JPH06268130A - Dam-bar working apparatus of semiconductor - Google Patents

Dam-bar working apparatus of semiconductor

Info

Publication number
JPH06268130A
JPH06268130A JP5052682A JP5268293A JPH06268130A JP H06268130 A JPH06268130 A JP H06268130A JP 5052682 A JP5052682 A JP 5052682A JP 5268293 A JP5268293 A JP 5268293A JP H06268130 A JPH06268130 A JP H06268130A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dam bar
dam
semiconductor device
laser beam
path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5052682A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2818092B2 (en
Inventor
Naoki Mitsuyanagi
直毅 三柳
Nobuhiko Tada
信彦 多田
Yoshiaki Shimomura
義昭 下村
Shigeyuki Sakurai
茂行 桜井
Yoshiya Nagano
義也 長野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Construction Machinery Co Ltd filed Critical Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Priority to JP5052682A priority Critical patent/JP2818092B2/en
Publication of JPH06268130A publication Critical patent/JPH06268130A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2818092B2 publication Critical patent/JP2818092B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To surely remove dam dars even when the pitch and the width of the dam bars are irregular and to remove the dam bars which are situated at equal distances from both start end parts and finish end parts of the dam bars by a method wherein a semiconductor device is moved back and forth, the semiconductor device is irradiated with a laser beam at its advance route and its return route and the dam bars are removed. CONSTITUTION:A semiconductor device is moved back and forth, dam bars 23 which couple a lead frame for the semiconductor device are irradiated with a laser beam from a working head in its advance route and its return route, and the dam bars 23 are removed. In addition, e.g. in the advance route, parts around positions (a) at a prescribed distance L from start end parts of the dam bars along the advance-route direction are irradiated with the laser beam, and the dam bars 23 are removed. In addition, in the return route, parts around positions (b) at the prescribed distance L from the start end parts of the dam bars 23 along the return-route direction are irradiated with the laser beam, and the dam bars 23 are removed. Thereby, even when the dam bars are wide, the dam bars can be removed in positions at the prescribed distance L from both end parts.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のダムバー
除去に好適な、レーザビームを用いたダムバー加工装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dam bar processing apparatus using a laser beam, which is suitable for removing a dam bar from a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置のリードフレームには、樹脂
モールド後の樹脂のリードフレーム上の流出を防ぐため
に、リードフレームを連結する形で、ダムバーを設けて
ある。そして、樹脂モールド後に、このダムバーを除去
して各リードフレームを電気的に独立したものとする。
リードフレームは、4辺の中の対向2辺に設けられてい
る例と、4辺の全ての辺に設けられている例とがある。
4辺の全ての辺に設けられている形式のものは、QFP
形と呼ばれ、高密度フレーム数となっている。
2. Description of the Related Art A lead bar of a semiconductor device is provided with a dam bar in such a manner that the lead frames are connected to each other in order to prevent the resin from flowing over the lead frame after the resin molding. Then, after the resin molding, the dam bar is removed to make each lead frame electrically independent.
There are an example in which the lead frame is provided on two opposite sides of the four sides, and an example in which it is provided on all four sides.
The type provided on all four sides is QFP
It is called a shape and has a high number of frames.

【0003】ダムバーの除去には、辺毎に一括して除去
するプレス法と、1個のダムバーを次々に除去してゆく
レーザビーム法とがある。それぞれ長所短所を持つが、
QFP形の半導体装置のリードフレーム上のダムバーの
除去には、リードフレーム間のピッチが極端に狭くなっ
ていることから、機械式のプレス法による除去よりも、
レーザビームによる除去法が優れている。
The dam bar can be removed by a pressing method for removing the dam bars collectively for each side and a laser beam method for removing one dam bar one after another. Each has its own strengths and weaknesses,
Since the pitch between the lead frames is extremely narrow, the dam bar on the lead frame of the QFP type semiconductor device can be removed by a mechanical press method rather than the mechanical press method.
The removal method using a laser beam is excellent.

【0004】レーザビームによるダムバー除去の従来例
には、特開平3−294077号がある。この従来例
は、樹脂モールド時の樹脂の影響により発生するリード
フレームの収縮歪みへの、対策に係る発明である。リー
ドフレームのピッチは事前に定めた規格通りであるはず
が、樹脂モールド時に、リードフレームが収縮し、リー
ドフレームのピッチが規格値からずれる。そこで、リー
ドフレームに基準穴を設けておき、この基準穴を光学的
に監視して、ずれていればそのずれ分だけレーザビーム
の照射位置を変更する制御を行う。
Japanese Patent Laid-Open No. 3-294077 discloses a conventional example of dam bar removal using a laser beam. This conventional example is an invention relating to a countermeasure against shrinkage distortion of a lead frame caused by the influence of resin during resin molding. Although the pitch of the lead frame should be in accordance with the standard set in advance, the lead frame shrinks during resin molding, and the pitch of the lead frame deviates from the standard value. Therefore, a reference hole is provided in the lead frame, the reference hole is optically monitored, and if there is a deviation, control is performed to change the irradiation position of the laser beam by the deviation.

【0005】他の従来のパルスレーザ加工機の例を図2
に示す。レーザヘッド14と、加工ヘッド12と、レー
ザ電源16と、被加工物であるワーク10を搭載し水平
面内(XY平面内)に移動可能なXYテーブル11、レ
ーザヘッド14及び加工ヘッド12を上下方向(Z軸方
向)に移動させるZテーブル13、XYテーブル11の
水平面内の移動動作とZテーブル13の上下方向の移動
動作とレーザヘッド14の発振動作とを自動または手動
で制御するメインコントローラ15を備える。
An example of another conventional pulse laser processing machine is shown in FIG.
Shown in. A laser head 14, a processing head 12, a laser power supply 16, and a workpiece 10 that is a workpiece to be mounted and movable in a horizontal plane (in an XY plane). The XY table 11, the laser head 14, and the processing head 12 are vertically moved. A main controller 15 for automatically or manually controlling the movement of the Z table 13 and the XY table 11 that move in the (Z-axis direction) in the horizontal plane, the movement of the Z table 13 in the vertical direction, and the oscillation operation of the laser head 14 is performed. Prepare

【0006】レーザ電源16は、レーザコントローラ2
0、安定化電源19、コンデンサ部18及びスイッチ部
17から構成され、安定化電源19から供給された交流
電源がレーザコントローラ20から指令された電圧値に
従って直流に変えられ、コンデンサ部18に供給され、
コンデンサ部18の電荷がスイッチ部17に供給され
る。スイッチ部17は、レーザコントローラ20からパ
ルス幅及びパルス周波数を指令するトリガ信号に従って
動作し、これに従ってレーザヘッド14よりパルスレー
ザ光がパルス状に発振する。
The laser power source 16 is a laser controller 2
0, the stabilizing power supply 19, the capacitor unit 18, and the switch unit 17, the AC power supply supplied from the stabilizing power supply 19 is converted into DC according to the voltage value commanded from the laser controller 20, and is supplied to the capacitor unit 18. ,
The charge of the capacitor section 18 is supplied to the switch section 17. The switch unit 17 operates in accordance with a trigger signal instructing a pulse width and a pulse frequency from the laser controller 20, and accordingly, the pulse laser light is oscillated in a pulse shape from the laser head 14.

【0007】又、レーザヘッド14には図示しないビー
ムシャッターが内蔵されており、開閉することによって
パルスレーザ光を加工ヘッド12に送出するか否か(O
N/OFF)を制御する。即ちワーク10を加工(ダム
バー除去のこと)する場合には上記ビームシャッターを
開き、加工しない場合には上記ビームシャッターを閉じ
る。このビームシャッターの動作時間は100〜300
msec程度であり、その制御は、前述のレーザコント
ローラ20から行うが、メインコントローラ15からレ
ーザコントローラを介して行ってもよい。
A beam shutter (not shown) is built in the laser head 14, and whether the pulse laser light is sent to the processing head 12 by opening or closing (O
N / OFF). That is, when the work 10 is processed (removing the dam bar), the beam shutter is opened, and when the work 10 is not processed, the beam shutter is closed. The operating time of this beam shutter is 100-300
It is about msec, and the control is performed from the laser controller 20 described above, but may be performed from the main controller 15 via the laser controller.

