JPH06274919A - Semiconductor laser driving controller - Google Patents

Semiconductor laser driving controller

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Publication number
JPH06274919A
JPH06274919A JP5067081A JP6708193A JPH06274919A JP H06274919 A JPH06274919 A JP H06274919A JP 5067081 A JP5067081 A JP 5067081A JP 6708193 A JP6708193 A JP 6708193A JP H06274919 A JPH06274919 A JP H06274919A
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JP
Japan
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laser
currents
light
semiconductor laser
high frequency
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Application number
JP5067081A
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Japanese (ja)
Inventor
Mikio Yamamuro
美規男 山室
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH06274919A publication Critical patent/JPH06274919A/en
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Abstract

PURPOSE:To ensure the service life of a semiconductor laser (LD), and to stabilize a recording and reproduction signal by appropriately controlling the amplitude of high frequency superimposing currents according to the oscillation intensity of an LD at the time of superimposing high frequency currents, and driving the LD in order to remove a noise resulted from a return light or the like. CONSTITUTION:A laser control circuit 141 receives the output of a light receiving element PD which detects the output of an LD 9, and supplies a laser control signal (LS) to the base of a transistor(Tr) Q1. In the Tr Q1, laser driving currents (ia) according to the LS are allowed to run, an emitter potential V is turned to a value corresponding to the currents (ia), and the output of a high frequency oscillator as high frequency currents (ic) amplified by a Tr Q2 is superimposed on the currents (ia). At that time, when the LS is allowed to emit a light by a low or high power by the LS, the amplification factor of the Tr Q2 is increased or decreased by the Tr Q1 and Q3, and the amplitude of the currents (ic) is increased or decreased. Thus, the amplitude of the currents (ic) can be appropriately controlled according to the emission intensity of the LD 9, the service life of the LD can be ensured, and the recording and reproduction signal can be stabilized.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は光学式情報記録再生装
置に係り、特にその半導体レーザ駆動制御装置の改良に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording / reproducing device, and more particularly to improvement of a semiconductor laser drive control device thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように、光学式情報記録再生装置
においては、光ディスク等の光記録媒体に対する情報の
記録再生に関して半導体レーザ(レーザダイオード:以
下単にLDと記す)が用いられている。すなわち、LD
からのレーザ光は対物レンズを介して光記録媒体に照射
されることにより、所定の情報の記録再生がなされる。
As is well known, in an optical information recording / reproducing apparatus, a semiconductor laser (laser diode: hereinafter simply referred to as LD) is used for recording / reproducing information on / from an optical recording medium such as an optical disk. That is, LD
By irradiating the optical recording medium with the laser light from the optical system through the objective lens, recording and reproducing of predetermined information is performed.

【0003】この場合、LD駆動回路は情報記録時には
記録すべき情報に対応したパルス状の大電流でLDを駆
動するようにし、且つ情報再生時には所要の直流電流で
LDを駆動するようにしている。ところで、このような
LDの駆動電流はLDの寿命に大きな影響を有する。従
って、LD駆動回路はLDの駆動電流を厳密に制御し得
るものであることが要請される。
In this case, the LD drive circuit drives the LD with a large pulse current corresponding to the information to be recorded at the time of recording information, and drives the LD with a required DC current at the time of reproducing information. . By the way, such a drive current of the LD has a great influence on the life of the LD. Therefore, the LD drive circuit is required to be capable of strictly controlling the drive current of the LD.

【0004】一方、光記録媒体からの反射光成分がLD
に注入される如くしたいわゆる戻り光はLDのレーザ光
発光動作に悪影響をもたらし、情報の記録再生に関して
不所望なノイズが発生する大きな原因となっている。
On the other hand, the reflected light component from the optical recording medium is LD
The so-called return light, which is injected into the laser, adversely affects the laser light emitting operation of the LD and is a major cause of generation of undesired noise in recording and reproducing information.

【0005】このため、近時のLD駆動回路はLDの駆
動電流に対して例えば1GHz等の高周波電流を重畳し
てレーザ光を発光せしめることにより、上述したような
戻り光等に起因するノイズを除去するようにしている。
Therefore, a recent LD drive circuit superimposes a high frequency current of, for example, 1 GHz on the drive current of the LD so as to emit a laser beam, so that the noise due to the return light as described above is generated. I am trying to remove it.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな高周波重畳方式によるLD駆動回路は、図4に示す
ようにLDの発光強度の如何にかかわらず常に一定振幅
の高周波電流Cを重畳しているため、図4のC2として
示すように特に高パワー発光時にピーク値が著しく大パ
ワーレベルに上がりすぎて、ときにはLDの破壊をもた
らす如くLDの寿命を著しく阻害してしまうという欠点
があった。
However, in the LD driving circuit based on such a high frequency superposition method, as shown in FIG. 4, the high frequency current C having a constant amplitude is always superposed regardless of the emission intensity of the LD. Therefore, as shown by C2 in FIG. 4, there is a drawback that the peak value remarkably rises to a large power level particularly at high power emission, and the life of the LD is significantly impaired so as to cause destruction of the LD.

