JPH0627156A - Voltage detection circuit - Google Patents
Voltage detection circuitInfo
- Publication number
- JPH0627156A JPH0627156A JP4184206A JP18420692A JPH0627156A JP H0627156 A JPH0627156 A JP H0627156A JP 4184206 A JP4184206 A JP 4184206A JP 18420692 A JP18420692 A JP 18420692A JP H0627156 A JPH0627156 A JP H0627156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- transistor
- npn transistor
- voltage
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、被検出電圧が所定の
電圧に達したことを検出して検出信号を出力する電圧検
出回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage detection circuit for detecting that a detected voltage has reached a predetermined voltage and outputting a detection signal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の代表的な電圧検出回路
が、図４に示されている。2. Description of the Related Art A typical conventional voltage detecting circuit of this type is shown in FIG.
【０００３】図４において、(11)は被検出電圧が加えら
れる被検出電圧入力端子、(R11) は抵抗値６０ＫΩの第
１抵抗、(R12) は抵抗値６０ＫΩの第２抵抗、(R13) は
抵抗値６ＫΩの第３抵抗、(Q11) は第１ＮＰＮトランジ
スタ、(Q12) は第２ＮＰＮトランジスタ、(Q13) は第３
ＮＰＮトランジスタ、(12)は検出信号出力端子である。
入力端子(11)に、第１抵抗(R11) および第２抵抗(R12)
の一端が接続されている。第１抵抗(R11) の他端に、第
１トランジスタ(Q11) のベースおよびコレクタならびに
第２トランジスタ(Q12) のベースが接続されている。第
２抵抗(R12) の他端に、第２トランジスタ(Q12) のコレ
クタおよび第３トランジスタ(Q13) のベースが接続され
ている。第２トランジスタ(Q12) のエミッタに第３抵抗
(R13) の一端が接続され、第３抵抗(R13) の他端は接地
されている。第１トランジスタ(Q11) および第３トラン
ジスタ(Q13) のエミッタは、接地されている。そして、
第３トランジスタ(Q13) のコレクタが出力端子(12)に接
続されている。なお、第２トランジスタ(Q12) は、第１
および第３トランジスタ(Q11)(Q13)と同じものが１０個
並列接続されたものである。In FIG. 4, (11) is a detected voltage input terminal to which a detected voltage is applied, (R11) is a first resistor having a resistance value of 60 KΩ, (R12) is a second resistor having a resistance value of 60 KΩ, and (R13). Is a third resistor having a resistance value of 6 KΩ, (Q11) is a first NPN transistor, (Q12) is a second NPN transistor, and (Q13) is a third resistor.
An NPN transistor (12) is a detection signal output terminal.
The input terminal (11) has a first resistor (R11) and a second resistor (R12)
One end of is connected. The base and collector of the first transistor (Q11) and the base of the second transistor (Q12) are connected to the other end of the first resistor (R11). The collector of the second transistor (Q12) and the base of the third transistor (Q13) are connected to the other end of the second resistor (R12). A third resistor is connected to the emitter of the second transistor (Q12)
One end of (R13) is connected, and the other end of the third resistor (R13) is grounded. The emitters of the first transistor (Q11) and the third transistor (Q13) are grounded. And
The collector of the third transistor (Q13) is connected to the output terminal (12). The second transistor (Q12) is the first
And the same ten third transistors (Q11) and (Q13) are connected in parallel.
【０００４】被検出電圧をＶccとすると、Ｖccが低い間
は、第２トランジスタ(Q12) のコレクタ電流Ｉ11がエミ
ッタ電流Ｉ12より小さく、第３トランジスタ(Q13) はオ
フになっている。Ｖccが高くなって所定の電圧値（検出
電圧点）になると、Ｉ11がＩ12より大きくなり、これに
より第３トランジスタ(Q13) がオンになって、出力端子
(12)から検出信号が出力される。Assuming that the detected voltage is Vcc, the collector current I11 of the second transistor (Q12) is smaller than the emitter current I12 and the third transistor (Q13) is off while Vcc is low. When Vcc becomes high and reaches a predetermined voltage value (detection voltage point), I11 becomes larger than I12, which turns on the third transistor (Q13) and the output terminal
The detection signal is output from (12).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の電圧検出
回路では、次に説明するように、第２抵抗(R12) の抵抗
値にばらつきがあると、検出電圧点の変動が大きくな
り、検出精度が悪化するという問題がある。In the conventional voltage detection circuit described above, if the resistance value of the second resistor (R12) varies, the fluctuation of the detection voltage point becomes large, as will be described below. There is a problem that the accuracy deteriorates.