【0008】図3(a)、(b)は、QFP形の半導体
装置とダムバー加工の説明図である。QFP形とは、半
導体装置21の4辺Q1〜Q4から外部方向にリードフ
レーム22が導出された構成のICパッケージを云う。
通常は、4辺のうちの対向する2辺(例えばQ1とQ
3)からリードフレームが導出されているが、高密度の
半導体装置にあっては、リードフレームの数も増大する
ことから、4辺の全てにリードフレームを形成するやり
方をとる。且つ各辺のリードフレームのピッチ間隔も極
めて短くしている。各辺のリードフレーム22には、そ
れを連結するようにダムバー23を形成してある。半導
体装置21を樹脂でモールドした時に、その樹脂がリー
ドフレーム全体に流出しないようにしたせきの役割を果
たすためのものがダムバー23であり、モールド後にあ
っては、このダムバー23を除去し、各リードフレーム
を電気的に独立したものとする必要がある。このダムバ
ー23の除去には、パンチによる機械的な除去法とレー
ザによる除去法とがあるが、図2では、レーザによる除
去法を採用した。
FIGS. 3A and 3B are explanatory views of a QFP type semiconductor device and dam bar processing. The QFP type refers to an IC package having a structure in which the lead frame 22 is led out from the four sides Q1 to Q4 of the semiconductor device 21 toward the outside.
Usually, two opposite sides of the four sides (for example, Q1 and Q)
Although the lead frame is derived from 3), in a high-density semiconductor device, since the number of lead frames also increases, the lead frame is formed on all four sides. Moreover, the pitch interval between the lead frames on each side is also extremely short. Dam bars 23 are formed on the lead frames 22 on each side so as to connect them. When the semiconductor device 21 is molded with resin, the dam bar 23 functions to prevent the resin from flowing out to the entire lead frame. The dam bar 23 is removed after the molding. The leadframe needs to be electrically independent. There are a mechanical removal method using a punch and a removal method using a laser for removing the dam bar 23. In FIG. 2, the removal method using a laser is adopted.

【0009】図3の(b)は、リードフレームとダムバ
ーとの拡大図である。A点を含むダムバーの除去が終了
して、B点を含むダムバーの除去を行うための制御シー
ケンスは以下の如くなる。 (1)、ワーク10上でのレーザ照射位置がAからBに
なるように、テーブル11を移動する。 (2)、Bの位置に達したらXYテーブル11を停止す
る。 (3)、ビームシャッタ開にする。 (4)、パルスレーザを照射する。 (5)、ビームシャッタ閉にする。 以上の(1)〜(5)の動作を1シーケンスとして、各
ダムバー位置毎に繰り返し、ダムバーの除去を次々に行
う。このとき、(1)〜(5)をメインコントローラ1
5内のメモリに予めプログラムしておくことで、シーケ
ンス制御が可能となる。
FIG. 3B is an enlarged view of the lead frame and the dam bar. After the removal of the dam bar including the point A is completed, the control sequence for removing the dam bar including the point B is as follows. (1) The table 11 is moved so that the laser irradiation position on the work 10 is changed from A to B. (2) When the position B is reached, the XY table 11 is stopped. (3) The beam shutter is opened. (4) Irradiate with a pulse laser. (5) Close the beam shutter. The above operations (1) to (5) are set as one sequence and repeated for each dam bar position, and dam bars are removed one after another. At this time, (1) to (5) are set to the main controller 1
By pre-programming the memory in 5, the sequence control becomes possible.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】特開平3−29407
7号は、半導体装置全体のリードフレームの収縮を問題
にする。そこで、半導体装置全体の位置変動を、基準穴
のずれで監視する。しかし、樹脂モールドによる収縮以
外に、半導体装置の加工テーブルへの取り付け誤差やリ
ードフレーム成形時のリードフレーム間のピッチ変動等
のため、種々の位置ずれが生じている。特に、高密度の
フレーム化をはかるQFP形の半導体装置では、1辺に
おけるリードフレーム本数が多く、且つピッチ間隔も狭
いため、全体だけの監視のみではまずく、個々のリード
フレームの位置ずれを考慮しなければならない。リード
フレームの位置ずれには、そのピッチ幅が変動すること
による例が多い。即ち、ピッチ幅に広い狭いという問題
がある。従って、リードフレームの位置ずれを補正して
ダムバーのみを除去してゆくためには、リードフレーム
の個々の位置の補正と共に、ピッチ幅の広い狭いに対処
した加工の仕方を検討しなければならない。
[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-29407
No. 7 has a problem of shrinkage of the lead frame of the entire semiconductor device. Therefore, the positional fluctuation of the entire semiconductor device is monitored by the deviation of the reference hole. However, in addition to shrinkage due to resin molding, various positional deviations occur due to mounting errors on the processing table of the semiconductor device, pitch variations between lead frames during lead frame molding, and the like. In particular, in a QFP type semiconductor device for high-density framing, since the number of lead frames on one side is large and the pitch interval is narrow, it is not enough to monitor only the whole, and the positional deviation of each lead frame is taken into consideration. There must be. There are many examples of lead frame positional deviation due to fluctuations in the pitch width. That is, there is a problem that the pitch width is wide and narrow. Therefore, in order to correct the misalignment of the lead frame and remove only the dam bar, it is necessary to consider the method of processing in which the pitch width is wide and narrow as well as the correction of the individual positions of the lead frame.

【0011】更に、図2に示した従来例にあっては、以
下の如き問題点がある。各ダムバーの寸法は幅0.1〜
0.3mm程度、厚さ0.15mm前後であるので、こ
の切断はパルスレーザ光の1パルスで十分可能である。
従って、実際の加工に要する時間はパルスレーザ光のパ
ルス幅の時間に相当し、0.1msec程度である。と
ころが、前述の(1)から(5)の加工手順においては
ビームシャッターの動作時間である100〜300ms
ecとテーブルの移動時間とにより、1つのダムバー切
断のために1sec程度の時間を費やし、ダムバーの切
断個数やICパッケージの製造個数を考慮すると、加工
時間がかかり過ぎることになる。
Further, the conventional example shown in FIG. 2 has the following problems. The width of each dambar is 0.1 to 0.1
Since the thickness is about 0.3 mm and the thickness is around 0.15 mm, this cutting can be sufficiently performed by one pulse of pulsed laser light.
Therefore, the time required for actual processing corresponds to the time of the pulse width of the pulsed laser light, which is about 0.1 msec. However, in the processing steps (1) to (5) described above, the operating time of the beam shutter is 100 to 300 ms.
Depending on ec and the moving time of the table, it takes about 1 sec to cut one dam bar, and if the number of cut dam bars and the number of manufactured IC packages are taken into consideration, it takes too much processing time.

【0012】又、一般的にはピンのピッチは等ピッチで
あることが多いが、リードフレームの製造誤差や、レジ
ンでモールドする時の温度履歴による歪や、ハンドリン
グによる外力などで変形し、ダムバーの切断時には必ず
しも等ピッチにはなっていない場合がある。前述のダム
バー切断方法は、ダムバーを切断する箇所をプログラム
として予めメインコントローラ15に登録しておく方法
であるが、この方法では上記ピンが等ピッチになってい
ないことには対応できず、更に製造誤差や変形が累積し
て誤差が増大するような最悪の場合には、残しておくべ
きリードフレームのピンの部分にダメージを与える可能
性もある。
Generally, the pins are often arranged at the same pitch, but the pins are deformed due to manufacturing errors of the lead frame, distortion due to temperature history when molding with a resin, external force due to handling, etc. There is a case that the pitches are not necessarily equal when cutting. The above-mentioned dam bar cutting method is a method in which the locations where the dam bars are cut are registered in the main controller 15 in advance as a program. However, this method cannot deal with the fact that the above-mentioned pins are not arranged at an equal pitch, and further manufacture In the worst case where errors and deformations accumulate and the errors increase, there is a possibility that the pin portion of the lead frame that should be left may be damaged.