【0007】そこで、この発明は以上のような点に鑑み
てなされたもので、戻り光等に起因するノイズを除去す
るために高周波電流を重畳してLDを駆動する際に、L
Dの発光強度に応じて高周波重畳電流を適切な振幅とな
るように制御することにより、LDの寿命を確保すると
共に、記録再生信号の安定化に寄与し得るように改良し
た半導体レーザ駆動制御装置を提供することを目的とし
ている。
Therefore, the present invention has been made in view of the above points, and when the LD is driven by superimposing a high frequency current in order to remove the noise caused by the returning light, L
A semiconductor laser drive control device improved so as to secure the life of the LD and contribute to stabilization of the recording / reproducing signal by controlling the high frequency superimposed current to have an appropriate amplitude according to the emission intensity of D. Is intended to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、所定の高周波信号を出力する高周
波手段と、所定の対象物にレーザ光を照射する半導体レ
ーザと、前記半導体レーザからのレーザ光に対応したレ
ーザ電流制御信号を生成するレーザ制御手段と、前記レ
ーザ制御手段からのレーザ電流制御信号に従って上記半
導体レーザに供給するレーザ電流を設定すると共に、上
記高周波手段からの高周波出力を可変して前記設定され
たレーザ電流に重畳するレーザ駆動手段とを具備してな
ることを特徴とする半導体レーザ駆動制御装置が提供さ
れる。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the present invention, high-frequency means for outputting a predetermined high-frequency signal, a semiconductor laser for irradiating a predetermined object with laser light, and said semiconductor A laser control means for generating a laser current control signal corresponding to a laser beam from a laser, a laser current supplied to the semiconductor laser according to a laser current control signal from the laser control means, and a high frequency from the high frequency means. There is provided a semiconductor laser drive control device comprising: a laser drive unit that varies an output and superimposes it on the set laser current.

【0009】[0009]

【作用】上記解決手段によれば、レーザを規定の発光量
で発光させるために検出すべきレーザ電流に対応したレ
ーザ電流制御信号に従って高周波発振器からの高周波出
力の振幅を変化させている。つまり、低パワー発光時に
は、高周波電流の重畳量が多くなって半導体レーザの発
光動作が安定し、且つノイズ発生を抑制することができ
る。また、高パワー発光時には、高周波電流の重畳量が
少なくなるため、半導体レーザの最大出力定格を越える
ことがないので、寿命を確保することができる。
According to the above-mentioned solution means, the amplitude of the high frequency output from the high frequency oscillator is changed in accordance with the laser current control signal corresponding to the laser current to be detected in order to cause the laser to emit the prescribed amount of light. That is, during low-power light emission, the amount of superposition of high-frequency current increases, the light emission operation of the semiconductor laser is stable, and noise generation can be suppressed. Further, during high-power light emission, the amount of superposition of high-frequency current is small, and the maximum output rating of the semiconductor laser is not exceeded, so that the life can be secured.

【0010】[0010]

【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図1は、一例として光学式情報記録再
生装置に適用する場合を示すものである。図1におい
て、光ディスク(光記録媒体)1の表面には、スパイラ
ル状あるいは同心円状に溝(トラック)が形成されてい
る。この光ディスク1はモータ2によって、例えば一定
の速度で回転される。このモータ2は、モータ制御回路
18によって制御されている。光ディスク1に対する情
報の記録再生は、光学ヘッド3によって行われる。この
光学ヘッド3は、リニアモータの可動部を構成する駆動
コイル13に固定されている。この駆動コイル13はリ
ニアモータ制御回路17に接続されている。このリニア
モータ制御回路17には、リニアモータ位置検出器26
が接続されている。このリニアモータ位置検出器26
は、光学ヘッド3に設けられた光学スケール25を検出
することにより、位置信号を出力するようになってい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a case where it is applied to an optical information recording / reproducing apparatus as an example. In FIG. 1, grooves (tracks) are formed on the surface of an optical disk (optical recording medium) 1 in a spiral shape or a concentric shape. The optical disk 1 is rotated by a motor 2 at a constant speed, for example. The motor 2 is controlled by a motor control circuit 18. Recording and reproduction of information with respect to the optical disc 1 is performed by the optical head 3. The optical head 3 is fixed to a drive coil 13 that constitutes a movable part of a linear motor. The drive coil 13 is connected to the linear motor control circuit 17. This linear motor control circuit 17 includes a linear motor position detector 26
Are connected. This linear motor position detector 26
Detects the optical scale 25 provided on the optical head 3 and outputs a position signal.

【0011】また、リニアモータの固定部には、図示せ
ぬ永久磁石が設けられており、前記駆動コイル13がリ
ニアモータ制御回路17によって励磁されることによ
り、光学ヘッド3が光ディスク1の半径方向に移動され
るようになっている。前記光学ヘッド3には、対物レン
ズ6が図示せぬ板ばねによって保持されている。
A permanent magnet (not shown) is provided in the fixed portion of the linear motor, and the drive coil 13 is excited by the linear motor control circuit 17 so that the optical head 3 moves in the radial direction of the optical disk 1. It is supposed to be moved to. An objective lens 6 is held on the optical head 3 by a leaf spring (not shown).

【0012】この対物レンズ6は、駆動コイル5によっ
てフォーカシング方向(レンズの光軸方向)に移動さ
れ、駆動コイル4によってトラッキング方向(レンズの
光軸と直交方向)に移動可能とされている。
The objective lens 6 is moved in the focusing direction (optical axis direction of the lens) by the drive coil 5, and is movable in the tracking direction (direction orthogonal to the optical axis of the lens) by the drive coil 4.