【０００６】第３トランジスタ(Q13) のベース・エミッ
タ間電圧をＶBEとした場合の（Ｖcc−ＶBE）とＩ11およ
びＩ12との関係が、図５に示されている。FIG. 5 shows the relationship between (Vcc-VBE) and I11 and I12 when the base-emitter voltage of the third transistor (Q13) is VBE.
【０００７】図５において、Ｉ11とＩ12の交差する点が
検出信号の切り替わり点すなわち検出電圧点である。図
４のような電圧検出回路においては、第２抵抗(R12) の
抵抗値がばらつくと、Ｉ11にばらつきが生じる。図５に
は、第２抵抗(R12) の抵抗値が設計値（６０ＫΩ）の場
合、設計値より１０％小さい５４ＫΩの場合および設計
値より１０％大きい６６ＫΩの場合の３つの場合につい
て、Ｉ11を示している。Ｉ11は、右上がりの直線となっ
ている。Ｉ11とＩ12の交差点すなわち検出電圧点近傍に
おいて、Ｉ12は水平に近い右上がりの状態になってい
る。このため、図５に示す第２抵抗(R12) の抵抗値が６
６ＫΩのときの検出電圧点Ｖ11と５４ＫΩのときの検出
電圧点Ｖ12との差からも明らかなように、Ｉ11がばらつ
いたときのＩ11とＩ12の交差点の（ＶCC−ＶBE）の値の
変動、すなわち検出電圧点の変動が大きくなる。In FIG. 5, the intersection of I11 and I12 is the detection signal switching point, that is, the detection voltage point. In the voltage detection circuit as shown in FIG. 4, when the resistance value of the second resistor (R12) varies, I11 also varies. In FIG. 5, I11 is shown for three cases where the resistance value of the second resistor (R12) is the design value (60 KΩ), 54 KΩ which is 10% smaller than the design value, and 66 KΩ which is 10% larger than the design value. Shows. I11 is a straight line rising to the right. At the intersection of I11 and I12, that is, in the vicinity of the detection voltage point, I12 is in a state of rising to the right, which is almost horizontal. Therefore, the resistance value of the second resistor (R12) shown in FIG.
As is apparent from the difference between the detected voltage point V11 at 6 KΩ and the detected voltage point V12 at 54 KΩ, the variation of the value of (VCC-VBE) at the intersection of I11 and I12 when I11 varies, that is, The fluctuation of the detection voltage point becomes large.
【０００８】この発明の目的は、上記の問題を解決し、
内部の抵抗の抵抗値がばらついても検出電圧点の変動が
小さく、検出精度の高い電圧検出回路を提供することに
ある。The object of the present invention is to solve the above problems,
An object of the present invention is to provide a voltage detection circuit with high detection accuracy, in which the fluctuation of the detection voltage point is small even if the resistance value of the internal resistance varies.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明による電圧検出
回路は、被検出電圧入力端子に第１抵抗と第２抵抗の一
端が接続され、第１抵抗の他端に第３抵抗の一端と第１
ＮＰＮトランジスタのベースが接続され、第２抵抗の他
端に第２ＮＰＮトランジスタのコレクタと第３ＮＰＮト
ランジスタのベースが接続され、第３抵抗の他端に第１
ＮＰＮトランジスタのコレクタと第２ＮＰＮトランジス
タのベースが接続され、第１、第２および第３ＮＰＮト
ランジスタのエミッタが接地され、第３ＮＰＮトランジ
スタのコレクタが検出信号出力端子に接続されているも
のである。According to the voltage detecting circuit of the present invention, one end of a first resistor and a second resistor is connected to a detected voltage input terminal, and one end of a third resistor is connected to the other end of the first resistor. 1
The base of the NPN transistor is connected, the collector of the second NPN transistor and the base of the third NPN transistor are connected to the other end of the second resistor, and the first end is connected to the other end of the third resistor.
