density will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a timing chart of gate signals at the time of low density reading. Here, 1 /
The case of reading at a density of 2 will be described as an example. In this case, for example, when the array density of the light receiving elements is 600 dpi, this corresponds to reading at a density of 300 dpi.

【0018】スタートパルスSTが制御手段10および
読み取り用IC7に入力されると、クロックCKに同期
して動作が始まる。制御手段10には、選択信号とし
て、低密度で読み取るための信号が入力されている。制
御手段10により、まず奇数番目用ゲートパルス発生回
路8および偶数番目用ゲートパルス発生回路9から、奇
数番目用ゲート信号線4中のゲート線G1-1 および偶数
番目用ゲート信号線5中のゲート線G2-1 にゲートパル
スφG1-1 およびゲートパルスφG2-1 が伝達される。
各ブロックにおいて、薄膜トランジスタT1-1,i および
薄膜トランジスタT2-1,i (i=1〜n)がオンとな
り、受光素子PD1-1,i および受光素子PD2-1,i (i
=1〜n)で発生した電荷が各配線容量CLi(i=1〜
n)に転送され、蓄積される。そして、各配線容量CLi
(i=1〜n)に蓄積された電荷により各共通信号線6
の電位が変化する。読み取り用IC7内の図示しないア
ナログスイッチSWi (i=1〜n)を順次オンにする
ことにより、共通信号線6の電圧値が出力端子Comに
時系列的に出力される。そして、信号電位の検出後、読
み取り用IC7内の図示しないリセットスイッチRSi
(i=1〜n)をオンにすることにより、各配線容量C
i (i=1〜n)に蓄積された電荷を排出し、次の読
み取りに備える。
When the start pulse ST is input to the control means 10 and the reading IC 7, the operation starts in synchronization with the clock CK. A signal for reading at low density is input to the control means 10 as a selection signal. By the control means 10, first, from the odd-numbered gate pulse generation circuit 8 and the even-numbered gate pulse generation circuit 9, the gate line G 1-1 in the odd-numbered gate signal line 4 and the even-numbered gate signal line 5 The gate pulse φG 1-1 and the gate pulse φG 2-1 are transmitted to the gate line G 2-1 .
In each block, the thin film transistors T 1-1, i and the thin film transistors T 2-1, i (i = 1 to n) are turned on, and the light receiving elements PD 1-1, i and the light receiving elements PD 2-1, i (i
= 1 to n), the charge generated in each wiring capacitance C Li (i = 1 to 1)
n) and stored. And each wiring capacitance C Li
Each common signal line 6 is generated by the charges accumulated in (i = 1 to n).
The electric potential of changes. By sequentially turning on analog switches SW i (i = 1 to n) (not shown) in the reading IC 7, the voltage value of the common signal line 6 is output to the output terminal Com in time series. After detecting the signal potential, a reset switch RS i ( not shown) in the reading IC 7
By turning on (i = 1 to n), each wiring capacitance C
The charges accumulated in L i (i = 1 to n) are discharged to prepare for the next reading.

【0019】同様に、次のタイミングでも、制御装置1
0により、奇数番目用ゲートパルス発生回路8および偶
数番目用ゲートパルス発生回路9から奇数番目用ゲート
信号線4中のゲート線G1-2 および偶数番目用ゲート信
号線5中のゲート線G2-2 にゲートパルスφG1-2 およ
びゲートパルスφG2-2 が伝達される。各ブロックにお
いて、薄膜トランジスタT1-1,i および薄膜トランジス
タT2-2,i (i=1〜n)がオンとなり、受光素子PD
1-2,i および受光素子PD2-2,i (i=1〜n)で発生
した電荷が、各配線容量CLi (i=1〜n)に転送さ
れ、蓄積される。そして、各配線容量CLi(i=1〜
n)に蓄積された電荷により各共通信号線6の電位が変
化する。読み取り用IC7内の図示しないアナログスイ
ッチSWi(i=1〜n)を順次オンにすることによ
り、共通信号線6の電圧値が出力端子(Com)に時系
列的に出力される。そして、信号電位の検出後、読み取
り用IC7内の図示しないリセットスイッチRSi (i
=1〜n)をオンにすることにより、各配線容量C
Li(i=1〜n)に蓄積された電化を排出し次の読み取
りに備える。
Similarly, at the next timing, the controller 1
0, the odd-numbered gate pulse generating circuit 8 and the even-numbered gate pulse generating circuit gate lines G 1-2 of odd-numbered gate signal line 4 to 9 and the even-numbered gate signal line in the fifth gate line G 2 The gate pulse φG 1-2 and the gate pulse φG 2-2 are transmitted to -2 . In each block, the thin film transistors T 1-1, i and the thin film transistors T 2-2, i (i = 1 to n) are turned on, and the light receiving element PD
The charges generated in 1-2, i and the light receiving element PD 2-2, i (i = 1 to n) are transferred to and accumulated in each wiring capacitance CL i (i = 1 to n). Then, each wiring capacitance C Li (i = 1 to 1
The potential of each common signal line 6 changes due to the charges accumulated in n). By sequentially turning on analog switches SW i (i = 1 to n) (not shown) in the reading IC 7, the voltage value of the common signal line 6 is output to the output terminal (Com) in time series. After detecting the signal potential, the reset switch RS i (i
= 1 to n), the wiring capacitance C
Electrification accumulated in Li (i = 1 to n) is discharged to prepare for the next reading.