【0013】また、レーザ制御回路141及びレーザ駆
動回路142によって駆動される光源としての半導体レ
ーザ(レーザダイオード:LD)9より発生されたレー
ザ光は、コリメータレンズ11a、ハーフプリズム11
b、対物レンズ6を介して光ディスク1上に照射され
る。
Laser light generated by a semiconductor laser (laser diode: LD) 9 as a light source driven by the laser control circuit 141 and the laser drive circuit 142 is collimator lens 11a and half prism 11.
b, the light is irradiated onto the optical disc 1 through the objective lens 6.

【0014】この光ディスク1からの反射光は、対物レ
ンズ6、ハーフプリズム11bを介してハーフプリズム
11cに導かれ、このハーフプリズム11cによって分
光された一方の光は、集光レンズ10を介して一対のト
ラッキング位置センサ8に導かれる。また、前記ハーフ
プリズム11cによって分光された他方の光は、集光レ
ンズ11d、ナイフエッジ12を介して一対のフォーカ
ス位置センサ7に導かれる。前記トラッキング位置セン
サ8の出力信号は、差動増幅器OP1を介してトラッキ
ング制御回路16に供給される。
The reflected light from the optical disk 1 is guided to the half prism 11c via the objective lens 6 and the half prism 11b, and one light split by the half prism 11c is paired via the condenser lens 10. Is guided to the tracking position sensor 8. The other light split by the half prism 11c is guided to the pair of focus position sensors 7 via the condenser lens 11d and the knife edge 12. The output signal of the tracking position sensor 8 is supplied to the tracking control circuit 16 via the differential amplifier OP1.

【0015】このトラッキング制御回路16より出力さ
れるトラック差信号(差動信号)は、リニアモータ制御
回路17に供給されるとともに、増幅器27を介して前
記トラッキング方向の駆動コイル4に供給される。ま
た、前記フォーカス位置センサ7からは、レーザ光のフ
ォーカス点に関する信号が出力される。この信号は差動
増幅器OP2を介して、フォーカシング制御回路15に
供給される。
The track difference signal (differential signal) output from the tracking control circuit 16 is supplied to the linear motor control circuit 17 and also to the drive coil 4 in the tracking direction via the amplifier 27. Further, the focus position sensor 7 outputs a signal regarding the focus point of the laser light. This signal is supplied to the focusing control circuit 15 via the differential amplifier OP2.

【0016】このフォーカシング制御回路15の出力信
号は、増幅器28を介してフォーカシング駆動コイル5
に供給され、レーザ光が光ディスク1上で常時ジャスト
フォーカスとなるように制御される。
The output signal of the focusing control circuit 15 is supplied to the focusing drive coil 5 via the amplifier 28.
And is controlled so that the laser beam is always in perfect focus on the optical disc 1.

【0017】上記のようにフォーカシング、トラッキン
グを行った状態でのトラッキング位置センサ8の出力の
和信号は、トラック上に形成されたピット(記録情報)
の凹凸が反映されている。この信号は、デ−タ信号処理
回路19に供給され、このデ−タ信号処理回路19にお
いて情報が再生される。
The sum signal of the outputs of the tracking position sensor 8 in the state where focusing and tracking are performed as described above is the pit (recording information) formed on the track.
The unevenness of is reflected. This signal is supplied to the data signal processing circuit 19, and the information is reproduced in this data signal processing circuit 19.

【0018】上記レーザ制御回路14、フォーカシング
制御回路15、トラッキング制御回路16、リニアモー
タ制御回路17、モータ制御回路18、デ−タ信号処理
回路19などは、バスライン20を介してCPU23に
よって制御されるようになっている。このCPU23は
メモリ24に記憶されたプログラムによって所定の動作
を行うようになされている。
The laser control circuit 14, focusing control circuit 15, tracking control circuit 16, linear motor control circuit 17, motor control circuit 18, data signal processing circuit 19 and the like are controlled by the CPU 23 via the bus line 20. It has become so. The CPU 23 is adapted to perform a predetermined operation according to a program stored in the memory 24.

【0019】なお、21,22はそれぞれフォーカシン
グ制御回路15、トラッキング制御回路16、リニアモ
ータ制御回路17とCPU23との間で情報の授受を行
うために用いられるA/D変換器、D/A変換器であ
る。
Numerals 21 and 22 are A / D converters and D / A converters used for exchanging information between the focusing control circuit 15, the tracking control circuit 16, the linear motor control circuit 17 and the CPU 23, respectively. It is a vessel.

【0020】また、前記半導体レーザ9の近傍には、半
導体レーザ9の発光量を検知する検知手段としての受光
素子(レーザモニタダイオード)PDが設けられてお
り、この受光素子PDによる検知出力は前記レーザ制御
回路141を介してレーザ駆動回路142に供給される
ようになっている。図2は、前記レーザ制御回路141
の詳細を示すものである。前記受光素子PDのアノード
は接地され、カソードは演算増幅器IC1 の反転入力端
に接続されている。この演算増幅器IC1 の非反転入力
端は接地されている。
Further, a light receiving element (laser monitor diode) PD as a detecting means for detecting the amount of light emitted from the semiconductor laser 9 is provided in the vicinity of the semiconductor laser 9, and the detection output by the light receiving element PD is as described above. It is adapted to be supplied to the laser drive circuit 142 via the laser control circuit 141. FIG. 2 shows the laser control circuit 141.
It shows the details of. The anode of the light receiving element PD is grounded, and the cathode is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier IC 1 . The non-inverting input terminal of the operational amplifier IC 1 is grounded.