The collector of the NPN transistor and the base of the second NPN transistor are connected, the emitters of the first, second and third NPN transistors are grounded, and the collector of the third NPN transistor is connected to the detection signal output terminal.
【００１０】[0010]
【作用】被検出電圧入力端子、検出信号出力端子、第
１、第２および第３抵抗、ならびに第１、第２および第
３ＮＰＮトランジスタが、上記のように接続されている
ので、各抵抗の抵抗値を適当に選ぶことにより、右上が
りの直線である第２ＮＰＮトランジスタのコレクタ電流
Ｉ1 と第２ＮＰＮトランジスタのエミッタ電流Ｉ2の右
下がりになった部分とが交差するようになり、Ｉ1 とＩ
2 の交差する角度が直角に近くなる。このため、第２抵
抗の抵抗値がばらついて、Ｉ1 が変動しても、Ｉ1 とＩ
2 の交差点における被検出電圧すなわち検出電圧点のば
らつきは小さくなる。Since the detected voltage input terminal, the detection signal output terminal, the first, second and third resistors and the first, second and third NPN transistors are connected as described above, the resistance of each resistor is increased. By appropriately selecting the value, the collector current I1 of the second NPN transistor, which is a straight line rising to the right, and the portion of the emitter current I2 of the second NPN transistor, which has decreased to the right, intersect and I1 and I
The angle at which 2 intersects becomes close to a right angle. Therefore, even if the resistance value of the second resistor fluctuates and I1 fluctuates, I1 and I
The variation of the detected voltage at the intersection of 2, that is, the detected voltage point becomes small.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例に
ついて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１２】図１は、この発明の第１実施例を示す電圧
検出回路の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a voltage detection circuit showing a first embodiment of the present invention.
【００１３】図１において、(1) は被検出電圧入力端
子、(R1)はたとえば抵抗値６ＫΩの第１抵抗、(R2)はた
とえば抵抗値６０ＫΩの第２抵抗、(R3)はたとえば抵抗
値０．６ＫΩの第３抵抗、(Q1)は第１ＮＰＮトランジス
タ、(Q2)は第２ＮＰＮトランジスタ、(Q3)は第３ＮＰＮ
トランジスタ、(2) は検出信号出力端子である。入力端
子(1) に、第１抵抗(R1)および第２抵抗(R2)の一端が接
続されている。第１抵抗(R1)の他端に、第３抵抗(R3)の
一端と第１トランジスタ(Q1)のベースが接続されてい
る。第２抵抗(R2)の他端に、第２トランジスタ(Q2)のコ
レクタおよび第３トランジスタ(Q3)のベースが接続され
ている。第３抵抗(R3)の他端に、第１トランジスタ(Q1)
のコレクタおよび第２トランジスタ(Q2)のベースが接続
されている。第１、第２および第３トランジスタ(Q1)(Q
2)(Q3)のエミッタが、接地されている。そして、第３ト
ランジスタ(Q3)のコレクタが、出力端子(2) に接続され
ている。In FIG. 1, (1) is a detected voltage input terminal, (R1) is a first resistor having a resistance value of 6 KΩ, (R2) is a second resistor having a resistance value of 60 KΩ, and (R3) is a resistance value. A third resistor of 0.6 KΩ, (Q1) is a first NPN transistor, (Q2) is a second NPN transistor, and (Q3) is a third NPN transistor.
Transistor (2) is the detection signal output terminal. One end of the first resistor (R1) and the second resistor (R2) is connected to the input terminal (1). The other end of the first resistor (R1) is connected to one end of the third resistor (R3) and the base of the first transistor (Q1). The collector of the second transistor (Q2) and the base of the third transistor (Q3) are connected to the other end of the second resistor (R2). At the other end of the third resistor (R3), the first transistor (Q1)
And the base of the second transistor (Q2) are connected. First, second and third transistors (Q1) (Q
2) The emitter of (Q3) is grounded. The collector of the third transistor (Q3) is connected to the output terminal (2).