【0013】本発明の目的は、ダムバーのピッチや幅に
不揃えがあってもダムバーを確実に且つダムバーの開始
端部及び終了端部両者からみて等距離でのダムバー除去
を可能にする半導体装置のダムバー加工装置を提供する
ものである。
An object of the present invention is to provide a semiconductor device which enables the dam bar to be reliably removed even if the pitch and width of the dam bar are not uniform and equidistant from both the start end and the end end of the dam bar. The present invention provides a dam bar processing device.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置を
往復動させ、その往路と復路のそれぞれで、半導体装置
のリードフレームを連結するダムバーに、加工ヘッドか
らのレーザビームを照射してダムバーの除去を行う(請
求項1)。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, a semiconductor device is reciprocally moved, and a dam bar for connecting a lead frame of the semiconductor device is irradiated with a laser beam from a processing head in each of the forward path and the backward path of the semiconductor device. Are removed (claim 1).

【0015】更に本発明は、半導体装置を往復動させ、
その往路と復路のそれぞれで、半導体装置のリードフレ
ームを連結するダムバーに、加工ヘッドからのレーザビ
ームを照射してダムバーの除去を行うと共に、上記往路
では往路方向に沿うダムバーの開始端部から所定の距離
の位置を中心としてレーザビームを照射してダムバー除
去を行い、上記復路では復路方向に沿うダムバーの開始
端部から所定の距離の位置を中心としてレーザビームを
照射してダムバー除去を行う(請求項2)。
Further, according to the present invention, a semiconductor device is reciprocated,
In each of the forward path and the return path, the dam bar connecting the lead frame of the semiconductor device is irradiated with the laser beam from the processing head to remove the dam bar, and in the forward path, the dam bar starting from the starting end of the dam bar along the forward path is predetermined. The laser beam is irradiated around the position of the distance to remove the dam bar, and the return path is irradiated with the laser beam around the position of a predetermined distance from the start end of the dam bar along the return path to remove the dam bar ( Claim 2).

【0016】更に本発明は、上記加工ヘッドのレーザビ
ーム照射位置を含む周辺に照射された照明光の反射光
(又は透過光)の受光位置で且つ往路又は復路の移動方
向に沿うダムバーの出現の様子を監視できる位置に、ス
ポット状の感応領域を持つフォトセンサを設け、このフ
ォトセンサでダムバーの往路又は復路の移動方向に沿う
ダムバー開始端部を検出し、この検出した開始端部から
上記所定の距離の位置を中心としてレーザビームを照射
するようにした(請求項3)。
Further, according to the present invention, the appearance of a dam bar at the light receiving position of the reflected light (or transmitted light) of the illumination light irradiated to the periphery including the laser beam irradiation position of the processing head and along the moving direction of the outward path or the return path. A photosensor having a spot-shaped sensitive area is provided at a position where the situation can be monitored, and the photosensor detects the start end of the dam bar along the moving direction of the forward or return of the dam bar, and the above-mentioned predetermined start from the detected start end. The laser beam is radiated around the position of the distance (Claim 3).

【0017】[0017]

【作用】本発明によれば、半導体装置のダムバー加工
を、その半導体装置を往復動させて、その往路と復路と
でダムバー加工を行う(請求項1、2)。これにより、
ダムバーピッチやダムバー幅の不揃えがあっても、ダム
バーの両端部から所定の距離の位置から、きれいにダム
バーの除去が可能になる。
According to the present invention, the dam bar processing of the semiconductor device is performed by reciprocating the semiconductor device and performing the dam bar processing on the forward path and the return path. This allows
Even if the dam bar pitch and the width of the dam bar are not uniform, it is possible to cleanly remove the dam bar from a position at a predetermined distance from both ends of the dam bar.

【0018】更に、本発明によれば、フォトセンサでダ
ムバーの両端部を検出し、この検出した両端部から所定
の距離の位置を中心としてレーザビームを照射する(請
求項3)。これにより、事前にプログラムしたシーケン
スによることなく、連続的な往復移動しながらのダムバ
ーの除去が可能になる。
Further, according to the present invention, both end portions of the dam bar are detected by the photo sensor, and the laser beam is emitted around a position at a predetermined distance from the detected both end portions (claim 3). This allows the dam bar to be removed in a continuous reciprocating motion without relying on a pre-programmed sequence.

【0019】[0019]

【実施例】図4は、図2に対し、フォトセンサ24、2
値信号発生回路25とを新しく設けた点に、特徴を持つ
この図4は、本件出願人による先願(特願平4−293
114号)で提案した加工装置である。フォトセンサ2
4は、ダムバーの位置監視用に使い、2値信号発生回路
25は、このセンサ24の出力からダムバーの出現を2
値信号としてとらえる。この2値信号は、コントローラ
15、20に送られてレーザ照射のタイミング制御に使
われる。図4に示す先願は、1つの辺の一連のダムバー
除去に際し、ワークを停止させることなく連続移動さ
せ、この連続移動させる過程で、各ダムバーの中心位置
でそのダムバーを除去できるようにしたものである。図
2では各ダムバー毎にワークを停止させ且つ開閉シャッ
ターを開及び閉するようにしたが、図4に示す先願で
は、このいずれの操作もせず、ワークは連続移動であっ
て且つシャッターは開にしたままである。図4に示す先
願では、フォトセンサ24がワーク移動に伴う各ダムバ
ーの出現位置(各ダムバーの先頭エッジ位置)を検出
し、この先頭エッジ位置から、ダムバーの中央位置でレ
ーザビームを放出するようなタイミングを求め、このタ
イミングでレーザビームを発生させる。1発のレーザビ
ームで1つのダムバーの中心部分は瞬間的に除去でき、
この除去に要する時間は移動速度による単位移動時間に
比して無視できる値である。従って、ワークを連続移動
しても、そのダムバーの加工は高速になされるため、ワ
ークの連続移動への障害にならない。そして、ダムバー
の先頭エッジ位置に不揃いがあっても、その先頭エッジ
位置そのものをフォトセンサ24が検出できるため、そ
の不揃えに対してダムバーの中央位置をはずすことなく
確実に除去できる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT FIG. 4 is different from FIG.
This FIG. 4, which is characterized in that the value signal generating circuit 25 is newly provided, is the same as the prior application (Japanese Patent Application No. 4-293) filed by the present applicant.
No. 114). Photo sensor 2
4 is used for monitoring the position of the dam bar, and the binary signal generating circuit 25 detects the appearance of the dam bar from the output of the sensor 24.
Capture as a value signal. This binary signal is sent to the controllers 15 and 20 and used for timing control of laser irradiation. The prior application shown in FIG. 4 is such that when a series of dam bars on one side is removed, the work is continuously moved without stopping, and the dam bar can be removed at the center position of each dam bar in the process of this continuous movement. Is. In FIG. 2, the work is stopped for each dam bar and the opening / closing shutter is opened and closed. However, in the prior application shown in FIG. 4, the work is continuously moved and the shutter is opened without performing any of these operations. It remains on. In the prior application shown in FIG. 4, the photo sensor 24 detects the appearance position of each dam bar (the leading edge position of each dam bar) along with the movement of the work, and emits a laser beam from this leading edge position at the center position of the dam bar. Therefore, a laser beam is generated at this timing. The central part of one dam bar can be removed instantaneously with one laser beam,
The time required for this removal is a value that can be ignored compared to the unit moving time based on the moving speed. Therefore, even if the work is continuously moved, the dam bar is processed at high speed, which does not hinder the continuous movement of the work. Even if the leading edge position of the dam bar is not aligned, the leading edge position itself can be detected by the photosensor 24, and therefore the dam bar can be reliably removed without removing the center position of the dam bar.