【0020】このようにして、奇数番目用ゲートパルス
発生回路8および偶数番目用ゲートパルス発生回路9か
らゲートパルスが伝達され、T1-3,i 〜T1-m,i および
2- 3,i 〜T2-m,i (i=1〜n)までを順次オンにす
ることにより、受光素子で発生した電荷を順次転送し、
1ラインの画像情報を得ることができる。さらに、ロー
ラ等の原稿送り手段あるいはイメージセンサを登載した
ユニットの移動手段により、イメージセンサと原稿を相
対的に移動させることにより副走査を行ない、原稿全体
の画像信号を得る。このとき、相対的な移動量を高密度
の読み取りの時の2倍とすることにより、副走査方向の
読み取り密度も1/2とすることができる。
In this way, odd-numbered gate pulse
Generating circuit 8 and even-numbered gate pulse generating circuit 9
Gate pulse is transmitted from1-3, i~ T1-m, iand
T2- 3, i~ T2-m, iTurn on (i = 1 to n) sequentially
By doing so, the charges generated in the light receiving element are sequentially transferred,
Image information for one line can be obtained. In addition, low
A document feeding means such as LA or image sensor is installed.
Use the unit's moving means to align the image sensor with the original.
Sub-scanning is performed by moving in opposite directions, and the entire document is
To obtain the image signal of. At this time, the relative movement amount is high
By scanning twice the number of
The read density can also be halved.

【0021】以上の動作により、例えば解像度を1/2
に落とした場合、高密度の読み取り時の2倍の速度で1
ラインの読み取りを完了することが可能となり、1/2
の解像度のイメージセンサで読み取ったものと等価にな
る。このとき、画素密度変換などの画像処理を必要とせ
ずに、低密度の読み取りを行なうことができる。
By the above operation, for example, the resolution is halved.
If you drop it in the
It becomes possible to complete the line reading, and
It is equivalent to that read by an image sensor with the resolution of. At this time, low-density reading can be performed without requiring image processing such as pixel density conversion.

【0022】上述の実施例では、切替可能な画像の密度
は、等倍と1/2の2種類であるが、これに限らない。
例えば、1/3の密度の読み取りを行なうのであれば、
ゲートパルス発生回路を3つ用意し、それぞれが3j−
2番目、3j−1番目、3j番目(j=1〜k)の薄膜
トランジスタを駆動するように制御すればよい。このと
き、各グループは、3×k個の受光素子により構成すれ
ばよい。さらに、3つ以上の密度を設定可能とし、これ
らを切替可能に構成することももちろん可能である。
In the above-described embodiment, the switchable image densities are of two types, equal size and 1/2, but not limited to this.
For example, if reading at a density of 1/3,
Three gate pulse generation circuits are prepared, each of which is 3j-
The second, 3j−1, and 3jth (j = 1 to k) thin film transistors may be controlled to be driven. At this time, each group may be composed of 3 × k light receiving elements. Further, it is of course possible to set three or more densities and switch them.

【0023】また、図2で説明した薄膜トランジスタ1
2は、それぞれ受光素子11に直接接続されているが、
これに限られるものではない。受光素子11と薄膜トラ
ンジスタ12との間に、それぞれ一括転送用のスイッチ
回路と記憶用コンデンサを介在させるなど、適宜の回路
を介在させて、薄膜トランジスタ12を設けるようにし
てもよい。
Further, the thin film transistor 1 described with reference to FIG.
2 are directly connected to the light receiving element 11, respectively,
It is not limited to this. The thin film transistor 12 may be provided by interposing an appropriate circuit between the light receiving element 11 and the thin film transistor 12, such as a batch transfer switch circuit and a storage capacitor.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、読み取る画像により解像度を落として読み取
る場合に、複数個の受光素子の信号が共通データ線に同
時に出力されるので、従来行なわれていたような平均を
取るなどの画像処理を行なわずに低解像度の画像を得る
ことができるとともに、受光素子アレイ全体を走査する
までの駆動回数を減少させることができ、必要最小限の
時間で画像情報を読み出すことができるという効果があ
る。
As is apparent from the above description, according to the present invention, the signals of a plurality of light receiving elements are simultaneously output to the common data line when the image to be read is reduced in resolution and read. It is possible to obtain a low-resolution image without performing image processing such as averaging that has been performed, and it is possible to reduce the number of times of driving until the entire light-receiving element array is scanned. The image information can be read out in time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の画像読み取り装置の一実施例におけ
る全体構成図である。
FIG. 1 is an overall configuration diagram of an embodiment of an image reading apparatus of the present invention.

【図2】 本発明の画像読み取り装置の一実施例におけ
る1ブロックのゲート配線の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of one block of gate wiring in one embodiment of the image reading apparatus of the present invention.

【図3】 高密度読み取り時のゲート信号のタイミング
チャートである。
FIG. 3 is a timing chart of gate signals at the time of high-density reading.

【図4】 低密度読み取り時のゲート信号のタイミング
チャートである。
FIG. 4 is a timing chart of gate signals during low-density reading.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 受光素子アレイ、2 奇数番目用電荷転送部、3
偶数番目用電荷転送部、4 奇数番目用ゲート信号線、
5 偶数番目用ゲート信号線、6 共通信号線、7 読
み取り用IC、8 偶数番目用ゲートパルス発生回路、
9 奇数番目用ゲートパルス発生回路、10 制御手
段、11 受光素子、12 薄膜トランジスタ。
1 light receiving element array, 2 odd number charge transfer section, 3
Charge transfer section for even number, gate signal line for odd number,
5 even-numbered gate signal lines, 6 common signal lines, 7 reading ICs, 8 even-numbered gate pulse generation circuits,
9 odd number gate pulse generation circuit, 10 control means, 11 light receiving element, 12 thin film transistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 画像の読み取りを行う画像読み取り装置
において、複数の受光素子を1ブロックとして複数ブロ
ック配列した受光素子アレイと、各受光素子の出力側に
設けられたスイッチング素子と、各ブロックの受光素子
に対応したスイッチング素子の出力側を共通に接続する
ブロック固有の共通データ線と、各ブロック固有の共通
データ線にそれぞれ接続された読み出し回路と、各ブロ
ックのそれぞれ等しい順序数を有する受光素子に対応し
たスイッチング素子に接続した複数の制御線と、該複数
の制御線の駆動制御を行なう駆動回路と、読み取りの密
度に応じて駆動回路の動作を制御する密度制御手段を有
し、読み取りの密度に応じて1本以上の制御線が駆動さ
れ、各ブロックの読み出し回路に1つ以上の受光素子か
らの信号が読み出されることを特徴とする画像読み取り
装置。
1. An image reading apparatus for reading an image, wherein a light receiving element array in which a plurality of light receiving elements are arranged as one block, a switching element provided on the output side of each light receiving element, and a light receiving element of each block are provided. Common data line unique to the block that connects the output side of the switching elements corresponding to the elements in common, the read circuit connected to the common data line unique to each block, and the light receiving element having the same ordinal number of each block The read density includes a plurality of control lines connected to the corresponding switching elements, a drive circuit for controlling the drive of the plurality of control lines, and a density control unit for controlling the operation of the drive circuit according to the read density. One or more control lines are driven according to the above, and the signals from one or more light receiving elements are read out to the readout circuit of each block. An image reading device characterized in that
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6407418B1 (en) 1998-09-16 2002-06-18 Nec Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, image sensor apparatus having the same and image reader having the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6407418B1 (en) 1998-09-16 2002-06-18 Nec Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, image sensor apparatus having the same and image reader having the same
US6583456B2 (en) 1998-09-16 2003-06-24 Nec Corporation Image sensor with light receiving elements of differing areas and image reader both having semiconductor device

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