【００１４】この場合も、被検出電圧Ｖccが低い間は、
第２トランジスタ(Q2)のコレクタ電流Ｉ1 がエミッタ電
流Ｉ2 より小さく、第３トランジスタ(Q3)はオフになっ
ている。Ｖccが高くなって検出電圧点になると、Ｉ1 が
Ｉ2 より大きくなり、これにより第３トランジスタ(Q3)
がオンになる。Also in this case, while the detected voltage Vcc is low,
The collector current I1 of the second transistor (Q2) is smaller than the emitter current I2 and the third transistor (Q3) is off. When Vcc rises to the detection voltage point, I1 becomes larger than I2, which causes the third transistor (Q3)
Turns on.
【００１５】第３トランジスタ(Q3)のベース・エミッタ
間電圧をＶBEとした場合の（Ｖcc−ＶBE）とＩ1 および
Ｉ2 との関係が、図２に示されている。FIG. 2 shows the relationship between (Vcc-VBE) and I1 and I2 when the base-emitter voltage of the third transistor (Q3) is VBE.
【００１６】この場合も、Ｉ1 とＩ2 の交差する点が検
出電圧点である。図２にも、第２抵抗(R2)の抵抗値が設
計値（６０ＫΩ）の場合、５４ＫΩの場合および６６Ｋ
Ωの場合の３つの場合について、Ｉ1 を示している。こ
の場合は、図２から明らかなように、Ｉ2 の右下がりに
なった部分と右上がりの直線であるＩ1 とが交差し、Ｉ
1 とＩ2 の交差する角度が直角に近くなる。このため、
図２に示す第２抵抗(R2)の抵抗値が６６ＫΩのときの検
出電圧点Ｖ1 と５４ＫΩのときの検出電圧点Ｖ2 との差
からも明らかなように、Ｉ1 がばらついたときのＩ1 と
Ｉ2 の交差点の（ＶCC−ＶBE）の値の変動、すなわち検
出電圧点の変動が小さくなる。Also in this case, the point where I1 and I2 intersect is the detection voltage point. Also in FIG. 2, when the resistance value of the second resistor (R2) is the designed value (60 KΩ), 54 KΩ and 66 KΩ
I1 is shown for three cases of Ω. In this case, as is apparent from FIG. 2, the part of I2 that is falling to the right and the straight line I1 that is rising to the right intersect, and
The angle at which 1 and I2 intersect becomes almost right. For this reason,
As is apparent from the difference between the detection voltage point V1 when the resistance value of the second resistor (R2) is 66 KΩ and the detection voltage point V2 when the resistance value is 54 KΩ shown in FIG. 2, I1 and I2 when I1 varies. The fluctuation of the value of (VCC-VBE) at the intersection of, that is, the fluctuation of the detected voltage point becomes small.
【００１７】上記の電圧検出回路において、第３抵抗(R
3)の抵抗値Ｒ3 （＝０．６ＫΩ）が第１抵抗(R1)の抵抗
値Ｒ1 （＝６ＫΩ）の１／１０であるから、電流Ｉ2 は
次の式で表わされる。In the above voltage detection circuit, the third resistor (R
Since the resistance value R3 (= 0.6 KΩ) of 3) is 1/10 of the resistance value R1 (= 6 KΩ) of the first resistance (R1), the current I2 is expressed by the following equation.
【００１８】Ｉ2 ＝〔（Ｖcc−ＶBE）／Ｒ1 〕ｅｘｐ
〔−０．１（Ｖcc−ＶBE）／（ＫＴ／ｑ）〕 ＫＴ／ｑは定数（＝２６ｍＶ）であり、これと抵抗値Ｒ
1 を上記の式に代入すると、（Ｖcc−ＶBE）とＩ2 との
関係が図２のようになる。このように、各抵抗(R1)(R2)
(R3)の抵抗値を適当に選ぶことにより、Ｉ1 およびＩ2
が図２のようになり、Ｉ2 の右下がりになった部分と右
上がりの直線であるＩ1 とが交差して、Ｉ1 とＩ2 の交
差する角度が直角に近くなる。I2 = [(Vcc-VBE) / R1] exp
[-0.1 (Vcc-VBE) / (KT / q)] KT / q is a constant (= 26 mV), and this and the resistance value R
Substituting 1 into the above equation, the relationship between (Vcc-VBE) and I2 is as shown in FIG. In this way, each resistor (R1) (R2)
By properly selecting the resistance value of (R3), I1 and I2
2 becomes as shown in FIG. 2, and the part of I2 that is falling to the right intersects with the straight line I1 that is rising to the right, and the angle at which I1 and I2 intersect is close to a right angle.