【0020】フォトセンサ24の具体例は図1に示すも
のであり、このフォトセンサの構成は、図6、図7に示
す構成のフォトセンサを発展させたものである。以下で
は、図6、図7のフォトセンサの例を説明し、最後に、
本発明の実施例として図1及びその取り扱い例を図11
以降を利用して説明するものとある。尚、反射光ではな
く透過光の例もあり、この際にはフォトセンサ24はそ
の透過側に設ける。
A specific example of the photosensor 24 is shown in FIG. 1, and the construction of this photosensor is a development of the photosensor having the construction shown in FIGS. 6 and 7. In the following, an example of the photo sensor of FIGS. 6 and 7 will be described, and finally,
As an embodiment of the present invention, FIG. 1 and its handling example are shown in FIG.
It will be explained using the following. Note that there is an example of transmitted light instead of reflected light, and in this case, the photosensor 24 is provided on the transmission side.

【0021】フォトセンサ24を含む光学系を図5に示
す。加工ヘッド12には、ダイクロイックミラー27、
ベンディングミラー28集光レンズ29及び結像用ミラ
ー26を組み込んでおく。レーザヘッド14からのレー
ザビームは、ベンディングミラー28を介してワーク1
0上のダムバーの除去をはかる。一方、照明用光源26
から照明光は、ダイクロイックミラー27、ベンディン
グミラー28、集光レンズ29を介してリードフレーム
上に照射される。その反射光は同一光路を経て結像用レ
ンズ26に入り、固定部材100上に設けられたフォト
センサ24上に、開口部100Aを介して入射し、リー
ドフレーム上の様子を結像する。尚、レーザ加工時のア
シストガス供給系は省略してある。
An optical system including the photo sensor 24 is shown in FIG. The processing head 12 has a dichroic mirror 27,
The bending mirror 28, the condenser lens 29, and the imaging mirror 26 are incorporated. The laser beam from the laser head 14 passes through the bending mirror 28 and the work 1
Try to remove the dam bar above 0. On the other hand, the illumination light source 26
The illumination light is emitted from the dichroic mirror 27, the bending mirror 28, and the condenser lens 29 onto the lead frame. The reflected light enters the imaging lens 26 through the same optical path, enters the photosensor 24 provided on the fixing member 100 through the opening 100A, and forms an image of the state on the lead frame. The assist gas supply system during laser processing is omitted.

【0022】図6は、フォトセンサ24の感応領域の大
きさを説明する図である。矢印がテーブルの移動方向
(x方向)を示す。結像レンズ26による照明光の大き
さは図の円形部分30である。この円形部分30は、1
つのダムバー23と移動方向に直交する方向の両側に存
在する空間部分(スリット部)23A、23Bの一部及
び移動方向に沿う方向の両側のリードフレーム22A、
22Bの一部とを含む視野であり、1つのダムバー23
を含むその周辺の状況を示しうる大きさとなっている。
テーブル11の移動に伴って、この視野も変化してゆ
く。一方、フォトセンサ24の感応領域は、微小な斜線
円形部分で示すような大きさであり、この大きさは、ダ
ムバー23の大きさに比して充分に小さなスポット的な
値である。この微小な口径の感応域としたことによっ
て、テーブル11の移動によるダムバー23の出現の様
子のみならず、テーブル11の移動方向に沿うダムバー
の左右のリードフレーム22A、22Bの出現の様子を
細かく追跡監視することができる。テーブル11の移動
により、フォトセンサ24は図7の点線で示す軌跡を作
ることになり、フォトセンサ24の感応対象域が次々に
変わってゆき、この感応対象領域を追跡することで、ダ
ムバーの出現位置がわかる。
FIG. 6 is a diagram for explaining the size of the sensitive area of the photo sensor 24. The arrow indicates the moving direction (x direction) of the table. The size of the illumination light by the imaging lens 26 is the circular portion 30 in the figure. This circular part 30 is 1
Two dam bars 23 and a part of space portions (slit portions) 23A and 23B existing on both sides in the direction orthogonal to the moving direction and lead frames 22A on both sides in the direction along the moving direction,
A field of view including a part of 22B and one dam bar 23
It is large enough to show the situation around it, including.
This field of view also changes as the table 11 moves. On the other hand, the sensitive area of the photosensor 24 has a size as shown by a minute hatched circular portion, and this size is a spot-like value which is sufficiently smaller than the size of the dam bar 23. By making the sensitive area of this minute diameter, not only the appearance of the dam bar 23 due to the movement of the table 11 but also the appearance of the lead frames 22A and 22B on the left and right of the dam bar along the moving direction of the table 11 are closely tracked. Can be monitored. The movement of the table 11 causes the photosensor 24 to make a locus shown by the dotted line in FIG. 7, and the sensitive target area of the photosensor 24 changes one after another. By tracking this sensitive target area, the appearance of the dam bar appears. I know the position.

【0023】フォトセンサ24によるダムバーの追跡と
ダムバー切断タイミングについて以下説明する。まずI
Cのリードフレームであるワーク10をXYテーブル1
1によって、例えばX軸の正方向に一定速度で移動させ
ると、図6に示したターゲット上に結像しているワーク
10からの反射光による画像もX軸の正方向に移動す
る。ところが、フォトセンサ24は固定されているの
で、フォトセンサ24からの出力である検出信号の変化
は図7に示すように、空間部分23B(スリット部)で
高い出力となり、リードフレーム部(ウエブ部)22
A、22Bで低い出力となる。但し、ここでの検出信号
は、光が強い場合に高い出力、光が弱い場合に低い出力
になるものとする。又、図7のように、ワーク10の空
間部分23B及びリードフレーム部22A、22Bが等
ピッチで並んでいれば、XYテーブル11が一定速度で
移動するので、検出信号は一定周期の波形として検出さ
れる。一方、ワーク10の空間部分23Bとリードフレ
ーム22A、22Bが等ピッチで並んでいない場合に
は、検出信号はピッチ変化に比例した時間変化を持つ波
形として検出される。
The tracking of the dam bar by the photo sensor 24 and the dam bar cutting timing will be described below. First I
The work 10 which is the lead frame of C is attached to the XY table 1
When the image is moved at a constant speed in the positive direction of the X axis by 1, the image formed by the reflected light from the work 10 which is focused on the target shown in FIG. 6 also moves in the positive direction of the X axis. However, since the photosensor 24 is fixed, the change in the detection signal output from the photosensor 24 is high in the space portion 23B (slit portion) as shown in FIG. 7, and the lead frame portion (web portion) is changed. ) 22
The output is low at A and 22B. However, the detection signal here has a high output when the light is strong and a low output when the light is weak. Further, as shown in FIG. 7, if the space portion 23B of the work 10 and the lead frame portions 22A and 22B are arranged at equal pitches, the XY table 11 moves at a constant speed, so the detection signal is detected as a waveform of a constant cycle. To be done. On the other hand, when the space portion 23B of the work 10 and the lead frames 22A and 22B are not arranged at equal pitches, the detection signal is detected as a waveform having a time change proportional to the pitch change.

【0024】次に図8には、2値化信号発生回路25を
示し、図9にはレーザコントローラ20の本体に係る部
分を示し、図10にはそれらの各部波形図を示す。図8
の2値化信号発生回路25は、コンパレータ251とデ
ィレイ回路252とより成り、はコンパレータ251は
フォトセンサ25出力としきい値THとの大小を比較
し、THより大であれば“1”、小であれば“0”を出
力する。しきい値THはダムバーの先頭位置で“1”の
立ち上がりがあるように、後端位置で“1”の立ち上が
りがあるように選ぶ。ディレイ回路252はこの2値化
した検出信号をメインコントローラ15から指令された
遅れ時間t1だけ遅延をかけ、第1の矩形波信号Pとし
てレーザコントローラ20に送出する。この遅延時間t
1の意味は後述する。
Next, FIG. 8 shows a binarized signal generating circuit 25, FIG. 9 shows a portion relating to the main body of the laser controller 20, and FIG. 10 shows a waveform diagram of each portion thereof. Figure 8
The binarized signal generating circuit 25 includes a comparator 251 and a delay circuit 252. The comparator 251 compares the output of the photo sensor 25 with the threshold value TH. If so, "0" is output. The threshold value TH is selected so that the leading edge of the dam bar has a rising edge of "1" and the trailing edge portion thereof has a rising edge of "1". The delay circuit 252 delays the binarized detection signal by the delay time t 1 instructed by the main controller 15 and sends it to the laser controller 20 as a first rectangular wave signal P. This delay time t
The meaning of 1 will be described later.

【0025】図9のレーザコントローラ20は内部ジェ
ネレータ201、ゲート回路202、トリガ回路203
より成る。ゲート回路202は矩形波信号発生回路25
からの第1の矩形波信号P、内部ジェネレータ201か
らの第2の矩形波信号Gとを、メインコントローラ15
からの制御信号TPで選択するものであり、本実施例の
フォトセンサ24出力を利用する時にはTP=1で信号
Pを出力し、フォトセンサ出力を利用しない時にはTP
=0で信号Gを出力する。トリガ回路203では、ゲー
ト回路202から入力された矩形波信号の立ち上がりに
対応するトリガ信号を発生し、スイッチ部17に入力
し、このトリガ信号に従ってパルスレーザ光まを発振さ
せる。
The laser controller 20 shown in FIG. 9 includes an internal generator 201, a gate circuit 202, and a trigger circuit 203.
Consists of The gate circuit 202 is a rectangular wave signal generation circuit 25.
From the internal generator 201 and the first rectangular wave signal P from the main generator 15
Is selected by the control signal TP from the photosensor 24, and when the output of the photosensor 24 of this embodiment is used, the signal P is output at TP = 1, and when the photosensor output is not used, TP is output.
The signal G is output when = 0. The trigger circuit 203 generates a trigger signal corresponding to the rising edge of the rectangular wave signal input from the gate circuit 202, inputs the trigger signal to the switch unit 17, and oscillates the pulsed laser light according to the trigger signal.

【0026】図10には、図8、図9の回路の各部波形
を示しており、図9のパルスレーザ光の発振は実際には
ある幅を持つパルス状であるが、そのパルス幅がその他
の信号の幅に比べて非常に小さいため、図10では線状
に表している。
FIG. 10 shows the waveform of each part of the circuits of FIGS. 8 and 9. The oscillation of the pulsed laser light of FIG. 9 is actually a pulse having a certain width, but the pulse width is other than that. Since it is much smaller than the width of the signal in FIG.

【0027】又、TP=0で出力される内部ジェネレー
タ201の出力パルスGは、定周期のパルスであって、
この定周期に従って、レーザ発振を行わせるものであ
る。パルスGによるレーザ発振では、前述の開閉シャッ
ターの開閉を利用して加工ヘッドへレーザを放出させた
り、停止させたりする。従って、フォトセンサ24を設
けた本実施例にあっては、出力パルスGを利用すること
はない。
The output pulse G of the internal generator 201 output at TP = 0 is a pulse having a fixed cycle,
Laser oscillation is performed according to this fixed period. In the laser oscillation by the pulse G, the laser is emitted to the processing head or stopped by using the opening / closing of the opening / closing shutter described above. Therefore, the output pulse G is not used in this embodiment provided with the photosensor 24.

【0028】次にディレイ回路252の遅延時間t1
説明する。この遅延時t1とは、レーザの照射位置が図
10に示すように、ダムバーの中央位置となるようにす
るための時間である。ワークの移動速度をvとし、ダム
バーの幅をwとし、各種の遅れ時間(ゴンパレータ25
1での2値化処理時間、レーザコントローラ20による
処理時間、スイッチ部17の遅れ時間、パルスレーザ光
発振までの遅れ時間の総合遅れ時間のこと)をt2、及
びダムバー幅wを移動速度で移動する時間をtとする
と、加工位置がダムバーの中央位置となるためには、以
下の関係式となる。
Next, the delay time t 1 of the delay circuit 252 will be described. This delay time t 1 is the time for the laser irradiation position to be at the center position of the dam bar as shown in FIG. Let v be the moving speed of the work, w be the width of the dam bar, and various delay times (gomparator 25
1 is the binarization processing time, the processing time by the laser controller 20, the delay time of the switch unit 17, the total delay time until the pulse laser light oscillation) is t 2 , and the dam bar width w is the moving speed. When the moving time is t, the following relational expression is used to set the processing position to the central position of the dam bar.

【0029】[0029]

【数1】t=w/v =2(t1+t2) これからt1を求めると、## EQU1 ## t = w / v = 2 (t 1 + t 2 ) When t 1 is calculated from this,

【数2】t1=2(w/v)−t2 となる。即ち、パルスレーザ光の発振はフォトセンサ2
4での検出から(t/2)時間後に行われ、この位置と
はダムバー中央位置となる。ここで、t2やw、vは、
予めメインコントローラ15内に入力しておく。
## EQU2 ## t 1 = 2 (w / v) -t 2 . That is, the oscillation of the pulsed laser light is generated by the photo sensor 2.
It is performed (t / 2) time after the detection at 4 and this position is the center position of the dam bar. Here, t 2 , w, and v are
Input in the main controller 15 in advance.

【0030】以上のような動作によって、例えば1辺に
ダムバーを有するICのダムバー切断を行う際の加工手
順について説明する。まず、ダムバーを通る軌跡、ワー
ク10の移動速度、即ち、XYテーブル11の移動速度
v、ワーク10のスリット部23Bの幅w、及び遅れ時
間t2をメインコントローラ15に入力しておく。又、
ここではダムバー切断を行うので、XYテーブル11の
移動と共にゲート回路202において第1の矩形波信号
Pがトリガ信号203に入力されるように、即ち制御信
号TP=1がゲート回路202に入力されるようにメイ
ンコントローラ15にプログラムを入力しておく。この
プログラムを走らせると、テーブル11は一定速度で移
動し、且つスリット部23Bのピッチとテーブル11の
移動速度vとで決まる周期でパルスレーザ光が発振し、
且つスリット部23Bの中央でその照射が行われ、ダム
バーが切断される。
A processing procedure for cutting a dam bar of an IC having a dam bar on one side by the above operation will be described. First, the locus passing through the dam bar, the moving speed of the work 10, that is, the moving speed v of the XY table 11, the width w of the slit portion 23B of the work 10, and the delay time t 2 are input to the main controller 15. or,
Since the dam bar cutting is performed here, the first rectangular wave signal P is input to the trigger signal 203 in the gate circuit 202 as the XY table 11 is moved, that is, the control signal TP = 1 is input to the gate circuit 202. As described above, the program is input to the main controller 15. When this program is run, the table 11 moves at a constant speed, and the pulsed laser light oscillates at a cycle determined by the pitch of the slit portion 23B and the moving speed v of the table 11,
Moreover, the irradiation is performed at the center of the slit portion 23B, and the dam bar is cut.

【0031】例えば、ここで使用するレーザ発振器がパ
ルス励起タイプのYAGレーザの場合、最大の発振周波
数が300Hz程度の周波数にすると、その周期は3.
3ms程度であるが、スリット部3のピッチとテーブル
21の移動速度vとで決まる周期をこの値になるように
設定しておけば、ダムバー切断の1回当りの時間は3.
3msecとなり、従来に比べ飛躍的に短縮できる。
又、ピンが等間隔でない場合、即ちウエブ部及びスリッ
ト部のピッチが一定でない場合には、予め設定した所定
の距離だけウエブ部端部から離れた位置でパルスレーザ
光が発振するようにしておけば、同様にしてダムバーを
切断することができる。又、ピンが等間隔でない場合に
も、所定の距離だけウエブ部端部から離れた位置でダム
バーを切断することができる。この位置及び前記等間隔
の場合の中間位置とを併せて基準中間位置と呼ぶ。
For example, when the laser oscillator used here is a pulse excitation type YAG laser, if the maximum oscillation frequency is set to a frequency of about 300 Hz, its period is 3.
Although it is about 3 ms, if the period determined by the pitch of the slit portion 3 and the moving speed v of the table 21 is set to this value, the time per dam bar cutting is 3.
It will be 3 msec, which can be drastically shortened compared to the conventional one.
When the pins are not evenly spaced, that is, when the pitches of the web portion and the slit portion are not constant, the pulsed laser light should be oscillated at a position separated from the end portion of the web portion by a preset distance. For example, the dam bar can be cut in the same manner. Further, even when the pins are not evenly spaced, the dam bar can be cut at a position separated from the end of the web portion by a predetermined distance. This position and the intermediate position in the case of the equal intervals are collectively referred to as a reference intermediate position.

【0032】図11に示す4辺にダムバー2を有するI
Cパッケージのダムバー切断を効率的に行うために図1
2に示す如く4個のフォトセンサ24A〜24Dを図中
w1〜w4で示す固定の位置に配置する。そして、2値
化信号発生回路25は更にw1〜w4の位置のフォトセ
ンサからの検出信号のうちワーク1の移動方向に応じた
検出信号を選択し、この選択した検出信号に基づく第1
の矩形波信号を制御手段に入力し、これに続く処理が前
述の実施例と同様に行われる。まずQ3の部分のダムバ
ー23を切断するときには、図12(a)の如くw1の
位置のフォトセンサ24Aからの検出信号を2値化信号
発生回路において選択し、X軸の方向に順次切断を行
う。次に、Q2の部分のダムバー23を切断するときに
は、図12(b)の如くw2の位置のフォトセンサ24
Bからの検出信号を2値化信号発生回路において選択
し、Y軸の正方向に順次切断を行う。以下、同様にし
て、Q1の部分はX軸の負の方向に順次切断を行い、D
の部分はY軸の負の方向に順次切断を行う。このように
して、連続して4辺の全てのダムバー23を切断するこ
とができる。
I having the dam bars 2 on the four sides shown in FIG.
To efficiently cut the dam bar of C package
As shown in FIG. 2, four photosensors 24A to 24D are arranged at fixed positions indicated by w1 to w4 in the figure. Then, the binarized signal generation circuit 25 further selects a detection signal corresponding to the moving direction of the work 1 from the detection signals from the photosensors at the positions of w1 to w4, and the first detection signal based on the selected detection signal.
The rectangular wave signal of is input to the control means, and the subsequent processing is performed in the same manner as in the above-described embodiment. First, when cutting the dam bar 23 in the Q3 portion, the detection signal from the photosensor 24A at the position of w1 is selected in the binarized signal generating circuit as shown in FIG. 12A, and is sequentially cut in the X-axis direction. . Next, when cutting the dam bar 23 at Q2, the photo sensor 24 at the position of w2 as shown in FIG.
The detection signal from B is selected in the binarized signal generation circuit and sequentially cut in the positive direction of the Y axis. Thereafter, similarly, the portion of Q1 is sequentially cut in the negative direction of the X axis, and D
The part is sequentially cut in the negative direction of the Y-axis. In this way, all the dam bars 23 on the four sides can be continuously cut.

【0033】以上のフォトセンサを用いてのダムバーの
切断を行う場合、ダムバーのピッチやダムバーの幅に大
小があって均一でないと、ダムバーの切断状況も不均一
となる。この様子を図13に示す。図13は、相隣合う
3つのダムバー23とその間に介在するリードフレーム
24との上面図である。ここで、左側に示した第1のダ
ムバーと真中に示した第2のダムバーとの、それぞれの
ダムバーピッチ幅Pと、ダムバー幅Wとを以下とする。 第1のダムバー P=P0(基準の大きさ) W=W0(基準の大きさ) 第2のダムバー P=P0′(P0′>P0とする) W=W0′(W0′>W0とする)
When the dam bar is cut using the above-mentioned photosensor, if the pitch of the dam bar and the width of the dam bar are not uniform because they are large or small, the dam bar will not be cut evenly. This state is shown in FIG. FIG. 13 is a top view of three adjacent dam bars 23 and the lead frame 24 interposed therebetween. Here, the dam bar pitch width P and the dam bar width W of each of the first dam bar shown on the left side and the second dam bar shown in the middle are as follows. First dam bar P = P 0 (reference size) W = W 0 (reference size) Second dam bar P = P 0 ′ (P 0 ′> P 0 ) W = W 0 ′ (W 0 '> W 0 )

【0034】そこで、図13の矢印(往路)方向に半導
体装置が移動していくとすると、先願によれば、第1の
ダムバー及び第2のダムバーそれぞれで、ダムバーの先
頭エッジから(t/2)移動時間後の位置aで、ダムバ
ーの切断を行う。この結果、第1のダムバーでは、切断
後のダムバーの左右の残部は等しく且つその左右方向へ
の幅自体も所期の小さい値であり、何等問題ではない。
しかし、第2のダムバーでは、図13に示すように右側
の残部Aが著しく残る。この右側の残部Aが存在する
と、品質劣化となり、又後工程に悪影響を与える。例え
ば後工程の中に、リードフレームの曲げ工程があるが、
この曲げ時に切断残り部分を折り曲げることになるが、
その折り曲げが不十分となり、リードフレームの平面上
の誤差を招く。又、リードフレームへのはんだ付け工程
があるが、この切断残り部分に余分なはんだが付加した
りして、リードフレーム間の短絡を招くこともある。
Therefore, assuming that the semiconductor device moves in the direction of the arrow (outward path) in FIG. 13, according to the prior application, in each of the first dam bar and the second dam bar, from the leading edge of the dam bar (t / 2) The dam bar is cut at the position a after the moving time. As a result, in the first dam bar, the left and right remaining portions of the dam bar after cutting are equal and the width in the left-right direction itself is a small value, which is not a problem.
However, in the second dam bar, the remaining portion A on the right side significantly remains as shown in FIG. The presence of the remaining portion A on the right side deteriorates the quality and adversely affects the subsequent processes. For example, in the post process, there is a lead frame bending process,
During this bending, the remaining cutting part will be bent,
The bending is insufficient, which causes an error in the plane of the lead frame. Further, although there is a step of soldering to the lead frame, extra solder may be added to the remaining portion after cutting, resulting in a short circuit between the lead frames.

【0035】更に、別の問題もある。図13は、ダムバ
ーの幅W0に対して1発のレーザビームで切断できる幅
Dが、それ程小さくない例(即ち、W0≒2D)であっ
た。しかし、図14(a)、(b)に示す如く、ダムバ
ーの幅W0に対して1発のレーザビームで切断できると
幅D′が充分に小さい場合(W0》D′)もある(1発
のレーザビームが絞られて小さくなっている例や、相対
的にダムバー幅が大きい例)。こうした場合、先願のや
り方では、図14(a)に示す如く、遅延時間を与えて
ダムバーの開始エッジからL1の距離の位置、又は図1
4(b)に示す如く、切断箇所がダムバーの中央位置、
となるように遅延時間を与えるやり方をとる。図14
(a)では、右側のダムバー残部が大きく、図14
(b)では左と右とのそれぞれに無視できない程のダム
バー残部が生ずる。
There is another problem. FIG. 13 shows an example in which the width D that can be cut by one laser beam with respect to the width W 0 of the dam bar is not so small (that is, W 0 ≈2D). However, as shown in FIGS. 14A and 14B, there is a case where the width D'is sufficiently small (W 0 >> D ') if the dam bar width W 0 can be cut with one laser beam (W 0 >>D'). Examples where one laser beam is narrowed and made smaller, or where the dam bar width is relatively large). In such a case, according to the method of the prior application, as shown in FIG. 14 (a), a delay time is given and the position at a distance L 1 from the start edge of the dam bar, or the position shown in FIG.
As shown in 4 (b), the cutting point is the central position of the dam bar,
The delay time is set so that 14
In (a), the remaining part of the dam bar on the right side is large.
In the case of (b), the left and right of the dam bar remains that cannot be ignored.

【0036】このように、W0》D′の如き場合には、
ダムバーの残部が大きくなり、品質劣化や後工程に問題
を残す。
Thus, in the case of W 0 >> D ',
The remaining part of the dam bar becomes large, leaving quality deterioration and problems in the post process.

【0037】そこで、本発明では、往路移動だけではな
く、復路方向への移動を行い、その往路移動と復路移動
との両方で、遅延時間を与えて、それぞれダムバー切断
を行わせることにした。
Therefore, in the present invention, not only the forward movement but also the backward movement is performed, and the delay time is given to both the forward movement and the backward movement so that the dam bar is cut.

【0038】図1は本発明の動作原理を示す図であり、
図13に対応する図である。先ず、半導体装置を搭載し
たテーブルの往路移動を連続的に行いながら、基準ダム
バー幅W0をデータとして与えて、ダムバーの左側端部
から距離Lの位置を中心としてダムバーの除去を行う。
基準ダムバー幅W0の幅を持つダムバーにあっては、距
離Lの位置とは、ダムバーの中央位置である。この往路
移動で一連のダムバーを次々に除去し、次に、復路移動
を行う。この復路移動でも、基準ダムバー幅W0をデー
タとして与える。復路移動にあっても、フォトセンサ2
4Aは、ダムバーの端部を検出するが、往路移動と異な
り、検出するのはダムバーの右側端部である。そして、
右側端部から距離Lの位置bを中心としてダムバー除去
をはかる。真中の第2のダムバーでは、斜線部分Bが除
去され、左側の第1のダムバーでは、基準ダムバー幅の
ため、往路移動で除去したダムバーを再度繰り返して除
去する(実際は往路移動で既に除去されているため、単
にレーザビームを照射するだけである)。
FIG. 1 is a diagram showing the operating principle of the present invention.
It is a figure corresponding to FIG. First, while the table on which the semiconductor device is mounted is continuously moved in the forward direction, the reference dam bar width W 0 is given as data, and the dam bar is removed around the position of the distance L from the left end of the dam bar.
In a dam bar having a reference dam bar width W 0 , the position of the distance L is the center position of the dam bar. A series of dam bars are removed one after another by this forward movement, and then a backward movement is performed. Even in this backward movement, the reference dam bar width W 0 is given as data. The photo sensor 2
4A detects the end of the dam bar, but unlike the forward movement, it detects the right end of the dam bar. And
The dam bar is removed centering on the position b at a distance L from the right end. In the second dam bar in the middle, the shaded portion B is removed, and in the first dam bar on the left side, the dam bar removed in the forward movement is repeatedly removed again due to the reference dam bar width (actually, it is already removed in the forward movement. Therefore, it only irradiates the laser beam).

【0039】このように往路と復路とを行わせることに
よって、幅の広いダムバーであっても、両端部から所定
の距離Lの位置でダムバー除去が可能となる。又、基準
幅W0よりも狭いダムバーであっても、1発のレーザビ
ームで除去可能な幅以上の大きさであれば、全く問題は
ない。
By thus performing the outward path and the inward path, it is possible to remove the dam bar at a position at a predetermined distance L from both ends even with a wide dam bar. Further, even if the dam bar is narrower than the reference width W 0 , there is no problem as long as the dam bar is larger than the width that can be removed by one laser beam.

【0040】図15は、図14の例の如く、相対的にダ
ムバー幅が1発でのレーザビームで除去を可能な幅より
も相対的に充分に大きい場合の動作原理を示す図であ
る。往路移動で、ダムバーの左側端部から距離L1の位
置でダムバー除去を行う。復路移動では、ダムバーの右
側端部から距離L1の位置でダムバー除去を行う。いず
れの場合も、フォトセンサ24や24Aを利用する。こ
の図によれば、中央部分A′が併せて除去できることに
なる。距離L1の選び方は種々であり、ダムバー残部の
幅が小さい値となるように選ぶ。
FIG. 15 is a diagram showing the operating principle in the case where the dam bar width is relatively sufficiently larger than the width that can be removed by a laser beam in one shot, as in the example of FIG. In the outward movement, the dam bar is removed at a position at a distance L 1 from the left end of the dam bar. In the return movement, the dam bar is removed at a position at a distance L 1 from the right end of the dam bar. In either case, the photo sensor 24 or 24A is used. According to this figure, the central portion A'can also be removed. There are various methods for selecting the distance L 1 , and the width of the remaining portion of the dam bar is selected to be a small value.

【0041】図1、図15の如き往復移動によるダムバ
ー除去シーケンスを実現するには、XY駆動テーブル1
1を図16の如き速度パターンに従って移動させればよ
い。図16(a)が速度パターン例であり、往路と復路
とで極性の異なる速度パターンを与えて、先ず、往路移
動を行いその定速区間で図16(b)に示す如きレーザ
パルスを次々に与えてダムバー除去を行い、更に往路移
動を行い、その定速区間で図16(b)に示す如きレー
ザパルスを次々に与えてダムバー除去を行う。レーザパ
ルスはいずれも、距離L1の位置が除去中心となるよう
な遅延時間を与えて得られたものであることは云うまで
もない。
In order to realize the dam bar removal sequence by the reciprocating movement as shown in FIGS. 1 and 15, the XY drive table 1 is used.
1 may be moved according to the velocity pattern as shown in FIG. FIG. 16A is an example of a speed pattern. By giving speed patterns having different polarities on the outward path and the return path, first, the outward path is moved and the laser pulse as shown in FIG. The dam bars are removed by applying the laser pulses, and further forward movement is performed, and the laser pulses as shown in FIG. 16B are successively applied in the constant speed section to remove the dam bars. It goes without saying that all the laser pulses were obtained by giving a delay time such that the position at the distance L 1 becomes the removal center.

【0042】以上の実施例では、フォトセンサ24Aに
よって往路と復路とのレーザビームの照射タイミングを
決定することを前提としたが、往路と復路とのレーザビ
ームの照射タイミングの決定は、これ以外の例もありう
る。例えば、図3に関する(1)〜(5)のシーケンス
を用いて、往路と復路とのダムバー除去も可能である。
In the above embodiment, it is assumed that the photosensor 24A determines the irradiation timing of the laser beam in the forward path and the backward path, but the irradiation timing of the laser beam in the forward path and the backward path is determined by other than this. There can be examples. For example, it is possible to remove the dam bar on the outward path and the return path by using the sequences (1) to (5) shown in FIG.

【0043】又、レーザ発振は、パルス状としたが、連
続発振の例もありうる。こうした連続発振では、開閉シ
ャッターを用いて加工ヘッドへのレーザビームを照射す
るか否かを決定することになる。
Although the laser oscillation is pulsed, continuous oscillation may be used. In such continuous oscillation, whether to irradiate the processing head with the laser beam is determined using the opening / closing shutter.

【0044】更に、ダムバーの位置が移動方向に対して
直角方向にずれている場合には、そうした直角方向のず
れを修正しながら、レーザビームの照射を行えばよい。
Further, when the position of the dam bar is displaced in the direction perpendicular to the moving direction, the laser beam may be irradiated while correcting the displacement in the direction perpendicular to the moving direction.

【0045】[0045]

【発明の効果】本発明によれば、ダムバーピッチやダム
バー幅に不揃えがある場合やレーザビームの除去幅に比
してダムバー幅が広すぎる場合には、ダムバーの両側端
部から所定の距離だけ残してのダムバーの除去が可能に
なった。
According to the present invention, when the dam bar pitch or the width of the dam bar is not uniform, or when the width of the dam bar is too wide as compared with the removal width of the laser beam, a predetermined distance from both side ends of the dam bar is obtained. It is now possible to remove the dam bar leaving only the distance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の往復移動によるダムバー加工例を示す
図である。
FIG. 1 is a diagram showing an example of dam bar processing by reciprocating movement according to the present invention.