【0021】また、演算増幅器にIC1 の出力端は、前
記受光素子PDの光電流を調整する可変抵抗(第1の調
整手段)Rfを介して、演算増幅器IC1 の反転入力端
に接続されているとともに、前記CPU23によって制
御されるスイッチ回路IC2の固定接点S21に接続され
ている。
[0021] The output terminal IC 1 'to the operational amplifier via a variable resistor (first adjusting means) Rf for adjusting the photocurrent of the light receiving element PD, is connected to the inverting input of the operational amplifier IC 1 In addition, it is connected to the fixed contact S 21 of the switch circuit IC 2 controlled by the CPU 23.

【0022】このスイッチ回路IC2 を構成する固定接
点S22は、図示の如く、電源−ES1を介して接地されて
おり、可動接片S23は抵抗R1 を介して演算増幅器IC
3 の反転入力端に接続されているとともに、抵抗R2
よび電圧を可変できる電源−ES2(第2の調整手段)の
負極に接続されている。この電源−ES2に正極は接地さ
れている。この電源−ES2によって半導体レーザ9の発
光しきい値に対する調整がなされる。
The fixed contact S 22 constituting the switch circuit IC 2 is grounded via the power source −ES 1 , as shown in the figure, and the movable contact S 23 is connected to the operational amplifier IC via the resistor R 1.
It is connected to the inverting input terminal 3 and to the negative electrode of a resistor R 2 and a power source -E S2 (second adjusting means) capable of varying the voltage. The positive electrode is grounded to the power source -E S2. This power -E S2 is adjusted to the emission threshold of the semiconductor laser 9 is made.

【0023】前記演算増幅器IC3 の非反転入力端は接
地されており、その出力端は抵抗R3 を介して演算増幅
器IC3 の反転入力端に接続されているとともに、前記
CPU23からの記録情報に対応する記録信号に応じて
発光されるレーザ光のオン/オフ制御に用いられるスイ
ッチ回路IC4 の固定接点S41に接続されている。
The non-inverting input terminal of the operational amplifier IC 3 is grounded, the output terminal thereof is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier IC 3 via a resistor R 3 , and the recorded information from the CPU 23 is recorded. Is connected to a fixed contact S 41 of a switch circuit IC 4 used for on / off control of a laser beam emitted according to the recording signal corresponding to.

【0024】このスイッチ回路IC4 を構成する固定接
点S42は接地されており、可動接片S43は抵抗R4 及び
コンデンサCを介してフィ−ドバック特性を決定して演
算増幅器IC5 の非反転入力端に接続されている。
The fixed contact S 42 which constitutes the switch circuit IC 4 is grounded, and the movable contact S 43 determines the feedback characteristic through the resistor R 4 and the capacitor C to determine the non-operation of the operational amplifier IC 5 . It is connected to the inverting input terminal.

【0025】この演算増幅器IC5 の反転入力端はスイ
ッチ回路IC4 の可動接片S43に接続されると共に、抵
抗R5 を介して後述するレーザ駆動回路142のトラン
ジスタQ1のエミッタに接続され、その出力端はレーザ
電流制御信号の出力端として該レーザ駆動回路142の
トランジスタQ1のベ−ス−コレクタを介して前記半導
体レーザ9のカソードに接続されている。この半導体レ
ーザ9のアノードは、電源VCCに接続されている。
The inverting input terminal of the operational amplifier IC 5 is connected to the movable contact S 43 of the switch circuit IC 4 and also to the emitter of the transistor Q1 of the laser drive circuit 142 described later via the resistor R 5 . The output terminal is connected to the cathode of the semiconductor laser 9 as a laser current control signal output terminal through the base collector of the transistor Q1 of the laser driving circuit 142. The anode of the semiconductor laser 9 is connected to the power supply V CC .

【0026】一方、前記スイッチ回路IC2 の可動接片
23と抵抗R1 との接続点aは、演算増幅器IC6 、演
算増幅器IC7 の反転入力端にそれぞれ接続されてい
る。
On the other hand, the connection point a between the movable contact piece S 23 of the switch circuit IC 2 and the resistor R 1 is connected to the inverting input terminals of the operational amplifier IC 6 and the operational amplifier IC 7 , respectively.

【0027】上記演算増幅器IC6 の非反転入力端は、
電源VEEと接地間に接続された抵抗R6 ,R7 ,R8
うち、抵抗R6 と抵抗R7 との接続点に接続されてい
る。また、前記演算増幅器IC7 の非反転入力端は、上
記抵抗R7 と抵抗R8 との接続点に接続されている。
The non-inverting input terminal of the operational amplifier IC 6 is
Of the resistors R 6 , R 7 , and R 8 connected between the power source V EE and the ground, they are connected to the connection point between the resistors R 6 and R 7 . The non-inverting input terminal of the operational amplifier IC 7 is connected to the connection point between the resistors R 7 and R 8 .

【0028】これら演算増幅器IC6 ,IC7 は、それ
ぞれ上記抵抗R6 〜R8 によって基準電圧が設定される
ようになっている。すなわち、設定された基準電圧と前
記接続点aにおける電圧とに応じて、演算増幅器IC6
からはアラーム信号が、また演算増幅器IC7 からはレ
ディ信号が、それぞれCPU23に対して出力される。
上記構成において、通常時には、図2に示す如く、スイ
ッチ回路IC2 はCPU23の制御によって可動接片S
23が固定接点S21に接続される。また、スイッチ回路I
4 はCPU23の制御によって、たとえば記録情報に
対応する記録信号に応じて可動接片S43が固定接点S41
に接続される。このため、演算増幅器IC5 を介してレ
−ザ駆動回路142のトランジスタQ1がオン状態とさ
れ、半導体レーザ9は所定出力で発光される。
A reference voltage is set for each of the operational amplifiers IC 6 and IC 7 by the resistors R 6 to R 8 . That is, according to the set reference voltage and the voltage at the connection point a, the operational amplifier IC 6
From the operational amplifier IC 7 and a ready signal from the operational amplifier IC 7 to the CPU 23.
In the above structure, normally, as shown in FIG. 2, the switch circuit IC 2 controls the movable contact piece S by the control of the CPU 23.
23 is connected to the fixed contact S 21 . In addition, the switch circuit I
C 4 is the control of the CPU 23, the movable contact piece S 43 is the fixed contact S 41 for example in response to a recording signal corresponding to recording information
Connected to. Therefore, the transistor Q1 of the laser drive circuit 142 is turned on via the operational amplifier IC 5 , and the semiconductor laser 9 emits light with a predetermined output.

【0029】この半導体レーザ9により発光されたレー
ザ光は、光ディスク1に照射されて記録情報の記録また
は再生に寄与するとともに、受光素子PDによって検知
される。すなわち、半導体レーザ9が発光されると、そ
の発光量に応じて受光素子PDに光電流が流れる。この
光電流をiM とすると、前記スイッチ回路IC2 の可動
接片S23と抵抗R1 との接続点aには、−IM Rfの電
圧が現われる。これにより、演算増幅器IC3 の出力端
とスイッチ回路IC4 の固定接点S41との接続点bの電
圧は、 IM Rf−(−ES2)=IM Rf+ES2 となる。
The laser light emitted by the semiconductor laser 9 is applied to the optical disc 1 to contribute to the recording or reproduction of the record information, and is detected by the light receiving element PD. That is, when the semiconductor laser 9 emits light, a photocurrent flows through the light receiving element PD according to the amount of emitted light. If this photocurrent is i M , a voltage of −I M Rf appears at the connection point a between the movable contact piece S 23 of the switch circuit IC 2 and the resistor R 1 . Thus, the voltage at the connection point b between the output terminal and the switch circuit fixed contact S 41 of IC 4 of the operational amplifier IC 3 is, I M Rf - a - (E S2) = I M Rf + E S2.

【0030】したがって、半導体レーザ9には、レーザ
駆動回路142を介して、上記電圧IM Rf+ES2に対
応するレーザ電流制御信号によるレーザ電流iL が流
れ、このレーザ電流iL により半導体レーザ9が発光制
御される。但し、実際には後述するレーザ駆動回路14
2によってレーザ電流iL には高周波電流が重畳される
ことになる。ここで、半導体レーザ9の光量が低下する
と、受光素子PDに流れる光電流iM が減少される。こ
のため、上記接続点aにおける電圧(IM Rf+ES2
が下降される。この場合、演算増幅器IC5 は反転アン
プである。したがって、半導体レーザ9に対するレーザ
電流制御信号はレーザ電流iL を逆に増加する方向にな
されるので、半導体レーザ9の発光強度が増加される。
また、半導体レーザ9の発光強度が増加した場合には、
逆に、受光素子PDの光電流iM が増大し、接続点aの
電圧(IM Rf+ES2)が上昇する。したがってレーザ
電流制御信号はレーザ電流iL を減少する方向になされ
るので、半導体レーザ9の発光強度が低下される。
[0030] Thus, the semiconductor laser 9, via the laser drive circuit 142, the voltage I M Rf + laser current i L flows by laser current control signal corresponding to the E S2, the semiconductor laser 9 by the laser current i L is The emission is controlled. However, in practice, the laser drive circuit 14 described later
2, the high frequency current is superimposed on the laser current i L. Here, when the light amount of the semiconductor laser 9 decreases, the photocurrent i M flowing through the light receiving element PD decreases. Therefore, the voltage at the connection point a (I M Rf + E S2 )
Is lowered. In this case, the operational amplifier IC 5 is an inverting amplifier. Therefore, the laser current control signal for the semiconductor laser 9 is directed to increase the laser current i L in reverse, so that the emission intensity of the semiconductor laser 9 is increased.
When the emission intensity of the semiconductor laser 9 increases,
On the contrary, the photocurrent i M of the light receiving element PD increases and the voltage (I M Rf + E S2 ) at the connection point a increases. Therefore, since the laser current control signal is directed to decrease the laser current i L , the emission intensity of the semiconductor laser 9 is reduced.

【0031】このように、レーザ制御回路141では、
受光素子PDの出力に応じて負帰還制御をかけることに
よって、たとえば半導体レーザ9の光量が低下された場
合には、その光量を増加させ、また半導体レーザ9の光
量が増加された場合には、その光量を低下させて、半導
体レーザ9の発光量が一定となるようなレーザ電流制御
信号を出力している。
As described above, in the laser control circuit 141,
By performing negative feedback control according to the output of the light receiving element PD, for example, when the light amount of the semiconductor laser 9 is decreased, the light amount is increased, and when the light amount of the semiconductor laser 9 is increased, The amount of light is reduced to output a laser current control signal that makes the amount of light emitted from the semiconductor laser 9 constant.

【0032】一方、調整時には、スイッチ回路IC2
CPU23の制御によって可動接片S23が固定接点S22
に接続され、スイッチ回路IC4 はCPU23の制御に
よって可動接片S43が固定接点S41に接続される。この
状態において、電源−ES2を調整することにより、半導
体レーザ9が規定の光量にて発光されるようにする。こ
れにより、半導体レーザ9の発光しきい値に対する調整
が行われる。
On the other hand, at the time of adjustment, in the switch circuit IC 2 , the movable contact S 23 of the switch circuit IC 2 is controlled by the CPU 23 and the fixed contact S 22.
In the switch circuit IC 4 , the movable contact piece S 43 is connected to the fixed contact S 41 under the control of the CPU 23. In this state, the power source -E S2 is adjusted so that the semiconductor laser 9 emits light with a specified light amount. Thereby, the emission threshold of the semiconductor laser 9 is adjusted.

【0033】次いで、可変抵抗Rfを調整して、演算増
幅器IC1 の出力端とスイッチ回路IC2 の固定接点S
21との接続点cにおける電圧が、上記電源−ES1の電圧
(疑似モニタ信号)と同一となるようにする。これによ
り、受光素子PDの光電流に対する調整が行われる。そ
して、上記調整を行った後に、スイッチ回路IC2 の可
動接片S23をCPU23の制御によって固定接点S21
に切換える。これにより、系が正常に動作されるように
なり、半導体レーザ9の規定光量に対する接続点aの電
圧は−ES1に設定される。
Then, the variable resistor Rf is adjusted to adjust the output end of the operational amplifier IC 1 and the fixed contact S of the switch circuit IC 2.
Voltage at the connection point c between 21 to be the same as the voltage of the power source -E S1 (pseudo monitor signal). Thereby, the photocurrent of the light receiving element PD is adjusted. Then, after the adjustment, switching to the fixed contact S 21 side movable contact piece S 23 of the switching circuit IC 2 by the control of the CPU 23. Thus, the system is to be operating normally, the voltage of the connection point a relative specific light amount of the semiconductor laser 9 is set to -E S1.

【0034】このように、電源−ES2と可変抵抗Rfと
を個々に調整することにより、半導体レーザ9の発光し
きい値と受光素子PDの光電流とが持つ3〜5倍のばら
つきを独立して補正することができる。これにより、接
続点aの電圧を、半導体レーザ9の発光量に対して正確
に対応させることが可能となる。したがって、レディ信
号の検出値を正常値の約80%、アラーム信号の検出値
を正常値の約150%まで高めることができるものであ
る。
[0034] Thus, by adjusting the power -E S2 and a variable resistor Rf individually, independently 3-5 fold variation in with the photocurrent of the light-emitting threshold and the light receiving element PD of the semiconductor laser 9 Can be corrected. As a result, the voltage at the connection point a can be accurately made to correspond to the light emission amount of the semiconductor laser 9. Therefore, the detected value of the ready signal can be increased to about 80% of the normal value, and the detected value of the alarm signal can be increased to about 150% of the normal value.

【0035】このため、半導体レーザ9の異常発光に起
因する種々のトラブル、たとえば過剰出力の発光により
光ディスク1の記録膜(図示しない)を破損するなどの
可能性を、高い精度により回避できるようになる。
Therefore, various troubles caused by abnormal light emission of the semiconductor laser 9, for example, possibility of damaging a recording film (not shown) of the optical disk 1 due to excessive output light emission can be avoided with high accuracy. Become.

【0036】また、疑似モニタ信号(−ES1)との切換
えにより、半導体レーザ9の発光しきい値および発光素
子PDの光電流のばらつきを容易に調整することが可能
であり、よって接続点aの電圧を正確、かつ速やかに設
定することができる。
Further, by switching to the pseudo monitor signal (-E S1 ), it is possible to easily adjust the variation of the light emission threshold of the semiconductor laser 9 and the photocurrent of the light emitting element PD, and thus the connection point a. The voltage of can be set accurately and quickly.

【0037】したがって、例えば受光素子PDの光電流
のゲインを上げると半導体レーザ9の出力が低下される
など、1つの系の中で独立でない半導体レーザ9の発光
しきい値と受光素子PDの光電流とを個々に調整した際
に起こる種々の問題点を解決し、これらの調整を容易な
ものとすることができる。次に、本発明の要部としての
レーザ駆動回路142について図3により説明する。
Therefore, for example, when the gain of the photocurrent of the light receiving element PD is increased, the output of the semiconductor laser 9 is decreased, and the light emission threshold of the semiconductor laser 9 and the light of the light receiving element PD which are not independent in one system. It is possible to solve various problems that occur when the electric current and the electric current are individually adjusted, and to make these adjustments easy. Next, the laser drive circuit 142 as an essential part of the present invention will be described with reference to FIG.