【００１９】また、上記の電圧検出回路において、検出
電圧点をＶcco とすると、これは次の式で表わされる。Further, in the above voltage detecting circuit, when the detected voltage point is Vcco, this is expressed by the following equation.
【００２０】Ｖcco ＝ＶBE＋１０（ＫＴ／ｑ）ｌｎ１０ この式において、ＶBEの温度係数および１０（ＫＴ／
ｑ）ｌｎ１０の温度係数は一般にトランジスタの特性値
として一定値になり、前者は−２ｍＶ／℃、後者は２ｍ
Ｖ／℃である。このため、Ｖcco の温度係数は０にな
り、検出電圧点は温度変化に対しても安定である。Vcco = VBE + 10 (KT / q) ln10 In this equation, the temperature coefficient of VBE and 10 (KT / q
q) The temperature coefficient of ln10 is generally a constant value as a transistor characteristic value, the former is -2 mV / ° C, and the latter is 2 m.
V / ° C. Therefore, the temperature coefficient of Vcco becomes 0, and the detected voltage point is stable even with temperature changes.
【００２１】図３は、この発明の第２実施例を示す電圧
検出回路の回路図である。なお、第２実施例において、
第１実施例と対応する部分には同一の符号を付してい
る。FIG. 3 is a circuit diagram of a voltage detecting circuit showing a second embodiment of the present invention. In the second embodiment,
The parts corresponding to those in the first embodiment are designated by the same reference numerals.
【００２２】第２実施例の場合、第１抵抗(R1)の抵抗値
はたとえば６０ＫΩ、第２抵抗(R2)の抵抗値はたとえば
６０ＫΩ、第３抵抗(R3)の抵抗値はたとえば６ＫΩであ
る。また、第２トランジスタ(Q2)は、第１および第３ト
ランジスタ(Q1)(Q3)と同じものが１０個並列接続された
ものである。他は、第１実施例の場合と同様である。In the case of the second embodiment, the resistance value of the first resistor (R1) is, for example, 60 KΩ, the resistance value of the second resistor (R2) is, for example, 60 KΩ, and the resistance value of the third resistor (R3) is, for example, 6 KΩ. . The second transistor (Q2) is the same as the first and third transistors (Q1) and (Q3) connected in parallel in ten pieces. Others are the same as in the case of the first embodiment.
【００２３】[0023]
【発明の効果】この発明の電圧検出回路によれば、上述
のように、内部の抵抗の抵抗値がばらついても、検出信
号の切り替わる検出電圧点の変動が小さく、電圧検出精
度を高くすることができる。また、検出電圧点は、温度
変化に対しても安定である。As described above, according to the voltage detection circuit of the present invention, even if the resistance value of the internal resistance varies, the fluctuation of the detection voltage point at which the detection signal switches is small, and the voltage detection accuracy is improved. You can In addition, the detected voltage point is stable against temperature changes.
【図１】この発明の第１実施例を示す電圧検出回路の回
路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a voltage detection circuit showing a first embodiment of the present invention.
【図２】図１の電圧検出回路の電圧−電流特性を表わす
グラフである。FIG. 2 is a graph showing voltage-current characteristics of the voltage detection circuit of FIG.
【図３】この発明の第２実施例を示す電圧検出回路の回
路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a voltage detection circuit showing a second embodiment of the present invention.
【図４】従来例を示す電圧検出回路の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a voltage detection circuit showing a conventional example.