【図2】レーザビームによる従来のダムバー加工装置の
構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional dam bar processing apparatus using a laser beam.

【図3】QFP形半導体装置の上面図及びダムバー加工
例を示す図である。
3A and 3B are a top view of a QFP type semiconductor device and a diagram showing an example of dam bar processing.

【図4】本発明のダムバー加工装置の実施例図である。FIG. 4 is an embodiment diagram of a dam bar processing device of the present invention.

【図5】本発明のフォトセンサを組み込んだ光学系の実
施例図である。
FIG. 5 is a diagram showing an embodiment of an optical system incorporating the photosensor of the present invention.

【図6】フォトセンサの設置例図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an installation example of a photo sensor.

【図7】図6のフォトセンサの検出波形図である。FIG. 7 is a detection waveform diagram of the photo sensor of FIG.

【図8】本発明の2値化回路25の実施例図である。FIG. 8 is a diagram showing an embodiment of a binarizing circuit 25 of the present invention.

【図9】本発明のレーザコントローラ20の実施例図で
ある。
FIG. 9 is a diagram showing an embodiment of a laser controller 20 of the present invention.

【図10】図8、図9の回路の各部波形図である。FIG. 10 is a waveform chart of each part of the circuits of FIGS. 8 and 9.

【図11】QFP形半導体装置の上面図である。FIG. 11 is a top view of a QFP type semiconductor device.

【図12】フォトセンサの他の配置例図である。FIG. 12 is a diagram showing another arrangement example of the photosensors.

【図13】ダムバーピッチやダムバー幅に違いがある場
合でのダムバー加工例図である。
FIG. 13 is a diagram showing a dam bar processing example in the case where there are differences in the dam bar pitch and the dam bar width.

【図14】ダムバー幅がレーザビームによる除去幅に比
して大きい場合でのダムバー加工例図である。
FIG. 14 is a diagram showing a dam bar processing example in the case where the dam bar width is larger than the removal width by the laser beam.

【図15】本発明でのダムバー加工例図である。FIG. 15 is a diagram showing a dam bar processing example according to the present invention.

【図16】往復動移動シーケンスを示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a reciprocating movement sequence.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ワーク(半導体装置) 11 XYテーブル 12 加工ヘッド 13 Zテーブル 14 レーザヘッド 15 メインコントローラ 16 レーザ電源 24 フォトセンサ 10 Work (Semiconductor Device) 11 XY Table 12 Processing Head 13 Z Table 14 Laser Head 15 Main Controller 16 Laser Power Supply 24 Photo Sensor

フロントページの続き (72)発明者 桜井 茂行 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 長野 義也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内Front page continuation (72) Inventor Shigeyuki Sakurai 650 Kazutachi-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Tsuchiura Plant (72) Inventor Yoshiya Nagano 650 Jincho-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Tsuchiura in the factory

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体装置を往復動させ、その往路と復
路のそれぞれで、半導体装置のリードフレームを連結す
るダムバーに、加工ヘッドからのレーザビームを照射し
てダムバーの除去を行う半導体装置のダムバー加工装
置。
1. A semiconductor device dam bar for removing a dam bar by irradiating a laser beam from a processing head to a dam bar connecting a lead frame of the semiconductor device in each of a forward path and a backward path of the semiconductor device. Processing equipment.
【請求項2】 半導体装置を往復動させ、その往路と復
路のそれぞれで、半導体装置のリードフレームを連結す
るダムバーに、加工ヘッドからのレーザビームを照射し
てダムバーの除去を行うと共に、上記往路では往路方向
に沿うダムバーの開始端部から所定の距離の位置を中心
としてレーザビームを照射してダムバー除去を行い、上
記復路では復路方向に沿うダムバーの開始端部から所定
の距離の位置を中心としてレーザビームを照射してダム
バー除去を行う半導体装置のダムバー加工装置。
2. A semiconductor device is reciprocally moved, and a dam bar that connects a lead frame of the semiconductor device is irradiated with a laser beam from a processing head to remove the dam bar in each of the forward path and the backward path, and the forward path is also included. In order to remove the dam bar by irradiating a laser beam centered on a position at a predetermined distance from the start end of the dam bar along the outward path, the return path is centered on a position a predetermined distance from the start end of the dam bar along the return path. A semiconductor device dam bar processing device that irradiates a laser beam to remove the dam bar.
【請求項3】 上記加工ヘッドのレーザビーム照射位置
を含む周辺に照射された照明光の反射光(又は透過光)
の受光位置で且つ往路又は復路の移動方向に沿うダムバ
ーの出現の様子を監視できる位置に、スポット状の感応
領域を持つフォトセンサを設け、このフォトセンサでダ
ムバーの往路又は復路の移動方向に沿うダムバー開始端
部を検出し、この検出した開始端部から上記所定の距離
の位置を中心としてレーザビームを照射するようにした
請求項2の半導体装置のダムバー加工装置。
3. Reflected light (or transmitted light) of illumination light emitted to the periphery including the laser beam irradiation position of the processing head.
A photo sensor with a spot-like sensitive area is provided at the light receiving position of the position where the appearance of the dam bar along the forward or backward movement direction can be monitored, and this photo sensor is used to follow the forward or backward movement direction of the dam bar. 3. The dam bar processing apparatus for a semiconductor device according to claim 2, wherein the dam bar starting end portion is detected, and the laser beam is emitted around the position at the predetermined distance from the detected starting end portion.
JP5052682A 1993-03-12 1993-03-12 Dam bar processing equipment for semiconductor devices Expired - Lifetime JP2818092B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5052682A JP2818092B2 (en) 1993-03-12 1993-03-12 Dam bar processing equipment for semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5052682A JP2818092B2 (en) 1993-03-12 1993-03-12 Dam bar processing equipment for semiconductor devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06268130A true JPH06268130A (en) 1994-09-22
JP2818092B2 JP2818092B2 (en) 1998-10-30

Family

ID=12921663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5052682A Expired - Lifetime JP2818092B2 (en) 1993-03-12 1993-03-12 Dam bar processing equipment for semiconductor devices

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2818092B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5662822A (en) * 1994-10-13 1997-09-02 Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Dam bar cutting apparatus and dam bar cutting method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5662822A (en) * 1994-10-13 1997-09-02 Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Dam bar cutting apparatus and dam bar cutting method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2818092B2 (en) 1998-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5662822A (en) Dam bar cutting apparatus and dam bar cutting method
US6888096B1 (en) Laser drilling method and laser drilling device
US20010048701A1 (en) Laser processing apparatus
JP2818092B2 (en) Dam bar processing equipment for semiconductor devices
KR0177005B1 (en) Laser processing apparatus, laber processing method and pam bar processing method
JP2963588B2 (en) Pulse laser processing machine and pulse laser processing method
JPH06268129A (en) Dam-bar working apparatus of semiconductor device
JP3106054B2 (en) Laser processing apparatus and laser processing method
JP2004034121A (en) Laser beam machining device and machining method
JPH10200028A (en) Dam bar machining apparatus
JPH09205169A (en) Laser processing machine and dam bar processing machine
JPH11221689A (en) Laser beam machine
JPH09219482A (en) Positioning device and dam bar cutting device of semiconductor device
JP3073399B2 (en) Pulse laser processing equipment
JP4205282B2 (en) Laser processing method and processing apparatus
JP3113804B2 (en) Laser processing apparatus, laser processing method, and dam bar processing method
JPH10144843A (en) Dam bar repair cutting method and device
JP3140968B2 (en) Laser processing equipment
JPH04313476A (en) Laser hole machining method
JPH0810972A (en) Pulse laser beam machine
JPH08195461A (en) Method and system for machining dam bar
JPH09201685A (en) Laser beam machine
JPH06169041A (en) Frame-dam-bar cutting device for semiconductor device
JP2001079676A (en) Laser beam machining device
JP3083448B2 (en) Laser processing method and apparatus