【0038】図3において、上述したようなレーザ制御
回路141からのレーザ電流制御信号を受けてそれに対
応するレーザ電流iL に高周波電流を重畳して半導体レ
ーザ9を駆動するレーザ駆動回路142は、上記レーザ
制御回路141の出力端にベースが接続されたトランジ
スタQ1を含んでいる。
In FIG. 3, the laser drive circuit 142 for driving the semiconductor laser 9 by receiving the laser current control signal from the laser control circuit 141 as described above and superposing the high frequency current on the corresponding laser current i L , The output terminal of the laser control circuit 141 includes a transistor Q1 whose base is connected.

【0039】このトランジスタQ1のコレクタは半導体
レーザ9のカソードに接続されると共に、コンデンサC
11を介してトランジスタQ2のコレクタに接続されて
いる。また、トランジスタQ1のエミッタは抵抗R11
を介して接地されると共に、抵抗R12を介してトラン
ジスタQ3のベースに接続されている。前記トランジス
タQ2は、そのエミッタが接地されると共に、そのコレ
クタがインダクタンスL11を介して電源VCCに接続さ
れている。前記トランジスタQ3は、そのエミッタが接
地されると共に、そのコレクタがトランジスタQ2のベ
ースに接続されている。
The collector of the transistor Q1 is connected to the cathode of the semiconductor laser 9 and the capacitor C
It is connected via 11 to the collector of the transistor Q2. The emitter of the transistor Q1 is a resistor R11.
It is connected to the base of the transistor Q3 via a resistor R12 while being grounded via. The emitter of the transistor Q2 is grounded, and the collector thereof is connected to the power supply V CC through the inductance L11. The transistor Q3 has its emitter grounded and its collector connected to the base of the transistor Q2.

【0040】また、前記トランジスタQ3のコレクタは
抵抗R13を介して電源VCCに接続されると共に、コン
デンサC11を介して高周波発振器RF OSCの出力
端に接続されてる。
The collector of the transistor Q3 is connected to the power supply V CC via the resistor R13 and is also connected to the output terminal of the high frequency oscillator RF OSC via the capacitor C11.

【0041】而して、以上の構成においてトランジスタ
Q1のベースにレーザ電流制御信号が供給されると、そ
れに応じたレーザ駆動電流ia (前述したレーザ電流I
L に相当する)が定まると共に、該トランジスタQ1の
エミッタ電位Vは上記レーザ駆動電流ia に応じた値と
なる。そして、高周波発振器RF OSCの出力はトラ
ンジスタQ2によって増幅された高周波電流ic として
上記レーザ駆動電流ia に重畳される。今、レーザ制御
回路141からのレーザ電流制御信号が半導体レーザ9
を低パワーで発光させるレベルにあるとする。
When the laser current control signal is supplied to the base of the transistor Q1 in the above configuration, the laser drive current i a (the laser current I described above) corresponding thereto is supplied.
( Corresponding to L ) is determined, and the emitter potential V of the transistor Q1 becomes a value corresponding to the laser drive current i a . The output of the high frequency oscillator RF OSC is superimposed on the laser drive current i a as the high frequency current i c amplified by the transistor Q2. Now, the laser current control signal from the laser control circuit 141 is transmitted to the semiconductor laser 9
Is at a level to emit light with low power.

【0042】このとき、トランジスタQ1のエミッタ電
位Vが低下するために、トランジスタQ3のコレクタ電
流が減少してトランジスタQ2のベース電流が増加する
ことになる。つまり、このときはトランジスタQ2の増
幅率が上がるために、高周波電流ic の振幅が増加す
る。
At this time, since the emitter potential V of the transistor Q1 drops, the collector current of the transistor Q3 decreases and the base current of the transistor Q2 increases. That is, at this time, since the amplification factor of the transistor Q2 is increased, the amplitude of the high frequency current i c is increased.

【0043】すなわち、このときは図4に示すレーザ特
性図において、レーザ電流はaを中心としてそれに高周
波電流Cが重畳されたものとなるので、レーザ発光強度
は低パワーレベルにあるa′を中心とした振幅C1でも
って与えられるようになる。なお、この低パワーレベル
の発光時における記録再生の信号ノイズ発生は高周波重
畳によって改善されたものとなっている。次に、レーザ
制御回路141からのレーザ電流制御信号が半導体レー
ザ9を高パワーで発光させるレベルにあるとする。
That is, at this time, in the laser characteristic diagram shown in FIG. 4, since the laser current is centered on a and the high frequency current C is superimposed on it, the laser emission intensity is centered on a'at a low power level. Is given by the amplitude C1. It should be noted that the generation of signal noise during recording and reproduction during light emission at a low power level is improved by superposition of high frequencies. Next, it is assumed that the laser current control signal from the laser control circuit 141 is at a level at which the semiconductor laser 9 emits light with high power.

【0044】このとき、トランジスタQ1のエミッタ電
位Vが上昇するために、トランジスタQ3のコレクタ電
流が増加してトランジスタQ2のベース電流が減少する
ことになる。つまり、このときはトランジスタQ2の増
幅率が下がるために、高周波電流ic の振幅が減少す
る。
At this time, since the emitter potential V of the transistor Q1 rises, the collector current of the transistor Q3 increases and the base current of the transistor Q2 decreases. That is, at this time, since the amplification factor of the transistor Q2 is lowered, the amplitude of the high frequency current i c is reduced.

【0045】すなわち、このときは図4に示すレーザ特
性図において、レーザ電流はbを中心としてそれに高周
波電流dが重畳されたものとなるので、レーザ発光強度
は低パワーレベルにあるb′を中心とした振幅d1でも
って与えられるようになる。なお、この高パワーレベル
の発光時における記録再生の信号ノイズは図4に示す如
く比較的小さな値となっている。
That is, at this time, in the laser characteristic diagram shown in FIG. 4, since the laser current is centered on b and the high frequency current d is superposed on it, the laser emission intensity is centered on b'at a low power level. Is given by the amplitude d1. It should be noted that the signal noise of recording and reproduction at the time of light emission of this high power level has a relatively small value as shown in FIG.

【0046】以上のように、本発明のレーザ駆動回路1
41は、レーザを規定の発光量で発光させるために検出
すべきレーザ電流に対応したレーザ電流制御信号に従っ
て高周波発振器RF OSCからの高周波出力の振幅を
変化させている。つまり、低パワー発光時には、高周波
電流ic の重畳量が多くなって半導体レーザ9の発光動
作が安定し、且つノイズ発生を抑制することができる。
As described above, the laser drive circuit 1 of the present invention
Reference numeral 41 changes the amplitude of the high frequency output from the high frequency oscillator RF OSC according to the laser current control signal corresponding to the laser current to be detected in order to cause the laser to emit a prescribed amount of light. That is, at the time of low-power light emission, the amount of superposition of the high-frequency current i c increases, the light emitting operation of the semiconductor laser 9 becomes stable, and noise generation can be suppressed.

【0047】また、高パワー発光時には、高周波電流i
c の重畳量が少なくなるため、半導体レーザの最大出力
定格を越えることがないので、寿命を確保することがで
きる。なお、この発明は、上記実施例に限定されるもの
ではなく、この発明の要旨を変えない範囲において、種
々変形実施可能なことは勿論である。
Further, at the time of high power emission, the high frequency current i
Since the amount of superposition of c is reduced, the maximum output rating of the semiconductor laser is not exceeded, and the life can be secured. The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0048】[0048]

【発明の効果】従って、以上詳述したように本発明によ
れば、戻り光等に起因するノイズを除去するために高周
波電流を重畳してLDを駆動力する際に、LDの発光強
度に応じて高周波重畳電流を適切な振幅となるように制
御することにより、LDの寿命を確保すると共に、記録
再生信号の安定化に寄与し得るように改良した半導体レ
ーザ駆動制御装置を提供することが可能となる。
As described above, according to the present invention, when the LD is driven by superimposing a high frequency current in order to remove the noise caused by the returning light or the like, the emission intensity of the LD is reduced. Accordingly, by controlling the high-frequency superimposed current so as to have an appropriate amplitude, it is possible to provide a semiconductor laser drive control device improved so as to secure the life of the LD and contribute to the stabilization of the recording / reproducing signal. It will be possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例を示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1の一部の詳細図。FIG. 2 is a detailed view of a part of FIG.

【図3】図1の一部の詳細図。FIG. 3 is a detailed view of a part of FIG.

【図4】本発明の動作と効果を従来との対応において示
す特性図。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing an operation and an effect of the present invention in correspondence with a conventional one.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…光ディスク、3…光学ヘッド、9…半導体レーザ、
141…レーザ制御回路、142…レーザ駆動回路、I
1 ,IC3 ,IC5 ,IC6 ,IC7 …演算増幅器、
IC2 ,IC4 …スイッチ回路、PD…受光素子、Rf
…可変抵抗、−ES2…電源、TR,Q1,Q2,Q3…
トランジスタ、RF OSC…高周波発振器、R11,
R12,R13…抵抗、C11,C12…コンデンサ、
L11…インダクタンス、VCC…電源。
1 ... Optical disc, 3 ... Optical head, 9 ... Semiconductor laser,
141 ... Laser control circuit, 142 ... Laser drive circuit, I
C 1 , IC 3 , IC 5 , IC 6 , IC 7 ... Operational amplifier,
IC 2 , IC 4 ... switch circuit, PD ... light receiving element, Rf
... variable resistance, -E S2 ... power, TR, Q1, Q2, Q3 ...
Transistor, RF OSC ... High frequency oscillator, R11,
R12, R13 ... resistors, C11, C12 ... capacitors,
L11 ... Inductance, Vcc ... Power supply.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の高周波信号を出力する高周波手段
と、 所定の対象物にレーザ光を照射する半導体レーザと、 前記半導体レーザからのレーザ光に対応したレーザ電流
制御信号を生成するレーザ制御手段と、 前記レーザ制御手段からのレーザ電流制御信号に従って
上記半導体レーザに供給するレーザ電流を設定すると共
に、上記高周波手段からの高周波出力を可変して前記設
定されたレーザ電流に重畳するレーザ駆動手段とを具備
してなることを特徴とする半導体レーザ駆動制御装置。
1. A high-frequency means for outputting a predetermined high-frequency signal, a semiconductor laser for irradiating a predetermined object with laser light, and a laser control means for generating a laser current control signal corresponding to the laser light from the semiconductor laser. And a laser drive means for setting a laser current to be supplied to the semiconductor laser according to a laser current control signal from the laser control means and varying a high frequency output from the high frequency means to superimpose on the set laser current. A semiconductor laser drive control device comprising:
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Cited By (1)

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WO2004038711A1 (en) * 2002-10-28 2004-05-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser driver, optical head device, optical information processor, and optical record medium

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US7406012B2 (en) 2002-10-28 2008-07-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser driving device, optical head device, optical information processing device, and optical recording medium

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