【図５】図４の電圧検出回路の電圧−電流特性を表わす
グラフである。5 is a graph showing voltage-current characteristics of the voltage detection circuit of FIG.
(1) 被検出電圧入力端子 (2) 検出信号出力端子 (Q1) 第１ＮＰＮトランジスタ (Q2) 第２ＮＰＮトランジスタ (Q3) 第２ＮＰＮトランジスタ (R1) 第１抵抗 (R2) 第２抵抗 (R3) 第３抵抗 (1) Detected voltage input terminal (2) Detection signal output terminal (Q1) First NPN transistor (Q2) Second NPN transistor (Q3) Second NPN transistor (R1) First resistor (R2) Second resistor (R3) Third resistance
Claims (1)
の一端が接続され、第１抵抗の他端に第３抵抗の一端と
第１ＮＰＮトランジスタのベースが接続され、第２抵抗
の他端に第２ＮＰＮトランジスタのコレクタと第３ＮＰ
Ｎトランジスタのベースが接続され、第３抵抗の他端に
第１ＮＰＮトランジスタのコレクタと第２ＮＰＮトラン
ジスタのベースが接続され、第１、第２および第３ＮＰ
Ｎトランジスタのエミッタが接地され、第３ＮＰＮトラ
ンジスタのコレクタが検出信号出力端子に接続されてい
る電圧検出回路。1. A detected voltage input terminal is connected to one end of a first resistor and a second resistor, and the other end of the first resistor is connected to one end of a third resistor and the base of a first NPN transistor, At the other end, the collector of the second NPN transistor and the third NP
The base of the N transistor is connected, the collector of the first NPN transistor and the base of the second NPN transistor are connected to the other end of the third resistor, and the first, second and third NPs are connected.
A voltage detection circuit in which the emitter of the N transistor is grounded and the collector of the third NPN transistor is connected to the detection signal output terminal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18420692A JP2935080B2 (en) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Voltage detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18420692A JP2935080B2 (en) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Voltage detection circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627156A true JPH0627156A (en) | 1994-02-04 |
| JP2935080B2 JP2935080B2 (en) | 1999-08-16 |
Family
ID=16149219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18420692A Expired - Fee Related JP2935080B2 (en) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Voltage detection circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2935080B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006044008A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Voltage testing arrangement, has resistors together forming voltage divider for measuring input of microcontroller, and NPN transistor with base connected with output through divider, where control output of microcontroller is switched off |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP18420692A patent/JP2935080B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006044008A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Voltage testing arrangement, has resistors together forming voltage divider for measuring input of microcontroller, and NPN transistor with base connected with output through divider, where control output of microcontroller is switched off |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2935080B2 (en) | 1999-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL193093C (en) | Current mirror circuit. | |
| US5831473A (en) | Reference voltage generating circuit capable of suppressing spurious voltage | |
| US4220877A (en) | Temperature compensated switching circuit | |
| KR960016010B1 (en) | Delayed-pulse generator | |
| KR950001920B1 (en) | Hysteresis comparator | |
| JPH0627156A (en) | Voltage detection circuit | |
| JP2581492B2 (en) | Input buffer circuit | |
| JPH0228165B2 (en) | ||
| JP2845654B2 (en) | Current detection circuit | |
| US4565959A (en) | Current supply circuit with redundant back-up current source | |
| JP2870323B2 (en) | Window comparator | |
| EP0288977A1 (en) | Current comparison circuit | |
| JPH05244718A (en) | Heat protective apparatus | |
| JP2592990B2 (en) | Voltage control circuit | |
| JP3100804B2 (en) | Analog switch | |
| JP2829773B2 (en) | Comparator circuit | |
| JPS6032941B2 (en) | Comparator circuit | |
| JPH06164262A (en) | Saturation prevention circuit | |
| JP2563380B2 (en) | Comparison circuit | |
| KR930004584Y1 (en) | Schmit trigger circuit | |
| KR0135186Y1 (en) | Comparator circuit having an improved output speed | |
| JPH0347775B2 (en) | ||
| JPH0365684B2 (en) | ||
| JPH1188073A (en) | Current source circuit | |
| JPH0553085B2 (en) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990413 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090604 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |